JP5957693B2 - Chip resistor - Google Patents

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Description

本発明は、各種電子機器に使用される低い抵抗値のチップ抵抗器に関するものである。   The present invention relates to a low-resistance chip resistor used in various electronic devices.

従来のこの種のチップ抵抗器は、図２に示すように、絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成され銀パラジウムで構成された一対の上面電極２と、一対の上面電極２間に形成された抵抗体３と、抵抗体３に形成された抵抗値修正用のトリミング溝４と、一対の上面電極２の一部と抵抗体３を覆うように形成された保護層５と、絶縁基板１の側面に形成された側面電極６と、側面電極６を覆うように形成され保護層５と接するめっき層７とを備えていた。そして、上記のように上面電極２を銀パラジウムで構成することによって、上面電極２の硫化を防止し、耐硫化対策を施していた。ここで、硫化ガスは保護層５とめっき層７の僅かな隙間から侵入し、上面電極２を銀単体で構成した場合は、上面電極２の銀を徐々に深く侵していき、上面電極２の銀が消失して断線することがあった。   As shown in FIG. 2, this type of conventional chip resistor is formed between an insulating substrate 1, a pair of upper surface electrodes 2 formed on the insulating substrate 1 and made of silver palladium, and a pair of upper surface electrodes 2. The resistor 3, the trimming groove 4 for correcting the resistance value formed in the resistor 3, the protective layer 5 formed so as to cover a part of the pair of upper surface electrodes 2 and the resistor 3, and the insulating substrate 1 was provided with a side electrode 6 formed on one side surface and a plating layer 7 formed so as to cover the side electrode 6 and in contact with the protective layer 5. Then, as described above, the upper surface electrode 2 is made of silver palladium, thereby preventing the upper surface electrode 2 from being sulfided and taking measures against sulfuration. Here, the sulfide gas enters from a slight gap between the protective layer 5 and the plating layer 7, and when the upper surface electrode 2 is composed of a single silver, the upper surface electrode 2 is gradually infiltrated deeply into the upper electrode 2. Silver may disappear and breakage may occur.

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。   As prior art document information relating to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.

特開２００３−６８５０２号公報JP 2003-68502 A

上記した従来のチップ抵抗器においては、一対の上面電極２が銀パラジウムで構成されているため、一対の上面電極２の抵抗値が高くなり、また、めっき層７は抵抗値が低いため、めっき層７を形成すると抵抗体３の測定抵抗値が下がり、これにより、低い抵抗値のチップ抵抗器の場合、めっき層７形成前において抵抗値修正されたときに測定された抵抗体３の測定抵抗値が大きく変動（低下）するため、抵抗値歩留まりが悪化するという課題を有していた。   In the above-described conventional chip resistor, since the pair of upper surface electrodes 2 are made of silver palladium, the resistance value of the pair of upper surface electrodes 2 is high, and the plating layer 7 has a low resistance value. When the layer 7 is formed, the measured resistance value of the resistor 3 decreases, and in the case of a chip resistor having a low resistance value, the measured resistance of the resistor 3 measured when the resistance value is corrected before the plating layer 7 is formed. Since the value greatly fluctuates (decreases), there is a problem that the resistance value yield deteriorates.

本発明は上記従来の課題を解決するもので、耐硫化特性を維持しつつ抵抗値歩留まりを向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a chip resistor that can improve the resistance value yield while maintaining the resistance to sulfuration.

上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。   In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.

