JP5948507B2 - プラズマ処置システム - Google Patents

Description

本発明は、処置部に設けられる第１の電極部と第２の電極部との間に導電性溶液の灌流層を通して高周波電流が流れることにより、灌流層にプラズマを発生させ、発生したプラズマを用いて処置対象を処置するプラズマ処置システムに関する。

特許文献１には、第１の電極部（アクティブ電極）及び第２の電極部（リターン電極）がプローブの処置部に設けられた処置具を備えるプラズマ処置システムが、開示されている。このプラズマ処置システムでは、第１の電極部は、第２の電極部に対して相対位置が変化しない状態で設けられている。また、処置具には、処置部が先端方向に向かって突出する状態でプローブが挿通されるシースが、設けられている。シースとプローブとの間には、供給経路が形成され、シースの先端に供給経路の噴出口が形成されている。また、プローブの内部には吸引経路が形成され、処置部の先端面に吸引経路の吸引口が形成されている。処置においては、供給経路を通して導電性溶液（生理食塩水）が供給され、吸引経路を通して供給された導電性溶液が吸引される。これにより、処置において、処置対象と処置部との間に、供給経路の噴出口から吸引経路の吸引口へ向かう導電性溶液の灌流層が形成される。

第１の電極部及び第２の電極部が灌流層に浸った状態で第１の電極部及び第２の電極部に高周波エネルギー（高周波電力）が伝達されることにより、灌流層において第１の電極部と第２の電極部との間に、高周波電流が流れる。第１の電極部と第２の電極部との間の電圧を大きくすると、導電性溶液の灌流層に高周波電流が流れることにより、灌流層の第１の電極部と第２の電極部との間に蒸気層が形成される。そして、蒸気層においてブレイクダウンが起こり、導電性溶液の灌流層においてプラズマが発生する。処置においては、発生したプラズマによって、生体組織等の処置対象が蒸散する（ablated）。このような処置を、低温アブレーション処置（low-temperature ablation treatment）といい、例えば、扁桃腺（tonsil）の切除に用いられる。なお、第１の電極部及び第２の電極部に伝達される高周波エネルギーの制御等は、プラズマ処置制御ユニットによって行われる。

特開２０１１−４５７５６号公報

前記特許文献１のように、導電性溶液の灌流層に高周波電流を流すことにより、灌流層においてプラズマを発生させ、プラズマを用いて処置対象を蒸散させる処置では、灌流層での導電性溶液の温度によって、プラズマの発生状態が変化する。前記特許文献１では、高周波電流によって灌流層での導電性溶液の温度は上昇するが、噴出口から噴出される前において、導電性溶液の温度は、調整されない。このため、灌流層において、導電性溶液が処置に適切な温度にならない場合がある。この場合、灌流層で適切にプラズマが発生せず、プラズマ処置（低温アブレーション処置）における処置性能が低下してしまう。

本発明は前記課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、２つの電極部（第１の電極部及び第２の電極部）が浸る灌流層において、処置に適切な温度に導電性溶液が調整されるプラズマ処置システムを提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明のある態様のプラズマ処置システムは、導電性溶液を噴出する噴出口が形成され、前記導電性溶液を前記噴出口に向かって供給する供給経路と、前記導電性溶液を吸引する吸引口が形成され、前記導電性溶液を吸引することにより、前記噴出口から前記吸引口に向かう前記導電性溶液の灌流層を形成する吸引経路と、第１の電極部と、前記第１の電極部に対する相対位置が変化しない状態で設けられる第２の電極部と、を備え、前記灌流層に浸った状態の前記第１の電極部及び前記第２の電極部に高周波エネルギーが伝達されることにより、前記灌流層においてプラズマを発生させて処置対象を処置する処置部と、前記第１の電極部及び前記第２の電極部に伝達される前記高周波エネルギーを出力可能な高周波エネルギー源と、前記噴出口から噴出される前において前記導電性溶液の温度を調整する温度調整ユニットと、前記処置部に固定され、前記第１の電極部と前記第２の電極部が前記灌流層に浸った状態において前記灌流層に浸る位置に位置し、前記灌流層に浸った状態において前記灌流層の温度を検知する温度検知部と、前記温度検知部での検知結果に基づいて、前記灌流層の前記温度が目標の温度範囲になる状態に、前記温度調整ユニットでの前記導電性溶液の前記温度の調整を制御するとともに、前記供給経路を通して供給される前記導電性溶液の供給量及び前記吸引経路を通して吸引される前記導電性溶液の吸引量を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記高周波エネルギー源から前記高周波エネルギーを出力させるエネルギー操作の入力を検出した際に、前記灌流層の温度の前記検知結果に基づいて、前記高周波エネルギー源からの前記高周波エネルギーの出力の有無又は前記高周波エネルギーの出力状態を制御する。

本発明によれば、２つの電極部が浸る灌流層において、処置に適切な温度に導電性溶液が調整されるプラズマ処置システムを提供することができる。

第１の実施形態に係るプラズマ処置システムを示す概略図である。 第１の実施形態に係るシースの先端部及びプローブの処置部の構成を概略的に示す斜視図である。 第１の実施形態に係る処置部の近傍の処置時の状態を示す概略図である。 第１の実施形態に係るプラズマ処置制御ユニットの処置における処理を示すフローチャートである。 図４の灌流層の灌流液体量を調整する処理を示すフローチャートである。 図４の灌流層の温度を調整する処理を示すフローチャートである。 ある変形例に係るプラズマ処置システムを示す概略図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１乃至図６を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係るプラズマ処置システム１を示す図である。このプラズマ処置システム１は、プラズマを発生させ、このプラズマによって処置対象である生体組織を蒸散させる処置に用いられる。プラズマを利用した生体組織の切除により、切除組織周辺への熱損傷は比較的小さくなり、低侵襲な処置が実現される。プラズマ処置システム１は、例えば耳鼻咽喉科分野において、扁桃組織の切除術などに用いられる。また、このプラズマ処置システム１は、例えば、整形外科分野において滑膜の切除、軟骨の切除などに用いても良いし、開腹手術全般において臓器（特に肝臓）の切除などに用いても良い。

図１に示すように、プラズマ処置システム１は、処置具（プラズマ処置具）２を備える。この処置具２は、長手軸Ｃを有する。ここで、長手軸Ｃに平行な２方向の一方を先端方向（図１の矢印Ｃ１の方向）とし、先端方向とは反対方向を基端方向（図１の矢印Ｃ２）の方向とする。プラズマ処置システム１は、エネルギー生成器等のエネルギー源ユニット３と、フットスイッチ等のエネルギー操作入力部５と、を備える。また、プラズマ処置システム１には、供給源（送液源）６及び吸引源７が、設けられている。そして、プラズマ処置システム１には、温調ヒータ等の温度調整ユニット８が設けられている。

供給源６は、生理食塩水バッグ等の液体バッグ１１と、供給ポンプ（送液ポンプ）１２と、を備える。液体バッグ１１には、生理食塩水等の導電性溶液が充填されている。供給源６には、供給経路（送液経路）１３の一端が接続されている。処置具２の外部では、例えば外付けの供給チューブ（図示しない）等によって、供給経路１３が形成されている。供給ポンプ１２を作動することにより、液体バッグ１１に充填された導電性溶液（液体）が、供給経路１３を通して供給される（送液される）。

