JP5950519B2

JP5950519B2 - Wafer processing tape

Info

Publication number: JP5950519B2
Application number: JP2011192291A
Authority: JP
Inventors: 真沙美青山; 石渡　伸一; 伸一石渡; 二朗杉山
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2011-09-05
Filing date: 2011-09-05
Publication date: 2016-07-13
Anticipated expiration: 2031-09-05
Also published as: JP2013055210A

Description

本発明はウエハ加工用テープに関し、特に半導体ウエハのダイシング・ダイボンディングに好適に使用されるウエハ加工用テープに関する。 The present invention relates to a wafer processing tape, and more particularly to a wafer processing tape suitably used for dicing and die bonding of a semiconductor wafer.

従来から、半導体ウエハを個々のチップにダイシング（切断）する際に、半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断されたチップを基板等に接着するためのダイボンディングフィルムとの双方の機能を併せ持つウエハ加工用テープが開発されている。
ウエハ加工用テープは主に、基材フィルムと粘着剤層から形成されダイシングテープとして機能する粘着テープと、ダイボンディングフィルムとして機能する接着剤層とを備えており、接着剤層の表面が剥離フィルムで覆われた構成を有している。 Conventionally, when dicing (cutting) a semiconductor wafer into individual chips, both functions of a dicing tape for fixing the semiconductor wafer and a die bonding film for bonding the cut chip to a substrate or the like are provided. A wafer processing tape has also been developed.
Wafer processing tape mainly includes an adhesive tape that is formed of a base film and an adhesive layer and functions as a dicing tape, and an adhesive layer that functions as a die bonding film, and the surface of the adhesive layer is a release film. It has the structure covered with.

ところで、近年、携帯機器向けのメモリ等の電子デバイスは、より一層の薄型化と高容量化が求められており、厚さ５０μｍ以下の半導体チップを多段積層する実装技術に対する要請は年々高まっている。このような要請に応えるべく、薄膜化を図ることができ、回路表面の凹凸を埋め込むことができるような柔軟性を有する接着剤層を有するウエハ加工用テープが開発され、開示されている（例えば、特許文献１，２参照）。回路表面の凹凸を埋め込むことができなければ、空隙が生じ、接着強度が著しく低下してしまう。 By the way, in recent years, electronic devices such as memories for portable devices have been required to be thinner and have higher capacities, and the demand for mounting technology for stacking multiple semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less is increasing year by year. . In order to meet such a demand, a wafer processing tape having an adhesive layer that can be thinned and has a flexibility that can embed irregularities on a circuit surface has been developed and disclosed (for example, Patent Documents 1 and 2). If the irregularities on the circuit surface cannot be embedded, voids are generated and the adhesive strength is significantly reduced.

半導体チップ用の接着剤層を粘着テープに積層したウエハ加工用テープ、いわゆるダイシング・ダイボンディングシートは半導体ウエハをチップに分断する工程と、分断後の半導体チップを基板等に接着する工程の両方に利用でき、半導体実装工程の作業性改善に非常に有用である。
特に、接着剤層が半導体ウエハに対応して円形のラベル形状にプリカットされ、粘着テープが半導体ウエハ加工時の取扱性をよくするためにリングフレームに対応して接着剤層より大きい円形のラベル形状にプリカットされた、ダイシング・ダイボンディングシートは作業性に著しく優れている。 Wafer processing tape, in which a semiconductor chip adhesive layer is laminated on an adhesive tape, the so-called dicing die bonding sheet is used for both the process of dividing a semiconductor wafer into chips and the process of bonding the divided semiconductor chip to a substrate, etc. It can be used and is very useful for improving the workability of the semiconductor mounting process.
In particular, the adhesive layer is pre-cut into a circular label shape corresponding to the semiconductor wafer, and the pressure-sensitive adhesive tape is larger than the adhesive layer corresponding to the ring frame in order to improve handling when processing the semiconductor wafer. The dicing / die bonding sheet pre-cut into an extremely excellent workability.

このようなウエハ加工用テープは、図１３に示すように、長尺の剥離フィルム２上に所定間隔で複数の接着剤層３が設けられ、各接着剤層３を同心円状に覆うと共に外縁部が剥離フィルム２に接するように粘着テープ４が積層されて構成されている（例えば、特許文献３，４参照）。 In such a wafer processing tape, as shown in FIG. 13, a plurality of adhesive layers 3 are provided on a long release film 2 at predetermined intervals, and each adhesive layer 3 is concentrically covered and has an outer edge portion. The adhesive tape 4 is laminated so as to be in contact with the release film 2 (see, for example, Patent Documents 3 and 4).

一般に、ウエハ加工用テープは、半導体ウエハをダイシングする前に半導体ウエハおよびリングフレームに貼合される。
詳しくは、図１４に示すように、ウエハ加工用テープ１は、そのロール体から巻き取りローラ３０により引き出される。その引き出し経路には、剥離用くさび３１が設けられており、この剥離用くさび３１の先端部を折り返し点として、ウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２が引き剥がされ、剥離フィルム２は巻き取りローラ３０に巻き取られる。
剥離用くさび３１の先端部の下方には、吸着ステージ３２が設けられており、この吸着ステージ３２の上面には、リングフレームＲ及び半導体ウエハＷが設けられている。剥離用くさび３１により剥離フィルム２が引き剥がされた接着剤層３と粘着テープ４は、半導体ウエハＷ上に導かれ、貼合ローラ３３によって半導体ウエハＷとリングフレームＲに貼合される。 Generally, a wafer processing tape is bonded to a semiconductor wafer and a ring frame before dicing the semiconductor wafer.
Specifically, as shown in FIG. 14, the wafer processing tape 1 is pulled out by the take-up roller 30 from the roll body. A peeling wedge 31 is provided in the drawing path. The peeling film 2 is peeled off from the wafer processing tape 1 with the tip of the peeling wedge 31 as a turning point. The peeling film 2 is a take-up roller. 30 is wound up.
A suction stage 32 is provided below the tip of the peeling wedge 31, and a ring frame R and a semiconductor wafer W are provided on the top surface of the suction stage 32. The adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 from which the peeling film 2 has been peeled off by the peeling wedge 31 are guided onto the semiconductor wafer W and bonded to the semiconductor wafer W and the ring frame R by the bonding roller 33.

その後、接着剤層３が半導体ウエハＷに貼り付けられ、粘着テープ４がリングフレームＲに貼り付けられた状態で、半導体ウエハＷがダイシングされる。
その後、粘着テープ４に対し必要に応じて放射線照射等の硬化処理が施され（硬化に際して放射線照射が必要な粘着テープ４と不要な粘着テープ４とがあり、前者の粘着テープ４には放射線照射され）、裏面に接着剤層３が付着した状態で半導体チップがピックアップされる。
その後、半導体チップは、裏面に付着した接着剤層３により、リードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップにダイボンディング（接着）される。かかる場合、接着剤層３はダイボンディングフィルムとして機能する。 Thereafter, the semiconductor wafer W is diced in a state where the adhesive layer 3 is attached to the semiconductor wafer W and the adhesive tape 4 is attached to the ring frame R.
Thereafter, the adhesive tape 4 is subjected to a curing treatment such as radiation irradiation as necessary (there is an adhesive tape 4 that requires radiation irradiation and an unnecessary adhesive tape 4 for curing, and the former adhesive tape 4 is irradiated with radiation. The semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 3 attached to the back surface.
Thereafter, the semiconductor chip is die-bonded (adhered) to the lead frame, the package substrate, or another semiconductor chip by the adhesive layer 3 attached to the back surface. In such a case, the adhesive layer 3 functions as a die bonding film.

ところで、上記で説明したウエハ加工用テープ１の使用時において、接着剤層３と半導体ウエハＷとの間で貼合不良が生じる場合がある。
すなわち、接着剤層３は打ち抜き加工によりプリカットされた状態で使用される。その打ち抜き加工に際しては、まず、接着剤が剥離フィルム２上に塗工され、その後刃物が接着剤層３に押し付けられ、接着剤層３が切断される。
そのため、接着剤層３が外縁部で剥離フィルム２に癒着しており、剥離フィルム２がウエハ加工用テープ１から引き剥がされるときに、接着剤層３の剥離フィルム２との癒着部分が粘着テープ４との剥離の切っ掛けとなって、接着剤層３の当該部分が剥離フィルム２の剥離に引きずられて粘着テープ４から捲れ上がる。
粘着剤層３の捲り上がりの現象は、図１３に示すとおり、粘着剤層３と半導体ウエハＷとの貼合開始点に最も近い接着剤層３の外周部、すなわち一般的にはラベルの円周部において、最初に半導体ウエハＷに接近する部分（符号２０参照）から生じることが多い。 By the way, when using the wafer processing tape 1 described above, a bonding failure may occur between the adhesive layer 3 and the semiconductor wafer W.
That is, the adhesive layer 3 is used in a state precut by punching. In the punching process, first, an adhesive is applied onto the release film 2, and then the blade is pressed against the adhesive layer 3 to cut the adhesive layer 3.
Therefore, the adhesive layer 3 is adhered to the release film 2 at the outer edge, and when the release film 2 is peeled off from the wafer processing tape 1, the adhesive portion of the adhesive layer 3 with the release film 2 is an adhesive tape. As a result, the part of the adhesive layer 3 is pulled by the peeling of the release film 2 and is rolled up from the adhesive tape 4.
As shown in FIG. 13, the phenomenon of the pressure-sensitive adhesive layer 3 rolling up is the outer peripheral portion of the adhesive layer 3 closest to the bonding start point of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the semiconductor wafer W, that is, generally the label circle. In many cases, the peripheral portion first comes from a portion (see reference numeral 20) that first approaches the semiconductor wafer W.