本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され銀で構成された一対の上面電極と、この一対の上面電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体に形成された抵抗値修正用のトリミング溝と、前記抵抗体を覆うように形成された保護層と、前記絶縁基板の側面に形成された側面電極と、この側面電極を覆うように形成され前記保護層と接するめっき層とを備え、前記上面電極の上面における前記めっき層と保護層の境界位置に、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された再上面電極を形成し、この再上面電極の金属粒子同士はカーボン粒子を介して導電させたもので、この構成によれば、銀で構成された上面電極の抵抗値は低いため、めっき層を形成しても抵抗体の測定抵抗値がほとんど下がらず、これにより、低い抵抗値のチップ抵抗器の場合でも、めっき層形成前において抵抗値修正されたときの抵抗体の測定抵抗値は、めっき層形成後でもあまり変動しないため、抵抗値歩留まりが向上し、さらに、硫化ガスが多く存在する環境で使用しても、再上面電極を構成する材料の粒子にカーボンが含まれているため、銀の供給がカーボンで阻害され、これにより、再上面電極の深部まで硫化が進行しないため、上面電極を構成する銀が硫化して断線することを防止できるという作用効果を有するものである。   The invention according to claim 1 of the present invention includes an insulating substrate, a pair of upper surface electrodes formed on the insulating substrate and made of silver, a resistor formed between the pair of upper surface electrodes, and the resistance A trimming groove for correcting a resistance value formed in the body, a protective layer formed to cover the resistor, a side electrode formed on the side surface of the insulating substrate, and a side electrode formed to cover the side electrode. A re-top electrode made of a resin containing metal particles and carbon particles is formed at a boundary position between the plating layer and the protective layer on the top surface of the top electrode. The metal particles of the upper surface electrode are made to conduct with each other through carbon particles. According to this configuration, the resistance value of the upper surface electrode made of silver is low. The value hardly decreases. Thus, even in the case of a chip resistor having a low resistance value, the measured resistance value of the resistor when the resistance value is corrected before the plating layer is formed does not vary much even after the plating layer is formed, so that the resistance value yield is improved. Further, even when used in an environment where a large amount of sulfur gas exists, the supply of silver is impeded by carbon because the particles of the material constituting the upper surface electrode contain carbon. Since the sulfidation does not proceed to the upper limit, it is possible to prevent silver constituting the upper surface electrode from being sulfided and disconnected.

以上のように本発明のチップ抵抗器は、上面電極は銀で構成されているためその抵抗値は低く、これにより、めっき層を形成しても抵抗体の測定抵抗値がほとんど下がらないため、めっき層形成前において抵抗値修正されたときの抵抗体の測定抵抗値は、めっき層形成後でもあまり変動せず、これにより、抵抗値歩留まりが向上し、さらに、上面電極の上面におけるめっき層と保護層の境界位置に、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された再上面電極を形成し、この再上面電極の金属粒子同士をカーボン粒子を介して導電させているため、硫化ガスが多く存在する環境で使用しても、銀の供給がカーボンで阻害され、これにより、再上面電極の深部まで硫化が進行しないため、上面電極を構成する銀が硫化して断線することを防止できるという優れた効果を奏するものである。   As described above, the chip resistor of the present invention has a low resistance value because the upper surface electrode is made of silver, so that even if a plating layer is formed, the measured resistance value of the resistor is hardly lowered. The measured resistance value of the resistor when the resistance value is corrected before the plating layer is formed does not change much even after the plating layer is formed, thereby improving the resistance value yield, and further, with the plating layer on the upper surface of the upper electrode. Since a resurface electrode composed of a resin containing metal particles and carbon particles is formed at the boundary position of the protective layer, and the metal particles of the resurface electrode are electrically connected to each other through the carbon particles, the sulfurized gas is generated. Even if it is used in many environments, the supply of silver is hindered by carbon, and as a result, sulfidation does not proceed to the deep part of the upper surface electrode, so the silver constituting the upper surface electrode is sulfided and disconnected In which an excellent effect that can be prevented.

本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図Sectional drawing of the chip resistor in one embodiment of this invention 従来のチップ抵抗器の断面図Cross-sectional view of a conventional chip resistor

以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, a chip resistor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a chip resistor according to an embodiment of the present invention.

本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１に示すように、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、少なくとも前記抵抗体１３を覆うように設けられた保護層１４と、前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように前記絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の側面電極１５と、前記上面電極１２の一部と前記一対の側面電極１５の表面に形成されかつ保護層１４と接するめっき層１６ａ、１６ｂとを備えた構成としている。また、抵抗体１３には、レーザで照射することによりトリミング溝１７が形成されている。   As shown in FIG. 1, the chip resistor according to one embodiment of the present invention includes an insulating substrate 11, a pair of upper surface electrodes 12 provided at both ends of the upper surface of the insulating substrate 11, and the insulating substrate 11. A resistor 13 provided on the upper surface and formed between the pair of upper surface electrodes 12, a protective layer 14 provided so as to cover at least the resistor 13, and electrically connected to the pair of upper surface electrodes 12 As described above, a pair of side electrodes 15 provided on both end surfaces of the insulating substrate 11, a plating layer 16 a formed on a part of the upper surface electrode 12 and the surface of the pair of side electrodes 15 and in contact with the protective layer 14. 16b. Further, a trimming groove 17 is formed in the resistor 13 by irradiation with a laser.

