JP5957153B2 - 偏光選択性表面増強ラマン分光法 - Google Patents

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未知の物質の検出及び識別（または少なくとも分類）は、長きにわたって高い関心事となっており、また、近年より重要になってきた。正確な検出及び識別（同定）を特に期待できる方法の中には種々の形態の分光法がある。分光法は、物質すなわち材料がある形態の電磁放射（たとえば可視光）で照射されたときに生じる吸収スペクトル、散乱スペクトル、及び発光スペクトルのうちの１以上を用いて該材料の分析、特性の解明、及び識別を行うために使用することができる。材料を照射することによって生じる吸収、散乱及び発光スペクトルは、該材料のスペクトル「指紋」を決定する。一般に、スペクトル指紋（指紋スペクトル）は、特定の材料の識別を容易にする該材料の特性である。最も有効な発光分光技術は、ラマン散乱に基づくものである。

散乱分光法は、比較的単純な無機化学化合物から複雑な生体分子に及ぶ種々の検体種（すなわち検体）を識別し、監視し及び特徴付けるための重要な手段である。種々のタイプ散乱分光法の中には、検体からの蛍光（すなわち蛍光放射）に起因するラマン散乱及び放射を利用する方法がある。一般に、散乱分光法は、検体を刺激するための信号（たとえば光ビーム）を利用し、該検体は、（該信号に応答して）該検体の（たとえば構成要素または分子）の特性に依存する応答信号または散乱信号または放射信号を生成する。（たとえばスペクトル分析を用いて）散乱信号または発光信号を検出して分析することによって検体を識別することができ、場合によっては、定量化することもできる。

以下の詳細な説明を添付の図面と併せて参照することによって、本明細書に記載されている原理にしたがう例の種々の特徴をより容易に理解することができる。図面において、同じ参照番号は、同じ構成要素を示している。
本明細書に記載されている原理に整合する１例による、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）システムのブロック図である。 本明細書に記載されている原理に整合する１例による、図１に示されているＳＥＲＳシステムの一部の断面図である。 本明細書に記載されている原理に整合する１例による、二量体として配置された２つのナノフィンガーを有するＳＥＲＳマルチマーの上面図である。 本明細書に記載されている原理に整合する１例による、三量体として配置された３つのナノフィンガーを有するＳＥＲＳマルチマーの上面図である。 本明細書に記載されている原理に整合する１例による、四量体として配置された４つのナノフィンガーを有するＳＥＲＳマルチマーの上面図である。 本明細書に記載されている原理に整合する１例による、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）システムのブロック図である。 本明細書に記載されている原理に整合する１例による、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）の方法のフローチャートである。

いくつかの例は、添付の図面に記載されている特徴に加えて他の特徴を有しており、また、添付の図面に記載されている特徴に代えて他の特徴を有している。それらの特徴及び他の特徴については、添付の図面を参照して詳細に後述する。

本明細書に記載されている原理にしたがう例は、散乱分光法を用いて種々の検体を検出しまたは検知することを提供する。具体的には、本明細書に記載されている原理にしたがう例は、表面増強ラマン分光法によって検体を検出することを提供する。さらに、表面増強ラマン分光法による検出は、偏光選択性を用いて、ラマン散乱信号とバックグラウンドノイズ信号を区別することを提供することができる。たとえば、偏光選択性は、ラマン散乱信号と、蛍光バックグラウンド信号や迷光（stray ambient light）（ただしこれらには限定されない）を含む種々のバックグラウンドノイズ信号との区別を容易にすることができる。

種々の例によれば、ラマン分光法は、（たとえば、二量体や三量体など）ラマン増強基板の（またはその構造に関連する）偏光依存プラズモンモード（polarization-dependent plasmonic mode）を利用することができる。いくつかの例では、刺激信号の偏光と偏光依存プラズモンモードを整列（または整合）させることによって、ラマン散乱信号と（１以上の）バックラウンドノイズ信号とを区別するための偏光選択性を提供することができる。偏光の整列（または整合）は、たとえば、刺激信号と偏光依存プラズモンモードとの結合を強めることができる。他の例では、偏光選択性は、ラマン散乱信号の偏光状態に選択的に合致ないし適合させられるラマン検出器によって提供される。種々の例によれば、ラマン散乱信号の偏光状態は、偏光依存プラズモンモードによって決定されうる。さらに他の例では、上記刺激信号の偏光整列（または偏光整合）、並びにラマン散乱信号とのラマン検出器の偏光の上記選択的な合致（マッチング）を利用して、ラマン散乱信号とバックラウンドノイズ信号とを区別する。種々の例によれば、この区別は、ラマン散乱信号の信号対ノイズ（雑音）比を改善することができ、いくつかの例では、該比を大幅に改善することができる。

本明細書に記載されている原理の例は、検体すなわち対象種の存在を検出または検知するために表面増強ラマン分光法（ＳＥＲＳ）を利用する。ここで、使用できる他の形態の散乱分光法には、限定はしないが、表面増強コヒーレントアンチストークスラマン散乱（ＳＥＣＡＲＳ：surface enhanced coherent anti-stokes Raman scattering）、共鳴ラマン分光法、ハイパー（hyper）ラマン分光法、ラマン分光法の種々の空間的にオフセットした（spatiallyoffset）共焦点バージョン、並びに、プラズモン共鳴の直接観察（direct monitoring）が含まれる。ＳＥＲＳは、検体の検出及び識別を提供することができ、いくつかの例では検体の定量化を提供することができる。具体的には、種々の例にしたがって、表面に吸着したまたは該表面に密接に結び付いた検体をＳＥＲＳによって検出または検知することができる。本明細書では、特定の限定のためにではなく説明を簡単にするために、別段の明示がない限り、散乱分光法をＳＥＲＳベースの散乱分光法に関して説明する。