さらに、薄膜化によって脆くなった半導体チップを、破損させることなく接着剤層３ごとピックアップするためには、ウエハ加工用テープ１の粘着テープ４にはより低い粘着力が求められる。また、薄膜化された半導体チップを、多段積層させるためには、接着剤層３にはより薄くて柔軟な特性が求められる。
粘着力をより低くした粘着テープ４に、薄くて柔軟性の高い接着剤層３を積層してウエハ加工用テープ１を構成した場合、そのようなウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２を引き剥がそうとすれば、接着剤層３は剥離フィルム２の剥離に引きずられて粘着テープ４から捲れ上がり易く、接着剤層３と半導体ウエハＷとの間の貼合不良を助長することになる。
すなわち、粘着テープ４の粘着力の低下に起因して、剥離フィルム２と接着剤層３との間の剥離力と、接着剤層３と粘着テープ４との間の剥離力との差が小さくなることや、接着剤層３が薄くて柔軟であることに起因して、接着剤層３が剥離フィルム２に追随し易くなったことなどが原因で、いったん接着剤層３と粘着テープ４との間に剥離の切っ掛けが生じると、それが容易に広がってしまう。
このような問題を解決するために、接着剤層３の打ち抜き加工に際して切込み深さを２５μｍ以下に制御したウエハ加工用テープが開示されている（例えば、特許文献５，６参照）。 Furthermore, in order to pick up the semiconductor chip that has become brittle due to the thinning of the film, together with the adhesive layer 3 without being damaged, the adhesive tape 4 of the wafer processing tape 1 is required to have a lower adhesive strength. Further, in order to stack the thinned semiconductor chips in multiple stages, the adhesive layer 3 is required to have thinner and more flexible characteristics.
In the case where the wafer processing tape 1 is formed by laminating the adhesive layer 3 which is thin and highly flexible on the adhesive tape 4 having a lower adhesive strength, the release film 2 is peeled off from the wafer processing tape 1. If it does so, the adhesive bond layer 3 will be dragged by peeling of the peeling film 2, and will be easily rolled up from the adhesive tape 4, and will promote the bonding defect between the adhesive bond layer 3 and the semiconductor wafer W.
That is, due to the decrease in the adhesive strength of the adhesive tape 4, the difference between the release force between the release film 2 and the adhesive layer 3 and the release force between the adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 is small. The adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 once because the adhesive layer 3 is easy to follow the release film 2 because the adhesive layer 3 is thin and flexible. If there is a peeling flake between the two, it will spread easily.
In order to solve such problems, a wafer processing tape is disclosed in which the depth of cut is controlled to 25 μm or less when the adhesive layer 3 is punched (see, for example, Patent Documents 5 and 6).

特開２０００−１５４３５６号公報JP 2000-154356 A 特開２００３−０６０１２７号公報JP 2003-060127 A 特開２００７−００２１７３号公報JP 2007-002173 A 特開２００７−２８８１７０号公報JP 2007-288170 A 特開２００５−３５０５２０号公報JP-A-2005-350520 特開２００６−１１１７２７号公報JP 2006-111727 A

しかしながら、前記特許文献等に記載されているようなウエハ加工用テープ１においても、打ち抜き加工の際には、接着剤層３を確実に切断するため切断部分の切込み深さをある程度は深くしなければならず、接着剤層３の捲り上がりの現象を十分に抑制することはできない。 However, even in the wafer processing tape 1 described in the above-mentioned patent documents, the depth of cut at the cut portion must be increased to some extent in order to reliably cut the adhesive layer 3 during punching. In other words, the phenomenon of the adhesive layer 3 rolling up cannot be sufficiently suppressed.

したがって、本発明の主な目的は、ウエハ加工用テープから剥離フィルムを剥離する際に、粘着テープから接着剤層が捲れ上がるのを抑制することができるウエハ加工用テープを提供することにある。 Accordingly, a main object of the present invention is to provide a wafer processing tape that can prevent the adhesive layer from rolling up from the adhesive tape when the release film is peeled off from the wafer processing tape.

上記課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、
基材フィルム上に第１の粘着剤層、接着剤層および第２の粘着剤層がこの順に積層され、前記接着剤層に半導体ウエハが貼合されかつ前記第２の粘着剤層がリングフレームで固定される工程に用いられるウエハ加工用テープであって、
前記第１の粘着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きく、
前記接着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記リングフレームの外径より小さく、
前記第２の粘着剤層の内径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記接着剤層の外径より小さく、
前記第２の粘着剤層の外径が、前記接着剤層の外径より大きいことを特徴とするウエハ加工用テープが提供される。 In order to solve the above problems , according to the first aspect of the present invention,
A first pressure-sensitive adhesive layer, an adhesive layer, and a second pressure-sensitive adhesive layer are laminated in this order on a base film, a semiconductor wafer is bonded to the adhesive layer, and the second pressure-sensitive adhesive layer is a ring frame. Wafer processing tape used in the process fixed by
An outer diameter of the first pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the semiconductor wafer;
An outer diameter of the adhesive layer is larger than an outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than an outer diameter of the ring frame;
An inner diameter of the second pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than an outer diameter of the adhesive layer;
A wafer processing tape is provided, wherein the outer diameter of the second pressure-sensitive adhesive layer is larger than the outer diameter of the adhesive layer.

本発明の第２の態様によれば、
基材フィルム上に粘接着剤層および粘着剤層がこの順に積層され、前記粘接着剤層に半導体ウエハが貼合されかつ前記粘着剤層がリングフレームで固定される工程に用いられるウエハ加工用テープであって、
前記粘接着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きく、
前記粘着剤層の内径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記粘接着剤層の外径より小さく、
前記粘着剤層の外径が、前記粘接着剤層の外径より大きいことを特徴とするウエハ加工用テープが提供される。 According to a second aspect of the invention,
A wafer used in a process in which an adhesive layer and an adhesive layer are laminated in this order on a base film, a semiconductor wafer is bonded to the adhesive layer, and the adhesive layer is fixed with a ring frame. Processing tape,
The outer diameter of the adhesive layer is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer,
The inner diameter of the pressure-sensitive adhesive layer is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than the outer diameter of the adhesive layer,
A wafer processing tape is provided, wherein an outer diameter of the pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the adhesive layer.

本発明の第１の態様によれば、第２の粘着剤層が接着剤層上に積層され、第２の粘着剤層の内径が接着剤層の外径より小さく、第２の粘着剤層の外径が接着剤層の外径より大きいから、第２の粘着剤層は接着剤層上から第１の粘着剤層または基材フィルム上にかけて跨り、接着剤層の周縁部が第２の粘着剤層で被覆される。そのため、剥離フィルムを剥離する際に、接着剤層が剥離フィルムの剥離に引きずられて捲れ上がるのを抑制することができる。 According to the first aspect of the present invention, the second pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the adhesive layer, the inner diameter of the second pressure-sensitive adhesive layer is smaller than the outer diameter of the adhesive layer, and the second pressure-sensitive adhesive layer Since the outer diameter of the adhesive layer is larger than the outer diameter of the adhesive layer, the second pressure-sensitive adhesive layer straddles from the adhesive layer to the first pressure-sensitive adhesive layer or the base film, and the peripheral portion of the adhesive layer is the second adhesive layer. Covered with an adhesive layer. Therefore, when peeling a peeling film, it can suppress that an adhesive bond layer is dragged by peeling of a peeling film, and rises.