そして、一対の上面電極１２の上面におけるめっき層１６ａ、１６ｂと保護層１４の境界位置には、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された再上面電極１８を形成している。   A re-upper surface electrode 18 made of a resin containing metal particles and carbon particles is formed at the boundary between the plating layers 16a and 16b and the protective layer 14 on the upper surfaces of the pair of upper surface electrodes 12.

上記構成において、前記絶縁基板１１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成され、その形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。 In the above configuration, the insulating substrate 11 is made of alumina containing 96% Al 2 O 3 and has a rectangular shape (rectangular in top view).

また、前記一対の上面電極１２は、絶縁基板１１上面の一端部に設けられ、銀からなる厚膜材料を印刷することによって形成されている。   The pair of upper surface electrodes 12 are provided at one end of the upper surface of the insulating substrate 11 and are formed by printing a thick film material made of silver.

さらに、前記抵抗体１３は、上面電極１２の一部を覆い、かつ一対の上面電極１２間を電気的に接続するように絶縁基板１１の上面に方形状に設けられている。また、抵抗体１３は、ＡｇＰｄ、ＲｕＯ2、ＣｕＮｉ等を印刷することによって形成されている。なお、この抵抗体１３の上面をプリコートガラス（図示せず）で覆ってもよい。 Further, the resistor 13 is provided in a rectangular shape on the upper surface of the insulating substrate 11 so as to cover a part of the upper electrode 12 and to electrically connect the pair of upper electrodes 12. The resistor 13 is formed by printing AgPd, RuO 2 , CuNi or the like. Note that the upper surface of the resistor 13 may be covered with pre-coated glass (not shown).

そして、前記保護層１４は、少なくとも一対の上面電極１２の一部が露出し、かつ抵抗体１３を覆うように、ガラスまたはエポキシ樹脂により形成されている。   The protective layer 14 is formed of glass or epoxy resin so that at least a part of the pair of upper surface electrodes 12 is exposed and the resistor 13 is covered.

また、前記一対の側面電極１５は、絶縁基板１１の両端部に露出した一対の上面電極１２と電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。なお、金属材料をスパッタすることにより形成してもよい。また、この一対の側面電極１５の表面には、Ｃｕめっき層からなる第１のめっき層１６ａと、この第１のめっき層１６ａを覆うように、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層からなる第２のめっき層１６ｂが形成されている。このとき、めっき層１６ａ、１６ｂは保護層１４と接している。   The pair of side electrodes 15 are formed by printing a material made of Ag and resin so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrodes 12 exposed at both ends of the insulating substrate 11. Note that a metal material may be formed by sputtering. Further, on the surface of the pair of side electrodes 15, a first plating layer 16a made of a Cu plating layer and a second plating layer made of an Ni plating layer and an Sn plating layer so as to cover the first plating layer 16a. A plating layer 16b is formed. At this time, the plating layers 16 a and 16 b are in contact with the protective layer 14.

そしてまた、前記トリミング溝１７は、抵抗体１３にレーザ照射することによりＬ字状や直線状、Ｕ字状に形成され、これにより、抵抗体１３の抵抗値が修正される。   Further, the trimming groove 17 is formed in an L shape, a straight line shape, or a U shape by irradiating the resistor 13 with a laser, whereby the resistance value of the resistor 13 is corrected.

さらにまた、前記再上面電極１８は、一対の上面電極１２の上面におけるめっき層１６ａ、１６ｂと保護層１４の境界位置に形成され、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成されている。そして、再上面電極１８の金属粒子同士はカーボン粒子を介して導通させている。   Furthermore, the re-upper surface electrode 18 is formed at the boundary position between the plating layers 16a and 16b and the protective layer 14 on the upper surface of the pair of upper surface electrodes 12, and is made of a resin containing metal particles and carbon particles. And the metal particles of the resurface electrode 18 are made conductive through the carbon particles.

