JP5959146B2 - ゲッター材料の処理方法およびゲッター材料の封止方法 - Google Patents
ゲッター材料の処理方法およびゲッター材料の封止方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5959146B2 JP5959146B2 JP2010226463A JP2010226463A JP5959146B2 JP 5959146 B2 JP5959146 B2 JP 5959146B2 JP 2010226463 A JP2010226463 A JP 2010226463A JP 2010226463 A JP2010226463 A JP 2010226463A JP 5959146 B2 JP5959146 B2 JP 5959146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter material
- deposited
- thin layer
- cavity
- getter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 47
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims description 13
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 14
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 101100460147 Sarcophaga bullata NEMS gene Proteins 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000986 non-evaporable getter Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
- B81C1/00285—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/52—Means for absorbing or adsorbing the gas mixture, e.g. by gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
本発明は、例えばマイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイスを封止する閉鎖キャビティにおいて、気体吸収及び／または吸着を生じさせるゲッター材料の分野に関する。本発明は特に、このようなゲッター材料の保護処理の実施に関する。
特許文献１及び２に開示されているように、例えばＭＥＭＳ（電気機械マイクロシステム）及び／またはＮＥＭＳ（電気機械なのシステム）及び／またはＭＯＥＭＳ（光電気機械マイクロシステム）及び／またはＮＯＥＭＳ（光電気機械ナノシステム）タイプのマイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイスの封止を密閉キャビティにおいて実施する場合、デバイスの側またはキャビティのカバーに対してのいずれかのキャビティ内部に、ゲッター材料の薄層を堆積することが知られている。ゲッター材料は、本質的に、且つ／またはそのマイクロスケールまたはナノスケールの形態を介して、気体分子に対して吸収性及び／または吸収特性を有し、閉鎖空間に置かれた場合に化学的ガスポンプを形成することができる材料である。従って、このようなゲッター材料は、マイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイスを封止するキャビティ内の圧力を制御する。非蒸発性ゲッター材料は例えば、チタン、ジルコニウム、バナジウム、またはこれらの金属の金属合金、もしくはその他の適合する金属などである。
薄層に形成されたゲッターの欠点は、外気と強い反応性を有することである。そのため、薄層のゲッター材料が形成された後に外気に曝露されると、ゲッター材料は外気（酸素、窒素、一酸化炭素及び二酸化炭素）から気体だけでなく、外気中に存在する蒸気も吸収する。例えば、ゲッター材料がチタンから構成される場合、ゲッター材料と水蒸気の化学反応は、以下の通りである。
Ｔｉ（固体）＋Ｈ２Ｏ（気体）→ＴｉＯｘ＋ｙＨ （１）
Ｔｉ（固体）＋Ｈ２Ｏ（気体）→ＴｉＯｘ＋ｙＨ （１）
このようにゲッター材料が外気に曝露されることにより、ゲッター材料の層の表面上に厚さ数ナノメートルの酸化物の層が形成される。さらに、水素分子がゲッター材料中に溶解される。ゲッター材料がジルコニウムまたはいかなるその他のゲッター材料から構成される場合も同じ反応が起こる。ゲッター材料中に水素が存在すると、活性温度付近の温度及び約１０−３ｍｂａｒから１０−７ｍｂａｒの間の圧力である二次真空に曝露された場合に脱着現象を介してゲッター材料からこの水素が放出され、これらの条件は、デバイスの封止の間及び／またはゲッター材料の熱活性化の間に頻繁に発生するため、ゲッター材料中に水素が存在すると問題が生じる。このような脱気は、ゲッター材料における酸化物の分解と連続的及び／または同時に行うことが可能である。しかし、デバイスを封止するキャビティを閉鎖した後にこのような水素の脱気が生じると、デバイスの稼動に影響を及ぼし得る。さらに、外気との接触によるゲッター材料における酸化物の形成は、とりわけ任意の外気圧における水蒸気の分圧に依存するため、制御が困難である。
ゲッター材料が外気に曝露された場合、デバイスの封止の前にゲッター材料の脱気を実施してゲッター材料を汚染する気体粒子を排除することができる。しかし、このような脱気は、ゲッター材料を数時間にわたって熱処理することによってしか得られず、封止方法を完了する場合に不都合である。
特許文献３には、外気による汚染、例えばゲッター材料の酸化からゲッター材料を保護するための解決方法として、貴金属から構成される薄層をゲッター材料に堆積することが開示されている。この解決方法は、追加の費用が発生するだけでなく、貴金属の保護層の厚さの実質的な制御を必要とする追加の堆積を必要とし、フォトリソグラフィ及びエッチングによるゲッター材料の形成を困難なものとし、さらには封止されたマイクロデバイスを構成するために行われる技術的積層との適合問題が発生し得る。
本発明の目的は、例えば、マイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイスもまたその中に封止され得るキャビティ内に封止されるゲッター材料を、外気に対して、特に外気中に存在する水蒸気に対して効果的に保護するだけでなく、さらには外部気体によって引き起こされ得るいかなる化学的変質からも保護する方法を提案することである。
そのため、二酸素及び／または二窒素の乾燥雰囲気下でゲッター材料を酸化及び／または窒化する段階の少なくとも一方を含み、ゲッター材料の酸化物及び／または窒化物から構成される保護層を形成するゲッター材料の処理方法を提供する。
「二酸素及び／または二窒素の乾燥雰囲気」とは、水蒸気の分圧が低いかまたはゼロである雰囲気を意味する。
従って、このような処理方法は、気体分子、例えば外気の気体分子を可逆的に吸収及び／または吸着して、これらの気体分子による変質からゲッター材料の全表面を保護することができる酸化物及び／または窒化物から構成される保護層を形成する。酸化物及び／または窒化物から構成される保護層によって吸収及び／または吸着された分子は、続く単純な脱気の実行によって脱着され得る。従って、このような処理方法によって、外気中の気体によって変質されずに連続してゲッター材料を外気に曝露することが可能となり、ゲッター材料が外気に曝露されないように、ゲッター材料を形成した直後にゲッター材料の封止を結び付け且つ実施しなければならないという技術的制約が排除される。
ゲッター材料の外気への曝露によって生成されるゲッター材料の酸化物に関して、乾燥酸素及び／または乾燥二窒素を含む閉鎖環境で実施される酸化及び／または窒化では、水素分子はゲッター材料中に拡散しない。従って、ゲッター材料を封止する前に、これらの水素分子を特に除去するための脱気を必要としない。
このような処理方法はまた、外気に曝露された保護されていないゲッター材料に対してゲッター材料のポンピング能力を強化する。
最後に、この方法で保護されたゲッター材料は、外気に曝露された保護されていないゲッター材料の活性化温度よりも低い活性化温度、例えば約２０℃から３０℃未満から熱的に活性化される。
有利には、水蒸気の低いまたはゼロ分圧を得るために、酸化及び／または窒化段階の前に、ゲッター材料を含む環境を真空化するまたは真空状態に維持する段階を含むことができる。従って、酸化及び／または窒化段階を真空環境で実施することができる。
特にゲッター材料がチタン及び／またはジルコニウムから構成される場合、酸化段階は、約１０−２ｍｂａｒより高い圧力及び／または約５０℃から１２０℃の間の温度及び／または約１分から１０分の間の期間にわたって実施することができる。これらのパラメータは、この温度範囲におけるチタンの酸化の反応速度が同じであるという事実に対応する。また、表面は、１分間程度の曝露時間にわたって約１０−２ｍｂａｒから吸着された種で飽和されるようである。従って、約５０℃から１２０℃の間、有利には１００℃の温度を選択することによって、ゲッター材料が曝露される気体分子を吸収及び／または吸着するのに十分な厚さを有し、ゲッター効果に対する障壁を形成せず、ゲッター材料の熱活性化温度の上昇並びに吸収及び／または吸着性能の制限に寄与しない程度に優れた保護層が形成される。結果として得られた保護層は、約１から数ナノメートルの間、例えば約１０ナノメートル未満の厚さを有し得る。
特にゲッター材料がチタン及び／またはジルコニウムから構成される場合、窒化段階は、上記で示したパラメータ、好ましくは約１００℃から１２０℃の間の温度及び／または約１分から１０分の間の時間及び／または約１０−２ｍｂａｒより高い圧力によって実施することができる。
上記で示したパラメータをチタンまたはジルコニウム以外のゲッター材料に適用することもできる。
酸化及び／または窒化段階を実施する前にゲッター材料が外気に曝露された場合、本方法はさらに、ゲッター材料の酸化及び／窒化段階より前に、活性化温度に近い温度、例えば活性化温度とほぼ等しい温度で、二次真空下でゲッター材料を熱処理する段階を含むことができる。このような熱処理は、酸化物及び／または窒化物から構成される保護層を形成する熱処理を未だ施されていないゲッター材料によって吸着及び／または酸化物及び／または窒化物に転換された気体種を脱着及び／または分解する。この場合、熱処理段階は、約１時間から１０時間の間の期間にわたって実施することができる。
熱処理は、あらゆるタイプのゲッター材料に対して実施することができる。ゲッター材料は特に、薄層として作製され、且つ／またはチタン及び／またはジルコニウム及び／またはバナジウムから構成され得る。
ゲッター材料は、約２００ｎｍ以下の粒径を有し得る。
本発明はまた、ゲッター材料をキャビティ内に封止する方法に関し、
キャビティの壁を形成するように意図された層の１面上に少なくともゲッター材料を堆積する段階と、
ゲッター材料に上記で説明したような処理を実施する段階と、
ゲッター材料を含むキャビティを閉鎖する段階と、
を少なくとも含む。
キャビティの壁を形成するように意図された層の１面上に少なくともゲッター材料を堆積する段階と、
ゲッター材料に上記で説明したような処理を実施する段階と、
ゲッター材料を含むキャビティを閉鎖する段階と、
を少なくとも含む。
キャビティは、カバーを基板に移動すること、または基板上に犠牲層を堆積した後にカバー層（または閉鎖層）を堆積し、後に犠牲層を除去することによって得ることができる。この第２の例では、閉鎖段階は、カバー層に形成された犠牲層を除去するための除去孔を閉鎖する段階からなり得る。この場合、ゲッター材料の保護層は、水分からゲッターを保護するだけでなく、犠牲層を作製及び除去する段階からもゲッターを保護する。
本方法はさらに、ゲッター材料の処理方法とキャビティの閉鎖段階との間に、ゲッター材料の活性化温度に対して約５０℃から１５０℃低い温度で、二次真空下でゲッター材料を熱処理する段階を含むことができる。このような熱処理は特に、保護層が形成された後にゲッター材料が外気に曝露されたときに保護層によって吸着及び／または吸収された気体分子を脱着し、同時にこの脱気段階の間にゲッター材料が活性化されることを防ぐ。
ゲッター材料の処理方法とキャビティの閉鎖段階との間に実施されるゲッター材料の熱処理段階は、約数分から数十分、例えば約２分から５０分の間の期間にわたって実施することができる。
本方法は、ゲッター材料の処理方法を実施した後、またはゲッター材料の処理方法とキャビティの閉鎖段階との間に実施されるゲッター材料の熱処理段階を含む場合は、ゲッター材料の前記熱処理段階の後に、ゲッター材料の熱活性化段階をさらに含むことができる。ゲッター材料の熱活性化以外に、この段階によってゲッター材料が保護層の酸化物及び／または窒化物粒子を形成する酸素及び／または窒素分子を吸収することが可能となり、均一なゲッター材料が生成され、その結果保護層が除去される。このゲッター材料の熱活性化段階は、キャビティの閉鎖段階の間に実施することができる。
ゲッター材料の熱活性化は、ゲッター材料を約２００℃から４５０℃の間の温度に加熱することによって達成することができる。
マイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイスを、キャビティ内に封止することもできる。
少なくとも１つのゲッター材料の非自然酸化物及び／または窒化物からなる少なくとも１つの保護層を基板上に備えるゲッター材料が提案される。「非自然酸化物」との用語は、外気において自然に形成される酸化物ではなく、例えば前述のような二酸素及び／または二窒素の乾燥雰囲気下での酸化段階によって形成される酸化物を示す。
保護層は、約１ｎｍから１０ｎｍの間の厚さを有し得る。
前記ゲッター材料は、薄層で形成され、且つ／またはチタン及び／ジルコニウム及び／またはバナジウムから構成され得る。
本発明はまた、上記のようなゲッター材料を含む少なくとも１つのキャビティを備えた封止構造体に関する。
封止構造体は、キャビティ内に封止された少なくとも１つのマイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイスをさらに備え得る。
本発明は、添付の図面を参照し、実施形態の説明からより深く理解されるが、これらの実施形態は単に表示及び非限定的な目的で与えられたものである。
以下で説明される異なる図面の同一、類似、または同等の部分には、全ての図面を容易に参照するために、同一の参照符号が付される。
図面をより見やすくするために、図面に示される異なる部分は必ずしも均一な縮尺で示されているとは限らない。
異なる可能性（変形例及び実施形態）は、互いに排他的であると理解されてはならず、組み合わせることが可能である。
特定の実施形態によるゲッター材料１０４の封止方法並びにマイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイス１００、例えばＭＥＭＳ及び／またはＮＥＭＳ及び／またはＭＯＥＭＳ及び／またはＮＯＥＭＳタイプの封止方法の段階を図示する図１から３を参照する。
図１に示すように、ゲッター材料１０４及びデバイス１００を封止するためのキャビティのカバーを形成するよう意図された基板１０２上にゲッター材料１０４を堆積する。ゲッター材料１０４（ここではチタンである）を、例えばリフトオフ堆積（基板１０２上に作製された犠牲マスクを通した堆積）または厚さが約１０μｍ以下である薄層の形態のステンシルを通した堆積によって形成する。ゲッター材料１０４をリソグラフィ及びエッチングによって形成することもできる。
次いで、ゲッター材料１０４が特に外気から保護されるように処理を実施する。これには、乾燥二酸素（Ｏ２）及び／または乾燥二窒素（Ｎ２）を、約５０℃から１２０℃の間の温度、例えば約１００℃の温度で堆積チャンバ内に導入し、堆積チャンバ内の圧力は例えば最低約１０−２ｍｂａｒと等しい。ゲッター材料１０４を数分間の期間、例えば約１分から１０分の間にわたって二酸素及び／または二窒素の存在下に配置することによって、ゲッター材料１０４の乾燥酸化及び／または窒化が実施され、図２に示すようにゲッター材料１０４の表面上にチタン酸化物及び／またはチタン窒化物から構成される保護層１０６が形成される。保護層１０６の厚さは、例えば約１ｎｍから数ナノメートルの間、例えば約１０ｎｍである。チタンの酸化及び窒化反応は、以下の式に対応する。
Ｔｉ（固体）＋Ｏ２（気体）→ＴｉｘＯｙ（固体） （２）
Ｔｉ（固体）＋Ｎ２（気体）→ＴｉｗＮｚ（固体） （３）
Ｔｉ（固体）＋Ｏ２（気体）→ＴｉｘＯｙ（固体） （２）
Ｔｉ（固体）＋Ｎ２（気体）→ＴｉｗＮｚ（固体） （３）
添え字ｘ、ｙ、ｗ及びｚは、予想される化合物、具体的にはＴｉＯ２及びＴｉＮに対して、不定比化合物を含む可能性を示す。続いてゲッター材料が外気に曝露される場合、存在する気体、特に外気中の気体はゲッター材料１０４を汚染することなくその後保護層１０６だけでなくフォトリソグラフィで使用された化学製品によっても吸収及び／または吸着されるため、結果として保護層１０６が、これらの気体によって引き起こされ得る化学変性からゲッター材料を保護する。従って、デバイス１００及びゲッター材料１０４を封止するよう意図されたキャビティを形成するための基板１０２を使用する前に基板１０２およびゲッター材料１０４を外気中に保管することが可能である。
図３に示すように、基板１０２は、そこにデバイス１００が作製されるように第２基板１１０と組立てられ、封止構造体２００が形成される。この組立ては、シーリングビード１１２を利用して基板１０２を第２基板１１０と接続することによってなされ、デバイス１００及びゲッター材料１１４を封止する密封キャビティ１１４を形成する。この組立てを通して、外気に曝露されたときに保護層１０６によって吸着及び／または吸収された気体を脱着させるために、二次真空下での熱処理を実施し、例えばゲッター材料の活性化温度に対して約５０℃から１５０℃低い温度で、約数分から数十分の間にわたって実施する。従って、これらの気体は、キャビティ１１４が密閉される前に排気される。
その後、例えば約２００℃から４５０℃の間の温度でゲッター材料の性質に応じて選択し、ゲッター材料１０４のアニーリングを利用したゲッター材料１０４の熱活性化を実施することによって封止が達成される。ゲッター材料１０４の熱活性化以外では、このアニーリングはまた保護層１０６を“分解”し、酸化物及び／または窒化物粒子の形態で保護層１０６中に存在し、すべてのゲッター材料１０４に吸収される酸素及び／窒素分子を有する保護層１０６を除去し、ここではチタンから構成される均一なゲッター材料１０４を生成する。
図１から３とあわせて上記で説明した実施例では、堆積されたときにゲッター材料１０４が基板１０２上に直接形成され、次いで乾燥二酸化物及び／または乾燥二窒素によって酸化及び／または窒化される。変形例では、最初に、基板１０２を完全に被覆する薄層の形態でゲッター材料を形成することも可能である。その後、ゲッター材料は乾燥二酸化物及び／または乾燥二窒素によって酸化及び／または窒化され、保護層１０６を形成し、フォトリソグラフィ及び乾式、反応的かどうかにかかわらず、または湿式エッチングによって形成される。形成された酸化物及び／または窒化物層１０６は、完成したエッチングに対してゲッター材料１０４の挙動を変更しない。