本発明の第２の態様によれば、粘着剤層が粘接着剤層上に積層され、粘着剤層の内径が粘接着剤層の外径より小さく、粘着剤層の外径が粘接着剤層の外径より大きいから、粘着剤層は粘接着剤層上から基材フィルム上にかけて跨り、粘接着剤層の周縁部が粘着剤層で被覆される。そのため、剥離フィルムを剥離する際に、粘接着剤層が剥離フィルムの剥離に引きずられて捲れ上がるのを抑制することができる。 According to the second aspect of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the adhesive layer, the inner diameter of the pressure-sensitive adhesive layer is smaller than the outer diameter of the adhesive layer, and the outer diameter of the pressure-sensitive adhesive layer is viscous. Since it is larger than the outer diameter of the adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer straddles from the adhesive layer to the base film, and the peripheral portion of the adhesive layer is covered with the adhesive layer. Therefore, when peeling a peeling film, it can suppress that an adhesive agent layer is dragged by peeling of a peeling film, and rises.

本発明の第１の実施形態にかかるウエハ加工用テープの概略的な積層構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the schematic laminated structure of the tape for wafer processing concerning the 1st Embodiment of this invention. 接着剤層と粘着剤層との関係を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the relationship between an adhesive bond layer and an adhesive layer. ウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングシート）と半導体ウエハ、リングフレームとの関係を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the relationship between the tape for wafer processing (dicing die-bonding sheet), a semiconductor wafer, and a ring frame. 図１〜図３のウエハ加工用テープの変形例（１−１）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification (1-1) of the tape for wafer processing of FIGS. 図１〜図３のウエハ加工用テープの変形例（１−２）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification (1-2) of the tape for wafer processing of FIGS. 図１〜図３のウエハ加工用テープの変形例（１−３）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification (1-3) of the tape for wafer processing of FIGS. 1-3. 図１〜図６の粘着剤層の変形例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the modification of the adhesive layer of FIGS. 図７の粘着剤層の概略的な態様を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic aspect of the adhesive layer of FIG. 図７の粘着剤層の概略的な態様を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic aspect of the adhesive layer of FIG. 本発明の第２の実施形態にかかるウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングシート）の概略的な積層構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the schematic laminated structure of the tape for wafer processing (dicing die-bonding sheet) concerning the 2nd Embodiment of this invention. 図１０の粘接着剤層１０の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the adhesive agent layer 10 of FIG. 図１０の粘接着剤層１０の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the adhesive agent layer 10 of FIG. 従来技術および比較例１，２のダイシング・ダイボンディングシートの形状を示す平面図である。It is a top view which shows the shape of the dicing die-bonding sheet | seat of a prior art and the comparative examples 1 and 2. FIG. ウエハ加工用テープを半導体ウエハおよびリングフレームに貼合する装置・方法を概略的に説明するための図面である。It is drawing for demonstrating schematically the apparatus and method which paste the wafer processing tape on a semiconductor wafer and a ring frame.

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

［第１の実施形態］
図１に示すとおり、ウエハ加工用テープ１は、剥離フィルム２、接着剤層３および粘着テープ４を有している。
粘着テープ４は主に、粘着剤層５、粘着剤層６および基材フィルム７で構成され、基材フィルム７上に粘着剤層５と粘着剤層６とがこの順に積層されている。
本実施形態では、接着剤層３および粘着テープ４でダイシング・ダイボンディングシートが構成され、当該ダイシング・ダイボンディングシートは、剥離フィルム２上に連続して複数枚形成されている（図１３参照）。 [First Embodiment]
As shown in FIG. 1, the wafer processing tape 1 has a release film 2, an adhesive layer 3, and an adhesive tape 4.
The pressure-sensitive adhesive tape 4 is mainly composed of a pressure-sensitive adhesive layer 5, a pressure-sensitive adhesive layer 6, and a base film 7. The pressure-sensitive adhesive layer 5 and the pressure-sensitive adhesive layer 6 are laminated on the base film 7 in this order.
In this embodiment, the adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 constitute a dicing die bonding sheet, and a plurality of the dicing die bonding sheets are continuously formed on the release film 2 (see FIG. 13). .

基材フィルム７は円形状を呈している。
基材フィルム７上にはこれと同形状（円形状）の粘着剤層５が形成されている。
粘着剤層５上の中央部には円形状の接着剤層３が形成されている。
粘着剤層５上の周縁部にはドーナツ状の粘着剤層６が形成されている。
図１および図２に示すとおり、粘着剤層６は接着剤層３上から粘着剤層５上にかけて跨っており、接着剤層３上の周縁部を被覆している。 The base film 7 has a circular shape.
An adhesive layer 5 having the same shape (circular shape) is formed on the base film 7.
A circular adhesive layer 3 is formed at the center on the pressure-sensitive adhesive layer 5.
A donut-shaped pressure-sensitive adhesive layer 6 is formed on the peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive layer 5.
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the pressure-sensitive adhesive layer 6 extends from the adhesive layer 3 to the pressure-sensitive adhesive layer 5 and covers the peripheral edge on the adhesive layer 3.

ウエハ加工用テープ１の使用時においては、ウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２が剥離され、図３に示すとおり、接着剤層３には半導体ウエハＷが貼合され、粘着剤層６がリングフレーム６により固定される（図１４参照）。
剥離フィルム２を剥離したウエハ加工用テープ１と半導体ウエハＷ、リングフレームＲとの主な関係は下記のとおりとなっている。
粘着剤層５の外径５ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きい。
接着剤層３の外径３ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、リングフレームＲの外径Ｒａおよび内径Ｒｂより小さい。
粘着剤層６の内径６ｂは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、接着剤層３の外径３ａより小さい。 When the wafer processing tape 1 is used, the release film 2 is peeled from the wafer processing tape 1, and as shown in FIG. 3, the semiconductor wafer W is bonded to the adhesive layer 3, and the adhesive layer 6 is a ring. It is fixed by the frame 6 (see FIG. 14).
The main relationship between the wafer processing tape 1 from which the release film 2 has been peeled off, the semiconductor wafer W, and the ring frame R is as follows.
The outer diameter 5 a of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W.
The outer diameter 3a of the adhesive layer 3 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W and smaller than the outer diameter Ra and the inner diameter Rb of the ring frame R.
The inner diameter 6 b of the pressure-sensitive adhesive layer 6 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W and smaller than the outer diameter 3 a of the adhesive layer 3.

以下、ウエハ加工用テープ１の各構成や製造方法、使用方法などについて具体的に説明する。 Hereafter, each structure of the tape 1 for wafer processing, a manufacturing method, a usage method, etc. are demonstrated concretely.

《剥離フィルム》
剥離フィルム２は、矩形の帯状に形成され、一方向が十分に長くなるように形成されている。剥離フィルム２は、製造時及び使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。
剥離フィルム２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。剥離フィルム２の厚さは特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、好ましくは２５〜５０μｍである。 <Release film>
The release film 2 is formed in a rectangular belt shape and is formed so that one direction is sufficiently long. The release film 2 serves as a carrier film at the time of manufacture and use.
As the release film 2, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment can be used. The thickness of the release film 2 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.

《接着剤層》
接着剤層３は、半導体ウエハＷ等が貼り合わされてダイシングされた後、そのチップをピックアップする際にチップの裏面に付着して、チップが基板やリードフレームに固定される際の接着剤として使用される。
接着剤層３は、その厚さが２５μｍ以下が望ましい。
接着剤層３は、６０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が２×１０⁶Ｐａ未満となることが望ましい。「貯蔵弾性率」とは、弾性、粘性を併せ持つ高分子の力学的特性を分析する動的粘弾性測定において、弾性に相当するものである。
接着剤層３としては、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングシートに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、好ましくはアクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等である。接着剤層３の厚さは適宜設定してよいが、好ましくは５〜２５μｍ程度である。 <Adhesive layer>
The adhesive layer 3 is used as an adhesive when the semiconductor wafer W or the like is bonded and diced, and then attached to the back surface of the chip when the chip is picked up, and the chip is fixed to the substrate or the lead frame. Is done.
The adhesive layer 3 desirably has a thickness of 25 μm or less.
The adhesive layer 3 desirably has a storage elastic modulus before thermosetting at 60 ° C. of less than 2 × 10 ⁶ Pa. “Storage elastic modulus” corresponds to elasticity in dynamic viscoelasticity measurement for analyzing the mechanical properties of a polymer having both elasticity and viscosity.
The adhesive layer 3 is not particularly limited, but may be a film adhesive generally used for dicing die bonding sheets, and preferably an acrylic adhesive, epoxy resin / phenol. A resin / acrylic resin blend adhesive. The thickness of the adhesive layer 3 may be appropriately set, but is preferably about 5 to 25 μm.