ラマン散乱光学分光法（本明細書では単にラマン分光法という）は、（光が）照射されている物質の内部構造による光子の非弾性散乱によって生成された散乱スペクトルまたは該スペクトルのスペクトル成分を利用する。非弾性散乱によって生成された応答信号（たとえばラマン散乱信号）に含まれるそれらのスペクトル成分は、検体の識別（これには限定されないが）を含む、検体種の物質特性（または材料特性）の決定を容易にすることができる。表面増強ラマン分光法（ＳＥＲＳ）は、「ラマン活性」または「ラマン増強」表面を利用するラマン分光法の一形態である。ＳＥＲＳは、特定の検体種によって生成されたラマン散乱信号の信号レベルまたは信号強度を大幅に大きくすることができる。具体的には、いくつかの例において、ラマン増強表面は、ナノフィンガー（nanofinger）またはナノロッド（ただしこれらには限定されない）などのナノ構造の先端部に関連する領域を含んでいる。ナノフィンガーの先端部は、たとえば、（ラマン散乱信号の強度をさらに大きくすることにつながる）照明（照射）場（illumination field）を集中させ及び／またはラマン放射を増幅させるためのナノアンテナとして作用することができる。

ＳＥＲＳのいくつかの例では、複数のナノフィンガーを含むＳＥＲＳ表面は、検体からのラマン散乱信号の生成及び放射を増強するように構成される。具体的には、いくつかの例において、「ラマン増強」構成におけるナノフィンガー（たとえばナノフィンガーの先端部）を囲んでいる該ナノフィンガーに関連する電磁場は、検体からのラマン散乱を増強することができる。ラマン増強構成におけるナノフィンガー自体並びにナノフィンガーの先端部の相対的な位置は、増強されたラマン散乱を提供することができる。

本明細書における「ナノロッド」またはこれと等価な「ナノフィンガー」は、たとえば、長さの方向に対して垂直な面で切り取ったナノスケールの断面の寸法（たとえば幅）よりも大きな長さ（または高さ）を有する細長いナノスケール構造として定義される。いくつかの例では、該長さを、該ナノスケールの断面の寸法の数倍大きいものとすることができる。具体的には、ナノフィンガーの長さは一般に、該ナノフィンガーの幅よりもはるかに大きい（たとえば、長さは幅の約２〜３倍を超える）。いくつかの例では、該長さを、該断面の寸法（または幅）の５倍もしくは１０倍より大きいものとすることができる。

たとえば、該幅を約４０ナノメートル（ｎｍ）とすることができ、かつ、該高さを約４００ｎｍとすることができる。別の例では、ナノフィンガーの幅または直径を約１００ｎｍと２００ｎｍの間の大きさとすることができ、該長さを約５００ｎｍより大きいものとすることができる。たとえば、該幅を約１３０ｎｍ〜１７０ｎｍ（の範囲内の大きさ）とすることができ、かつ、該長さを約５００ｎｍ〜８００ｎｍ（の範囲内の大きさ）とすることができる。さらに別の例では、ナノフィンガーの基部（つけ根の部分）における幅の大きさを約２０ｎｍと約１００ｎｍの間とすることができ、該長さを約１マイクロメートル（μｍ）より大きいものとすることができる。別の例では、ナノフィンガーを、その基部の幅が約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲内であり、該基部の長さを約０．５μｍ〜数μｍの範囲内とすることができる、円錐形とすることができる。

種々の例において、複数のナノフィンガーを成長させることができ（すなわちアディティブ法によって生成することができ）、または、該複数のナノフィンガーをエッチングもしくはサブトラクティブ法によって作製することができる。たとえば、ナノフィンガーを、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長プロセスを用いてナノワイヤとして成長させることができる。他の例では、ナノワイヤ成長は、（気相−固相（Ｖ−Ｓ）成長プロセスと溶液成長（solution growth）プロセスの一方を利用することができる。さらに他の例では、集束イオンビーム（focused ion beam：ＦＩＢ）蒸着やレーザー誘起自己組織化（laser-inducedself assembly）（ただし、それらには限定されない）などの指向性もしくは誘導性の自己組織化（directedor stimulated self-organization）技術によって成長を達成することができる。別の例では、反応性イオンエッチング（reactive ion etching）（ただしこれには限定されない）などのエッチングプロセスを用いて、周囲の材料を除去してナノフィンガーを残すことによってナノフィンガーを作製することができる。さらに他の例では、インプリントリソグラフィー（ただしこれには限定されない）を含むさまざまな形態のインプリントリソグラフィー、並びに、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）及びナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ）の作製に用いられる様々な技術を、本明細書に記載されているナノフィンガー及び種々の他の要素の作製に適用することができる。

本明細書における「ナノ粒子」は、長さ、幅及び深さが実質的に同じ寸法を有するナノスケール構造として定義される。たとえば、ナノ粒子の形状を、円柱、球、楕円体、切子面のある球もしくは楕円体、または、立方体、八面体、十二面体、またはその他の多角形とすることができる。他の例では、ナノ粒子を実質的に不規則な３次元形状とすることができる。ナノ粒子の直径または寸法を、たとえば、約５ｎｍ〜約３００ｎｍの範囲内とすることができる。いくつかの例では、ナノ粒子の寸法を、約５０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲内、または、約２５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲内、または、約１００ｎｍ〜約２００ｎｍの範囲内、または、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの範囲内、または、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの範囲内とすることができる。

いくつかの例では、ナノ粒子を、実質的に均質な構造とすることができる。たとえば、ナノ粒子をナノスケールの金属粒子（たとえば、金や銀や銅などのナノ粒子）とすることができる。他の例では、ナノ粒子を、（定義のとおり）実質的に不均質であるコアシェル構造とすることができる。たとえば、ナノ粒子は、第１の材料からなるコアを有することができ、該コアは、該第１の材料とは異なるものとすることができる第２の材料で覆われている。覆っている該第２の材料すなわちシェルを金属とすることができ、該第１の材料を導体または誘電体とすることができる。別の例では、たとえば、該第２の材料を誘電体とすることができ、該第１の材料を金属などの導体とすることができる。プラズモン（たとえば、表面プラズモンやバルクプラズモン）を支持することができるナノ粒子は、「プラズモニックナノ粒子」（またはプラズモンナノ粒子）と定義される。たとえば、金属ナノ粒子または金属クラッドナノ粒子（metal clad nanoparticle）はプラズモニックナノ粒子として機能することができる。

本明細書による定義では、「ナノスケール」は、約１０００ナノメートル（ｎｍ）未満の寸法を意味する。たとえば、大きさが約５ｎｍ〜約３００ｎｍである構造もしくは粒子は、ナノスケール構造とみなされる。同様に、たとえば、約５ｎｍ〜１００ｎｍの開口寸法を有するスロットもナノスケール構造とみなされる。