吸引源７は、排液タンク１６と、吸引ポンプ１７と、を備える。吸引源７には、吸引経路１８の一端が接続されている。処置具２の外部では、例えば外付けの吸引チューブ（図示しない）等によって吸引経路１８が、形成されている。吸引ポンプ１７を作動することにより、排液等の吸引物が、吸引経路１８を通して吸引され、排液タンク１６に回収される。

処置具（プラズマ処置具）２は、術者によって保持される保持ケース（保持部）２１と、保持ケース２１の先端方向側に連結されるシース２２と、シース２２に挿通されるプローブ２３と、を備える。プローブ２３及びシース２２は、先端方向側から保持ケース２１の内部に挿入されている。プローブ２３の先端部には、処置部２５が形成されている。処置部２５は、シース２２の先端から先端方向へ向かって突出している。保持ケース２１には、ケーブル２６の一端が着脱可能に接続されている。ケーブル２６の他端は、エネルギー源ユニット３に接続されている。

図２は、シース２２の先端部及びプローブ２３の処置部２５の構成を示す図である。図２に示すように、処置部２５は、シース２２から先端方向へ向かって突出し、外部に対して露出している。処置部２５は、プローブ２３の先端を形成する先端面２７と、処置部２５の外周を形成する外周面２８と、を備える。

図１に示すように、保持ケース２１には、供給ポート（送液ポート）３１が形成されている。供給経路１３は、供給ポート３１から保持ケース２１の内部に挿入される。そして、本実施形態では、プローブ２３とシース２２との間の空間を通って、供給経路１３が延設されている。処置具２においては、例えば、プローブ２３とシース２２との間に延設される供給チューブ（図示しない）によって、供給経路１３が形成されている。供給経路１３は、供給ポート３１において、分離可能である。図２に示すように、処置部２５には、供給経路１３の噴出口３２が形成されている。本実施形態では、噴出口３２は、シース２２とプローブ２３との間の空間の先端に位置し、先端方向へ向かって開口している。供給経路１３を通して供給された導電性溶液は、噴出口３２から先端方向へ向かって、処置具２の外部（シース２２の外部）へ噴出される。

図１に示すように、保持ケース２１には、吸引ポート３３が形成されている。吸引経路１８は、吸引ポート３３から保持ケース２１の内部に挿入される。そして、本実施形態では、プローブ２３の内部を通って、吸引経路１８が延設されている。処置具２においては、例えば、プローブ２３の内部に延設される吸引チューブ（図示しない）によって、吸引経路１８が形成されている。吸引経路１８は、吸引ポート３３において分離可能である。図２に示すように、処置部２５には、吸引経路１８の吸引口３５が形成されている。本実施形態では、吸引口３５は、処置部２５の先端面２７に位置し、先端方向へ向かって開口している。噴出口３２から噴出された導電性溶液等が、吸引物として、吸引口３５から吸引される。そして、吸引物は、処置具２の外部から吸引口３５及び吸引経路１８を通して吸引され、排液タンク１６に回収される。

本実施形態では、ケーブル２６が、処置具２の保持ケース２１に着脱可能である。また、保持ケース２１の供給ポート３１において供給経路１３が分離可能であり、保持ケース２１の吸引ポート３３において吸引経路１８が分離可能である。このため、処置具２の使用後において、処置具２を、エネルギー源ユニット３（ケーブル２６）、エネルギー操作入力部５、供給源６及び吸引源７から分離可能となる。これにより、処置具２のみを廃棄し、処置具２以外の機器（エネルギー源ユニット３、エネルギー操作入力部５等）を再利用することが可能となる。

エネルギー源ユニット３は、高周波エネルギー（高周波電力）を出力可能な高周波エネルギー源４１を備える。高周波エネルギー源４１は、例えば、エネルギー生成器に設けられる電源（交流電源）であり、高周波電流（Radio Frequency current）の波形が例えば正弦波、三角波となる高周波電力が出力される。高周波エネルギー源４１には、第１の外部高周波経路４２Ａの一端及び第２の外部高周波経路４２Ｂの一端が接続されている。第１の外部高周波経路４２Ａ及び第２の外部高周波経路４２Ｂは、ケーブル２６の内部を通って延設されている。第１の外部高周波経路４２Ａ及び第２の外部高周波経路４２Ｂは、例えばケーブル２６の内部に延設される電気配線（図示しない）によって形成されている。第１の外部高周波経路４２Ａ及び第２の外部高周波経路４２Ｂは、互いに対して電気的に絶縁されている。

処置具２の保持ケース２１には、第１の接続端子４３Ａ及び第２の接続端子４３Ｂが設けられている。第１の接続端子４３Ａ及び第２の接続端子４３Ｂは、互いに対して電気的に絶縁されている。第１の接続端子４３Ａには、第１の内部高周波経路４５Ａの一端（基端）が接続され、第２の接続端子４３Ｂには、第２の内部高周波経路４５Ｂの一端（基端）が接続されている。第１の内部高周波経路４５Ａ及び第２の内部高周波経路４５Ｂは、処置具２を通って延設され、互いに対して電気的に絶縁されている。第１の内部高周波経路４５Ａは、例えばプローブ２３の内部に延設される電気配線（図示しない）、プローブ２３の導電部（図示しない）等によって形成されている。また、第２の内部高周波経路４５Ｂは、例えばプローブ２３とシース２２との間の空間に延設される電気配線（図示しない）、シース２２の導電部（図示しない）等によって形成されている。ケーブル２６が保持ケース２１に接続されることにより、第１の接続端子４３Ａにおいて第１の外部高周波経路４２Ａが第１の内部高周波経路４５Ａに電気的に接続され、第２の接続端子４３Ｂにおいて第２の外部高周波経路４２Ｂが第２の内部高周波経路４５Ｂに電気的に接続される。

図２に示すように、処置部２５の先端面２７には、本実施形態では２つの第１の電極部（アクティブ電極）４６Ａ，４６Ｂが固定されている。第１の電極部４６Ａ，４６Ｂは導電材料から形成され、本実施形態では、吸引経路１８の吸引口３５の外周側に位置している。第１の電極部４６Ａ，４６Ｂは長手軸回りについて、互いに離間して配置されている。図１に示すように、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂには、第１の内部高周波経路４５Ａの他端（先端）が接続されている。高周波エネルギー源４１から第１の外部高周波経路４２Ａ及び第１の内部高周波経路４５Ａを通して高周波エネルギーが伝達されることにより、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂは電極として機能する。

図２に示すように、処置部２５の外周面２８には、本実施形態では１つの第２の電極部（リターン電極）４７が固定されている。第２の電極部４７は、導電材料から形成され、本実施形態では、長手軸回りについて外周面２８の全周に渡って延設されている。また、第２の電極部４７は、シース２２の先端（噴出口３２）より先端方向側に位置している。ここで、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７は、処置部２５に固定されている。このため、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７は、互いに対して相対位置が変化しない状態で、処置部２５に設けられる。また、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７は、供給経路１３の噴出口３２と吸引経路１８の吸引口３５との間に位置している。図１に示すように、第２の電極部４７には、第２の内部高周波経路４５Ｂの他端（先端）が接続されている。高周波エネルギー源４１から第２の外部高周波経路４２Ｂ及び第２の内部高周波経路４５Ｂを通して高周波エネルギーが伝達されることにより、第２の電極部４７は、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂとは別の電極として機能する。すなわち、第２の電極部４７は、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂとは電位の異なる電極として機能する。

エネルギー源ユニット３は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等を含む処理ユニット（プロセッサ）５０と、メモリ等の記憶部５１と、を備える。処理ユニット５０は、高周波エネルギー源４１及び記憶部５１に電気的に接続され、処理ユニット５０は、高周波エネルギー源４１へ制御信号等を伝達可能である。処理ユニット５０は、制御部５２と、目標設定部５３と、演算処理部５５と、を備える。制御部５２、目標設定部５３及び演算処理部５５は、例えばＣＰＵ又はＡＳＩＣを形成する電子回路の一部（制御回路、演算回路等）である。また、制御部５２、目標設定部５３及び演算処理部５５は、互いに対して電気的に接続され、互いに対して電気信号等を伝達し合うことが可能である。なお、本実施形態では、処理ユニット５０及び記憶部５１は、高周波エネルギー源４１と一体に設けられているが、ある変形例では、処理ユニット５０及び記憶部５１は、高周波エネルギー源４１とは別体で設けられてもよい。また、記憶部５１、制御部５２、目標設定部５３及び演算処理部５５での処理については、詳細に後述する。

フットスイッチ等のエネルギー操作入力部５では、高周波エネルギー源４１から高周波エネルギーを出力させるエネルギー操作が入力される。エネルギー操作の入力に基づいて、有線又は無線によって、エネルギー操作入力部５から操作信号が制御部５２に伝達される。制御部５２は、操作信号（エネルギー操作の入力）に基づいて、高周波エネルギー源４１からの高周波エネルギーの出力状態を制御する。また、高周波エネルギー源４１からの高周波エネルギーの電流値、電圧値等の出力状態は、検知され、検知された電流値等の情報は、処理ユニット５０の制御部５２に、伝達される。エネルギー操作入力部５には、例えば、第１の入力スイッチ５６Ａ及び第２の入力スイッチ５６Ｂが、設けられている。第１の入力スイッチ５６Ａが閉じられることにより、生体組織等の処置対象を蒸散させる処置で用いられる蒸散（ablation）出力モードで、高周波エネルギー源４１から高周波エネルギーが出力される。また、第２の入力スイッチ５６Ｂが閉じられることにより、処置対象を凝固させる処置で用いられる凝固（coagulation）出力モードで、高周波エネルギー源４１から高周波エネルギーが出力される。一般的に、蒸散出力モードでは、凝固出力モードに比べて、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部５７との間の電圧は、大きくなる。

なお、ある実施例では、エネルギー操作入力部５にエネルギーレベル調整部（図示しない）を設け、蒸散出力モード及び凝固出力モードのそれぞれにおいて、高周波エネルギー源４１から出力される高周波エネルギーのエネルギーレベルを術者が調整可能としてもよい。また、処置具２にＩＤ（個別識別番号）を格納するメモリ（図示しない）を設け、ケーブル２６が保持ケース２１に接続されることにより、処理ユニット５０の制御部５２が接続された処置具２のＩＤを読取る構成にしてもよい。この構成では、記憶部５１には、互いに対して仕様（アクティブ電極及びリターン電極の寸法、位置及び形状、供給経路の寸法等）が異なる複数の種類の処置具２のＩＤ情報、及び、それぞれのＩＤに対応する高周波エネルギーのエネルギーレベルの情報が、記憶されている。そして、読取られたＩＤ及び記憶部５１に記憶された情報に基づいて、蒸散出力モード及び凝固出力モードのそれぞれでの、高周波エネルギー源４１から出力される高周波エネルギーのエネルギーレベルが自動的に設定される。

また、処理ユニット５０の制御部５２は、有線又は無線によって、供給源６の供給ポンプ１２及び吸引源７の吸引ポンプ１７に制御信号を伝達可能であり、供給ポンプ１２の作動状態及び吸引ポンプ１７の作動状態を制御可能である。供給ポンプ１２の作動状態の変化に対応して、供給源６からの導電性溶液の供給量（送液量）が変化する。また、吸引ポンプ１７の作動状態の変化に対応して、吸引源７による吸引物（導電性溶液）の吸引量が変化する。供給経路１３には、供給量検知部（送液量検知部）５７が配置されている。本実施形態では、供給量検知部５７は、処置具２の外部に位置している。供給量検知部５７は、例えば周知の流量センサの１つであり、供給源６から供給される導電性溶液（生理食塩水）の供給量を検知する。そして、供給量の検知結果を示す検知信号を、有線又は無線によって、制御部５２に伝達可能である。制御部５２は、供給量検出部５７での検知結果に基づいて、供給ポンプ１２の作動状態を制御している。なお、供給量検知部５７は、供給源６に設けられてもよく、小型のものであれば、供給経路１３において処置具２の内部に設けられてもよい。すなわち、噴出口３２から噴出される前において、供給量が検知されればよい。

吸引源７の排液タンク１６には、吸引量検知部５８が取付けられている。吸引量検知部５８は、例えば周知の液面センサ、水位センサの１つであり、吸引源７によって吸引される導電性溶液（吸引物）の吸引量を検知する。そして、吸引量の検知結果を示す検知信号を、有線又は無線によって、制御部５２に伝達可能である。制御部５２は、吸引量検知部５８での検知結果に基づいて、吸引ポンプ１７の作動状態を制御している。なお、吸引量検知部５８として、周知の流量センサを用いてもよく、この場合、吸引量検知部５８は、吸引経路１８に設けられる。また、小型のものであれば、吸引量検知部５８は、吸引経路１８において処置具２の内部に設けられてもよい。すなわち、吸引口３５から吸引された後において、導電性溶液の吸引量が検知されればよい。

前述したように、処理ユニット５０の制御部５２が接続された処置具２のＩＤを読取る構成にしてもよい。この場合、記憶部５１に、供給ポンプ１２の作動特性の情報、吸引ポンプ１７の作動特性の情報、互いに対して仕様が異なる複数の種類の処置具２のＩＤ情報、それぞれのＩＤに対応する供給源６からの供給量の情報、及び、それぞれのＩＤに対応する吸引源７による吸引量の情報が、記憶されている。そして、読取られたＩＤ及び記憶部５１に記憶された情報に基づいて、蒸散出力モード及び凝固出力モードのそれぞれにおいて、供給ポンプ１２の作動状態及び吸引ポンプ１７の作動状態が制御部５２によって制御され、供給源６からの供給量及び吸引源７による吸引量が調整される。

図２に示すように、処置部２５の先端面２７には、温度検知部６１が固定されている。温度検知部６１は、例えば熱電対等の温度センサである。本実施形態では、第１の電極部（アクティブ電極）４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部（リターン電極）４７との間に、温度検知部６１が位置している。また、本実施形態では、温度検知部６１から第１の電極部（４６Ａ及び４６Ｂの中で温度検知部６１から近い一方）までの第１の距離Ｌ１は、温度検知部６１から第２の電極部４７までの第２の距離Ｌ２より小さい。したがって、温度検知部６１は、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂの近傍に位置している。なお、本実施形態では、エネルギー源ユニット３（処理ユニット５０を含む）、供給量検知部５７、吸引量検知部５８及び温度検知部６１によって、プラズマ処置（低温アブレーション処置）においてプラズマ処置システム１を制御するプラズマ処置制御ユニットが、構成されている。