接着剤層３は、剥離フィルム２上に接着剤のワニスを塗工し乾燥させてフィルム化したものを、基材フィルム７上に形成された粘着剤層５にラミネートして形成するとよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．１〜１００ｋｇｆ／ｃｍの線圧をかけることが好ましい。
接着剤層３は半導体ウエハＷに応じた形状に切断された（プリカットされた）形状を有する。切断は所定の形状の刃物で接着剤層３を剥離フィルム２に押し付けることで行なうのがよい。その際、接着剤層３を完全に切断する為、剥離フィルム２も少なくとも１μｍもしくはそれ以上切り込む必要があり、剥離フィルム２には接着剤層３の外縁に沿う少なくとも１μｍ以上の切り込みが形成されている。切断後、接着剤層３の不要部分は除去される。 The adhesive layer 3 may be formed by laminating an adhesive varnish applied on the release film 2 and drying to form a film on the adhesive layer 5 formed on the base film 7. It is preferable to apply a linear pressure of 0.1 to 100 kgf / cm at a laminating temperature of 10 to 100 ° C.
The adhesive layer 3 has a shape cut (pre-cut) into a shape corresponding to the semiconductor wafer W. The cutting is preferably performed by pressing the adhesive layer 3 against the release film 2 with a blade having a predetermined shape. At that time, in order to completely cut the adhesive layer 3, it is necessary to cut the release film 2 at least 1 μm or more, and the release film 2 has a cut of at least 1 μm along the outer edge of the adhesive layer 3. Yes. After cutting, unnecessary portions of the adhesive layer 3 are removed.

《粘着剤層》
（１）粘着剤層５
粘着剤層５は、プリカット加工により、フィルム状粘着剤から不要領域を除去することで形成することができる。
粘着剤層５としては、特に制限はなく、半導体ウエハＷをダイシングする際、半導体ウエハＷが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際には容易に接着剤層３から剥離できるような低い粘着力を示すものであればよい。
ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤は放射線硬化性のものが好ましい。粘着剤層５の粘着剤は、放射線の照射により接着剤層３との間の粘着力が低下する材料から構成される。 <Adhesive layer>
(1) Adhesive layer 5
The pressure-sensitive adhesive layer 5 can be formed by removing unnecessary regions from the film-like pressure-sensitive adhesive by precut processing.
The pressure-sensitive adhesive layer 5 is not particularly limited. When the semiconductor wafer W is diced, the pressure-sensitive adhesive layer 5 has sufficient adhesive strength so that the semiconductor wafer W does not peel off, and the adhesive is easily picked up when the semiconductor chip is picked up after dicing. Any material may be used as long as it exhibits such a low adhesive force that it can be peeled off from the layer 3.
In order to improve the pick-up property after dicing, the pressure-sensitive adhesive is preferably radiation curable. The pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is made of a material whose adhesive force with the adhesive layer 3 is reduced by irradiation with radiation.

例えば、粘着剤においては、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。 For example, the pressure-sensitive adhesive is selected from a compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, a polyisocyanate, a melamine / formaldehyde resin, and an epoxy resin. It is also preferable to contain a polymer obtained by addition reaction of at least one compound (B).

粘着剤に含有されるポリマーの主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。
化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題を抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下「Ｔｇ」という。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗い半導体ウエハＷにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。 The compound (A) which is one of the main components of the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive will be described.
A preferable introduction amount of the radiation curable carbon-carbon double bond of the compound (A) is 0.5 to 20, more preferably 0.8 to 10 in terms of iodine value. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, the fluidity of the adhesive after irradiation is sufficient and after stretching. Since a sufficient element gap can be obtained, it is possible to suppress the problem that image recognition of each element becomes difficult during pickup. Furthermore, the compound (A) itself is stable and easy to manufacture.
The compound (A) preferably has a glass transition point of -70 ° C to 0 ° C, more preferably -66 ° C to -28 ° C. If the glass transition point (hereinafter referred to as “Tg”) is −70 ° C. or higher, the heat resistance against heat accompanying radiation irradiation is sufficient, and if it is 0 ° C. or lower, after dicing on the semiconductor wafer W having a rough surface state. The effect of preventing scattering of the element is sufficiently obtained.

化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体等の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（１）と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（２）とを反応させて得たものが用いられる。 The compound (A) may be produced by any method. For example, the compound (A) has a radiation curable carbon-carbon double bond such as an acrylic copolymer or a methacrylic copolymer, and has a functional group. A compound obtained by reacting a compound (1) having a functional group with a compound (2) having a functional group capable of reacting with the functional group is used.

このうち、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（１）は、アクリル酸アルキルエステルやメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総重量の５重量％以下の範囲内で可能である。 Among these, the compound (1) having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group is a monomer having a radiation curable carbon-carbon double bond such as an alkyl acrylate ester or an alkyl methacrylate ester (( It can be obtained by copolymerizing 1) -1) and a monomer having a functional group ((1) -2).
As a monomer ((1) -1), C6-C12 hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, or a single quantity of 5 or less carbon atoms The pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these can be listed.
Since a glass transition point becomes so low that a monomer with a large carbon number is used as a monomer ((1) -1), the thing of a desired glass transition point can be produced. In addition to the glass transition point, a monomer ((1) -1) may be blended with a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile for the purpose of improving compatibility and various performances. ) In the range of 5% by weight or less of the total weight.

単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。 Examples of the functional group of the monomer ((1) -2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. The monomer ((1)- Specific examples of 2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates. N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, Phthalic anhydride, glycidyl acrylic And glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and those obtained by urethanizing a part of the isocyanate group of a polyisocyanate compound with a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation curable carbon-carbon double bond. it can.

化合物（２）において用いられる官能基としては、単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。 As the functional group used in the compound (2), when the functional group of the monomer ((1) -2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, a hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. In the case of a hydroxyl group, a cyclic acid anhydride group, an isocyanate group, and the like can be exemplified. In the case of an amino group, an epoxy group, an isocyanate group, and the like can be exemplified, and an epoxy group. In the case, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, and the like can be exemplified, and specific examples include those similar to those listed in the specific examples of the monomer ((1) -2). be able to.
By leaving an unreacted functional group in the reaction between the compound (1) and the compound (2), it is possible to produce those specified in the present invention with respect to characteristics such as acid value or hydroxyl value.

上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。 In the synthesis of the above compound (A), as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone, ester, alcohol, and aromatic solvents can be used, among which toluene, ethyl acetate , Isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, etc., are generally good solvents for acrylic polymers, preferably having a boiling point of 60 to 120 ° C., and α, α′-azobisisobutyl as the polymerization initiator A radical generator such as an azobis type such as nitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as necessary, and the compound (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、凝集力が小さくなって、半導体ウエハＷをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が４０万以上であることが好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本実施形態における「分子量」とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。 Although the compound (A) can be obtained as described above, the molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force becomes small, and when the semiconductor wafer W is diced, the device is likely to be displaced, and image recognition may be difficult. In order to prevent this element displacement as much as possible, the molecular weight is preferably 400,000 or more. Further, if the molecular weight exceeds 1,000,000, there is a possibility of gelation at the time of synthesis and coating.
The “molecular weight” in the present embodiment is a weight average molecular weight in terms of polystyrene.

また、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。 Moreover, it is preferable that the compound (A) has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after irradiation. Moreover, it is preferable that a compound (A) has a COOH group used as the acid value of 0.5-30.
Here, if the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the adhesive after irradiation tends to be impaired. If the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.

次に、粘着剤のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。
化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または剥離フィルム２と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。 Next, the compound (B) which is another main component of the pressure-sensitive adhesive will be described.
The compound (B) is a compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more. This compound (B) works as a cross-linking agent, and the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of the compounds (A) and (B) is obtained by the cross-linking structure formed as a result of reaction with the compound (A) or the release film 2. It can be improved after application.

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。 The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like.

ポリイソシアネート類としては、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本実施形態においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。 Specifically as a polyisocyanate, Coronate L (brand name by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) etc. can be used as a commercial item.
Specific examples of the melamine / formaldehyde resin that can be used include Nicalac MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and Melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).
As the epoxy resin, TETRAD-X (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) or the like can be used.
In this embodiment, it is particularly preferable to use polyisocyanates.

化合物（Ｂ）の添加量は、化合物（Ａ）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．４〜３重量部とすることがより好ましい。その量が０．１重量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０重量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれるからである。 The amount of compound (B) added is preferably 0.1 to 10 parts by weight and more preferably 0.4 to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of compound (A). If the amount is less than 0.1 parts by weight, the effect of improving the cohesive force tends to be insufficient. If the amount exceeds 10 parts by weight, the curing reaction proceeds rapidly during the formulation and application of the adhesive, and a crosslinked structure is formed. Therefore, workability is impaired.

