JP5960373B1 - マグネトロン配列を備えたバンド状基層コーティング設備 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明の課題は、コンパートメントの数、大きさ及び配列が変更可能であり、より大きな層厚で析出させることが可能であり、バンド状基層上に析出可能な層システムに関する柔軟性が向上されたバンド状基層コーティング設備を提示することである。【解決手段】本発明によるバンド状基層コーティング設備では、ルーム壁により形成された真空室と、この真空室内に配置された、側面が円筒形のプロセス温度制御ローラ及びこの側面に渡ってバンド状基層を運搬する運搬機器を備えたバンド状基層の表面処理装置とを有し、この側面の少なくとも一つの部分円周部が、分離壁部材により境界を画定されたコンパートメントの配列を有するプロセス空間により包囲され、少なくとも一つのコンパートメント内に、少なくとも一つのコーティング機器が配置されており、これらの分離壁部材がそれぞれプロセス空間内の複数の所定の位置の中の一つに取り付けることが可能であることによって、これらのコンパートメントの大きさ、数及び配列を変更することが可能である。【選択図】 図1

Description

本発明は、ルーム壁により形成された真空室と、この真空室内に配置されたバンド状基層表面処理装置とを有するバンド状基層コーティング設備に関し、この表面処理装置は、外殻面が円筒形のプロセス温度制御ローラを有し、更に、この側面に渡ってバンド状基層を運搬する運搬機器を有し、この外殻面の少なくとも一つの部分円周部が、隔壁部材により境界を画定されたコンパートメントの配列を有するプロセス空間によって包囲されており、少なくとも一つのコンパートメント内には、少なくとも一つのコーティング機器が配置されている。
表面処理装置、特に、バンド状基層、例えば、金属又はプラスチック製のバンド/フォイルバンドのコーティング装置を備えた既知のバンド状基層コーティング設備は、ルーム壁により形成された真空化可能な真空室と、その中に配置された、側面の部分円周部の周りにバンド状基層を案内して温度制御する、円筒形の側面を有するプロセス温度制御ローラと、この側面の部分円周部に渡って分散された、真空ポンプを用いて真空化可能なコンパートメントの配列とを有する。
処理すべきバンド状基層は、運搬機器を用いて、巻戻し部から、プロセス温度制御ローラの側面に沿って、並びに真空化可能なコンパートメント内に配置されたコーティング機器に沿って、巻上げ部にまで案内される。この場合、巻上げ部と巻戻し部は、それぞれ独自の真空化可能な巻回室内に、さもなければ真空室内に配置することができる。そのバンド状基層は、折り曲げられたり、皺にされたりすること無く、プロセス温度制御ローラの側面に沿って案内されるように、特に、方向転換ローラ、バンド張力測定ローラを備えた運搬機器によって、巻戻し部と巻上げ部の間を運ばれる。更に、例えば、巻上げ部から巻戻し部への運搬時にバンド状基層をもう一度処理するために、特に、もう一度コーティングするために、巻戻し部と巻上げ部の間のバンド状基層の運搬方向を逆転させることが知られている。
一方において、プロセス温度制御ローラを用いて、バンド状基層自体とバンド状基層上に析出されたコーティング材料を冷却して、それにより過熱から保護することができ、他方において、プロセス温度制御ローラを用いて、所定の基層処理を可能とするために、バンド状基層を加熱することができる。そのようなプロセス温度制御ローラは、真空室外に配置された駆動部を用いて、その中心軸の周りを回転することが可能なように構成されている。
そのようなプロセス温度制御ローラの側面の部分円周部に渡るコンパートメントの配列に関して、様々な実施形態が知られている。
特許文献1は、プロセス温度制御ローラを備えたバンド状基層コーティング設備を開示しており、そのプロセス温度制御ローラの側面の少なくとも一つの部分円周部が、コンパートメントの配列を有するプロセス空間によって包囲されている。そのコンパートメントの大きさは、それぞれ同じであり、壁面部材により形成されたコンパートメントの内部に表面処理装置、特に、複式チューブマグネトロンとして構成されたコーティング機器を配置することができるようなサイズである。それらの壁面部材は、例えば、接触式薄板として構成され、そのため、真空室からコンパートメントへの体積フローが最小限に低減されている。回転軸が水平方向を向いたプロセス温度制御ローラでは、コーティング機器が中に配置されたコンパートメントは、2時、4時、6時、8時及び10時の位置に互いに間隔を開けて配置され、文字盤と同様に、6時の位置が、プロセス温度制御ローラの周囲の最も深い点に相当する。更に、それらのコンパートメントは、それぞれ中に配置されたコーティング機器と共に、互いに分離された二つの部分配列として、真空室のルーム壁の真空に対して気密に閉鎖可能な開口部を通して真空室から取り出すとともに、再び真空室内に運び込むことが可能である。各コンパートメントの内部は、それぞれ真空室外に配置された真空ポンプを用いて真空にすることができる。
従って、その周知のバンド状基層コーティング設備では、コンパートメントの大きさ、数及び配列は構造的に予め決められている。各コンパートメント内には、例えば、それぞれ複式チューブマグネトロン、単式チューブマグネトロン、平板マグネトロン、蒸気分配管を備えた加熱蒸発器、イオン源又はそれ以外のコーティング源を配置することができる。
その構造の欠点は、各コンパートメントの大きさが複式チューブマグネトロンの大きさに合わせて設計されており、構造的に固定して予め決められていることである。言い換えると、各コンパートメントの大きさは、その中に複式チューブマグネトロンを配置できる大きさであり、コンパートメントの内部の容積が、真空にすべき容積を最小化するために出来る限り小さくなっている。別のコーティング課題のためのコンパートメント、例えば、バンド状基層に別の層システムを析出させるためのコンパートメントに別のコーティング機器、例えば、単式チューブマグネトロンを配備する場合、そのマグネトロンが複式チューブマグネトロンよりも小さい可能性が有る。そのようにして、本来側面の周りに使用できる、バンド状基層をコーティングするための部分円周部は、完全には活用されていない。確かに、一つのコンパートメント内に二つの単式チューブマグネトロンを配置できるが、それは、二つの単式チューブマグネトロンのプロセスが同じプロセスガスを必要とする場合だけである。
更に、コンパートメントの数と位置が構造的に予め決められていることが欠点である。コンパートメントの数よりも多い一定数の材料から成る層システムをバンド状基層上に析出させる場合、或いは析出させるべき層の厚さを大きくする場合、周知のバンド状基層コーティング設備では、それは簡単にはできない。むしろ、そのような層システムを析出させるコンパートメントの数を多くした別のバンド状基層コーティング設備を使用しなければならない。
そのようなバンド状基層コーティング設備と異なり、コンパートメントが真空室内の固定位置に配置された、真空室のルーム壁の真空に対して気密に閉鎖可能な開口部からコーティング機器だけを取り出すことが可能な別のバンド状基層コーティング設備が周知である。それらの表面処理装置でも、コンパートメントの大きさ、数及び配列が構造的に固定して予め決められている。バンド状基層の運搬機器では、コンパートメントの間に、それぞれガス分離機器を配置すると規定することができる。そのようなコンパートメントの固定位置による配列によって、ガス分離機器の大きさ、数及び配列も構造的に固定して予め決められている。
