JP5946311B2 - LED module - Google Patents

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茂久 渡辺
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秀和 荒井
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Description

本発明は、複数のLED素子とともに他の電子部品を回路基板に実装したLEDモジュールに関する。   The present invention relates to an LED module in which other electronic components are mounted on a circuit board together with a plurality of LED elements.

LED素子を使った照明器具が普及してきている。このような中で電気スタンドやランプなどの照明器具の設計手番を短くするためには光源部をモジュール化すると良い。例えば特許文献1の図2には、複数のLEDチップ(LED素子)とともに駆動回路を同一の回路基板に実装したLEDモジュールが示されている。   Lighting fixtures using LED elements have become widespread. In such a situation, the light source unit may be modularized in order to shorten the design time of lighting fixtures such as desk lamps and lamps. For example, FIG. 2 of Patent Document 1 shows an LED module in which a drive circuit is mounted on the same circuit board together with a plurality of LED chips (LED elements).

特許文献1の図2を図6に再掲示する。図6はIEC規格の口金(GX53型)を使用するLEDランプの断面図である。LEDモジュールは、回路基板2、ドライバー回路4、LED3(LED素子)からなり、回路基板2の上面にドライバー回路4が実装され、回路基板2の下面にLED3が実装されている。そしてこのLEDモジュールは口金1のハウジングにはめ込まれ、発光面カバーケース5で抑えられる。薄型化が要請されるときはLED3をCOB(チップオンボード)とすれば良い。なおCOBは、ベアチップ状態のLED(以下特に断らない限りLEDダイとよぶ)を回路基板2に直接的に実装するものである。   FIG. 2 of Patent Document 1 is shown again in FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of an LED lamp using an IEC standard base (GX53 type). The LED module includes a circuit board 2, a driver circuit 4, and an LED 3 (LED element). The driver circuit 4 is mounted on the upper surface of the circuit board 2, and the LED 3 is mounted on the lower surface of the circuit board 2. This LED module is fitted into the housing of the base 1 and is held down by the light emitting surface cover case 5. When thinning is required, the LED 3 may be a COB (chip on board). The COB is a device in which a bare chip LED (hereinafter referred to as an LED die unless otherwise specified) is directly mounted on the circuit board 2.

特開2007−157690号公報 (図2)JP 2007-157690 A (FIG. 2)

図6に示したLEDモジュールは、回路基板2の一方の面に駆動回路4を配置し、他方の面にLED3を配置することにより駆動回路4とLED3を一体化していた。さらに特許文献1はLED3をCOBとすることで薄型化が図れることを示唆していた。しかしながら回路基板の一方の面だけにLEDダイとドライバー回路を配置できれば、よりいっそうの薄型化が図れる。この場合、実装できる領域が狭くなるのでドライバー回路も小さくしておかなければないが、例えばドライバー回路を抵抗1個からなるようなものにしてまっては電源電圧変動に対して安定した動作を保証できなくなるように、単純化を進めると充分な性能が得られないことがある。   In the LED module shown in FIG. 6, the drive circuit 4 and the LED 3 are integrated by disposing the drive circuit 4 on one surface of the circuit board 2 and the LED 3 on the other surface. Further, Patent Document 1 suggests that the LED 3 can be made thinner by using COB. However, if the LED die and the driver circuit can be arranged only on one surface of the circuit board, the thickness can be further reduced. In this case, since the mountable area becomes narrow, the driver circuit must also be made small. For example, if the driver circuit is made up of one resistor, stable operation is guaranteed against fluctuations in the power supply voltage. If the simplification is advanced so that it cannot be performed, sufficient performance may not be obtained.

そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、複数のLED素子とともに他の電子部品を回路基板に実装したLEDモジュールにおいて、ドライバー回路が小型でありながら利便性が高く充分な性能を備えさらに製造し易いLEDモジュールを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and in an LED module in which other electronic components are mounted on a circuit board together with a plurality of LED elements, the driver circuit is small and convenient and has sufficient performance. An object of the present invention is to provide an LED module that is easy to manufacture.

本発明のLEDモジュールは、回路基板上に複数のLED素子と前記LED素子を駆動するドライバー回路を実装したLEDモジュールにおいて、
記LED素子は直列接続して複数の部分LED列を形成し、さらに前記部分LED列直列接続してLED列を形成し、
前記ドライバー回路、ブリッジ整流回路と、前記部分LED列同士の接続部に接続するバイパス回路と、前記LED列の端部に接続する電流制限回路を含み、
前記LED素子を実装する領域は前記ドライバー回路を実装する領域の周囲に配置され、
前記ブリッジ回路は4個のダイオードからなり、
前記ダイオード同士を接続する配線の内側の領域に交流接続端子を備え、
前記ダイオード同士を接続する配線の外側の領域に前記ブリッジ回路以外のドライバー回路と前記LED列が配置される
ことを特徴とする。
前記バイパス回路は、第1電流入力端子と第2電流入力端子と電流出力端子を備え、前記第1電流入力端子が前記部分LED列の接続部に接続し、前記第2電流入力端子から入力する電流により前記第1電流入力端子から入力する電流が制限されても良い。
The LED module of the present invention is an LED module in which a plurality of LED elements and a driver circuit for driving the LED elements are mounted on a circuit board.
Before SL LED element forms a plurality of partial LED strings connected in series, further said portion LED string to form a LED strings connected in series,
The driver circuit includes a bridge rectifier circuit , a bypass circuit connected to a connection part between the partial LED strings, and a current limiting circuit connected to an end part of the LED string ,
The area for mounting the LED element is arranged around the area for mounting the driver circuit,
The bridge circuit consists of four diodes,
An AC connection terminal is provided in a region inside the wiring connecting the diodes,
The driver circuit other than the bridge circuit and the LED array are arranged in a region outside the wiring connecting the diodes .
The bypass circuit includes a first current input terminal, a second current input terminal, and a current output terminal, and the first current input terminal is connected to a connection portion of the partial LED array and is input from the second current input terminal. The current input from the first current input terminal may be limited by the current.

本発明のLEDモジュールでは、交流接続端子の周囲にブリッジ整流回路とバイパス回路と電流制限回路を備えたドライバー回路が配置され、さらにその周りにLED素子が配置されている。この交流接続端子に交流電源を接続し、ブリッジ整流回路により交流電源から生成した全波整流波形でLED列を点灯させる。このLED列はLED素子が直列接続したものであり、複数の部分LED列に区分できる。部分LED列の接続部にはバイパス回路の第1電流入力端子が接続される。このときLED列を流れる電流がバイパス回路の第1電流入力端子か第2電流入力端子に流れ込む。   In the LED module of the present invention, a driver circuit including a bridge rectifier circuit, a bypass circuit, and a current limiting circuit is disposed around the AC connection terminal, and an LED element is disposed around the driver circuit. An AC power source is connected to the AC connection terminal, and the LED row is lit with a full-wave rectified waveform generated from the AC power source by a bridge rectifier circuit. This LED row is formed by connecting LED elements in series, and can be divided into a plurality of partial LED rows. The first current input terminal of the bypass circuit is connected to the connection portion of the partial LED row. At this time, the current flowing through the LED string flows into the first current input terminal or the second current input terminal of the bypass circuit.