本実施形態において、粘着剤には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。
粘着剤に含まれる光重合開始剤（Ｃ）には、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
化合物（Ｃ）の添加量は、化合物（Ａ）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．５〜５重量部とすることがより好ましい。 In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator (C).
There is no restriction | limiting in particular in the photoinitiator (C) contained in an adhesive, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Examples include anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), and acridine compounds. These can be used alone or in combination of two or more.
The amount of compound (C) added is preferably 0.1 to 10 parts by weight and more preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of compound (A).

さらに、本実施形態に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤あるいはその他の改質剤および慣用成分等を配合することができる。また、粘着剤には無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層５の厚さは、通常のウエハダイシング加工と併用して処理を行うことがある場合には少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。また、レーザーダイシング加工のみ行う場合には少なくとも５μｍ以下、より好ましくはチップ保持力を失わない範囲でできる限り薄くすることが好ましい。
なお、粘着剤層５は複数の層が積層された構成であってもよい。 Furthermore, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive used in the present embodiment can be blended with a tackifier, a tackiness modifier, a surfactant or other modifier, a conventional component, and the like as necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably to an adhesive.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is preferably at least 5 μm, more preferably 10 μm or more when processing is performed in combination with normal wafer dicing. Further, when only laser dicing is performed, it is preferably at least 5 μm or less, more preferably as thin as possible within a range not losing the chip holding power.
The pressure-sensitive adhesive layer 5 may have a configuration in which a plurality of layers are laminated.

（２）粘着剤層６
粘着剤層６はその組成が粘着剤層５と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
粘着剤層６はその粘着力が粘着剤層５と等しくてもよいし、異なっていてもよいが、好ましくは（粘着剤層６の粘着力）≧（粘着剤層５の粘着力）の関係を満たすのがよい。
粘着剤層６の粘着力と粘着剤層５の粘着力とを異ならせる場合、その方法は特に限定されるものではないが、例えば、粘着剤５を放射線（紫外線もしくはエネルギー線）硬化型の樹脂組成物から構成し、粘着剤層５に対してのみ予め適当な放射線の照射をおこなえばよい。 (2) Adhesive layer 6
The composition of the pressure-sensitive adhesive layer 6 may be the same as or different from that of the pressure-sensitive adhesive layer 5.
The pressure-sensitive adhesive layer 6 may have the same or different pressure-sensitive adhesive strength as that of the pressure-sensitive adhesive layer 5, but preferably has a relationship of (pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 6) ≧ (pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 5). It is good to satisfy.
When the adhesive strength of the adhesive layer 6 is different from the adhesive strength of the adhesive layer 5, the method is not particularly limited. For example, the adhesive 5 is a radiation (ultraviolet ray or energy ray) curable resin. What is necessary is just to irradiate suitable radiation only with respect to the adhesive layer 5 comprised from a composition.

《基材フィルム》
基材フィルム７は、粘着剤層５として放射線硬化性の粘着剤を使用する場合には、その粘着剤が硬化する波長での放射線透過性のよいものを選択することが必要とされる。 <Base film>
In the case of using a radiation curable pressure sensitive adhesive as the pressure sensitive adhesive layer 5, it is necessary to select a base film 7 that has good radiation transparency at a wavelength at which the pressure sensitive adhesive is cured.

基材フィルム７の表面には、粘着剤との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。基材フィルム７の厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。 In order to improve the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive, the surface of the base film 7 may be appropriately subjected to a treatment such as a corona treatment or a primer layer. The thickness of the base film 7 is usually suitably from 30 to 300 μm from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency.

基材フィルム７としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。 As the base film 7, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene- Homopolymer or copolymer of α-olefin such as methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide- Listed are thermoplastic elastomers such as polyol copolymers, and mixtures thereof. Moreover, you may use what made these two or more layers.

なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルム７を放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルム７を用いると効果的である。 In order to increase the gap between elements, it is preferable that necking (occurrence of partial elongation due to poor propagation of force when the base film 7 is radially stretched) is as small as possible, including polyurethane, molecular weight and styrene. Examples thereof include styrene-ethylene-butene or pentene copolymers with limited amounts, and it is effective to use a cross-linked base film 7 to prevent elongation or deflection during dicing.

《ウエハ加工用テープの製造方法》
まず、接着剤を剥離フィルム２上に塗布して乾燥させ、接着剤層３を形成する。かかる場合、接着剤を半硬化させ、熱硬化性樹脂の硬化中間状態（Ｂステージ状態）とする。
その後、プリカット加工により、接着剤層３を円形状にプリカットする。 << Method for manufacturing wafer processing tape >>
First, an adhesive is applied on the release film 2 and dried to form the adhesive layer 3. In such a case, the adhesive is semi-cured to obtain a curing intermediate state (B stage state) of the thermosetting resin.
Thereafter, the adhesive layer 3 is pre-cut into a circular shape by pre-cut processing.

剥離フィルム２への接着剤層３の形成とは別に、基材フィルム７上に円形状の粘着剤層５を形成して粘着テープ４を形成し、粘着テープ４に対し、プリカット加工された接着剤層３を有する剥離フィルム２をラミネートする。
かかる場合、粘着テープ４の粘着剤層５と接着剤層３とを貼り合わせる。 Separately from the formation of the adhesive layer 3 on the release film 2, a circular pressure-sensitive adhesive layer 5 is formed on the base film 7 to form a pressure-sensitive adhesive tape 4. The release film 2 having the agent layer 3 is laminated.
In such a case, the pressure-sensitive adhesive layer 5 of the pressure-sensitive adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 are bonded together.

その後、剥離フィルム２を剥離し、接着剤層３上にスクリーン印刷をおこなって粘着剤層６を形成し、接着剤層３の周縁部を粘着剤層６で被覆する。
最後に、剥離フィルム２を、接着剤層３と粘着剤層６とに貼り合わせる。
以上の処理により、ウエハ加工用テープ１を製造することができる。製造したウエハ加工用テープ１はコアに巻き取られ、ロール体の状態で出荷される。
なお、剥離フィルム２上に粘着剤層６をあらかじめ形成しておき、当該剥離フィルム２を、プリカット加工済みの接着剤層３、粘着剤層５および基材フィルム７からなるフィルムに貼合して、ウエハ加工用テープ１を製造することも可能である。 Thereafter, the release film 2 is peeled off, screen printing is performed on the adhesive layer 3 to form the pressure-sensitive adhesive layer 6, and the periphery of the adhesive layer 3 is covered with the pressure-sensitive adhesive layer 6.
Finally, the release film 2 is bonded to the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 6.
Through the above processing, the wafer processing tape 1 can be manufactured. The manufactured wafer processing tape 1 is wound around a core and shipped in a roll state.
In addition, the adhesive layer 6 is formed in advance on the release film 2, and the release film 2 is bonded to a film composed of the adhesive layer 3, the adhesive layer 5, and the base film 7 that has been precut. It is also possible to manufacture the wafer processing tape 1.

《ウエハ加工用テープの使用方法》
半導体ウエハＷのダイシングを行う前に、ウエハ加工用テープ１を半導体ウエハＷおよびリングフレームＲに貼りつける（図１４参照）。
詳しくは、ウエハ加工用テープ１を、ウエハ加工用テープ１のロール体から引き出し方向Ａに沿って剥離用くさび３１へと引き出し、剥離用くさび３１の先端部を折り返し点として、剥離フィルム２をウエハ加工用テープ１から剥離して巻き取りローラ３０に巻き取る。これに連動するように吸着ステージ３２を移動させ、貼合ローラ３３により、半導体ウエハＷを接着剤層３に貼合させ、リングフレームＲを粘着剤層６に貼合させる。《How to use wafer processing tape》
Before dicing the semiconductor wafer W, the wafer processing tape 1 is attached to the semiconductor wafer W and the ring frame R (see FIG. 14).
Specifically, the wafer processing tape 1 is drawn from the roll body of the wafer processing tape 1 to the peeling wedge 31 along the pulling direction A, and the peeling film 2 is used as the wafer with the tip of the peeling wedge 31 as a turning point. It is peeled off from the processing tape 1 and taken up on a take-up roller 30. The suction stage 32 is moved so as to be interlocked with this, the semiconductor wafer W is bonded to the adhesive layer 3 by the bonding roller 33, and the ring frame R is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 6.