図１に示すように、温度検知部６１には、信号経路６２の一端が接続されている。信号経路６２は、処置具２の内部（プローブ２３の内部）及びケーブル２６の内部を通って延設され、他端が処理ユニット５０の制御部５２に接続されている。信号経路６２は、例えば、プローブ２３の内部に延設される信号線及びケーブル２６の内部に延設される信号線によって形成されている。信号経路６２は、ケーブル２６の保持ケース２１への接続位置で分離可能である。温度検知部６１での検知結果を示す検知信号は、信号経路６２を介して制御部５２に伝達される。

処理ユニット５０の制御部５２は、有線又は無線によって、温度調整ユニット８に制御信号を伝達可能であり、温度調整ユニット８の発熱状態等の作動状態を制御可能である。本実施形態では、温度調整ユニット８は、作動されることにより、供給源６において導電性溶液を加熱又は冷却し、導電性溶液を温度調整している。制御部５２は、温度検知部６１での検知結果に基づいて、温度調整ユニット８の作動状態を制御し、供給源６において導電性溶液の温度を調整している。温度調整ユニット８の作動状態の変化に対応して、温度調整ユニット８の近傍での導電性溶液の温度が変化する。すなわち、制御部５２は、温度検知部６２での検知結果に基づいて、温度調整ユニット８での導電性溶液の温度の調整を制御している。なお、温度調整ユニット８は、供給経路１３において導電性溶液の温度調整を行ってもよく、小型のものであれば、処置具２の内部において供給経路１３の導電性溶液の温度調整を行ってもよい。すなわち、噴出口３２から噴出される前において、温度調整ユニット８によって導電性溶液の温度が調整されればよい。処置における温度検知部６１での温度の検知、及び、制御部５２による温度調整ユニット８の作動状態の制御については、詳細に後述する。

図３は、処置（例えば、処置対象Ｔを蒸散させる処置）における処置部２５の近傍の状態を示す図である。なお、図３に示される処置は、低温アブレーション処置（law-temperature ablation treatment）といい、例えば、扁桃腺（tonsil）の切除に用いられる。図３に示すように、生体組織等の処置対象Ｔを蒸散させる処置においては、処置部２５の先端面２７を処置対象Ｔの表面Ｔ１に対向させる。処置部２５（先端面２７）は、処置対象Ｔと直接的に接触せず、処置対象Ｔから離間している。先端面２７が処置対象Ｔの表面Ｔ１に対向しているため、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂは、第２の電極部４７より処置対象Ｔの近くに位置している。このため、処置おいては、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂが、処置対象Ｔに対して主に作用する電極となる。

処置においては、供給ポンプ１２及び吸引ポンプ１７が作動され、供給源６から供給経路１３を通して導電性溶液が供給される。そして、処置部２５の噴出口３２から処置対象Ｔの表面Ｔ１に向かって、供給された導電性溶液が噴出される。また、吸引源７によって、噴出口３２から噴出された導電性溶液が吸引される。処置部２５の外部の導電性溶液は、吸引口３５から吸引経路１８を通して吸引され、排液タンク１６に回収される。前述のように供給源６による導電性溶液の供給、及び、吸引源７による導電性溶液の吸引が行われることにより、処置部２５と処置対象Ｔの表面Ｔ１との間に、導電性溶液の灌流層Ｈが形成される。灌流層Ｈでは、噴出口３２から吸引口３５へ向かう導電性溶液の流れ（図３の矢印Ｂ１）が、形成される。

処置においては、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸す。第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７は、噴出口３２と吸引口３５との間に位置するため、容易に灌流層Ｈに浸される位置に位置している。第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸った状態で第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７に高周波エネルギー（高周波電力）が伝達されることにより、灌流層Ｈにおいて第１の電極部４６Ａと第２の電極部４６Ｂとの間に、高周波電流が流れる。蒸散出力モードで高周波エネルギーが出力された場合、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間の電圧（電位差）が大きくなる。第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間の電圧が大きくなることにより、導電性溶液の灌流層Ｈに高周波電流が流れ、灌流層Ｈの第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間に蒸気層が形成される。そして、蒸気層においてブレイクダウンが起こり、導電性溶液の灌流層Ｈにおいてプラズマが発生する。すなわち、灌流層Ｈにおいて、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間で高周波電流が流れる領域に、プラズマ層Ｑが形成される。発生したプラズマによって、生体組織等の処置対象が蒸散する（ablated）低温アブレーション処置が行われる。

なお、処置部２５における噴出口３２、吸引口３５、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２電極部４７のそれぞれの位置、数、寸法、形状は、図２及び図３の構成に限るものではない。例えば、ある実施例では、供給経路１３がプローブ２３の内部を通って延設され、処置部２５の先端面２７に噴出口３２が設けられ、吸引経路１８がプローブ２３とシース２２との間を通って延設され、シース２２とプローブ２３との間の空間の先端に吸引口が設けられる。また、別のある実施例では、供給経路１３及び吸引経路１８の両方がプローブ２３の内部を通って延設され、噴出口３２が処置部２５の外周面２８に位置し、吸引口３５が処置部２５の先端面２７に位置する。さらに、別のある変形例では、第１の電極部（４６Ａ，４６Ｂ）及び第２の電極部（４７）の両方が、処置部２５の先端面２７に固定されている。以上から、噴出口３２と吸引口３５との間に挟まれる状態で、処置部２５において、第１の電極部（４６Ａ，４６Ｂ）及び第２の電極部（４７）が配置され、噴出口３２から吸引口３５に向かう流れが形成される導電性溶液の灌流層Ｈに浸ることが可能な位置に、第１の電極部（４６Ａ，４６Ｂ）及び第２の電極部（４７）が位置すればよい。

また、本実施形態では、供給経路１３及び吸引経路１８は、処置具２の内部を通過するが、これに限るものではない。例えば、送水経路１３及び吸引経路１８の少なくとも一方が、処置具２とは別体で設けられてもよい。ただし、この場合も、第１の電極部（４６Ａ，４６Ｂ）、第２の電極部（４７）及び温度検知部６１は、処置部２５に固定され、灌流層Ｈに浸る位置に位置している。

また、灌流層Ｈの灌流液体量（液体量）は、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸る程度の多さ（大きさ）であればよく、灌流液体量が過度に大きくならないことが好ましい。これにより、噴出口３２から噴出された導電性溶液が、吸引口３５から吸引されずに、体内の処置対象Ｔ以外の部位（例えば気管支）に流入することが、有効に防止される。これにより、処置に用いられる導電性溶液及び処置で発生した血液の処置対象Ｔ以外の部位への流入に起因する合併症の発生が、有効に防止される。ここで、灌流層Ｈの灌流液体量が最大になる場合でも、例えばシース２２は灌流層Ｈに浸っていない。