特許文献2では、バンド運搬用冷却ローラが、良好に真空化された真空室からそれぞれ隙間を介して隔離された複数のコーティングユニットよって取り囲まれている。
特許文献3は、バンド状基層用のコーティング設備を開示しており、運搬機器を用いて、コーティングローラに沿ってバンド状基層を案内して、バンド状基層の表面を処理している。その場合、固定位置に配置された分離壁部材を用いて互いに分離された複数のプロセス空間(コンパートメント)が、コーティングローラの円筒形の側面に沿って配置されている。
国際特許公開第2014/060468号明細書 米国特許公開第4204942号明細書 米国特許公開第4692233号明細書
以上のことから、本発明の課題は、コンパートメントの数、大きさ及び配列が変更可能であり、より大きな層厚で析出させることが可能であり、バンド状基層上に析出可能な層システムに関する柔軟性が向上されたバンド状基層コーティング設備を提示することである。
本課題は、請求項1の特徴を有するバンド状基層コーティング設備によって解決される。有利な実施形態及び改善形態は、従属請求項に記載されている。
ルーム壁により形成された真空室と、この真空室内に配置された、側面が円筒形のプロセス温度制御ローラ及びこの側面に渡ってバンド状基層を運搬する運搬機器を備えた、バンド状基層の表面処理装置と有し、この外殻面の少なくとも一つの部分円周部が、隔壁部材により境界を画定されたコンパートメントの配列を有するプロセス空間によって包囲されており、少なくとも一つのコンパートメント内には、少なくとも一つのコーティング機器が配置されている、バンド状基層コーティング設備において、分離壁部材が、それぞれプロセス空間内の複数の所与の位置の中の一つに取付け可能であることによって、コンパートメントの大きさ、数及び配列が変更可能であることを提案する。
この提案した解決策は、バンド状基層コーティング設備に関して、プロセス温度制御ローラの部分領域の周りを延びるプロセス領域を必要に応じて、それぞれ異なる大きさにすることができるとともに、異なる機能を持つことができる、より多くの数又はより少ない数のコンパートメントに区分することを初めて可能にし、そのため、一つの同じコーティング設備をバンド状基層上に異なる層システムを製造するための様々なプロセスに速く簡単に適合させることが可能である。
そのために、少なくとも所謂コンパートメント配列を取り換えることも最早不要である。むしろ、出来る限り小さい負担で、分離壁部材の配列が所望の構造で差し込まれるか、或いは挿入され、それによって、任意の大きさの様々な機能コンパートメントの任意の配列が作り出される。機能コンパートメントは、例えば、基層のコーティング、エッチング、プラズマ処理、加熱、冷却等を行なうコンパートメントとすることができる。
プロセス空間を複数のコンパートメントに区分することを可能とする分離壁部材は、例えば、プロセス温度制御ローラに対して、半径方向に、並びに軸方向に、即ち、その長手軸に対して平行に延びる平坦な薄板とすることができる。そのような分離壁部材の各々は、互いに境界を画定し合う二つのコンパートメントの間の境界を形成する。本発明では、そのような分離壁部材の各々は、異なる位置に取り付けることができ、そのため、コンパートメントの間の境界の位置を容易に変更することができる。
本発明の基本的な考えは、コンパートメントの大きさ、数及び配列に関して、バンド状基層コーティング設備の柔軟性を向上させることである。既存のバンド状基層コーティング設備と異なり、この構造は、コンパートメントの大きさ、数及び配列に関して自由に選定することが可能である。
バンド状基層コーティング設備の製造後でも、分離壁部材の位置を変更できることが特に有利である。例えば、コンパートメント内に同じ形式のコーティング機器、例えば、同じターゲット材料を備えたスパッタリングコーティング機器が組み入れられるように、分離壁部材を所与の位置に取り付けることができる。そのようにして、コンパートメント内に、コーティング機器として、例えば、複数の複式チューブマグネトロンを取り付けることができる大きさに、このコンパートメントを選定することが可能である。
この分離壁部材の自由な構造によって、プロセス空間をそれぞれ与えられたコーティング課題に最適に適合させることができる。
更に、側面の部分円周部の周りのプロセス空間の最大限利用可能な大きさを出来る限り良好に活用することができ、そのため、全体として、プロセスローラの直径を比較できる既存のバンド状基層コーティング設備よりも大きな層厚をバンド状基層上に析出させることができる。
一つの実施形態では、コンパートメントの配列が、コーティング機器を中に配置した少なくとも一つのコーティング用コンパートメントを有し、このコーティング用コンパートメントが、それぞれ二つの分離壁部材、二つの正面壁部材、一つの外壁部材及びプロセス温度制御ローラの方を向いた一つの遮蔽部材によって境界を画定されると規定する。
コーティング用コンパートメントは、基本的に周囲に対して閉鎖された空間であり、その中に、例えば、飛散した(霧状の)コーティング材料を供給して、それをプロセス温度制御ローラの側面に渡って案内されるバンド状基層の方向に放出する、円筒形の回転式又は静止式の平坦な(平板状の)ターゲット又は同等物を備えた単式又は複式チューブマグネトロンなどのコーティング機器が配置されている。言い換えると、このコーティング用コンパートメントは、コーティング材料の霧状の粒子がバンド状基層上に到達できるように、プロセス温度制御ローラの側面上にほんの僅かな間隔を開けて配置され、そのローラの方向に開いている。
上記の実施形態では、二つの分離壁部材が、プロセス温度制御ローラに対して半径方向に、並びに垂直に、即ち、このローラの長手軸に対して直角に延びる二つの正面壁部材によって補完される。これらの正面壁部材は、更に、コンパートメント外に収容されたコーティング機器、例えば、回転するチューブ形状のターゲットを備えたマグネトロンのための必要な場所を提供する切欠き又は開口部を備えることができる。
これらの分離壁部材は、正面壁部材と共に、壁(分離壁部材と正面壁部材)がプロセス温度制御ローラに対して半径方向に延びる一つの枠を形成する。この枠は、そのプロセス温度制御ローラの方を向いた側を外壁部材により閉鎖される。それによって、プロセス温度制御ローラに向かって開いたトラフが形成される。このトラフ内には、コーティング機器が配置される。
コーティング機器から放出された霧状のコーティング材料をプロセス温度制御ローラの側面に渡って案内されるバンド状基層の方向に放射する領域の境界を画定するために、このトラフのプロセス温度制御ローラの方を向いた側に、更に、遮蔽部材が配置される。この遮蔽部材自体は、後で実施例と関連して更に詳しく説明する通り、複数の部材から構成することができる。
この実施形態は、真空室の内部がコーティング材料により寄生コーティングされることを防止するのに有利である。この場合、分離壁部材は、周囲の方向、即ち、プロセス温度制御ローラの側面の円周方向に対してコーティング用コンパートメントの境界を画定する。これらの正面壁部材は、プロセス温度制御ローラの長手軸の方向に対してコーティング用コンパートメントの境界を画定する。これらの外壁部材は、プロセス温度制御ローラの半径方向に対して外側に、即ち、ルーム壁に向かってコンパートメントの境界を画定する。この遮蔽部材は、半径方向にプロセス温度制御ローラに向かってコーティング用コンパートメントの領域を開放するように配備される。従って、この遮蔽部材は、開口部を有し、そこを通して、コーティング材料をコンパートメントからバンド状基層上に析出させることができると同時に、バンド状基層が配置されていないプロセス温度制御ローラの側面の領域を寄生コーティングから保護している。
この遮蔽部材は、コーティングと共に生じるエネルギー投入に起因する長さ変化及び変形を排除する、或いは少なくとも制限するために、プロセス温度制御ローラの方を向いた正面壁部材と一緒に全体として冷却される。この冷却のために、遮蔽部材のこれらの部材は、冷媒が貫流するのに適した輪郭にプレス加工されて、それにより水を貫流させるねじ込み接続部を解除せずに取り換えることができるか、さもなければ遮蔽部材自体が、冷却能力を向上させることができる、冷媒を貫流させる流路の場所を提供する。
別の実施形態では、少なくとも二つのコーティング用コンパートメントが構成されて、二つの隣り合うコーティング用コンパートメントの間の少なくとも一つの区画がコーティング用コンパートメントの間を真空により分離するためのポンプ用コンパートメントを形成すると規定する。
言い換えると、隣り合うコーティング用コンパートメントが、プロセス温度制御ローラの周囲の方向に互いに隙間を有し、この隙間、即ち、二つのコーティング用コンパートメントの間の空間が更に別のコンパートメントを形成すると規定できる。このコンパートメントは、一つ又は複数の区画から構成することができる。
各区画が真空ポートを介して真空にすることが可能であるとの前提条件の下で、二つのコーティング用コンパートメントの間に配置された、そのような追加のコンパートメントは、コーティングが中で行なわれない純粋なポンプ用コンパートメントとして動作する。二つのコーティング用コンパートメントの間の空間の真空化は、二つのコーティング用コンパートメントのプロセス雰囲気を互いに隔離する役割を果たし、そのため、コーティング材料とプロセスガスが一方のコーティング用コンパートメントから他方のコーティング用コンパートメントに到達可能であることを防止している。それは、特に、一方のコーティング用コンパートメント内でバンド状基層上に析出すべき各層が他方のコーティング用コンパートメントの別のプロセス雰囲気によりそれぞれ汚染されないように、隣り合う二つのコーティング用コンパートメント内で異なるコーティング材料を析出させることに関して重要である。
この場合、周知のバンド状基層コーティング設備と比べて、この実施形態では、ポンプ用コンパートメントの数もプロセス空間内のその位置も柔軟であり、バンド状基層コーティング設備の製造完了後でも変更できることが有利である。言い換えると、より密に、より柔軟に、コーティング用コンパートメントとポンプ用コンパートメントをプロセス空間内に配置することができる。
別の実施構成では、分離壁部材の所与の位置によって、プロセス空間を同じ大きさの区画に区分すると規定する。
それにより、例えば、プロセス温度制御ローラの円周方向における個々の区画の隣り合う位置にそれぞれ一つの分離壁部材を配置することによって、コーティング用コンパートメントが、そこにコーティング機器として単式チューブマグネトロンを配置できる大きさとなるように、二つの分離壁部材を配置することができる。別のコーティング課題のために、二つの分離壁部材の中の一つを円周方向に一つの区画だけずらして、その結果、この取り囲まれたコーティング用コンパートメントを二つの区画から構成することが容易に可能となる。そして、このコンパートメント内には、コーティング機器として、例えば、複式チューブマグネトロンを配置することができる。
これによって得られる利点は、第一に、管理可能な数の異なる部分を用いて、出来る限り多くの数の異なるコンパートメントサイズが、そのため、出来る限り多くの数の異なる設備構造が実現可能になることである。これらの分離壁部材は、プロセス温度制御ローラに対して如何なる位置に分離壁部材を配置すべきかに関係無く、何れにせよ同じ形式で実現することができる、即ち、各分離壁部材は、如何なる任意の位置に取り付けることができる。
それに対して、外壁部材と遮蔽部材の大きさは、一つのコーティング用コンパートメントが如何なる数の区画を覆うのか、並びにそれらの区画の各々が如何なる大きさであるのかに依存する。しかし、個々の区画が同じ大きさである場合、遮蔽部材と外壁部材の大きさは、覆われる区画の数にのみ依存する、即ち、一つの区画を覆う外壁部材は、それぞれ別の区画に取り付けることもでき、二つの区画を覆う外壁部材は、それぞれ別の区画対に取り付けることもできるなどである。同じことが遮蔽部材にも言える。
別の実施構成では、各区画の領域内に、真空ポンプに繋がる少なくとも一つの真空ポートを配置すると規定する。
このようにして、如何なる数の区画により一つのコンパートメントを構成するのか、並びにプロセス温度制御ローラの側面の何処にコンパートメントを配置するのかに関係無く、そのコンパートメントを真空にすることができる。言い換えると、複数の区画から成るコンパートメントに対して、より大きなポンプ動力も利用可能となる。例えば、一つの区画の領域内にプロセス温度制御ローラの長手軸に沿って、複数の真空ポートを配置すると規定することもでき、それは、特に、プロセス温度制御ローラの長手軸の方向におけるサイズが大きいバンド状基層に有利である。
この実施形態は、個々の区画をそれぞれ別個に真空にすることができるので、プロセス空間全体の真空化に関して非常に大きな柔軟性を与える。しかし、この場合、当然のことながら、例えば、対応する真空ポートが一つの真空ポンプと接続されるのではなく、遮蔽部材カバーによって閉鎖されることによって、個々の区画の真空化を不要にすることが可能である。例えば、一つのコーティング用コンパートメントが三つの区画を覆う場合、場合によっては、対応する三つの真空ポートの中の一つだけを真空ポンプと接続して、それ以外の二つの真空ポートを閉鎖することが十分である場合が起こり得る。
別の実施構成では、真空ポートを一つのルーム壁に配置して、そこに取り付けられた真空ポンプがそれぞれ対応する区画にポンプ作用のために直にアクセスすると規定する。
このようにして、真空ポンプが真空室外の各区画の直ぐ近くに配置されるので、真空にすべき容積が一層最小化される。
言い換えると、真空ポンプが区画に対して直接真空作用を及ぼすように、ルーム壁と、そのため、そこに配置された真空ポートとが、区画の近くに配置される。それは、例えば、ルーム壁自体が少なくとも領域に関して円筒形の形状を有し、そのため、プロセス温度制御ローラの輪郭に対してコンパートメントに必要な隙間を確保することによって実現することができる。例えば、ルーム壁は、トラフ状の形状を持つことができる。
別の実施構成では、全ての遮蔽部材が、共通の保持機器に取外し可能に固定されて、この共通の保持機器によって、プロセス温度制御ローラに対して相対的な所定の相対位置に保持されると規定する。
この共通の保持機器は、例えば、プロセス温度制御ローラの一端にそれぞれ配置された二つの板から構成することができ、そのため、各遮蔽部材の二つの正面側端部がそれぞれ二つの板の中の一つに取り付けられる。それによって、二つの板と遮蔽部材が一緒になって、プロセス温度制御ローラを包む一つの籠を形成する。
別の実施構成では、この共通の保持機器における遮蔽部材の位置がプロセス温度制御ローラに対して相対的に設定可能であると規定する。
分離壁部材と同様に、遮蔽部材も、プロセス温度制御ローラの胴回りに渡って、周囲の方向の異なる位置に取り付けることが可能である。しかし、更に、この実施形態では、遮蔽部材は、そのプロセス温度制御ローラに対する半径方向の間隔に関しても設定可能である、即ち、所定のコーティング工程のために如何なる具体的な要件が要求されるのかに応じて、その半径方向の間隔を変更できる。この設定可能性は、例えば、共通の保持機器が縦長の穴を有し、その中に、例えば、捻子を用いて、異なる位置に遮蔽部材が取付け可能であることによって実現できる。
例えば、プロセス温度制御ローラの側面に対する遮蔽部材の間隔を設定するのが有利である。プロセス温度制御ローラの側面に対する遮蔽部材の間隔によって、隣り合う二つのコンパートメントの間の流動抵抗も決定される。この間隔を設定できることによって、流動抵抗も設定可能となり、そのため、最大化することができる。それによって、バンド状基層コーティング設備は、バンド状基層の異なる厚さに柔軟に適合させることが可能となり、バンド状基層の厚さとは、プロセス温度制御ローラに対して半径方向に延びるバンド状基層のサイズを表す。
別の実施構成では、外壁部材は、それが覆う区画の数に等しい数の開口部を有し、これらの開口部は、それぞれ一つの真空ポートを通すように配置されると規定する。
そのようにして、コンパートメントの区画の利用可能な全ての真空ポートを介してコーティング用コンパートメントの内部を真空にすることができ、同じく、外壁部材によって、コーティング機器の寄生コーティングからルーム壁が保護されることを保証している。
既に上述した通り、外壁部材は、第一に、コーティング用コンパートメントと真空室の間でのガス交換を防止するために、直ぐ近くの周囲、即ち、真空室の内部に対してコーティング用コンパートメントの境界を画定する役割を果たす。それにも関わらず、コーティング用コンパートメントを真空化できるためには、一つ又は複数の真空ポンプがコーティング用コンパートメントにポンプ作用のためにアクセスできる必要が有る。それは、コーティング用コンパートメントの外壁部材が各真空ポートの領域に開口部を有し、その開口部を介してコーティング用コンパートメントを真空化できることによって達成される。
別の実施構成では、コーティング用コンパートメントの外壁部材が真空室のルーム壁の固定位置に配置されると規定する。
この実施形態は、特に、コーティング用コンパートメントの境界を画定する異なる壁部材が互いに相対的に動けるようにする場合に有効である。それは、特に、保守目的のためにバンド状基層コーティング設備の個々の部材に良好にアクセスできることと、それらを容易に組み立てるとともに、必要に応じて互いに分離できることとを実現するのに望ましい場合が有る。
別の実施構成では、各コーティング用コンパートメントの分離壁部材がそれに対応する遮蔽部材及びそれに対応する外壁部材と直線に沿って接触すると規定する。
この場合、「直線に沿って接触する」とは、コーティング用コンパートメントの内部と真空室の間でのガス交換、即ち、継ぎ目を介したガス交換が最小限に低減される、即ち、著しく困難となるように、分離壁部材と遮蔽部材や分離壁部材と外壁部材などの互いに接触する二つの部材が組み合わされていることであると理解すべきである。
言い換えると、互いに接触する部材の継ぎ目では、コーティング用コンパートメントの内部を真空室に対して密閉すべきである。この場合、直線に沿っているのは、方向においてのみ、例えば、プロセス温度制御ローラの軸方向においてのみであると理解すべきであるが、接触面の大きさに関して制限するものと理解すべきではない。むしろ、部材が互いに接触する領域を面に沿って構成することもできる。
別の実施構成では、互いに接触する二つの部材毎に、それらの部材の中の一方がプロセス温度制御ローラの軸方向に延びるスロットを有し、そのスロットに、他方の部材が挿入される、或いは差し込まれると規定する。
このスロット・スプリング形態によって、二つの部材が互いに接触する領域の面積を拡大することができ、それによって、継ぎ目を介した漏れ体積フローが低減される。
例えば、外壁部材が、そのプロセス温度制御ローラの長手軸に対して平行に延びる縁にスロットを有すると規定する。高真空条件において分離壁部材と外壁部材の間を流れるガス流を実質的に排除できるように、このスロット内に分離壁部材を挿入することができる。それにより、更に、分離壁部材をプロセス温度制御ローラの長手軸に対して平行にスロットに差し込むことによって、分離壁部材と外壁部材を組み合わせることが可能となる。
別の実施形態では、互いに接触する二つの部材毎に、それらの部材の中の一方がプロセス温度制御ローラの軸方向に延びるばね鋼板を有し、そのばね鋼板が他方の部材を弾力的に押圧すると規定する。
例えば、遮蔽部材が、そのプロセス温度制御ローラの長手軸に対して平行に延びる縁に、それぞればね鋼板を有し、そのばね鋼板がそれぞれ分離壁部材と弾力的に接触し、そのため、高真空条件において分離壁部材と遮蔽部材の間を流れるガス流を実質的に排除可能であると規定することができる。
別の実施形態では、全ての分離壁部材、正面壁部材及びコーティング機器が第一の部分配列に含まれ、全ての遮蔽部材とプロセス温度制御ローラが第二の部分配列に含まれ、第一の部分配列と第二の部分配列がプロセス温度制御ローラの軸方向に互いに相対的に移動可能であると規定する。
これらの部材を部分配列にグループ化することによって、バンド状基層コーティング設備の構築も保守も著しく容易になる。この構成は、それによって、交換又は保守を目的にしたコーティング機器へのアクセス性が大幅に改善されるので有利である。それは、二つの部分配列が互いに相対的に移動可能であることによって、コーティング用コンパートメントを開放することより実現される。言い換えると、第二の部分配列の遮蔽部材とプロセス温度制御ローラが第一の部分配列の正面壁部材、分離壁部材及びコーティング機器に対して相対的に移動可能であることによって、コーティング用コンパートメントの内部にアクセスすることが可能になる。
別の実施形態では、第二の部分配列が運搬機器を含むと規定する。
それは、それによりバンド状基層がプロセス温度制御ローラと共にコーティング機器に対して相対的に移動可能となるので有利である。従って、第二の部分配列が動けるために、バンド状基層がプロセス温度制御ローラの側面の部分円周部に密着する可能性が有る場合に、保守の際にバンド状基層の時間のかかる取り出しが回避される。
バンド状基層の巻上げ部及び巻戻し部のために別個の巻回室を配備する実施形態では、その場合巻上げ部と巻戻し部は真空室内に配置される。それは、バンド状基層が第二の部分配列と共に真空室から移動可能であることを意味する。
別の実施形態では、第二の部分配列が遮蔽部材の共通の保持機器を有すると規定する。
この場合、遮蔽部材がプロセス温度制御ローラと一緒に動くことができ、それによって、動いている間にプロセス温度制御ローラに対する遮蔽部材の位置が変化せず、そのため、例えば、二つの隣り合うコンパートメントの間の流動抵抗を決定する、プロセス温度制御ローラの側面に対する遮蔽部材の間隔が一定に保たれることが有利である。
別の実施形態では、真空室が二つの互いに対向する開口部を有し、それらの開口部がそれぞれ一つの取外し可能なルーム壁により真空に対して気密に閉鎖可能であり、二つの部分配列がそれぞれ二つの開口部の中の一つを通して真空室から、或いは真空室に移動可能であると規定する。
この実施形態によって、二つの部分配列が互いに独立して真空室から移動可能であるとともに、再び真空室に移動可能であることが実現され、更に、コーティング機器へのアクセス性が改善される。この場合、各部分配列は、それぞれレール上を走行する台車に配置することができる。それによって、例えば、保守目的のために、基層処理装置の構成部品を真空室から取り出すことが特に容易となる。
別の実施形態では、各部分配列は、二つの取外し可能なルーム壁の中の一つに取り付けられ、それによって、各ルーム壁を取り外す際に真空室から取り出されると規定する。
それによって、二つのルーム壁を取り外すために、更に別の装置を配備する必要がないことが実現される。この実施形態は、更に、ルーム壁に取り付けられた部分配列を真空室内のその所定の位置に高い精度で取付け可能であるとの利点を有する。それと同時に、ルーム壁を真空室から外して取り去ることによって、例えば、取外し可能なルーム壁をレールシステム上に設置し、その上を走行可能とすることによって、部分配列を真空室から非常に簡単に取り出すことができる。
別の実施形態では、プロセス空間外に、側面の別の部分円周部に渡って延びる真空化可能な処理空間が配置されると規定する。
それは、それによって、真空室外に配置された別個の真空ポンプを用いて、真空室と独立して、並びにコンパートメントと独立して処理空間を真空にすることができるので有利である。
この場合、更に、この処理空間内に、バンド状基層を前処理及び/又は後処理するための少なくとも一つの処理機器が配置されると規定することができる。
従って、この処理空間は、処理空間内でバンド状基層のコーティングが行なわれないことがプロセス空間と異なる。むしろ、処理空間内に、例えば、バンド状基層の洗浄、ガス抜き、表面活性化、加熱又は冷却を行なうことができる処理機器、例えば、プラズマ源や予熱機器などを配置することができる。
別の実施形態では、バンド状基層を両方向に運搬するように運搬機器が構成されると規定する。
それによって、バンド状基層コーティング設備を一方の方向又は他方の方向に選択的に駆動するか、或いはバンド状基層コーティング設備を一方の方向でも他方の方向でも駆動することが可能となる。
それによって、バンド状基層の新たなコーティングの前に巻上げ部及び巻戻し部の配列を取り換える必要がなくなり、プロセス温度制御ローラに沿ったバンド状基層の新たな進行を回避でき、それによって、同じく巻回室又は真空室の換気が回避可能になることを実現できる。
バンド状基層の両方向の運搬に関して、更に、少なくとも二つの処理空間を配備するのが有利である。これらの処理空間は、互いに独立して真空化可能なように構成することができる。二つの処理空間の各々の中には、バンド状基層の前処理及び/又は後処理のための処理機器を配備することができ、それによって、バンド状基層の前処理も後処理もバンド状基層の運搬機器と独立して実施可能となる。
更に、プロセス空間及び処理空間外に、基層を通過させる隙間により実現される流動抵抗を発生させる、別個に真空ポンプを備えた巻回空間を形成することが可能である。それによって、基層を巻き戻す際に繰り出される基層ロールからの脱水及び脱気をプロセス及び処理空間から効果的に遠ざけることが可能となる。
以下において、実施例と添付図面に基づき本発明を詳しく説明する。
バンド状基層コーティング設備の外壁部材、バンド用台車及びプロセス用台車を備えた真空室の開放位置での斜視図 外壁部材、第一の部分配列及び第二の部分配列の分解図 コーティング機器の第一の配列例によるプロセス温度制御ローラの中心軸に対して直角の真空室の断面図 遮蔽部材の組立図 図4の遮蔽部材の分解図 正面壁部材の側面図 コーティング機器の第二の配列例によるプロセス温度制御ローラの中心軸に対して直角の真空室の断面図 コーティング機器の第三の配列例によるプロセス温度制御ローラの中心軸に対して直角の真空室の断面図
図1は、固定位置の真空室1と、移動可能なバンド用台車2と、バンド用台車2に対して相対的に移動可能なプロセス用台車3とを有するバンド状基層コーティング設備を図示している。ルーム壁14により形成された真空化可能な真空室1は、二つの互いに対向する、真空に対して気密に閉鎖可能な開口部15を有する。バンド用台車2もプロセス用台車3も、図示されていないレール上において、それぞれ一つの開口部15を通して真空室1内に動かすとともに、真空室から動かすことが可能である。更に、バンド用台車2もプロセス用台車3も、それぞれ一つのルーム壁14を有し、そのルーム壁によって、真空室1の互いに対向する開口部15の中の一つを真空に対して気密に閉鎖することが可能である。
バンド用台車2は、図示されていない巻戻し部からプロセス温度制御ローラ22の方に図示されていないバンド状基層を運搬して、プロセス温度制御ローラ22の部分円周部に沿ってバンド状基層を案内し、図示されていない巻上げ部の方にバンド状基層を運搬する運搬機器を有する。図1は、その運搬機器の別途表示されない方向転換ローラだけを図示している。
バンド用台車2は、更に、複数の遮蔽部材21が配置された保持機器23を有する。プロセス温度制御ローラ22に対する遮蔽部材21の間隔は、プロセスに応じて設定することが可能である。
プロセス温度制御ローラ22に沿って案内されたバンド状基層は、プロセス温度制御ローラ22を用いて、冷却することも加熱することもでき、プロセス温度制御ローラ22は、真空室1外に配置された、図示されていない駆動部を用いて、その中心軸の周りを回転させることが可能である。
従って、これらのプロセス温度制御ローラ22、遮蔽部材21が配置された保持機器23及び運搬機器は、バンド用台車2を用いて、真空室1から動かすとともに、再び真空室に動かすことが可能な第二の部分配列を構成する。遮蔽部材21とプロセス温度制御ローラ22の間の間隔を設定する場合、その間隔は、バンド用台車2とプロセス用台車3の互いに相対的な動きによって影響されない。
プロセス用台車3には、保持機器31が配置されている。この保持機器31は、例えば、輪郭形成パイプから成る横支持部材312と、例えば、薄板として形成された二つの正面壁部材311とにより構成される。これらの横支持部材312と正面壁部材311は、曲げに強い配列を形成する。これらの二つの正面壁部材311は、更に、それぞれ処理空間の正面側の境界を画定するように構成される。
この保持機器31は、更に、そこに取外し可能に配置された分離壁部材313を有し、そのため、これらの分離壁部材313は、プロセス用台車3から引き離して洗浄することができる。
更に、この保持機器31には、複数のコーティング機器314が配置される。この実施例では、これらのコーティング機器314は、複式チューブマグネトロンと単式チューブマグネトロンとして構成されている。しかし、それ以外のコーティング機器314、例えば、平板マグネトロン、蒸気分配管を備えた加熱蒸発器、イオン源、さもなければ別のコーティング源などを配備することもできる。これらのコーティング機器314は、この実施例では、二つの正面壁部材311の中の一つのコーティング機器開口部3111内に保持されている。
従って、この保持機器31は、そこに配置された分離壁部材313及びコーティング機器314と共に、プロセス用台車3を用いて、真空室1から動かすとともに、再び真空室に動かすこととが可能な第一の部分配列を構成する。
真空室1の内部には、複数の保持部材12が配置されており、その縦長に延びる方向が、プロセス温度制御ローラ22の中心軸に対して平行である。これらの保持部材12は、真空室1内の異なる位置に配置することができる。それぞれ二つの隣り合う保持部材12によって、一つの外壁部材11が保持されている。各外壁部材11には、少なくとも一つの開口部111が設けられている。外壁部材11の各開口部111が、それぞれルーム壁14の真空ポート13を通すように配置されている。そのため、真空ポート13と繋がる、図示されていない真空ポンプは、プロセス空間の内部にポンプ作用のために直接アクセスすることを確保している。
このプロセス空間の構成は、図3に基づき詳しく説明する。そのために、図3は、プロセス温度制御ローラ22の中心軸に対して直角の真空室1の断面図を図示している。
このプロセス空間は、プロセス温度制御ローラ22の側面の部分円周部を円環形状に包囲している。この実施例では、この部分円周部は約180°であり、この部分円周部は、バンド状基層コーティング設備の別の実施形態において、より大きく、或いはより小さく選定することもできる。このプロセス空間は、バンド状基層の運搬方向に交互に配置されたコーティング用コンパートメント32とポンプ用コンパートメント33により形成され、ポンプ用コンパートメント33は、コーティング用コンパートメント32の間を真空により分離するために、従って、ガスを分離するために配備されている。
この実施例は、六つのコーティング用コンパートメント32を有し、三つのコーティング用コンパートメント32は、その中に複式チューブマグネトロンの形のコーティング機器314を配置できるように構成され、三つの別のコーティング用コンパートメント32は、その中に単式チューブマグネトロンの形のコーティング機器314を配置できるように構成されている。
この場合、各コーティング用コンパートメント32は、それぞれ二つの分離壁部材313、一つの外壁部材11、プロセス温度制御ローラの方を向いた一つの遮蔽部材21及び二つの互いに対向する正面壁部材311から構成される。これらの遮蔽部材21と外壁部材11は、異なる大きさのコーティング用コンパートメントのために、プロセス温度制御ローラ22の側面の円周方向における大きさが異なる。各コーティング用コンパートメント32は、真空室1外に配置された一つ又は複数の真空ポンプを用いて別個に真空にすることができる。そのため、各外壁部材には、それに対応する数の開口部111が設けられており、それらは、それぞれルーム壁14の真空ポート13を通すように配置されている。このようにして、真空ポート13に配置された、図示されていない真空ポンプが、コーティング用コンパートメント32の内部にポンプ作用ための直接アクセスすることを確保している。
各ポンプ用コンパートメント33は、二つの隣り合うコーティング用コンパートメント32の分離壁部材313により形成される。ポンプ用コンパートメント33のためには、外壁部材11も遮蔽部材21も配備されない。各ポンプ用コンパートメントには、同じく真空ポート13が配備されており、それを介して、図示されていない真空ポンプが、ポンプ用コンパートメント33の内部にポンプ作用ために直接アクセスすることを確保しており、それによって、二つの隣り合うコーティング用コンパートメント32のガスを分離することを実現できる。
バンド状基層コーティング設備を開放位置から閉鎖位置に移動させるために、有利には、先ず第一の部分配列が、プロセス用台車3を用いて真空室1内に動かされる。この場合、分離壁部材313が、プロセス温度制御ローラ22の中心軸に対して平行な方向を向いた、保持部材12のスロット内に押し動かされる。次に、第二の部分配列が、バンド用台車2を用いて真空室1内に動かされる。この場合、遮蔽部材21のばね鋼板213がそれぞれ第一の部分配列の分離壁部材313に当接する。この場合、それぞれ分離壁部材313が保持部材12及びばね鋼板213と接触する直線形状の領域は、真空室1とコーティング用コンパートメント32の内部の間の圧力差に起因する体積フローを最小限に低減するように形成される。この直線形状の接触の密閉作用は出来る限り大きくすべきである。
本発明の考えは、コンパートメント32,33の大きさ、数及び配列を変更可能にすることである。それを実現するために、分離壁部材313をプロセス空間の様々な所定の位置に配置することができる。9時の位置に有るコーティング用コンパートメント32に基づき、そのことを詳しく説明する。このコーティング用コンパートメント32内に、例えば、単式チューブマグネトロンを配置する場合、このコーティング用コンパートメント32に必要となる真空ポンプのポンプ動力を低減するために、その大きさを大幅に小さくすることができる。そのために、下方に図示された別の保持部材12を真空室1のルーム壁14から取り外して、ルーム壁14における上方に図示された保持部材12の近くの二つの隣り合う真空ポート13の間の位置に再び固定する。更に、この保持部材12の方を向いた分離壁部材313を保持部材12のスロットに再び差し込むことができるように、その分離壁部材313を第一の部分配列にずらす。第二の部分配列では、遮蔽部材21をプロセス温度制御ローラ22の円周方向における、より小さい遮蔽部材21と取り換えなければならない。この場合、同じく、外壁部材11を、より小さい外壁部材に取り換えなければならない。
保持部材12をそれぞれ二つの真空ポート13の間に規則的な間隔で配置できるのが有利である。そのようにして、プロセス空間を同じ大きさの区画に区分することが可能となる。従って、この実施例では、14個の区画となる。そして、一つの実施例のコーティング用コンパートメント32は、一つ又は複数の、例えば、4〜6個の区画から構成することができる。それによって、同種のコーティング課題、例えば、一つの同じコーティング材料を用いたバンド状基層のコーティングを集約することができる。それぞれ一つの真空ポート13を一つの区画に割り当てることによって、コーティング用コンパートメントを拡大した際にポンプ動力が同じく一緒に増大される。
バンド状基層コーティング設備の製造後でもコンパートメント32,33の大きさ、数及び配列の変更を実施でき、それによって、例えば、新形式の層システムに非常に柔軟に対応することができて、その新形式の層システムに特に適合したバンド状基層コーティング設備を取得する必要が無いことが重要である。
この実施例では、更に、二つのコーティング用コンパートメント32の上方における、図3で3時の位置と9時の位置に、従って、プロセス空間外に、少なくとも一つの真空化可能な、図示されていない処理空間がプロセス温度制御ローラ22の側面の部分円周部に沿って配置されると規定することができる。この真空室1外に配置された真空ポンプを用いて真空化可能な処理空間内には、又もやバンド状基層の前処理及び/又は後処理のための処理機器を配置することができる。それによって、プロセス温度制御ローラ22の周囲が、バンド状基層の前処理、コーティング又は後処理である表面処理のための装置により最適に活用される。更に、それぞれバンド状基層の前処理装置と後処理装置を有する二つの処理空間が一つの真空室1内に配置されると規定することができる。そのようにして、バンド状基層の両方向動作のための運搬機器を配備することも可能である。従って、この運搬機器を逆転させることによって、その場合でも、バンド状基層を前処理できるとともに、後処理できることを保証している。バンド状基層にそれぞれ前処理又は後処理だけを施すことも可能である。
図6に図示されたプロセス用台車3の保持機器31は、図1〜3のプロセス空間の構造に応じて構築することができる。ここに図示されていないコーティング機器314は、コーティング機器開口部314内に配置され、それに対して、このコーティング機器開口部3111は、漏れフローを防止するために、ポンプ用コンパートメント33の領域において、それぞれ一つの閉鎖部材3112によって閉鎖される。
図4と5は、複式チューブマグネトロン用の一つの同じ遮蔽部材21の構造を図示している。この図示された遮蔽部材21は、分離壁部材313と接触可能なばね鋼板213が固定された基本支持部材214を有する。この基本支持部材を寄生コーティングから保護するために、この支持部材には、例えば、ねじ接続によって、それぞれ二ピース式縦長保護部材211とそれぞれ四ピース式正面保護部材212が取換え可能な形で配置されている。更に、同じく遮蔽部材21を冷却するための図示されていない冷却通路も、図示されていないガス通路も配置されると規定することができ、このガス通路は、所定のコーティング機器のためのプロセスガス、例えば、反応ガスを供給するのに適したものである。
図7と8は、プロセス温度制御ローラを部分的に包囲するプロセス空間の本発明に基づく変更可能な区分により得られるコーティング機器の二つの別の配列例を図示している。
図3に図示された構成の場合と同様に、このプロセス空間は、複数の分離壁部材313によってコーティング用コンパートメント32とポンプ用コンパートメント33に区分されており、各コーティング用コンパートメント32内には、一つ又は複数のコーティング機器314が配置されている。
図7による実施例では、全体で六つのコーティング用コンパートメント32と、それぞれ二つのコーティング用コンパートメント32の間毎の一つのポンプ用コンパートメント33とが配置されている。この場合、基層の運搬方向に見て最初の五つのコーティング用コンパートメント32内には、それぞれ一つの複式チューブマグネトロン314が配置され、最後のコーティング用コンパートメント32内には、平板マグネトロンが配置されている。各コーティング用コンパートメント32と各ポンプ用コンパートメント33は、それぞれ一つの外に取り付けられた真空ポンプによって真空にされる。
図8による実施例では、全体で二つのコーティング用コンパートメント32と二つのポンプ用コンパートメント33が交互に配置されており、基層の運搬方向に見て、第一のコーティング用コンパートメント32内には、五つの複式チューブマグネトロン314が配置され、第二のコーティング用コンパートメント32内には、平板マグネトロンが配置されている。存在する全ての真空ポート13には、真空ポンプが配置されている。
1 真空室
11 外壁部材
111 開口部
12 保持部材
13 真空ポート
14 ルーム壁
15 開口部
2 バンド用台車
21 遮蔽部材
211 縦長保護部材
212 正面保護部材
213 ばね鋼板
214 基本支持部材
22 プロセス温度制御ローラ
23 保持機器
3 プロセス用台車
31 保持機器
311 正面壁部材
3111 コーティング機器開口部
3112 閉鎖部材
312 横支持部材
313 分離壁部材
314 コーティング機器
32 コーティング用コンパートメント
33 ポンプ用コンパートメント

Claims (22)

  1. ルーム壁(14)により形成された真空室(1)と、この真空室(1)内に配置され、側面が円筒形のプロセス温度制御ローラ(22)及びこの側面に渡ってバンド状基層を運搬する運搬機器を備えたバンド状基層の表面処理装置とを有するバンド状基層コーティング設備であって、この側面の少なくとも一つの部分円周部が、分離壁部材(313)により境界を画定されたコンパートメント(32,33)の配列を有するプロセス空間により包囲され、少なくとも一つのコンパートメント(32,33)内に、少なくとも一つのコーティング機器(314)が配置されるバンド状基層コーティング設備において、
    これらの分離壁部材(313)がそれぞれプロセス空間内の複数の所定の位置の中の一つに取り付ることが可能であることによって、これらのコンパートメント(32,33)の大きさ、数及び配列が変更可能であることを特徴とするバンド状基層コーティング設備。
  2. 当該のコンパートメント(32,33)の配列は、一つのコーティング機器(314)が中に配置された少なくとも一つのコーティング用コンパートメント(32)を有し、このコーティング用コンパートメント(32)が、それぞれ二つの分離壁部材(313)、二つの正面壁部材(311)、一つの外壁部材(11)及びプロセス温度制御ローラ(22)の方を向いた一つの遮蔽部材(21)とにより境界を画定されることを特徴とする請求項1に記載のバンド状基層コーティング設備。
  3. 少なくとも二つのコーティング用コンパートメント(32)が形成され、二つの隣り合うコーティング用コンパートメント(32)の間の少なくとも一つの区画が、それらのコーティング用コンパートメント(32)の間を真空により分離するためのポンプ用コンパートメント(33)を形成することを特徴とする請求項2に記載のバンド状基層コーティング設備。
  4. 当該のプロセス空間が、分離壁部材(313)の所定の位置によって同じ大きさの区画に区分されることを特徴とする請求項1から3までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  5. 各区画の領域内に、真空ポンプに繋がる少なくとも一つの真空ポート(13)が配置されることを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  6. 当該の真空ポート(13)がルーム壁(14)に配置されて、その壁に取り付けられた真空ポンプが、それぞれ対応する区画にポンプ作用のために直接アクセスすることを特徴とする請求項5に記載のバンド状基層コーティング設備。
  7. 全ての遮蔽部材(21)が、共通の保持機器(23)に取外し可能に固定されて、この共通の保持機器(23)によって、プロセス温度制御ローラ(22)に対して相対的に決められた相対位置に保持されることを特徴とする請求項2から6までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  8. 当該の共通の保持機器(23)における遮蔽部材(21)の位置がプロセス温度制御ローラ(22)に対して相対的に設定可能であることを特徴とする請求項7に記載のバンド状基層コーティング設備。
  9. 当該の外壁部材(11)は、その部材が覆う区画の数と一致する数の開口部(111)を有し、これらの開口部が、それぞれ一つの真空ポート(13)を通すように配置されることを特徴とする請求項2から8までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  10. 当該のコーティング用コンパートメント(32)の外壁部材(11)が真空室(1)のルーム壁(14)の固定位置に配置されることを特徴とする請求項2から9までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  11. 各コーティング用コンパートメント(32)の分離壁部材(313)が、それに対応する遮蔽部材(21)とそれに対応する外壁部材(11)と直線に沿って接触することを特徴とする請求項2から10までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  12. 互いに接触する二つの部材毎に、それらの部材の中の一方が、プロセス温度制御ローラ(22)の軸方向に延びるスロットを有し、そのスロット内に、他方の部材が差し込まれる、或いは挿入されるを特徴とする請求項11に記載のバンド状基層コーティング設備。