さらに、本明細書で使用されている（名詞の前に付されている）「ある」という用語は、特許の分野におけるそれの通常の意味を有すること、すなわち、「１以上」を意味するものであることが意図されている。たとえば、本明細書では、「あるナノフィンガー」は、１以上のナノフィンガーを意味し、また、本明細書では、「ナノフィンガー」は、「（１以上の）ナノフィンガー」を意味する。また、本明細書では、「上部」、「下部」、「より上の」、「より下の」、「上へ」、「下へ」、「前部」、「後部」、「左」、「右」という用語はいずれも限定するためのものであることを意図していない。本明細書では、ある値に「約」という用語が付されているときは、別段の明示がある場合を除いて、その値を生じるために使用される装置の許容範囲内にある値、または、いくつかの例では、その値の±１０％もしくは±５％もしくは±１％の範囲内にある値を意味している。さらに、本明細書の例は、例示に過ぎないことが意図されており、また、説明のために提示されたものであって、限定するために提示されたものではない。

図１は、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）システム１００のブロック図である。図２は、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、図１に示されているＳＥＲＳシステム１００の一部の断面図である。ＳＥＲＳシステム１００は、ＳＥＲＳシステム１００の近くにある検体を検出するように構成されている。たとえば、検体を、ＳＥＲＳシステム１００を通って流れる流体中に浮かせて該流体によって運ぶ（もしくは支持する）ことができる。種々の例によれば、ＳＥＲＳシステム１００は、刺激信号１０４（たとえば光ビーム）と検体の間の非弾性相互作用を通じてラマン散乱信号１０２を生成することによって検体を検出する。

より詳細に後述するように、種々の例によれば、ＳＥＲＳシステム１００はさらに、ラマン散乱信号１０２とバックグラウンドノイズ信号１０６とを区別することができる。バックグラウンドノイズ信号を、たとえば、蛍光バックグラウンド信号と迷光のうちの１以上とすることができる。ＳＥＲＳシステム１００は、偏光の違いを用いて、ラマン散乱信号１０２とバックグラウンドノイズ信号１０６を区別することができる。具体的には、ＳＥＲＳシステム１００は、ラマン散乱信号１０２の偏光状態と、バックグラウンドノイズ信号の他の状態すなわち異なる偏光状態とを区別することができる。たとえば、ラマン散乱信号１０２は、直線偏光しているが、バックグラウンドノイズ信号（たとえば、蛍光バックグラウンドノイズ）は実質的に偏光していない場合がある。

図１及び図２を参照すると、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００は、ＳＥＲＳセンシング基板（またはＳＥＲＳセンシング基材）１００を備えている。具体的には、図１は、ＳＥＲＳセンシング基板１１０とそれ以外の偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００の要素との関係を示しており、図２は、ＳＥＲＳセンシング基板１１０を備えるＳＥＲＳシステム１００の一部をより詳しく示している。図示のように、刺激信号１０４は、ＳＥＲＳセンシング基板１１０の方を向いた矢印として示されており、ラマン散乱信号１０２は、ＳＥＲＳセンシング基板１１０から離れる方を向いた矢印として示されている。

種々の例によれば、ＳＥＲＳセンシング基板１１０は、複数のナノフィンガー１１２を有している。図２に示されているように、ナノフィンガー１１２は、支持部１１４に取り付けられている端部の反対側にある自由端を有している。いくつかの例では、支持部１１４は、ナノフィンガー１１２を支持する基板（または基材）を備えることができる。いくつかの例では、ナノフィンガー１１２は固定端で支持部１１４にしっかりと取り付けられている。他の例では、ナノフィンガー１１２は、たとえば、介在する材料もしくは層を介して支持部１１４に間接的に取り付けられる。

種々の例において、ナノフィンガー１１２またはその一部分を、該ナノフィンガー１１２の近くにある検体を選択的に（または優先的に）捕捉もしくは保持するように構成することができる。たとえば、ナノフィンガー１１２の表面は検体を吸着または拘束することができる。いくつかの例では、ナノフィンガー１１２またはその一部分を、検体を選択的（または優先的に）に拘束するかまたは選択的に吸着するように機能化（機能付与）することができる。いくつかの例では、ナノフィンガー１１２は、（たとえばナノフィンガー１１２の運動によって）検体を能動的に捕捉または捕らえることができる。

いくつかの例によれば、ナノフィンガー１１２の先端部は、実質的に平坦な形状であるか、または丸みを帯びた（たとえばドーム形の）形状を有することができる。たとえば、ナノフィンガー１１２は、該ナノフィンガー１１２を作成するために使用されるプロセス（たとえば、ＶＬＳ成長）から自然に形成される先端部を有することができる。他の例では、ナノフィンガー１１２の自由端に特定の形状を与えるために、該ナノフィンガーの先端部をさらに処理することができる。たとえば、化学機械研磨を用いてナノフィンガー１１２の先端部を平坦にすることができる。

いくつかの例では、ナノフィンガー１１２は半導体を含むことができる。たとえば、該半導体をドープされたもしくはドープされていない（すなわち実質的に真性の）シリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）もしくはSiとGeの合金とすることができる。他の例では、該半導体は、ヒ化ガリウム（GaAs）、ヒ化ガリウムインジウム（InGaAs：ヒ化インジウムガリウムともいう）、窒化ガリウム（GaN）、もしくは他の種々のIII-V、II-VI、IV-VI族化合物半導体のうちの１以上を含むことができる。他の例では、ナノフィンガー１１２を、ポリウレタン、ポリ（tert-ブチルメタクリレート）：P(tBMA)：poly(tert-butyl methacrylate)）、ポリメタクリル酸メチル（polymethylmethacrylate：PMMA）、ポリスチレン、ポリカーボネート、または関連するプラスチック（これらには限定されないが）などのプラスチックもしくはポリマーとすることができ、または、それらをプラスチックもしくはポリマーを含むことができる。さらに他の例では、ナノフィンガー１１２は、金、銀、白金、その他の貴金属、アルミニウム、銅、または２以上の金属の合金もしくは組み合わせ（これらには限定されないが）などの金属を含むことができる。

