JP5948741B2 - 有機電子デバイス用組成物、有機電子デバイスの作製方法、有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
これに対し、有機半導体層は、湿式法で成膜することにより、高価な設備を用いなくても、大面積のデバイスを低エネルギーで製造することができる。湿式法による有機半導体層の成膜については、特許文献1には、ビシクロベンゾポルフィリン化合物を基板上に塗布した後、これをベンゾポルフィリンに変換させることにより形成させた有機半導体層を用いた電界効果トランジスタについて、記載されている。また、有機半導体溶液に、オクチルトリクロロシランやチオール化合物などの電極表面やゲート絶縁膜表面を修飾しやすい添加剤を加えることにより、半導体特性の改善を試みた例も報告されている(特許文献2及び3参照)。
すなわち、本発明の第1の要旨は、ベンゾポルフィリン化合物又はビシクロベンゾポルフィリン化合物である有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有することを特徴とする有機電子デバイス用組成物に存する。
るケトン化合物、下記一般式(VI)若しくは(VII)で表されるフェニルエステル化合物であることを特徴とする、第1の要旨に記載の有機電子デバイス用組成物に存する。
炭素数1〜50のアルキル基を示し、Rd及びRfは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜50のアルキル基を示し、Ara〜Ariは置換基を有していてもよい炭素数4〜50の芳香環基を示す。〕
本発明の第3の要旨は、前記芳香環基と前記アルキル基が結合している有機化合物の1気圧における沸点が200℃以上であることを特徴とする、第1又は2の要旨に記載の有機電子デバイス用組成物に存する。
本発明の第6の要旨は、第5の要旨に記載の有機電子デバイスの作製方法であって、前記有機電子デバイス用組成物が前記アヌレン構造を有する有機化合物としてビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有し、前記有機半導体層を形成させる工程が、前記ビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を基板上に塗布した後、前記ビシクロベンゾポルフィリン化合物を逆ディールス・アルダー反応によりベンゾポルフィリン化合物に変化させる工程を含むことを特徴とする有機電子デバイスの作製方法に存する。
本発明の第9の要旨は、チャンネル長が20μm以下であることを特徴とする、第8の要旨に記載の有機電子デバイスに存する。
[有機電子デバイス用組成物]
本発明の有機電子デバイス用組成物は、アヌレン構造を有する有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有する。
本発明に係るアヌレン構造を有する有機化合物(以下、「本発明に係る有機半導体化合物」と記載する場合がある)は、本発明の有機電子デバイスにおいて、有機半導体となる。
本発明に係る有機半導体化合物は、アヌレン構造を有しており、且つ、単結晶又は多結晶の有機半導体を形成する化合物であれば、特に限定は無い。具体的には、ポルフィリン化合物やフタロシアニン化合物等が挙げられる。これらのうち、結晶性が高く、化学的安定性に優れることからポルフィリン化合物が好ましい。なお、本発明において、ポルフィリン化合物とは、ポルフィリン骨格を有する化合物のことを言い、フタロシアニン化合物とは、フタロシアニン骨格を有する化合物のことを言う。
、(R9,R10)、(R11,R12)、(R13,R14)及び(R15,R16)のうちの少なく
とも一つの組は一体となって下記式(X)で表される基を形成する。また、Mは金属原子又は金属原子団を表わす。)
式(VIII)及び(IX)中、R5〜R8は、各々1価の原子又は1価の原子団を表わす。R5〜R8は、各々同一でも異なっていても良いが、合成及び精製が容易であることから同一であるのが好ましい。R5〜R8は、ポルフィリン環が歪むことによる平面性の低下が起こり難く、その原子又は原子団自体がπ共役系の重なりを阻害する原因になり難いことから小さな基であるのが好ましい。R5〜R8としては、水素原子、ハロゲン原子又は1価の有機基が好ましい。好ましい具体例を挙げると、水素原子;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、プロパニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基などの1価の有機基などが挙げられる。ここで、上述の1価の原子は、アルキル基等の有機基で置換されていてもよい。また、上述の有機基は、フッ素、塩素等のハロゲン原子やアルキル基等の有機基で置換されていてもよい。これらのうち、1価の原子が好ましく、水素原子、フッ素原子又は塩素原子が特に好ましい。
