JP5939451B2 - Work dividing apparatus and work dividing method - Google Patents
Work dividing apparatus and work dividing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5939451B2 JP5939451B2 JP2011033573A JP2011033573A JP5939451B2 JP 5939451 B2 JP5939451 B2 JP 5939451B2 JP 2011033573 A JP2011033573 A JP 2011033573A JP 2011033573 A JP2011033573 A JP 2011033573A JP 5939451 B2 JP5939451 B2 JP 5939451B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- adhesive sheet
- ring
- air
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 51
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 22
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 19
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 15
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 15
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 14
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 25
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims 2
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 claims 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、ワーク分割装置及びワーク分割方法に係り、特に、粘着シートを介してリング状のフレームにマウントされ、個々のチップにダイシング、グルービング加工された半導体ウエーハに対し、ダイシング加工後に粘着シートをエキスパンドして個々のチップに分割するワーク分割装置及びワーク分割方法に関するものである。 The present invention relates to a workpiece dividing apparatus and a workpiece dividing method, and in particular, to a semiconductor wafer mounted on a ring-shaped frame via an adhesive sheet and diced and grooved into individual chips, the adhesive sheet is applied after dicing. The present invention relates to a workpiece dividing apparatus and a workpiece dividing method for expanding and dividing into individual chips.
従来、半導体チップの製造にあたり、例えば、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが形成された半導体ウエーハをDAF(Die Attach Film ダイアタッチフィルム)と呼ばれるダイボンディング用のフィルム状接着剤が付いたダイシングテープを介してフレームに張り付けたワークにおいて、ダイシングテープを拡張(エキスパンド)して半導体ウエーハ及びDAFを個々のチップに分割するようにしている。 Conventionally, in the manufacture of semiconductor chips, for example, a semiconductor wafer in which a line to be cut is formed in advance by laser irradiation or the like has been attached with a film-like adhesive for die bonding called DAF (Die Attach Film die attach film). In a work attached to a frame via a dicing tape, the dicing tape is expanded (expanded) to divide the semiconductor wafer and the DAF into individual chips.
図7にワークを示す。図7(a)は斜視図、図7(b)は断面図である。図に示すように、半導体ウエーハWは、その裏面にDAF(D)を介して、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングテープ)Sが貼り付けられている。そして粘着シートSは剛性のあるリング状のフレームFにマウントされ、ワーク分割装置において、半導体ウエーハWがチャックステージに載置され、粘着シートSがエキスパンドされて、各チップTに個片化(分割)される。 Fig. 7 shows the workpiece. FIG. 7A is a perspective view, and FIG. 7B is a cross-sectional view. As shown in the figure, the semiconductor wafer W has a pressure-sensitive adhesive sheet (dicing tape) S having a thickness of about 100 μm and a pressure-sensitive adhesive layer formed on one side of the back surface of the semiconductor wafer W via DAF (D). Then, the adhesive sheet S is mounted on a rigid ring-shaped frame F, and in the work dividing device, the semiconductor wafer W is placed on the chuck stage, the adhesive sheet S is expanded, and is divided into individual chips (divided). )
ここで、DAFは、室温でも硬くそのまま応力を加えて分割することができるものと、室温付近では粘性が高く応力を加えて分割するためには冷却して脆性化させる必要があるものとがある。 Here, DAF is hard even at room temperature and can be divided by applying stress as it is, and DAF has high viscosity near room temperature and needs to be made brittle by cooling in order to split by applying stress. .
例えば、特許文献1に記載のワーク分割装置においては、分割するのに冷却が必要なDAFを用い、カバー内に配設された分割手段にワークを載置して、このカバー内において冷却ノズルから冷却されたエアーを噴出して、ワークをダイシングテープとともにDAF全体を冷却する雰囲気冷却で冷却してDAFを脆性化した状態で、ダイシングテープを拡張してウエーハを多数のチップに分割した後、ワークを搬送手段により加熱手段に搬送してダイシングテープが拡張されて弛んだ領域を加熱して収縮させている。 For example, in the workpiece dividing apparatus described in Patent Document 1, a DAF that needs to be cooled is used to divide the workpiece, and the workpiece is placed on the dividing means disposed in the cover. After the cooled air is blown out and the work is cooled by atmospheric cooling that cools the entire DAF together with the dicing tape, the DAF is made brittle, the dicing tape is expanded and the wafer is divided into a large number of chips. Is conveyed to the heating means by the conveying means, and the dicing tape is expanded and the slack area is heated and contracted.
しかしながら、上記従来のように粘着テープ(ダイシングテープ)を拡張(エキスパンド)することにより半導体ウエーハとDAFをチップに個片化する際に、半導体ウエーハの外周部のDAFが粘着テープから剥離することがあるが、この粘着テープから剥離したDAFは以下のような問題を引き起こす。 However, when the semiconductor wafer and DAF are separated into chips by expanding (expanding) the adhesive tape (dicing tape) as described above, the DAF on the outer periphery of the semiconductor wafer may be peeled off from the adhesive tape. However, DAF peeled from this adhesive tape causes the following problems.
すなわち、粘着テープ拡張時に粘着テープから剥離したDAFが小片化し、デブリ(debris)となって半導体ウエーハのデバイス面に乗っかったり、粘着テープをエキスパンドしている張力を開放する際、立ち上がったDAFが倒れ込んで半導体ウエーハに接触したりして、不良チップの原因となるという問題がある。 That is, when the adhesive tape is expanded, the DAF peeled off from the adhesive tape is fragmented to become debris and get on the device surface of the semiconductor wafer, or when the tension that expands the adhesive tape is released, the rising DAF falls down Therefore, there is a problem that it may cause a defective chip by contacting the semiconductor wafer.