いくつかの例によれば、（たとえば図２に示されているように）ナノフィンガー１１２は、該ナノフィンガー１１２の（支持部１１４から）遠い方の端部すなわち自由端においてナノ粒子１１６を含むことができる（たとえば、該自由端はナノ粒子１１６で覆われている）。たとえば、ナノ粒子１１６を、ナノフィンガー１１２の先端部の近くでナノフィンガー１１２に取り付けることができる。いくつかの例では、ナノ粒子１１６の材料をナノフィンガー１１２の材料とは異なるものとすることができる。たとえば、ナノフィンガー１１２を半導体またはポリマーとし、一方、ナノ粒子１１６を金属とすることができる。これらの例のうちのいくつかでは、ナノ粒子１１６を、（たとえば機能化によって）ラマン散乱を増強するように及び／または検体の選択的な吸着を促進するように構成することができる。具体的には、いくつかの例では、ナノ粒子１１６は、ラマン増強に適した導電性材料を含むことができる。たとえば、ナノ粒子１１６を、金、銀、白金、その他の貴金属、アルミニウム、銅（これらには限定されないが）などの金属、並びに、それらの金属のうちの任意のもの同士の合金もしくは混合物またはそれらの金属のうちの任意ものもと別の金属との合金もしくは混合物とすることができ、または、ナノ粒子１１６は、それらの金属及び／または合金及び／または混合物を含むことができる。

いくつかの例では、ナノ粒子１１６は、導電性材料（導体）だけを実質的に含むことができる。たとえば、ナノ粒子１１６を金属のナノ粒子１１６とすることができる。他の例では、該導体（たとえば該金属）を用いてナノ粒子１１６の表面を形成することができる。たとえば、ナノ粒子１１６は、コアを囲んでいる金属シェル（金属のシェル）を含むことができ、この場合、該コアは、半導体や誘電体（これらには限定されないが）などの該シェルとは異なる材料で構成されている。

種々の例によれば、ナノフィンガー１１２は、ラマン増強構造である。具体的には、ナノフィンガー１１２全体と（支持部１１４から）遠い方の端部にあるナノ粒子１１６の一方または両方をラマン増強効果を奏するものとすることができる。たとえば、ナノ粒子１１６の導電性の表面（たとえば金属表面）は表面プラズモンを支持することができる。他の例では、ナノ粒子１１６はバルクプラズモンを支持することができる。同様に、種々の例において、ナノフィンガー１１２自体は、（たとえば、ナノフィンガー１１２が金属などの導電性材料であるか該材料を含んでいるときには）表面プラズモンとバルクプラズモンの一方または両方を支持することができる。たとえば、ナノフィンガー１１２は、ナノフィンガー１１２の全長に沿って、または、自由端の先端の近くに、金属の表面を有することができる。種々の例によれば、表面プラズモン及びバルクプラズモンの存在によって、ナノフィンガー１１２のラマン増強効果とナノ粒子１１６のラマン増強効果の一方または両方を提供することができる。

種々の例によれば、ＳＥＲＳセンシング基板１１０の複数のナノフィンガー１１２は、本明細書では「ＳＥＲＳマルチマー」１１８と呼ぶ規則的なグループ（または規則的な基）すなわち「マルチマー」（多量体）として配置される。種々の例によれば、ＳＥＲＳマルチマー１１８は、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、またはより多くのナノフィンガー１１２のグループを含むことができる。２つのナノフィンガー１１２を有するＳＥＲＳマルチマー１１８を「二量体」と呼ぶことができ、３つのナノフィンガー１１２を有するＳＥＲＳマルチマー１１８を「三量体」と呼ぶことができ、４つのナノフィンガー１１２を有するＳＥＲＳマルチマー１１８を「四量体」と呼ぶことができ、以下同様である。いくつかの例では、ＳＥＲＳマルチマー１１８のナノフィンガー１１２を、ナノフィンガー１１２の少なくとも自由端が、多角形（たとえば、二角形、三角形、四角形、五角形、六角形など）の頂点に配置されるように配列することができる。いくつかの例では、多角形を正多角形とすることができる。

図３Ａは、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、二量体として配置された２つのナノフィンガー１１２を有するＳＥＲＳマルチマー１１８の上面図である。図３Ｂは、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、三量体として配置された３つのナノフィンガー１１２を有するＳＥＲＳマルチマー１１８の上面図である。図３Ｃは、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、四量体として配置された４つのナノフィンガー１１２を有するＳＥＲＳマルチマー１１８の上面図である。

種々の例によれば、ＳＥＲＳマルチマー１１８のナノフィンガー１１２を、互いに接触しているか、または、互いから離れているものとすることができる。たとえば、ＳＥＲＳマルチマー１１８中のナノフィンガー１１２の先端部自体またはナノフィンガー１１２の先端部にあるナノ粒子１１６を実質的に接触させることができ、または、それらを近接させて、それらが、約数ナノメートル以下の間隙（ギャップ）によって分離されるようにすることができる。さらに、ＳＥＲＳマルチマー１１８中のナノフィンガー１１２を、それらの先端部が互いに向かって傾くように傾けることができる。この傾けは、たとえば、ナノフィンガー１１２の先端部同士または該先端部にあるナノ粒子１１６同士の接触を容易にすることができる。

いくつかの例では、ＳＥＲＳセンシング基板１１０は、複数のＳＥＲＳマルチマー１１８を含むことができる。たとえば、該複数のＳＥＲＳマルチマー１１８は、数個の、または数十個の、または数百個の、またはより多くのＳＥＲＳマルチマー１１８を含むことができる。たとえば、ＳＥＲＳマルチマー１１８を、支持基板１１４を挟んで互いから隔置することができる。他の例では、ＳＥＲＳマルチマー１１８を互いに隣接させるかもしくは接触させることができる（たとえば、第１のＳＥＲＳマルチマー１１８のナノフィンガー１１２を隣にあるＳＥＲＳマルチマー１１８のナノフィンガー１１２に接触させることができる）。種々の例によれば、複数のＳＥＲＳマルチマー１１８が隔置されるときの隣合うＳＥＲＳマルチマー１１８間の間隔を、一定（すなわち周期的な間隔）であるかまたは一定ではない（たとえば実質的にランダムな間隔）とすることができる。