々同一でも異なっていても良いが、合成及び精製が容易であることから同一であるのが好ましい。1価の原子としては、例えば、水素原子及びハロゲン原子等が挙げられる。また、1価の原子団としては、例えば、ヒドロキシル基及びメチル基、エチル基等のアルキル基やカルボキシル基等の1価の有機基等が挙げられる。これらの内、化学的安定性に優れることから、1価の有機基が好ましい。ここで、1価の有機基は、酸素、窒素、硫黄などのヘテロ元素を有していても良い。
とも一つの組は、一体となって式(X)で表される基(式(X)で表わされるビシクロ構造を有するビシクロ基)を形成したものを表わす。ここで、好ましくは2組以上、更に好ましくは4組が、一体となって式(X)で表される基(式(X)で表わされるビシクロ構造を有するビシクロ基)を形成しているのがよい。R9とR10の合計炭素数、R11とR12の合計炭素数、R13とR14の合計炭素数、及びR15とR16の合計炭素数は、溶解性の点では多いのが好ましいが、一方、結晶化するまでに要する時間が短い点では少ないが好ましい。そこで、具体的には、これらの各合計炭素数が6以上であるのが好ましく、8以上であるのが更に好ましく、また、一方、50以下であるのが好ましく、30以下であるのが更に好ましい。
(R1,R2)及び(R3,R4)のうちの少なくとも一つの組は、2つのRが両方とも炭素数10以下のアルキル基であるのが好ましい。この際、炭素数10以下のアルキル基は、直鎖状でもよく、分岐状でもよい。また、置換基を有していてもよく、環を形成してもよい。このように、ビシクロ構造中の1つの炭素に炭素数10以下のアルキル基置換基を2個有することにより、多様な有機溶媒に対して、ビシクロポルフィリン化合物の溶解性を高めることが可能となっている。
R17〜R20が1価の原子である場合の具体例としては、水素原子;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子などが挙げられる。
ル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、n−へプチル基等の炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数3〜18の環状アルキル基;ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜18の直鎖状又は分岐状のアルケニル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数3〜18の環状アルケニル基;プロピニル基、ヘキシニル基等の炭素数2〜18の直鎖状又は分岐状のアルキニル基;2−チエニル基、2−ピリジル基、4−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基;フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数6〜18のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜20のアラルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等の炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基;プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等の炭素数3〜18の直鎖状又は分岐状のアルケニルオキシ基及びメチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基等の炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキルチオ基などが挙げられる。これらの1価の有機基は、置換されていても良い。
換基の具体例を挙げると、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数2〜12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキシ基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基(これらは任意の置換基でさらに置換されていても良い。);フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基及びアリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数2〜12のアルケニルオキシ基などが挙げられる。
は1価の原子団であれば、任意である。ただし、本発明のビシクロポルフィリン化合物から有機半導体を製造した場合に、得られる有機半導体の特性を発現するためのπ共役系の分子間の重なりを阻害する可能性が低いことから、R17〜R20と同様に、立体的な障害が小さく、小さな置換基を有するものが好ましい。R9〜R16のうち、式(X)で表される
ビシクロ基を形成しないものとしては、上述のR17〜R20と同様のものが挙げられる。また、R9〜R16のうち式(X)で表されるビシクロ基を形成しないものは、本発明の効果
を著しく損なわない限り任意の置換基で置換されていても良い。その置換基の具体例としては、R17〜R20の置換基として例示したものと同様の基が挙げられる。
団の中心金属は、半導体特性が良好となりやすいことから、Cu、Zn、Mg、Ni、Co、Fe、Pt、Pd、Si、Ti、Mn、Mo、Cr、Ir、Ru及びPb等が好ましく、Cu、Zn、Mg、Ni、Co及びFeが更に好ましく、Cu及びZnが特に好ましい。一方、変換反応により有機溶媒に対する溶解性が大幅に向上する点では、Niも特に好ましい。また、Mが金属原子団である場合としては、AlCl、TiO、FeCl、SiCl2等の3価以上の金属と他の元素とが結合して2価になっている原子団及び置換基
を有する金属原子等が挙げられる。
ビシクロ構造を有するアヌレン化合物としては、分子間相互作用が大きくなることから、式(VIII)の中心に金属原子が無い構造に対し、式(IX)の中心に金属原子又は金属原子団がある構造が好ましく、式(IX)で中心に金属原子がある構造が更に好ましい。また、上記式(VIII)及び(IX)のように、対称性の良い構造が好ましいが、非対称構造であっても良い。
本発明の有機電子デバイス用組成物は、上述の有機半導体化合物の他に、芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物(以下、「特定有機化合物」と記載する場合がある)を含有する。
下記一般式(V)で表されるケトン化合物、下記一般式(VI)若しくは(VII)で表されるフェニルエステル化合物が好ましい。
炭素数1〜50のアルキル基を示し、Rd及びRfは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜50のアルキル基を示し、Ara〜Ariは置換基を有していてもよい炭素数4〜50の芳香環基を示す。〕
上記式中のAra〜Ariは、置換基を有していてもよい炭素数4〜50の芳香環基を示す。芳香環基は、芳香族性を有していれば、芳香族炭化水素環基でも、芳香族複素環基でも良い。また、単環の基でも縮合環の基でも良い。芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。また、芳香族複素環基としては、チオフェン、ピロール、ピリジン及びベンゾチオフェ
ン等が挙げられる。これらのうち、化学的安定性及び経済性に優れることから芳香族炭化水素環基が好ましく、単環又は縮合2環の基が更に好ましく、フェニル基又はナフチル基が特に好ましく、フェニル基が最も好ましい。芳香環基が有する置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基等が挙げられるが、ヒドロキシ基が特に好ましい。Ara〜Ariの炭素数は、高移動度になりやすい点では多い方が好ましいが、本発明に係る特定有機化合物の析出等による半導体の結晶化不良が発生し難い点では少ない方が好ましい。そこで、具体的には、Ara〜Ariの炭素数は、置換基を有する場合はこれも含め、4以上であるのが好ましく、6以上であるのが更に好ましく、また、一方、50以下であるのが好ましく、30以下であるのが更に好ましい。なお、ここで、炭素数4及び5の場合は、各々ヘテロ原子を2個及び1個有する複素環基である場合を言う。
本発明に係る特定有機化合物の沸点は、有機半導体材料の前駆体を半導体材料に変換させるときに蒸発して半導体特性に影響を与える可能性が低いことから、半導体前駆体の変換温度以上であるのが好ましい。具体的には、1気圧において、200℃以上であることが好ましい。また、沸点は、1気圧において350℃以下であることが好ましい。また、後述のように、半導体前駆体の変換温度は、1気圧で80℃以上が好ましいことから、Ra〜Rkがアルキル基である場合の炭素数は、置換基を有する場合はこれも含め5以上であるのが好ましく、7以上であるのが更に好ましく、9以上であるのが特に好ましい。また、一方、Ra〜Rkの炭素数は、半導体層の形成時に、球状構造になり半導体の結晶化を阻害してしまう危険性が低い点では、少ない方が好ましい。そこで、具体的には、Ra〜Rkの炭素数は、置換基を有する場合はこれも含め50以下であるのが好ましく、30以下であるのが更に好ましい。