本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、粘着テープの張力を開放した際のDAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させたワーク分割装置及びワーク分割方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and prevents the DAF from falling into the semiconductor wafer surface when the tension of the adhesive tape is released, and also removes the DAF contacting the wafer surface to remove the chip. An object of the present invention is to provide a workpiece dividing device and a workpiece dividing method that improve the yield of the workpiece.
前記目的を達成するために、本発明のワーク分割装置は、粘着シートにダイアタッチフィルムを介して貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、前記ワークの粘着シートをエキスパンドするエキスパンド手段と、前記粘着シートに貼着された前記半導体ウエーハの表面を覆うことが可能なウエーハカバーと、前記ウエーハカバーを昇降させるカバー昇降機構と、前記ウエーハカバーと前記ワークとの間にワーク中央部から周辺部に向かう空気の流れを形成する気流形成機構と、を備えたことを特徴とする。 In order to achieve the above-mentioned object, the workpiece dividing device of the present invention is attached to an adhesive sheet via a die attach film, mounted on a ring-shaped frame, and individually formed along a predetermined dividing line. A frame fixing means for fixing a work made of a semiconductor wafer diced into a chip, an expanding means for expanding a pressure sensitive adhesive sheet of the work, and a surface of the semiconductor wafer attached to the pressure sensitive adhesive sheet can be covered. A wafer cover, a cover raising / lowering mechanism for raising and lowering the wafer cover, and an airflow forming mechanism for forming an air flow from the center of the workpiece toward the peripheral portion between the wafer cover and the workpiece. And
これにより、粘着テープの張力を開放した際のDAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させることが可能となる。 This prevents the DAF from falling onto the semiconductor wafer surface when the tension of the adhesive tape is released, and removes the DAF that has contacted the wafer surface to improve the chip yield.
また、一つの実施態様として、前記気流形成機構は、イオン化された除電エアーを前記ウエーハカバー内側中央部から周辺部に向けて放射状に噴出する供給路と、前記ウエーハカバー内側周辺部からエアーを下方に向けて噴出する供給路を備えたことが好ましい。 Further, as one embodiment, the airflow forming mechanism includes a supply path for ejecting ionized static elimination air radially from the inner central portion of the wafer cover toward the peripheral portion, and downward air from the inner peripheral portion of the wafer cover. It is preferable to provide a supply path that ejects toward the surface.
これにより、ワーク分割の際に発生した静電気によって半導体ウエーハ等に付着したダイアタッチフィルムのかけら等を簡単に除去することが可能となる。 Thereby, it is possible to easily remove a piece of die attach film attached to a semiconductor wafer or the like due to static electricity generated when the workpiece is divided.
また、一つの実施態様として、前記エキスパンド手段は、前記ワークの粘着シートを下から押し上げてエキスパンドする突上げ用リングと、該突上げ用リングを昇降させるリング昇降機構とからなり、該突上げ用リングと前記ウエーハカバーの側部の先端面とで前記ワークの粘着シートを抑えることができることが好ましい。 Further, as one embodiment, the expanding means includes a push-up ring that expands by pushing up the adhesive sheet of the workpiece from below, and a ring lift mechanism that lifts and lowers the push-up ring. It is preferable that the pressure-sensitive adhesive sheet of the workpiece can be suppressed by the ring and the front end surface of the side portion of the wafer cover.
このように、突上げ用リングとウエーハカバーの側部の先端面とでワークの粘着シートを抑えることにより、ワーク分割後、エキスパンドを解除しても、外側に倒されていたダイアタッチフィルムが再び立ち上がることを防止することができる。 In this way, by suppressing the adhesive sheet of the workpiece with the thrust ring and the tip end surface of the side of the wafer cover, the die attach film that has been tilted outward is released again even if the expansion is released after dividing the workpiece. It is possible to prevent standing up.
また、一つの実施態様として、本発明のワーク分割装置であって、さらに前記固定されたワークの前記ダイアタッチフィルムの領域の粘着シートを選択的に冷却する冷凍チャックテーブルを備えたことが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the work dividing apparatus of the present invention further includes a freezing chuck table that selectively cools the adhesive sheet in the area of the die attach film of the fixed work.
このようにダイアタッチフィルムを脆性化するために冷却する必要がある場合でも、冷凍チャックテーブルを用いて冷却することにより、除電エアーを用いて半導体ウエーハ等に付着したダイアタッチフィルムのかけら等を除去することができる。 Even when it is necessary to cool the die attach film to make it brittle, it is possible to remove fragments of the die attach film adhering to the semiconductor wafer, etc., by using static elimination air by cooling with the freezing chuck table. can do.