前述の方法において、酸化物及び／窒化物から構成される保護層１０６の形成は、ゲッター材料１０４の堆積チャンバ内においてインサイチューで実施される。しかし、保護層１０６を形成する方法を、事前に外気に曝露されたゲッター材料に適用することもできる。この場合、保護層１０６の形成より前に、二次真空下で例えば約３５０℃で数時間に及ぶ熱処理が実施される。この熱処理が完了すると、次いで、ゲッター材料が外気に曝露しないようにゲッター材料の真空下での封止を維持して、保護層１０６を形成するための前述のような乾燥酸化及び／窒化が実施される。保護層１０６を形成する間、封止体内に形成される真空は、約１０−２ｍｂａｒより高い圧力に調整され、温度は約５０℃から１２０℃の間、好ましくは約１００℃に調整される。
酸化物及び／窒化物から構成される保護層１０６の形成によってさらに、ゲッター材料のポンプ性能が増強される。図４に描かれた曲線１０は、保護層１０６がチタン酸化物（ゲッター材料１０４の乾燥酸化によって形成される）から構成される場合の、ゲッター材料１０４の熱活性化温度（℃）に応じたゲッター材料１０４のポンプ性能（ｍｂａｒ・ｃｍ３／ｃｍ２）を表す。曲線１２は、同一のゲッター材料１０４のポンプ性能を表すが、保護層１０６がチタン窒化物（ゲッター材料１０４の乾燥窒化によって形成される）から構成される場合である。最後に、曲線１４は、保護層を有さない同一のゲッター材料１０４のポンプ性能を表す。
図４は、酸化物または窒化物から構成される保護層の存在により、保護層を有さず、外気に曝露されたゲッター材料と比較して、ゲッター材料のポンプ性能が増強されたことを明確に示している。さらに、曲線１４では、保護層を有さないゲッター材料の熱活性化の最後より前に、３５０℃から３７５℃の間で、保護されていないゲッター材料が脱気を行うこと（ポンプ性能の降下によって図４から解釈される）が明らかであり、ゲッター材料及びデバイスが封止されるキャビティの閉鎖の後であるゲッター材料の熱活性化の間に現われるこのような脱気は、キャビティ内の圧力を上昇させ、デバイスの稼動を不安定にする可能性があるため、主な欠点を構成する。比較すると、曲線１０及び１２では、ゲッター材料が酸化物または窒化物から構成される保護層によって保護されている場合はそのような脱気が起こらないことが明らかである（ゲッター材料の熱活性化の間に曲線１０及び１２ではポンプ性能の降下が現われない）。
その間にゲッター材料の乾燥酸化及び／または窒化によって保護層が形成される前述の封止方法は、特にＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ、ＮＯＥＭＳ型のマクロシステムもしくはナノシステム、または制御された雰囲気を必要とする赤外検出器に適用される。また、前述のゲッター材料１０４の封止及びデバイス１００の封止が２つの基板の組立てによってなされるとしても、密閉キャビティにおけるデバイス１００及びゲッター材料１０４のこの封止は、基板１１０上にキャビティのカバーを薄層として堆積することによってなすことができる（この場合、ゲッター材料１０４はデバイス１００の側に形成される）。
変形例では、ゲッター材料を基板１０２上に堆積せず、例えばデバイス１００の側に配置された第２基板１１０上に堆積することも可能である。
１００ デバイス
１０２ 基板
１０４ ゲッター材料
１０６ 保護層
１１０ 第２基板
１１２ シーリングビード
１１４ 密封キャビティ
２００ 封止構造体
１０２ 基板
１０４ ゲッター材料
１０６ 保護層
１１０ 第２基板
１１２ シーリングビード
１１４ 密封キャビティ
２００ 封止構造体
Claims (13)
- １０−２ｍｂａｒより高い圧力及び５０℃から１２０℃の間の温度で、１分から１０分の間の期間にわたって、二窒素の乾燥雰囲気下で、薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）を窒化する段階を含み、前記ゲッター材料（１０４）の窒化物から構成され、且つ前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の上で１ｎｍから１０ｎｍの間の厚さを有する保護層（１０６）を形成する、薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の処理方法。
- 前記窒化段階より前に、前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）を含む環境を真空化するかまたは真空状態に維持する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
- 前記窒化段階を実施する前に前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）が外気に曝露された場合、前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の前記窒化段階より前に、その熱活性化温度付近の温度及び二次真空下で、前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱処理する段階をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
- 前記熱処理段階を１時間から１０時間の間の期間にわたって実施する、請求項３に記載の方法。
- 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）がチタン及び／またはジルコニウム及び／またはバナジウムから構成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
- 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）が２００ｎｍ以下の粒径を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
- キャビティ（１１４）の壁を形成するよう意図された層（１０２）の１面上に少なくともゲッター材料（１０４）を薄層として堆積する段階と、
請求項１から６のいずれか一項に記載の薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の処理方法を実施する段階と、
前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）を含む前記キャビティ（１１４）を閉鎖する段階と、
を少なくとも含む、キャビティ（１１４）内に薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）を封止する方法。 - 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の処理方法と前記キャビティ（１１４）の閉鎖段階との間に、前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の活性化温度と比較して５０℃から１５０℃低い温度及び二次真空下で実施する前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱処理段階をさらに含む、請求項７に記載の方法。
- 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の処理方法と前記キャビティ（１１４）の閉鎖段階との間に実施される前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱処理段階を、数分から数十分の間の期間にわたって実行する、請求項８に記載の方法。
- 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の処理方法を実行した後、または、前記方法が前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の処理方法と前記キャビティ（１１４）の閉鎖段階との間に実施される前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱処理段階を含む場合は前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱処理段階の後に、前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱活性化段階をさらに含む、請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
- 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱活性化段階を前記キャビティ（１１４）の閉鎖段階の間に実施する、請求項１０に記載の方法。
- 前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）の熱活性化段階を、前記薄層が堆積されたゲッター材料（１０４）を２００℃から４５０℃の間の温度まで加熱することによって実施する、請求項１０または１１に記載の方法。
- マイクロエレクトロニクス及び／またはナノエレクトロニクスデバイス（１００）をさらに前記キャビティ（１１４）中に封止する、請求項７から１２のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0956997 | 2009-10-07 | ||
| FR0956997A FR2950876B1 (fr) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | Procede de traitement d'un materiau getter et procede d'encapsulation d'un tel materiau getter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011082521A JP2011082521A (ja) | 2011-04-21 |
| JP5959146B2 true JP5959146B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=42154350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010226463A Expired - Fee Related JP5959146B2 (ja) | 2009-10-07 | 2010-10-06 | ゲッター材料の処理方法およびゲッター材料の封止方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9051173B2 (ja) |
| EP (1) | EP2308798B1 (ja) |
| JP (1) | JP5959146B2 (ja) |
| FR (1) | FR2950876B1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2950877B1 (fr) | 2009-10-07 | 2012-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure a cavite comportant une interface de collage a base de materiau getter |
| FR2967302B1 (fr) | 2010-11-09 | 2012-12-21 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation d'un micro-dispositif comportant un matériau getter |
| FR2967150A1 (fr) | 2010-11-09 | 2012-05-11 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de réalisation de substrat a couches enfouies de matériau getter |
| US9452925B2 (en) | 2011-06-27 | 2016-09-27 | Invensense, Inc. | Method of increasing MEMS enclosure pressure using outgassing material |
| US9540230B2 (en) | 2011-06-27 | 2017-01-10 | Invensense, Inc. | Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures |
| US9718679B2 (en) | 2011-06-27 | 2017-08-01 | Invensense, Inc. | Integrated heater for gettering or outgassing activation |
