JP5919024B2 - 薄膜試料の比表面積測定方法及び装置 - Google Patents
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Description
上記特定元素の吸収端前後のエネルギーのX線を上記薄膜に照射するX線照射ステップと、
上記X線が照射された試料から放出された電子及び蛍光X線をそれぞれ検出する検出ステップと、
上記電子の放出量に基いてX線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Ic=α×S(αは上記電子の検出に関する装置定数である。)を得る電子収量検出ステップと、
上記蛍光X線の放出量に基いてX線照射領域内の上記特定元素の量Mに比例する蛍光X線収量If=β・M(βは上記蛍光X線の検出に関する装置定数である。)を得る蛍光X線収量検出ステップと、
基材上の薄膜の特定元素量M及び特定元素の表面積Sが既知である標準試料について、上記X線照射ステップ、上記検出ステップ、上記電子収量検出ステップ及び上記蛍光X線収量検出ステップを実行することにより、当該標準試料の電子収量Ic及び蛍光X線収量Ifを求め、該標準試料に係る電子収量Icと表面積Sとに基いて装置定数α=Ic/Sを求め、蛍光X線収量Ifと特定元素量Mとに基いて装置定数β=If/Mを求める装置定数算出ステップと、
上記薄膜試料の上記電子収量Icと上記蛍光X線収量Ifと、上記装置定数算出ステップで得た装置定数α及びβとに基いて、上記薄膜試料の当該薄膜における上記特定元素に係る比表面積SA=(Ic/If)・(β/α)を算出する処理ステップとを備えていることを特徴とする。
Ic;電子収量(X線吸収強度)
α;放出電子の検出に関する装置定数(m−2)
S;特定元素の表面積(m2)
If=β・M …(2)
M=S0・ρ・d
If;蛍光X線収量(X線吸収強度)
β;蛍光X線の検出に関する装置定数(g−1)
S0;X線照射面積(m2)
ρ;特定元素の密度(g・m−3)
d;膜厚(m)
上記特定元素の吸収端前後のエネルギーのX線を上記薄膜に照射するX線照射部と、
上記X線照射部によるX線が照射された試料から放出された電子を検出する電子検出部と、
上記X線照射部によるX線が照射された試料から放出された蛍光X線を検出する蛍光X線検出部と、
上記電子検出部で検出された電子放出量に基いて、X線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Icを得る電子収量検出部と、
上記蛍光X線検出部で検出された蛍光X線放出量に基いて、X線照射領域内の上記特定元素の量Mに比例する蛍光X線収量Ifを得る蛍光X線収量検出部と、
上記電子収量検出部で検出された電子収量Icと、上記蛍光X線収量検出部で検出された蛍光X線収量Ifとに基いて、上記薄膜における上記特定元素に係る比表面積SAを算出する処理部とを備えている。上記電子収量検出部、上記蛍光X線収量検出部及び上記処理部に関する好ましい態様は次のとおりである。
薄膜試料の比表面積測定方法に用いる装置について説明する。ここに、薄膜試料は、基材上に特定元素を含有する薄膜が設けられたものである。
上記蛍光X線収量スペクトル数値化部28は、蛍光X線収量スペクトル検出部28で得られたX線吸収スペクトルを数値化する。すなわち、蛍光X線収量スペクトル数値化部28は、上記電子収量スペクトル数値化部27と同様に、X線吸収スペクトルを吸収端で規格化する。これにより、X線吸収スペクトルの吸収端が基準となってX線吸収スペクトルの強度が数値化され、特定元素に係る蛍光X線収量(X線吸収強度)Ifが得られる。この蛍光X線収量Ifは、式(2)で表されるように、X線照射領域内の特定元素量Mに比例する。
M=S0・ρ・d
S0;X線照射面積(m2)
ρ;特定元素の密度(g・m−3)
d;膜厚(m)
=(Ic/If)・(β/α)
=S/(S0・ρ・d) …(3)
上記比表面積測定装置1を用いた比表面積測定方法を説明する。まず、基材上に特定元素を含有する薄膜が設けられている薄膜試料Wをチャンバー2の試料ホルダ3に保持する。チャンバー2内の真空引きを行なった後、チャンバー2内が大気圧になるまでヘリウムガスを導入する。X線照射部14によりX線を試料Wの薄膜面に照射する(X線照射ステップ)。このX線の掃引範囲は、特定元素の吸収端を含む所定エネルギー範囲とする。
厚さ20μmの銅基板にAg(銀)を膜厚2.2nmとなるように蒸着させた被験試料Aと、厚さ1mmのシリコン基板にAgを膜厚2.1nmとなるように蒸着させた被験試料Bとを作製した。また、厚さ0.6μmの平滑なPP基板にAgを膜厚141nmとなるように蒸着させた標準試料を作成した。図2は被験試料Aの表面のSEM(走査型電子顕微鏡)写真であり、図3は被験試料Bの表面のSEM写真である。
この実施形態では、装置定数α及び装置定数β各々を上記記憶部30に記憶させる。上記処理部29において、記憶部30の装置定数α,βを用いて、特定元素の表面積S及び特定元素量M各々を算出して比表面積SAを求める。
5 微小電流検出器(電子検出部)
14 X線照射部
20 蛍光X線検出器(蛍光X線検出部)
25 電子収量スペクトル検出部
26 蛍光X線収量スペクトル検出部
27 電子収量スペクトル数値化部
28 蛍光X線収量スペクトル数値化部
29 処理部
30 記憶部
W 試料
Claims (3)
- 基材上に特定元素を含有する薄膜が設けられている薄膜試料の当該薄膜における特定元素の単位質量当たりの表面積である比表面積を測定する薄膜試料の比表面積測定方法であって、
上記特定元素の吸収端前後のエネルギーのX線を上記薄膜に照射するX線照射ステップと、
上記X線が照射された試料から放出された電子及び蛍光X線をそれぞれ検出する検出ステップと、
上記電子の放出量に基いてX線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Ic=α×S(αは上記電子の検出に関する装置定数である。)を得る電子収量検出ステップと、
上記蛍光X線の放出量に基いてX線照射領域内の上記特定元素の量Mに比例する蛍光X線収量If=β・M(βは上記蛍光X線の検出に関する装置定数である。)を得る蛍光X線収量検出ステップと、
基材上の薄膜の特定元素量M及び特定元素の表面積Sが既知である標準試料について、上記X線照射ステップ、上記検出ステップ、上記電子収量検出ステップ及び上記蛍光X線収量検出ステップを実行することにより、当該標準試料の電子収量Ic及び蛍光X線収量Ifを求め、該標準試料に係る電子収量Icと表面積Sとに基いて装置定数α=Ic/Sを求め、蛍光X線収量Ifと特定元素量Mとに基いて装置定数β=If/Mを求める装置定数算出ステップと、
上記薄膜試料の上記電子収量Icと上記蛍光X線収量Ifと、上記装置定数算出ステップで得た装置定数α及びβとに基いて、上記薄膜試料の当該薄膜における上記特定元素に係る比表面積SA=(Ic/If)・(β/α)を算出する処理ステップとを備えていることを特徴とする薄膜試料の比表面積測定方法。 - 基材上に特定元素を含有する薄膜が設けられている薄膜試料の当該薄膜における特定元素の単位質量当たりの表面積である比表面積を測定する薄膜試料の比表面積測定装置であって、
上記特定元素の吸収端前後のエネルギーのX線を上記薄膜に照射するX線照射部と、
上記X線照射部によるX線が照射された試料から放出された電子を検出する電子検出部と、
上記X線照射部によるX線が照射された試料から放出された蛍光X線を検出する蛍光X線検出部と、
上記電子検出部で検出された電子放出量に基いて、X線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Icを得る電子収量検出部と、
上記蛍光X線検出部で検出された蛍光X線放出量に基いて、X線照射領域内の上記特定元素の量Mに比例する蛍光X線収量Ifを得る蛍光X線収量検出部と、
上記電子収量検出部で検出された電子収量Icと、上記蛍光X線収量検出部で検出された蛍光X線収量Ifとに基いて、上記薄膜における上記特定元素に係る比表面積SAを算出する処理部とを備え、
上記電子収量検出部は、上記電子検出部で検出された電子放出量に基いてX線の吸収係数に関するX線吸収スペクトルを得る電子収量スペクトル検出部と、該電子収量スペクトル検出部で検出したX線吸収スペクトルを数値化して、式(1)で表されるX線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Icを得る電子収量スペクトル数値化部とを備え、
Ic=α×S …(1)
(αは上記電子の検出に関する装置定数である。)
上記蛍光X線収量検出部は、上記蛍光X線検出部で検出された蛍光X線放出量に基いてX線の吸収係数に関するX線吸収スペクトルを得る蛍光X線収量スペクトル検出部と、該蛍光X線収量スペクトル検出部で検出したX線吸収スペクトルを数値化して、式(2)で表されるX線照射領域内の特定元素量Mに比例する蛍光X線収量Ifを得る蛍光X線収量スペクトル数値化部とを備え、
If=β・M …(2)
(βは上記蛍光X線の検出に関する装置定数である。)
上記処理部は、上記電子の検出に関する装置定数αに対する上記蛍光X線の検出に関する装置定数βの比を装置定数比β/αとして記憶する記憶部を有し、上記電子収量スペクトル数値化部で数値化された電子収量Icと、上記蛍光X線収量スペクトル数値化部で数値化された蛍光X線収量Ifと、上記記憶部の装置定数比β/αとに基いて、式(3)による演算によって上記特定元素に係る比表面積SAを得ることを特徴とする薄膜試料の比表面積測定装置。
SA=S/M=(Ic/If)・(β/α) …(3) - 基材上に特定元素を含有する薄膜が設けられている薄膜試料の当該薄膜における特定元素の単位質量当たりの表面積である比表面積を測定する薄膜試料の比表面積測定装置であって、
上記特定元素の吸収端前後のエネルギーのX線を上記薄膜に照射するX線照射部と、
上記X線照射部によるX線が照射された試料から放出された電子を検出する電子検出部と、
上記X線照射部によるX線が照射された試料から放出された蛍光X線を検出する蛍光X線検出部と、
上記電子検出部で検出された電子放出量に基いて、X線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Icを得る電子収量検出部と、
上記蛍光X線検出部で検出された蛍光X線放出量に基いて、X線照射領域内の上記特定元素の量Mに比例する蛍光X線収量Ifを得る蛍光X線収量検出部と、
上記電子収量検出部で検出された電子収量Icと、上記蛍光X線収量検出部で検出された蛍光X線収量Ifとに基いて、上記薄膜における上記特定元素に係る比表面積SAを算出する処理部とを備え、
上記電子収量検出部は、上記電子検出部で検出された電子放出量に基いてX線の吸収係数に関するX線吸収スペクトルを得る電子収量スペクトル検出部と、該電子収量スペクトル検出部で検出したX線吸収スペクトルを数値化して、式(1)で表されるX線照射領域の上記特定元素の表面積Sに比例する電子収量Icを得る電子収量スペクトル数値化部とを備え、
Ic=α×S …(1)
(αは上記電子の検出に関する装置定数である。)
上記蛍光X線収量検出部は、上記蛍光X線検出部で検出された蛍光X線放出量に基いてX線の吸収係数に関するX線吸収スペクトルを得る蛍光X線収量スペクトル検出部と、該蛍光X線収量スペクトル検出部で検出したX線吸収スペクトルを数値化して、式(2)で表されるX線照射領域内の特定元素量Mに比例する蛍光X線収量Ifを得る蛍光X線収量スペクトル数値化部とを備え、
If=β・M …(2)
(βは上記蛍光X線の検出に関する装置定数である。)
上記処理部は、上記電子の検出に関する装置定数α及び上記蛍光X線の検出に関する装置定数βを記憶する記憶部を有し、上記電子収量スペクトル数値化部で数値化された電子収量Icと上記記憶部の電子の検出に関する装置定数αとに基いてX線照射領域の上記特定元素の表面積Sを算出し、上記蛍光X線収量スペクトル数値化部で数値化された蛍光X線収量Ifと上記記憶部の蛍光X線の検出に関する装置定数βとに基いてX線照射領域内の上記特定元素量Mを算出し、上記特定元素の表面積Sと上記特定元素量Mとに基いて該特定元素に係る比表面積SAを算出することを特徴とする薄膜試料の比表面積測定装置。
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