また、本発明のワーク分割方法は、粘着シートにダイアタッチフィルムを介して貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハからなるワークのフレームを固定するフレーム固定工程と、前記ワーク上方に、該ワークの半導体ウエーハの部分を覆うことが可能なウエーハカバーを配置して、該ウエーハカバーの内側から空気を噴出し、前記固定されたワークの表面に対して中央部から周辺部に向かう空気の流れを形成する気流形成工程と、前記ワークの粘着シートを、突上げ用リングを上昇させてエキスパンドするエキスパンド工程と、前記ウエーハカバーを次第に下降させて前記ワーク表面上の気流を強めてエキスパンドにより発生した前記ダイアタッチフィルムのデブリを除去すると共に立ち上がった周辺部の前記ダイアタッチフィルムを外側に倒すデブリ除去工程と、前記ウエーハカバーの側部の先端面と前記突上げ用リングとで前記粘着シートを抑え、前記空気の流れを停止すると共に、前記突上げ用リングによるエキスパンドを解除する拡張解放工程と、を備えたことを特徴とする。 The work dividing method of the present invention is affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet via a die attach film, mounted on a ring-shaped frame, and diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line. A frame fixing step for fixing a work frame made of a semiconductor wafer, and a wafer cover capable of covering the semiconductor wafer portion of the work are arranged above the work, and air is blown out from the inside of the wafer cover. An airflow forming step for forming a flow of air from a central portion to a peripheral portion with respect to the surface of the fixed workpiece; an expanding step for expanding the pressure-sensitive adhesive sheet of the workpiece by raising a push-up ring; and The wafer cover is gradually lowered to strengthen the airflow on the workpiece surface, and the expand is generated by the expand. The debris removal step of removing the debris of the ear attach film and depressing the die attach film in the peripheral portion that has stood up outward, and suppressing the pressure-sensitive adhesive sheet with the front end surface of the side portion of the wafer cover and the push-up ring, An expansion release step for stopping the air flow and releasing the expansion by the push-up ring.
これにより、粘着テープの張力を開放した際のDAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させることが可能となる。 This prevents the DAF from falling onto the semiconductor wafer surface when the tension of the adhesive tape is released, and removes the DAF that has contacted the wafer surface to improve the chip yield.
また、一つの実施態様として、前記気流形成工程は、前記ウエーハカバーの内側中央部から周辺部に向けて放射状にイオン化された除電エアーを噴出すると共に、前記ウエーハカバーの内側周辺部から真下に向けてエアーを噴出することが好ましい。 Further, as one embodiment, the airflow forming step ejects the ionized air radially ionized from the inner central portion of the wafer cover toward the peripheral portion, and directs from the inner peripheral portion of the wafer cover directly below. It is preferable to eject air.
これにより、ワーク分割の際に発生した静電気によって半導体ウエーハ等に付着したダイアタッチフィルムのかけら等を簡単に除去することが可能となる。 Thereby, it is possible to easily remove a piece of die attach film attached to a semiconductor wafer or the like due to static electricity generated when the workpiece is divided.
また、本発明のワーク分割方法は、粘着シートにダイアタッチフィルムを介して貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハからなるワークのフレームを固定するフレーム固定工程と、前記固定されたワークの前記ダイアタッチフィルムの領域の粘着シートを冷凍チャックテーブルにより選択的に冷却する選択冷却工程と、前記ワーク上方に、該ワークの半導体ウエーハの部分を覆うことが可能なウエーハカバーを配置して、該ウエーハカバーの内側から空気を噴出し、前記固定されたワークの表面に対して中央部から周辺部に向かう空気の流れを形成する気流形成工程と、前記冷却されたワークの粘着シートを、突上げ用リングを上昇させてエキスパンドするエキスパンド工程と、前記ウエーハカバーを次第に下降させて前記ワーク表面上の気流を強めてエキスパンドにより発生した前記ダイアタッチフィルムのデブリを除去すると共に立ち上がった周辺部の前記ダイアタッチフィルムを外側に倒すデブリ除去工程と、前記ウエーハカバーの側部の先端面と前記突上げ用リングとで前記粘着シートを抑え、前記空気の流れを停止すると共に、前記突上げ用リングによるエキスパンドを解除する拡張解放工程と、を備えたことを特徴とする。 The work dividing method of the present invention is affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet via a die attach film, mounted on a ring-shaped frame, and diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line. A frame fixing step for fixing a workpiece frame made of a semiconductor wafer, a selective cooling step for selectively cooling the adhesive sheet in the die attach film region of the fixed workpiece by a freezing chuck table, and above the workpiece, A wafer cover capable of covering the semiconductor wafer portion of the workpiece is disposed, air is blown out from the inside of the wafer cover, and air flowing from the central portion to the peripheral portion with respect to the surface of the fixed workpiece is disposed. The airflow forming step for forming a flow and the pressure-sensitive adhesive sheet of the cooled workpiece are raised by raising the thrusting ring. The expanding step of expanding, and gradually lowering the wafer cover to strengthen the airflow on the work surface to remove the debris of the die attach film generated by the expand, and tilt the die attach film at the peripheral portion that has risen outward A debris removing step, and an expansion releasing step of suppressing the pressure-sensitive adhesive sheet by the front end surface of the side portion of the wafer cover and the push-up ring, stopping the air flow, and releasing the expansion by the push-up ring And.
また、一つの実施態様として、前記気流形成工程は、前記ウエーハカバーの内側中央部から周辺部に向けて放射状にイオン化された除電エアーを噴出すると共に、前記ウエーハカバーの内側周辺部から下方に向けてエアーを噴出することが好ましい。 Further, as one embodiment, the air flow forming step ejects the ionized air radially ionized from the inner central portion of the wafer cover toward the peripheral portion, and downward from the inner peripheral portion of the wafer cover. It is preferable to eject air.
このようにダイアタッチフィルムを脆性化するために冷却する必要がある場合でも、冷凍チャックテーブルを用いて冷却することにより、除電エアーを用いて半導体ウエーハ等に付着したダイアタッチフィルムのかけら等を除去することができる。 Even when it is necessary to cool the die attach film to make it brittle, it is possible to remove fragments of the die attach film adhering to the semiconductor wafer, etc., by using static elimination air by cooling with the freezing chuck table. can do.
以上説明したように、本発明によれば、粘着テープの張力を開放した際のDAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させることが可能となる。また特に、ダイアタッチフィルムを冷却して脆性化する必要がある場合でも、冷凍チャックテーブルを用いて冷却することにより、除電エアーを用いて半導体ウエーハ等に付着したダイアタッチフィルムのかけら等を除去することが可能となる。 As described above, according to the present invention, the DAF is prevented from falling onto the semiconductor wafer surface when the tension of the adhesive tape is released, and the DAF in contact with the wafer surface is removed to improve the chip yield. It becomes possible. In particular, even when it is necessary to cool the die attach film to make it brittle, by using a freezing chuck table, it is possible to remove fragments of the die attach film adhering to the semiconductor wafer or the like using static elimination air. It becomes possible.
以下、添付図面を参照して、本発明に係るワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明する。 Hereinafter, a work dividing apparatus and a work dividing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明のワーク分割装置の一実施形態を示す要部断面図である。ワーク分割装置1は、図7に示したようなワーク2を予め形成された分断予定ラインに沿って分割して各チップに個片化するものである。ワークは、図7に示したように、半導体ウエーハWの裏面にDAF(Die Attach Film ダイアタッチフィルム)D(以下、DAF(D)と表示する。)が貼着され、粘着シートSを介してフレームFにマウントされている。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing an embodiment of a workpiece dividing device of the present invention. The workpiece dividing apparatus 1 divides the
ここで例えば、半導体ウエーハWは厚さ50μm程度、DAF(D)及び粘着シートSはそれぞれ厚さ数μmから100μm程度であるとする。 Here, for example, it is assumed that the semiconductor wafer W has a thickness of about 50 μm, and the DAF (D) and the adhesive sheet S each have a thickness of about several μm to 100 μm.
図1に示すように、ワーク分割装置1は、このようなワーク2のフレームFを保持するフレーム固定機構18、ワーク2の粘着シートSをエキスパンド(拡張)して半導体ウエーハWを分割する突上げ用リング12を備えている。突上げ用リング12は、半導体ウエーハWの周囲の粘着シートSに沿ってリング状に配置され、リング昇降機構16によって昇降可能に構成されている。なお、突上げ用リング12の先端部には摩擦力低減のためのコロ(ローラ)を設けてもよい。図1では、突上げ用リング12は、下降位置(待機位置)に位置している。
As shown in FIG. 1, the workpiece dividing apparatus 1 has a
なお、半導体ウエーハWの裏面に貼着されたDAF(D)が室温付近では粘性が高く冷却が必要な場合には、DAF(D)を冷却するための冷凍チャックテーブルが突上げ用リング12の内側のワーク2の下面に配置される。
When the DAF (D) attached to the back surface of the semiconductor wafer W has a high viscosity near room temperature and needs to be cooled, a freezing chuck table for cooling the DAF (D) is provided for the push-up
また、図1に示すように、本実施形態のワーク分割装置1は、立ち上がったDAFが半導体ウエーハ面へ倒れ込むのを防止するために、ウエーハカバー20を有している。
As shown in FIG. 1, the workpiece dividing apparatus 1 according to the present embodiment includes a
ウエーハカバー20は、半導体ウエーハWを覆う円形の蓋状の部材で、その周囲に縁部20aを有している。ウエーハカバー20の上部にはカバー保持部材22が形成され、カバー保持部材22はウエーハカバー20を昇降させるカバー昇降手段24に接続している。カバー昇降手段24としては、特に限定されるものではないが、例えばエアーシリンダが好適に例示される。
The
また、カバー保持部材22には、2つのエアーを供給する供給路26(第1供給路26a、第2供給路26b)が接続されている。それぞれの供給路26(第1供給路26a、第2供給路26b)は、図示を省略した空圧制御系に接続されており、所定圧のエアーが供給されるようになっている。
The
それぞれの供給路26(第1供給路26a、第2供給路26b)は、カバー保持部材22の内部に形成された流路(図に2種類の破線で示す)に連通しており、第1供給路26aから供給されたエアーはウエーハカバー20の内側中央部に設けられた吹き出し口28aから噴出され、第2供給路26bから供給されたエアーはウエーハカバー20の縁部20a付近に設けられた吹き出し口28bから噴出されるようになっている。
Each supply path 26 (the
このとき特に、第1供給路26aからはイオナイザーを通してイオン化された除電エアーが供給されるようになっている。このように除電エアーを供給するのは、DAF(D)が割れる際に静電気が発生し、このクーロン力によってデブリが半導体ウエーハW等にくっついているためである。
At this time, in particular, ionized static elimination air is supplied from the
ワーク分割の際には至る所で静電気が発生する。粘着シートSをエキスパンドする際、例えば突上げ用リング12の先端部に取り付けられた摩擦力低減のためのローラとの摩擦によって粘着シートSも帯電する。またDAF(D)も剪断されることによって帯電する。特に粘着シートSは絶縁体なので一度帯電するとなかなか除電することができない。そこで、ここでは除電エアーを流すことによって除電してデブリを除去しやすくしている。
Static electricity is generated everywhere when the work is divided. When the pressure-sensitive adhesive sheet S is expanded, for example, the pressure-sensitive adhesive sheet S is charged by friction with a roller for reducing the frictional force attached to the tip of the push-up
なお、本実施形態のワーク分割装置1は、これらの他に、フレーム固定機構18によるワーク2の保持、突上げ用リング12の昇降、ウエーハカバー20の昇降及び供給路26からのエアーの供給等の制御を行うための制御系を備えている。
In addition to these, the workpiece dividing apparatus 1 of the present embodiment holds the
以下、本実施形態のワーク分割装置の作用として、DAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させるワーク分割方法について説明する。 Hereinafter, as an operation of the work dividing apparatus according to the present embodiment, a work dividing method for preventing the DAF from falling onto the semiconductor wafer surface and removing the DAF contacting the wafer surface to improve the chip yield will be described.
