JP5907259B2 - 磁気ディスクの製造方法および情報記録媒体用ガラス基板 - Google Patents
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Description
本発明は磁気ディスクの製造方法および情報記録媒体用ガラス基板に関し、特には高温で磁気記録層を形成する磁気ディスクの製造方法およびそのような製造方法に好適なガラス基板に関する。
近年、ハードディスクドライブの記録容量の増大に伴い、高記録密度化がハイペースで進行している。しかし、高記録密度化に伴い、磁性粒子の微細化が熱安定性を損ない、クロストークまたは再生信号のＳＮ比低下が問題となっている。
そこで、光と磁気の融合技術として熱アシスト磁気記録技術が注目されている。これは、磁気記録層にレーザ光または近接場光を照射して局所的に加熱した部分の保磁力を低下させた状態で外部磁界を印加して記録し、ＧＭＲ素子等で記録磁化を読み出す技術であり、高保持力媒体に記録できるため、熱安定性を保ちながら磁性粒子を微細化することが可能となる。
しかし、高保持力媒体を多層膜にして成膜するには、基板を十分に加熱する必要があり、高耐熱基板が求められる。
また、垂直磁気記録方式においても高記録密度化の要求に応えるべく従来のものとは異なる磁気記録層が提案されているが、そのような磁気記録層の形成は基板を高温にして行う必要があることが多い。
ところで、先に述べた熱アシスト磁気記録技術に対応できる基板としてシリコン基板が提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、シリコン基板にはガラス基板に比べて一般的に強度の点で懸念がある。したがって、基板を高温にして磁気記録層を形成する磁気ディスクの製造においてもガラス基板を用いるようにすることが好ましい。
したがって、本発明はこのような磁気ディスクの製造方法およびそのような製造方法に好適な情報記録媒体用ガラス基板を製造する方法の提供を目的とする。
本発明は、温度が５５０℃以上であるガラス基板の上に磁気記録層を形成する工程を含む磁気ディスクの製造方法であって、
該ガラス基板がモル百分率表示で、ＳｉＯ２を６３〜７１％未満、Ａｌ２Ｏ３を１１〜１４％、Ｂ２Ｏ３を０〜２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１８％超２６％以下含有し、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏのいずれか１成分以上を合計で１％未満含有する、もしくはこれら３成分のいずれも含有しないものである磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板がモル百分率表示で、ＭｇＯおよびＣａＯのいずれか１成分以上を合計で１０．５〜２０％含有する前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板がモル百分率表示で、ＭｇＯを６％以上含有する前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板が、質量百分率表示でＡｌ２Ｏ３を１８％超含有する前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板の粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１７１０℃以下である前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板の徐冷点が６５０℃以上である前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板の比弾性率が３２ＭＮｍ・ｋｇ以上である前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板の耐酸性指標Ａが０．０２５ｎｍ／ｈ以下である前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、前記ガラス基板の耐アルカリ性指標Ｂが０．２８ｎｍ／ｈ以下である前記磁気ディスクの製造方法を提供する。
また、モル百分率表示で、ＳｉＯ２を６３〜７１％未満、Ａｌ２Ｏ３を１１〜１４％、Ｂ２Ｏ３を０〜２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１８％超２６％以下含有し、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏのいずれか１成分以上を合計で１％未満含有する、またはこれら３成分のいずれも含有しない情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
また、モル百分率表示で、ＭｇＯおよびＣａＯのいずれか１成分以上を合計で１０．５〜２０％含有する前記情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
また、モル百分率表示で、ＭｇＯを６％以上含有する前記情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
また、質量百分率表示でＡｌ２Ｏ３を１８％超含有する前記情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
また、ＳｉＯ２の含有量（モル百分率）を、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量（モル百分率）の合量ＲＯで除した値が４．３以下である前記情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
また、前記情報記録媒体が磁気ディスクである前記情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
本発明のうちこれらガラス基板に係る発明は、磁気記録層を形成する磁気ディスクの製造において基板を高温にできるようにするだけでなく、次に述べるように製造を容易にすることも目的とするものである。