具体的には、いくつかの例では、複数のＳＥＲＳマルチマー１１８を、特定の規則的なパターンすなわち「配列」（アレイ）が繰り返すように配置することができる。小さな配列（たとえば束（bundle））と大きな配列の両方を含むＳＥＲＳマルチマー１１８の配列は、線形配列すなわち１次元（１-Ｄ）配列または２次元（２-Ｄ）配列（たとえば直線状の配列や円形配列など）（これらには限定されないが）を含むことができる。たとえば、複数のＳＥＲＳマルチマー１１８を１次元配列の行をなすように配置することができる。たとえば、ＳＥＲＳマルチマー１１８の複数の１次元配列または行を互いに隣接させて配置することによって、ＳＥＲＳマルチマー１１８の２次元直線状配列を形成することができる。偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００において、多角形配列や円形配列（これらには限定されないが）を含む他のさまざまな２次元配列を利用することができる。

種々の例によれば、ＳＥＲＳマルチマー１１８は、偏光依存プラズモンモードを示す（すなわち呈する）ように構成される。具体的には、ＳＥＲＳマルチマー１１８としてのナノフィンガー１１２の配置は、（１以上の）特定のもしくは選択されたプラズモンモードを支持（サポート）するように構成される。いくつかの例によれば、ＳＥＲＳマルチマー１１８の該特定のプラズモンモードを、該特定のプラズモンモードに選択的に（または優先的に）結合するように調整（または整列ないし適合）された特定の偏光状態を有する刺激信号１０４（たとえば入射照明信号）によって刺激（または活性化）することができる。種々の例によれば、この結果、ＳＥＲＳマルチマー１１８の特定のプラズモンモードは、該特定のプラズモンモードに整列（ないし整合もしくは適合）したまたは該特定のプラズモンモードによって決まる特定の偏光状態を有するラマン散乱信号１０２の放射もしくは散乱を促進することができる。ここで、「偏光依存プラズモンモード」は、該特定のプラズモンモードと、該刺激信号と該ラマン散乱信号の一方または両方の偏光状態との上記の整列（または整合）として定義される。

たとえば、図３Ａに関連して、ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードを理解することができる。図３Ａに示されているように、ＳＥＲＳマルチマー１１８は、一対のナノフィンガー１１２及び取り付けられているナノ粒子１１６を含む二量体である。該二量体は、ナノ粒子１１６の各々の中心を通る長軸を有している。いくつかの例によれば、図示の二量体の配置ないし構造は、該二量体の長軸に沿って配向した双極子プラズモンモードを支持（サポート）することができる。たとえば、図３Ａの両矢印は、双極子プラズモンモード（及び該二量体の長軸）の配向（向き）を示している。図３Ｂは、三量体であるＳＥＲＳマルチマー１１８に関連付けることができる双極子プラズモンモードの可能性のある複数の例の配向（向き）を表すいくつかの両矢印を示している。たとえば、図３Ｂに示されているもの以外の双極子プラズモンモードも可能である。双極子プラズモンモードより高いモード次数を有するプラズモンモードが、特に、二量体よりも多くの要素（たとえばナノフィンガー１１２）を含むマルチマーにおいて可能である。

例示であって限定としてではない図３Ａに示す二量体について検討すると、刺激信号１０４の入射電磁波は、該入射電磁波の電場ベクトルが該二量体の長軸に実質的に平行に配向している（実質的に平行である）場合には、双極子プラズモンモードに選択的に（または優先的に）結合して該モードを励起または刺激することができる。たとえば、直線偏光した電磁波（すなわち直線偏光光）は、該電磁波の伝搬方向に垂直な線を描く（または該線をたどる）電場ベクトルを有する。該電磁波の局所座標系で定義される該線及び該線の角度は、該電磁波の偏光状態を表している。該偏光状態が該二量体の長軸に整列している場合には、該電磁波の電場は、双極子プラズモンモードに結合して該モードを選択的に（または優先的に）刺激することができる。

ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードは、選択的に（または優先的に）刺激または励起されるのに加えて、ラマン散乱信号の偏光状態を決定することもできる。たとえば、上記のように、図３Ａに示されている二量体は、双極子プラズモンモードを支持することができる。そして、該双極子プラズモンモードは、検体との相互作用を通じてラマン散乱信号１０２を生成することができる。ラマン散乱信号１０２は、実質的に直線である偏光状態（すなわち直線偏光）を有し、かつ、該二量体の長軸の向きに対応（または合致）する向き（すなわち偏光角）を有することができる。類似の偏光状態依存性を、ＳＥＲＳマルチマー１１８に現れる他の偏光依存プラズモンモードに関連付けることができ、または、該プラズモンモードによって決定することができる。

図１を再び参照すると、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００はさらに刺激源１２０を備えている。刺激源１２０は、ＳＥＲＳセンシング基板１１０のＳＥＲＳマルチマー１１８に刺激信号１０４を当てる（または照射する）ように構成されている。いくつかの例では、ＳＥＲＳマルチマー１１８を照射するように構成された刺激源１２０によって提供される刺激信号１０４は、ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードを選択的に（または優先的に）刺激するように偏光させられている。具体的には、所定の偏光状態にしたがって（または該偏光状態に合致するように）刺激信号１０４を偏光させることができる。該所定の偏光状態を、ＳＥＲＳマルチマー１１８の特定のプラズモンモードに選択的に（または優先的に）結合するように調整する（または整列ないし適合させる）ことができる。

いくつかの例では、刺激源１２０は、レーザー（これには限定されないが）などの光源を含むことができる。たとえば、該光源（からの光）を直線偏光させる（すなわち、該光源は直線偏光状態を有する）ことができる。いくつかの例によれば、刺激源１２０はさらに、刺激信号１２０の偏光状態を回転させるかその他のやり方で調整して、ＳＥＲＳマルチマー１１８の特定のプラズモンモードに整列（または整合）させるための偏光子を備えることができる。いくつかの例では、該偏光子は選択可能な偏光状態を有することができる（すなわち偏光状態を選択可能である）。種々の例によれば、該選択可能な偏光状態を、ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードに対応（または合致もしくは整列）しかつ該モードを選択的に（または優先的に）励起ないし刺激する偏光状態を有する刺激信号１０４を生成するように構成することができる。たとえば、該偏光子を、刺激信号１０４の直線偏光を円偏光に変換する４分の１波長板とすることができる。該偏光子はさらに、たとえば、調節可能なまたは選択可能な偏光角を有する直線偏光子であって、該偏光角に対応（または合致）する直線偏光状態を有する刺激信号１０４を生成するための直線偏光子を備えることができる。使用できる直線偏光子には、二色性偏光子、薄膜誘電体コーティング及び関連するビームスプリッティング（thin-film dielectric coating and related beam-splitting。たとえば、複屈折結晶）偏光子、及び、ワイヤグリッド偏光子もしくはスリット−偏光子（slit-polarizer）（これらには限定されないが）が含まれる。