| FR2981198B1 (fr) * | 2011-10-11 | 2014-04-04 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation de dispositif electronique et procede de realisation d'une telle structure |
| FR2982073B1 (fr) * | 2011-10-28 | 2014-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation hermetique d'un dispositif et d'un composant electronique |
| US9738512B2 (en) | 2012-06-27 | 2017-08-22 | Invensense, Inc. | CMOS-MEMS integrated device including multiple cavities at different controlled pressures and methods of manufacture |
| WO2014159946A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Mems device having a getter |
| NO2944700T3 (ja) | 2013-07-11 | 2018-03-17 | ||
| FR3014240B1 (fr) | 2013-11-29 | 2017-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un substrat comportant un materiau getter dispose sur des parois d'un ou plusieurs trous borgnes formes dans le substrat |
| FR3014241B1 (fr) | 2013-11-29 | 2017-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation comprenant des tranchees partiellement remplies de materiau getter |
| FR3021645B1 (fr) | 2014-06-03 | 2019-06-14 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Structure d'encapsulation a plusieurs cavites munies de canaux d'acces de hauteurs differentes |
| FR3030475B1 (fr) | 2014-12-17 | 2017-01-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure getter multi-niveaux et structure d'encapsulation comportant une telle structure getter multi-niveaux |
| US9884758B2 (en) * | 2016-01-15 | 2018-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selective nitride outgassing process for MEMS cavity pressure control |
| US10160639B2 (en) | 2016-06-27 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure for MEMS Device |
| US10131541B2 (en) | 2016-07-21 | 2018-11-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS devices having tethering structures |
| JP6536629B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2019-07-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| FR3083537B1 (fr) * | 2018-07-06 | 2021-07-30 | Ulis | Boitier hermetique comportant un getter, composant integrant un tel boitier hermetique et procede de fabrication associe |
| US10526199B1 (en) * | 2018-09-27 | 2020-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High efficiency getter design in vacuum MEMS device |
| US20210154738A1 (en) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | Markforged, Inc. | Getter device for sintering additively manufactured parts |
| FR3109936B1 (fr) | 2020-05-07 | 2022-08-05 | Lynred | Procede de fabrication d’un microsysteme electromecanique et microsysteme electromecanique |
| KR102498711B1 (ko) * | 2020-10-06 | 2023-02-14 | 주식회사 원익홀딩스 | 게터의 안정화 처리 방법 |
| KR102588567B1 (ko) * | 2021-07-16 | 2023-10-16 | 주식회사 원익홀딩스 | Zr계 게터의 표면 불순물 제거 방법 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL153369B (nl) * | 1966-01-08 | 1977-05-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een niet-verdampende gasbinder voorziene elektrische ontladingsbuis, en elektrische ontladingsbuis, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
| US5583393A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-10 | Fed Corporation | Selectively shaped field emission electron beam source, and phosphor array for use therewith |
| JP3374322B2 (ja) * | 1996-10-01 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法 |
| US5964630A (en) * | 1996-12-23 | 1999-10-12 | Candescent Technologies Corporation | Method of increasing resistance of flat-panel device to bending, and associated getter-containing flat-panel device |
| US6499354B1 (en) * | 1998-05-04 | 2002-12-31 | Integrated Sensing Systems (Issys), Inc. | Methods for prevention, reduction, and elimination of outgassing and trapped gases in micromachined devices |
| US6461766B1 (en) | 1998-08-27 | 2002-10-08 | Ovonic Battery Company, Inc. | Hydrogen storage powder and process for preparing the same |
| WO2001054178A1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer manufacturing process |
| JP2002075170A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ゲッター材料ならびにそれを用いたフラットディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| TW533188B (en) | 2001-07-20 | 2003-05-21 | Getters Spa | Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices |
| US6923625B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-02 | Integrated Sensing Systems, Inc. | Method of forming a reactive material and article formed thereby |
| JP2004031276A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Toshiba Corp | 画像表示装置の製造方法 |
| US6867543B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-03-15 | Motorola, Inc. | Microdevice assembly having a fine grain getter layer for maintaining vacuum |
| JP2005268124A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 画像表示装置 |
| US20050253283A1 (en) | 2004-05-13 | 2005-11-17 | Dcamp Jon B | Getter deposition for vacuum packaging |
| US7204737B2 (en) * | 2004-09-23 | 2007-04-17 | Temic Automotive Of North America, Inc. | Hermetically sealed microdevice with getter shield |
| KR20100005255U (ko) * | 2005-02-17 | 2010-05-20 | 세스 게터스 에스.피.에이 | 플렉시블 다층 게터 |
| FR2883099B1 (fr) | 2005-03-14 | 2007-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Protection d'un getter en couche mince |
| JP4844322B2 (ja) | 2006-09-26 | 2011-12-28 | パナソニック電工株式会社 | 真空封止デバイスの製造方法 |
| US7595209B1 (en) * | 2007-03-09 | 2009-09-29 | Silicon Clocks, Inc. | Low stress thin film microshells |
| FR2922202B1 (fr) | 2007-10-15 | 2009-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant une couche getter et une sous-couche d'ajustement et procede de fabrication. |
| FR2967150A1 (fr) | 2010-11-09 | 2012-05-11 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de réalisation de substrat a couches enfouies de matériau getter |
| FR2967302B1 (fr) | 2010-11-09 | 2012-12-21 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation d'un micro-dispositif comportant un matériau getter |