ることが更に好ましく、30重量部以下であることが特に好ましい。なお、本発明に係る特定有機化合物は、1種でも2種以上を任意の組合せと比率で用いてもよい。2種以上の特定有機化合物を用いる場合の好ましい使用量は、その合計量で考える。
本発明に係る有機半導体層は、湿式法で成膜しても、乾式法で成膜して良いが、高価な設備を用いずに大面積のデバイスを低エネルギーで製造し易いことから湿式法で成膜するのが好ましい。湿式法で成膜する場合は、通常、本発明に係る有機電子デバイス用組成物に上述の有機半導体化合物と特定有機化合物の他に更に有機溶媒を含有させる。有機溶媒については、上述の半導体の前駆体又は有機半導体と特定有機化合物を溶解させられれば特に制限は無い。有機溶媒の選択は、半導体の前駆体又は有機半導体と特定有機化合物に対する溶解度及び湿式塗布法の種類に応じて、その沸点や粘度等の観点から選択される。
本発明に係る有機電子デバイス用組成物には、本発明の優れた効果を大幅に妨げなければ、有機半導体化合物、特定有機化合物、有機溶媒以外のその他の成分が含まれていても良い。このようなその他成分としては、例えば、ドーパント、界面活性剤、脱酸素剤、脱水剤、高分子、金属粒子及び無機粒子等が挙げられる。
本発明に係る有機電子デバイス用組成物に含まれる有機半導体化合物と特定有機化合物の合計濃度は、特に限定はない。具体的には、発明に係る有機電子デバイス用組成物に含まれる有機半導体化合物と特定有機化合物の合計濃度は、0.01重量%以上であることが好ましく、0.1重量%以上であるのが更に好ましく、また、一方、50重量%以下であることが好ましく、30重量%以下であるのが更に好ましい。
本発明に係る有機電子デバイス用組成物は、上述の発明に係る有機電子デバイス用組成物の各構成成分を混合することにより得ることができる。混合方法は、本発明の有機電子デバイス用組成物の各構成成分を混合できれば特に制限は無いが、本発明に係る有機半導体層を湿式法で成膜する場合は、通常、有機溶媒に本発明に係る有機電子デバイス用組成物の他の構成成分を溶解させる。また、本発明に係る有機半導体層を乾式法で成膜する場合は、本発明に係る有機電子デバイス用組成物のうち、有機溶媒以外の各構成成分のターゲットからなるターゲットを作製すればよい。
(成膜方法)
本発明に係る有機半導体層は、本発明の有機電子デバイス用組成物を基板上に成膜することにより得ることができる。本発明に係る有機半導体層の成膜方法は、湿式法でも乾式法でも良い。湿式法としては、塗布法などが挙げられる。また、乾式法としては、真空蒸着法などが挙げられる。これらのうち、大面積のデバイスを低コストで低エネルギーに製造することができることから湿式法が好ましい。また、湿式法で半導体層を成膜すると、真空蒸着法で成膜した場合に比べ、半導体の結晶化に対する下地の影響が小さ
くなり(絶縁膜上とソース電極及びドレイン電極上における結晶成長の違いが小さくなり)、特に、ソース電極及びドレイン電極をテーパー形状とした場合に、ソース電極及びドレイン電極とゲート絶縁膜間に跨った結晶成長が促進され、電極の先端部と有機半導体層との間に空隙が生じ難く点でも好ましい。
凸版印刷法、凹版印刷法、グラビアオフセット印刷法等の方法が挙げられる。
具体的には、(a)有機半導体を含有する液を塗布した後、乾燥させ有機半導体層とする方法と、(b)有機半導体の前駆体を含有する液を塗布した後、半導体に変換して有機半導体層とする方法に大別される。(a)の方法においては、溶媒の乾燥と共に結晶化が生じるため、有機溶媒の乾燥条件等により結晶成長が変化しやすい。これに対し、(b)の方法は、前駆体の状態で塗布してから半導体に変換させると共に結晶化させるため、一定の結晶化条件で結晶化させやすく、均一な結晶膜を得やすいため、好ましい。
前駆体の状態で塗布する場合、前駆体の化学構造を加熱又は光照射等により変化させることにより、半導体に変換させる。加熱により変換させる場合は、通常1気圧で80℃以上に加熱する。また、光照射により変換させる場合は、例えば、半導体材料又はその下地材料に吸収がある波長のレーザーを照射してもよい。