このとき、樹脂としてエポキシ樹脂を使用し、また、金属粒子とカーボン粒子で導電性を確保している。さらに、樹脂を用いていることから低温で硬化、形成できる。また、上面電極１２のうち金属粒子の含有量は５０〜７５重量％、カーボン粒子の含有量は０．５〜５重量％となっている。これは、金属粒子の量が７５重量％より多くカーボン粒子が０．５重量％より少ないと、金属粒子同士が接触して銀の供給が次々となされ、耐硫化特性が悪化してしまい、金属粒子の量が５０重量％より少なくカーボン粒子が５重量％より多いと、めっき層１６ａ、１６ｂが形成されにくくなったり、再上面電極１８の密着強度が低下したりするからである。なお、金属粒子として、銀、銅、ニッケル等が使用できるが、電気伝導率が高く酸化しにくい銀が好ましい。そして、再上面電極１８は、めっき層１６ａ、１６ｂと保護層１４に覆われているため、その密着強度を向上させることができる。   At this time, an epoxy resin is used as the resin, and conductivity is secured by the metal particles and the carbon particles. Furthermore, since a resin is used, it can be cured and formed at a low temperature. Further, in the upper surface electrode 12, the content of metal particles is 50 to 75% by weight, and the content of carbon particles is 0.5 to 5% by weight. This is because when the amount of metal particles is more than 75% by weight and the carbon particles are less than 0.5% by weight, the metal particles come into contact with each other, and the supply of silver is continued one after another. This is because if the amount of particles is less than 50% by weight and the number of carbon particles is more than 5% by weight, the plating layers 16a and 16b are not easily formed, and the adhesion strength of the upper surface electrode 18 is lowered. As the metal particles, silver, copper, nickel or the like can be used, but silver having a high electric conductivity and difficult to oxidize is preferable. And since the upper surface electrode 18 is covered with the plating layers 16a and 16b and the protective layer 14, the adhesion strength can be improved.

さらに、再上面電極１８は、一対の上面電極１２の上面のみに設けられ、また、めっき層１６ａ、１６ｂと保護層１４の境界位置にさえ形成されればその形状は限定されない。なお、再上面電極１８は、抵抗体１３、側面電極１５と接するように延ばしてもよく、めっき層１６ａ、１６ｂと保護層１４の間において保護層１４に乗り上げるように形成してもよい。ただし、側面電極１５を再上面電極１８と同じ材料（金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂からなる材料）で形成しないようにする必要がある。すなわち、チップ抵抗器が小型化されると、側面電極１５、再上面電極１８の形成箇所がばらつき、側面電極１５と再上面電極１８が重なったり接したりする可能性が生じ、この場合、めっき層１６ａ、１６ｂと上面電極１２の間に、比抵抗が高い金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂が形成されることになるため、チップ抵抗器の抵抗値が高くなり、低い抵抗値を得るという効果が得られない。   Furthermore, the shape of the upper surface electrode 18 is not limited as long as the upper surface electrode 18 is provided only on the upper surfaces of the pair of upper surface electrodes 12 and is formed only at the boundary position between the plating layers 16 a and 16 b and the protective layer 14. The re-upper surface electrode 18 may extend so as to contact the resistor 13 and the side surface electrode 15, or may be formed so as to run on the protective layer 14 between the plating layers 16 a and 16 b and the protective layer 14. However, it is necessary to prevent the side electrode 15 from being formed of the same material as the upper surface electrode 18 (a material made of a resin containing metal particles and carbon particles). That is, when the chip resistor is miniaturized, the formation positions of the side electrode 15 and the re-upper surface electrode 18 vary, and the side electrode 15 and the re-upper surface electrode 18 may overlap or come into contact with each other. Since a resin containing metal particles and carbon particles having high specific resistance is formed between 16a, 16b and the upper surface electrode 12, the resistance value of the chip resistor is increased, and the effect of obtaining a low resistance value is obtained. Cannot be obtained.

次に、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造方法について、図１を参照しながら説明する。   Next, a method for manufacturing a chip resistor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

なお、一般に、生産性を向上させるために、複数のチップ抵抗器に相当する領域を有するシート状の絶縁基板を用いるが、ここでは説明を簡単にするために１つのチップ抵抗器について説明する。   In general, in order to improve productivity, a sheet-like insulating substrate having a region corresponding to a plurality of chip resistors is used. However, for simplicity of explanation, one chip resistor will be described here.