いくつかの例では、該偏光子は、回転可能な偏光を提供することができる（すなわち偏光を回転させることができる）。たとえば、２分の１波長板を用いて（たとえば、直線偏光した刺激信号１０４の）偏光を回転させることができる。該回転可能な偏光は、複数の偏光角間を回転する刺激信号１０４の直線偏光状態を提供することができる。具体的には、第１の時刻において、該直線偏光状態の回転は、ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードに実質的に対応（または合致ないし整列）し、かつ、たとえば、該プラズモンモードを選択的に（または優先的に）励起する刺激信号１０４の第１の偏光状態を経るすなわち示す（呈する）ことができる。第２の時刻において、該直線偏光状態は、該第１の偏光状態に実質的に垂直な第２の偏光状態を経るすなわち示す（呈する）ことができる。該第１の偏光状態に垂直な該第２の偏光状態は、ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードに対応（または合致ないし整列）しておらず、そのため、該プラズモンモードを励起できないものでありうる。いくつかの例によれば、該第１の偏光状態と該第２の偏光状態における偏光依存プラズモンモードの励起の違いは、該偏光依存プラズモンモードの励起に関連するラマン散乱信号と、該偏光依存プラズモンモードの励起に実質的に関連しないバックグラウンドノイズ信号との区別を容易にすることができる。他の例によれば、該第１の偏光状態と該第２の偏光状態を用いる類似の励起の相違を、回転可能な偏光とは対照的に選択可能な偏光状態を有する偏光子によって提供することができる。

図１に示されているように、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００はさらに、ラマン検出器１３０を備えている。種々の例によれば、ラマン検出器１３０は、ＳＥＲＳセンシング基板１１０のＳＥＲＳマルチマー１１８の近くにある検体によって放出されたラマン散乱信号１０２を検出するように構成されている。ラマン散乱信号１０２は、偏光依存プラズモンモードに関連する、または、該プラズモンモードによって決定される偏光状態を有する。いくつかの例では、ラマン検出器１３０は、ラマン散乱信号１０２の偏光状態と（該偏光状態とは異なる）バックグラウンドノイズ信号の偏光状態とを区別するように構成されている。

いくつかの例では、ラマン検出器１３０は、偏光弁別器及び分光計を備えている。分光計は、ラマン散乱信号１０２のスペクトルを検出して測定するように構成されている。偏光弁別器は、ラマン散乱信号１０２（これには限定されないが）を含む受信した信号の可能性のあるさまざまな偏光を選択的に識別（または区別）するように構成されている。具体的には、偏光弁別器は、ＳＥＲＳマルチマー１１８の偏光依存プラズモンモードによって決まるラマン散乱信号１０２の偏光状態に対応（または合致ないし整列）する偏光状態の偏光識別機能を提供するように構成されている。

いくつかの例では、偏光弁別器は、選択可能な偏光状態を提供するように構成されている。たとえば、偏光弁別器を、特定の偏光角を有する直線偏光状態を処理する（たとえば通過させる）ように構成することができる。いくつかの例では、偏光弁別器は、回転可能な偏光状態を処理するように構成される。たとえば、偏光弁別器は、複数の偏光状態を経る（たとえば複数の偏光状態が順に提供されるように偏光状態を回転させる）直線偏光子を備えることができる。いくつかの例では、偏光弁別器は、ラマン散乱信号１０２の偏光状態の主成分と該主成分に直交する該偏光状態の成分の一方または両方を選択的に（または優先的に）受け取るように構成されている。たとえば、偏光弁別器は、直交する２つの偏光状態、すなわち、主成分に対応する偏光状態と、該主成分に直交する成分に対応するもう１つの偏光状態、を選択的に（または優先的に）処理することができる。いくつかの例によれば、第１の偏光状態と第２の偏光状態における偏光依存プラズモンモードの検出間の違いは、偏光依存プラズモンモードの放射に関連するラマン散乱信号と、偏光依存プラズモンモードの励起に実質的に関連しないバックグラウンドノイズ信号との区別を容易にすることができる。

いくつかの例では、偏光弁別器は、刺激源１２０の偏光子を備えるかまたは該偏光子を実質的に共有する。たとえば、該光源は刺激信号１０４を生成することができ、生成された該信号は該偏光子を通過する。その後、ＳＥＲＳマルチマー１１８において生成されたラマン散乱信号１０２を、たとえば、該偏光子を通過させ、（たとえばビームスプリッターによって）刺激信号１０４から分離して、該分光計へと送ることができる。

図４は、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）システム２００のブロック図である。図示のように、偏光選択性ＳＥＲＳシステム２００は、マルチマー（多量体）として配置ないし構成された複数のナノフィンガー２１０を備えている。種々の例によれば、それぞれのナノフィンガー２１０は、自由端においてＳＥＲＳ−増強ナノ粒子２１２を有している。該マルチマーは、偏光依存プラズモンモードを示す、すなわち呈するように構成されている。いくつかの例では、ナノフィンガー２１０とＳＥＲＳ−増強ナノ粒子２１２は、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記したナノフィンガー１１２とナノ粒子１１６に実質的に類似している。さらに、いくつかの例では、該マルチマーは、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記したＳＥＲＳマルチマー１１８に実質的に類似している。