その後、接着剤層３を半導体ウエハＷに貼合させ、かつ、粘着剤層６をリングフレームＲにより固定した状態で、半導体ウエハＷをダイシングし、複数の半導体チップを製造する。
その後、粘着剤層５と粘着剤層６とに放射線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着剤層５および粘着剤層６は硬化処理によって粘着力が低下し、接着剤層３は粘着剤層５および粘着剤層６から容易に剥離され、半導体チップは裏面に接着剤層３が付着した状態でピックアップされる。
その後、ピックアップした半導体チップを、リードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップにマウントする。かかる場合、半導体チップの裏面に付着した接着剤層３は、半導体チップがリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップにマウントされる際のダイボンディングフィルムとして機能する。 Thereafter, the semiconductor wafer W is diced in a state where the adhesive layer 3 is bonded to the semiconductor wafer W and the pressure-sensitive adhesive layer 6 is fixed by the ring frame R to manufacture a plurality of semiconductor chips.
Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 5 and the pressure-sensitive adhesive layer 6 are subjected to a curing treatment such as radiation irradiation to pick up a semiconductor chip. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 5 and the pressure-sensitive adhesive layer 6 are reduced in adhesive strength by the curing treatment, the adhesive layer 3 is easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 5 and the pressure-sensitive adhesive layer 6, and the semiconductor chip is adhesive layer on the back surface. Pickup with 3 attached.
Thereafter, the picked-up semiconductor chip is mounted on a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip. In this case, the adhesive layer 3 attached to the back surface of the semiconductor chip functions as a die bonding film when the semiconductor chip is mounted on a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

以上のウエハ加工用テープ１によれば、接着剤層３上の周縁部のうち、少なくとも引き出し方向Ａの前側の先端部が粘着剤層６により被覆されている。
そのため、プリカット加工により接着剤層３が剥離フィルム２に癒着していたとしても、剥離フィルム２２を引き剥がす際に、接着剤層３が剥離フィルム２に引きずられて捲れ上がるのを抑制することができる。
その結果、半導体ウエハＷと接着剤層３との間の貼合不良の発生を防止することができる。
さらに、接着剤層３は粘着剤層６で粘着テープ４との剥離の切っ掛けとなる部分（図１３の剥離部分２０参照）が覆われているから、粘着剤層５を低粘着力の粘着剤で構成したとしても、接着剤層３が捲れ上がるのを抑制することができ、ダイシング後の半導体チップのピックアップ効率を向上させることが可能となる。 According to the wafer processing tape 1 described above, at least the front end portion of the front side in the pulling direction A is covered with the adhesive layer 6 among the peripheral portions on the adhesive layer 3.
Therefore, even if the adhesive layer 3 is adhered to the release film 2 by the pre-cut process, it is possible to prevent the adhesive layer 3 from being dragged to the release film 2 when the release film 22 is peeled off. it can.
As a result, it is possible to prevent the occurrence of poor bonding between the semiconductor wafer W and the adhesive layer 3.
Further, since the adhesive layer 3 is covered with a pressure-sensitive adhesive layer 6 so as to be peeled off from the pressure-sensitive adhesive tape 4 (see the peeling portion 20 in FIG. 13), the pressure-sensitive adhesive layer 5 is made of a low-adhesive pressure-sensitive adhesive. Even if it comprises, it can suppress that the adhesive bond layer 3 rolls up, and it becomes possible to improve the pick-up efficiency of the semiconductor chip after dicing.

なお、接着剤層３、粘着剤層５および粘着剤層６の形状（サイズ）等は、図３の態様に限定されず、図４〜図６のような態様を有していてもよい（変形例１−１〜１−３参照）。 In addition, the shape (size) etc. of the adhesive layer 3, the adhesive layer 5, and the adhesive layer 6 are not limited to the aspect of FIG. 3, You may have an aspect like FIGS. Modifications 1-1 to 1-3).

［変形例１−１］
図４に示すとおり、粘着剤層５の外径５ａを縮小して粘着剤層６を接着剤層３上から粘着剤層５を経由して基材フィルム７上まで跨らせてもよい。
かかる場合でも、粘着剤層５の外径５ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくする。 [Modification 1-1]
As shown in FIG. 4, the outer diameter 5 a of the pressure-sensitive adhesive layer 5 may be reduced and the pressure-sensitive adhesive layer 6 may be straddled from the adhesive layer 3 to the base film 7 via the pressure-sensitive adhesive layer 5.
Even in such a case, the outer diameter 5 a of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is made larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W.

［変形例１−２］
図５に示すとおり、接着剤層３の外径３ａを拡大してもよい。
かかる場合、接着剤層３の外径３ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、リングフレームＲの外径Ｒａより小さく、リングフレームＲの内径Ｒｂより大きくする。 [Modification 1-2]
As shown in FIG. 5, the outer diameter 3a of the adhesive layer 3 may be enlarged.
In this case, the outer diameter 3a of the adhesive layer 3 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W, smaller than the outer diameter Ra of the ring frame R, and larger than the inner diameter Rb of the ring frame R.

［変形例１−３］
図６に示すとおり、粘着剤層５の外径５ａを縮小して粘着剤層５を接着剤層３で被覆してもよい。
かかる場合でも、粘着剤層５の外径５ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくする。 [Modification 1-3]
As shown in FIG. 6, the pressure-sensitive adhesive layer 5 may be covered with the adhesive layer 3 by reducing the outer diameter 5 a of the pressure-sensitive adhesive layer 5.
Even in such a case, the outer diameter 5 a of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is made larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W.

本実施形態では、粘着剤層５と粘着剤層６とが直接積層されている構成（図３〜図５の構成）が好適に用いられる。 In this embodiment, the structure (structure of FIGS. 3-5) by which the adhesive layer 5 and the adhesive layer 6 are laminated | stacked directly is used suitably.

さらに、本実施形態（変形例１−１〜１−３を含む。）では、図７に示すとおり、接着剤層３上の周縁部の一部だけを、粘着剤層６で被覆してもよい。
かかる場合、接着剤層３上の周縁部のうち、例えば、図８に示すように、剥離フィルム２の引き出し方向Ａの前側半分のみを被覆してもよいし、図９に示すように、引き出し方向Ａの前側の先端部のみを被覆してもよい。
すなわち、接着剤層３の周縁部のうち、接着剤層３の剥離フィルム２との剥離開始点（図１３の剥離部分２０参照）を、粘着剤層６で被覆すればよい。 Furthermore, in this embodiment (including Modifications 1-1 to 1-3), as shown in FIG. 7, only a part of the peripheral edge on the adhesive layer 3 may be covered with the pressure-sensitive adhesive layer 6. Good.
In such a case, among the peripheral portions on the adhesive layer 3, for example, as shown in FIG. 8, only the front half in the pulling direction A of the release film 2 may be covered, or as shown in FIG. You may coat | cover only the front-end | tip part of the front side of the direction A. FIG.
That is, the adhesive layer 6 may cover the peeling start point (see the peeling portion 20 in FIG. 13) of the adhesive layer 3 with the release film 2 in the peripheral edge of the adhesive layer 3.

［第２の実施形態］
本実施形態は、主に下記の点で第１の実施形態と異なっている。 [Second Embodiment]
This embodiment is different from the first embodiment mainly in the following points.

図１０に示すとおり、基材フィルム７の中央部には、円形状の粘接着剤層１０が形成されている。粘接着剤層１０は第１の実施系形態にかかる接着剤層３と粘着剤層５との双方の機能を有する層である。
粘着剤層６は粘接着剤層１０上から基材フィルム７上にかけて跨っており、粘接着剤層１０上の周縁部を被覆している。
粘接着剤層１０の外径１０ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きい。
粘着剤層６の内径６ｂは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、粘接着剤層１０の外径１０ａより小さい。 As shown in FIG. 10, a circular adhesive layer 10 is formed at the center of the base film 7. The adhesive layer 10 is a layer having the functions of both the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 5 according to the first embodiment.
The pressure-sensitive adhesive layer 6 straddles from the adhesive layer 10 to the base film 7 and covers the peripheral edge on the adhesive layer 10.
The outer diameter 10 a of the adhesive layer 10 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W.
The inner diameter 6 b of the pressure-sensitive adhesive layer 6 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W and smaller than the outer diameter 10 a of the adhesive layer 10.

なお、粘接着剤層１０および粘着剤層６の形状（サイズ）等は、図１０の態様に限定されず、図１１，図１２のような態様を有していてもよい（変形例２−１，２−２参照）。 In addition, the shape (size) of the adhesive layer 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 6 is not limited to the mode illustrated in FIG. 10, and may have a mode illustrated in FIGS. 11 and 12 (Modification 2). -1 and 2-2).

［変形例２−１］
図１１に示すとおり、粘接着剤層１０の外径１０ａを拡大してもよい。
かかる場合も、粘接着剤層１０の外径１０ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくし、好ましくはリングフレームＲの外径Ｒａより小さく、リングフレームＲの内径Ｒｂより大きくする。 [Modification 2-1]
As shown in FIG. 11, the outer diameter 10a of the adhesive layer 10 may be enlarged.
Also in this case, the outer diameter 10a of the adhesive layer 10 is larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W, preferably smaller than the outer diameter Ra of the ring frame R and larger than the inner diameter Rb of the ring frame R.