まず、絶縁基板１１の上面の両端部において、Ａｇからなる厚膜材料を印刷、焼成して一対の上面電極１２を設ける。   First, a thick film material made of Ag is printed and fired at both ends of the upper surface of the insulating substrate 11 to provide a pair of upper surface electrodes 12.

次に、一対の上面電極１２間を電気的に接続するように、ＡｇＰｄ等にガラスフリットを含有させたペーストを印刷、焼成することにより抵抗体１３を形成し、規定の抵抗値より低い抵抗値になるようにする。なお、抵抗体１３として、ＲｕＯ2、ＣｕＮｉを用いてもよく、さらに、上面電極１２と抵抗体１３の形成順序は逆でもよい。 Next, a resistor 13 is formed by printing and baking a paste containing glass frit in AgPd or the like so as to electrically connect the pair of upper surface electrodes 12, and the resistance value is lower than a prescribed resistance value. To be. Note that RuO 2 and CuNi may be used as the resistor 13, and the formation order of the upper surface electrode 12 and the resistor 13 may be reversed.

次に、一対の上面電極１２に抵抗値測定用のプローブを当接し、抵抗体１３の抵抗値を測定しながら、２０μｍ〜７０μｍの径のレーザを照射してトリミング溝１７を形成し、抵抗体１３が所定の抵抗値になるように抵抗値修正する。   Next, a probe for measuring a resistance value is brought into contact with the pair of upper surface electrodes 12 and a trimming groove 17 is formed by irradiating a laser having a diameter of 20 μm to 70 μm while measuring the resistance value of the resistor 13. The resistance value is corrected so that 13 becomes a predetermined resistance value.

次に、一対の上面電極１２の上面の一部分に、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された再上面電極１８を印刷、硬化する。   Next, the upper surface electrode 18 made of a resin containing metal particles and carbon particles is printed and cured on a part of the upper surface of the pair of upper surface electrodes 12.

次に、少なくとも一対の上面電極１２の一部、再上面電極１８の一部が露出し、かつ抵抗体１３およびトリミング溝１７を覆うようにガラスまたはエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷、焼成することにより保護層１４を形成する。   Next, glass or epoxy resin paste is screen-printed and fired so that at least a part of the pair of upper surface electrodes 12 and a part of the upper surface electrode 18 are exposed and the resistor 13 and the trimming groove 17 are covered. Layer 14 is formed.

次に、絶縁基板１１の両端部に、露出した一対の上面電極１２と電気的に接続されるようにＡｇからなる材料を塗布、印刷して一対の側面電極１５を形成する。   Next, a material made of Ag is applied and printed on both ends of the insulating substrate 11 so as to be electrically connected to the exposed pair of upper surface electrodes 12, thereby forming the pair of side electrodes 15.

最後に、露出した上面電極１２の一部、再上面電極１８および一対の側面電極１５の表面に、Ｃｕめっき層からなる第１のめっき層１６ａを構成し、さらに第１のめっき層１６ａを覆うようにＮｉめっき層を形成し、このＮｉめっき層をさらに覆うようにＳｎめっき層を形成することにより第２のめっき層１６ｂを構成する。このとき、めっき層１６ａ、１６ｂは保護層１４と接する。なお、めっき層１６ａ、１６ｂは、保護層１４、再上面電極１８を設ける前に形成してもよい。   Finally, a first plating layer 16a made of a Cu plating layer is formed on a part of the exposed upper surface electrode 12, the upper surface electrode 18 and the pair of side surface electrodes 15, and further covers the first plating layer 16a. Thus, the Ni plating layer is formed, and the Sn plating layer is formed so as to further cover the Ni plating layer, thereby forming the second plating layer 16b. At this time, the plating layers 16 a and 16 b are in contact with the protective layer 14. The plating layers 16a and 16b may be formed before the protective layer 14 and the resurface electrode 18 are provided.