ブリッジ整流回路は4個のダイオードからなる。バイパス回路は外部に対し第1電流入力端子と第2電流入力端子と電流出力端子だけを備えるよう構成する。電流制限回路は外部に対し電流入力端子と電流出力端子だけを備えるよう構成する。このときバイパス回路は第2電流入力端子から入力する電流により第1電流入力端子から入力する電流を制限する。このような構成とすることでバイパス回路及び電流制限回路は電源配線が不要となり、さらに前述のようにLED列を流れる電流がバイパス回路の第1電流入力端子か第2電流入力端子に流れ込むのでバイパス回路の制御配線も不要となる。この結果、ドライバー回路の配線が減るため、回路基板の一面に配線パターンを形成するだけでドライバー回路を作りこむことが可能となり、回路基板が製造しやすくなる。   The bridge rectifier circuit is composed of four diodes. The bypass circuit is configured to have only a first current input terminal, a second current input terminal, and a current output terminal for the outside. The current limiting circuit is configured to have only a current input terminal and a current output terminal for the outside. At this time, the bypass circuit limits the current input from the first current input terminal by the current input from the second current input terminal. By adopting such a configuration, the bypass circuit and the current limiting circuit need no power supply wiring, and further, as described above, the current flowing through the LED string flows into the first current input terminal or the second current input terminal of the bypass circuit. Circuit control wiring is also unnecessary. As a result, since the wiring of the driver circuit is reduced, the driver circuit can be built only by forming a wiring pattern on one surface of the circuit board, and the circuit board can be easily manufactured.

さらに全波整流波形の電圧が低い期間では、全波整流波形を印加する側からみて前段の部分LED列からバイパス回路の第1電流入力端子を通じて電流が流れ、前段の部分LED列が点灯し、後段の部分LED列が消灯した状態になる。全波整流波形の電圧が高くなり後段の部分LED列にも電流が流れるようになると、バイパス回路の第1電流入力端子を経由する電流がなくなり、前段の部分LED列とともに後段の部分LED列が効率よく点灯する。また全波整流波形の一周期のなかで比較的長い期間、LED列が点灯した状態を維持できるため輝度の向上やちらつきの低減が達成される。   Further, in the period when the voltage of the full-wave rectified waveform is low, a current flows from the partial LED row in the previous stage through the first current input terminal of the bypass circuit when viewed from the side where the full-wave rectified waveform is applied, The subsequent partial LED row is turned off. When the voltage of the full-wave rectified waveform becomes high and current also flows in the subsequent partial LED string, there is no current passing through the first current input terminal of the bypass circuit, and the subsequent partial LED string is combined with the previous partial LED string. Lights up efficiently. In addition, since the LED row can be kept lit for a relatively long period in one cycle of the full-wave rectified waveform, the luminance is improved and the flicker is reduced.

前記バイパス回路がディプレッション型のFETと抵抗を含み、前記第1電流入力端子に前記FETのドレインが接続し、前記第2電流入力端子に前記FETのソースと前記抵抗の一端が接続し、前記電流出力端子に前記FETのゲートと前記抵抗の他端が接続しても良い。   The bypass circuit includes a depletion type FET and a resistor, the drain of the FET is connected to the first current input terminal, the source of the FET and one end of the resistor are connected to the second current input terminal, and the current The gate of the FET and the other end of the resistor may be connected to the output terminal.

第1ダム材と第2ダム材を備え、前記第1ダム材が前記LED列を囲み、前記第2ダム材が前記交流接続端子と前記ドライバー回路の間に配置され、前記第1ダム材と第2ダム材の間の領域に被覆部材を充填しても良い。   A first dam material and a second dam material, wherein the first dam material surrounds the LED row, the second dam material is disposed between the AC connection terminal and the driver circuit, and The region between the second dam materials may be filled with a covering member.

前記LED素子、前記FET前記抵抗及び前記ブリッジ整流回路を構成するダイオードがベアチップであっても良い。 The LED element, the FET , the resistor, and the diode constituting the bridge rectifier circuit may be a bare chip.

前記部分LED列のうち一の部分LED列が他の部分LED列を環状に囲んでも良い。   Of the partial LED strings, one partial LED string may surround the other partial LED strings in a ring shape.

前記LED素子がチップサイズパッケージLEDであっても良い。   The LED element may be a chip size package LED.

前記部分LED列のうち一の部分LED列が他の部分LED列を環状に囲み、前記一の部分LED列に配光分布の広いチップサイズパッケージLEDが含まれても良い。   Of the partial LED strings, one partial LED string may annularly surround another partial LED string, and the one partial LED string may include a chip size package LED having a wide light distribution.

本発明のLEDモジュールでは、交流接続端子の周囲にドライバー回路が配置され、さらにその周りにLED素子が配置されている。ドライバー回路に含まれるバイパス回路と電流制限回路は電源配線や制御配線が不要なため、回路基板の一面に配線パターンを形成するだけでドライバー回路を作り込め、回路基板製造が容易になる。またブリッジ回路を実装しているので交流電源を接続するだけで全波整流波形によりLED素子を駆動できるため、利便性の高さと効率の良い駆動が達成される。さらにバイパス回路により全波整流波形の一周期のなかで比較的長い期間点灯させられるので輝度の向上やちらつきの低減といった効果も得られる。さらにバイパス回路と電流制限回路を備えているので、広い動作電圧範囲が確保され、交流電源の電圧が変動しても動作が安定する。   In the LED module of the present invention, a driver circuit is arranged around the AC connection terminal, and an LED element is arranged around the driver circuit. Since the bypass circuit and the current limiting circuit included in the driver circuit do not require power supply wiring or control wiring, a driver circuit can be created simply by forming a wiring pattern on one surface of the circuit board, thereby facilitating circuit board manufacture. Since the bridge circuit is mounted, the LED element can be driven by the full-wave rectified waveform only by connecting an AC power supply, so that high convenience and efficient driving can be achieved. Furthermore, since the light is lit for a relatively long period in one cycle of the full-wave rectified waveform by the bypass circuit, effects such as improvement in luminance and reduction in flicker can be obtained. Furthermore, since a bypass circuit and a current limiting circuit are provided, a wide operating voltage range is ensured, and the operation is stable even if the voltage of the AC power supply fluctuates.

