JP6468572B2 - 増強電磁場を用いたアレイ型センサーを使用した測定方法及び測定装置 - Google Patents
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Description
規定されたものにはならならない。このため、溶液中に複数の分子が存在する場合、分子の同定が困難になり、計測した分子の量についての情報を得ることも難しい。また後者(2)の場合には分子種の同定はできるが、特定の一種類の特定分子の検出しかできない。
ここで、前記複数のナノ構造物の各々は、所定の形状を有する金属のドットの対を電磁場増強特性が発現するギャップを介して対向させたものであってよい。
また、前記複数のナノ構造物は、前記ドットの形状、サイズ、及びギャップが±5nmの誤差範囲内に入ってよい。
また、前記複数のナノ構造物はAuからなっていてよい。
また、前記複数のナノ構造物の配置の間隔は前記光の回折限界よりも大きくしてよい。
また、前記複数のナノ構造物は基板上に一次元あるいは二次元状に配置されてよい。
また、前記基板は誘電体からなっていてよい。
また、前記複数のナノ構造物は前記基板から垂直方向に離間して配置されてよい。
また、前記垂直方向の離間の距離は前記複数のナノ構造物のサイズ以上であってよい。
また、前記複数のナノ構造物は周期的に配置されていてよい。
また、前記アレイ型センサーに測定対象の試料を与えた状態で、前記複数のナノ構造物に順次光を照射し、前記複数のナノ構造物からの光信号をスペクトル計測してよい。
また、前記光はレーザー光であってよい。
本発明の他の側面によれば、前記アレイ型センサーと、前記アレイ型センサーの前記複数のナノ構造物に順次励起光を与えるレーザー光源と、前記レーザー光源からの励起光を前記複数のナノ構造物に順次照射するための位置決めを行う機構と、前記複数のナノ構造物からの光信号を受け取る光学系と、前記光学系からの前記光信号をスペクトル計測して記録する分光計測系とを設け、上記いずれかの分子または粒子の検出方法を実行する測定装置が与えられる。
Claims (8)
- 電磁場増強特性が実質的に同一であるとともに、実質的に同一の形状を有する複数のナノ構造物を、これらのナノ構造物からの光を互いに分離して観測可能な間隔で誘電体からなる基板上に一次元あるいは二次元状にかつ前記基板から垂直方向に離間して配置したアレイ型センサーと、
前記アレイ型センサーの複数のナノ構造物に順次励起光を与えるレーザー光源と、
前記レーザー光源からの励起光を前記複数のナノ構造物に順次照射するための位置決めを行う機構と、
前記励起光に応答して前記複数のナノ構造物から得られる光である光信号を受け取る光学系と、
前記光学系からの前記光信号をスペクトル計測して記録する分光計測系と
を使用し、
溶液中をランダムに拡散する分子または粒子が前記ナノ構造体表面に生じた増強近接場により形成されるホットスポットに入ったことによる前記光の変化を検出する
分子または粒子の検出方法。 - 前記複数のナノ構造物の各々は、所定の形状を有する金属のドットの対を電磁場増強特性が発現するギャップを介して対向させたものである、請求項1に記載の分子または粒子の検出方法。
- 前記複数のナノ構造物は、前記ドットの形状、サイズ、及びギャップが±5nmの誤差範囲内に入る、請求項2に記載の分子または粒子の検出方法。
- 前記複数のナノ構造物はAuからなる、請求項1から3の何れかに記載の分子または粒子の検出方法。
- 前記複数のナノ構造物の配置の間隔は前記光信号の回折限界よりも大きい、請求項1から4の何れかに記載の分子または粒子の検出方法。
- 前記垂直方向の離間の距離は前記複数のナノ構造物のサイズ以上である、請求項1から5の何れかに記載の分子または粒子の検出方法。
- 前記複数のナノ構造物は周期的に配置されている、請求項1から6の何れかに記載の分子または粒子の検出方法。
- 前記アレイ型センサーと、
前記アレイ型センサーの前記複数のナノ構造物に順次励起光を与えるレーザー光源と、
前記レーザー光源からの励起光を前記複数のナノ構造物に順次照射するための位置決めを行う機構と、
前記複数のナノ構造物からの光信号を受け取る光学系と、
前記光学系からの前記光信号をスペクトル計測して記録する分光計測系と
を設け、
請求項1から7の何れかに記載の分子または粒子の検出方法を実行する
測定装置。
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