上記したように本発明の一実施の形態においては、上面電極１２は銀で構成されているためその抵抗値は低く、これにより、めっき層１６ａ、１６ｂを形成しても抵抗体１３の測定抵抗値がほとんど下がらないため、めっき層１６ａ、１６ｂ形成前において抵抗値修正されたときに測定された抵抗体１３の測定抵抗値は、めっき層１６ａ、１６ｂ形成後でもあまり変動せず、これにより、低い抵抗値のチップ抵抗器であっても、変動した測定抵抗値の全体の抵抗値に対する割合が小さくなり、抵抗値歩留まりが向上するという効果が得られるものである。   As described above, in the embodiment of the present invention, since the upper surface electrode 12 is made of silver, its resistance value is low. Thus, even if the plating layers 16a and 16b are formed, the resistance of the resistor 13 is measured. Since the value hardly decreases, the measured resistance value of the resistor 13 measured when the resistance value is corrected before the plating layers 16a and 16b are formed does not vary so much even after the plating layers 16a and 16b are formed. Even in the case of a chip resistor having a low resistance value, the ratio of the measured resistance value that has fluctuated to the overall resistance value becomes small, and the effect of improving the resistance value yield can be obtained.

また、一対の上面電極１２の上面のめっき層１６ａ、１６ｂと保護層１４の境界位置に形成された再上面電極１８には、カーボンが含まれているため、硫化ガスが多く存在する環境で使用しても、銀の供給がカーボンで阻害され、これにより、再上面電極１８の深部まで硫化が進行しないため、上面電極１２の抵抗値が大きくなったり、さらに断線したりすることを防止できる。   Further, since the re-upper surface electrode 18 formed at the boundary position between the plating layers 16a and 16b and the protective layer 14 on the upper surface of the pair of upper surface electrodes 12 contains carbon, it is used in an environment where a large amount of sulfur gas exists. Even so, the supply of silver is hindered by the carbon, and as a result, sulfidation does not proceed to the deep part of the upper surface electrode 18, so that it is possible to prevent the resistance value of the upper surface electrode 12 from increasing or disconnection.

すなわち、上面電極１２に抵抗値の高い材料を用いた場合、所定の抵抗値になるように抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を修正しても、めっき層は抵抗値が低いため、めっき層を形成した後の抵抗体の測定抵抗値が下がり、その結果、測定抵抗値が変動してしまうが、本発明では上面電極１２に抵抗値の低い銀を用いているため、めっき層１６ａ、１６ｂを形成した後の抵抗体１３の測定抵抗値はほとんど変動せず、これにより、低い抵抗値のチップ抵抗器であっても、変動した測定抵抗値の全体の抵抗値に対する割合が小さくなり、抵抗値歩留まりが向上する。さらに、硫化ガスが侵入する保護層１４とめっき層１６ａ、１６ｂの接する部分に位置する上面電極１２を再上面電極１８で覆っているため、上面電極１２に低い抵抗値の材料を用いても、耐硫化特性を保持させることができる。   That is, when a material having a high resistance value is used for the upper surface electrode 12, even if a trimming groove is formed in the resistor so as to have a predetermined resistance value and the resistance value is corrected, the plating layer has a low resistance value. The measured resistance value of the resistor after the plating layer is formed decreases, and as a result, the measured resistance value fluctuates. However, in the present invention, silver having a low resistance value is used for the upper surface electrode 12, and therefore the plated layer 16a. 16b, the measured resistance value of the resistor 13 hardly fluctuates, so that even if the chip resistor has a low resistance value, the ratio of the fluctuated measured resistance value to the total resistance value becomes small. Resistance value yield is improved. Further, since the upper surface electrode 12 located at the portion where the protective layer 14 and the plating layers 16a and 16b in contact with the sulfurized gas are in contact with each other is covered with the upper surface electrode 18, even if a low resistance material is used for the upper surface electrode 12, Sulfide resistance can be maintained.

そして、銀の供給がカーボンで阻害できるようにするために、再上面電極１８の金属粒子同士はカーボン粒子を介して導電させている。   In order to prevent the supply of silver with carbon, the metal particles of the resurface electrode 18 are made to conduct through the carbon particles.

なお、再上面電極１８として、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された材料ではなく、銀粒子表面をパラジウムで覆った多数の粒子で構成された材料を使用してもよい。これにより、硫化ガスが多く存在する環境で使用しても、再上面電極１８を構成する銀の粒子それぞれがパラジウムで覆われているため、銀の硫化がパラジウムにより抑制され、これにより、再上面電極が侵食されるのを防ぐことができるため、上面電極１２に硫化ガスが侵入しにくくなり、上面電極１２を構成する銀が硫化して断線することを防止できる。   The re-top electrode 18 may be made of a material made up of a large number of particles whose surface is covered with palladium, instead of a material made of a resin containing metal particles and carbon particles. As a result, even when used in an environment where a large amount of sulfur gas exists, the silver particles constituting the re-surface electrode 18 are covered with palladium, so that the sulfidation of silver is suppressed by the palladium. Since the electrode can be prevented from being eroded, the sulfide gas is less likely to enter the upper surface electrode 12, and the silver constituting the upper surface electrode 12 can be prevented from being sulfided and broken.

そして、上述したように再上面電極１８を、銀粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された材料や銀粒子表面をパラジウムで覆った材料で構成しているため、高価なパラジウムの使用量を低減でき、低コストで生産ができる。   And since the upper surface electrode 18 is composed of a material composed of a resin containing silver particles and carbon particles or a material whose surface is covered with palladium as described above, the amount of expensive palladium used can be reduced. It can be reduced and can be produced at low cost.

さらに、上面電極１２に含まれるガラスの軟化点より低い軟化点のガラスを有する銀パラジウム合金で再上面電極１８を形成してもよく、この構成により、再上面電極１８を上面電極１２より低い温度で焼成できるため、再上面電極１８中のパラジウムが拡散するのを防ぐことができ、これにより、再上面電極１８のパラジウムの濃度が低下しないため、銀の硫化がパラジウムにより抑制され、これにより、再上面電極が侵食されるのを防ぐことができるため、硫化ガスが多く存在する環境で使用しても、上面電極１２に硫化ガスが侵入しにくくなり、これにより、上面電極１２を構成する銀が硫化して断線することを防止でき、さらに、上面電極１２にパラジウムが拡散されないため、低い抵抗値を得ることができる。   Furthermore, the upper surface electrode 18 may be formed of a silver palladium alloy having a glass having a softening point lower than that of the glass included in the upper surface electrode 12, and this configuration makes the upper surface electrode 18 a temperature lower than that of the upper surface electrode 12. Can be prevented from diffusing palladium in the upper surface electrode 18, whereby the concentration of palladium in the upper surface electrode 18 does not decrease, so that silver sulfide is suppressed by the palladium, Since the upper surface electrode can be prevented from being eroded, the sulfurized gas is less likely to enter the upper surface electrode 12 even when used in an environment where there is a large amount of sulfurized gas. Can be prevented from being sulfided and disconnected, and furthermore, since palladium is not diffused into the upper surface electrode 12, a low resistance value can be obtained.

本発明に係るチップ抵抗器は、耐硫化特性を維持しつつ抵抗値歩留まりを向上させることができるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用される低い抵抗値のチップ抵抗器等において有用となるものである。   The chip resistor according to the present invention has an effect of improving the resistance value yield while maintaining the anti-sulfurization characteristic, and in particular, a chip resistor having a low resistance value used in various electronic devices, etc. It will be useful in

１１ 絶縁基板
１２ 上面電極
１３ 抵抗体
１４ 保護層
１５ 側面電極
１６ａ、１６ｂ めっき層
１７ トリミング溝
１８ 再上面電極 11 Insulating substrate 12 Upper surface electrode 13 Resistor 14 Protective layer 15 Side electrode 16a, 16b Plating layer 17 Trimming groove 18 Re-upper surface electrode

Claims (1)

絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され銀で構成された一対の上面電極と、この一対の上面電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体に形成された抵抗値修正用のトリミング溝と、前記抵抗体を覆うように形成された保護層と、前記絶縁基板の側面に形成された側面電極と、この側面電極を覆うように形成され前記保護層と接するめっき層とを備え、前記上面電極の上面における前記めっき層と保護層の境界位置に、金属粒子およびカーボン粒子を含有する樹脂で構成された再上面電極を形成し、この再上面電極の金属粒子同士はカーボン粒子を介して導電させたチップ抵抗器。

Insulating substrate, a pair of upper surface electrodes made of silver formed on the insulating substrate, a resistor formed between the pair of upper surface electrodes, and a trimming groove for resistance value correction formed in the resistor A protective layer formed so as to cover the resistor, a side electrode formed on a side surface of the insulating substrate, and a plating layer formed so as to cover the side electrode and in contact with the protective layer, A re-upper surface electrode composed of a resin containing metal particles and carbon particles is formed at the boundary position between the plating layer and the protective layer on the upper surface of the upper surface electrode. Conducted chip resistor.

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