［変形例２−２］
図１２に示すとおり、粘接着剤層１０の外径１０ａをさらに拡大してもよい。
かかる場合も、粘接着剤層１０の外径１０ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくし、好ましくはリングフレームＲの外径Ｒａと同等とする。 [Modification 2-2]
As shown in FIG. 12, the outer diameter 10a of the adhesive layer 10 may be further enlarged.
Also in this case, the outer diameter 10a of the adhesive layer 10 is made larger than the outer diameter Wa of the semiconductor wafer W, and preferably equal to the outer diameter Ra of the ring frame R.

本実施形態では、基材フィルム７と粘着剤層６とが直接積層されている構成（図１０〜図１１の構成）が好適に用いられる。 In this embodiment, the structure (structure of FIGS. 10-11) by which the base film 7 and the adhesive layer 6 are laminated | stacked directly is used suitably.

もちろん、本実施形態（変形例２−１〜２−２を含む。）でも、第１の実施形態において接着剤層３上の周縁部の一部だけを粘着剤層６で被覆したのと同じように（図７〜図９参照）、粘接着剤層１０上の周縁部の一部だけを、粘着剤層６で被覆してもよい。 Of course, this embodiment (including the modified examples 2-1 to 2-2) is the same as the case where only a part of the peripheral edge on the adhesive layer 3 is covered with the adhesive layer 6 in the first embodiment. In this way (see FIGS. 7 to 9), only a part of the peripheral edge on the adhesive layer 10 may be covered with the pressure-sensitive adhesive layer 6.

（１）サンプルの作製
（１．１）基材フィルムの準備
基材フィルムとして、厚さ１００μｍのＰＰ/エラストマー共重合体フィルムを用いた。 (1) Preparation of Sample (1.1) Preparation of Base Film A PP / elastomer copolymer film having a thickness of 100 μm was used as the base film.

（１．２）粘着剤層の作製
粘着剤層組成物２Ａ〜２Ｆとして、下記の表１に示す粘着剤層組成物を調製した。表１中、各組成物の単位は質量部である。
その後、これらの粘着剤層組成物を、基材フィルム上に塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着剤層を作製した。 (1.2) Preparation of pressure-sensitive adhesive layer The pressure-sensitive adhesive layer compositions shown in Table 1 below were prepared as the pressure-sensitive adhesive layer compositions 2A to 2F. In Table 1, the unit of each composition is parts by mass.
Then, these adhesive layer compositions were apply | coated on the base film, and it was made to dry for 3 minutes at 110 degreeC, and produced the adhesive layer.

（１．２．１）粘着剤層組成物２Ａ
粘着剤層組成物２Ａは、アクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ａは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
共重合体化合物は、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物であって、詳しくは２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量７０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）−６４℃、放射線硬化性炭素−炭素二重結合量０．９ｍｅｑ／ｇという特性を有する共重合体化合物である。
硬化剤としては、ポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）を用いた。
光重合開始剤としては、イルガキュア１８４（日本チバガイギー株式会社製、商品名）を用いた。 (1.2.1) Adhesive layer composition 2A
The pressure-sensitive adhesive layer composition 2A is an acrylic pressure-sensitive adhesive.
As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive layer composition 2A was prepared by adding 2 parts by mass of a curing agent to 100 parts by mass of a copolymer compound and further adding 5 parts by mass of a photopolymerization initiator and mixing them. The pressure-sensitive adhesive layer composition.
The copolymer compound is a compound having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group, and specifically comprises 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate, and has a mass average molecular weight of 700,000, glass It is a copolymer compound having the characteristics of a transition temperature (Tg) of −64 ° C. and an amount of radiation curable carbon-carbon double bond of 0.9 meq / g.
As the curing agent, polyisocyanate compound coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name) was used.
Irgacure 184 (Nippon Ciba Geigy Co., Ltd., trade name) was used as a photopolymerization initiator.

（１．２．２）粘着剤層組成物２Ｂ
粘着剤層組成物２Ｂは、粘着剤層組成物２Ａよりも硬化剤を減量したアクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ｂは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤１質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。 (1.2.2) Adhesive layer composition 2B
The pressure-sensitive adhesive layer composition 2B is an acrylic pressure-sensitive adhesive in which the amount of the curing agent is reduced as compared with the pressure-sensitive adhesive layer composition 2A.
As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive layer composition 2B was prepared by adding 1 part by mass of a curing agent to 100 parts by mass of a copolymer compound and further adding 5 parts by mass of a photopolymerization initiator and mixing them. The pressure-sensitive adhesive layer composition.

（１．２．３）粘着剤層組成物２Ｃ
粘着剤層組成物２Ｃは、粘着剤層組成物２Ａよりも硬化剤を増量したアクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ｃは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤５質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。 (1.2.3) Adhesive layer composition 2C
The pressure-sensitive adhesive layer composition 2C is an acrylic pressure-sensitive adhesive in which the amount of the curing agent is increased as compared with the pressure-sensitive adhesive layer composition 2A.
As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive layer composition 2C was prepared by adding 5 parts by mass of a curing agent to 100 parts by mass of a copolymer compound and further adding 5 parts by mass of a photopolymerization initiator and mixing them. The pressure-sensitive adhesive layer composition.

（１．２．４）粘着剤層組成物２Ｄ
粘着剤層組成物２Ｄは、粘着剤層組成物２Ａよりも共重合体化合物の質量平均分子量を大きくしたアクリル系粘着剤である。当該共重合体化合物の質量平均分子量は１１０万である。
粘着剤層組成物２Ｄは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。 (1.2.4) Adhesive layer composition 2D
The pressure-sensitive adhesive layer composition 2D is an acrylic pressure-sensitive adhesive in which the mass average molecular weight of the copolymer compound is larger than that of the pressure-sensitive adhesive layer composition 2A. The copolymer compound has a mass average molecular weight of 1.1 million.
As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive layer composition 2D was prepared by adding 2 parts by mass of a curing agent to 100 parts by mass of a copolymer compound and further adding 5 parts by mass of a photopolymerization initiator and mixing them. The pressure-sensitive adhesive layer composition.

（１．２．５）粘着剤層組成物２Ｅ
粘着剤層組成物２Ｅは、粘着剤層組成物２Ａよりも共重合体化合物の質量平均分子量を小さくしたアクリル系粘着剤である。当該共重合体化合物の質量平均分子量は２０万である。
粘着剤層組成物２Ｅは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。 (1.2.5) Adhesive layer composition 2E
The pressure-sensitive adhesive layer composition 2E is an acrylic pressure-sensitive adhesive in which the mass average molecular weight of the copolymer compound is smaller than that of the pressure-sensitive adhesive layer composition 2A. The weight average molecular weight of the copolymer compound is 200,000.
As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive layer composition 2E was prepared by adding 2 parts by mass of a curing agent to 100 parts by mass of a copolymer compound and further adding 5 parts by mass of a photopolymerization initiator and mixing them. The pressure-sensitive adhesive layer composition.

（１．２．６）粘着剤層組成物２Ｆ
粘着剤層組成物２Ｆは、粘着剤層組成物２Ａの共重合体化合物を変更して、質量平均分子量を小さくしたアクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ｆは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
共重合体化合物は、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物であって、詳しくは２−エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量２０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）−５℃、放射線硬化性炭素−炭素二重結合量０．９ｍｅｑ／ｇという特性を有する共重合体化合物である。 (1.2.6) Adhesive layer composition 2F
The pressure-sensitive adhesive layer composition 2F is an acrylic pressure-sensitive adhesive in which the copolymer compound of the pressure-sensitive adhesive layer composition 2A is changed to reduce the mass average molecular weight.
As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive layer composition 2F was prepared by adding 2 parts by mass of a curing agent to 100 parts by mass of a copolymer compound and further adding 5 parts by mass of a photopolymerization initiator and mixing them. The pressure-sensitive adhesive layer composition.
The copolymer compound is a compound having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group, and specifically comprises 2-ethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate, and has a mass average molecular weight of 200,000, glass It is a copolymer compound having the characteristics of a transition temperature (Tg) of -5 ° C. and a radiation curable carbon-carbon double bond content of 0.9 meq / g.

（１．３）剥離フィルムの準備
剥離フィルムとして、厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。 (1.3) Preparation of Release Film As the release film, a 25 μm-thick polyethylene terephthalate film subjected to release treatment was used.

（１．４）接着剤層の作製
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
これにアクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）２．５質量部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤層組成物を得た。
その後、上記接着剤組成物を剥離フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥させ、膜厚が２０μｍのＢステージ状態（熱硬化性樹脂の硬化中間状態）の接着剤層を形成し、所定の形状に切断し、連続して並ぶ島状のラベルを残し、当該接着剤層の島状以外の部分を剥離フィルム上から除去した。 (1.4) Production of Adhesive Layer 50 parts by mass of cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin, and γ-mercaptopropyltrimethoxysilane 1.5 as a silane coupling agent Cyclohexanone was added to a composition comprising 3 parts by mass, 3 parts by mass of γ-ureidopropyltriethoxysilane, and 30 parts by mass of silica filler having an average particle size of 16 nm, and the mixture was stirred and mixed, and further kneaded for 90 minutes using a bead mill.
To this, 100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature -17 ° C), 5 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate as a hexafunctional acrylate monomer, 0.5 mass of adduct of hexamethylene diisocyanate as a curing agent Part, Curesol 2PZ (trade name, 2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 2.5 parts by mass, stirred and mixed, vacuum degassed to obtain an adhesive layer composition.
Thereafter, the adhesive composition is applied onto a release film, and heated and dried at 110 ° C. for 1 minute to form an adhesive layer in a B-stage state (curing intermediate state of thermosetting resin) with a film thickness of 20 μm. It cut | disconnected to the predetermined | prescribed shape, the island-like label continuously arranged was left, and parts other than the island-like of the said adhesive bond layer were removed from the peeling film.

（１．５）ウエハ加工用テープの作製
剥離フィルム上に形成された島状の接着剤層を、粘着テープ（基材フィルムに粘着剤層を形成したもの）に貼り付け、いったん剥離フィルムを剥がした。
その後、実施例１〜５，比較例１のサンプルにおいては、図９に示すとおり、接着剤層上の周縁部の一部（先端部）に粘着剤層を形成して当該一部を粘着剤層で被覆した。実施例６〜１０，比較例２のサンプルにおいては、図８に示すとおり、接着剤層の周縁部の全部に粘着剤層を形成して当該全部を粘着剤層で被覆した。
その後、接着剤層と被覆用の粘着剤層とに対し、剥離フィルムを貼り付けてウエハ加工用テープとした。 (1.5) Manufacture of tape for wafer processing The island-shaped adhesive layer formed on the release film is attached to the adhesive tape (the adhesive film is formed on the base film), and the release film is once peeled off. It was.
Thereafter, in the samples of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, as shown in FIG. 9, a pressure-sensitive adhesive layer is formed on a part of the peripheral edge (tip part) on the adhesive layer, and the part is used as a pressure-sensitive adhesive Coated with a layer. In the samples of Examples 6 to 10 and Comparative Example 2, as shown in FIG. 8, a pressure-sensitive adhesive layer was formed on the entire periphery of the adhesive layer, and the whole was covered with the pressure-sensitive adhesive layer.
Thereafter, a release film was attached to the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer for coating to obtain a wafer processing tape.

（２）サンプルの評価
（２．１）貼合試験
ウエハ加工用テープの各サンプルの接着剤層に対し、厚さ５０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウエハを、図１４に示す方法により、加熱温度７０℃，貼合速度１２ｍｍ／ｓで貼合した。
上記貼合作業を１００回試行し、接着剤層が粘着テープから一部捲れ上がった状態でシリコンウエハに貼合された場合を、貼合不良と見做してカウントした。
試験結果を表２に示す。
表２中、○，×の基準は下記のとおりとした。
「○」：１００枚中、捲れ上がりの発生がまったくないかまたは１枚ある
「×」：１００枚中、捲れ上がりの発生が２枚以上ある (2) Sample Evaluation (2.1) Bonding Test A silicon wafer having a thickness of 50 μm and a diameter of 200 mm was applied to the adhesive layer of each sample of the wafer processing tape by a method shown in FIG. Bonding was performed at a bonding speed of 12 mm / s.
The above bonding operation was tried 100 times, and the case where the adhesive layer was bonded to the silicon wafer in a state where the adhesive layer was partially lifted from the adhesive tape was counted as a bonding failure.
The test results are shown in Table 2.
In Table 2, the criteria for ○ and × were as follows.
“○”: no or no occurrence of curling up in 100 sheets “×”: two or more occurrences of curling up in 100 sheets

（２．２）ピックアップ試験
シリコンウエハを貼合した状態のウエハ加工用テープの各サンプルにおいて、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製ＤＦＤ６３４０）を用いて、シリコンウエハおよび接着剤層を５ｍｍ×５ｍｍサイズにダイシングした。
なお、実施例５，１０のサンプルに関しては、ピックアップ前にメタルハライドランプを用いて５０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射した。
その後、各サンプルに対して、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー製ＣＡＰ−３００II）を用いて、１００チップに対してピックアップを試行し、そのうちいくつのチップでピックアップが成功したかそのチップ数を数えた。
その際、チップが破損した場合はピックアップが失敗したとみなした。
試験結果を表２に示す。
表２中、◎，○の基準は下記のとおりとした。
「◎」：ピックアップの成功率が９８％以上である
「○」：ピックアップの成功率が９０〜９７％である (2.2) Pickup test In each sample of the wafer processing tape in which the silicon wafer was bonded, the silicon wafer and the adhesive layer were diced into a size of 5 mm x 5 mm using a dicing apparatus (DFD6340 manufactured by Disco).
For the samples of Examples 5 and 10, ultraviolet rays of 50 mJ / cm ² were irradiated using a metal halide lamp before picking up.
Thereafter, for each sample, a pickup device (CAP-300II manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) was used to try to pick up 100 chips, and the number of chips that were successfully picked up was counted.
At that time, if the chip was damaged, the pickup was considered to have failed.
The test results are shown in Table 2.
In Table 2, the criteria for ◎ and ○ are as follows.
“◎”: success rate of pickup is 98% or more “◯”: success rate of pickup is 90 to 97%

（３）まとめ
表２に示すとおり、比較例１，２のサンプルでは、貼合試験の際に接着剤層が剥離フィルムの剥離に伴い捲り上がった。
これに対し、実施例１〜５，６〜１０のサンプルでは、貼合試験の際に接着剤層の捲り上がりが抑制され貼合試験の結果は良好であり、ピックアップ試験でも結果は良好または最良であった。
以上から、接着剤層上の周縁部の一部または全部を粘着剤層で被覆することは、接着剤層の捲り上がりを抑制する上で有用であることがわかる。 (3) Summary As shown in Table 2, in the samples of Comparative Examples 1 and 2, the adhesive layer rose with the peeling of the release film during the bonding test.
On the other hand, in the samples of Examples 1 to 5, 6 to 10, the rise of the adhesive layer was suppressed during the bonding test, and the result of the bonding test was good, and the result was good or best even in the pickup test. Met.
From the above, it can be seen that covering part or all of the peripheral edge on the adhesive layer with the pressure-sensitive adhesive layer is useful for suppressing the rising of the adhesive layer.

１ウエハ加工用テープ
２剥離フィルム
３接着剤層
３ａ外径
４粘着テープ
５粘着剤層
５ａ外径
６粘着剤層
６ｂ内径
７基材フィルム
１０粘接着剤層
１０ａ外径
２０剥離部分
３０巻き取りローラ
３１剥離用くさび
３２吸着ステージ
３３貼合ローラ
Ａ剥離フィルムの引き出し方向
Ｒリングフレーム
Ｒａ外径
Ｒｂ内径
Ｗ半導体ウエハ
Ｗａ外径 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer processing tape 2 Release film 3 Adhesive layer 3a Outer diameter 4 Adhesive tape 5 Adhesive layer 5a Outer diameter 6 Adhesive layer 6b Inner diameter 7 Base film 10 Adhesive layer 10a Outer diameter 20 Release part 30 Winding up Roller 31 Peeling wedge 32 Adsorption stage 33 Bonding roller A Pull-out direction of release film R Ring frame Ra Outer diameter Rb Inner diameter W Semiconductor wafer Wa Outer diameter

Claims

A first pressure-sensitive adhesive layer, an adhesive layer, and a second pressure-sensitive adhesive layer are laminated in this order on a base film, a semiconductor wafer is bonded to the adhesive layer, and the second pressure-sensitive adhesive layer is a ring frame. Wafer processing tape used in the process fixed by
An outer diameter of the first pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the semiconductor wafer;
An outer diameter of the adhesive layer is larger than an outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than an outer diameter of the ring frame;
An inner diameter of the second pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than an outer diameter of the adhesive layer;
The wafer processing tape, wherein an outer diameter of the second pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the adhesive layer.

A wafer used in a process in which an adhesive layer and an adhesive layer are laminated in this order on a base film, a semiconductor wafer is bonded to the adhesive layer, and the adhesive layer is fixed with a ring frame. Processing tape,
The outer diameter of the adhesive layer is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer,
The inner diameter of the pressure-sensitive adhesive layer is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than the outer diameter of the adhesive layer,
A wafer processing tape, wherein an outer diameter of the pressure-sensitive adhesive layer is larger than an outer diameter of the adhesive layer.