JP5906107B2 - ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び、反射型マスクの製造方法 - Google Patents
ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び、反射型マスクの製造方法 Download PDFInfo
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Description
2流体洗浄法は、スクラブ洗浄や超音波洗浄に比べて、 境界層内へも2流体の液滴が到達できる確率が高く、鏡面研磨後の基板の表面に存在する微細な異物(数100nm以下の大きさの異物)を除去することが可能になる。しかし、2流体洗浄法を用いた場合、鏡面研磨後の基板の表面に存在するゲル状の異物を除去することが困難であることを発見した。また、このゲル状の異物は、基板の鏡面研磨に使用する研磨液に含まれるコロイダルシリカに起因するものであることを発見した。さらに、このゲル状の異物を低減させるためには、鏡面研磨後の基板を待機させるための待機槽中の水溶液の酸化還元電位を50mV以下に制御することが有効であることを発見した。本発明は、かかる新規な発見に基づいて完成されたものであり、極めて高い技術的価値を有するものである。
(構成1)
表面が鏡面研磨されたガラス基板の製造方法であって、
コロイダルシリカを含有する研磨液を用い、ガラス基板の表面を鏡面研磨する工程と、
前記鏡面研磨後のガラス基板を、水溶液の入った待機槽中に浸漬させて待機させる工程と、
前記待機槽から取り出したガラス基板の表面に対し、液体と気体を混合させた洗浄液を噴射して洗浄する2流体洗浄を行う工程とを有し、
前記待機槽中の水溶液は、酸化還元電位が50mV以下である
ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
前記鏡面研磨の工程後のガラス基板を、酸化還元電位が50mV以下の水溶液によって洗い流した後に、前記待機槽に浸漬させて待機させることを特徴とする構成1に記載のガラス基板の製造方法。
前記研磨液と待機槽中の水溶液は、ともにアルカリ性であることを特徴とする構成1または2に記載のガラス基板の製造方法。
前記ガラス基板は、合成石英ガラスからなることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
前記ガラス基板は、SiO2−TiO2ガラスからなることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
構成1から4のいずれかに記載のガラス基板の製造方法で製造されたガラス基板の表面に、パターン形成用の薄膜を形成する工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成6に記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクのパターン形成用の薄膜に、転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成1から5のいずれかに記載のガラス基板の製造方法で製造されたガラス基板の表面に、露光光を反射する機能を有する多層反射膜を形成する工程を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
構成8に記載の多層反射膜付き基板の製造方法で製造された多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
構成9に記載の反射型マスクブランクの製造方法で製造された反射型マスクブランクの吸収体膜に、転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
本発明は、表面が鏡面研磨されたガラス基板の製造方法であって、コロイダルシリカを含有する研磨液を用い、ガラス基板の表面を鏡面研磨する工程と、前記鏡面研磨後のガラス基板を、水溶液の入った待機槽中に浸漬させて待機させる工程と、前記待機槽から取り出したガラス基板の表面に対し、液体と気体を混合させた洗浄液を噴射して洗浄する2流体洗浄を行う工程とを有し、前記待機槽中の水溶液は、酸化還元電位が50mV以下であることを特徴とするガラス基板の製造方法である。
透過型マスクブランク用基板としては、例えば合成石英ガラス基板を用いることができる。
反射型マスクブランク用基板としては、例えば合成石英ガラス基板あるいは低熱膨張ガラス基板を用いることができる。
図1に示すように、本発明のガラス基板の洗浄方法は、ガラス基板の表面を鏡面研磨する研磨工程と、鏡面研磨後のガラス基板を、水溶液の入った待機槽中に浸漬させて待機させる待機工程と、待機槽から取り出したガラス基板の表面に対し、液体と気体を混合させた洗浄液を噴射して洗浄する2流体洗浄工程と、を有している。
前記待機槽中の水溶液は、より好ましくは、酸化還元電位が0mV以下である。
(仕様)
測定範囲:0〜±1999mV
使用温度範囲:0〜60℃
保存温度範囲:0〜50℃
金属極:Pt
内部電極:銀/塩化銀
比較電極内部液:3.33mol/L−KCl溶液(♯300)
液絡部材質:多孔性セラミック
接液部材質:ガラス、セラミック
図2に示すように、基板洗浄装置10は、ガラス基板20を保持するためのスピンチャック12と、ガラス基板20の表面に液体と気体を混合させた洗浄液を噴射する噴射ノズル14と、噴射ノズル14をガラス基板20の中央から端部の間で移動させることのできるアーム16を備えている。噴射ノズル14には、噴射ノズル14に気体を供給するための気体供給装置22、及び、液体を供給するための液体供給装置24が接続されている。
図3に示すように、上記研磨工程と上記待機工程との間に、ガラス基板の表面に付着した付着物が待機槽に持ち込まれる量を低減するために、付着物をある程度洗い流すリンス工程を実施してもよい。つまり、鏡面研磨工程後のガラス基板を、酸化還元電位が50mV以下の水溶液によって洗い流すリンス工程を実施した後に、リンス工程後のガラス基板を待機槽に浸漬させて待機させてもよい。
リンス工程においてガラス基板を洗い流すために使用する水溶液は、より好ましくは、酸化還元電位が0mV以下である。
(1)遷移金属を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の2層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた3層構造としたものなどがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板(ガラス基板)上に光半透過膜を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜(遮光帯)とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する(エッチング耐性を有する)特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
この遮光膜は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び/又はホウ素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層(MoSi等)と表面反射防止層(MoSiON等)の2層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層(MoSiON等)を加えた3層構造がある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
半透過膜の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素のほか、クロム、タンタル、チタン、アルミニウムなどの金属単体や合金あるいはそれらの化合物を含む材料も含まれる。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能(光学濃度)となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
反射型マスクは、EUVリソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成された構造を有する。露光機(パターン転写装置)に搭載された反射型マスクに入射した光(EUV光)は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
また、このようにして得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することによって、転写用マスクを得ることができる。なお、マスクブランクの薄膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
また、このようにして得られた多層反射膜付きガラス基板に吸収体膜を形成することによって、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランクを得ることができる。なお、多層反射膜付きガラス基板への吸収体膜の形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
さらに、このようにして得られた反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成することによって、反射型マスクを得ることができる。なお、反射型マスクブランクの吸収体膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
本実施例では、低熱膨張ガラス基板の研磨及び洗浄を行い、洗浄後の基板表面に存在する欠陥の個数を測定した。なお、合成石英ガラス基板よりもSiO2−TiO2の低熱膨張ガラス基板の方がコロイダルシリカ由来の付着物の付着量が多くなる傾向があるという知見から、SiO2−TiO2の低熱膨張ガラス基板によって検証を行うことにした。
研磨パッド:軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
研磨液:アルカリ性(pH10.5),25℃,
コロイダルシリカ砥粒(平均粒径100nm)+水(NaOH添加)
加工圧力:50〜100g/cm2
比較例1: 水溶液A(DIW) ,酸化還元電位 359mV ,pH 6.0
比較例2: 水溶液B(DIW+薬液B) ,酸化還元電位 249mV ,pH 7.8
実施例1: 水溶液C(DIW+薬液C) ,酸化還元電位 18mV ,pH11.6
実施例2: 水溶液D(DIW+薬液D) ,酸化還元電位 46mV ,pH10.7
実施例3: 水溶液E(DIW+薬液E) ,酸化還元電位 −2mV ,pH10.3
実施例4: 水溶液F(DIW+薬液F) ,酸化還元電位 −18mV ,pH10.5
比較例1: 水溶液A(DIW) 欠陥個数 平均348個
比較例2: 水溶液B(DIW+薬液B) 欠陥個数 平均212個
実施例1: 水溶液C(DIW+薬液C) 欠陥個数 平均 83個
実施例2: 水溶液D(DIW+薬液D) 欠陥個数 平均 61個
実施例3: 水溶液E(DIW+薬液E) 欠陥個数 平均 48個
実施例4: 水溶液F(DIW+薬液F) 欠陥個数 平均 10個
14…噴射ノズル
20…ガラス基板
Claims (9)
- 表面が鏡面研磨されたガラス基板の製造方法であって、
コロイダルシリカを含有する研磨液を用い、ガラス基板の表面を鏡面研磨する工程と、
前記鏡面研磨後のガラス基板を、水溶液の入った待機槽中に浸漬させて待機させる工程と、
前記待機槽から取り出したガラス基板の表面に対し、液体と気体を混合させた洗浄液を噴射して洗浄する2流体洗浄を行う工程とを有し、
前記待機槽中の水溶液は、酸化還元電位が50mV以下であり、
前記研磨液と前記待機槽中の水溶液は、ともにアルカリ性である
ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - 前記鏡面研磨の工程後のガラス基板を、酸化還元電位が50mV以下の水溶液によって洗い流した後に、前記待機槽に浸漬させて待機させることを特徴とする請求項1記載のガラス基板の製造方法。
- 前記ガラス基板は、合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項1または2に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記ガラス基板は、SiO2−TiO2ガラスからなることを特徴とする請求項1または2に記載のガラス基板の製造方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載のガラス基板の製造方法で製造されたガラス基板の表面に、パターン形成用の薄膜を形成する工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項5記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクのパターン形成用の薄膜に、転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載のガラス基板の製造方法で製造されたガラス基板の表面に、露光光を反射する機能を有する多層反射膜を形成する工程を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
- 請求項7に記載の多層反射膜付き基板の製造方法で製造された多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項8に記載の反射型マスクブランクの製造方法で製造された反射型マスクブランクの吸収体膜に、転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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