-
2009
- 2009-10-07 FR FR0956997A patent/FR2950876B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-04 EP EP10186344.7A patent/EP2308798B1/fr active Active
- 2010-10-05 US US12/898,094 patent/US9051173B2/en active Active
- 2010-10-06 JP JP2010226463A patent/JP5959146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2950876A1 (fr) | 2011-04-08 |
| US9051173B2 (en) | 2015-06-09 |
| JP2011082521A (ja) | 2011-04-21 |
| US20110079425A1 (en) | 2011-04-07 |
| FR2950876B1 (fr) | 2012-02-10 |
| EP2308798A1 (fr) | 2011-04-13 |
| EP2308798B1 (fr) | 2018-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5959146B2 (ja) | ゲッター材料の処理方法およびゲッター材料の封止方法 | |
| JP5535534B2 (ja) | ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法 | |
| US8605445B2 (en) | Structure comprising a getter layer and an adjusting sublayer and fabrication process | |
| JP5781288B2 (ja) | ゲッタ材料からなる接着界面を備えるキャビティ構造 | |
| US20130221497A1 (en) | Method for the production of a substrate comprising embedded layers of getter material | |
| CN108249386B (zh) | 激活温度可控的非蒸散型薄膜吸气剂及其应用 | |
| CN103569949A (zh) | 封装至少一个微电子装置的方法 | |
| US8884331B2 (en) | Structure for hermetic encapsulation of a device and an electronic component | |
| US9041174B2 (en) | Getter having two activation temperatures and structure comprising this getter | |
| WO2018196333A1 (zh) | 一种真空玻璃内置吸气剂的激活方法 | |
| TW202015146A (zh) | 製造包括第一微機電元件和第二微機電元件的系統的方法及系統 | |
| WO2020009627A1 (en) | Process for production of a substantially two-dimensional sheet of transition metal carbide, nitride or carbonitride | |
| US9240362B2 (en) | Layer arrangement and a wafer level package comprising the layer arrangement | |
| US11285453B2 (en) | Moisture and hydrogen adsorption getter and method of fabricating the same | |
| JP5458562B2 (ja) | 気体吸着デバイス | |
| US20160176703A1 (en) | Multi-level getter structure and encapsulation structure comprising such a multi-level getter structure | |
| WO2015119564A1 (en) | Controlling pressure in cavities on substrates | |
| US10752498B2 (en) | MEMS component having two different internal pressures | |
| JP2010003716A (ja) | 水分ゲッター材および密閉構造のパッケージ | |
| KR20230013687A (ko) | Zr계 게터의 표면 불순물 제거 방법 | |
| Longoni et al. | Patterned gas absorbing films for assuring long-term reliability and improving performances of MEMS and OMEMS |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130816 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140425 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141201 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150401 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150512 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160404 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160621 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5959146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |