JP5915506B2 - サファイア単結晶の製造方法及び種結晶 - Google Patents
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Description
この方法は原料全てを単結晶化させるため、非常に歩留まりの高い製法ではあるが、GaN基板に用いられるc軸結晶の製作が難しいため、一般にはa軸結晶を製作した後、a軸と垂直なc軸にインゴットを刳り抜く作業が必要となり、このため、LED用c軸結晶基板を製造する場合には、その歩留まりは低くなってしまう。
CZ法では、原料である高純度アルミナを溶解した後、サファイア単結晶からバンドソー又はワイヤーソーで切り出された種結晶を融液に着液させてから引上げを行う。この際、上記のような抵抗加熱ヒータにより融液を加熱する場合には、融液に着液する前に、種結晶の底面ではなく、側面から溶け落ちるという問題が発生した。
このような側面に研磨加工が施された種結晶を用いることで、側面における吸熱を抑制し、種結晶の底面を着液させて溶融する前に側面が溶け落ちることを、より効果的に防止することができる。
このような全面に研磨加工が施された種結晶を用いることで、赤外線の透過率がさらに高く、着液前に種結晶が溶けることを確実に防止することができる。
このような表面粗さの種結晶を用いることで、赤外線の透過率が十分に高く、熱により種結晶が溶けることを、より効果的に防止できる。
このような表面粗さであれば、赤外線の透過率が十分に高く、熱により溶けることをより効果的に防止できる種結晶となる。
このような問題に対して、本発明者らは以下のような検討を行った。
図4に示すように、室温において、サファイアは、0.5μmから5μmの波長域で85%程度の透過率を有する。また、図5に示すように、温度が上がると吸収しやすくはなるが、それでも吸収熱量はごく僅かである。しかし、バンドソーやワイヤーソーから切り出された種結晶の場合、その表面が粗いために赤外線が透過しにくく、表層温度が高くなってしまい溶損に至るものと考えられる。本発明者らは、この問題を解決するため、切削された種結晶に、例えばダイヤモンド砥粒を用いた研磨処理を施すことで、種結晶の表面での赤外線吸収を抑制して、溶損を防止できることを見出して、本発明を完成させた。
図1は、本発明の種結晶の一例を示す概略図である。
そして、本発明では、融液に着液させる種結晶として、研磨加工が施された種結晶を用いる。
側面は、抵抗加熱ヒータからの熱を受けやすく、また、側面が溶けると着液させる底面とともに種結晶の下部が溶け落ちてしまうため、例えば側面のみを研磨することで、効率的に種結晶の溶損を防止することができる。
上記のように全面を研磨することで、種結晶の赤外線透過率をより高くすることができ、溶損をより効果的に防止することができる。
このような表面粗さであれば、赤外線の透過率が十分に高く、種結晶が抵抗加熱ヒータからの熱で溶けることをより効果的に防止できる。
単結晶製造装置23は、ルツボ14を囲繞し、ルツボ14内の原料を加熱する抵抗加熱ヒータ22と、ルツボ14を配置するメインチャンバー11とを備えたものである。さらに、メインチャンバー11上にゲートバルブ12で仕切り可能に接続されたプルチャンバー13を備えることもできる。このようなプルチャンバー13を有することで、ヒータ電源を落とすことなく原料のチャージを行うことができる。
(実施例、比較例)
図2の装置を用いて、等方性黒鉛ならびに、炭素繊維を成型した断熱材を用いた炉内に、15kgの高純度アルミナを入れたモリブデンルツボをセットし、抵抗加熱ヒータで加熱して溶融した。その後、10mm角×100mm長さの直方体のc軸種結晶をゆっくりと降ろしていき、着液させて種付けを行った。
12…ゲートバルブ、 13…プルチャンバー、 14…ルツボ、 15…融液、
16…断熱材、 17…サファイア単結晶、 18…金属製保持具、
19…ルツボ支持軸、 20…単結晶引上げ軸、 21…種ホルダー、
22…ヒータ、 23…単結晶製造装置、 24…真空ポンプ、
25…ガス導入管、 26…ガス排出管。
Claims (4)
- CZ法により、タングステン又はモリブデン、あるいはタングステンとモリブデンの両方を主成分とするルツボ内で原料を抵抗加熱ヒータによって加熱溶融して得られた融液に、種結晶を着液させて引上げることによりサファイア単結晶を製造する方法であって、
前記融液に着液させる種結晶として、研磨加工が施されて表面粗さRa値を100nm以下とした種結晶を用いることを特徴とするサファイア単結晶の製造方法。 - 前記融液に着液させる種結晶として、側面に研磨加工が施された種結晶を用いることを特徴とする請求項1に記載のサファイア単結晶の製造方法。
- 前記融液に着液させる種結晶として、全面に研磨加工が施された種結晶を用いることを特徴とする請求項1に記載のサファイア単結晶の製造方法。
- CZ法によりサファイア単結晶を製造する際に用いられる種結晶であって、該種結晶は、表面粗さRa値が100nm以下の研磨面を有するものであることを特徴とする種結晶。
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