以上のように本発明のLEDモジュールは、交流電源を接続するだけで良く、この交流電源から得た全波整流波形でLED素子を駆動しても非点灯期間が短いうえ、さらに回路基板の配線パターンが簡単化するため、ドライバー回路が小型でありながら利便性が高く充分な性能を備えさらに製造し易い。   As described above, the LED module of the present invention only needs to be connected to an AC power source. Even if the LED element is driven by a full-wave rectified waveform obtained from the AC power source, the non-lighting period is short and the circuit board wiring Since the pattern is simplified, the driver circuit is small in size, is convenient, has sufficient performance, and is easy to manufacture.

本発明の第1実施形態として示すLEDモジュールの外形図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The external view of the LED module shown as 1st Embodiment of this invention. 図1に示すLEDモジュールから蛍光樹脂を除いた状態の平面図。The top view of the state which remove | excluded the fluorescent resin from the LED module shown in FIG. 図1に示すLEDモジュールの実体的な回路図。The substantial circuit diagram of the LED module shown in FIG. 図1に示すLEDモジュールの回路図。The circuit diagram of the LED module shown in FIG. 本発明の第2実施形態で用いるLED素子の断面図。Sectional drawing of the LED element used by 2nd Embodiment of this invention. 従来例として示したLEDモジュールの断面図。Sectional drawing of the LED module shown as a prior art example.

以下、添付図1〜5を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。なおLED素子は様々な形態をとるので、ウェハーから切り出されたベアチップ状態のLED素子をLEDダイと呼び、平面サイズがLEDダイと略等しく且つLEDダイの表面又は側面を樹脂等で被覆したLED素子をチップサイズパッケージLEDと呼び区別する。
(第1実施形態)
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. In the description of the drawings, the same or equivalent elements will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. For the sake of explanation, the scale of the members is changed as appropriate. Furthermore, the relationship with the invention specific matter described in the claims is described in parentheses. Since the LED element takes various forms, the LED element in a bare chip state cut out from the wafer is called an LED die, and the planar size is substantially equal to the LED die, and the LED element whose surface or side surface is covered with a resin or the like. Is called a chip size package LED.
(First embodiment)

先ず図1によりLEDモジュール100の外観を説明する。図1はLEDモジュール100の外形図であり、(a)が平面図、(b)が正面図である。回路基板111上には円形のダム材112(第1ダム材)と、図の縦方向に延びた直線状の辺と上下部分に存在する曲線状の辺からなるダム材114(第2ダム材)がある。ダム材112とダム材114の間の領域には蛍光樹脂113(被覆部材)が充填される。ダム材114で囲まれた領域には交流接続端子115,117があり、交流接続端子115,117はそれぞれスルーホール116,118を備えている。図示していないが、回路基板111の裏面には照明器具から電力供給を受けるための二つの裏面交流接続端子があり、スルーホール116,118を介して裏面交流接続端子が交流接続端子115,117と接続している。   First, the external appearance of the LED module 100 will be described with reference to FIG. 1A and 1B are external views of the LED module 100, where FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a front view. On the circuit board 111, a circular dam material 112 (first dam material) and a dam material 114 (second dam material) composed of a straight side extending in the vertical direction in the figure and a curved side existing in the upper and lower portions. ) A region between the dam material 112 and the dam material 114 is filled with a fluorescent resin 113 (covering member). There are AC connection terminals 115 and 117 in a region surrounded by the dam material 114, and the AC connection terminals 115 and 117 are provided with through holes 116 and 118, respectively. Although not shown, the back surface of the circuit board 111 has two back surface AC connection terminals for receiving power supply from the lighting fixture, and the back surface AC connection terminals are connected to the AC connection terminals 115 and 117 through the through holes 116 and 118. Connected.

次に図2によりLEDモジュール100の電子部品の配置を説明する。図2は図1に示したLEDモジュール100から蛍光樹脂113を除いた状態の平面図である。なおダム材114の下部に存在する配線パタ−ンも実線で示している。   Next, the arrangement of the electronic components of the LED module 100 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view showing a state where the fluorescent resin 113 is removed from the LED module 100 shown in FIG. The wiring pattern existing below the dam material 114 is also indicated by a solid line.

図2において、ダム材114の周囲には、ダイオード301,302,303,304と、FET324,344と、抵抗325,345がある。ダイオード301,302,
303,304と、FET324,344と、抵抗325,345からドライバー回路が構成される。これらの電子部品が実装された領域を45個のLEDダイ21(以下、個別のLEDダイについては必要に応じてサフィックスをつけて区別する)が2重の環で囲んでいる。これらのLEDダイ21は直列接続し一本のLED列を構成し、このLED列の外側の環及び内側の環がそれぞれ部分LED列(図4で示す部分LED列310,330)となる。さらにLEDダイ21が実装された領域の外側には円形のダム材112がある。
In FIG. 2, there are diodes 301, 302, 303, 304, FETs 324, 344, and resistors 325, 345 around the dam material 114. Diodes 301, 302,
303 and 304, FETs 324 and 344, and resistors 325 and 345 constitute a driver circuit. A region where these electronic components are mounted is surrounded by 45 LED dies 21 (hereinafter, individual LED dies are distinguished by adding a suffix if necessary) with a double ring. These LED dies 21 are connected in series to form one LED row, and the outer ring and the inner ring of this LED row become partial LED rows (partial LED rows 310 and 330 shown in FIG. 4), respectively. Further, there is a circular dam material 112 outside the region where the LED die 21 is mounted.

ダイオード301,302,303,304及び2個のFET324,344はベアチップであり、導電性のペーストで配線パターン上にダイボンディングされている。このときダイオード301,302,303,304の底面はアノードであり、FET324,344の底面はドレインである。抵抗325,355及びLEDダイ21もベアチップであり、配線パターン上にダイボンディングされているが、底面は絶縁されている。なおLEDダイ21の底部にもダイボンディングのために島状(孤立しており他の配線パターンとは接続してない状態)の配線パターンがあるが図示していない。ダイオード301,302,303,304とFET324,344の底部を除き、ダイオード301,302,303,304、FET324,344、抵抗325,345は、配線パターンとワイヤ22で接続している。なおFET344のソースと抵抗345だけは直接的にワイヤ22で接続している。LEDダイ21も配線パターン若しくは他のLEDダイ21とワイヤ22で接続している。なお図2では多くのLEDダイ21同士を直接的にワイヤ22で接続しているが、LEDダイ21同士の距離が離れている場合は、島状の中継用配線パターンを設けワイヤ22の長を調整しても良い。   The diodes 301, 302, 303, 304 and the two FETs 324, 344 are bare chips, and are die-bonded on the wiring pattern with a conductive paste. At this time, the bottom surfaces of the diodes 301, 302, 303, and 304 are anodes, and the bottom surfaces of the FETs 324 and 344 are drains. The resistors 325 and 355 and the LED die 21 are also bare chips and are die-bonded on the wiring pattern, but the bottom surface is insulated. Note that there is an island-like wiring pattern (state that is isolated and not connected to other wiring patterns) for die bonding at the bottom of the LED die 21, but is not shown. Except for the diodes 301, 302, 303, 304 and the bottoms of the FETs 324, 344, the diodes 301, 302, 303, 304, FETs 324, 344, and resistors 325, 345 are connected to the wiring pattern by wires 22. Only the source of the FET 344 and the resistor 345 are directly connected by the wire 22. The LED die 21 is also connected to the wiring pattern or another LED die 21 with a wire 22. In FIG. 2, many LED dies 21 are directly connected by wires 22, but when the distance between the LED dies 21 is long, an island-like relay wiring pattern is provided to increase the length of the wires 22. You may adjust it.

LEDダイ21は500μm×290μm、FET324,344は1.5mm×1.5mm、抵抗325,345は500μm×500μmである。回路基板111は熱伝導性と反射率を考慮してアルミナを使用した。配線パターンはAg上にNi,Pd,Auを積層している。ダム材112,114はシリコーン樹脂からなり、太さが0.7〜1.0mmであり、高さが0.5〜0.7mmである。図1に示した蛍光樹脂113は蛍光体を含有したシリコーン樹脂であり、厚さが400〜800μm程度である。なおFET324,344の被覆材を蛍光樹脂113としても光による誤動作はなかった。   The LED die 21 is 500 μm × 290 μm, the FETs 324 and 344 are 1.5 mm × 1.5 mm, and the resistors 325 and 345 are 500 μm × 500 μm. The circuit board 111 was made of alumina in consideration of thermal conductivity and reflectance. In the wiring pattern, Ni, Pd, and Au are laminated on Ag. The dam materials 112 and 114 are made of silicone resin and have a thickness of 0.7 to 1.0 mm and a height of 0.5 to 0.7 mm. The fluorescent resin 113 shown in FIG. 1 is a silicone resin containing a phosphor and has a thickness of about 400 to 800 μm. Even when the coating material of the FETs 324 and 344 is the fluorescent resin 113, no malfunction occurred due to light.

次に図1,2を参照してLEDモジュール100の製造方法を説明する。まず回路基板111上にLEDダイ21、ダイオード301〜304、FET324,344及び抵抗325,345をダイボンディングし、その後ワイヤボンディングする。次にディスペンサで硬化前のダム材112,114を配置し、ダム材112,114を約150℃で硬化させる。最後にディスペンサでダム材112,114の間に蛍光樹脂113を塗布し、LEDダイ21及び他の電子部品を被覆する。なお蛍光樹脂113の焼結温度は約150℃である。   Next, a method for manufacturing the LED module 100 will be described with reference to FIGS. First, the LED die 21, the diodes 301 to 304, the FETs 324 and 344, and the resistors 325 and 345 are die-bonded on the circuit board 111, and then wire-bonded. Next, the dam materials 112 and 114 before curing are arranged by a dispenser, and the dam materials 112 and 114 are cured at about 150 ° C. Finally, a fluorescent resin 113 is applied between the dam materials 112 and 114 with a dispenser to cover the LED die 21 and other electronic components. The sintering temperature of the fluorescent resin 113 is about 150 ° C.

次にLEDモジュール100の接続状態を図3により説明する。図3は図2に示したLEDモジュール100の実体的な回路図であり、図2で示した電子部品と図3で示した電子部品の相対的な位置関係が概ね一致するよう描いている。LEDダイ21は直列接続しており、このLED列は、LEDダイ21aから始まり、途中LEDダイ21b,21cを通り、LEDダイ21dで終わっている。LEDダイ21aからLEDダイ21bに至る部分(図4で示す部分LED列310)の実装部は外周に沿っている。LEDダイ21cからLEDダイ21dに至る部分(図4で示す部分LED列330)は部分LED列310の内側を環状に配列している。LEDダイ21aのアノードはダイオード302,304のカソードと接続している。LEDダイ21bのカソードは、LEDダイ21cのアノードとともにFET324のドレインに接続している。LEDダイ21dのカソードはFET344のドレインに接続している。   Next, the connection state of the LED module 100 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a substantial circuit diagram of the LED module 100 shown in FIG. 2, and is drawn so that the relative positional relationship between the electronic component shown in FIG. 2 and the electronic component shown in FIG. The LED dies 21 are connected in series, and this LED row starts from the LED die 21a, passes through the LED dies 21b and 21c, and ends at the LED die 21d. The mounting part of the part (partial LED row 310 shown in FIG. 4) from the LED die 21a to the LED die 21b is along the outer periphery. A portion (partial LED array 330 shown in FIG. 4) from the LED die 21c to the LED die 21d is arranged inside the partial LED array 310 in an annular shape. The anode of the LED die 21a is connected to the cathodes of the diodes 302 and 304. The cathode of the LED die 21b is connected to the drain of the FET 324 together with the anode of the LED die 21c. The cathode of the LED die 21d is connected to the drain of the FET 344.

ダイオード301,303のアノードは抵抗325とFET324のゲートに接続している。ダイオード301とダイオード302の接続部及びダイオード303とダイオード304の接続部はそれぞれ交流接続端子115,117と接続している。FET344のソースは抵抗345の一端と接続し、FET344のゲートは抵抗345の他端と接続するとともに、抵抗325及びFET324のソースと接続している。   The anodes of the diodes 301 and 303 are connected to the resistor 325 and the gate of the FET 324. A connection portion between the diode 301 and the diode 302 and a connection portion between the diode 303 and the diode 304 are connected to the AC connection terminals 115 and 117, respectively. The source of the FET 344 is connected to one end of the resistor 345, the gate of the FET 344 is connected to the other end of the resistor 345, and is connected to the sources of the resistor 325 and the FET 324.