本発明に係る有機半導体層は、上述のように、本発明の有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより形成させることができる。また、特に、ビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を基板上に塗布した後、該ビシクロベンゾポルフィリン化合物を逆ディールス・アルダー反応によりベンゾポルフィリン化合物に変化させることにより作製した膜が好ましい。即ち、本発明に係る有機半導体層は、アヌレン構造を有する有機化合物として、ビシクロベンゾポルフィリン化合物又はベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより形成されるベンゾポルフィリン化合物を含有する層が好ましく、アヌレン構造を有する有機化合物として、ビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより形成されるベンゾポルフィリン化合物を含有する層が特に好ましい。
そして、本発明の有機電子デバイス用組成物を用いると、電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層を得ることが可能となり、これを用いることにより、On/Off比が高い有機電子デバイスを得ることができると考えられる。本発明に係る特定構造の有機半導体材料と特定有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いることにより、このような優れた効果が得られる理由については、以下のように推定される。
化合物が結晶粒界に作用し、トラップや不純物イオンの稼動を抑制することで、Vth、ΔVth、ヒステリシスを抑制することも考えられる。
発明における有機半導体層の移動度は、測定対象の有機電子デバイスの出力特性を「Agilent4155c半導体パラメータアナライザー」を用いて測定することによって求めることができる。具体的には、測定対象の有機電子デバイスの出力特性を「Agilent4155c半導体パラメータアナライザー」を用いて測定する。測定時の雰囲気は、乾燥窒素とし、ドレイン電圧は−30V、ゲート電圧は、+10V〜−30Vとする。そして、得られた伝達特性から、以下の式を用いて、
そして、本発明の有機電子デバイスでは、通常1.5cm2/V・s以上、好ましくは2.0cm2/V・s以上、更に好ましくは2.5cm2/V・s以上の移動度とすることが可能である。特に、本発明の有機電子デバイスは、移動度を1cm2/V・s以上にできることから、有機ELディスプレイの薄膜トランジスタに適用するのが好ましい。なお、移動度は、高ければ高いほど好ましい。なお、本発明において、チャンネル長とは、ソース電極とドレイン電極との間の最短距離を言う。
本発明において、On/Off比は、Vg=−30VおよびVg=+10Vにおけるドレイン電流の比とする。
[有機電子デバイス]
本発明の有機電子デバイスは、上述の本発明の有機電子デバイスの作製方法により得ることができる有機電子デバイスである。本発明の有機電子デバイスは、通常、基板上に、アヌレン構造を有する有機化合物、及び上述の特定有機化合物を含有する有機半導体層を有する。そして、本発明の有機電子デバイスにおける有機半導体層は、通常、上述の本発明の有機電子デバイス用組成物を湿式成膜させることにより形成される。また、特に、この有機半導体層を形成させる工程が、ビシクロベンゾポルフィリン化合物を有機半導体の前駆体として含有する有機電子デバイス用組成物を基板上に塗布した後、該ビシクロベンゾポルフィリン化合物を逆ディールス・アルダー反応によりベンゾポルフィリン化合物に変化させることにより形成するのが好ましい。
[電界効果トランジスタ]
本発明の電界効果トランジスタは、本発明に係る有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する。また、通常、更に基板を有する。本発明の電界効果トランジスタは、少なくとも有機半導体層、ゲート絶縁体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有するものが好ましい。
図1に、A〜Dとして、電界効果トランジスタ素子のいくつかの構造例を示す。Aがボトムコンタクト・ボトムゲート型、Bがトップコンタクト・ボトムゲート型、Cがボトムコンタクト・トップゲート型、Dがトップコンタクト・トップゲート型であり、その他にも、ソース・ドレイン電極の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型もある。各図中、1が有機半導体層、2がゲート絶縁体層、3及び4がソース電極及びドレイン電極、5がゲート電極、6が基板である。尚、各層や電極の配置は、素子の用途により適宜選択できる。基板と並行方向に電流が流れるので、横型FETと呼ばれる。