図示のように、偏光選択性ＳＥＲＳシステム２００はさらに、偏光子２２２を備える刺激源２２０と、偏光弁別器２３２を備えるラマン検出２３０の一方または両方を備えている。種々の例によれば、偏光子２２２を備える刺激源２２０は、制御可能な偏光状態を有する刺激信号を生成するように構成される。この場合、制御可能な偏光状態を有する刺激信号は、該マルチマーの偏光依存プラズモンモードに対応（または合致ないし整列）する偏光状態でもって該マルチマーに当たる（該マルチマーを照射する）ように構成される。種々の例によれば、偏光弁別器２３２を備えるラマン検出２３０は、該マルチマーの近くにある検体によって放出されたラマン散乱信号を検出するように構成される。具体的には、ラマン検出器２３０は、ラマン散乱信号の偏光状態を選択的に（または優先的に）受け取り、及び、該ラマン散乱信号の偏光状態とは異なる偏光状態を有するバックグラウンドノイズ信号を受け入れない（すなわち拒絶する）かもしくは実質的に受け入れないように構成される。

いくつかの例では、刺激源２２０は、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記した刺激源１２０に実質的に類似する。具体的には、刺激源２２０はさらに、刺激信号を生成するための光源２２４（たとえばレーザー）を備えることができる。いくつかの例では、ラマン検出器２３０は、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記したラマン検出器１３０に実質的に類似する。具体的には、ラマン検出器２３０はさらに、ラマン散乱信号を検出して測定するための分光計２３４もしくは他の装置を備えることができる。

いくつかの例では、刺激源の偏光子２２２と偏光弁別器２３２の一方または両方は回転可能な偏光子を備えることができる。いくつかの例では、回転可能な偏光子は、刺激源２２０とラマン検出器２３０の両方によって共有される。たとえば、図４に示されているように、回転可能な偏光子を、偏光子２２２と偏光弁別器２３２の両方として機能するように、刺激信号とラマン散乱信号の両方を捕えて（インターセプトして）偏光させるように配置することができる。図４にさらに示されているように、システム２００はさらに、刺激信号とラマン散乱信号を分離し、さらに、該ラマン散乱信号を分光計２３４に向けて送るように構成されたビームスプリッター２４０を備えることができる。（不図示の）別の例では、偏光子２２２を、光源２２４とビームスプリッター２４０の間に配置することができ、一方、偏光弁別器２３２は、ビームスプリッター２４０と分光計２３４の間に配置される。この構成では、刺激信号の偏光と偏光の弁別を互いに独立に制御することができる。他の例によれば、ビームスプリッター２４０を使用しない他の構成も可能である。

いくつかの例では、該マルチマーを二量体とすることができ、この場合、該二量体は、該二量体の長軸に実質的に整列した偏光依存プラズモンモードを示す（呈する）ように構成されている。いくつかの例では、バックグラウンドノイズ信号は、実質的に偏光していない（すなわち非偏光の）蛍光信号でありうる。いくつかの例では、バックグラウンドノイズ信号は迷光（stray ambient light）でありうる。さらに他の例では、バックグラウンドノイズ信号は、蛍光信号と迷光の組み合わせでありうる。

図５は、本明細書に記載されている原理に整合する１例による、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）の方法３００のフローチャートである。図示のように、偏光選択性ＳＥＲＳの方法３００は、ＳＥＲＳ基板（またはＳＥＲＳ基材）に刺激信号を当てる（または照射する）ステップ３１０を含む。種々の例によれば、ＳＥＲＳ基板は、マルチマーとして配置ないし構成された複数のナノフィンガーを備える。それぞれのナノフィンガーは、該ナノフィンガーの自由端にＳＥＲＳ−増強ナノ粒子を備えることができる。該自由端を、たとえば、支持部（または支持台）に取り付けられている該ナノフィンガーの端部に対して実質的に反対側にあるものとすることができる。

種々の例では、照射された該マルチマーは、偏光依存プラズモンモードを示す（呈する）ように構成されている。いくつかの例では、ＳＥＲＳ基板を照射するステップ３１０は、偏光した刺激信号すなわち特定の偏光状態を有する刺激信号を放出するステップを含む。たとえば、該特定の偏光状態を、該マルチマーに整列（または整合ないし適合）した偏光状態とすることができる。該マルチマーの偏光依存プラズモンモードに選択的に（または優先的に）結合するために、または、該プラズモンモードを選択的に（または優先的に）刺激（たとえば励起）するために、偏光した刺激信号でＳＥＲＳ基板を照射するステップ３１０を用いることができる。マルチマーが二量体の場合には、刺激信号の偏光状態を、たとえば、該二量体の長軸の向きに対応（または合致）する所定の偏光角を有する直線偏光状態とすることができる。

いくつかの例では、ＳＥＲＳ基板を、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記したＳＥＲＳセンシング基板１１０に実質的に類似のものとすることができる。具体的には、それらのナノフィンガーとＳＥＲＳ−増強ナノ粒子を、上記したＳＥＲＳセンシング基板１１０のナノフィンガー１１２とナノ粒子１１６にそれぞれ実質的に類似のものとすることができる。同様に、いくつかの例では、照射されるマルチマーを、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記したＳＥＲＳマルチマー１１８に実質的に類似のものとすることができる。

偏光選択性ＳＥＲＳの方法３００はさらに、該マルチマーの近くにある検体によって放出されたラマン散乱信号を検出するステップ３２０を含む。いくつかの例では、ラマン散乱信号を検出するステップ３２０は、該マルチマーの偏光依存プラズモンモードに関連する、または、該プラズモンモードによって決まる偏光状態のラマン散乱信号（または該プラズモンモードによって決まるラマン散乱信号の偏光状態）と、（該偏光状態とは）異なる偏光状態を有するバックグラウンドノイズ信号とを選択的に識別（ないし区別）する。いくつかの例では、ラマン散乱信号を検出するステップ３２０を、偏光選択性ＳＥＲＳシステム１００に関して上記したラマン検出器１３０に実質的に類似する検出器を用いて実行することができる。具体的には、ラマン散乱信号を検出するステップ３２０は、たとえば、上記の偏光弁別器に実質的に類似する偏光弁別器によって提供される偏光弁別を利用することができる。いくつかの例では、放射された刺激信号が偏光されており、検出するステップ３２０が偏光状態を選択的に識別するという両方の点において、ＳＥＲＳ基板を照射するステップ３１０とラマン散乱信号を検出するステップ３２０の両方で偏光が利用される。

いくつかの例では、偏光選択性ＳＥＲＳの方法３００はさらに、刺激信号の偏光状態と、ラマン散乱信号の偏光状態を選択可能に識別するために使用される偏光弁別器の偏光状態との一方または両方を回転させるステップを含む。いくつかの例では、ラマン散乱信号を検出するステップ３２０は、ラマン散乱信号の偏光状態の主成分と該主成分に実質的に直交する成分の両方を検出するステップを含む。たとえば、該主成分と該直交する成分との違いを用いて、ラマン散乱信号を選択可能に検出することができる。

以上、ＳＥＲＳマルチマーの偏光依存プラズモンモードを利用する偏光選択性ＳＥＲＳシステム及び偏光選択性ＳＥＲＳの方法の例を説明した。上記の例は、本明細書に開示されている原理を表す多くの特定の例のうちのいくつかの単なる例示であることを理解されたい。当業者が、特許請求の範囲によって画定される範囲から逸脱することなく他の多くの構成を容易に考え出すことができることは明らかである。

Claims (15)

1. 偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）システムであって、
   偏光依存プラズモンモードを呈するためにＳＥＲＳマルチマーとして配置された複数のナノフィンガーを有するＳＥＲＳセンシング基板と、
   前記ＳＥＲＳマルチマーを刺激信号で照射するための刺激源と、
   前記ＳＥＲＳマルチマーの近くにある検体によって放出されたラマン散乱信号を検出するためのラマン検出器
   を備え、
   前記ラマン散乱信号は、前記偏光依存プラズモンモードに関連する偏光状態を有し、
   前記ラマン検出器が、前記ラマン散乱信号の偏光状態と該偏光状態とは異なるバックグラウンドノイズ信号の偏光状態もしくは該バックグランドノイズ信号の非偏光状態とを区別することによって、前記ラマン散乱信号と前記バックグラウンドノイズ信号を区別することができることからなる、システム。
2. 前記刺激信号は、前記ＳＥＲＳマルチマーの前記偏光依存プラズモンモードを選択的に刺激するように偏光される、請求項１のシステム。
3. 前記ＳＥＲＳマルチマーの前記ナノフィンガーは、該ナノフィンガーの自由端においてＳＥＲＳ−増強ナノ粒子を有し、前記自由端は、前記ＳＥＲＳセンシング基板の支持面に取り付けられた端部の反対側にある、請求項１または２のシステム。
4. 前記ＳＥＲＳマルチマーは二量体であり、前記偏光依存プラズモンモードと前記ラマン散乱信号の偏光状態の両方が、前記二量体の長軸に実質的に整列している、請求項１〜３のいずれかのシステム。
5. 前記バックグラウンドノイズ信号は、蛍光バックグラウンド信号と迷光の一方または両方を含む、請求項１〜４のいずれかのシステム。
6. 前記刺激源は、前記刺激信号を生成するために選択可能な偏光状態を有する偏光子を備え、前記刺激信号は、前記ＳＥＲＳマルチマーの前記偏光依存プラズモンモードに対応しかつ該プラズモンモードを選択的に励起する第１の偏光状態を有し、及び、前記刺激信号は、前記第１の偏光状態に垂直な第２の偏光状態を有する、請求項２、または、請求項２を直接もしくは間接に引用する請求項３〜５のいずれかのシステム。
7. 前記検出器は、前記ラマン散乱信号の偏光状態の主成分と該主成分に直交する前記偏光状態の成分との一方または両方を選択的に受け取るための偏光弁別器を備える、請求項１〜６のいずれかのシステム。
8. 偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）システムであって、
   マルチマーとして配置された複数のナノフィンガーであって、該ナノフィンガーは、自由端においてＳＥＲＳ−増強ナノ粒子を有し、該マルチマーは偏光依存プラズモンモードを呈することからなる、複数のナノフィンガーと、
   ラマン検出器
   を備え、
   前記ラマン検出器は、前記マルチマーの近くにある検体によって放出されたラマン散乱信号を検出するためのものであり、
   前記ラマン検出器は、前記ラマン散乱信号の偏光状態を選択的に受け取り、かつ、偏光の違いを用いて、該偏光状態とは異なる偏光状態または非偏光状態を有するバックグラウンドノイズ信号を受け入れないようにする偏光弁別器を備えることからなる、システム。
9. 刺激源をさらに備え、該刺激源は、制御可能な偏光状態を有する刺激信号を生成するための偏光子を備え、前記刺激信号は、前記偏光依存プラズモンモードに対応する偏光状態で前記マルチマーを照射するためのものである、請求項８のシステム。
10. 前記刺激源の前記偏光子と前記偏光弁別器との一方または両方が、回転可能な偏光子を備える、請求項９のシステム。
11. 前記回転可能な偏光子が、前記刺激源と前記ラマン検出器によって共有される、請求項１０のシステム。
12. 前記マルチマーが二量体であり、該二量体が、該二量体の長軸に実質的に整列した偏光依存プラズモンモードを呈する、請求項８〜１１のいずれかのシステム。
13. ＳＥＲＳ基板を刺激信号で照射するステップであって、前記ＳＥＲＳ基板は、マルチマーとして配置された複数のナノフィンガーを含み、該ナノフィンガーは、支持部に取り付けられた前記ナノフィンガーの端部の反対側にある自由端にＳＥＲＳ−増強ナノ粒子を有し、前記照射されたマルチマーは偏光依存プラズモンモードを呈することからなる、ステップと、
    前記マルチマーの近くにある検体によって放出されたラマン散乱信号を検出するステップ
    を含む、偏光選択性表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）の方法であって、
    前記検出されたラマン散乱信号が、前記偏光依存プラズモンモードに関連する偏光状態を有し、前記検出されたラマン散乱信号が、偏光の違いを用いて、該偏光状態とは異なる偏光状態または非偏光状態を有するバックグラウンドノイズ信号から選択的に区別される、方法。
14. 前記刺激信号が、前記マルチマーの前記偏光依存プラズモンモードを選択的に刺激するように偏光されることからなる、請求項１３の方法。
15. 前記刺激信号の偏光状態と、前記ラマン散乱信号の偏光状態を選択可能に区別するために使用される偏光弁別器の偏光状態との一方または両方を回転させるステップをさらに含む、請求項１４の方法。

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