次に図4によりLEDモジュール100の動作について説明する。図4はLEDモジュール100と周辺回路の回路図である。なお図3の回路図と図4に示したLEDモジュール100の回路図は等価であり、各電子部品は共通の符号を用いている。LEDモジュール100は、ブリッジ整流回路305、部分LED列310、部分LED列330、バイパス回路320、電流制限回路340からなり、図4では商用交流電源306も書き加えている。なおドライバー回路はLEDモジュール100から部分LED列310,330を除いた部分である。ブリッジ整流回路305は4個のダイオード301,302,303,304からなり、端子Aが全波整流波形の出力端子であり、端子Bが基準電圧を与える端子となる。商用交流電源306はブリッジ整流回路305の入力端子(交流接続端子115,117)に接続している。   Next, the operation of the LED module 100 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a circuit diagram of the LED module 100 and peripheral circuits. The circuit diagram of FIG. 3 and the circuit diagram of the LED module 100 shown in FIG. 4 are equivalent, and the same reference numerals are used for the respective electronic components. The LED module 100 includes a bridge rectifier circuit 305, a partial LED array 310, a partial LED array 330, a bypass circuit 320, and a current limiting circuit 340, and a commercial AC power supply 306 is also added in FIG. The driver circuit is a portion obtained by removing the partial LED rows 310 and 330 from the LED module 100. The bridge rectifier circuit 305 includes four diodes 301, 302, 303, and 304. A terminal A is an output terminal for a full-wave rectified waveform, and a terminal B is a terminal for supplying a reference voltage. The commercial AC power supply 306 is connected to the input terminals (AC connection terminals 115 and 117) of the bridge rectifier circuit 305.

LEDモジュール100全体のLED列は部分LED列310と部分LED列330とが直列接続したものである。部分LED列310内ではLEDダイ21a,21bを含む多数のLEDダイ21(図3参照)が直列接続しており、同様に部分LED列330内でもLEDダイ21c、21dを含む多数のLEDダイ21(図3参照)が直列接続している。部分LED列310のアノードはブリッジ整流回路305のA端子に接続している。部分LED列310,330の接続部はバイパス回路320の電流入力端子321(第1電流入力端子)と接続している。部分LED列330のカソードは電流制限回路340の電流入力端子341に接続している。   The LED row of the entire LED module 100 is a partial LED row 310 and a partial LED row 330 connected in series. In the partial LED array 310, a large number of LED dies 21 (see FIG. 3) including LED dies 21a and 21b are connected in series. Similarly, a large number of LED dies 21 including LED dies 21c and 21d are also included in the partial LED array 330. (See FIG. 3) are connected in series. The anode of the partial LED string 310 is connected to the A terminal of the bridge rectifier circuit 305. The connection part of the partial LED strings 310 and 330 is connected to the current input terminal 321 (first current input terminal) of the bypass circuit 320. The cathode of the partial LED row 330 is connected to the current input terminal 341 of the current limiting circuit 340.

バイパス回路320は、電流入力端子321(第1電流入力端子)、電流入力端子322(第2電流入力端子)、電流出力端子323を備えている。電流入力端子322は電流制限回路340の電流出力端子343と接続している。電流出力端子323はブリッジ整流回路305のB端子に接続している。バイパス回路320は、ディプレッション型のFET324及び抵抗325からなり、電流入力端子321にFET324のドレインが接続し、電流入力端子322にFET324のソースと抵抗325の一端が接続し、電流出力端子323にFET324のゲートと抵抗325の他端が接続している。またバイパス回路320は、電流入力端子322から流入する電流により電流入力端子321から流入する電流が制限される。   The bypass circuit 320 includes a current input terminal 321 (first current input terminal), a current input terminal 322 (second current input terminal), and a current output terminal 323. The current input terminal 322 is connected to the current output terminal 343 of the current limiting circuit 340. The current output terminal 323 is connected to the B terminal of the bridge rectifier circuit 305. The bypass circuit 320 includes a depletion type FET 324 and a resistor 325, the drain of the FET 324 is connected to the current input terminal 321, the source of the FET 324 and one end of the resistor 325 are connected to the current input terminal 322, and the FET 324 is connected to the current output terminal 323. And the other end of the resistor 325 are connected. In the bypass circuit 320, the current flowing from the current input terminal 321 is limited by the current flowing from the current input terminal 322.

電流制限回路340は、バイパス回路320と略同じ回路構成であり、相違点はバイパス回路320の電流入力端子322に相当するものがないことだけである。FET344、抵抗345の結線もバイパス回路320と等しい。なおLEDダイ21の順方向電圧降下量が3V程度なので、部分LED列310の閾値は約75V、部分LED列330の閾値は約60Vとなり、LEDモジュール100は実効値が120Vとなる商用交流電源306に対応している。また抵抗345は、抵抗325よりも値が小さく、抵抗345と抵抗325の抵抗値の比を1:2にしている。   The current limiting circuit 340 has substantially the same circuit configuration as the bypass circuit 320, and the only difference is that there is no equivalent to the current input terminal 322 of the bypass circuit 320. The connection of the FET 344 and the resistor 345 is also equal to the bypass circuit 320. Since the forward voltage drop amount of the LED die 21 is about 3V, the threshold value of the partial LED array 310 is about 75V, the threshold value of the partial LED array 330 is about 60V, and the LED module 100 has a commercial AC power supply 306 having an effective value of 120V. It corresponds to. The resistor 345 has a smaller value than the resistor 325, and the ratio of the resistance values of the resistor 345 and the resistor 325 is 1: 2.

次に図4によりLEDモジュール100の点灯状況を説明する。全波整流波形の電圧が上昇し、部分LED列310の閾値を越えると、部分LED列310とバイパス回路320に電流が流れ部分LED列310が点灯する。このとき抵抗325からFET324のソースにフィードバックが掛かり、バイパス回路320は定電流動作する。   Next, the lighting state of the LED module 100 will be described with reference to FIG. When the voltage of the full-wave rectified waveform rises and exceeds the threshold value of the partial LED string 310, a current flows through the partial LED string 310 and the bypass circuit 320, and the partial LED string 310 is lit. At this time, feedback is applied from the resistor 325 to the source of the FET 324, and the bypass circuit 320 operates at a constant current.

さらに全波整流波形の電圧が上昇し、部分LED列310の閾値と部分LED列330の閾値の和よりも大きくなると、部分LED列330及び電流制限回路340にも電流が流れ始める。電流入力端子322に入力する電流が所定値を超えると、FET324はソース電圧が上昇し、ソース−ゲート間の電圧が広がるためカットオフする。このとき抵抗345からFET344にフィードバックが掛かり、電流制限回路340は定電流動作する。このようにして部分LED列310と部分LED列330が点灯する。なお全波整流波形の電圧が下降する期間では、全波整流波形の電圧が上昇する期間の逆の過程を辿る。   Further, when the voltage of the full-wave rectified waveform rises and becomes larger than the sum of the threshold value of the partial LED string 310 and the threshold value of the partial LED string 330, a current starts to flow through the partial LED string 330 and the current limiting circuit 340. When the current input to the current input terminal 322 exceeds a predetermined value, the FET 324 is cut off because the source voltage rises and the voltage between the source and the gate spreads. At this time, feedback is applied from the resistor 345 to the FET 344, and the current limiting circuit 340 operates at a constant current. In this way, the partial LED row 310 and the partial LED row 330 are turned on. In the period in which the voltage of the full-wave rectified waveform falls, the reverse process of the period in which the voltage of the full-wave rectified waveform rises is followed.