図2は、本実施形態のワーク分割装置の作用であるワーク分割方法を示すフローチャートである。以下、このフローチャートに沿って説明する。 FIG. 2 is a flowchart showing a work dividing method which is an operation of the work dividing apparatus of the present embodiment. Hereinafter, it demonstrates along this flowchart.
まず、図2のステップS100において、図1に示すように、ワーク2のフレームFをフレーム固定機構18によって保持し、ワーク2をワーク分割装置1に設置する。
First, in step S100 of FIG. 2, as shown in FIG. 1, the frame F of the
次に、ステップS110において、図示しない制御系によって空圧制御系を制御して供給路26からエアーを供給する。第1供給路26aからはイオナイザーを通しイオン化された除電エアーが供給される。この除電エアーは、ウエーハカバー20の内側中央部に設けられた吹き出し口28aから噴出され、図に矢印Aで示すようにウエーハカバー20の内側に沿って放射状に広がるように流れる。また、第2供給路26bから供給されるエアーは、ウエーハカバー20の周囲に設けられた吹き出し口28bから矢印Bで示すように下方に向けて噴出される。
Next, in step S110, the air pressure control system is controlled by a control system (not shown) to supply air from the
この2つのエアーの流れによってウエーハカバー20とワーク2との間の空間に中心部から周辺部に向かう気流が発生される。
Due to the two air flows, an air flow from the central portion to the peripheral portion is generated in the space between the
次に、ステップS120において、図示しない制御系によりリング昇降機構16を制御して突上げ用リング12を上昇させ、突上げ用リング12によって粘着シートSをエキスパンド(拡張)する。ここでワーク2にもよるがエキスパンドするために突上げ用リング12を上昇させる距離は10mm〜30mm程度である。また、このときウエーハカバー20は、エキスパンドする前のワーク2の位置より上方100mm程度の距離にある。
Next, in step S <b> 120, the
図3に、突上げ用リング12によって粘着シートSをエキスパンド(拡張)している状態を示す。このように粘着シートSを拡張することにより、粘着シートSが伸びて半導体ウエーハW及びDAF(D)に対して剪断力が作用し、半導体ウエーハW及びDAF(D)が分断予定ラインに沿って各チップTに分割される。
FIG. 3 shows a state where the adhesive sheet S is expanded (expanded) by the push-up
このとき、エキスパンド前からウエーハカバー20とワーク2との間の空間に中心部から周辺部に向けた気流を発生させて粘着シートSを拡張するようにしているので、分割の際にDAF(D)のかけらが発生して舞い上がったりしても、半導体ウエーハW上に乗るのを抑制することができる。
At this time, since the adhesive sheet S is expanded by generating an air flow from the center part to the peripheral part in the space between the
また、図に示すように、半導体ウエーハWの外周部から外にはみ出したDAF(D0)の一部が粘着シートSから剥離することがある。そして、粘着シートSの拡張を解放する際に、このように一部が剥離したDAF(D0)が立ち上がったり、デブリとなって半導体ウエーハWの表面に接触したりすることがある。 Further, as shown in the drawing, a part of DAF (D 0) protruding from the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W may be peeled off from the adhesive sheet S. When releasing the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet S, the DAF (D0) partially peeled in this way may rise or become debris and contact the surface of the semiconductor wafer W.
そこで、次に、ステップS130において、図4に示すように、制御系でカバー昇降手段24を制御してウエーハカバー20を次第に下降させる。
Then, next, in step S130, as shown in FIG. 4, the cover lifting means 24 is controlled by the control system to gradually lower the
ウエーハカバー20が下降していき、ウエーハカバー20とワーク2との間隔が狭くなっていくと、吹き出し口28a及び28bから噴出するエアーによって発生した中心部から周辺部に向かう気流の流速が大きくなる。特にウエーハカバー20の縁部20aの下側がDAF(D)(あるいは粘着シートS)に接触する直前、その距離が10mmを切ったあたりから、外に向かって吹き抜ける風速が非常に大きくなる。
When the
これにより、図に示すように、粘着シートSから離れて立ち上がっていた周辺部のDAF(D0)が、この風の力によって外側に倒れる。また一方、第1供給路26aから供給され吹き出し口28aから噴出される除電エアーにより、静電気力で半導体ウエーハW等に付着していた半導体ウエーハWのかけら(デブリ)が除電され、付着していた半導体ウエーハW等から離れやすくなり、風の力によって外へ排出される。
As a result, as shown in the figure, the DAF (D0) in the peripheral portion that has risen away from the adhesive sheet S falls to the outside due to the wind force. On the other hand, fragments of the semiconductor wafer W (debris) adhering to the semiconductor wafer W or the like due to electrostatic force were removed by static electricity supplied from the
次に、ステップS140において、図5に示すように、ウエーハカバー20をさらに下降させて、その縁部20aを周辺部の粘着シートSに密着させるようにする。このときウエーハカバー20の縁部20aは、風の力によって外側に倒れたDAF(D0)を上から押さえつける。
Next, in step S140, as shown in FIG. 5, the
そして、ステップS150において、供給路26からのエアーの供給を停止する。
In step S150, the supply of air from the
最後にステップS160において、ウエーハカバー20と粘着シートS(DAF(D0))との密着を維持しつつ、突上げ用リング12を下降させ、粘着シートSの拡張を解放する。このときウエーハカバー20と粘着シートSとの密着を維持するために、ウエーハカバー20も一緒に下降する。
Finally, in step S160, while maintaining the close contact between the
もしここで単に粘着シートSの拡張を解放するだけだと、粘着シートSをもどす際に再びDAF(D)が立ち上がってしまう虞があるので、ウエーハカバー20と粘着シートSの密着は維持したままとしている。
If the expansion of the adhesive sheet S is simply released here, the DAF (D) may rise again when the adhesive sheet S is returned, so that the adhesion between the