  13. 互いに接触する二つの部材毎に、それらの部材の中の一方が、プロセス温度制御ローラ(22)の軸方向に延びるばね鋼板(213)を有し、このばね鋼板が、他方の接触する部材を弾力的に押圧することを特徴とする請求項11又は12に記載のバンド状基層コーティング設備。
  14. 全ての分離壁部材(313)、正面壁部材(311)及びコーティング機器(314)が第一の部分配列に含まれ、全ての遮蔽部材(21)とプロセス温度制御ローラ(22)が第二の部分配列に含まれ、これらの第一の部分配列と第二の部分配列がプロセス温度制御ローラ(22)の軸方向に互いに相対的に移動可能であることを特徴とする請求項2から13までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  15. 当該の第二の部分配列が運搬機器を含むことを特徴とする請求項14に記載のバンド状基層コーティング設備。
  16. 当該の第二の部分配列が遮蔽部材(21)の共通の保持機器(23)を含むことを特徴とする請求項14又は15に記載のバンド状基層コーティング設備。
  17. 真空室(1)が、それぞれ一つの取外し可能なルーム壁(14)により真空に対して気密に閉鎖可能な二つの対向する開口部(15)を有し、当該の二つの部分配列が、それぞれこれらの開口部(15)の中の一つを介して、真空室(1)から移動可能であるか、或いは真空室(1)に移動可能であることを特徴とする請求項14から16までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  18. 各部分配列が、当該の二つの取外し可能なルーム壁(14)の中の一つに取り付けられており、それによって、各ルーム壁(14)を取り外した場合に、真空室(1)から取り出すことが可能であることを特徴とする請求項17に記載のバンド状基層コーティング設備。
  19. 当該のプロセス空間の外に、当該の側面の別の部分円周部に渡って延びる真空化可能な処理空間が配置されることを特徴とする請求項1から18までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  20. 当該の処理空間内に、バンド状基層の前処理及び/又は後処理のための少なくとも一つの処理機器が配置されることを特徴とする請求項19に記載のバンド状基層コーティング設備。
  21. 当該の運搬機器がバンド状基層を両方向に運搬するように構成されることを特徴とする請求項1から20までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
  22. コーティングすべき基層を供給する少なくとも一つの第一の基層巻回部とその基層を収容する少なくとも一つの第二の基層巻回部が配備され、少なくとも一つの基層巻回部が、流動抵抗により真空室(1)から切り離された、別個に真空化可能な巻回室内に配置されることを特徴とする請求項1から21までのいずれか一つに記載のバンド状基層コーティング設備。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016107985A1 (de) * 2016-04-29 2017-11-02 Von Ardenne Gmbh Vakuumprozesskammer und Verfahren zum Herstellen einer Kammerwand einer Vakuumprozesskammer
JP6930878B2 (ja) * 2017-08-28 2021-09-01 株式会社アルバック 真空処理装置
JP6959210B2 (ja) * 2018-10-10 2021-11-02 株式会社ヒラノK&E 成膜装置
JP6859307B2 (ja) * 2018-10-10 2021-04-14 株式会社ヒラノK&E 成膜装置
CN110791744A (zh) * 2019-11-27 2020-02-14 无锡光润真空科技有限公司 分体式多工序真空镀膜装置
JP7305565B2 (ja) * 2020-01-17 2023-07-10 株式会社アルバック 真空処理装置
WO2023282988A1 (en) * 2021-07-09 2023-01-12 Applied Materials, Inc. Close couple diffuser for physical vapor deposition web coating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4204942A (en) * 1978-10-11 1980-05-27 Heat Mirror Associates Apparatus for multilayer thin film deposition
JPS6070175A (ja) * 1983-04-06 1985-04-20 ジエネラル・エンジニアリング・ラドクリフ・リミテツド 真空成膜方法および装置
JP2015508127A (ja) * 2012-10-16 2015-03-16 フオン・アルデンネ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング バンド状基層の為の多重コーティング装置およびバンド状基層真空コーティング装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0122092A3 (en) 1983-04-06 1985-07-10 General Engineering Radcliffe Limited Vacuum coating apparatus
GB8408023D0 (en) 1984-03-28 1984-05-10 Gen Eng Radcliffe Ltd Vacuum coating apparatus
DE10147708C5 (de) * 2001-09-27 2005-03-24 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Targetanordnung
US20050172897A1 (en) * 2004-02-09 2005-08-11 Frank Jansen Barrier layer process and arrangement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4204942A (en) * 1978-10-11 1980-05-27 Heat Mirror Associates Apparatus for multilayer thin film deposition
JPS6070175A (ja) * 1983-04-06 1985-04-20 ジエネラル・エンジニアリング・ラドクリフ・リミテツド 真空成膜方法および装置
JP2015508127A (ja) * 2012-10-16 2015-03-16 フオン・アルデンネ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング バンド状基層の為の多重コーティング装置およびバンド状基層真空コーティング装置

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