国際公開第２０１１／１３６０２７号には、耐熱性に優れるガラスの組成が開示されている。しかし、その実施例１４に示される組成のガラスは粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が高いため、溶解性が悪くかつ泡などの欠点を除去しにくいことが明らかとなった。
また、国際公開第２０１１／１３６０２７号の実施例１４に示される組成のガラスは、比弾性率が３１．２ＭＮｍ・ｋｇと低く、ディスクの高速回転時にフラッタリング現象が起きやすく高記録密度に対応できないことが明らかとなった。さらに、該組成のガラスは、耐酸性が不十分であり、研磨工程等の後に面荒れなどの現象が起きやすく高記録密度に対応できないことも明らかとなった。また、該組成のガラスは、耐アルカリ性が不十分であり、洗浄工程等の後に面荒れなどの現象が起きやすく高記録密度に対応できないことも明らかとなった。
本発明者は先に述べたような事実を見出し、熱アシスト磁気記録技術に適用できる耐熱性を持ち、優れた機械的特性を持ち、優れた化学耐久性を持ちながら、かつ溶解性にも優れたガラス基板の提供を目的とする本発明のガラス基板の発明をなすに至った。
また、本発明は、ガラス板をガラス円板に加工する円板加工工程、ガラス円板の主表面をラッピングするラッピング工程、ガラス円板のラッピングされた主表面を研磨する主表面研磨工程およびこれら工程間、これら工程内またはこれら工程後においてガラス円板を洗浄する洗浄工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、ガラス板がモル百分率表示で、ＳｉＯ２を６０〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を７〜１７％、Ｂ２Ｏ３を０〜２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１８％超２６％以下含有し、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏのいずれか１成分以上を合計で１％未満含有する、もしくはこれら３成分のいずれも含有しないものである情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス円板は中央に孔を有するいわゆるドーナツ形状のものでもよいし、孔を有さないものでもよい。また、端面については通常は面取り加工が行われる他、エッチング処理または鏡面研磨が行われることがある。
また、前記ガラス基板の徐冷点が６５０℃以上である前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
また、フロート法またはダウンドロー法を用いて前記ガラス基板を製造する前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。ダウンドロー法としては、例えば、フュージョン法およびスリットダウンドロー法が挙げられる。
また、前記情報記録媒体が磁気ディスクである前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、ガラス基板に高温で磁気記録層を形成することができるので磁気ディスクの高記録密度化が可能になる。また、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、磁気記録層を形成するガラス基板の比弾性率が高く、研磨工程または洗浄工程等での面荒れを起こしにくいことから、高記録密度に対応できる磁気ディスクを得ることができる。
また、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、高温で磁気記録層を形成でき、磁気ディスクの高密度化を可能とするガラス基板である。
また、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス基板の研磨工程等での酸性の研磨スラリー液（以下、酸液という。）に対する面荒れを起こしにくく、本発明の情報記録媒体用ガラス基板を用いることにより高記録密度の情報記録媒体を生産性良く製造することが可能になる。ガラス基板が酸液に対して面荒れが起こしやすいと、ｐＨの大きい酸液への代替が必要となる。ｐＨの大きい酸液を使用したガラス基板の研磨では研磨速度が低下し所定の研磨量に要する時間がかかり生産性が低下する。あるいは面荒れを起こすまでの研磨時間が短くなり、所定の表面あらさに到達しなくなる。
また、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス基板の洗浄工程等でのアルカリ液に対する面荒れを起こしにくく、本発明の情報記録媒体用ガラス基板を用いることにより高記録密度の情報記録媒体を生産性良く製造することが可能になる。ガラス基板がアルカリ液に対して面荒れが起こしやすいと、ｐＨの小さいアルカリ液への代替が必要となる。ｐＨの小さいアルカリ液を使用したガラス基板の洗浄では洗浄力が低下し、所定の清浄度を有するまでの所要時間がかかり生産性が低下する。あるいは面荒れを起こすまでの時間が短くなり、所定の清浄度に到達しなくなる。
また、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、高温で磁気記録層を形成できるだけでなく、溶解性すなわち量産性に優れた情報記録媒体用ガラス基板である。
本発明の磁気ディスクの製造方法に用いる磁気記録層の材料としてはＦｅＰｔまたはＳｍＣｏ５が典型的である。
前記磁気記録層は温度が典型的には５５０℃以上であるガラス基板の上に形成される。該ガラス基板の温度は必要に応じてたとえば６００℃以上または６５０℃以上にすることが好ましい。なお、該ガラス基板の温度は通常８００℃以下とする。
本発明の磁気ディスクの製造方法においては、必要に応じて、ガラス基板と磁気記録層の間に下地層などの層が形成され、また、必要に応じて、磁気記録層の上に保護膜などの層が形成される。
本発明の磁気ディスクの製造方法で用いられるガラス基板を構成するガラス（以下、基板ガラスまたは本発明のガラスということがある。）および本発明のガラス基板の徐冷点ＴＡは、磁気記録層形成時のガラスの変形を抑止し磁気ディスクが正常に読み書きができるように６５０℃以上であることが好ましい。より好ましくは７００℃以上、特に好ましくは７５０℃以上であり、典型的には８００℃以下である。
基板ガラスの粘度は、溶解性を良好なものとするために、１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２は１７１０℃以下であることが好ましい。より好ましくは１７００℃以下、さらに好ましくは１６８０℃以下である。
本発明のガラスの密度は、ディスク回転を安定化させ、回転モーターの負荷を軽減し、消費電力を小さくし、モーターの発熱による排熱の負荷を小さくするために、また、ガラスを傷つきにくくするため好ましくは２．７ｇ／ｃｍ３以下、典型的には２．６２ｇ／ｃｍ３以下である。
基板ガラスの比弾性率は、高速回転時にフラッタリング現象が起きにくく高記録密度に対応するため３２ＭＮｍ／ｋｇ以上であることが好ましい。より好ましくは３２．５ＭＮｍ／ｋｇ以上、さらに好ましくは３３ＭＮｍ／ｋｇ以上である。
基板ガラスの耐酸性指標Ａは、研磨工程等における面荒れなどの現象が起きずに高記録密度に対応するため０．０２５ｎｍ／ｈ以下であることが好ましい。より好ましくは０．０２ｎｍ／ｈ以下である。
基板ガラスの耐アルカリ性指標Ｂは、洗浄工程等における面荒れなどの現象が起きずに高記録密度に対応するため０．２８ｎｍ／ｈ以下であることが好ましい。より好ましくは０．２７ｎｍ／ｈ以下である。
耐酸性指標Ａは以下の測定方法により決定する。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとする。これを室温に保持したｐＨ＝２（０．０１モル／リットル）のＨＮＯ３水溶液に３時間浸漬する。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得る。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出する。
耐酸性指標Ａ＝１０００×Ｌ１／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐酸性指標Ａの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ１はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとする。これを室温に保持したｐＨ＝２（０．０１モル／リットル）のＨＮＯ３水溶液に３時間浸漬する。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得る。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出する。
耐酸性指標Ａ＝１０００×Ｌ１／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐酸性指標Ａの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ１はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
耐アルカリ性指標Ｂは以下の測定方法により決定する。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとする。これを室温に保持したｐＨ＝１２（０．０１モル／リットル）のＮａＯＨ水溶液に１００ｋＨｚの超音波を印加しながら３時間浸漬する。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得る。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出する。
耐酸性指標Ｂ＝１０００×Ｌ２／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐酸性指標Ｂの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ２はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとする。これを室温に保持したｐＨ＝１２（０．０１モル／リットル）のＮａＯＨ水溶液に１００ｋＨｚの超音波を印加しながら３時間浸漬する。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得る。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出する。
耐酸性指標Ｂ＝１０００×Ｌ２／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐酸性指標Ｂの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ２はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
次に本発明のガラスの組成について特に断らない限りモル百分率表示含有量を用いて説明する。
ＳｉＯ２は必須成分である。ＳｉＯ２は基板の軽量化のため、傷つきにくくするため、基礎的な化学的耐久性保持のために６０％以上である。好ましくは６３％以上、より好ましくは６５％以上、より好ましくは６６％以上である。一方、ガラスの粘性を下げ、溶解性を良好なものとし、本発明近傍組成での化学的耐久性の向上のために７５％以下とする。好ましくは７１％以下、より好ましくは７０％以下、より好ましくは６９％以下である。
Ａｌ２Ｏ３は必須成分である。Ａｌ２Ｏ３は耐熱性を向上させ、分相を抑制し、基板の研磨・洗浄後の基板表面の平滑さの維持のため、傷つきにくさの維持のために７％以上とする。好ましくは９％以上、より好ましくは１１％以上、より好ましくは１２％超、より好ましくは１２．５％超である。一方、ガラスの溶解性を良好なものとするためにＡｌ２Ｏ３は１７％以下とする。好ましくは１６％以下、より好ましくは１５％以下、より好ましくは１４％以下である。なお、Ａｌ２Ｏ３の含有量は１８質量％超であることが好ましい。
Ｂ２Ｏ３は必須成分ではないが、ガラスの溶解性や傷つきやすさを改善する効果があり含有してもよい。耐酸性の維持、ＴＡの向上のため２％未満とする。好ましくは１．５％以下、より好ましくは１．０％以下、より好ましくは０．５％以下である。
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはガラスの溶解性を改善し、耐酸性および耐アルカリ性を向上させる成分であり、いずれか１成分以上を合計（ＲＯ）量で１８％超含有しなければならない。好ましくは１８．５％以上、より好ましくは１９％以上である。一方、失透特性の向上、傷つきにくくするためにＲＯ量は２６％以下とする。好ましくは２４％以下、より好ましくは２２％以下である。
これら４成分の内ＭｇＯおよびＣａＯのいずれか１成分以上を１０．５％以上含有することが好ましい。溶解性を良好なものとするため、Ｔ２を低くする、傷つきにくくするためにＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計ＭｇＯ＋ＣａＯが１０．５％以上とすることが好ましい。より好ましくは１１％以上、さらに好ましくは１２％以上である。失透温度を低くし、成形を容易にするため、ＭｇＯ＋ＣａＯは２０％以下とすることが好ましい。より好ましくは１８％以下である。
ＳｉＯ２の含有量（モル百分率）を、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量（モル百分率）の合量ＲＯで除した値は、比弾性率を大きくし、耐酸性および耐アルカリ性を向上させ、粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２を低くするため４．３以下とすることが好ましい。より好ましくは４．１以下、さらに好ましくは３．９以下である。
なお、ＭｇＯはヤング率を高くする成分であり、ガラスの剛性を高める効果があるため６％以上含有させることが好ましい。より好ましくは７％以上である。
本発明のガラスは本質的に上記７成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。ただし、その場合であってもそれら成分の含有量の合計は、傷つきにくさの維持、耐酸性、耐アルカリ性の維持、比弾性の維持のため、５％未満である。以下では上記７成分以外の成分について例示的に説明する。
ＺｎＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯと同様の効果を奏する成分であり、５％未満の範囲で含有してもよい。ＺｎＯの含有量とＲＯの合計は１８％超２６％以下であることが好ましい。
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２ＯはＴＡを低下させるので、これら３成分の含有量の合計は１％未満、あるいは実質的に含有しないことが好ましい。
ＶなどＴｉよりも原子番号が大きな原子の酸化物はガラスを傷つきやすくするおそれがあるので、これら酸化物を含有する場合にはそれらの含有量の合計は３％以下とすることが好ましい。より好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下、最も好ましくは０．３％以下である。
ＳＯ３、Ｆ、Ｃｌ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３およびＳｎＯ２等は清澄剤として代表的な成分である。
表１中のＳｉＯ２〜ＢａＯの欄にモル百分率表示で示す組成を有する７種のガラスを用意した。なお、表１中のＭｇＣａはＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計、ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量の合計である。これらガラスについて、密度ｄ（単位：ｇ／ｃｍ３）、徐冷点ＴＡ（単位：℃）、ヤング率Ｅ（単位：ＧＰａ）、比弾性率Ｅ／ｄ（単位：ＭＮｍ／ｋｇ）、粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４（単位：℃）、粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２（単位：℃）、失透温度（単位：℃）、耐酸性指標Ａ、耐アルカリ性指標Ｂを測定した。
上記測定は次のようにして行った。
密度：泡のないガラス２０〜５０ｇについて、アルキメデス法にて測定した。
徐冷点：ＪＩＳ Ｒ３１０３（２００１年）に準じて測定した。
ヤング率：厚さが５〜１０ｍｍ、大きさが３ｃｍ×３ｃｍのガラス板について、超音波パルス法により測定した。
比弾性率：上記で求めたヤング率を密度で除して求めた。
Ｔ４、Ｔ２：回転粘度計により測定した。
失透温度：ガラスを乳鉢で２ｍｍ程度のガラス粒に粉砕し、このガラス粒を白金ボートに並べて置き、温度傾斜炉中で２４時間熱処理した。結晶が析出しているガラス粒の温度の最高値を失透温度とした。
密度：泡のないガラス２０〜５０ｇについて、アルキメデス法にて測定した。
徐冷点：ＪＩＳ Ｒ３１０３（２００１年）に準じて測定した。
ヤング率：厚さが５〜１０ｍｍ、大きさが３ｃｍ×３ｃｍのガラス板について、超音波パルス法により測定した。
比弾性率：上記で求めたヤング率を密度で除して求めた。
Ｔ４、Ｔ２：回転粘度計により測定した。
失透温度：ガラスを乳鉢で２ｍｍ程度のガラス粒に粉砕し、このガラス粒を白金ボートに並べて置き、温度傾斜炉中で２４時間熱処理した。結晶が析出しているガラス粒の温度の最高値を失透温度とした。
耐酸性指標Ａは以下の測定方法により決定した。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとした。これを室温に保持したｐＨ＝２（０．０１モル／リットル）のＨＮＯ３水溶液に３時間浸漬した。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得た。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出した。
耐酸性指標Ａ＝１０００×Ｌ１／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐酸性指標Ａの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ１はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとした。これを室温に保持したｐＨ＝２（０．０１モル／リットル）のＨＮＯ３水溶液に３時間浸漬した。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得た。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出した。
耐酸性指標Ａ＝１０００×Ｌ１／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐酸性指標Ａの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ１はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
耐アルカリ性指標Ｂは以下の測定方法により決定した。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとした。これを室温に保持したｐＨ＝１２（０．０１モル／リットル）のＮａＯＨ水溶液に１００ｋＨｚの超音波を印加しながら３時間浸漬した。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得た。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出した。
耐アルカリ性指標Ｂ＝１０００×Ｌ２／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐アルカリ性指標Ｂの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ２はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとした。これを室温に保持したｐＨ＝１２（０．０１モル／リットル）のＮａＯＨ水溶液に１００ｋＨｚの超音波を印加しながら３時間浸漬した。前記水溶液中に溶出した溶出Ｓｉ量をＩＣＰ質量分析法で分析して測定値を得た。前記溶出Ｓｉ量、ガラス中のＳｉＯ２含有量およびガラスの密度から、ガラスのエッチング速度を下記式により算出した。
耐アルカリ性指標Ｂ＝１０００×Ｌ２／［ｄ×Ｐ×（Ｓｉの原子量＝２８）／（ＳｉＯ２の分子量＝６０）］／３
耐アルカリ性指標Ｂの単位はｎｍ／ｈ、Ｌ２はガラス板単位面積当たりの前記溶出Ｓｉ量で単位はμｇ／ｃｍ２、ｄはガラスの密度で単位はｇ／ｃｍ３、Ｐはガラス中のＳｉＯ２の質量百分率表示含有量で単位は質量％である。
例１〜６は本発明で用いられる基板ガラスの例である。例７は比較のための基板ガラスである。
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１２年６月５日付で出願された日本特許出願（特願２０１２−１２７８７２）に基づいており、その全体が引用により援用される。
本発明は磁気ディスクおよび情報記録媒体用ガラス基板の製造に利用できる。
Claims (11)
- 温度が５５０℃以上であるガラス基板の上に磁気記録層を形成する工程を含む磁気ディスクの製造方法であって、
該ガラス基板がモル百分率表示で、ＳｉＯ２を６３〜７１％未満、Ａｌ２Ｏ３を１１〜１４％、Ｂ２Ｏ３を０〜２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１８％超２６％以下含有し、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏのいずれか１成分以上を合計で１％未満含有する、またはこれら３成分のいずれも含有しないものである磁気ディスクの製造方法。 - 前記ガラス基板がモル百分率表示で、ＭｇＯおよびＣａＯのいずれか１成分以上を合計で１０．５〜２０％含有する請求項１に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板がモル百分率表示で、ＭｇＯを６％以上含有する請求項１または２に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板が、質量百分率表示でＡｌ２Ｏ３を１８％超含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板の比弾性率が３２ＭＮｍ・ｋｇ以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板の耐酸性指標Ａが０．０２５ｎｍ／ｈ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板の耐アルカリ性指標Ｂが０．２８ｎｍ／ｈ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板の粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１７１０℃以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板の徐冷点が６５０℃以上である請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
- モル百分率表示で、ＳｉＯ２を６３〜７１％未満、Ａｌ２Ｏ３を１１〜１４％、Ｂ２Ｏ３を０〜２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１８％超２６％以下含有し、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏのいずれか１成分以上を合計で１％未満含有する、またはこれら３成分のいずれも含有しない情報記録媒体用ガラス基板。
- 前記情報記録媒体が磁気ディスクである請求項１０に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
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