これにより図5に示すように、ウエーハカバー20の縁部20aで周辺部のDAF(D0)を上から抑えているので、突上げ用リング12を(ウエーハカバー20とともに)下降させて粘着シートSの拡張を解放しても粘着シートSから離れたDAF(D0)が再び立ち上がるようなことはない。
As a result, as shown in FIG. 5, the
また、ウエーハカバー20と粘着シートS(DAF(D0))との密着を維持したまま、突上げ用リング12を下降させ(ウエーハカバー20も同時に下降させる)、粘着シートSの拡張を解放すると、今まで拡張されていた周辺部の粘着シートSに弛みが生じるが、これに対しては、弛み部分に拡張リング(カシメリング)を挿入して粘着シートSの拡張状態を維持したり、あるいは、粘着シートSの材質に応じて、加熱したり冷却したりすることによって粘着シートSを収縮させて弛みを解消するようにする。
Further, while maintaining the close contact between the
このようにしてチップTへの分割が済んだワーク2は、ワーク分割装置1から取り出されて次の工程に搬送される。
The
なお以上説明してきた例は、拡張の前に冷却の必要がないDAFの場合であったが、DAFを冷却する必要がある場合には、図6に示すように、ワーク2の下側に冷凍チャックテーブル10を配置する。なお、冷凍チャックテーブル10は、300mm〜307mm程度の直径を有する円形をしている。
In the example described above, the DAF that does not need to be cooled before expansion is used. However, when the DAF needs to be cooled, it is frozen at the lower side of the
この場合、ワーク2のフレームFをフレーム固定機構18で保持して、ワーク2をワーク分割装置1に設置すると、ワーク2の半導体ウエーハWが貼着されている部分の粘着シートSを冷凍チャックテーブル10で下側から吸引して、この粘着シートSを冷凍チャックテーブル10に接触させる。粘着シートSは冷凍チャックテーブル10に接触することで冷却される。
In this case, when the frame F of the
冷凍チャックテーブル10によって冷却されてDAF(D)が脆性化したら、突上げ用リング12を上昇させて粘着シートSをエキスパンドして半導体ウエーハWをDAF(D)とともに分割していく。その後の工程は前述した例と同様である。
When the DAF (D) becomes brittle by being cooled by the freezing chuck table 10, the push-up
すなわち、冷却によってDAF(D)が脆性化したら、供給路26からエアーを供給する。第1供給路26aと連通する吹き出し口28aから噴出されるイオン化された除電エアーはウエーハカバー20の内側に沿って放射状に広がり、第2供給路26bと連通する吹き出し口28bから周辺部直下に噴出されるエアーとともに、ウエーハカバー20とワーク2との間の空間に中心部から周辺部に向けた気流を形成する。
That is, when DAF (D) becomes brittle by cooling, air is supplied from the
このようにワーク2の粘着シートSの下側からは冷凍チャックテーブル10で冷却され、ワーク2の上側からは中心から周辺部に向かう除電エアーを含む気流が形成された状態で、突上げ用リング12により粘着シートSをエキスパンドする。
In this manner, the push-up ring is formed in a state in which the airflow including the static elimination air from the center to the peripheral part is formed from the upper side of the
その後、ウエーハカバー20を次第に下降させていくと、特にウエーハカバー20の縁部20aの下側の間隔が狭くなるので周辺部における気流が強くなっていき、これによりエキスパンドにより立ち上がった周辺部のDAF(D0)を外側に倒したり、ワーク分割に伴って発生したデブリを除去することができる。
Thereafter, when the
このように本例においては、DAF(D)を冷却して脆性化するために冷凍チャックテーブル10を用いているが、エキスパンドによる周辺部のDAFの立ち上がりやデブリを除去するための除電エアーによる気流と、DAF(D)の冷却とを両立させるためには、冷却方法として冷凍チャックテーブル10を用いることが重要である。 As described above, in this example, the refrigeration chuck table 10 is used for cooling and embrittlement of the DAF (D). However, the airflow generated by the static electricity for removing the rise of DAF and debris in the peripheral portion due to the expand. In order to achieve both the cooling of DAF (D) and the cooling method, it is important to use the freezing chuck table 10 as a cooling method.
すなわち、もしDAF(D)の冷却を、ワーク2全体を冷気の中に入れる雰囲気冷却で行おうとすると、雰囲気冷却と除電エアーとはなかなか相容れないという問題がある。雰囲気冷却をしてイオナイザーの中に冷気が流れているときに、ワークの出し入れ等により外の空気が流入したりして雰囲気温度が上がったりすると、例えばイオナイザーの放電針がすぐに結露してしまい、冷たい除電エアーを生成することが難しいからである。
That is, if the DAF (D) is cooled by atmospheric cooling in which the
以上説明したように、エキスパンドして半導体ウエーハW及びDAF(D)を分割する際、ワーク上方にウエーハカバーを配置して、ウエーハカバー内側中央部から周辺部に向けて放射状に除電エアーを流すと共に、周辺部では真下に向けてエアーを吹き付けて、この2種類のエアーによる気流を流しながら、エキスパンドし、さらにウエーハカバーを次第に下降させて、その縁部を粘着シート(あるいはDAF)に密着させるようにしたことにより、粘着テープの張力を開放した際のDAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させることが可能となった。 As described above, when expanding and dividing the semiconductor wafer W and DAF (D), the wafer cover is arranged above the workpiece, and the static elimination air is flowed radially from the inner center portion of the wafer cover toward the peripheral portion. In the peripheral area, air is blown directly below, and while expanding the airflow by these two types of air, the wafer cover is gradually lowered, and the edge is brought into close contact with the adhesive sheet (or DAF). As a result, it is possible to prevent the DAF from falling onto the semiconductor wafer surface when the tension of the adhesive tape is released, and to remove the DAF contacting the wafer surface and improve the chip yield.
また、特にエキスパンドする前にDAFを冷却して脆性化する必要がある場合には、冷凍チャックテーブルを用いてDAFを冷却することにより、DAFの冷却と除電エアーとを両立させることができ、同様に粘着テープの張力を開放した際のDAFの半導体ウエーハ面への倒れ込みを防止すると共に、ウエーハ面に接触したDAFを除去してチップの歩留まりを向上させることが可能となる。 In particular, when it is necessary to cool the DAF before embrittlement and to make it brittle, cooling the DAF using a refrigeration chuck table makes it possible to achieve both cooling of the DAF and static elimination air. In addition, it is possible to prevent the DAF from falling on the semiconductor wafer surface when the tension of the adhesive tape is released, and to remove the DAF contacting the wafer surface, thereby improving the yield of the chip.
以上、本発明のワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。 The work dividing apparatus and the work dividing method of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above examples, and various improvements and modifications are made without departing from the gist of the present invention. Of course it is also good.
1…ワーク分割装置、2…ワーク、10…冷凍チャックテーブル、12…突上げ用リング、16…リング昇降機構、18…フレーム固定機構、20…ウエーハカバー、22…カバー保持部材、24…カバー昇降手段、26(26a、26b)…供給路、28a、28b…吹き出し口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Work dividing device, 2 ... Work, 10 ... Refrigeration chuck table, 12 ... Push-up ring, 16 ... Ring raising / lowering mechanism, 18 ... Frame fixing mechanism, 20 ... Wafer cover, 22 ... Cover holding member, 24 ... Cover raising / lowering Means, 26 (26a, 26b) ... supply path, 28a, 28b ... outlet
Claims (8)
前記ワークの粘着シートをエキスパンドするエキスパンド手段と、
前記粘着シートに貼着された前記半導体ウエーハの表面を覆うことが可能なウエーハカバーと、
前記ウエーハカバーを昇降させるカバー昇降機構と、
前記ウエーハカバーと前記ワークとの間にワーク中央部から周辺部に向かう空気の流れを形成する気流形成機構と、
エキスパンド後、前記ワーク表面上の気流が強まるように、前記カバー昇降機構を制御して前記ウエーハカバーを次第に下降させる手段と、
を備えたことを特徴とするワーク分割装置。 Frame fixing for fixing workpieces made of semiconductor wafers, which are attached to an adhesive sheet via a die attach film, mounted on a ring-shaped frame, and diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line Means,
Expanding means for expanding the adhesive sheet of the workpiece;
A wafer cover capable of covering the surface of the semiconductor wafer adhered to the adhesive sheet;
A cover elevating mechanism for elevating the wafer cover;
An airflow forming mechanism that forms a flow of air from the work center to the periphery between the wafer cover and the work;
Means for gradually lowering the wafer cover by controlling the cover lifting mechanism so that the airflow on the workpiece surface is strengthened after expansion;
A workpiece dividing device characterized by comprising:
前記ワーク上方に、該ワークの半導体ウエーハの部分を覆うことが可能なウエーハカバーを配置して、該ウエーハカバーの内側から空気を噴出し、前記固定されたワークの表面に対して中央部から周辺部に向かう空気の流れを形成する気流形成工程と、
前記ワークの粘着シートを、突上げ用リングを上昇させてエキスパンドするエキスパンド工程と、
前記ウエーハカバーを次第に下降させて前記ワーク表面上の気流を強めてエキスパンドにより発生した前記ダイアタッチフィルムのデブリを除去すると共に立ち上がった周辺部の前記ダイアタッチフィルムを外側に倒すデブリ除去工程と、
前記ウエーハカバーの側部の先端面と前記突上げ用リングとで前記粘着シートを抑え、前記空気の流れを停止すると共に、前記突上げ用リングによるエキスパンドを解除する拡張解放工程と、
を備えたことを特徴とするワーク分割方法。 Affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet via a die attach film, mounted on a ring-shaped frame, and fixed to a workpiece frame made of a semiconductor wafer diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line. Frame fixing process;
A wafer cover capable of covering the semiconductor wafer portion of the workpiece is disposed above the workpiece, and air is blown out from the inside of the wafer cover so that the surface of the fixed workpiece is surrounded from the center. An air flow forming step for forming a flow of air toward the part,
An expanding step of expanding the work-up adhesive sheet by raising the push-up ring; and
A debris removal step of gradually lowering the wafer cover to remove the debris of the die attach film generated by the expansion by strengthening the airflow on the work surface and tilting the die attach film at the peripheral portion raised to the outside;
An expansion release step for suppressing the adhesive sheet with the front end surface of the side portion of the wafer cover and the push-up ring, stopping the air flow, and releasing the expansion by the push-up ring;
A work dividing method characterized by comprising:
前記固定されたワークの前記ダイアタッチフィルムの領域の粘着シートを冷凍チャックテーブルにより選択的に冷却する選択冷却工程と、
前記ワーク上方に、該ワークの半導体ウエーハの部分を覆うことが可能なウエーハカバーを配置して、該ウエーハカバーの内側から空気を噴出し、前記固定されたワークの表面に対して中央部から周辺部に向かう空気の流れを形成する気流形成工程と、
前記冷却されたワークの粘着シートを、突上げ用リングを上昇させてエキスパンドするエキスパンド工程と、
前記ウエーハカバーを次第に下降させて前記ワーク表面上の気流を強めてエキスパンドにより発生した前記ダイアタッチフィルムのデブリを除去すると共に立ち上がった周辺部の前記ダイアタッチフィルムを外側に倒すデブリ除去工程と、
前記ウエーハカバーの側部の先端面と前記突上げ用リングとで前記粘着シートを抑え、
前記空気の流れを停止すると共に、前記突上げ用リングによるエキスパンドを解除する拡張解放工程と、
を備えたことを特徴とするワーク分割方法。 Affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet via a die attach film, mounted on a ring-shaped frame, and fixed to a workpiece frame made of a semiconductor wafer diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line. Frame fixing process;
A selective cooling step of selectively cooling the adhesive sheet in the area of the die attach film of the fixed workpiece by a freezing chuck table;
A wafer cover capable of covering the semiconductor wafer portion of the workpiece is disposed above the workpiece, and air is blown out from the inside of the wafer cover so that the surface of the fixed workpiece is surrounded from the center. An air flow forming step for forming a flow of air toward the part,
An expanding step for expanding the cooled pressure-sensitive adhesive sheet by raising the push-up ring; and
A debris removal step of gradually lowering the wafer cover to remove the debris of the die attach film generated by the expansion by strengthening the airflow on the work surface and tilting the die attach film at the peripheral portion raised to the outside;
The pressure-sensitive adhesive sheet is suppressed with the front end surface of the side portion of the wafer cover and the push-up ring,
An expansion release step for stopping the air flow and releasing the expansion by the push-up ring;
A work dividing method characterized by comprising:
In the air flow forming step, the neutralized air that is radially ionized from the inner central portion of the wafer cover toward the peripheral portion is ejected, and the air is ejected downward from the inner peripheral portion of the wafer cover. The work dividing method according to claim 7 .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011033573A JP5939451B2 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Work dividing apparatus and work dividing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011033573A JP5939451B2 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Work dividing apparatus and work dividing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016097859A Division JP6041065B2 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Work dividing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012174795A JP2012174795A (en) | 2012-09-10 |
JP5939451B2 true JP5939451B2 (en) | 2016-06-22 |
Family
ID=46977454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011033573A Active JP5939451B2 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Work dividing apparatus and work dividing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5939451B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6270642B2 (en) * | 2014-06-27 | 2018-01-31 | 株式会社ディスコ | Tape expansion unit |
JP6425435B2 (en) * | 2014-07-01 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance device |
JP6411960B2 (en) | 2015-07-10 | 2018-10-24 | ファナック株式会社 | Processing machine with static eliminator |
JP6671794B2 (en) * | 2016-05-11 | 2020-03-25 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP6060475B2 (en) * | 2016-05-16 | 2017-01-18 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2018206947A (en) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | Tape extension device |
JP7305277B2 (en) * | 2019-10-29 | 2023-07-10 | 株式会社ディスコ | expansion unit |
JP7437963B2 (en) * | 2020-02-18 | 2024-02-26 | 株式会社ディスコ | Expanding device |
CN117621279B (en) * | 2023-12-05 | 2024-05-24 | 江苏协鑫特种材料科技有限公司 | Splitting machine for processing semiconductor wafer |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007067278A (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expanding method and expanding apparatus |
JP2009049127A (en) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Fujitsu Microelectronics Ltd | Production method of semiconductor device and collet chuck |
JP5342772B2 (en) * | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | Processing object cutting method |
JP5354149B2 (en) * | 2008-04-08 | 2013-11-27 | 株式会社東京精密 | Expanding method |
JP2009272503A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Breaking device and breaking method for filmy adhesive |
-
2011
- 2011-02-18 JP JP2011033573A patent/JP5939451B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012174795A (en) | 2012-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5939451B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP5831232B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP2006049591A (en) | Fracture method and fracture equipment of adhesive film stuck on wafer | |
JP5354149B2 (en) | Expanding method | |
JP6249586B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP2007027562A (en) | Method of fracturing bonding film attached on wafer | |
JP4744957B2 (en) | Breaker for adhesive film mounted on wafer | |
JP2009272503A (en) | Breaking device and breaking method for filmy adhesive | |
JP4767122B2 (en) | Method for replacing tape and method for dividing substrate using the method for replacing tape | |
JP6710889B2 (en) | Work dividing device and work dividing method | |
JP6041065B2 (en) | Work dividing device | |
JP5536555B2 (en) | Expansion tape shrink device | |
JP2004193241A (en) | Dividing method of semiconductor wafer | |
JP4927582B2 (en) | Breaking method of adhesive film mounted on backside of wafer | |
JP2006294731A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
JP6314047B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4971869B2 (en) | Adhesive film breaker | |
JP6376363B2 (en) | Work dividing device | |
JP6298699B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4385705B2 (en) | Expanding method | |
JP5345348B2 (en) | Breaking method and breaking device | |
KR101831453B1 (en) | Work dividing device and method for dividing work | |
JP6301658B2 (en) | Wafer processing method | |
JP7437963B2 (en) | Expanding device | |
JP2018160504A (en) | Tape-peeling device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160505 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5939451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |