JP5923946B2 - 半導体ウェーハの製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
10 反応炉
11 サセプタ
12 サセプタリング
13 ランプ
13a 上部ランプ
13b 下部ランプ
14 カメラ
14a 冷却水導入口
14b 冷却水排出口
15 システム制御部
15a 画像処理部
15b データベース
15c 温度制御部
16 ガス導入口
17 ガス排出口
18 カメラ取り付け穴
21 回転軸
22 非接触搬送部材
23 ウェーハ搬入口
24 石英シース
25 石英板フィルタ
26 方眼紙
Claims (11)
- 半導体ウェーハを熱処理する半導体ウェーハの製造方法であって、
反応炉を加熱して所定の温度に設定する工程と、
前記反応炉内に半導体ウェーハを搬入し、前記反応炉内のサセプタ上に前記半導体ウェーハを載置する工程と、
前記反応炉の側方に設置されたカメラで前記半導体ウェーハをその端面方向から撮影する工程とを備え、
前記カメラは、前記サセプタ上に載置直後から一定時間内における前記半導体ウェーハの反り挙動を連続撮影し、前記カメラにより撮影された画像に写る前記半導体ウェーハのエッジの位置及び前記反応炉内の部材の位置から前記半導体ウェーハの反り量を算出することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 前記半導体ウェーハの反り量に基づいて前記反応炉を加熱するランプのパワーを調整する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記反応炉内で反った前記ウェーハのエッジ部が、前記サセプタの上方で前記半導体ウェーハの吸着を解除して前記サセプタに移載する搬送部材と接触しないように、前記半導体ウェーハの搬入時における前記反応炉内の温度を決定する、請求項2に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記反応炉の側方にはウェーハ搬入口及びガス導入口が設けられており、
前記反応炉の側方であって、前記サセプタから見て前記ウェーハ搬入口及び前記ガス導入口と対向する位置にはガス排出口及びカメラ取り付け穴が設けられており、
前記カメラは、前記カメラ取り付け穴から当該反応炉内に挿入されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法。 - 前記反応炉内の温度が相対的に高いときには前記カメラのシャッタースピードを速くし、前記反応炉内の温度が相対的に低いときには前記カメラのシャッタースピードを遅くすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 半導体ウェーハを熱処理する半導体ウェーハの製造方法であって、
反応炉を加熱して所定の温度に設定する工程と、
前記反応炉内に半導体ウェーハを搬入し、前記反応炉内のサセプタ上に前記半導体ウェーハを載置する工程と、
前記反応炉の側方に設置されたカメラで前記サセプタ上の前記半導体ウェーハの反りを当該半導体ウェーハの端面方向から撮影する工程とを備え、
前記反応炉の側方にはウェーハ搬入口及びガス導入口が設けられており、
前記反応炉の側方であって、前記サセプタから見て前記ウェーハ搬入口及び前記ガス導入口と対向する位置にはガス排出口及びカメラ取り付け穴が設けられており、
前記カメラは、前記カメラ取り付け穴から当該反応炉内に挿入されることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 半導体ウェーハの熱処理が行われる反応炉と、
前記反応炉内において前記半導体ウェーハを支持するサセプタと、
前記反応炉を加熱する複数のランプと、
前記反応炉の側方に設置され、前記半導体ウェーハをその端面方向から撮影するカメラと、
前記カメラにより撮影された画像に写る前記半導体ウェーハのエッジの位置及び前記反応炉内の部材の位置から前記半導体ウェーハの反り量を算出する画像処理部とを備え、
前記カメラは、前記サセプタ上に載置直後から一定時間内における前記半導体ウェーハの反り挙動を連続撮影することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記半導体ウェーハの撮影時における前記反応炉内の温度と前記半導体ウェーハの反り量との関係を対応付けて記録するデータベースをさらに備えることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体製造装置。
- 前記複数のランプのパワーを制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記半導体ウェーハと同一品種の成膜処理を行う場合に、前記データベースを参照して、前記同一品種の半導体ウェーハの搬入時における前記反応炉内の温度を決定することを特徴とする請求項8に記載の半導体製造装置。 - 前記制御部は、前記反応炉内で反った前記ウェーハのエッジ部が、前記サセプタの上方で前記半導体ウェーハの吸着を解除して前記サセプタに移載する搬送部材と接触しないように、前記半導体ウェーハの搬入時における前記反応炉内の温度を決定する、請求項9に記載の半導体製造装置。
- 半導体ウェーハの熱処理が行われる反応炉と、
前記反応炉内において前記半導体ウェーハを支持するサセプタと、
前記反応炉を加熱する複数のランプと、
前記反応炉の側方に設けられたウェーハ搬入口及びガス導入口と、
前記反応炉の側方であって、前記サセプタから見て前記ウェーハ搬入口及び前記ガス導入口と対向する位置に設けられたガス排出口及びカメラ取り付け穴と、
前記反応炉内に搬入され、前記サセプタ上に載置された前記半導体ウェーハの反りを撮影するカメラとを備え、
前記カメラは、前記カメラ取り付け穴から前記反応炉内に挿入され、前記半導体ウェーハをその端面方向から撮影することを特徴とする半導体製造装置。
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