JP5897275B2 - Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method - Google Patents

Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
JP5897275B2
JP5897275B2 JP2011162138A JP2011162138A JP5897275B2 JP 5897275 B2 JP5897275 B2 JP 5897275B2 JP 2011162138 A JP2011162138 A JP 2011162138A JP 2011162138 A JP2011162138 A JP 2011162138A JP 5897275 B2 JP5897275 B2 JP 5897275B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
substrate
control unit
heaters
temperature control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011162138A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013026561A (en
Inventor
田中 誠治
誠治 田中
秀人 吉矢
秀人 吉矢
俊充 酒井
俊充 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2011162138A priority Critical patent/JP5897275B2/en
Priority to KR1020120078028A priority patent/KR101422915B1/en
Priority to TW101126293A priority patent/TWI550753B/en
Priority to CN201210258971.7A priority patent/CN102903651B/en
Publication of JP2013026561A publication Critical patent/JP2013026561A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5897275B2 publication Critical patent/JP5897275B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Description

本発明は、基板へ処理温度が異なる複数の熱処理を施す際に用いられる温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法に関する。   The present invention relates to a temperature control unit, a substrate mounting table, a substrate processing apparatus, a temperature control system, and a substrate processing method that are used when a plurality of heat treatments having different processing temperatures are performed on a substrate.

FPD(Flat Panel Display)、太陽電池又はMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の製造過程において、基板に各種の熱処理、例えば、成膜処理が施される。従来、基板へ処理温度が異なる複数の熱処理を施す場合、熱処理毎に異なる基板処理装置が基板へ該当する熱処理を施していたが、近年、生産性向上の観点からスループットを向上させるために、1つの基板処理装置において処理温度が異なる複数の熱処理を施すことが求められている。   In the manufacturing process of an FPD (Flat Panel Display), a solar cell, or a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), the substrate is subjected to various heat treatments, for example, film formation. Conventionally, when a plurality of heat treatments with different processing temperatures are performed on a substrate, a different substrate processing apparatus performs the corresponding heat treatment on the substrate for each heat treatment. In recent years, in order to improve throughput from the viewpoint of improving productivity, It is required to perform a plurality of heat treatments with different processing temperatures in one substrate processing apparatus.

このような基板処理装置として、処理室内において基板を載置する基板載置台を備え、該基板載置台は媒体流路が形成された冷却ジャケットと、該冷却ジャケットの下に配されたヒータとを有する基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。   As such a substrate processing apparatus, a substrate mounting table for mounting a substrate in a processing chamber is provided, and the substrate mounting table includes a cooling jacket in which a medium flow path is formed and a heater disposed under the cooling jacket. A substrate processing apparatus having the same is known (for example, see Patent Document 1).

特許文献1の基板処理装置では、ヒータを発熱させて基板載置台における載置面、具体的には、冷却ジャケットにおける基板との接触面の温度を上昇させることによって基板を加熱し、冷却ジャケットの媒体流路に低温の冷媒を流して上記接触面の温度を下降させることによって基板を冷却する。   In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the heater is heated to heat the substrate by raising the temperature of the mounting surface of the substrate mounting table, specifically, the contact surface of the cooling jacket with the substrate. The substrate is cooled by flowing a low-temperature refrigerant through the medium flow path to lower the temperature of the contact surface.

特公平7−105422号公報Japanese Examined Patent Publication No. 7-105422

しかしながら、特許文献1の基板処理装置では、冷却ジャケットとヒータが個別なものとして分かれているため、冷却ジャケット及びヒータの間に物理的な境界が発生する。該境界は、例えば、ヒータによって基板を加熱する際、熱抵抗としてヒータからの熱が冷却ジャケットへ伝わるのを阻害するため、基板の温度が早く変化しないという問題がある。   However, in the substrate processing apparatus of Patent Document 1, since the cooling jacket and the heater are separated, a physical boundary is generated between the cooling jacket and the heater. For example, when the substrate is heated by the heater, the boundary hinders the heat from the heater from being transferred to the cooling jacket as a thermal resistance, so that the temperature of the substrate does not change quickly.

本発明の目的は、基板の温度を早く変化させることができる温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a temperature control unit, a substrate mounting table, a substrate processing apparatus, a temperature control system, and a substrate processing method that can change the temperature of the substrate quickly.

上記目的を達成するために、請求項1記載の温度制御ユニットは、基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the temperature control unit according to claim 1 is a temperature control unit for controlling the temperature of the substrate in contact with the substrate, the plate-shaped body in contact with the substrate, and the body a plurality of heater set embedded within the formed within the body and a medium flow passage through the interior predetermined temperature of the medium, the plurality of heaters sets of each of the plurality of linear A heater and a wiring for connecting the heaters to each other; the heaters are arranged in parallel to each other; the medium flow path is arranged to pass through a portion between two adjacent heaters ; in the surface opposite to the contact surface with the substrate in the body, further comprising characterized Rukoto the placed openable lid to correspond to the position of each of said heaters embedded in the body.

請求項2記載の温度制御ユニットは、請求項1記載の温度制御ユニットにおいて、前記本体の平面視における1つの前記ヒータに垂直な方向に関し、各前記ヒータ及び前記媒体流路は交互に等間隔で配置されることを特徴とする。   A temperature control unit according to a second aspect is the temperature control unit according to the first aspect, wherein each heater and the medium flow path are alternately spaced at equal intervals in a direction perpendicular to the one heater in a plan view of the main body. It is characterized by being arranged.

請求項記載の温度制御ユニットは、請求項1又は2記載の温度制御ユニットにおいて、前記本体は前記蓋を取り付けるためのねじ用のねじ穴を有し、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間において前記ねじ穴を避けるように蛇行することを特徴とする。 Temperature control unit according to claim 3, wherein, in the temperature control unit according to claim 1 or 2, wherein said body has a threaded hole for screws for attaching the lid, the medium flow path of the two adjacent said The meandering is performed between the heaters so as to avoid the screw holes.

請求項記載の温度制御ユニットは、請求項記載の温度制御ユニットにおいて、前記蛇行する媒体流路における曲部の前記本体の平面視における曲率は半径40mm以上であることを特徴とする。 A temperature control unit according to a fourth aspect is the temperature control unit according to the third aspect , wherein a curvature of the curved portion of the meandering medium flow path in a plan view of the main body is 40 mm or more.

上記目的を達成するために、請求項記載の基板載置台は、基板を載置する基板載置台であって、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを備え、前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され、前記温度制御ユニットは、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the substrate mounting table according to claim 5 is a substrate mounting table on which a substrate is mounted, the temperature control unit for controlling the temperature of the substrate in contact with the substrate, and the temperature and a base for supporting the control unit, the temperature control unit includes a plate-like body in contact with the substrate, and a plurality of Heater sets embedded in said body, is formed in said body inner Each of the plurality of heater sets includes a plurality of linear heaters and a wiring for connecting the heaters to each other, and Arranged in parallel to each other, the medium flow path is arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters, and the temperature control unit is a surface of the main body opposite to the contact surface with the substrate In each front embedded in the main body Further comprising wherein the Rukoto the placed openable lid to correspond to the position of the heater.

上記目的を達成するために、請求項記載の基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する基板載置台とを備え、前記基板載置台は、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを有し、前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され、前記温度制御ユニットは、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein the substrate is accommodated in a accommodating chamber for accommodating the substrate, and the substrate is mounted on the accommodating chamber. The substrate mounting table includes a temperature control unit that controls the temperature of the substrate in contact with the substrate, and a base that supports the temperature control unit, and the temperature control unit is closed and a plate-like body in contact with the substrate, and a plurality of Heater sets embedded in said body, and a medium flow passage through the interior predetermined temperature of the medium is formed in said body Each of the plurality of heater sets includes a plurality of linear heaters and a wiring for connecting the heaters to each other, the heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow paths are adjacent to each other. Arranged to go through the part between the two heaters The temperature control unit, said contact surface with the substrate in the body at the side opposite, further arranged openable lid to correspond to the position of each of said heaters embedded in the body equipped and wherein the Rukoto.

上記目的を達成するために、請求項記載の温度制御システムは、基板の温度を制御する温度制御システムであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、前記ヒータの発熱量を制御するヒータ制御ユニットと、前記媒体流路を流れる媒体の流量や温度を制御する媒体制御ユニットとを備え、前記温度制御ユニットの前記本体において、前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され、前記温度制御ユニットは、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a temperature control system according to claim 7 is a temperature control system for controlling the temperature of a substrate, wherein a plate-shaped main body that comes into contact with the substrate and a plurality of embedded main bodies are embedded in the main body. and Heater set of, and a medium flow passage through the interior predetermined temperature of the medium is formed in said body, a temperature control unit for controlling the temperature of the substrate in contact with said substrate, said A heater control unit that controls the amount of heat generated by the heater; and a medium control unit that controls the flow rate and temperature of the medium flowing through the medium flow path. In the main body of the temperature control unit , each of the plurality of heater sets is And a plurality of linear heaters and wiring for connecting the heaters to each other, the heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow path passes through a portion between two adjacent heaters. Arranged as Is, the temperature control unit, in the surface opposite to the contact surface with the substrate in the body, the placed openable lid to correspond to the position of each of said heaters embedded in the body further comprising wherein the Rukoto.

上記目的を達成するために、請求項記載の基板処理方法は、基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置される温度制御ユニットを用いる基板処理方法であって、前記基板を目標冷却温度まで冷却する際、前記媒体流路へ前記目標冷却温度よりも低い温度の媒体を供給し、前記基板を目標加熱温度まで加熱する際、前記ヒータを発熱させるとともに、前記媒体流路へ前記目標加熱温度よりも高い温度の媒体を供給することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the substrate processing method according to claim 8 is a temperature control unit for controlling the temperature of the substrate in contact with the substrate, the plate-shaped body in contact with the substrate, and the body A plurality of linear heaters embedded in the medium, and a medium flow path formed in the main body through which a medium having a predetermined temperature flows. The heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow path Is a substrate processing method using a temperature control unit arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters, and when the substrate is cooled to a target cooling temperature, the target cooling to the medium flow path When a medium having a temperature lower than the temperature is supplied and the substrate is heated to a target heating temperature, the heater is caused to generate heat, and a medium having a temperature higher than the target heating temperature is supplied to the medium flow path. And

請求項記載の基板処理方法は、請求項記載の基板処理方法において、前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第1の所定温度だけ高い第1の制御変更温度に到達したとき、前記媒体流路へ供給される媒体の温度を前記目標冷却温度に変更することを特徴とする。 The substrate processing method according to claim 9 is the substrate processing method according to claim 8 , wherein the temperature of the main body of the temperature control unit is set to a first control change temperature that is higher than the target cooling temperature by a first predetermined temperature. When the temperature reaches, the temperature of the medium supplied to the medium flow path is changed to the target cooling temperature.

請求項10記載の基板処理方法は、請求項記載の基板処理方法において、前記第1の所定温度は2℃以上且つ20℃未満であることを特徴とする。 A substrate processing method according to a tenth aspect is the substrate processing method according to the ninth aspect , wherein the first predetermined temperature is 2 ° C. or higher and lower than 20 ° C.

請求項11記載の基板処理方法は、請求項9又は10記載の基板処理方法において、前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第2の所定温度だけ高い第2の制御変更温度に到達したとき、前記ヒータを発熱させ、前記第2の所定温度は前記第1の所定温度よりも低いことを特徴とする。 The substrate processing method of claim 11, wherein the substrate processing method of claim 9 or 10, wherein the temperature of the body of the temperature control unit, a second control change higher second predetermined temperature than the target cooling temperature When the temperature is reached, the heater is caused to generate heat, and the second predetermined temperature is lower than the first predetermined temperature.

請求項12記載の基板処理方法は、請求項11記載の基板処理方法において、前記第2の所定温度は1℃以上且つ10℃未満であることを特徴とする。 A substrate processing method according to a twelfth aspect is the substrate processing method according to the eleventh aspect , wherein the second predetermined temperature is 1 ° C. or higher and lower than 10 ° C.

本発明によれば、温度制御ユニットの本体内に媒体流路だけでなく複数のヒータが配置されるため、ヒータからの熱の本体への伝達が阻害されることがない。その結果、基板の温度を早く変化させることができる。また、各ヒータは互いに平行に配置され、媒体流路は隣接する2つのヒータの間に位置するように配置されるので、本体における加熱箇所及び冷却箇所の配置のバランスを向上することができ、もって、本体と接触する基板の温度を安定且つ均一に変化させることができる。   According to the present invention, since not only the medium flow path but also a plurality of heaters are arranged in the main body of the temperature control unit, the transfer of heat from the heater to the main body is not hindered. As a result, the temperature of the substrate can be changed quickly. Moreover, since each heater is arrange | positioned mutually parallel and a medium flow path is arrange | positioned so that it may be located between two adjacent heaters, the balance of the arrangement | positioning of the heating location in the main body and a cooling location can be improved, Thus, the temperature of the substrate in contact with the main body can be changed stably and uniformly.

また、本発明によれば、基板を目標冷却温度まで冷却する際、温度制御ユニットの本体内の媒体流路へ目標冷却温度よりも低い温度の媒体を供給するので、基板の冷却を迅速に行うことができ、もって、基板の温度を早く変化させることができる。   According to the present invention, when the substrate is cooled to the target cooling temperature, the medium having a temperature lower than the target cooling temperature is supplied to the medium flow path in the main body of the temperature control unit, so that the substrate is rapidly cooled. Therefore, the temperature of the substrate can be changed quickly.

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図1における温度制御ユニットの構成を概略的に示す図であり、図2(A)は水平断面図であり、図2(B)は縦断面図であり、図2(C)は底面図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of a temperature control unit in FIG. 1, FIG. 2 (A) is a horizontal sectional view, FIG. 2 (B) is a longitudinal sectional view, and FIG. 2 (C) is a bottom view. is there. 図1における温度制御ユニットの変形例の構成を概略的に示す図であり、図3(A)は水平断面図であり、図3(B)は縦断面図であり、図3(C)は底面図である。It is a figure which shows schematically the structure of the modification of the temperature control unit in FIG. 1, FIG. 3 (A) is a horizontal sectional view, FIG.3 (B) is a longitudinal cross-sectional view, FIG.3 (C) is FIG. It is a bottom view. 本発明の実施の形態に係る基板処理方法における基板の冷却時の各部温度を示すシーケンス図である。It is a sequence diagram which shows each part temperature at the time of the cooling of the board | substrate in the substrate processing method which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る基板処理方法の変形例における基板の冷却時の各部温度を示すシーケンス図である。It is a sequence diagram which shows each part temperature at the time of the cooling of the board | substrate in the modification of the substrate processing method which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る基板処理方法における基板の加熱時の各部温度を示すシーケンス図である。It is a sequence diagram which shows each part temperature at the time of the heating of the board | substrate in the substrate processing method which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る基板処理方法の変形例における基板の加熱時の各部温度を示すシーケンス図である。It is a sequence diagram which shows each part temperature at the time of the heating of the board | substrate in the modification of the substrate processing method which concerns on embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。   First, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment.

図1において、基板処理装置10は、基板を収容する収容室11と、該収容室11内の下部に配置されて基板Wを載置する基板載置台12と、収容室11内の上部において基板載置台12と対向するように配置されたシャワーヘッド状のガス供給部13とを備え、収容室11に収容された基板Wに成膜処理を施す。   In FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 includes a storage chamber 11 that stores a substrate, a substrate mounting table 12 that is placed in a lower portion of the storage chamber 11 and places a substrate W, and a substrate in an upper portion of the storage chamber 11. A gas supply unit 13 having a shower head shape disposed so as to face the mounting table 12 is provided, and a film forming process is performed on the substrate W accommodated in the accommodating chamber 11.

基板載置台12は載置された基板Wの温度を制御し、ガス供給部13は収容室11内に処理ガスを供給する。基板処理装置10では、ガス供給部13が成膜用の処理ガスを供給するとともに、基板載置台12が基板Wを所定の高温まで加熱することにより、該基板Wへ成膜処理を施す。   The substrate mounting table 12 controls the temperature of the mounted substrate W, and the gas supply unit 13 supplies a processing gas into the storage chamber 11. In the substrate processing apparatus 10, the gas supply unit 13 supplies a film forming process gas, and the substrate mounting table 12 heats the substrate W to a predetermined high temperature, thereby performing a film forming process on the substrate W.

基板載置台12は、収容室11の下方から立設する基部14と、該基部14が上端において支持する温度制御ユニット15とを有する。温度制御ユニット15は、基板Wを接触する板状のユニット本体16と、内部に埋設されたヒータ17と、同内部に形成されたチラー流路18(媒体流路)と、同内部に埋設された温度センサAとを有する。ユニット本体16は伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウムからなり、ヒータ17は外部のヒータコントローラ19(ヒータ制御ユニット)と配線20を介して接続され、該ヒータコントローラ19から電力を供給されることによって発熱する。チラー流路18は外部のチラーコントローラ21(媒体制御ユニット)と配管22を介して接続され、チラー流路18の内部をチラーコントローラ21から循環供給された媒体、例えば、ガルデン(登録商標)が流れる。   The substrate mounting table 12 includes a base portion 14 standing from below the storage chamber 11 and a temperature control unit 15 supported by the base portion 14 at the upper end. The temperature control unit 15 is embedded in a plate-like unit main body 16 that contacts the substrate W, a heater 17 embedded therein, a chiller channel 18 (medium channel) formed therein, and the inside thereof. Temperature sensor A. The unit main body 16 is made of a material having high heat conductivity, for example, aluminum, and the heater 17 is connected to an external heater controller 19 (heater control unit) via a wiring 20 and supplied with electric power from the heater controller 19. Fever. The chiller flow path 18 is connected to an external chiller controller 21 (medium control unit) via a pipe 22, and a medium such as Galden (registered trademark) circulated and supplied from the chiller controller 21 flows through the chiller flow path 18. .

ヒータ17は発熱することによってユニット本体16の温度を上昇させて該ユニット本体16に接触する基板Wを加熱し、チラー流路18は内部を低温の媒体(冷媒)が流れることによってユニット本体16の温度を下降させて該ユニット本体16に接触する基板Wを冷却する。ヒータコントローラ19、チラーコントローラ21及び温度センサAは装置コントローラ23と接続され、装置コントローラ23は、ユニット本体16に埋設された温度センサAの温度が所定の範囲に収まるように、ヒータコントローラ19およびチラーコントローラ21を制御する。具体的には、ヒータコントローラ19は装置コントローラ23から信号を受け取り、該信号に従ってヒータ17へ供給する電力の供給量や供給タイミングを制御し、チラーコントローラ21も装置コントローラ23から信号を受け取り、該信号に従ってチラー流路18へ供給する媒体の温度、供給量や供給タイミングを制御する。   The heater 17 generates heat to raise the temperature of the unit main body 16 to heat the substrate W in contact with the unit main body 16, and the chiller flow path 18 has a low-temperature medium (refrigerant) flowing through the inside of the unit main body 16. The substrate W in contact with the unit main body 16 is cooled by lowering the temperature. The heater controller 19, the chiller controller 21 and the temperature sensor A are connected to the device controller 23. The device controller 23 is connected to the heater controller 19 and the chiller so that the temperature of the temperature sensor A embedded in the unit body 16 is within a predetermined range. The controller 21 is controlled. Specifically, the heater controller 19 receives a signal from the apparatus controller 23 and controls the supply amount and supply timing of the electric power supplied to the heater 17 according to the signal, and the chiller controller 21 also receives the signal from the apparatus controller 23 and receives the signal. The temperature, supply amount, and supply timing of the medium supplied to the chiller channel 18 are controlled according to

図2は、図1における温度制御ユニットの構成を概略的に示す図であり、図2(A)は水平断面図であり、図2(B)は縦断面図であり、図2(C)は底面図である。   2 is a diagram schematically showing the configuration of the temperature control unit in FIG. 1, FIG. 2 (A) is a horizontal sectional view, FIG. 2 (B) is a longitudinal sectional view, and FIG. 2 (C). Is a bottom view.

図2において、温度制御ユニット15のユニット本体16の内部には温度センサAが埋設され、さらに6本の直線状のヒータ17が互いに平行に配置される。温度センサAが埋設される位置は、断面視においては、基板Wとの接触面16aに近い箇所が望ましく(図2(B)参照。)、底面視においては、中央部が望ましい(図2(C)参照。)が、特に限定されるものではない。各ヒータ17は、それぞれ3つのヒータ17を接続する2つの電線20によって平面視でE字状を呈する2つの組に分けられている。各組はE字の開放端同士が対向し、一方の組において隣接する2つのヒータ17の間に他方の組における1つのヒータ17が介在するように配置される。   In FIG. 2, a temperature sensor A is embedded in the unit main body 16 of the temperature control unit 15, and six linear heaters 17 are arranged in parallel to each other. The position where the temperature sensor A is embedded is preferably a portion close to the contact surface 16a with the substrate W in the cross-sectional view (see FIG. 2B), and the central portion is desirable in the bottom view (FIG. 2 ( C)) is not particularly limited. Each heater 17 is divided into two sets having an E shape in plan view by two electric wires 20 connecting the three heaters 17 respectively. Each set is arranged such that the open ends of the E-shapes face each other, and one heater 17 in the other set is interposed between two adjacent heaters 17 in one set.

また、ユニット本体16の内部には1本のチラー流路18が形成されている。チラー流路18は平面視において、隣接する2つのヒータ17の間において両ヒータ17から等距離に位置するように両ヒータ17の間の部分を経由し、且つ、各ヒータ17の端部で屈曲部を擁するように配置される。さらに、ユニット本体16では、各ヒータ17及びチラー流路18が平面視における1つのヒータ17に垂直な方向Dに関して交互に等間隔で配置される(図2(A))。   A single chiller channel 18 is formed inside the unit body 16. The chiller flow path 18 passes through a portion between the two heaters 17 so as to be located at an equal distance between the two heaters 17 between the two adjacent heaters 17 in plan view, and bends at the end of each heater 17. It arrange | positions so that it may have a part. Further, in the unit main body 16, the heaters 17 and the chiller flow paths 18 are alternately arranged at equal intervals in the direction D perpendicular to the one heater 17 in a plan view (FIG. 2A).

ユニット本体16における基板Wとの接触面16aとは反対側の裏面16bには、ユニット本体16に埋設された各ヒータ17の組に対応するようにE字状を呈するメンテナンス用の蓋24,25が設けられる。ユニット本体16はメンテナンス用の蓋24及び25を該ユニット本体16へ取り付けるための取り付けねじ用のねじ穴26を有する。なお、本実施の形態では、図2(A)に示すように、1つのヒータ17に対して2つのねじ穴26が設けられるが、ねじ穴26の数は特に限られていない。   On the back surface 16b of the unit body 16 opposite to the contact surface 16a with the substrate W, the maintenance lids 24, 25 exhibiting an E shape so as to correspond to each set of heaters 17 embedded in the unit body 16. Is provided. The unit main body 16 has screw holes 26 for mounting screws for attaching the lids 24 and 25 for maintenance to the unit main body 16. In the present embodiment, as shown in FIG. 2A, two screw holes 26 are provided for one heater 17, but the number of screw holes 26 is not particularly limited.

温度制御ユニット15では、温度センサAが故障した際、または、あるヒータ17が断線した際、ユニット本体16を取り外し、さらに、取り付けねじを外すことによって裏面のメンテナンス用の蓋24又は25を開蓋し、故障した温度センサA、または、断線したヒータ17を取り替える。   In the temperature control unit 15, when the temperature sensor A fails or when a certain heater 17 is disconnected, the unit main body 16 is removed, and the mounting screw 24 is removed to open the rear maintenance lid 24 or 25. Then, the failed temperature sensor A or the disconnected heater 17 is replaced.

図2の温度制御ユニット15によれば、ユニット本体16内にチラー流路18だけでなく複数のヒータ17が配置されるため、ヒータ17とチラー流路18を別個のユニットとして設けた場合に生じるヒータ17及びチラー流路18の間の境界部が存在せず、当該境界部による熱抵抗が無いため、ヒータ17からの熱のユニット本体16への伝達が阻害されることがない。また、ユニット本体16内に温度センサAが埋設されているため、ユニット本体16の温度を精度良く測定することができる。その結果、基板Wの温度を早く変化させることができる。   According to the temperature control unit 15 of FIG. 2, not only the chiller flow path 18 but also a plurality of heaters 17 are arranged in the unit main body 16, and thus occurs when the heater 17 and the chiller flow path 18 are provided as separate units. Since there is no boundary between the heater 17 and the chiller flow path 18 and there is no thermal resistance due to the boundary, the transfer of heat from the heater 17 to the unit body 16 is not hindered. Moreover, since the temperature sensor A is embedded in the unit main body 16, the temperature of the unit main body 16 can be measured with high accuracy. As a result, the temperature of the substrate W can be changed quickly.

また、温度制御ユニット15では、各ヒータ17は互いに平行に配置され、チラー流路18は隣接する2つのヒータ17の間の部分を経由するように配置され、且つユニット本体16の平面視における1つのヒータ17に垂直な方向Dに関し、各ヒータ17及びチラー流路18は交互に等間隔で配置されるので、ユニット本体16における加熱箇所及び冷却箇所の配置のバランスを向上することができる。その結果、ユニット本体16と接触する基板Wの温度を安定且つ均一に変化させることができる。   In the temperature control unit 15, the heaters 17 are arranged in parallel to each other, the chiller flow path 18 is arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters 17, and 1 in a plan view of the unit main body 16. Since the heaters 17 and the chiller flow paths 18 are alternately arranged at equal intervals in the direction D perpendicular to the two heaters 17, the balance of the arrangement of heating points and cooling points in the unit main body 16 can be improved. As a result, the temperature of the substrate W in contact with the unit main body 16 can be changed stably and uniformly.

また、ユニット本体16の温度を監視する温度センサAを基板Wとの接触面16aへできるだけ近い位置に埋設することにより、基板Wと、温度センサAによって測定されたユニット本体16との間の温度勾配を小さくできるため、基板Wの温度を精度よく制御することができる。   Further, by embedding a temperature sensor A for monitoring the temperature of the unit main body 16 at a position as close as possible to the contact surface 16a with the substrate W, the temperature between the substrate W and the unit main body 16 measured by the temperature sensor A is measured. Since the gradient can be reduced, the temperature of the substrate W can be accurately controlled.

また、温度制御ユニット15は、ユニット本体16の裏面16bにおいて、各ヒータ17の位置に対応するように配置された開閉可能なメンテナンス用の蓋24,25をさらに備えるので、温度センサA、若しくは、ヒータ17が破損しても当該ヒータ17を交換することでき、もって、温度制御ユニット15のランニングコストを低減することができる。また、メンテナンス用の蓋24、25がユニット本体16の接触面16aではなく裏面16bに配置されているため、メンテナンス用の蓋24、25とユニット本体16との間の境界が熱抵抗となってヒータ17による基板Wの加熱やチラー流路18の内部を流れる冷媒による基板Wの冷却を阻害することがなく、もって、基板Wの温度をより早く変化させることができる。   In addition, the temperature control unit 15 further includes maintenance covers 24 and 25 that can be opened and closed arranged on the back surface 16b of the unit body 16 so as to correspond to the positions of the heaters 17, so that the temperature sensor A or Even if the heater 17 is damaged, the heater 17 can be replaced, and the running cost of the temperature control unit 15 can be reduced. Further, since the maintenance lids 24 and 25 are arranged not on the contact surface 16a of the unit main body 16 but on the back surface 16b, the boundary between the maintenance lids 24 and 25 and the unit main body 16 becomes a thermal resistance. The heating of the substrate W by the heater 17 and the cooling of the substrate W by the refrigerant flowing inside the chiller channel 18 are not hindered, and the temperature of the substrate W can be changed more quickly.

なお、本実施の形態においては、ヒータ17が互いに平行な直線状のヒータとして説明されたが、熱交換を行う領域の形状に合わせて、同形状の曲線状のヒータを互いからの距離が一定となるように配置してもよい。この場合、曲線状のヒータとしては、例えば、円弧状の曲線や、放物線状の曲線で構成されるヒータであってもよく、また、一方向を指向しつつ蛇行する曲線状のヒータであってもよい。蛇行するヒータの場合、隣接するヒータが互いに鏡面対称となる形状であってもよく、平行移動した形状であってもよい。   In the present embodiment, the heater 17 has been described as a linear heater parallel to each other. However, according to the shape of the area where heat exchange is performed, the distance between the heaters of the same shape is constant. You may arrange | position so that it may become. In this case, the curved heater may be, for example, a heater formed of an arcuate curve or a parabolic curve, or a curved heater that meanders in one direction. Also good. In the case of a meandering heater, adjacent heaters may have a mirror-symmetrical shape or may have a parallel-moving shape.

さらに、本実施の形態においては、チラー流路18は一本の流路からなる一系統の流路として説明したが、二本またはそれ以上の流路からなる複数系統の流路として構成してもよい。一本の流路では上流及び下流の間に温度差が生じやすいが、複数の流路で構成すれば、一系統の流路が短くなるので、上流及び下流の間の温度差を小さくすることができ、ユニット本体16における面内での熱交換の不均一を緩和することができる。   Furthermore, in the present embodiment, the chiller flow path 18 has been described as a single-line flow path consisting of a single flow path. However, the chiller flow path 18 is configured as a multiple-line flow path consisting of two or more flow paths. Also good. A single flow path is likely to cause a temperature difference between upstream and downstream, but if it is configured with multiple flow paths, the single system flow path will be shortened, so the temperature difference between the upstream and downstream should be reduced. And non-uniformity of heat exchange in the surface of the unit body 16 can be alleviated.

図3は、図1における温度制御ユニットの変形例の構成を概略的に示す図であり、図3(A)は水平断面図であり、図3(B)は縦断面図であり、図3(C)は底面図である。本変形例は、ヒータの数やチラーの形状が図2の温度制御ユニット15と異なる。   3 is a diagram schematically showing a configuration of a variation of the temperature control unit in FIG. 1, FIG. 3 (A) is a horizontal sectional view, FIG. 3 (B) is a longitudinal sectional view, and FIG. (C) is a bottom view. This modification differs from the temperature control unit 15 of FIG. 2 in the number of heaters and the shape of the chiller.

ところで、各ねじ穴26の機能、例えば、締結力の発揮や締結力に対する耐性を確保するために、各ねじ穴26をヒータ17やチラー流路18から一定の距離以上離して配置する必要がある。その結果、ヒータ17やチラー流路18の配置場所はねじ穴26の配置場所に左右される。具体的に図2の温度制御ユニット15では、ヒータ17やチラー流路18が直線状に形成されるため、各ねじ穴26の配置場所を考慮すると、各ヒータ17及びチラー流路18をある一定以上近づけることができず、配置できるヒータ17の数が制限され、また、媒体流路18も細かく屈曲することができないので、ユニット本体16における面内の温度分布が不均一となる虞がある。これに対して、図3の温度制御ユニット27では、隣接する2つのヒータ17の間において取り付けねじ用のねじ穴26を避けるようにチラー流路18が蛇行する。これにより、チラー流路18における各曲部18aの内側に各ねじ穴26を配置すれば、各ねじ穴26からチラー流路18まで一定の距離を確保できるとともに、当該曲部18aと隣接する曲部18bをヒータ17へ近づけることできる。これにより、各ヒータ17及びチラー流路18を、図2の温度制御ユニット15におけるヒータ17及びチラー流路18よりも近づけることができる。その結果、ユニット本体16においてより多くのヒータ17を配置し、さらにチラー流路18をより細かく屈曲することができるので、ユニット本体16における面内の温度均一性を向上させることができる。例えば、図3の温度制御ユニット27では、8つのヒータ17を配置することができる。   By the way, in order to ensure the function of each screw hole 26, for example, the exertion of the fastening force and the resistance to the fastening force, it is necessary to dispose each screw hole 26 apart from the heater 17 and the chiller channel 18 by a certain distance or more. . As a result, the location of the heater 17 and the chiller channel 18 depends on the location of the screw hole 26. Specifically, in the temperature control unit 15 of FIG. 2, the heater 17 and the chiller flow path 18 are formed in a straight line. Since the number of heaters 17 that cannot be placed closer to each other is limited, and the medium flow path 18 cannot be bent finely, the in-plane temperature distribution in the unit main body 16 may be non-uniform. On the other hand, in the temperature control unit 27 of FIG. 3, the chiller flow path 18 meanders so as to avoid the screw hole 26 for the mounting screw between the two adjacent heaters 17. Accordingly, if each screw hole 26 is arranged inside each curved portion 18a in the chiller flow path 18, a certain distance from each screw hole 26 to the chiller flow path 18 can be secured, and the curved portion adjacent to the curved portion 18a. The part 18 b can be brought close to the heater 17. Thereby, each heater 17 and the chiller flow path 18 can be brought closer to the heater 17 and the chiller flow path 18 in the temperature control unit 15 of FIG. As a result, more heaters 17 can be arranged in the unit main body 16 and the chiller channel 18 can be bent more finely, so that in-plane temperature uniformity in the unit main body 16 can be improved. For example, in the temperature control unit 27 of FIG. 3, eight heaters 17 can be arranged.

また、温度制御ユニット27では、蛇行するチラー流路18のユニット本体16の平面視における曲率が半径40mm以上に設定される。これにより、チラー流路18のコンダクタンスが極端に低下することがないので、チラー流路18内を流れる媒体の圧損が生じることがなく、媒体の供給効率が低下するのを防止することができる。   In the temperature control unit 27, the curvature of the meandering chiller channel 18 in the plan view of the unit body 16 is set to a radius of 40 mm or more. Thereby, since the conductance of the chiller flow path 18 does not extremely decrease, the pressure loss of the medium flowing in the chiller flow path 18 does not occur, and the supply efficiency of the medium can be prevented from decreasing.

なお、本変形例においてはチラー流路18を蛇行させてねじ穴26を回避させたが、チラー流路18ではなくヒータ17を蛇行させてねじ穴26を回避してもよい。   In the present modification, the chiller channel 18 is meandered to avoid the screw hole 26, but the heater 17 may meander instead of the chiller channel 18 to avoid the screw hole 26.

次に、本発明の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。本実施の形態に係る基板処理方法は温度制御ユニット15を備える基板処理装置10において装置コントローラ23が実行する。なお、本実施の形態に係る基板処理方法では、ユニット本体16の温度が基板Wの温度を代用するものとして、ヒータ17やチラー流路18によってユニット本体16の温度を制御する。   Next, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described. The substrate processing method according to the present embodiment is executed by the apparatus controller 23 in the substrate processing apparatus 10 including the temperature control unit 15. In the substrate processing method according to the present embodiment, the temperature of the unit main body 16 is controlled by the heater 17 and the chiller channel 18 on the assumption that the temperature of the unit main body 16 substitutes the temperature of the substrate W.

図4は、本実施の形態に係る基板処理方法における基板の冷却時の各部温度を示すシーケンス図である。   FIG. 4 is a sequence diagram showing the temperature of each part during substrate cooling in the substrate processing method according to the present embodiment.

図4において、例えば、250℃の基板Wの目標冷却温度、例えば、120℃までの冷却が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を停止し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標冷却温度よりも低い温度である冷却用温度、例えば、80℃まで低下させる。その後、ユニット本体16が冷却用温度の媒体によって冷却されて目標冷却温度よりも2℃以上且つ20℃未満の所定の温度(第1の所定温度)だけ高い温度(第1の制御変更温度)、例えば、130℃に到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標冷却温度に変更し、降温速度を低下させてユニット本体16の降温度合いを緩和する。   In FIG. 4, for example, when cooling to a target cooling temperature of the substrate W of 250 ° C., for example, 120 ° C. is started, the heater controller 19 stops supplying power to the heater 17, and the chiller controller 21 The temperature of the medium supplied to the path 18 is lowered to a cooling temperature, for example, 80 ° C., which is lower than the target cooling temperature. Thereafter, the unit main body 16 is cooled by a medium having a cooling temperature, and a temperature (first control change temperature) that is higher than the target cooling temperature by a predetermined temperature (first predetermined temperature) of 2 ° C. or higher and lower than 20 ° C., For example, when reaching 130 ° C., the chiller controller 21 changes the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 to the target cooling temperature, and reduces the temperature drop rate of the unit body 16 by reducing the temperature drop rate.

本実施の形態に係る基板処理方法によれば、基板Wを目標冷却温度まで冷却する際、チラー流路18へ目標冷却温度よりも低い温度(冷却用温度)の媒体を供給するので、基板Wの冷却を迅速に行うことができ、もって、基板Wの温度を早く変化させることができる。 また、本実施の形態に係る基板処理方法では、ユニット本体16の温度が、目標冷却温度よりも高い第1の制御変更温度に到達したとき、チラー流路18へ供給される媒体の温度を目標冷却温度に変更するので、ユニット本体16が過剰に冷却されることがなく、もって、ユニット本体16の温度が目標冷却温度を下回るのを防止することができる。   According to the substrate processing method according to the present embodiment, when the substrate W is cooled to the target cooling temperature, a medium having a temperature (cooling temperature) lower than the target cooling temperature is supplied to the chiller channel 18. Therefore, the temperature of the substrate W can be changed quickly. Further, in the substrate processing method according to the present embodiment, when the temperature of the unit body 16 reaches the first control change temperature that is higher than the target cooling temperature, the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 is targeted. Since the temperature is changed to the cooling temperature, the unit main body 16 is not excessively cooled, and the temperature of the unit main body 16 can be prevented from falling below the target cooling temperature.

上述した本実施の形態に係る基板処理方法では、ヒータ17への電力の供給が停止されると、その後、電力の供給は再開されないが、電力の供給を意図的に再開してもよい。   In the substrate processing method according to the present embodiment described above, when the supply of power to the heater 17 is stopped, the supply of power is not resumed thereafter, but the supply of power may be intentionally resumed.

図5は、本実施の形態に係る基板処理方法の変形例における基板の冷却時の各部温度を示すシーケンス図である。   FIG. 5 is a sequence diagram showing the temperature of each part during the cooling of the substrate in the modification of the substrate processing method according to the present embodiment.

図5において、基板Wの冷却が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を停止し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を冷却用温度まで低下させ、ユニット本体16が冷却されて第1の制御変更温度に到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標冷却温度に変更する。   In FIG. 5, when the cooling of the substrate W is started, the heater controller 19 stops the supply of power to the heater 17, and the chiller controller 21 reduces the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 to the cooling temperature. When the unit main body 16 is cooled and reaches the first control change temperature, the chiller controller 21 changes the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 to the target cooling temperature.

その後、ユニット本体16がさらに冷却されて目標冷却温度よりも1℃以上且つ10℃未満の所定の温度(第2の所定温度)だけ高い温度(第2の制御変更温度)、例えば、125℃に到達すると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を再開する。これにより、媒体の温度を目標冷却温度に変更した後に、ユニット本体16の降温速度が期待したほど下がらなくても、ユニット本体16を加熱することによってユニット本体16の降温速度を緩和することができ、もって、ユニット本体16の温度が目標冷却温度を下回るのを確実に防止することができる。   Thereafter, the unit body 16 is further cooled to a temperature (second control change temperature) higher than a target cooling temperature by a predetermined temperature (second predetermined temperature) that is 1 ° C. or higher and lower than 10 ° C., for example, 125 ° C. When reaching, the heater controller 19 resumes the supply of power to the heater 17. As a result, even after the temperature of the medium is changed to the target cooling temperature, the cooling rate of the unit body 16 can be reduced by heating the unit body 16 even if the cooling rate of the unit body 16 does not decrease as expected. Thus, it is possible to reliably prevent the temperature of the unit body 16 from falling below the target cooling temperature.

また、本実施の形態に係る基板処理方法では基板Wの加熱時においてもチラー流路18へ供給する媒体の温度を変更させてもよい。   In the substrate processing method according to the present embodiment, the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 may be changed even when the substrate W is heated.

図6は、本実施の形態に係る基板処理方法における基板の加熱時の各部温度を示すシーケンス図である。   FIG. 6 is a sequence diagram showing the temperature of each part when the substrate is heated in the substrate processing method according to the present embodiment.

図6において、例えば、60℃の基板Wの目標加熱温度、例えば、250℃までの加熱が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を開始し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標加熱温度よりも高い温度である加熱用温度、例えば、280℃まで上昇させる。その後、ユニット本体16が加熱されて目標加熱温度よりも2℃以上且つ20℃未満の所定の温度だけ低い温度(第3の制御変更温度)、例えば、240℃に到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標加熱温度に変更する。   In FIG. 6, for example, when heating to a target heating temperature of the substrate W of 60 ° C., for example, 250 ° C. is started, the heater controller 19 starts supplying power to the heater 17, and the chiller controller 21 The temperature of the medium supplied to the path 18 is increased to a heating temperature that is higher than the target heating temperature, for example, 280 ° C. After that, when the unit main body 16 is heated and reaches a temperature (third control change temperature) that is lower than the target heating temperature by a predetermined temperature of 2 ° C. or more and less than 20 ° C. (for example, 240 ° C.), for example, 240 ° C. The temperature of the medium supplied to the flow path 18 is changed to the target heating temperature.

上述した基板処理方法では、基板Wを目標加熱温度まで加熱する際、チラー流路18へ目標加熱温度よりも高い温度(加熱用温度)の媒体を供給するので、基板Wの加熱を迅速に行うことができ、もって、基板Wの温度を早く変化させることができる。   In the substrate processing method described above, when the substrate W is heated to the target heating temperature, a medium having a temperature (heating temperature) higher than the target heating temperature is supplied to the chiller flow path 18, so that the substrate W is heated quickly. Therefore, the temperature of the substrate W can be changed quickly.

また、上述した基板処理方法では、ユニット本体16の温度が、目標加熱温度よりも低い第3の制御変更温度に到達したとき、チラー流路18へ供給される媒体の温度を目標加熱温度に変更するので、ユニット本体16が過剰に加熱されることがなく、もって、ユニット本体16の温度が目標加熱温度を上回るのを防止することができる。   In the substrate processing method described above, when the temperature of the unit body 16 reaches the third control change temperature lower than the target heating temperature, the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 is changed to the target heating temperature. Therefore, the unit main body 16 is not heated excessively, and thus the temperature of the unit main body 16 can be prevented from exceeding the target heating temperature.

上述した基板処理方法では、ヒータ17への電力の供給が開始されると、その後、電力の供給は停止されないが、意図的に電力の供給を停止してもよい。   In the substrate processing method described above, when the supply of power to the heater 17 is started, the supply of power is not stopped thereafter, but the supply of power may be intentionally stopped.

図7は、本実施の形態に係る基板処理方法の変形例における基板の加熱時の各部温度を示すシーケンス図である。   FIG. 7 is a sequence diagram showing the temperature of each part at the time of heating the substrate in the modification of the substrate processing method according to the present embodiment.

図7において、基板Wの加熱が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を開始し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を加熱用温度まで上昇させ、ユニット本体16が加熱されて第3の制御変更温度に到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標加熱温度に変更する。   In FIG. 7, when the heating of the substrate W is started, the heater controller 19 starts supplying power to the heater 17, and the chiller controller 21 raises the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 to the heating temperature. When the unit main body 16 is heated and reaches the third control change temperature, the chiller controller 21 changes the temperature of the medium supplied to the chiller flow path 18 to the target heating temperature.

その後、ユニット本体16がさらに加熱されて目標加熱温度よりも 1℃以上且つ10℃未満の所定の温度だけ低い温度(第4の制御変更温度)、例えば、245℃に到達すると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を停止する。これにより、媒体の温度を目標加熱温度に変更した後に、ユニット本体16の昇温速度が期待したほど下がらなくても、ヒータ17の発熱を停止してユニット本体16への熱の供給量を急激に減らすことによってユニット本体16の昇温速度を緩和することができ、もって、ユニット本体16の温度が目標加熱温度を上回るのを確実に防止することができる。   After that, when the unit main body 16 is further heated and reaches a temperature (fourth control change temperature) lower than the target heating temperature by a predetermined temperature that is 1 ° C. or more and less than 10 ° C., for example, 245 ° C., the heater controller 19 The supply of power to the heater 17 is stopped. Thus, after changing the temperature of the medium to the target heating temperature, even if the rate of temperature increase of the unit body 16 does not decrease as expected, the heat generation of the heater 17 is stopped and the amount of heat supplied to the unit body 16 is rapidly increased. Thus, the rate of temperature increase of the unit main body 16 can be relaxed, so that the temperature of the unit main body 16 can be reliably prevented from exceeding the target heating temperature.

なお、本実施の形態に係る基板処理方法が実行される基板処理装置10の基板載置台12における温度制御ユニット15は、上述したように、ユニット本体16内にチラー流路18だけでなく複数のヒータ17及び温度センサAが配置され、ユニット本体16の温度は温度センサAによってチラー流路18の内部を流れる媒体の温度やヒータ17の温度を監視することにより、図6や図7に示すような、ヒータ17による加熱とチラー流路18による加熱とを併用する基板処理方法を精度よく実行することができる。   As described above, the temperature control unit 15 in the substrate mounting table 12 of the substrate processing apparatus 10 in which the substrate processing method according to the present embodiment is performed includes not only the chiller flow path 18 but also a plurality of The heater 17 and the temperature sensor A are arranged, and the temperature of the unit body 16 is as shown in FIGS. 6 and 7 by monitoring the temperature of the medium flowing through the chiller flow path 18 and the temperature of the heater 17 by the temperature sensor A. In addition, it is possible to accurately execute the substrate processing method in which heating by the heater 17 and heating by the chiller flow path 18 are used in combination.

上述した本実施の形態に係る基板処理方法は、処理温度が異なる複数の成膜処理の間における基板Wの温度調整に好適に用いられるが、当該基板処理方法を実行する際の収容室11内の圧力は特に限られず、大気圧乃至真空のいずれであってもよい。   The substrate processing method according to the present embodiment described above is preferably used for temperature adjustment of the substrate W during a plurality of film forming processes having different processing temperatures. However, the substrate processing method in the storage chamber 11 when the substrate processing method is executed. The pressure is not particularly limited and may be atmospheric pressure or vacuum.

また、上述した本実施の形態では成膜処理を行う場合について説明したが、本発明を適用できる処理としては迅速なる温度変化を必要とする処理であればよく、上述した成膜処理には限られない。   In addition, although the case where the film formation process is performed has been described in the present embodiment, the process to which the present invention can be applied may be a process that requires a rapid temperature change, and is limited to the above-described film formation process. I can't.

また、上述した本実施の形態に係る基板処理方法は装置コントローラ23が実行したが、基板処理装置10とネットワークを介して接続された外部のサーバ(図示しない)がヒータコントローラ19やチラーコントローラ21の動作を制御することによって実行してもよい。   In addition, the substrate processing method according to the present embodiment described above is executed by the apparatus controller 23, but an external server (not shown) connected to the substrate processing apparatus 10 via a network is connected to the heater controller 19 or the chiller controller 21. You may perform by controlling operation | movement.

さらに、チラー流路18に供給される媒体は、ガルデンに限られず、例えば、オイル系の媒体であるシリコーンオイルを用いることができる。   Furthermore, the medium supplied to the chiller channel 18 is not limited to Galden, and for example, silicone oil which is an oil-based medium can be used.

以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。   Although the present invention has been described using the above embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment.

本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記録した記憶媒体を、コンピュータ等に供給し、コンピュータのCPUが記憶媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても達成される。   An object of the present invention is to supply a computer or the like a storage medium that records a software program that implements the functions of the above-described embodiments, and the computer CPU reads and executes the program stored in the storage medium. Is also achieved.

この場合、記憶媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラム及びそのプログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。   In this case, the program itself read from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiment, and the program and the storage medium storing the program constitute the present invention.

また、プログラムを供給するための記憶媒体としては、例えば、RAM、NV−RAM、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD(DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、DVD+RW)等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のROM等の上記プログラムを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。   Examples of storage media for supplying the program include RAM, NV-RAM, floppy (registered trademark) disk, hard disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD (DVD-). Any optical disc such as ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD + RW), magnetic tape, non-volatile memory card, other ROM, or the like may be used. Alternatively, the program may be supplied to the computer by downloading it from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, a local area network, or the like.

また、コンピュータのCPUが読み出したプログラムを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムの指示に基づき、CPU上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。   Further, by executing the program read by the CPU of the computer, not only the functions of the above embodiments are realized, but also an OS (operating system) running on the CPU based on the instructions of the program. A case where part or all of the actual processing is performed and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing is also included.

さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。   Furthermore, after the program read from the storage medium is written to a memory provided in a function expansion board inserted into the computer or a function expansion unit connected to the computer, the function expansion board or This includes a case where the CPU or the like provided in the function expansion unit performs part or all of the actual processing and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.

上記プログラムの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、OSに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。   The form of the program may be in the form of object code, a program executed by an interpreter, script data supplied to the OS, and the like.

A 温度センサ
10 基板処理装置
12 基板載置台
15,27 温度制御ユニット
16 ユニット本体
17 ヒータ
18 チラー流路
19 ヒータコントローラ
21 チラーコントローラ
24,25 メンテナンス用の蓋
26 ねじ穴
A Temperature sensor 10 Substrate processing apparatus 12 Substrate mounting table 15, 27 Temperature control unit 16 Unit body 17 Heater 18 Chiller flow path 19 Heater controller 21 Chiller controllers 24, 25 Maintenance cover 26 Screw hole

Claims (12)

基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、
前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、
前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、
各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され
前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする温度制御ユニット。
A temperature control unit for controlling the temperature of the substrate in contact with the substrate,
Comprising a plate-shaped body in contact with the substrate, and a plurality of Heater sets embedded in said body, and a medium flow passage through the interior predetermined temperature of the medium is formed in said body,
Each of the plurality of heater sets includes a plurality of linear heaters and wirings that connect the heaters to each other.
The heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow path is arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters ,
In the surface opposite to the contact surface with the substrate in the body, further comprising characterized Rukoto the placed openable lid to correspond to the position of each of said heaters embedded in the body Temperature control unit.
前記本体の平面視における1つの前記ヒータに垂直な方向に関し、各前記ヒータ及び前記媒体流路は交互に等間隔で配置されることを特徴とする請求項1記載の温度制御ユニット。   2. The temperature control unit according to claim 1, wherein the heater and the medium flow path are alternately arranged at equal intervals in a direction perpendicular to one of the heaters in a plan view of the main body. 前記本体は前記蓋を取り付けるためのねじ用のねじ穴を有し、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間において前記ねじ穴を避けるように蛇行することを特徴とする請求項1又は2記載の温度制御ユニット。 The body has a threaded hole for screws for attaching the lid, the medium flow path claim 1, wherein the meandering so as to avoid the screw hole between the adjacent two of the heater or 2. The temperature control unit according to 2 . 前記蛇行する媒体流路における曲部の前記本体の平面視における曲率は半径40mm以上であることを特徴とする請求項記載の温度制御ユニット。 The temperature control unit according to claim 3 , wherein a curvature of the curved portion in the meandering medium flow path in a plan view of the main body is a radius of 40 mm or more. 基板を載置する基板載置台であって、
前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを備え、
前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、
前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、
各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され
前記温度制御ユニットは、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする基板載置台。
A substrate mounting table for mounting a substrate,
A temperature control unit that controls the temperature of the substrate in contact with the substrate; and a base that supports the temperature control unit;
The temperature control unit includes a plate-like body in contact with the substrate, a plurality of Heater set embedded within the body and the medium flow flowing a predetermined temperature of the medium inside is formed in said body Road and
Each of the plurality of heater sets includes a plurality of linear heaters and wirings that connect the heaters to each other.
The heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow path is arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters ,
The temperature control unit further includes an openable / closable lid disposed on the surface of the main body opposite to the contact surface with the substrate so as to correspond to the position of each of the heaters embedded in the main body. A substrate mounting table.
基板に処理を施す基板処理装置であって、
前記基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する基板載置台とを備え、
前記基板載置台は、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを有し、
前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、
前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、
各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され
前記温度制御ユニットは、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A storage chamber for storing the substrate; and a substrate mounting table disposed in the storage chamber for mounting the substrate;
The substrate mounting table includes a temperature control unit that controls the temperature of the substrate in contact with the substrate, and a base that supports the temperature control unit,
The temperature control unit includes a plate-like body in contact with the substrate, a plurality of Heater set embedded within the body and the medium flow flowing a predetermined temperature of the medium inside is formed in said body Road and
Each of the plurality of heater sets includes a plurality of linear heaters and wirings that connect the heaters to each other.
The heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow path is arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters ,
The temperature control unit further includes an openable / closable lid disposed on the surface of the main body opposite to the contact surface with the substrate so as to correspond to the position of each of the heaters embedded in the main body. A substrate processing apparatus.
基板の温度を制御する温度制御システムであって、
前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、
前記ヒータの発熱量を制御するヒータ制御ユニットと、
前記媒体流路を流れる媒体の流量や温度を制御する媒体制御ユニットとを備え、
前記温度制御ユニットの前記本体において、前記複数のヒータ組の各々は、複数の直線状のヒータと、各前記ヒータを互いに結合する配線とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置され
前記温度制御ユニットは、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各前記ヒータの位置に対応するように配置された開閉可能な蓋をさらに備えることを特徴とする温度制御システム。
A temperature control system for controlling the temperature of a substrate,
Has a plate-like body in contact with the substrate, and a plurality of Heater sets embedded in said body, and a medium flow passage inside is formed in said body through a predetermined temperature of the medium, A temperature control unit for controlling the temperature of the substrate in contact with the substrate;
A heater control unit for controlling the amount of heat generated by the heater;
A medium control unit for controlling the flow rate and temperature of the medium flowing through the medium flow path,
In the main body of the temperature control unit, each of the plurality of heater sets includes a plurality of linear heaters and wirings that connect the heaters to each other, and the heaters are arranged in parallel to each other, The medium flow path is disposed so as to pass through a portion between two adjacent heaters ,
The temperature control unit further includes an openable / closable lid disposed on the surface of the main body opposite to the contact surface with the substrate so as to correspond to the position of each of the heaters embedded in the main body. A temperature control system characterized by that.
基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置される温度制御ユニットを用いる基板処理方法であって、
前記基板を目標冷却温度まで冷却する際、前記媒体流路へ前記目標冷却温度よりも低い温度の媒体を供給し、
前記基板を目標加熱温度まで加熱する際、前記ヒータを発熱させるとともに、前記媒体流路へ前記目標加熱温度よりも高い温度の媒体を供給することを特徴とする基板処理方法。
A temperature control unit for controlling the temperature of a substrate in contact with the substrate, formed in the body, a plate-shaped main body in contact with the substrate, a plurality of linear heaters embedded in the main body And a medium flow path through which a medium having a predetermined temperature flows. The heaters are arranged in parallel to each other, and the medium flow path is arranged so as to pass through a portion between two adjacent heaters. A substrate processing method using a temperature control unit comprising:
When cooling the substrate to a target cooling temperature, supply a medium having a temperature lower than the target cooling temperature to the medium flow path ,
When heating the substrate to a target heating temperature, the heater generates heat, and a medium having a temperature higher than the target heating temperature is supplied to the medium flow path .
前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第1の所定温度だけ高い第1の制御変更温度に到達したとき、前記媒体流路へ供給される媒体の温度を前記目標冷却温度に変更することを特徴とする請求項記載の基板処理方法。 When the temperature of the main body of the temperature control unit reaches a first control change temperature that is higher than the target cooling temperature by a first predetermined temperature, the temperature of the medium supplied to the medium flow path is set to the target cooling temperature. The substrate processing method according to claim 8, wherein: 前記第1の所定温度は2℃以上且つ20℃未満であることを特徴とする請求項記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 9, wherein the first predetermined temperature is 2 ° C. or higher and lower than 20 ° C. 前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第2の所定温度だけ高い第2の制御変更温度に到達したとき、前記ヒータを発熱させ、
前記第2の所定温度は前記第1の所定温度よりも低いことを特徴とする請求項9又は10記載の基板処理方法。
When the temperature of the main body of the temperature control unit reaches a second control change temperature that is higher than the target cooling temperature by a second predetermined temperature, the heater is heated.
The second predetermined temperature the substrate processing method according to claim 9 or 10, wherein a lower than the first predetermined temperature.
前記第2の所定温度は1℃以上且つ10℃未満であることを特徴とする請求項11記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 11, wherein the second predetermined temperature is 1 ° C. or higher and lower than 10 ° C. 12.
JP2011162138A 2011-07-25 2011-07-25 Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method Active JP5897275B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011162138A JP5897275B2 (en) 2011-07-25 2011-07-25 Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method
KR1020120078028A KR101422915B1 (en) 2011-07-25 2012-07-18 Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system and substrate processing method
TW101126293A TWI550753B (en) 2011-07-25 2012-07-20 A temperature control unit, a substrate stage, a substrate processing device, a temperature control system, and a substrate processing method
CN201210258971.7A CN102903651B (en) 2011-07-25 2012-07-25 Temperature control unit and system, substrate-placing platform, processing unit and processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011162138A JP5897275B2 (en) 2011-07-25 2011-07-25 Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013026561A JP2013026561A (en) 2013-02-04
JP5897275B2 true JP5897275B2 (en) 2016-03-30

Family

ID=47575833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011162138A Active JP5897275B2 (en) 2011-07-25 2011-07-25 Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5897275B2 (en)
KR (1) KR101422915B1 (en)
CN (1) CN102903651B (en)
TW (1) TWI550753B (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6346551B2 (en) * 2013-12-05 2018-06-20 Ckd株式会社 Flow path block and fluid supply control device
JP2016168780A (en) * 2015-03-13 2016-09-23 富士フイルム株式会社 Liquid supply device and image formation device
JP6525751B2 (en) 2015-06-11 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 Temperature control method and plasma processing apparatus
US10648080B2 (en) 2016-05-06 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Full-area counter-flow heat exchange substrate support
KR101958636B1 (en) 2016-10-31 2019-03-18 세메스 주식회사 Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate
JP2023161767A (en) * 2022-04-26 2023-11-08 Ckd株式会社 Temperature adjusting flow volume control unit and semiconductor manufacturing device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3188363B2 (en) * 1994-01-21 2001-07-16 エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド Temperature controller using circulating coolant and temperature control method therefor
JP3527382B2 (en) * 1997-03-13 2004-05-17 三菱電機株式会社 Heat equalizer
JPH11173774A (en) * 1997-12-05 1999-07-02 Komatsu Ltd Plate type heat pipe and temperature controller using it
JP3129417B2 (en) * 1999-03-11 2001-01-29 三菱重工業株式会社 Heating / cooling device and electrical characteristic evaluation device
JP2000269189A (en) * 1999-03-15 2000-09-29 Sony Corp Method for plasma etching
JP2001209056A (en) * 2000-01-25 2001-08-03 Shinetsu Engineering Kk Device for production of liquid crystal panel
JP2001318720A (en) * 2000-05-08 2001-11-16 Komatsu Ltd Temperature control method and device
JP4153781B2 (en) * 2002-01-31 2008-09-24 大日本スクリーン製造株式会社 Heat treatment apparatus and substrate processing apparatus
JP4625394B2 (en) * 2005-10-04 2011-02-02 三菱重工業株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JP4625783B2 (en) 2006-04-03 2011-02-02 株式会社フューチャービジョン Substrate stage and substrate processing apparatus
US20080035306A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 White John M Heating and cooling of substrate support
KR100875388B1 (en) * 2006-12-07 2008-12-23 에이비엠 주식회사 Method for manufacturing hot plate for TF-LC, semiconductor and ODL manufacturing equipment
JP4988459B2 (en) * 2007-07-04 2012-08-01 エスペック株式会社 Constant temperature test equipment for testing and semiconductor wafer performance testing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
TW201308497A (en) 2013-02-16
JP2013026561A (en) 2013-02-04
KR101422915B1 (en) 2014-07-23
CN102903651B (en) 2015-11-18
TWI550753B (en) 2016-09-21
KR20130012553A (en) 2013-02-04
CN102903651A (en) 2013-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5897275B2 (en) Temperature control unit, substrate mounting table, substrate processing apparatus, temperature control system, and substrate processing method
JP6883618B2 (en) Semiconductor wafer measurement method and semiconductor wafer measurement device
US8461061B2 (en) Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
KR0142808B1 (en) Apparatus for cooling a substrate and heat treatment apparatus
TWI548850B (en) Thermal processing apparatus and method of controlling the same
US9290403B2 (en) Repositionable heater assemblies for glass production lines and methods of managing temperature of glass in production lines
JP5949934B2 (en) Gas chromatograph
JP2010054157A (en) Heater unit and heat treatment device
JP2000277237A (en) Base board temperature control plate and controlling device fitted with the same
CN108426914B (en) Measuring instrument for heat conductivity coefficient and specific heat capacity
JP2005198539A (en) Temperature controller
JP2008249641A (en) Temperature estimating method and temperature estimating device
JP4670439B2 (en) Temperature control method and temperature control apparatus
KR20230031137A (en) Heat treating device
JPH11233407A (en) Method and device for controlling temperature
JP2007242850A (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP2022176039A (en) Heater unit for heat treatment oven
KR101374752B1 (en) Heat treatment chamber, apparatus and method of substrate having system of measuring and controlling substrate temperature
KR101396567B1 (en) Heat treatment apparatus for glass substrate
JP7045995B2 (en) Methods and systems for equipment thermal control in electronic test equipment
TWI844060B (en) Heat treatment device
JP3966490B2 (en) Substrate temperature estimation apparatus and method, and substrate temperature control apparatus using the same
JP4533732B2 (en) Film forming apparatus and manufacturing method thereof
CN213878027U (en) Heating device with consistent wafer surface temperature
KR200463820Y1 (en) Boat

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150731

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160302

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5897275

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250