また、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂの灌流層Ｈに浸った表面積より、第２の電極部４７の灌流層Ｈに浸った表面積が大きくなることが、好ましい。これにより、灌流層Ｈにおいて、第２の電極部４７の近傍での高周波電流の電流密度が、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂの近傍に比べて、低くなり、第２の電極部４７の近傍での灌流層Ｈの温度が、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂの近傍に比べて、低くなる。したがって、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂの近傍で、プラズマが発生し易くなり、処置対象Ｔに近い第１の電極部４６Ａ，４６Ｂが処置対象Ｔへの影響が大きいアクティブ電極として適切に作用する。すなわち、処置対象Ｔから遠い第２の電極部４７がアクティブ電極として機能することが有効に防止され、灌流層Ｈにおいて処置に適切なプラズマ層Ｑが形成される。

プラズマによって蒸散された処置対象Ｔは、灌流層Ｈの導電性溶液と一緒に、吸引口３５から吸引経路１８を通して吸引される。なお、プラズマによって処置対象Ｔを蒸散させるメカニズムについては、現段階では、明らかにされていない。現段階では、プラズマ層Ｑで生成されるＯＨラジカルが、処置対象Ｔを蒸散させる１つの要因として、考えられている。また、灌流層Ｈにおいてプラズマを発生させるために必要な高周波エネルギーのエネルギーレベル（第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間の電圧、灌流層に流れる高周波電流の電流値）は、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７の構造（形状、位置、電極間距離等）によって、変化する。したがって、記憶部５１に、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７の構造に関する情報、及び、プラズマを発生させるために必要な高周波エネルギーのエネルギーレベルの情報が記憶され、制御部５２は、記憶された情報に基づいて、高周波エネルギーの出力状態を制御してもよい。

図４は、処置（主に、処置対象Ｔを蒸散させる処置）における、プラズマ処置制御ユニット（エネルギー源ユニット３及び温度検知部６１を含む）での処理を示すフローチャートである。処置においては、処置部２５の先端面２７が処置対象Ｔに対向する状態で、エネルギー操作入力部５において、エネルギー操作が入力される。エネルギー操作の入力によって、例えば第１の入力スイッチ５６Ａが閉じられる。これにより、図４に示すように、制御部５２に操作信号が入力され、制御部５２によってエネルギー操作の入力が検出される（ステップＳ１０１−Ｙｅｓ）。そして、エネルギー操作の入力に基づいて、制御部５２は、高周波エネルギー源４１から出力される高周波エネルギー（高周波電力）のエネルギーレベルを設定する（ステップＳ１０２）。ここで、設定されるエネルギーレベルは、処置に用いられる処置具２の仕様（第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７の位置、寸法、形状等）に基づいて、決定される。また、蒸散出力モードでは、凝固出力モードに比べて、エネルギーレベルが高く設定される。設定されるエネルギーレベルに関する情報は、記憶部５１に記憶されてもよい。

そして、制御部５２からの制御信号に基づいて、供給ポンプ１２が作動され、吸引ポンプ１７が作動される。これにより、供給源６からの導電性溶液の供給及び吸引源７による吸引が開始される（ステップＳ１０３）。制御部５２は、例えば、記憶部５１に記憶された供給ポンプ１２の作動特性及び吸引ポンプ１７の作動特性に基づいて、供給ポンプ１２の作動状態及び吸引ポンプ１７の作動状態を制御している。供給源６による供給及び吸引源７による吸引が開始されることにより、前述のように、処置部２５の先端面２７と処置対象Ｔとの間に、導電性溶液の灌流層Ｈが形成される。

そして、灌流層Ｈの液体量である灌流液体量の調整処理が行われる（ステップＳ１０４）。また、灌流層Ｈの温度の調整処理も行われる（ステップ１０５）。低温アブレーション処置では、灌流層Ｈの灌流液体量及び灌流層Ｈでの導電性溶液の温度によって、プラズマの発生状態が変化する。すなわち、高周波エネルギーの出力状態が変化しない場合でも、灌流層Ｈの灌流液体量又は温度の変化に対応して、プラズマの発生が変化する。このため、灌流層Ｈの灌流液体量及び温度を適切な範囲（値）に調整することにより、灌流層Ｈにおい適切にプラズマを発生させることが重要となる。

図５は、灌流層Ｈの灌流液体量を調整する処理を示すフローチャートである。図５に示すように、灌流液体量を調整する処理では、まず、目標設定部５３によって、灌流液体量の目標となる液体量範囲（液体量値）が設定される（ステップＳ１２１）。目標となる液体量範囲は、例えば、処置において適切なプラズマが発生する液体量範囲である。目標となる液体量範囲は、例えば、処置具２の仕様（第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７の形状、大きさ等）に基づいて、設定される。また、高周波エネルギーの出力の有無に基づいて目標となる液体量範囲が設定されてもよく、高周波エネルギーが出力されている場合は、高周波エネルギーの出力状態（例えばステップＳ１０２で設定されたエネルギーレベル）に基づいて、目標となる液体量範囲を設定してもよい。この場合、記憶部５１には、処置具２の仕様と目標となる液体量範囲との関係、高周波エネルギーの出力状態と目標となる液体量範囲との関係を示すテーブル等が予め記憶されている。また、目標となる液体量範囲は、処置に適した液体量範囲であるため、液体量範囲内において最小となる場合でも、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸っている状態に、液体量範囲が設定される。また、液体量範囲内において最大となる場合でも、体内の処置対象Ｔ以外の部位への導電性溶液の流入が防止される灌流液体量であり、例えば、シース２２は灌流層Ｈに浸っていない。

そして、供給量検知部５７によって供給源６からの導電性溶液の供給量が検知されるとともに、吸引量検知部５８によって吸引源７によって吸引される導電性溶液（蒸散した処置対象Ｔも含む）の吸引量が検知される（ステップＳ１２２）。そして、供給量を示す検知信号及び吸引量を示す検知信号が制御部５２に伝達される。そして、演算処理部５５が、供給量の検知結果及び吸引量の検知結果に基づいて、灌流層Ｈでの灌流液体量が算出される（ステップＳ１２３）。灌流液体量を算出は、例えば、記憶部５１に記憶された計算プログラムを用いて行われる。

そして、制御部５２によって、灌流層Ｈの灌流液体量がステップＳ１２１で設定された目標の液体量範囲になったかが、判定される（ステップＳ１２４）。ステップＳ１２３で算出された灌流層Ｈの灌流液体量が目標の液体量範囲になっている場合は（ステップＳ１２４−Ｙｅｓ）、灌流液体量が維持される状態に、制御部５２によって供給ポンプ１２及び吸引ポンプ１７が制御される。一方、灌流層Ｈの灌流液体量が目標の液体量範囲でない場合は（ステップＳ１２４−Ｎｏ）、供給ポンプ１２によって供給源６からの供給量が調整されるとともに（ステップＳ１２５）、吸引ポンプ１７によって吸引源７への吸引量が調整される（ステップＳ１２６）。この際、制御部５２は、供給量の検知結果、吸引量の検知結果及び灌流液体量の算出結果に基づいて、供給ポンプ１２の作動状態及び吸引ポンプ１７の作動状態を制御している。供給量の調整及び吸引量の調整は、灌流液体量がステップＳ１２１で設定された目標の液体量範囲になる状態に、行われる。例えば、灌流液体量が目標の液体量範囲より小さい場合には、制御部５２が供給ポンプ１２の作動状態を制御することにより、供給量を増加させ、制御部５２が吸引ポンプ１７の作動状態を制御することにより、吸引量を減少させる。

図６は、灌流層Ｈの温度を調整する処理を示すフローチャートである。図６に示すように、灌流層の温度を調整する処理では、まず、目標設定部５３によって、灌流層の目標となる温度範囲（温度）が設定される（ステップＳ１３１）。目標となる温度範囲は、例えば、処置において適切なプラズマが発生する温度範囲である。目標となる温度範囲は、例えば、処置具２の仕様、高周波エネルギーの出力の有無等に基づいて、設定される。また、高周波エネルギーが出力されている場合は、高周波エネルギーの出力状態（例えばステップＳ１０２で設定されたエネルギーレベル）に基づいて、目標となる温度範囲を設定してもよい。この場合、記憶部５１には、処置具２の仕様と目標となる温度範囲との関係、高周波エネルギーの出力状態と目標となる温度範囲との関係を示すテーブル等が記憶されている。また、ステップＳ１２３で算出された灌流層Ｈの灌流液体量に基づいて、目標となる温度範囲が設定されてもよい。なお、一般的に、低温アブレーション処置では、灌流層Ｈの温度は、４５℃〜９０℃になり、６０℃〜７０℃であることが好ましい。したがって、目標となる温度範囲における最小値は、４５℃以上であり、６０℃以上であることが好ましい。また、目標となる温度範囲における最大値は、９０℃以下であり、７０℃以下であることが好ましい。

そして、温度検知部６１によって、灌流層Ｈの温度が検知される（ステップＳ１３２）。図３に示すように、温度検知部６１は、噴出口３２と吸引口３５との間に配置され、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸った状態において、灌流層Ｈに浸る位置に位置している。このため、低温アブレーション処置において処置対象Ｔと処置部２５との間に形成される灌流層Ｈの温度が、適切に検知される。なお、本実施形態では、温度検知部６１は、処置部２５の先端面２７に固定されているが、これに限るものではない。例えば、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸った状態において、灌流層Ｈに浸る位置に位置することを条件に、処置部２５の外周面２８に配置されてもよい。すなわち、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸った状態において、灌流層Ｈに浸る位置であれば、温度検知部６１位置は、限定されない。

また、本実施形態では、温度検知部６１は、第１の電極部（アクティブ電極）４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部（リターン電極）４７との間に、温度検知部６１が位置している。すなわち、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７が灌流層Ｈに浸った状態において、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間の灌流層Ｈに高周波電流が流れる領域に、位置している。このため、低温アブレーション処置において、処置対象Ｔに作用するプラズマ層Ｑが発生する領域の温度が、温度検知部６１によって検知される。また、本実施形態では、温度検知部６１から第１の電極部（４６Ａ及び４６Ｂの中で温度検知部６１から近い一方）までの第１の距離Ｌ１は、温度検知部６１から第２の電極部４７までの第２の距離Ｌ２より小さい。このため、温度検知部６１は、低温アブレーション処置において、処置対象Ｔへの影響が大きい第１の電極部（アクティブ電極）４６Ａ，４６Ｂの近傍に位置している。したがって、灌流層Ｈにおいて処置対象Ｔへの影響の大きい領域の温度が、温度検知部６１によって検知される。

灌流層Ｈの温度が検知されると（ステップＳ１３２）、温度調整ユニット８の作動状態（すなわち、温度調整ユニット８による導電性溶液の温度の調整状態）と灌流層Ｈの温度との関係が、演算処理部５５によって算出される（ステップＳ１３３）。例えば、温度調整ユニット８での発熱状態又は冷却状態の変化に対する灌流層Ｈの温度の変化が、算出される。温度調整ユニット８の作動状態と灌流層Ｈの温度との関係は、供給源６からの供給量、供給速度（送液速度）、供給経路１３の長さ（寸法）、温度調整ユニット８の位置等に対応して、変化する。このため、例えば、ステップＳ１２２で検知された供給量に基づいて供給源６からの供給速度を算出し、検知された供給量及び算出された供給速度に基づいて、温度調整ユニット８の作動状態と灌流層Ｈの温度との関係を計算してもよい。また、例えば、供給経路１３の長さの情報及び供給ポンプ１２の仕様等が記憶部５１に記憶され、記憶された情報に基づいて、温度調整ユニット８の作動状態と灌流層Ｈの温度との関係を計算してもよい。

そして、制御部５２によって、灌流層Ｈの温度がステップＳ１３１で設定された目標の温度範囲になったかが、判定される（ステップＳ１３４）。ステップＳ１３２で検知された灌流層Ｈの温度が目標の温度範囲になっている場合は（ステップＳ１３４−Ｙｅｓ）、灌流層Ｈの温度が維持される状態に、制御部５２によって温度調整ユニット８が制御される。一方、灌流層Ｈの温度が目標の温度範囲でない場合は（ステップＳ１３４−Ｎｏ）、制御部５２によって、灌流層Ｈの温度の検知結果に基づいて、温度調整ユニット８の作動状態（発熱状態等）を制御する（ステップＳ１３５）。温度調整ユニット８の作動状態の制御は、ステップＳ１３３で算出された温度調整ユニット８の作動状態と灌流層Ｈの温度との関係を用いて、行われる。これにより、温度調整ユニット８での発熱量等が調整される。なお、温度調整ユニット８によって、導電性溶液の加熱に加えて冷却も行われる場合は、温度調整ユニット８の作動状態を制御することにより、温度調整ユニット８の発熱量に加えて冷却量も調整可能である。温度調整ユニット８の作動状態の制御（すなわち、噴出口３２より前での導電性溶液の温度の調整）は、灌流層Ｈの温度がステップＳ１３１で設定された目標の温度範囲になる状態に、行われる。例えば、灌流層Ｈの温度が目標の温度範囲より低い場合には、温度調整ユニット８の作動状態を制御することにより、温度調整ユニット８での発熱量を増加させる。

また、図６に示すように、制御部５２は、灌流層Ｈの温度の検知結果に基づいて、温度調整ユニット８に加えて、供給ポンプ１２の作動状態を制御し、吸引ポンプ１７の作動状態を制御される。これにより、供給経路１３を通して供給される導電性溶液の供給量（供給速度）が調整され（ステップＳ１３６）、吸引経路１８を通して吸引される導電性溶液（蒸散された処置対象も含む）の吸引量（吸引速度）が調整される（ステップＳ１３７）。供給量及び吸引量が制御されることにより、灌流層Ｈの温度が調整される。この際、供給量及び吸引量が調整されることにより、灌流層Ｈの灌流液体量は、変化してもよく、変化しなくてもよい。なお、本実施形態では、ステップＳ１０４で灌流層Ｈの灌流液体量が目標の液体量範囲に調整されるため、ステップＳ１３６、Ｓ１３７において灌流層Ｈの灌流液体量が変化しないことが、好ましい。供給量及び吸引量の調整は、灌流層Ｈの温度がステップＳ１３１で設定された目標の温度範囲になる状態に、行われる。例えば、灌流層Ｈの温度が目標の温度範囲より高く、かつ、温度調整ユニット８の近傍で灌流層Ｈより導電性溶液の温度が低い場合には、供給源６からの供給量（供給速度）及び吸引源７への吸引量（吸引速度）を増加させる。これにより、温度の低い導電性溶液が迅速に灌流層Ｈに供給され、灌流層Ｈの温度が低下する。この際、供給量及び吸引量の両方が増加させることにより、灌流層Ｈの灌流液体量を変化させることなく、灌流層Ｈの温度を変化させることが可能となる。

灌流液体量の調整処理（ステップＳ１０４）及び灌流層Ｈの温度の調整処理（ステップ１０５）が行われると、ステップＳ１０２で設定されたエネルギーレベルで、高周波エネルギー源４１から高周波エネルギーの出力が開始される（ステップＳ１０６）。灌流層Ｈの灌流液体量及び温度は、ステップＳ１０４、Ｓ１０５によって、低温アブレーション処置において適切な範囲に設定される。このため、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂ及び第２の電極部４７に出力された高周波エネルギーが伝達されることにより、前述のように灌流層Ｈにおいてプラズマが適切に発生する。

また、エネルギー源ユニット３では、目標の温度範囲より高い値となる閾値が、制御部５２によって設定されるか、又は、記憶部５１に記憶されている。高周波エネルギーが出力されると、温度検知部６１によって灌流層Ｈの温度が検知され、制御部５２によって、検知された灌流層Ｈの温度が、閾値以上であるかが判定される（ステップＳ１０７）。灌流層Ｈの温度が閾値以上である場合（ステップＳ１０７−Ｙｅｓ）、高周波エネルギー源４１からの高周波エネルギーの出力停止される（ステップＳ１１１）。なお、灌流層Ｈの温度が閾値以上の場合に蒸散出力モードのエネルギーレベルで高周波エネルギーが出力されると、例えば処置対象及び処置対象以外の生体組織が熱損傷する可能性がある。

処置を続行する場合は（ステップＳ１０８−Ｎｏ）、灌流液体量の調整処理（ステップＳ１０４）及び灌流層Ｈの温度の調整処理（ステップ１０５）が行われ、ステップＳ１０６において高周波エネルギーの出力が維持される。そして、ステップＳ１０７の判定が行われる。すなわち、蒸散出力モードのエネルギーレベルで高周波エネルギーが出力されている状態においても、灌流液体量の調整処理（ステップＳ１０４）及び灌流層Ｈの温度の調整処理（ステップ１０５）が行われ、ステップＳ１０７の判定が行われる。灌流層Ｈの温度が閾値以上である場合（ステップＳ１０７−Ｙｅｓ）、前述したように、高周波エネルギーの出力が停止される（ステップＳ１１１）。すなわち、ステップＳ１１１では、灌流液体量の算出結果及び灌流層Ｈの温度の検知結果に基づいて、高周波エネルギー源４１からの高周波エネルギーの出力の有無及び高周波エネルギーの出力状態が、制御部５２によって制御される。

なお、ステップＳ１１１では、高周波エネルギーの出力を停止する代わりに、設定されたエネルギーレベルより低いエネルギーレベルで、高周波エネルギーを出力してもよい。この場合、低いエネルギーレベルで高周波エネルギーが出力されるため、第１の電極部４６Ａ，４６Ｂと第２の電極部４７との間の電圧も低くなり、灌流層Ｈの灌流液体量及び温度に関係なく灌流層Ｈにおいてプラズマが発生しない。また、ステップＳ１０７の灌流層Ｈの温度が閾値以上であるか否かの判定は、高周波エネルギーの出力が停止された状態で行われてもよい。この場合、灌流層Ｈの温度が閾値以上であると、高周波エネルギーの出力停止が維持される。また、ある実施例では、灌流層Ｈの温度の調整処理（スッテプＳ１０５）のみが行われ、灌流層Ｈの灌流液体量の調整処理（ステップＳ１０４）が行われなくてもよい。また、図４乃至図６に示す処理を行うプログラムが、記憶部５１に記憶されていてもよい。

前述した本実施形態では、検知された供給量及び吸引量から灌流層Ｈの灌流液体量を算出し、灌流層Ｈの灌流液体量が目標の液体量範囲となるように、供給量及び吸引量が調整される。このため、目標の液体量範囲を処置に適切な液体量範囲に設定することにより、低温アブレーション処置において、灌流層Ｈで適切にプラズマを発生させ、処置性能が確保される。

また、本実施形態では、温度検知部６１によって灌流層Ｈの温度を検知し、灌流層Ｈの温度の検知結果に基づいて、灌流層Ｈの温度が目標の温度範囲となるように、温度調整ユニット８の作動状態（発熱状態、冷却状態等）を制御している。このため、目標の温度範囲を処置に適切な温度範囲に設定することにより、低温アブレーション処置において、灌流層Ｈで適切にプラズマを発生させ、処置性能が確保される。

（変形例）
図７に示すように、ある変形例では、吸引経路１８にｐＨ検知部６５が設けられている。本変形例では、処置具２の外部にｐＨ検知部が位置している。ｐＨ検知部６５は、例えば、吸引経路１８において導電性溶液（蒸散した処置対象を含む）に電流を流すことにより導電性溶液のｐＨを検知するｐＨセンサである。導電性溶液のｐＨの検知結果に基づく検知信号は、有線又は無線によって、制御部５２に伝達される。また、本変形例では、エネルギー源ユニット３（処理ユニット５０を含む）、供給量検知部５７、吸引量検知部５８及び温度検知部６１に加えてｐＨ検知部６５によって、プラズマ処置（低温アブレーション処置）においてプラズマ処置システム１を制御するプラズマ処置制御ユニットが、構成されている。

なお、ｐＨ検知部６５は、吸引源７に設けられてもよく、小型のものであれば、吸引経路１８において処置具２の内部に設けられてもよい。すなわち、吸引口３５から吸引された後において、導電性溶液のｐＨがｐＨ検知部６５によって検知されればよい。

供給経路１３の噴出口３２から噴出される前では、導電性溶液のｐＨは、所定の範囲内になる。例えば、導電性溶液が生理食塩水の場合は、ｐＨは４．５〜７．０の範囲内になる。低温アブレーション処置によって導電性溶液に蒸散した処置対象が含まれることにより、導電性溶液のｐＨが変化し、ｐＨが所定の範囲内でなくなる。したがって、吸引口３５から吸引された後において導電性溶液のｐＨを検知することにより、処置対象Ｔが適切に蒸散しているか否か、すなわち、灌流層Ｈにおいて適切にプラズマが発生しているか否かを判断可能となる。なお、検知される導電性溶液のｐＨは、処置対象の含有の有無、処置対象の種類、処置対象の含有量等によって、変化する。

本変形例では、制御部５２は、温度検知部６１での灌流層Ｈの温度の検知結果に加えてｐＨ検知部６５でのｐＨの検知結果に基づいて、温度調整ユニット８の作動状態を制御し、灌流層Ｈの温度を調整している。また、温度検知部６１での検知結果に加えてｐＨ検知部６５での検知結果に基づいて、供給源６からの供給量及び吸引源７への吸引量が調整され、灌流層Ｈの灌流液体量が調整されてもよい。なお、灌流液体量の調整及び灌流層Ｈの温度の調整は、第１の実施形態と同様にしておこなわれる。

前述の実施形態等のプラズマ処置制御ユニット及びプラズマ処置システム（１）では、灌流層（Ｈ）の温度を検知する温度検知部（６１）は、処置部（２５）に固定され、第１の電極部（４６Ａ，４６Ｂ）と第２の電極部（４７）が灌流層（Ｈ）に浸った状態において灌流層（Ｈ）に浸る位置に位置している。そして、温度検知部（６１）での検知結果に基づいて、灌流層（Ｈ）の温度が目標の温度範囲になる状態に、制御部（５２）が温度調整ユニット（８）での温度の調整を制御し、導電性溶液の供給量及び吸引量を制御している。

以上、本発明の実施形態等について説明したが、本発明は前述の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形ができることは勿論である。

以下、特徴的な事項について付記する。
記
（付記項１）
第１の電極部と、前記第１の電極部に対する相対位置が変化しない状態で設けられる第２の電極部と、を備える処置部が設けられ、供給経路の噴出口から噴出された導電性溶液を吸引経路の吸引口から吸引することにより、前記噴出口から前記吸引口に向かう前記導電性溶液の灌流層が形成され、前記噴出口から噴出される前において温度調整ユニットによって前記導電性溶液の温度が調整され、前記第１の電極部及び前記第２の電極部が前記灌流層に浸った状態で前記第１の電極部及び前記第２の電極部に高周波エネルギーが伝達されることにより、前記灌流層においてプラズマを発生させ、前記プラズマを用いて処置対象を処置するプラズマ処置システムに設けられるプラズマ処置制御ユニットであって、
前記処置部に固定され、前記第１の電極部と前記第２の電極部が前記灌流層に浸った状態において前記灌流層に浸る位置に位置し、前記灌流層の温度を検知する温度検知部と、
前記温度検知部での検知結果に基づいて、前記灌流層の前記温度が目標の温度範囲になる状態に、前記温度調整ユニットの作動状態を制御するとともに、前記供給経路を通して供給される前記導電性溶液の供給量及び前記吸引経路を通して吸引される前記導電性溶液の吸引量を制御する制御部と、
を具備するプラズマ処置制御ユニット。

（付記項２）
請求項１のプラズマ処置制御ユニットと、
前記温度検知部が固定される前記処置部を備える処置具と、
前記噴出口から噴出される前において前記導電性溶液の温度を調整する温度調整ユニットと、
を具備するプラズマ処置システム。

Claims (12)

1. 導電性溶液を噴出する噴出口が形成され、前記導電性溶液を前記噴出口に向かって供給する供給経路と、
   前記導電性溶液を吸引する吸引口が形成され、前記導電性溶液を吸引することにより、前記噴出口から前記吸引口に向かう前記導電性溶液の灌流層を形成する吸引経路と、
   第１の電極部と、前記第１の電極部に対する相対位置が変化しない状態で設けられる第２の電極部と、を備え、前記灌流層に浸った状態の前記第１の電極部及び前記第２の電極部に高周波エネルギーが伝達されることにより、前記灌流層においてプラズマを発生させて処置対象を処置する処置部と、
   前記第１の電極部及び前記第２の電極部に伝達される前記高周波エネルギーを出力可能な高周波エネルギー源と、
   前記噴出口から噴出される前において前記導電性溶液の温度を調整する温度調整ユニットと、
   前記処置部に固定され、前記第１の電極部と前記第２の電極部が前記灌流層に浸った状態において前記灌流層に浸る位置に位置し、前記灌流層に浸った状態において前記灌流層の温度を検知する温度検知部と、
   前記温度検知部での検知結果に基づいて、前記灌流層の前記温度が目標の温度範囲になる状態に、前記温度調整ユニットでの前記導電性溶液の前記温度の調整を制御するとともに、前記供給経路を通して供給される前記導電性溶液の供給量及び前記吸引経路を通して吸引される前記導電性溶液の吸引量を制御する制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、前記高周波エネルギー源から前記高周波エネルギーを出力させるエネルギー操作の入力を検出した際に、前記灌流層の温度の前記検知結果に基づいて、前記高周波エネルギー源からの前記高周波エネルギーの出力の有無又は前記高周波エネルギーの出力状態を制御する、プラズマ処置システム。
2. 前記灌流層の目標となる前記温度範囲を設定する目標設定部をさらに具備する、請求項１のプラズマ処置システム。
3. 前記目標設定部は、前記高周波エネルギー源からの前記高周波エネルギーの出力の有無又は前記高周波エネルギーの出力状態に基づいて、前記目標の前記温度範囲を設定する、
   請求項２のプラズマ処置システム。
4. 前記供給経路を通して供給される前記導電性溶液の前記供給量を検知する供給量検知部と、
   前記噴出口から噴出された前記導電性溶液の前記吸引経路を通しての前記吸引量を検知する吸引量検知部と、
   前記供給量検知部での検知結果及び前記吸引量検知部での検知結果に基づいて、前記灌流層における前記導電性溶液の灌流液体量を算出する演算処理部と、
   をさらに具備し、
   前記目標設定部は、算出された前記灌流液体量に基づいて、前記目標の前記温度範囲を設定する、
   請求項２のプラズマ処置システム。
5. 前記制御部は、算出された前記灌流液体量に基づいて、前記供給経路を通しての前記供給量又は前記吸引経路を通しての前記吸引量を調整する、請求項４のプラズマ処置システム。
6. 前記制御部は、前記目標の前記温度範囲より高い値の閾値を設定し、検知された前記灌流層の前記温度が前記閾値以上になる場合に、前記高周波エネルギー源からの前記高周波エネルギーの出力を停止する、請求項１のプラズマ処置システム。
7. 前記制御部は、前記導電性溶液の前記供給量及び前記吸引量を制御することにより、前記灌流層の灌流液体量を変化させることなく、前記灌流層における前記導電性溶液の前記温度を調整する、請求項１のプラズマ処置システム。
8. 前記温度調整ユニットの作動状態と前記灌流層の前記温度との関係を算出する演算処理部をさらに具備し、
   前記制御部は、前記演算処理部によって算出された前記作動状態と前記温度との前記関係に基づいて、前記温度調整ユニットでの前記温度の前記調整を制御する、
   請求項１のプラズマ処置システム。
9. 前記供給経路を通しての前記導電性溶液の前記供給量を検知する供給量検知部をさらに具備し、
   前記演算処理部は、前記供給量検知部での検知結果に基づいて、前記温度調整ユニットの前記作動状態と前記灌流層の前記温度との前記関係を算出する、
   請求項８のプラズマ処置システム。
10. 前記温度検知部は、前記第１の電極部と前記第２の電極部が前記灌流層に浸った状態において、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間の前記灌流層に高周波電流が流れる領域で、前記処置部に固定される、請求項１のプラズマ処置システム。
11. 前記第１の電極部は、前記第１の電極部と前記第２の電極部が前記灌流層に浸った状態において、前記第２の電極部より前記処置対象の近くに位置し、
    前記温度検知部から前記第１の電極部までの第１の距離は、前記温度検知部から前記第２の電極部までの第２の距離に比べて、小さい、
    請求項１０のプラズマ処置システム。
12. 前記吸引口から吸引された後において、前記導電性溶液のＰＨを検知するＰＨ検知部をさらに具備し、
    前記制御部は、前記温度検知部での前記検知結果に加えて前記ＰＨ検知部での検知結果に基づいて、前記温度調整ユニットでの前記温度の前記調整を制御するとともに、前記導電性溶液の前記供給量及び前記吸引量を制御する、
    請求項１のプラズマ処置制御ユニット。

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