(基板)
基板としては、ガラス、石英等の無機材料;ポリイミド膜、ポリエステル膜、ポリエチレン膜、ポリフェニレンスルフィド膜、ポリパラキシレン膜等の絶縁性プラスチック及び無機材料、金属・合金板、絶縁性プラスチックを組み合わせたハイブリッド材料等の基板が使用可能である。また、導電性n型シリコンウェハー等よりなる基板をゲート電極としてもよい。
ゲート電極としては、導電性n型Siウェハーのほか、Au、Ta、Al、Cu、Cr、Mo、W、Ti、Ag、Pd等の金属膜、これらの金属の合金膜、これらの金属又は合金の積層膜、これらの金属又は合金のナノパーティクルを含有するペーストなどが挙げられるが、これに限定されない。また、ポリアニリン、ポリピロール、PEDOT及びPSSのような導電性高分子であっても良い。ゲート電極を薄膜にて構成する場合、その膜厚
は、1nm以上が好ましく、50nm以上が更に好ましく、また、一方、1000nm以下が好ましく、500nm以下が更に好ましい。
ゲート電極で生じた電圧のリークを防ぐことについては、ゲート絶縁膜を設けるのが好ましい。ゲート絶縁膜を設ける場合、具体的には、アクリル、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリシスセスキオキサン、ポリシラザン、パーヒドロポリシラザン、エポキシ、ポリカーボネート等の絶縁ポリマーを塗布及び焼成して形成した膜のほか、CVDやスパッター法によって形成したSiO2やSiNx、SiOxNy、酸化アルミニウム、酸化タンタル、パリレンの膜等が挙げられる。また、ゲート電極にタンタルやアルミニウム等を用いている場合は、ゲート電極にUV処理、オゾン処理、陽極酸化処理等の処理を施すことにより、ゲート電極表面に形成される酸化タンタルや酸化アルミニウム等の膜をゲート絶縁膜としてもよい。また、シリコン基板の表面を酸素雰囲気下で加熱することによって熱酸化膜を形成したものを用いてもよいし、ゲート絶縁膜の表面を、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)やOTS(オクチルトリクロロシラン)、ODTS(オクタデシルトリクロロシラン)等のシランカップリング剤によって表面処理したものを用いてもよい。
ソース電極及びドレイン電極は、Mg、Ti、V、Cr、Mg、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Ta、W、Au、Pt等の金属およびこれらの金属の合金や酸化物などを用いることができる。カーボン電極を用いても良いし、また、ITO、IZO、IWZO、IGZOなどの透明電極を用いても良い。ソース電極及びドレイン電極として、金属酸化物を用いる場合は、金属に、空気中や酸素雰囲気下において、加熱処理、UV・オゾン処理又はO2プラズマ処理等を施すことにより、その表面に酸化物層を形成させることにより作製しても良い。
ソース電極及びドレイン電極の膜厚は、断線が起こり難く、配線抵抗が低い点では厚い方が好ましいが、生産速度やコストの点では薄い方が好ましい。具体的には、1nm以上であるのが好ましく、50nm以上であるのが更に好ましく、また、一方、1000nm以下であるのが好ましく、500nm以下であるのが更に好ましい。ソース電極とドレイン電極の組成及び膜厚は、同一であっても異なっていても構わないが、形成の容易さの点では、同一とするのが好ましい。
本発明の電界効果トランジスタは、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、電子タグ、光・圧力センサー等に利用可能である。また、本発明の有機電子デバイスは、有機エレクトロニクスデバイスおよび有機光電変換デバイス等にも応用可能である。具体的には、例えば、有機EL素子における発光層および電荷輸送層に対して適用することが出来る。また、有機薄膜太陽電池のp層、i層、n層及び電荷輸送層等にも適用
することができる。
得られた電界効果トランジスタの移動度とOn/Off比を「Agilent4155c半導体パラメータアナライザー」を用いて、上述の方法により3回測定した。この結果、移動度は、3.0cm2/V・s、3.2cm2/V・s、3.3cm2/V・sであり、最大3.3cm2/V・sであった。また、On/Off比は、Vg=−30VおよびVg=+10Vにおけるドレイン電流の比で、1.0×107、1.1×107及び1.1×107であった。
実施例1において、上記式(XVI)の左側に示すビシクロ構造を有するポルフィリン誘導体(0.7重量%)とフェニルステアレート(0.011重量%)のTHF溶液の代わりに、上記式(XVI)の左側に示すビシクロ構造を有するポルフィリン誘導体(0.7重量%)のTHF溶液をスピンコートした以外は、実施例1と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。
以上の結果から、本発明の有機電子デバイス用組成物を用いることにより、移動度の高い有機半導体層を得ることができることができることがわかった。特に、移動度が2cm2/V・s以上と非常に高く、ON/Off比にも優れることから、有機ELディスプレイの薄膜トランジスタに要求される性能を満たすことが期待される。
上記式(XVI)の左側に示すビシクロ構造を有するポルフィリン誘導体(0.7重量%)とフェニルステアレート(0.011重量%)のTHF溶液の代わりに、上記式(XVI)の左側に示すビシクロ構造を有するポルフィリン誘導体(0.7重量%)とステアラニリド(0.010重量%)のTHF溶液のスピンコートを行い、チャンネル長を6.8μmにした以外は、実施例1と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。
%)と4−オクチルフェニルサリシレート(東京化成工業株式会社製)(0.0091重量%)のTHF溶液をスピンコートした以外は、実施例2と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。
[比較例2]
以上の結果から、本発明の有機電子デバイス用組成物を用いることにより、移動度の高い有機半導体層を得ることができることがわかった。
2 ゲート絶縁体層
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 ゲート電極
6 基板
Claims (9)
- ベンゾポルフィリン化合物又はビシクロベンゾポルフィリン化合物である有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有することを特徴とする有機電子デバイス用組成物。
- 前記芳香環基と前記アルキル基が結合している有機化合物が、下記一般式(I)若しくは(II)で表されるカルボン酸エステル化合物、下記一般式(III)若しくは(IV)で
表されるカルボン酸アミド化合物、下記一般式(V)で表されるケトン化合物、下記一般式(VI)若しくは(VII)で表されるフェニルエステル化合物であることを特徴とする、請求項1に記載の有機電子デバイス用組成物。
炭素数1〜50のアルキル基を示し、Rd及びRfは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜50のアルキル基を示し、Ara〜Ariは置換基を有していてもよい炭素数4〜50の芳香環基を示す。〕 - 前記芳香環基と前記アルキル基が結合している有機化合物の1気圧における沸点が200℃以上であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機電子デバイス用組成物。
- 更に溶媒を含む請求項1乃至3の何れか1項に記載の有機電子デバイス用組成物。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより有機半導体層を形成させる工程を有することを特徴とする有機電子デバイスの作製方法。
- 請求項5に記載の有機電子デバイスの作製方法であって、前記有機電子デバイス用組成物が前記アヌレン構造を有する有機化合物としてビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有し、前記有機半導体層を形成させる工程が、前記ビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を基板上に塗布した後、前記ビシクロベンゾポルフィリン化合物を逆ディールス・アルダー反応によりベンゾポルフィリン化合物に変化させる工程を含むことを特徴とする有機電子デバイスの作製方法。
- 基板上に、ベンゾポルフィリン化合物又はビシクロベンゾポルフィリン化合物である有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有する有機半導体層を有することを特徴とする有機電子デバイス。
- 請求項7に記載の有機電子デバイスが、少なくとも有機半導体層、ゲート絶縁体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有する電界効果トランジスタである有機電子デバイス。
- チャンネル長が20μm以下であることを特徴とする、請求項8に記載の有機電子デ
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