LEDモジュール100は、部分LED列310と部分LED列330がそれぞれ環状に配列している(図2参照)ので、全波整流波形の低電圧位相でも高位相でも環状に発光するため良好な配光分布が得られる。   In the LED module 100, the partial LED array 310 and the partial LED array 330 are arranged in an annular shape (see FIG. 2). Distribution is obtained.

またLEDモジュール100ではバイパス回路320がディプレッション型のFET324と抵抗325からなるだけである。さらにバイパス回路320は、部分LED列330を流れる電流がバイパス回路320の第2の電流入力端子322に入力し、第1の電流入力端子321から流れ込む電流を制限しているため、電源配線や制御配線が存在しない。このため配線を交差させることなく回路図が描ける(図3参照)。電流制限回路340も同様である。このことは回路基板111の表面上の配線パターンとワイヤ22(図2参照)だけで各電子部品を接続できることを示している。すなわち回路基板111(図1,2参照)は、交流接続端子115,117に接続するスルーホール116,118(図1参照)を除きスルーホールが不要となり製造しやすくなる。   In the LED module 100, the bypass circuit 320 only includes a depletion type FET 324 and a resistor 325. Further, since the current flowing through the partial LED array 330 is input to the second current input terminal 322 of the bypass circuit 320 and the current flowing from the first current input terminal 321 is limited, the bypass circuit 320 restricts the power supply wiring and the control. There is no wiring. Therefore, a circuit diagram can be drawn without crossing the wiring (see FIG. 3). The same applies to the current limiting circuit 340. This indicates that each electronic component can be connected only by the wiring pattern on the surface of the circuit board 111 and the wire 22 (see FIG. 2). That is, the circuit board 111 (see FIGS. 1 and 2) is easy to manufacture because no through-hole is required except for the through-holes 116 and 118 (see FIG. 1) connected to the AC connection terminals 115 and 117.

図4においてバイパス回路320はFET324と抵抗325からなっていた。同様に電流制限回路340はFET344と抵抗345からなっていた。周知のように、電流制限回路は2個の抵抗とエンハンスメント型のFETとNPNバイポーラ型のトランジタでも構成できる。この電流制限回路は、電流入力端子(第1電流入力端子)に抵抗とFETのドレインを接続し、この抵抗の他端をFETのゲートとトランジスタのコレクタに接続する。そして他の抵抗とFETのソースとトランジスタのベースを接続し、この抵抗の他端とトランジスタのエミッタを電流出力端子に接続する。このときトランジスタのベース等に接続する配線を第2電流入力端子とすると、第2電流入力端子に入力する電流により第1電流入力端子に入力する電流を制限するバイパス回路が構成できる。   In FIG. 4, the bypass circuit 320 includes an FET 324 and a resistor 325. Similarly, the current limiting circuit 340 includes an FET 344 and a resistor 345. As is well known, the current limiting circuit can also be composed of two resistors, an enhancement type FET, and an NPN bipolar type transistor. In the current limiting circuit, a resistor and a drain of the FET are connected to a current input terminal (first current input terminal), and the other end of the resistor is connected to a gate of the FET and a collector of the transistor. The other resistor, the source of the FET, and the base of the transistor are connected, and the other end of the resistor and the emitter of the transistor are connected to the current output terminal. At this time, if the wiring connected to the base of the transistor or the like is the second current input terminal, a bypass circuit that limits the current input to the first current input terminal by the current input to the second current input terminal can be configured.

図4において、部分LED列310とバイパス回路320からなるブロックと、部分LED列330と電流制限回路340からなるブロックとが相似している。すなわち部分LED列310とバイパス回路320からなるブロックをカスケード接続し、最終段のブロックに含まれるバイパス回路を電流制限回路とすることも可能である。このときも前述と同様に配線を交差させずに回路図が描けるため、交流接続端子を除き回路基板にスルーホールが不要となる。なお部分LED列に含まれるLED素子の数及び抵抗値は使用条件により調整する必要がある。このようにLEDモジュールにおいて部分LED列及びバイパス回路からなるブロックを多段化すると、回路電流の変化をきめ細かく制御できるので回路電流波形が正弦波に近づき、力率や歪率が改善する。
(第2実施形態)
In FIG. 4, the block composed of the partial LED string 310 and the bypass circuit 320 is similar to the block composed of the partial LED string 330 and the current limiting circuit 340. That is, it is possible to cascade-connect blocks composed of the partial LED string 310 and the bypass circuit 320, and to make the bypass circuit included in the final block a current limiting circuit. At this time as well, the circuit diagram can be drawn without crossing the wires as described above, so that a through hole is not required in the circuit board except for the AC connection terminal. In addition, it is necessary to adjust the number and resistance value of the LED element contained in a partial LED row by use conditions. In this way, if the block composed of the partial LED array and the bypass circuit is multistaged in the LED module, the change in the circuit current can be finely controlled, so that the circuit current waveform approaches a sine wave, and the power factor and distortion rate are improved.
(Second Embodiment)

第1実施形態として示したLEDモジュール100ではLEDダイ21を回路基板111にダイボンディングしワイヤ22で配線パターン若しくは他のLEDダイに接続していた。しかしながらLEDダイの実装方法はダイボンディング及びワイヤボンディングに限られず、LEDダイをフリップチップ実装しても良い。この場合、配線パターンによりLEDダイ同士を接続することとなるので接続用のワイヤが不要になる。このためワイヤの影がなくなりLEDモジュールの発光効率が向上する。またLEDモジュール100ではFET324,344と抵抗325,345もダイボンディング及びワイヤボンディング
で実装し、小型化を図ると共にLEDダイ21の実装方法と共通化させていた。しかしFETや抵抗は表面実装用のチップ部品でも良い。同様にLED素子はLEDダイに限られず表面実装用のチップ部品でも良い。そこで図4により第2実施形態としてLEDダイと略同じサイズの表面実装用LED素子(チップサイズパッケージLEDと呼ぶ、チップサイズパッケージはCSPとも呼ばれる)を用いたLEDモジュールを説明する。
In the LED module 100 shown as the first embodiment, the LED die 21 is die-bonded to the circuit board 111 and connected to the wiring pattern or another LED die by the wire 22. However, the LED die mounting method is not limited to die bonding and wire bonding, and the LED die may be flip-chip mounted. In this case, since the LED dies are connected by the wiring pattern, a connection wire is not necessary. For this reason, the shadow of the wire disappears and the light emission efficiency of the LED module is improved. In the LED module 100, the FETs 324 and 344 and the resistors 325 and 345 are also mounted by die bonding and wire bonding, so that the size is reduced and the mounting method of the LED die 21 is shared. However, FETs and resistors may be surface mount chip components. Similarly, the LED element is not limited to the LED die, and may be a chip component for surface mounting. Therefore, referring to FIG. 4, an LED module using a surface mounting LED element (referred to as chip size package LED, chip size package is also referred to as CSP) having the same size as the LED die will be described as a second embodiment.

図5は本発明の第2実施形態のLEDモジュールで用いるチップサイズパッケージLED501,502(LED素子)の断面図である。(a)で示したチップサイズパッケージLED501では、LEDダイ511の側面を反射性樹脂504(被覆部材)が覆い、LEDダイ511の上面を蛍光樹脂503(被覆部材)が覆っている。(b)で示したチップサイズパッケージLED501では、LEDダイ511の側面及び上面を蛍光樹脂505(被覆部材)が覆っている。LEDダイ511は下面に突起電極512,513を備え、突起電極512,513がそれぞれアノードとカソードになる。なおLEDダイ511は、厚みが80〜120μmでサファイアなどからなる透明絶縁基板を備え、その下面に発光層を含む半導体層を形成している。突起電極512,513は、半導体層を覆う絶縁膜のスルーホールを介して半導体層と接続している。また突起電極512,513はフリップチップ実装しやすいように層間絶縁膜や層間配線など半導体プロセスで良く知られた手法によりサイズや位置を調整している。   FIG. 5 is a sectional view of chip size packages LEDs 501 and 502 (LED elements) used in the LED module of the second embodiment of the present invention. In the chip size package LED 501 shown in (a), the side surface of the LED die 511 is covered with a reflective resin 504 (covering member), and the upper surface of the LED die 511 is covered with a fluorescent resin 503 (covering member). In the chip size package LED 501 shown in (b), the fluorescent resin 505 (covering member) covers the side surface and the upper surface of the LED die 511. The LED die 511 includes projecting electrodes 512 and 513 on the lower surface, and the projecting electrodes 512 and 513 serve as an anode and a cathode, respectively. The LED die 511 has a transparent insulating substrate made of sapphire or the like with a thickness of 80 to 120 μm, and a semiconductor layer including a light emitting layer is formed on the lower surface thereof. The protruding electrodes 512 and 513 are connected to the semiconductor layer through through holes of an insulating film that covers the semiconductor layer. In addition, the size and position of the protruding electrodes 512 and 513 are adjusted by a well-known method in a semiconductor process such as an interlayer insulating film or an interlayer wiring so as to facilitate flip-chip mounting.

蛍光樹脂503,505はシリコーン樹脂に蛍光体を混練し硬化させたもので厚さは100μm程度である。反射性樹脂504もシリコーン樹脂にアルミナや酸化チタンなどの反射性部粒子を混練し硬化させたもので厚さは100μm程度である。この結果、チップサイズパッケージLED501は上方向にのみ配光分布を有するのに対し、チップサイズパッケージLED502は側面からも光を放射するので広い配光分布を有する。   The fluorescent resins 503 and 505 are obtained by kneading and curing a phosphor in a silicone resin and have a thickness of about 100 μm. The reflective resin 504 is also obtained by kneading and curing reflective part particles such as alumina and titanium oxide in a silicone resin, and has a thickness of about 100 μm. As a result, the chip size package LED 501 has a light distribution distribution only in the upward direction, whereas the chip size package LED 502 has a wide light distribution distribution because it also emits light from the side surface.

第2実施形態におけるLEDモジュール(図示せず)は、第1実施形態のLEDモジュール100と同じ回路であり、図2におけるLEDダイ21の代わりにチップサイズパッケージLED501,502を配置したものとなる。なお配線パターンはフリップチップ実装用のものとなり、チップサイズパッケージLED501,502は半田リフローで配線パターンと接続する。このときLEDダイ21a,21bを含む外側の部分LED列310ではLEDダイ21をチップサイズパッケージLED502(又はチップサイズパッケージLED501とチップサイズパッケージLED502が混ざったもの)で置き換え、LEDダイ21c,21dを含む内側の部分LED列330ではLEDダイ21をチップサイズパッケージLED501で置き換えると良い。このようにするとLEDモジュールの配光分布を広げながら発光効率の低下を防ぐことができる。また図2のLEDモジュール100に対し第2実施形態におけるLEDモジュールは、LEDモジュール100におけるダム材112が不要となり、ダイオード、FET、抵抗を表面実装用にすることでダム材114も不要となる。同時に蛍光樹脂113(図1参照)も不要となる。   The LED module (not shown) in the second embodiment is the same circuit as the LED module 100 in the first embodiment, and chip size packages LEDs 501 and 502 are arranged instead of the LED die 21 in FIG. The wiring pattern is for flip chip mounting, and the chip size packages LED501 and 502 are connected to the wiring pattern by solder reflow. At this time, in the outer partial LED array 310 including the LED dies 21a and 21b, the LED die 21 is replaced with a chip size package LED 502 (or a mixture of the chip size package LED 501 and the chip size package LED 502), and includes the LED dies 21c and 21d. In the inner partial LED array 330, the LED die 21 may be replaced with a chip size package LED501. If it does in this way, the fall of luminous efficiency can be prevented, expanding the light distribution of an LED module. Further, the LED module according to the second embodiment of the LED module 100 of FIG. 2 does not require the dam material 112 in the LED module 100, and the dam material 114 is also unnecessary by using a diode, FET, and resistor for surface mounting. At the same time, the fluorescent resin 113 (see FIG. 1) becomes unnecessary.

100…LEDモジュール、
111…回路基板、
112…ダム材(第1ダム材)、
113,503,505…蛍光樹脂(被覆部材)、
114…ダム材(第2ダム材)、
115,117…交流接続端子、
116,118…スルーホール、
21,21a〜d…LEDダイ(LED素子)、
22…ワイヤ、
301,302,303,304…ダイオード、
305…ブリッジ整流回路、
306…商用交流電源、
310,330…部分LED列、
320…バイパス回路、
321…電流入力端子(第1電流入力端子)、
322…電流入力端子(第2電流入力端子)、
323,343…電流出力端子、
324,344…FET、
325,345…抵抗、
340…電流制限回路、
341…電流入力端子、
501,502…チップサイズパッケージLED(LED素子)、
504…反射性樹脂(被覆部材)、
511…LEDダイ、
512,513…突起電極。
100 ... LED module,
111 ... circuit board,
112 ... Dam material (first dam material),
113,503,505 ... fluorescent resin (coating member),
114 ... Dam material (second dam material),
115, 117 ... AC connection terminal,
116, 118 ... through hole,
21, 21a-d ... LED die (LED element),
22 ... Wire,
301, 302, 303, 304 ... diodes,
305: Bridge rectifier circuit,
306 ... Commercial AC power supply,
310, 330 ... Partial LED row,
320: Bypass circuit,
321 ... Current input terminal (first current input terminal),
322 ... Current input terminal (second current input terminal),
323, 343 ... current output terminals,
324, 344 ... FET,
325,345 ... resistance,
340 ... current limiting circuit,
341 ... Current input terminal,
501 502: Chip size package LED (LED element),
504: Reflective resin (coating member),
511 ... LED die,
512, 513... Projection electrodes.

Claims (6)

回路基板上に複数のLED素子と前記LED素子を駆動するドライバー回路を実装したLEDモジュールにおいて、
前記LED素子は直列接続して複数の部分LED列を形成し、さらに前記部分LED列は直列接続してLED列を形成し、
前記ドライバー回路は、ブリッジ整流回路と、前記部分LED列同士の接続部に接続するバイパス回路と、前記LED列の端部に接続する電流制限回路を含み、
前記LED素子を実装する領域は前記ドライバー回路を実装する領域の周囲に配置され、
前記ブリッジ整流回路は4個のダイオードからなり、
前記ダイオード同士を接続する配線の内側の領域に交流接続端子を備え、
前記ダイオード同士を接続する配線の外側の領域に前記ブリッジ回路以外のドライバー回路と前記LED列が配置され、
前記バイパス回路は、第1電流入力端子と第2電流入力端子と電流出力端子を備え、前記第1電流入力端子が前記部分LED列の接続部に接続し、前記第2電流入力端子から入力する電流により前記第1電流入力端子から入力する電流が制限され
前記バイパス回路がディプレッション型のFETと抵抗を含み、前記第1電流入力端子に前記FETのドレインが接続し、前記第2電流入力端子に前記FETのソースと前記抵抗の一端が接続し、前記電流出力端子に前記FETのゲートと前記抵抗の他端が接続している
ことを特徴とするLEDモジュール。
In an LED module in which a plurality of LED elements and a driver circuit for driving the LED elements are mounted on a circuit board,
The LED elements are connected in series to form a plurality of partial LED rows, and the partial LED rows are connected in series to form an LED row,
The driver circuit includes a bridge rectifier circuit, a bypass circuit connected to a connection part between the partial LED strings, and a current limiting circuit connected to an end part of the LED string,
The area for mounting the LED element is arranged around the area for mounting the driver circuit,
The bridge rectifier circuit is composed of four diodes,
An AC connection terminal is provided in a region inside the wiring connecting the diodes,
The driver circuit other than the bridge circuit and the LED row are arranged in a region outside the wiring connecting the diodes,
The bypass circuit includes a first current input terminal, a second current input terminal, and a current output terminal, and the first current input terminal is connected to a connection portion of the partial LED array and is input from the second current input terminal. The current input from the first current input terminal is limited by the current ,
The bypass circuit includes a depletion type FET and a resistor, the drain of the FET is connected to the first current input terminal, the source of the FET and one end of the resistor are connected to the second current input terminal, and the current The LED module , wherein the FET gate and the other end of the resistor are connected to an output terminal .
回路基板上に複数のLED素子と前記LED素子を駆動するドライバー回路を実装したLEDモジュールにおいて、
前記LED素子は直列接続して複数の部分LED列を形成し、さらに前記部分LED列は直列接続してLED列を形成し、
前記ドライバー回路は、ブリッジ整流回路と、前記部分LED列同士の接続部に接続するバイパス回路と、前記LED列の端部に接続する電流制限回路を含み、
前記LED素子を実装する領域は前記ドライバー回路を実装する領域の周囲に配置され、
前記ブリッジ整流回路は4個のダイオードからなり、
前記ダイオード同士を接続する配線の内側の領域に交流接続端子を備え、
前記ダイオード同士を接続する配線の外側の領域に前記ブリッジ回路以外のドライバー回路と前記LED列が配置され、
前記バイパス回路は、第1電流入力端子と第2電流入力端子と電流出力端子を備え、前
記第1電流入力端子が前記部分LED列の接続部に接続し、前記第2電流入力端子から入力する電流により前記第1電流入力端子から入力する電流が制限され
第1ダム材と第2ダム材を備え、前記第1ダム材が前記LED列を囲み、前記第2ダム材が前記交流接続端子と前記ドライバー回路の間に配置され、前記第1ダム材と第2ダム材の間の領域に被覆部材を充填している
ことを特徴とするLEDモジュール。
In an LED module in which a plurality of LED elements and a driver circuit for driving the LED elements are mounted on a circuit board,
The LED elements are connected in series to form a plurality of partial LED rows, and the partial LED rows are connected in series to form an LED row,
The driver circuit includes a bridge rectifier circuit, a bypass circuit connected to a connection part between the partial LED strings, and a current limiting circuit connected to an end part of the LED string,
The area for mounting the LED element is arranged around the area for mounting the driver circuit,
The bridge rectifier circuit is composed of four diodes,
An AC connection terminal is provided in a region inside the wiring connecting the diodes,
The driver circuit other than the bridge circuit and the LED row are arranged in a region outside the wiring connecting the diodes,
The bypass circuit includes a first current input terminal, a second current input terminal, and a current output terminal, and the first current input terminal is connected to a connection portion of the partial LED array and is input from the second current input terminal. The current input from the first current input terminal is limited by the current ,
A first dam material and a second dam material, wherein the first dam material surrounds the LED row, the second dam material is disposed between the AC connection terminal and the driver circuit, and An LED module, wherein a region between the second dam materials is filled with a covering member .
前記LED素子、前記FET、前記抵抗及び前記ブリッジ整流回路を構成するダイオードがベアチップであることを特徴とする請求項に記載のLEDモジュール。 2. The LED module according to claim 1 , wherein the LED element, the FET, the resistor, and the diode constituting the bridge rectifier circuit are bare chips. 前記部分LED列のうち一の部分LED列が他の部分LED列を環状に囲むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 LED module according to any one of claims 1 to 3 in which one of the partial LED string is equal to or surrounding the other parts LED string to the annular among the partial LED string. 前記LED素子がチップサイズパッケージLEDであることを特徴とする請求項1に記載のLEDモジュール。 The LED module according to claim 1, wherein the LED element is a chip size package LED. 前記部分LED列のうち一の部分LED列が他の部分LED列を環状に囲み、前記一の部分LED列に配光分布の広いチップサイズパッケージLEDが含まれることを特徴とする請求項に記載のLEDモジュール。
Said portion LED first part LED columns of the column surrounds the other partial LED row annularly in claim 5, characterized in that it contains a wide chip size package LED of light distribution to the one portion LED column The LED module described.
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