JP5907035B2 - Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device - Google Patents

Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device Download PDF

Info

Publication number
JP5907035B2
JP5907035B2 JP2012223956A JP2012223956A JP5907035B2 JP 5907035 B2 JP5907035 B2 JP 5907035B2 JP 2012223956 A JP2012223956 A JP 2012223956A JP 2012223956 A JP2012223956 A JP 2012223956A JP 5907035 B2 JP5907035 B2 JP 5907035B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
substrate
optical waveguide
interconnect device
micromirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012223956A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014077825A (en
Inventor
西沢 元亨
元亨 西沢
青木 剛
剛 青木
秀史 村中
秀史 村中
重憲 青木
重憲 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2012223956A priority Critical patent/JP5907035B2/en
Publication of JP2014077825A publication Critical patent/JP2014077825A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5907035B2 publication Critical patent/JP5907035B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、光インターコネクトデバイスの製造方法と、光インターコネクトデバイスに関する。   The present invention relates to an optical interconnect device manufacturing method and an optical interconnect device.

近年、スーパーコンピュータ、ハイエンドサーバ、ルータなどの処理能力は飛躍的に向上している。装置内のボード間を接続するバックプレーンの伝送容量として1Tbpsを超える大容量化が求められている。このため、帯域の制約が厳しい電気配線によるインターコネクションに代わり、光インターコネクションの導入が検討されている。   In recent years, processing capabilities of supercomputers, high-end servers, routers, and the like have improved dramatically. A large capacity exceeding 1 Tbps is demanded as a transmission capacity of a backplane connecting between boards in the apparatus. For this reason, the introduction of optical interconnection is being considered in place of interconnection by electrical wiring, which has strict bandwidth restrictions.

特に、ラック内や機器内など、比較的伝送距離の短いボード間、またはボード内の光インターコネクションには、高集積化、軽量化が可能なポリマ光導波路を用いることが期待されている。   In particular, it is expected to use a polymer optical waveguide that can be highly integrated and reduced in weight for optical interconnection between boards within a relatively short transmission distance, such as in a rack or equipment.

光インターコネクションには、レーザダイオードやフォトダイオードなどの発光素子や受光素子が用いられる。面発光型や面受光型の光素子は、光の出射方向や受光方向が基板に対して垂直であり二次元アレイ化が可能なため、広帯域用の光インターコネクションに好適である。   For the optical interconnection, a light emitting element such as a laser diode or a photodiode or a light receiving element is used. A surface light emitting type or surface light receiving type optical element is suitable for broadband optical interconnection because the light emitting direction and light receiving direction are perpendicular to the substrate and can be two-dimensionally arrayed.

図1では、光導波路120が形成された基板110上に面型光素子140がフェイスアップあるいはフェイスダウン実装されている。面型光素子140と光導波路120との間で光結合を実現する場合、光導波路120から水平方向に出射されるビームを垂直方向に光路変換、または面型光素子140から垂直方向に出射されるビームを水平方向に光路変換する技術が用いられる。そのひとつの方法として、45度傾斜面に金属膜を形成した傾斜ミラー130がある。   In FIG. 1, a surface optical device 140 is mounted face up or face down on a substrate 110 on which an optical waveguide 120 is formed. When optical coupling is realized between the planar optical element 140 and the optical waveguide 120, a beam emitted from the optical waveguide 120 in the horizontal direction is optically changed in the vertical direction, or emitted from the planar optical element 140 in the vertical direction. A technique for changing the optical path of a horizontal beam in the horizontal direction is used. One method is an inclined mirror 130 in which a metal film is formed on a 45-degree inclined surface.

しかし、クラッド122、123で挟まれた導波路コア121の端面から出射するビームや、面型光素子140から出射するビームは、10〜30度程度の発散角を有する発散ビームである。ビーム径は、導波路コア121から90度光路変換を経て面型光素子140へ入射する場合、あるいはその逆の場合も、距離に対して概ね比例して拡がる。そのため、傾斜ミラー130によって面型光素子140と導波路コア121との間を高効率で光結合することは困難である。   However, the beam emitted from the end face of the waveguide core 121 sandwiched between the clads 122 and 123 and the beam emitted from the planar optical element 140 are divergent beams having a divergence angle of about 10 to 30 degrees. The beam diameter expands approximately in proportion to the distance when it enters the planar optical element 140 through 90-degree optical path conversion from the waveguide core 121 or vice versa. Therefore, it is difficult to optically couple the surface optical element 140 and the waveguide core 121 with high efficiency by the inclined mirror 130.

ビームの伝搬経路中にレンズを挿入してビーム径を絞ることも可能であるが、部品数増加によりコストアップとなるのに加えて、機器の小型化の妨げとなる。   Although it is possible to reduce the beam diameter by inserting a lens in the beam propagation path, the increase in the number of parts increases the cost and hinders downsizing of the device.

傾斜ミラーの反射面を楕円の凹面にしてビームを集光させる方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。まず、水酸化カリウムをエッチャントに用いた異方性エッチングでシリコン基板上に傾斜面を形成する。その後、フォトレジストにより傾斜面の一部に開口部を設け、フッ酸・硝酸・酢酸の混合液を用いた等方性エッチングにより傾斜面に楕円球状の凹部を形成する。凹部にAlを蒸着して集光ミラーを作製する。   There has been proposed a method of condensing a beam by making the reflecting surface of an inclined mirror into an elliptical concave surface (see, for example, Patent Document 1). First, an inclined surface is formed on a silicon substrate by anisotropic etching using potassium hydroxide as an etchant. Thereafter, an opening is provided in a part of the inclined surface with a photoresist, and an elliptical concave portion is formed on the inclined surface by isotropic etching using a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid and acetic acid. A condensing mirror is produced by evaporating Al in the recess.

この方法では、エッチングにより形成される楕円球の長径は50μm、短径は25μmである。したがって、導波路コアの断面寸法が10μm×10μm程度の光導波路への適用が可能である。ボード内あるいはボード間光インターコネクションで標準的に適用されるマルチモード光導波路では、コア断面寸法は数十μm×数十μmであり、この場合はより大きな楕円球凹部の形成が必要になる。しかし、傾斜面に形成されるフォトレジストは長時間のエッチングに耐えられず、均一な楕円球を形成できないため、大径の集光ミラーの作製が困難である。   In this method, the ellipsoid formed by etching has a major axis of 50 μm and a minor axis of 25 μm. Therefore, the waveguide core can be applied to an optical waveguide having a cross-sectional dimension of about 10 μm × 10 μm. In a multimode optical waveguide that is normally applied in an optical interconnection within a board or between boards, the core cross-sectional dimension is several tens of μm × several tens of μm. In this case, it is necessary to form a larger elliptical spherical recess. However, the photoresist formed on the inclined surface cannot withstand long-time etching and cannot form a uniform elliptical sphere, making it difficult to produce a large-diameter condensing mirror.

特開2001−141965JP 2001-141965 A 特開平9−40870JP 9-40870

光導波路のコア断面寸法に応じて適切に光路変換あるいは光結合を行うことのできる光インターコネクトデバイスの製造方法を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an optical interconnect device capable of appropriately performing optical path conversion or optical coupling according to the core cross-sectional dimension of an optical waveguide.

上記課題を解決すべく、光インターコネクトデバイスの製造方法は、
基板上に形成された樹脂層の所定の箇所に座グリ部を形成し、
前記基板を第1の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、
前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、
前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、
前記凹面上に反射膜を形成し、
前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する。
In order to solve the above-mentioned problems, a method for manufacturing an optical interconnect device is as follows:
A spot facing portion is formed at a predetermined position of the resin layer formed on the substrate,
In a state where the substrate is inclined in the first direction, a foamable resin is disposed in the spot facing portion,
While maintaining the inclination of the substrate, foaming and curing the foamable resin in a reduced pressure atmosphere,
Returning to normal pressure after the foaming and curing, the surface of the foamable resin in contact with the atmosphere is deformed into a concave surface,
Forming a reflective film on the concave surface;
A reflective film is formed on the concave surface to form a micromirror having a concave reflective surface inclined with respect to the substrate.

光導波路のコア断面寸法に応じて適切に光路変換あるいは光結合を行うことのできる光インターコネクトデバイスを製造することができる。   An optical interconnect device capable of appropriately performing optical path conversion or optical coupling according to the core cross-sectional dimension of the optical waveguide can be manufactured.

傾斜ミラーを用いた光路変換を説明する図である。It is a figure explaining the optical path conversion using an inclination mirror. 実施形態のマイクロミラーの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the micromirror of embodiment. 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the micromirror of embodiment. 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the micromirror of embodiment. 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the micromirror of embodiment. 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the micromirror of embodiment. 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the micromirror of embodiment. 図8の工程を説明する図である。It is a figure explaining the process of FIG. 実施形態のマイクロミラーを用いた光インターコネクトデバイスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the optical interconnect device using the micromirror of embodiment. 実施形態のマイクロミラー(光結合ミラー)が適用される光インターコネクションの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the optical interconnection to which the micro mirror (optical coupling mirror) of embodiment is applied.

以下で、図面を参照して発明の実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

図2は、実施形態のマイクロミラー30を用いた光インターコネクトデバイス10の概略構成図である。光インターコネクトデバイス10は、基板11上に形成された光導波路20と、光導波路20を伝搬するビームの方向を90度変換して集光するマイクロミラー30を含む。   FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the optical interconnect device 10 using the micromirror 30 of the embodiment. The optical interconnect device 10 includes an optical waveguide 20 formed on the substrate 11 and a micromirror 30 that condenses light by converting the direction of a beam propagating through the optical waveguide 20 by 90 degrees.

マイクロミラー30は、光導波路20が形成されている光導波路層26に設けられた座グリ部25内に配置されている。光導波路20は、下部クラッド22と上部クラッド23に挟まれた導波路コア21を含む。マイクロミラー30は、光導波路20の光伝搬方向に対して傾斜した凹面31aを有する傾斜体31と、傾斜体31の凹面31aに形成された反射膜32を有する。傾斜体31は減圧下で発泡硬化する発泡性樹脂で形成されている。   The micromirror 30 is disposed in a spot facing portion 25 provided in the optical waveguide layer 26 in which the optical waveguide 20 is formed. The optical waveguide 20 includes a waveguide core 21 sandwiched between a lower clad 22 and an upper clad 23. The micro mirror 30 includes an inclined body 31 having a concave surface 31 a inclined with respect to the light propagation direction of the optical waveguide 20, and a reflective film 32 formed on the concave surface 31 a of the inclined body 31. The inclined body 31 is made of a foamable resin that foams and cures under reduced pressure.

後述するように、傾斜体31の凹面31aは、減圧下での発泡性樹脂の発泡硬化と、常圧への復帰を利用して形成されているので、均一な凹曲面を有する。導波路コア21の断面寸法とビームの発散角度に応じた座グリ部25を形成することで、傾斜体31の表面に正確な凹面31aを形成することができる。したがって、マルチモードコアにもシングルモードコアにも適したマイクロミラー30を作製できる。   As will be described later, the concave surface 31a of the inclined body 31 has a uniform concave curved surface because it is formed by using foaming hardening of the foamable resin under reduced pressure and returning to normal pressure. By forming the spot facing portion 25 corresponding to the cross-sectional dimension of the waveguide core 21 and the beam divergence angle, an accurate concave surface 31 a can be formed on the surface of the inclined body 31. Therefore, the micromirror 30 suitable for both the multimode core and the single mode core can be manufactured.

図2の例では、マイクロミラー30は、導波路コア21を伝搬し基板11と水平な方向に出射したビームを90度変換して垂直方向に集光するが、図2と逆の方向への光路変換または光結合も可能である。すなわち、図示しない光素子から基板11と垂直な方向に出射されるビームの方向を90度変換して、導波路コア21に集光する光路変換ミラーとして機能することもできる。   In the example of FIG. 2, the micromirror 30 converts the beam propagating through the waveguide core 21 and exiting in the direction horizontal to the substrate 11 by 90 degrees and condensing it in the vertical direction. Optical path conversion or optical coupling is also possible. In other words, the direction of a beam emitted from an optical element (not shown) in a direction perpendicular to the substrate 11 can be changed by 90 degrees to function as an optical path conversion mirror for focusing on the waveguide core 21.

図3〜図8に、図2のマイクロミラー30の製造工程例を示す。図3(A)は上面図、図3(B)は、図3(A)のA−A'断面図である。   3 to 8 show manufacturing process examples of the micromirror 30 shown in FIG. 3A is a top view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

図3の工程で、基板11上に樹脂層26を形成し、樹脂層26の所定の箇所にマイクロミラー30を形成するための座グリ部25を形成する。基板11は、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板など任意の基板である。実施形態では、マイクロミラー30自体の形成に異方性ドライエッチングを使用しないので、基板11はシリコン基板に限定されず、任意の基板を用いることができる。   In the process of FIG. 3, the resin layer 26 is formed on the substrate 11, and the spot facing portion 25 for forming the micromirror 30 is formed at a predetermined position of the resin layer 26. The substrate 11 is an arbitrary substrate such as a glass substrate, a resin substrate, or a semiconductor substrate. In the embodiment, since anisotropic dry etching is not used for forming the micromirror 30 itself, the substrate 11 is not limited to a silicon substrate, and any substrate can be used.

樹脂層26は、この例では光導波路20が形成されている光導波路層26である。基板11上に、フォトプロセスなどにより、下部クラッド22、導波路コア21、上部クラッド23を有する埋め込み光導波路20を形成する。光導波路層26のうち、導波路コア21が形成されている箇所が光導波路回路となる。下部クラッド22、導波路コア21、上部クラッド23は、たとえばポリマ系の導波路フィルムで形成される。光導波路コア21の断面寸法は、マルチモード用のサイズでもシングルモード用のサイズでもよい。   In this example, the resin layer 26 is the optical waveguide layer 26 in which the optical waveguide 20 is formed. An embedded optical waveguide 20 having a lower cladding 22, a waveguide core 21, and an upper cladding 23 is formed on the substrate 11 by a photo process or the like. A portion of the optical waveguide layer 26 where the waveguide core 21 is formed is an optical waveguide circuit. The lower clad 22, the waveguide core 21, and the upper clad 23 are made of, for example, a polymer-based waveguide film. The cross-sectional dimension of the optical waveguide core 21 may be a multimode size or a single mode size.

光導波路層26の所定の箇所に座グリ部25を形成して、導波路コア21の断面を露出する。座グリ部25は、座グリカッター、エンドミル、炭酸ガスレーザなど、適切なツールを用いて形成する。座グリ部25の寸法は、導波路コア21の断面サイズと、導波路コア21から出射するビームの発散角度に応じて適切に設定される。   A spot facing portion 25 is formed at a predetermined position of the optical waveguide layer 26 to expose the cross section of the waveguide core 21. The spot facing portion 25 is formed using an appropriate tool such as a spot facing cutter, an end mill, and a carbon dioxide laser. The dimension of the spot facing portion 25 is appropriately set according to the cross-sectional size of the waveguide core 21 and the divergence angle of the beam emitted from the waveguide core 21.

次に、図4の工程で、基板11を45度傾斜させた状態で,座グリ部25に発泡性樹脂51を供給する。この例では、導波路コア21の露出した断面が高い位置になるように、基板11を保持するステージ(不図示)を傾斜させる。インクジェット塗布機(不図示)を用いて、塗布ヘッド54から座グリ部25内に、マイクロミラー30の形成に必要な容量の光硬化型の発泡性樹脂51を滴下する。   Next, in the step of FIG. 4, the foamable resin 51 is supplied to the spot facing portion 25 in a state where the substrate 11 is inclined 45 degrees. In this example, the stage (not shown) that holds the substrate 11 is tilted so that the exposed cross section of the waveguide core 21 is at a high position. Using an inkjet coating machine (not shown), a photocurable foaming resin 51 having a capacity necessary for forming the micromirror 30 is dropped from the coating head 54 into the spot facing portion 25.

光硬化型発泡性樹脂51としては、たとえば光硬化発泡性シロキサン組成物を使用する。光硬化発泡性シロキサン組成物は、樹脂状モノマに紫外線を照射すると室温で速やかに発泡、硬化し、一液化が可能な発泡性シロキサンである。たとえば、オルガノヒドロキシポロシロキサンと、オルガノハイドロジェンポリシロキサンと、光活性型白金錯体触媒とを少なくとも含む混合物などがある(特許文献2参照)。   As the photocurable foamable resin 51, for example, a photocurable foamable siloxane composition is used. The photocurable foamable siloxane composition is a foamable siloxane that foams and cures rapidly at room temperature when irradiated with ultraviolet rays on a resinous monomer, and can be made into one component. For example, there is a mixture containing at least an organohydroxypolysiloxane, an organohydrogenpolysiloxane, and a photoactive platinum complex catalyst (see Patent Document 2).

発泡性樹脂51は、減圧下で発泡し、硬化することのできる材料であれば任意の材料を用いることができる。したがって、光硬化性樹脂に、アジド基やジアゾ基を有する化合物のような公知の発泡剤を添加した材料を用いてもよい。また、熱硬化型の発泡性樹脂を用いてもよい。   As the foamable resin 51, any material can be used as long as the material can be foamed and cured under reduced pressure. Therefore, a material obtained by adding a known foaming agent such as a compound having an azide group or a diazo group to a photocurable resin may be used. Further, a thermosetting foamable resin may be used.

次に、図5の工程で、光硬化型発泡性樹脂51を座グリ部25に塗布した基板11を45度傾斜させたままの状態で、減圧容器41に収容する。減圧容器41には、大気開放弁42が設けられている。減圧容器41内を減圧し、光照射ヘッド55から光硬化型発泡性樹脂51に紫外線Lを照射することにより、光硬化型発泡性樹脂51を発泡・硬化させる。紫外線の照射を受けて、光硬化型発泡性樹脂51は微小な気泡を生成しながら膨張し、座グリ部25の底面25aや側面25bとの密着力を強めながら、徐々に硬化して発泡硬化樹脂53となる。   Next, in the process of FIG. 5, the substrate 11 on which the photocurable foamable resin 51 is applied to the spot facing portion 25 is accommodated in the decompression container 41 while being inclined by 45 degrees. The decompression vessel 41 is provided with an air release valve 42. The inside of the decompression container 41 is decompressed, and the photocurable foamable resin 51 is foamed and cured by irradiating the photocurable foamable resin 51 with ultraviolet rays L from the light irradiation head 55. Under the irradiation of ultraviolet rays, the photocurable foamable resin 51 expands while generating fine bubbles, and gradually hardens and foams and hardens while strengthening the adhesion with the bottom surface 25a and side surface 25b of the spot facing portion 25. Resin 53 is formed.

次に、図6の工程で、発泡硬化樹脂53から、凹面31aを有する傾斜体31を形成する。図6(C)は、図6(A)のB−B'断面図である。具体的には、発泡硬化樹脂53の硬化がほぼ完了した状態で、減圧容器41の大気開放弁42を開き、減圧容器41の内部を大気開放する。発泡硬化樹脂53内に生成された気泡は大気圧に比べて気圧が低いため、発泡硬化樹脂53は収縮する。このとき、発泡硬化樹脂53の大気と接していない面は、座グリ部25の底面25aや側面25bや、露出している光導波路20の端面に対して密着硬化しているため、大気と接する面が窪み、凹面(曲面)31aが形成される。   Next, in the process of FIG. 6, the inclined body 31 having the concave surface 31 a is formed from the foam cured resin 53. FIG. 6C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. Specifically, in the state where the curing of the foam curable resin 53 is almost completed, the atmosphere release valve 42 of the decompression container 41 is opened, and the interior of the decompression container 41 is opened to the atmosphere. Since the bubbles generated in the foam curable resin 53 have a lower atmospheric pressure than the atmospheric pressure, the foam curable resin 53 contracts. At this time, the surface of the foamed cured resin 53 that is not in contact with the atmosphere is intimately cured with respect to the bottom surface 25 a and the side surface 25 b of the spot facing portion 25 and the exposed end surface of the optical waveguide 20. The surface is recessed and a concave surface (curved surface) 31a is formed.

次に、図7の工程で、傾斜体31の凹面31aに反射膜32を形成する。   Next, a reflective film 32 is formed on the concave surface 31a of the inclined body 31 in the step of FIG.

図8は、図7の反射膜32の工程をさらに説明する図である。まず、図8(A)に示すように、傾斜体31に凹面31aを形成した後に、基板11上の光導波路層26の表面にドライフィルムレジスト61をラミネートし、露光、現像によりパターニングして、座グリ部25に対応する領域に開口61aを形成する。   FIG. 8 is a diagram for further explaining the process of the reflective film 32 of FIG. First, as shown in FIG. 8A, after forming the concave surface 31a on the inclined body 31, a dry film resist 61 is laminated on the surface of the optical waveguide layer 26 on the substrate 11, and patterned by exposure and development. An opening 61 a is formed in a region corresponding to the spot facing portion 25.

次に、図8(B)に示すように、無電解メッキならびに電解メッキ法により全面に金属膜62を形成する。これにより、傾斜体31の凹面31や光導波路20の露出面にも金属膜62が形成される。   Next, as shown in FIG. 8B, a metal film 62 is formed on the entire surface by electroless plating and electrolytic plating. Thereby, the metal film 62 is also formed on the concave surface 31 of the inclined body 31 and the exposed surface of the optical waveguide 20.

次に、図8(C)に示すように、基板11を、光硬化型発泡性樹脂51の滴下とは逆の向きに45度傾斜させ、サンドブラスト装置のノズルヘッド63からブラスト粒子を照射して、凹面31aの金属膜62を残しつつ、光導波路20の露出面の金属膜62を除去する。サンドブラスト装置のノズルヘッド63から出射されるブラスト粒子は直進性が高いため、凹面31a上の金属膜62にほとんど影響を与えずに、光導波路20の露出面の金属膜62を除去することができる。   Next, as shown in FIG. 8C, the substrate 11 is inclined 45 degrees in the direction opposite to the dripping of the photocurable foamable resin 51, and the blast particles are irradiated from the nozzle head 63 of the sand blasting apparatus. The metal film 62 on the exposed surface of the optical waveguide 20 is removed while leaving the metal film 62 on the concave surface 31a. Since the blast particles emitted from the nozzle head 63 of the sand blasting device have high straightness, the metal film 62 on the exposed surface of the optical waveguide 20 can be removed without substantially affecting the metal film 62 on the concave surface 31a. .

次に、図8(D)に示すように、光導波路20の露出面の金属膜62を除去した後に、はく離液を用いてドライフィルムレジスト61を除去する。これによって、光導波路20に対して傾斜した凹面31a上に反射膜32を有するマイクロミラー30が完成する。   Next, as shown in FIG. 8D, after the metal film 62 on the exposed surface of the optical waveguide 20 is removed, the dry film resist 61 is removed using a peeling solution. Thereby, the micromirror 30 having the reflective film 32 on the concave surface 31a inclined with respect to the optical waveguide 20 is completed.

この方法によると、光導波路20の導波路コア21の断面寸法が大きい場合でも、光導波路20と基板11に実装される面型光素子との間で、良好な光結合を実現するマイクロミラー30が作製される。   According to this method, even when the cross-sectional dimension of the waveguide core 21 of the optical waveguide 20 is large, the micromirror 30 that realizes good optical coupling between the optical waveguide 20 and the planar optical element mounted on the substrate 11. Is produced.

図9は、光導波路20とマイクロミラー30が形成された基板11上に、面型光素子71または73を実装した光インターコネクトデバイス70A、70Bの概略図である。   FIG. 9 is a schematic diagram of optical interconnect devices 70A and 70B in which the planar optical element 71 or 73 is mounted on the substrate 11 on which the optical waveguide 20 and the micromirror 30 are formed.

図9(A)では、面発光レーザなどの面発光素子71が、導電性接着剤または半田などにより基板11上に接合されている。マイクロミラー30の反射面(凹面31a上に形成された反射膜32)は、面発光素子71の発光面72と、光導波路20の導波路コア21の端面に対して傾斜する。面発光素子71の発光面72から出射するビームは一定の角度で発散するが、マイクロミラー30により、導波路コアの入射面に集光される。   In FIG. 9A, a surface emitting element 71 such as a surface emitting laser is bonded onto the substrate 11 with a conductive adhesive or solder. The reflective surface of the micromirror 30 (the reflective film 32 formed on the concave surface 31 a) is inclined with respect to the light emitting surface 72 of the surface light emitting element 71 and the end surface of the waveguide core 21 of the optical waveguide 20. The beam emitted from the light emitting surface 72 of the surface light emitting element 71 diverges at a constant angle, but is condensed by the micromirror 30 onto the incident surface of the waveguide core.

図9(B)では、フォトダイオードアレイなどの面受光素子73が、導電性接着剤または半田などにより基板11上に接合されている。マイクロミラー30の反射面(凹面31a上に形成された反射膜32)は、面受光素子73の受光面74と、光導波路20の導波路コア21の端面に対して傾斜する。光導波路20の導波路コア21の端面から出射するビームは、一定の角度で発散するが、マイクロミラー30により、面受光素子73の受光面74に集光される。   In FIG. 9B, a surface light receiving element 73 such as a photodiode array is bonded onto the substrate 11 with a conductive adhesive or solder. The reflective surface of the micromirror 30 (the reflective film 32 formed on the concave surface 31 a) is inclined with respect to the light receiving surface 74 of the surface light receiving element 73 and the end surface of the waveguide core 21 of the optical waveguide 20. The beam emitted from the end face of the waveguide core 21 of the optical waveguide 20 diverges at a constant angle, but is condensed on the light receiving surface 74 of the surface light receiving element 73 by the micromirror 30.

図9(A),図9(B)の光インターコネクトデバイス70A、70Bでは、導波路コア21の断面寸法に応じた凹面31aを有するマイクロミラー30が形成されているので、ビームを適切に集光させることができる。   In the optical interconnect devices 70A and 70B shown in FIGS. 9A and 9B, the micromirror 30 having the concave surface 31a corresponding to the cross-sectional dimension of the waveguide core 21 is formed. Can be made.

図10は、実施形態の光インターコネクトデバイスが適用される電子機器(サーバラック、ネットワークラックなど)1の一例を示す。バックプレーン2に対して複数のボード3が挿入されている。各ボード3上には、光配線4によってノード5が相互接続されている。ノード5は、たとえば、図9(A)、図9(B)に示す光素子71、73が、LSIチップ、メモリなどの電子デバイスとともに搭載された光電子モジュールである。実施形態の光インターコネクトデバイスは、各ノード5内での光インターコネクトのみならず、ノード5間での光インターコネクトにも適用できる。   FIG. 10 shows an example of an electronic device (server rack, network rack, etc.) 1 to which the optical interconnect device of the embodiment is applied. A plurality of boards 3 are inserted into the backplane 2. On each board 3, nodes 5 are interconnected by optical wiring 4. The node 5 is an optoelectronic module in which, for example, the optical elements 71 and 73 shown in FIGS. 9A and 9B are mounted together with an electronic device such as an LSI chip and a memory. The optical interconnect device of the embodiment can be applied not only to the optical interconnect in each node 5 but also to the optical interconnect between the nodes 5.

厚みが1.6mmの日立化成製のガラスエポキシプリント基板(型名:MCL-E-75G)の表面に、日立化成製のフィルム型光導波路材料を用いて、下部クラッド22を厚み100μm、導波路コア21を厚み50μm、上部クラッド23を厚み100μmで形成して光導波路層26を形成する。導波路コア21は矩形コアであり、一般的なフォトリソグラフィ法で、コアフィルムを幅50μm、高さ50μmの導波路に加工する。下部クラッド22と導波路コア21の上に上部クラッド23を積層し、埋込み光導波路20を有する光導波路層26形成する(図3参照)。   Hitachi Chemical's film-type optical waveguide material is used on the surface of Hitachi Chemical's glass epoxy printed board (model name: MCL-E-75G) with a thickness of 1.6 mm. The optical waveguide layer 26 is formed by forming the core 21 with a thickness of 50 μm and the upper cladding 23 with a thickness of 100 μm. The waveguide core 21 is a rectangular core, and the core film is processed into a waveguide having a width of 50 μm and a height of 50 μm by a general photolithography method. An upper clad 23 is laminated on the lower clad 22 and the waveguide core 21 to form an optical waveguide layer 26 having an embedded optical waveguide 20 (see FIG. 3).

光導波路層26に、幅200μm、長さ250μm、上部クラッド23の上面からの深さが250μmの座グリ部25を形成する(図3参照)。   A counterbore 25 having a width of 200 μm, a length of 250 μm, and a depth from the upper surface of the upper cladding 23 of 250 μm is formed in the optical waveguide layer 26 (see FIG. 3).

基板11を45度傾斜させた状態で、25℃における粘度が3500センチストークスのα,ω−ジヒドロキシポリシロキサン100重量部と、25℃における粘度が2〜5センチストークスのα,ω−メチルハイドロジェンポリシロキサン5重量部、アセチルアセトネート白金触媒0.05重量部を混合した光硬化型発泡性樹脂51を、市販のインクジェット塗布機を用いて座グリ部25内に5.0nL滴下する(図4参照)。   With the substrate 11 inclined at 45 degrees, 100 parts by weight of α, ω-dihydroxypolysiloxane having a viscosity of 3500 centistokes at 25 ° C. and α, ω-methyl hydrogen having a viscosity of 2 to 5 centistokes at 25 ° C. 5.0 nL of a photocurable foamable resin 51 in which 5 parts by weight of polysiloxane and 0.05 parts by weight of acetylacetonate platinum catalyst are mixed is dropped into the spot facing part 25 using a commercially available inkjet coating machine (FIG. 4). reference).

基板11を傾けた状態のまま、減圧容器41に収容し、5Torrになるまで容器内を減圧する。減圧容器41に設けた100mW/cm2、365nmの紫外線照射ヘッド55から90秒間紫外線を照射し、光硬化型発泡性樹脂51を発泡、硬化させる。光硬化型発泡性樹脂51は、気泡を発生しながら、傾斜させた座グリ部25の底面25aならびに側面25bをせり上がるように膨張する。その際の発泡倍率は約2倍、膨張後の発泡硬化樹脂53の体積は約10nLである。この状態では、発生した気泡内のガスの気圧は、減圧容器41内の気圧と等しい(図5参照)。 With the substrate 11 tilted, the substrate 11 is accommodated in the decompression container 41 and the interior of the container is decompressed until 5 Torr. Ultraviolet rays are irradiated for 90 seconds from a 100 mW / cm 2 , 365 nm ultraviolet irradiation head 55 provided in the decompression vessel 41 to foam and cure the photocurable foamable resin 51. The photocurable foamable resin 51 expands to rise up the bottom surface 25a and the side surface 25b of the inclined spot facing portion 25 while generating bubbles. At that time, the expansion ratio is about 2 times, and the volume of the expanded foamed resin 53 after expansion is about 10 nL. In this state, the pressure of the gas in the generated bubbles is equal to the pressure in the decompression container 41 (see FIG. 5).

次に、減圧容器41の大気開放弁42を開き、減圧容器41内の気圧を大気圧に戻す。発泡硬化樹脂53の内部に発生していた気泡は、大気圧に押し戻されて収縮し、発泡硬化樹脂53全体の体積は5.5nLに減少する。発泡硬化樹脂53は、座グリ部25の底面25aや側面25bによって拘束されているため、体積収縮により大気と接触する面が凹面31aに変化する。表面の曲率半径は約250μmとなる(図5参照)。   Next, the air release valve 42 of the decompression container 41 is opened, and the atmospheric pressure in the decompression container 41 is returned to atmospheric pressure. Bubbles generated inside the foam curable resin 53 are pushed back to the atmospheric pressure and contracted, and the volume of the entire foam curable resin 53 is reduced to 5.5 nL. Since the foam cured resin 53 is constrained by the bottom surface 25a and the side surface 25b of the spot facing portion 25, the surface that comes into contact with the atmosphere changes to the concave surface 31a due to volume shrinkage. The radius of curvature of the surface is about 250 μm (see FIG. 5).

次に、凹面31aに反射膜32を形成する(図7参照)。初めに,光導波路層26の上面にメッキレジスト61(日立化成工業製:RY-3625)をラミネートし、露光、現像により座グリ部25に対応する箇所に開口61aを設ける(図8(A)参照)。   Next, the reflective film 32 is formed on the concave surface 31a (see FIG. 7). First, a plating resist 61 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: RY-3625) is laminated on the upper surface of the optical waveguide layer 26, and an opening 61a is provided at a position corresponding to the spot facing portion 25 by exposure and development (FIG. 8A). reference).

次に、無電解メッキ法によりCuを0.1μm形成し、電解メッキ法によりNiを1.0μm、Auを0.1μm形成してCu/Ni/Au膜62を形成する(図8(B)参照)。   Next, 0.1 μm of Cu is formed by an electroless plating method, and 1.0 μm of Ni and 0.1 μm of Au are formed by an electrolytic plating method to form a Cu / Ni / Au film 62 (FIG. 8B). reference).

その後、基板11を光硬化型発泡性樹脂51の滴下時とは逆の向きに45度傾斜させ、サンドブラスト装置(Elfo-tec製)を用いてブラスト加工する。これにより、凹面31a上のCu/Ni/Au膜62を残したまま、光導波路20の露出面のCu/Ni/Au膜62を除去する。上述のように、サンドブラスト装置のノズルヘッド63から出射されるブラスト粒子64は直進性が高いため、凹面31a上にメッキ形成されたCu/Ni/Au膜62はほとんど影響を受けない。また、光導波路20は樹脂フィルムで形成されており、セラミックのブラスト粒子64に比べて弾性率が100倍程度小さいため、ブラスト処理後にも端面にはほとんど傷がつかない(図8(C)参照)。   Thereafter, the substrate 11 is inclined 45 degrees in the opposite direction to the time when the photocurable foaming resin 51 is dropped, and blasted using a sand blasting device (manufactured by Elfo-tec). Thereby, the Cu / Ni / Au film 62 on the exposed surface of the optical waveguide 20 is removed while leaving the Cu / Ni / Au film 62 on the concave surface 31a. As described above, since the blast particles 64 emitted from the nozzle head 63 of the sand blasting device have high straightness, the Cu / Ni / Au film 62 plated on the concave surface 31a is hardly affected. Further, the optical waveguide 20 is formed of a resin film, and its elastic modulus is about 100 times smaller than that of the ceramic blast particle 64, so that the end face is hardly damaged even after blasting (see FIG. 8C). ).

その後、メッキレジスト61をはく離する(図8(D)参照)。メッキレジスト61の表面に残っていたCu/Ni/Au膜62も除去される。これによりマイクロミラー30が完成する。   Thereafter, the plating resist 61 is peeled off (see FIG. 8D). The Cu / Ni / Au film 62 remaining on the surface of the plating resist 61 is also removed. Thereby, the micromirror 30 is completed.

この状態で、光導波路20のもう一方の端面から波長850nmのレーザ光を入射させたところ、ビームはマイクロミラー30で反射して垂直方向に光路変換され、上部クラッド23の上面から約100μmの高さに集光する。集光したビームのビーム径は約50μmであることが確認された。   In this state, when a laser beam having a wavelength of 850 nm is made incident from the other end face of the optical waveguide 20, the beam is reflected by the micromirror 30 and is optically changed in the vertical direction, and has a height of about 100 μm from the upper surface of the upper clad 23. Concentrate on the light. It was confirmed that the beam diameter of the focused beam was about 50 μm.

本発明は、上記実施例に限定されない。マイクロミラー30の凹面331aに形成する反射膜32は、Cu/Ni/Au膜に限定されず、Al,Ni,Ti,Cu,Cr,Sn,Ag,Au,Pt,Ru,Pd,Rh,Os,Ir,あるいはこれらの合金を少なくとも含む単層または積層の金属膜とすることができる。   The present invention is not limited to the above embodiments. The reflective film 32 formed on the concave surface 331a of the micromirror 30 is not limited to a Cu / Ni / Au film, but Al, Ni, Ti, Cu, Cr, Sn, Ag, Au, Pt, Ru, Pd, Rh, Os. , Ir, or an alloy thereof can be a single-layer or multilayer metal film.

マイクロミラー30の凹面31a上への反射膜32の形成はメッキ法に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、エアロゾルデポジション法など、任意の方法を用いることができる。   The formation of the reflective film 32 on the concave surface 31a of the micromirror 30 is not limited to the plating method, and any method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a laser ablation method, an aerosol deposition method, or the like can be used.

マイクロミラー30の傾斜体31を構成する発泡性樹脂として熱硬化型の発泡性樹脂を用いる場合は、たとえば熱硬化性樹脂に加熱発泡剤を添加した材料を用いる。減圧容器41内でハロゲンランプ(不図示)等により発泡性樹脂51を加熱して発泡、硬化させる。発泡、硬化が進んだ状態で加熱を停止し、大気解放すると、発泡硬化樹脂53の気泡が収縮し、大気と接する面に均一な凹面が形成される。   When a thermosetting foamable resin is used as the foamable resin constituting the inclined body 31 of the micromirror 30, for example, a material obtained by adding a heating foaming agent to the thermosetting resin is used. In the decompression vessel 41, the foamable resin 51 is heated and foamed and cured by a halogen lamp (not shown) or the like. When heating is stopped in a state where foaming and curing have progressed and the atmosphere is released, bubbles of the foam cured resin 53 contract, and a uniform concave surface is formed on the surface in contact with the atmosphere.

実施例では、基板11上に樹脂材料で光導波路20を有する光導波路層26を形成した後に座グリ部25を形成し、座グリ部25内にマイクロミラー30を形成しているが、この順番に限定されない。   In the embodiment, the spot facing portion 25 is formed after the optical waveguide layer 26 having the optical waveguide 20 made of a resin material on the substrate 11, and the micromirror 30 is formed in the spot facing portion 25. It is not limited to.

たとえば、基板上11に任意の樹脂層を形成し、樹脂層の所定の箇所に座グリ部25を形成し、座グリ部25の内部に上述した方法でマイクロミラー30を形成する。その後、樹脂層の一部又は全部を除去し、マイクロミラー30の反射面42に光結合するように光導波路20を形成してもよい。この場合は、サンドブラスト法を用いなくても、マイクロミラー30の凹面31a上にのみ金属膜62を残し、それ以外の金属膜62をはく離、除去することができる。   For example, an arbitrary resin layer is formed on the substrate 11, the spot facing portion 25 is formed at a predetermined portion of the resin layer, and the micromirror 30 is formed inside the spot facing portion 25 by the method described above. Thereafter, part or all of the resin layer may be removed, and the optical waveguide 20 may be formed so as to be optically coupled to the reflective surface 42 of the micromirror 30. In this case, the metal film 62 can be left only on the concave surface 31a of the micromirror 30 without using the sandblasting method, and the other metal film 62 can be peeled off and removed.

実施形態の光インターコネクトデバイスは、サーバやハイエンドコンピュータシステムの高速光伝送だけではなく、産業用、公共用等、任意の光伝送システムに利用可能である。また、光路変換を必要とする光学機器、医療機器、情報機器への利用も可能である。   The optical interconnect device of the embodiment can be used not only for high-speed optical transmission of servers and high-end computer systems, but also for any optical transmission system such as industrial use and public use. Further, it can be used for optical equipment, medical equipment, and information equipment that require optical path conversion.

以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
(付記1)
基板上に形成された樹脂層(26)の所定の箇所に座グリ部を形成し、
前記基板を第1の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、
前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、
前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、
前記凹面上に反射膜を形成し、
前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する
ことを特徴とする光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記2)
前記樹脂層は、光導波路を含む光導波路層であり、
前記座グリ部は、前記光導波路の導波路コアの端面が露出するように前記光導波路層に形成されることを特徴とする付記1に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記3)
前記基板を傾斜させる前記第1の方向は、前記座グリ部において前記導波路コアの前記露出した端面が高い位置となる傾斜方向であることを特徴とする付記2に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記4)
前記反射膜の形成は、前記凹面の形成の後に、前記基板の全面に金属膜を形成し、
前記基板を、前記第1の方向と逆の第2の方向に傾斜させ、前記導波路コアの前記露出面に形成された前記金属膜をサンドブラスト法で除去する工程、
を含むことを特徴とする付記3に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記5)
前記発泡性樹脂として、光硬化型発泡性樹脂を用い、
前記減圧雰囲気下で紫外線を照射して、前記光硬化型発泡性樹脂を発泡、硬化させることを特徴とする付記1〜4のいずれかに記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記6)
前記発泡性樹脂として、熱硬化型発泡性樹脂を用い、
前記減圧雰囲気下で加熱して前記熱硬化型発泡性樹脂を発泡、硬化させることを特徴とする付記1〜4のいずれか1項記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記7)
前記座グリ部内にインクジェット法により前記発泡性樹脂を滴下することを特徴とする付記1〜6のいずれか1に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記8)
前記座グリ部内に前記発泡性樹脂を配置した後に、前記基板の傾斜を維持したまま前記基板を減圧容器内に配置し、
前記減圧雰囲気下での発泡、硬化の後に、前記減圧容器を大気解放する、
ことを特徴とする付記1〜7のいずれか1に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
(付記9)
基板上の樹脂層と、
前記樹脂層に形成された座グリ部と、
前記座グリ部内に配置されるマイクロミラーと、
前記マイクロミラーに光結合する光導波路と、
を含み、前記マイクロミラーは、
減圧下で発泡する発泡性硬化樹脂で構成され、前記光導波路の導波路コアの端面に対して傾斜する凹面を有する傾斜体と、
前記凹面に形成された反射膜と、
を有することを特徴とする光インターコネクトデバイス。
(付記10)
前記光導波路はマルチモード光導波路であることを特徴とする付記9に記載の光インターコネクトデバイス。
(付記11)
前記マイクロミラーに光結合する面型光素子、
をさらに有し、
前記マイクロミラーは、前記面型光素子の入出力光の方向と、前記光導波路の出入力光との方向を90度変換することを特徴とする付記9又は10に記載の光インターコネクトデバイス。
The following notes are presented for the above explanation.
(Appendix 1)
A spot facing portion is formed at a predetermined portion of the resin layer (26) formed on the substrate,
In a state where the substrate is inclined in the first direction, a foamable resin is disposed in the spot facing portion,
While maintaining the inclination of the substrate, foaming and curing the foamable resin in a reduced pressure atmosphere,
Returning to normal pressure after the foaming and curing, the surface of the foamable resin in contact with the atmosphere is deformed into a concave surface,
Forming a reflective film on the concave surface;
A method of manufacturing an optical interconnect device, comprising: forming a reflective film on the concave surface to form a micromirror having a concave reflective surface inclined with respect to the substrate.
(Appendix 2)
The resin layer is an optical waveguide layer including an optical waveguide,
2. The method of manufacturing an optical interconnect device according to claim 1, wherein the spot facing portion is formed in the optical waveguide layer so that an end face of the waveguide core of the optical waveguide is exposed.
(Appendix 3)
The optical interconnect device manufacturing method according to appendix 2, wherein the first direction in which the substrate is inclined is an inclined direction in which the exposed end face of the waveguide core is located at a high position in the spot facing portion. Method.
(Appendix 4)
The reflective film is formed by forming a metal film on the entire surface of the substrate after forming the concave surface,
Inclining the substrate in a second direction opposite to the first direction, and removing the metal film formed on the exposed surface of the waveguide core by a sandblast method;
The method for manufacturing an optical interconnect device according to appendix 3, wherein:
(Appendix 5)
As the foamable resin, photocurable foamable resin is used,
The method for producing an optical interconnect device according to any one of appendices 1 to 4, wherein the photocurable foamable resin is foamed and cured by irradiating ultraviolet rays in the reduced-pressure atmosphere.
(Appendix 6)
As the foamable resin, a thermosetting foamable resin is used,
The method for manufacturing an optical interconnect device according to any one of appendices 1 to 4, wherein the thermosetting foamable resin is foamed and cured by heating in the reduced-pressure atmosphere.
(Appendix 7)
7. The method of manufacturing an optical interconnect device according to any one of appendices 1 to 6, wherein the foamable resin is dropped into the spot facing portion by an ink jet method.
(Appendix 8)
After placing the foamable resin in the spot facing portion, placing the substrate in a vacuum container while maintaining the inclination of the substrate,
After the foaming and curing under the reduced pressure atmosphere, the reduced pressure container is released to the atmosphere.
The method for manufacturing an optical interconnect device according to any one of appendices 1 to 7, wherein:
(Appendix 9)
A resin layer on the substrate;
Spot facings formed in the resin layer;
A micromirror disposed in the spot facing portion;
An optical waveguide optically coupled to the micromirror;
The micromirror includes:
An inclined body composed of a foamable curable resin that foams under reduced pressure and having a concave surface that is inclined with respect to the end face of the waveguide core of the optical waveguide;
A reflective film formed on the concave surface;
An optical interconnect device comprising:
(Appendix 10)
The optical interconnect device according to appendix 9, wherein the optical waveguide is a multimode optical waveguide.
(Appendix 11)
A planar optical element optically coupled to the micromirror;
Further comprising
11. The optical interconnect device according to appendix 9 or 10, wherein the micromirror converts a direction of input / output light of the planar optical element and a direction of input / output light of the optical waveguide by 90 degrees.

10、70A、70B 光インターコネクトデバイス
11 基板
20 光導波路
21 導波路コア
22、23 クラッド
25 座グリ部
26 光導波路層(樹脂層)
30 マイクロミラー
31 傾斜体
31a 凹面
32 反射膜
53 発泡硬化樹脂
71、73 面型光素子
10, 70A, 70B Optical interconnect device 11 Substrate 20 Optical waveguide 21 Waveguide core 22, 23 Clad 25 Spot facing portion 26 Optical waveguide layer (resin layer)
30 Micromirror 31 Inclined body 31a Concave surface 32 Reflective film 53 Foam cured resin 71, 73 Planar optical element

Claims (6)

基板上に形成された樹脂層の所定の箇所に座グリ部を形成し、
前記基板を第1の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、
前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、
前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、
前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する
ことを特徴とする光インターコネクトデバイスの製造方法。
A spot facing portion is formed at a predetermined position of the resin layer formed on the substrate,
In a state where the substrate is inclined in the first direction, a foamable resin is disposed in the spot facing portion,
While maintaining the inclination of the substrate, foaming and curing the foamable resin in a reduced pressure atmosphere,
Returning to normal pressure after the foaming and curing, the surface of the foamable resin in contact with the atmosphere is deformed into a concave surface,
A method of manufacturing an optical interconnect device, comprising: forming a reflective film on the concave surface to form a micromirror having a concave reflective surface inclined with respect to the substrate.
前記樹脂層は、光導波路を含む光導波路層であり、
前記座グリ部は、前記光導波路の導波路コアの端面が露出するように前記光導波路層に形成されることを特徴とする請求項1に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
The resin layer is an optical waveguide layer including an optical waveguide,
The method of manufacturing an optical interconnect device according to claim 1, wherein the spot facing portion is formed in the optical waveguide layer so that an end face of a waveguide core of the optical waveguide is exposed.
前記基板を傾斜させる前記第1の方向は、前記座グリ部において前記導波路コアの前記露出した端面が高い位置となる傾斜方向であることを特徴とする請求項2に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。   3. The optical interconnect device according to claim 2, wherein the first direction in which the substrate is inclined is an inclination direction in which the exposed end surface of the waveguide core is located at a high position in the spot facing portion. Production method. 前記反射膜の形成は、前記凹面の形成の後に、前記基板の全面に金属膜を形成し、
前記基板を、前記第1の方向と逆の第2の方向に傾斜させ、前記導波路コアの前記露出面に形成された前記金属膜をサンドブラスト法で除去する工程、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
The reflective film is formed by forming a metal film on the entire surface of the substrate after forming the concave surface,
Inclining the substrate in a second direction opposite to the first direction, and removing the metal film formed on the exposed surface of the waveguide core by a sandblast method;
The method of manufacturing an optical interconnect device according to claim 3, comprising:
基板上の樹脂層と、
前記樹脂層に形成された座グリ部と、
前記座グリ部内に配置されるマイクロミラーと、
前記マイクロミラーに光結合する光導波路と、
を含み、前記マイクロミラーは、
減圧下で発泡する発泡性硬化樹脂で構成され、前記光導波路の導波路コアの端面に対して傾斜する凹面を有する傾斜体と、
前記凹面に形成された反射膜と、
を有することを特徴とする光インターコネクトデバイス。
A resin layer on the substrate;
Spot facings formed in the resin layer;
A micromirror disposed in the spot facing portion;
An optical waveguide optically coupled to the micromirror;
The micromirror includes:
An inclined body composed of a foamable curable resin that foams under reduced pressure and having a concave surface that is inclined with respect to the end face of the waveguide core of the optical waveguide;
A reflective film formed on the concave surface;
An optical interconnect device comprising:
前記光導波路はマルチモード光導波路であることを特徴とする請求項5に記載の光インターコネクトデバイス。   The optical interconnect device according to claim 5, wherein the optical waveguide is a multimode optical waveguide.
JP2012223956A 2012-10-09 2012-10-09 Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device Expired - Fee Related JP5907035B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012223956A JP5907035B2 (en) 2012-10-09 2012-10-09 Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012223956A JP5907035B2 (en) 2012-10-09 2012-10-09 Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014077825A JP2014077825A (en) 2014-05-01
JP5907035B2 true JP5907035B2 (en) 2016-04-20

Family

ID=50783187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012223956A Expired - Fee Related JP5907035B2 (en) 2012-10-09 2012-10-09 Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5907035B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3528020A1 (en) * 2018-02-15 2019-08-21 Airbus Defence and Space Method for implementing and connecting structure-integrated optical waveguides

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6477201B2 (en) * 2015-04-27 2019-03-06 富士通株式会社 Optical module
WO2018004676A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Intel Corporation Isotropic etched lens for vertical coupling of photonics circuits
CN107037536A (en) * 2017-02-15 2017-08-11 上海大学 A kind of method that recessed reflecting surface is processed in fiber waveguide side based on laser ladder etching method
US10712497B2 (en) * 2018-02-27 2020-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Photonic integrated circuit packages and methods of manufacturing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4975153A (en) * 1972-11-20 1974-07-19
JPS5916243B2 (en) * 1976-09-16 1984-04-14 ソニー株式会社 How to make a reflector
JP2581623B2 (en) * 1991-07-19 1997-02-12 三菱電機株式会社 Electric water heater
JPH0940870A (en) * 1995-07-28 1997-02-10 Three Bond Co Ltd Photo-setting type expandable siloxane composition
JP4627481B2 (en) * 2005-10-25 2011-02-09 Nttエレクトロニクス株式会社 Optical waveguide circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3528020A1 (en) * 2018-02-15 2019-08-21 Airbus Defence and Space Method for implementing and connecting structure-integrated optical waveguides

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014077825A (en) 2014-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5907035B2 (en) Optical interconnect device manufacturing method and optical interconnect device
KR100702978B1 (en) Optical waveguide having specular surface formed by laser beam machining
US7330612B2 (en) Material for substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly and substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly
JP5089643B2 (en) Optical connection element manufacturing method, optical transmission board, optical connection component, connection method, and optical transmission system
TWI432806B (en) Method of manufacturing optical waveguide having mirror face
US20130177277A1 (en) Optical waveguide, method for producing optical waveguide, optical waveguide module, method for producing optical waveguide module, and electronic apparatus
JP4153007B2 (en) Optical wiring board and opto-electric hybrid board
KR20090010100A (en) Printed circuit board element comprising an optoelectronic component and an optical waveguide
WO2001001176A1 (en) Photoelectric wiring board, packaging board, and photoelectric wiring board producing method
TW200944853A (en) Manufacturing method of optical wiring printed board and optical wiring printed circuit board
JP2006126568A (en) Method for manufacturing polymer optical waveguide device
JP2006267346A (en) Manufacturing method of optical member
JP2004163914A (en) Manufacturing method of optical circuit board
JP2014219636A (en) Uv-curable sheet material, uv-curable dry film and insulation material for uv-curable buildup
JP4962265B2 (en) Optical waveguide manufacturing method
JP2006047764A (en) Projected optical waveguide, method of manufacturing the same and optoelectric hybrid substrate using the same
JP2005266119A (en) Manufacturing method of photoelectric wiring board
JP6044174B2 (en) Optical waveguide manufacturing method and optical waveguide
JP6044175B2 (en) Optical waveguide manufacturing method and optical waveguide
JP5966568B2 (en) Optical waveguide connector manufacturing method, optical waveguide manufacturing method, and optical waveguide connector
JP2008046333A (en) Optical transmission/reception module
JP5463646B2 (en) Optical module
JP4742771B2 (en) Method for manufacturing photoelectric composite substrate
JP2005345928A (en) Optical waveguide device and manufacturing method thereof, optical path conversion component, optical waveguide structure body with optical path conversion component
JP2008083197A (en) Method of manufacturing optical waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150604

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160223

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5907035

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees