JP5893369B2 - Semiconductor device - Google Patents

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Description

この発明は、パワーモジュール等の半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device such as a power module.

パワーモジュールは、電源に一対のスイッチング素子を直列に接続し、その一対のスイッチング素子の間から出力を得る装置である。このようなパワーモジュールは、たとえば、電動モータを駆動するための駆動回路を構成するインバータ回路に用いられる。電動モータは、たとえば、電気自動車（ハイブリッド車を含む）、電車、産業用ロボット等の動力源として用いられる。パワーモジュールは、また、太陽電池、風力発電機その他の発電装置（とくに自家発電装置）が発生する電力を商用電源の電力と整合するように変換するインバータ回路にも適用される。   A power module is a device that connects a pair of switching elements to a power supply in series and obtains output from between the pair of switching elements. Such a power module is used, for example, in an inverter circuit that constitutes a drive circuit for driving an electric motor. The electric motor is used as a power source of, for example, an electric vehicle (including a hybrid vehicle), a train, an industrial robot, and the like. The power module is also applied to an inverter circuit that converts electric power generated by a solar cell, a wind power generator, and other power generation devices (particularly a private power generation device) so as to match the power of a commercial power source.

パワーモジュールのスイッチング素子には、従来から、Ｓｉ（シリコン）半導体を用いたデバイスが用いられてきた。しかし、電力変換時におけるデバイスでの損失が問題となっており、Ｓｉ材料を用いたデバイスでは、さらなる高効率化はもはや困難な状況に立ち至っている。
そこで、ＳｉＣ（炭化シリコン）半導体を用いたパワーデバイスをスイッチング素子として用いたパワーモジュールが提案されている。ＳｉＣパワーデバイスは、スイッチング速度が高速であるため、高速なオン／オフ動作が可能である。したがって、オフ時に電流が速やかに減少するので、スイッチング損失を低減することができる。 Conventionally, devices using Si (silicon) semiconductors have been used as switching elements of power modules. However, the loss in the device at the time of power conversion has been a problem, and in the device using Si material, it has already become difficult to achieve higher efficiency.
Therefore, a power module using a power device using a SiC (silicon carbide) semiconductor as a switching element has been proposed. Since the SiC power device has a high switching speed, a high-speed on / off operation is possible. Therefore, since the current decreases rapidly at the time of OFF, the switching loss can be reduced.

特開２００３−１３３５１５号公報JP 2003-133515 A 特開２００４−９５７６９号公報JP 2004-95769 A

ところが、ＳｉＣパワーデバイスによる高速スイッチングは、スイッチング時のサージ電圧の増加という新たな問題をもたらす。
サージ電圧Ｖは、次式（Ａ）に示すとおり、パワーモジュール内部の配線が有する自己インダクタンスＬと、電流ｉの時間ｔによる微分（di/dt）（時間当たりの電流変化率）との積で与えられる。 However, the high-speed switching by the SiC power device brings about a new problem of an increase in surge voltage during switching.
As shown in the following formula (A), the surge voltage V is a product of the self-inductance L of the wiring inside the power module and the differentiation (di / dt) (current change rate per time) of the current i by the time t. Given.

Ｖ＝Ｌ・（di/dt） ……（Ａ）
スイッチング速度が速いほど、電流ｉの変化率（di/dt）が大きくなるから、サージ電圧Ｖが大きくなる。このサージ電圧によって、デバイスに耐圧以上の電圧が負荷されると、デバイスが破壊されるおそれがある。また、サージ電圧が大きいと、ＥＭＩ（電磁気妨害）ノイズの増大や信頼性の低下の懸念もある。 V = L ・ (di / dt) (A)
As the switching speed increases, the rate of change (di / dt) of the current i increases, so the surge voltage V increases. If a voltage exceeding the withstand voltage is applied to the device due to the surge voltage, the device may be destroyed. Further, when the surge voltage is large, there is a concern that EMI (electromagnetic interference) noise increases and reliability decreases.

そこで、ＳｉＣデバイス等の高速スイッチング素子を適用しながら、サージ電圧を低減するために、パワーモジュールの内部配線が有する自己インダクタンスＬを低減する必要がある。この課題は、パワーモジュールのみならず、スイッチング素子を有する半導体装置に共通している。むろん、Ｓｉ半導体を用いたスイッチング素子を有する半導体装置においても、サージ電圧の低減は重要な課題である。   Therefore, it is necessary to reduce the self-inductance L of the internal wiring of the power module in order to reduce the surge voltage while applying a high-speed switching element such as a SiC device. This problem is common not only to power modules but also to semiconductor devices having switching elements. Of course, also in a semiconductor device having a switching element using a Si semiconductor, reduction of the surge voltage is an important issue.

この発明の目的は、内部配線の自己インダクタンスの小さなパワーモジュールを実現できる半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of realizing a power module having a small self-inductance of internal wiring.

この発明による半導体装置は、一方向に延びた第１内部配線接続部を有する第１電源端子と、前記第１内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第２内部配線接続部を有する出力端子と、前記第２内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第３内部配線接続部を有する第２電源端子と、前記第１、第２および第３内部配線接続部を含む積層構造体の一側方に配置され、上アーム回路を構成する第１アッセンブリと、前記積層構造体に対して前記第１アッセンブリと反対側に配置され、下アーム回路を構成する第２アッセンブリと、前記第１アッセンブリを前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの一方に接続するための第１接続金属部材と、前記第１アッセンブリを前記第２内部配線接続部に接続するための第２接続金属部材と、前記第２アッセンブリを前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの他方に接続するための第３接続金属部材と、前記第２アッセンブリを第２内部配線接続部に接続するための第４接続金属部材とを含んでいる。そして、前記第１接続金属部材および前記第２接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成され、前記第３接続金属部材および前記第４接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている。
また、前記第１内部配線接続部および前記第３内部配線接続部は、平面視で一方向に長い矩形状であり、前記第１電源端子は、前記第１内部配線接続部の一端部から立ち上がった第１立上部と、前記第１立上部の側縁部に結合され、前記第１内部配線接続部から遠ざかる方向に延びた第１横行部と、前記第１横行部に結合された第１外部配線接続部とを含み、前記第２電源端子は、前記第３内部配線接続部の一端部から立ち上がり、前記第１立上部と対向配置された第２立上部と、前記第２立上部の側縁部に結合され、前記第２内部配線接続部から遠ざかる方向に延び、前記第１横行部と対向配置された第２横行部と、前記第２横行部に結合された第２外部配線接続部とを含む。 That by the present invention a semi-conductor device includes a first power supply terminal having a first internal wiring connecting portion extending in one direction, the second inner wire disposed through the insulating layer to the first inner wiring connection portion on An output terminal having a connection portion; a second power supply terminal having a third internal wiring connection portion disposed on the second internal wiring connection portion via an insulating layer; and the first, second and third internal wirings A first assembly that is disposed on one side of the laminated structure including the connecting portion and constitutes an upper arm circuit, and a lower arm circuit that is disposed on the opposite side of the first assembly with respect to the laminated structure. A second assembly; a first connecting metal member for connecting the first assembly to one of the first internal wiring connection portion and the third internal wiring connection portion; and the first assembly to the second internal wiring. Second connection to connect to the connection A metal member, a third connecting metal member for connecting the second assembly to the other of the first internal wiring connecting portion and the third internal wiring connecting portion, and the second assembly connecting the second internal wiring connecting portion And a fourth connecting metal member for connecting to the. At least one of the first connection metal member and the second connection metal member is formed of a metal member having a rectangular cross section, and at least one of the third connection metal member and the fourth connection metal member is transverse. It is composed of a rectangular metal member.
The first internal wiring connection portion and the third internal wiring connection portion have a rectangular shape that is long in one direction in a plan view, and the first power supply terminal rises from one end of the first internal wiring connection portion. A first rising portion coupled to the side edge of the first rising portion, extending in a direction away from the first internal wiring connecting portion, and a first coupling coupled to the first transverse portion. An external wiring connection portion, and the second power supply terminal rises from one end of the third internal wiring connection portion, and has a second rising portion disposed opposite to the first rising portion, and a second rising portion. A second lateral portion coupled to the side edge, extending in a direction away from the second internal wiring connection portion, and disposed opposite to the first lateral portion, and a second external wiring connection coupled to the second lateral portion Part.

この発明では、第１アッセンブリと一方の電源端子とを接続するための第１接続金属部材と、第１アッセンブリと出力端子とを接続するための第２接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている。また、第２アッセンブリと他方の電源端子とを接続するための第３接続金属部材と、第２アッセンブリと出力端子とを接続するための第４接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている。横断面矩形状の金属部材は、例えば帯状のリボンであってもよい。また、横断面矩形状の金属部材は、例えば板状のリードフレームであってもよい。これにより、第１、第２、第３および第４接続金属部材が金属ワイヤで構成される場合に比べて、接続金属部材の総数を減少させることができ、工程作業時間の短縮化が図れるとともに内部配線の自己インダクタンスを低減できる。これにより、上アーム回路および下アーム回路に使用されるスイッチング素子のスイッチング速度が高速である場合でも、サージ電圧を抑制できる。   In the present invention, at least one of the first connecting metal member for connecting the first assembly and the one power supply terminal and the second connecting metal member for connecting the first assembly and the output terminal is rectangular in cross section. It is composed of a shaped metal member. Also, at least one of the third connecting metal member for connecting the second assembly and the other power supply terminal and the fourth connecting metal member for connecting the second assembly and the output terminal has a rectangular cross section. It is comprised with the metal member. The metal member having a rectangular cross section may be, for example, a belt-like ribbon. The metal member having a rectangular cross section may be, for example, a plate-like lead frame. Thereby, compared with the case where the 1st, 2nd, 3rd and 4th connection metal members are constituted by metal wires, the total number of connection metal members can be reduced, and the process work time can be shortened. The self-inductance of internal wiring can be reduced. Thereby, even when the switching speed of the switching element used for the upper arm circuit and the lower arm circuit is high, the surge voltage can be suppressed.

また、第１接続金属部材と第２接続金属部材には、反対方向の電流が流れる。これにより、第１接続金属部材と第２接続金属部材のインダクタンスが少なくとも部分的に相殺される。第１接続金属部材と第２接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されているため、インダクタンスの相殺効果を高めることができる。同様に、第３接続金属部材と第４接続金属部材には、反対方向の電流が流れる。これにより、第３接続金属部材と第４接続金属部材のインダクタンスが少なくとも部分的に相殺される。第３接続金属部材と第４接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されているため、インダクタンスの相殺効果を高めることができる。これにより、内部配線の自己インダクタンスが低い半導体装置を提供できる。
第１アッセンブリ内のスイッチング素子が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第２アッセンブリ内のスイッチング素子が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期には、第１電源端子および第２電源端子のうち一方には、外部配線接続部から内部配線接続部に向かって電流が流れ、他方には内部配線接続部から外部配線接続部に向かって電流が流れる。
第２アッセンブリ内のスイッチング素子が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第１アッセンブリ内のスイッチング素子が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期にも、第１電源端子および第２電源端子のうち一方には、外部配線接続部から内部配線接続部に向かって電流が流れ、他方には内部配線接続部から外部配線接続部に向かって電流が流れる。
このような過渡期には、第１電源端子の第１内部配線接続部に流れる電流の方向と、第２電源端子の第３内部配線接続部に流れる電流の方向は、互いに逆方向になる。また、第１電源端子の第１立上部に流れる電流の方向と、第２電源端子の第２立上部に流れる電流の方向は、互いに逆方向になる。さらに、第１電源端子の第１横行部に流れる電流の方向と、第２電源端子の第２横行部に流れる電流の方向は、互いに逆方向になる。電流が互いに逆方向に流れる第１内部配線接続部と第３内部配線接続部は対向している。また、電流が互いに逆方向に流れる第１立上部と第２立上部も対向している。さらに、電流が互いに逆方向に流れる第１横行部と第２横行部も対向している。これにより、前記過渡期において、第１電源端子の自己インダクタンスと第２電源端子の自己インダクタンスとを相殺させることができるので、内部配線の自己インダクタンスの低い半導体装置を提供できる。 Further, currents in opposite directions flow through the first connection metal member and the second connection metal member. Thereby, the inductances of the first connecting metal member and the second connecting metal member are at least partially offset. Since at least one of the first connecting metal member and the second connecting metal member is formed of a metal member having a rectangular cross section, the inductance canceling effect can be enhanced. Similarly, currents in opposite directions flow through the third connection metal member and the fourth connection metal member. Thereby, the inductances of the third connection metal member and the fourth connection metal member are at least partially offset. Since at least one of the third connection metal member and the fourth connection metal member is formed of a metal member having a rectangular cross section, the inductance canceling effect can be enhanced. Thereby, a semiconductor device with low self-inductance of internal wiring can be provided.
In a transition period when the switching element in the first assembly is switched from the conductive state to the cut-off state and the switching element in the second assembly is switched from the cut-off state to the conductive state, the first power supply terminal and the second power supply terminal In one of them, a current flows from the external wiring connection portion toward the internal wiring connection portion, and in the other, a current flows from the internal wiring connection portion toward the external wiring connection portion.
In a transition period when the switching element in the second assembly is switched from the conductive state to the cut-off state and the switching element in the first assembly is switched from the cut-off state to the conductive state, the first power supply terminal and the second power supply terminal In one of them, a current flows from the external wiring connection portion toward the internal wiring connection portion, and in the other, a current flows from the internal wiring connection portion toward the external wiring connection portion.
In such a transition period, the direction of the current flowing through the first internal wiring connection portion of the first power supply terminal and the direction of the current flowing through the third internal wiring connection portion of the second power supply terminal are opposite to each other. In addition, the direction of the current flowing through the first rising portion of the first power supply terminal and the direction of the current flowing through the second rising portion of the second power supply terminal are opposite to each other. Furthermore, the direction of the current flowing through the first row portion of the first power supply terminal and the direction of the current flowing through the second row portion of the second power supply terminal are opposite to each other. The first internal wiring connection portion and the third internal wiring connection portion in which currents flow in opposite directions face each other. Further, the first rising portion and the second rising portion where currents flow in opposite directions are also opposed to each other. Furthermore, the first traversing portion and the second traversing portion in which currents flow in opposite directions are also opposed. As a result, the self-inductance of the first power supply terminal and the self-inductance of the second power supply terminal can be offset in the transition period, so that a semiconductor device having a low self-inductance of the internal wiring can be provided.

この発明の一実施形態では、前記第１、第２、第３および第４接続金属部材が、リボンで構成されている。
この発明の一実施形態では、前記第１、第２、第３および第４接続金属部材が、リードフームで構成されている。
この発明の一実施形態では、前記第１接続金属部材および前記第２接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成され、前記第３接続金属部材および前記第４接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成されている。 In one embodiment of the present invention, the first, second, third and fourth connecting metal members are constituted by ribbons.
In one embodiment of the present invention, the first, second, third and fourth connecting metal members are constituted by lead foam.
In one embodiment of the present invention, one of the first connection metal member and the second connection metal member is constituted by a ribbon, the other is constituted by a wire, and the third connection metal member and the fourth connection metal are formed. One of the members is composed of a ribbon, and the other is composed of a wire.

この発明の一実施形態では、前記第１接続金属部材および前記第２接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成され、前記第３接続金属部材および前記第４接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成されている。
この発明の一実施形態では、前記第１アッセンブリは、表面に第１導体層が形成された第１基板と、前記第１導体層に接合された第１スイッチング素子および第１ダイオード素子を含み、前記第２アッセンブリは、表面に第２導体層が形成された第２基板と、前記第２導体層に接合された第２スイッチング素子および第２ダイオード素子を含む。そして、前記第１接続金属部材は、前記第１導体層を、前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの一方に接続するものであり、前記第２接続金属部材は、前記第１スイッチング素子と前記第１ダイオード素子とを、前記第２内部配線接続部に接続するものである。また、前記第３接続金属部材は、前記第２スイッチング素子と前記第２ダイオード素子とを、前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの他方に接続するものであり、前記第４接続金属部材は、前記第２導体層を、前記第２内部配線接続部に接続するものである。 In one embodiment of the present invention, one of the first connection metal member and the second connection metal member is configured by a lead frame, and the other is configured by a wire, and the third connection metal member and the fourth connection are configured. One of the metal members is composed of a lead frame, and the other is composed of a wire.
In one embodiment of the present invention, the first assembly includes a first substrate having a first conductor layer formed on a surface thereof, a first switching element and a first diode element joined to the first conductor layer, The second assembly includes a second substrate having a second conductor layer formed on a surface thereof, and a second switching element and a second diode element joined to the second conductor layer. The first connecting metal member connects the first conductor layer to one of the first internal wiring connecting portion and the third internal wiring connecting portion, and the second connecting metal member is The first switching element and the first diode element are connected to the second internal wiring connection portion. The third connecting metal member is for connecting the second switching element and the second diode element to the other of the first internal wiring connection part and the third internal wiring connection part, The fourth connecting metal member connects the second conductor layer to the second internal wiring connecting portion.

この発明の一実施形態では、前記第２接続金属部材は、一端部が前記第１スイッチング素子に接続され、他端部が前記第２内部配線接続部に接続され、中間部が前記第１ダイオード素子に接続されたリボンで構成されており、前記第３接続金属部材は、一端部が前記第２スイッチング素子に接続され、他端部が前記第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続され、中間部が前記第２ダイオード素子に接続されたリボンで構成されている。   In one embodiment of the present invention, one end of the second connection metal member is connected to the first switching element, the other end is connected to the second internal wiring connection, and an intermediate portion is the first diode. The third connecting metal member has one end connected to the second switching element and the other end connected to the first internal wiring connecting portion or the third internal wiring connecting portion. The middle part is composed of a ribbon connected to the second diode element.

この構成によれば、第１スイッチング素子および第１ダイオード素子を、それぞれ異なる接続金属部材によって第２内部配線接続部に接続する場合に比べて、第２接続金属部材の自己インダンスと、第１導体層および第１接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。同様に、第２スイッチング素子および第２ダイオード素子を、それぞれ異なる接続金属部材によって第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続する場合に比べて、第３接続金属部材の自己インダンスと、第２導体層および第４接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。   According to this configuration, compared to the case where the first switching element and the first diode element are connected to the second internal wiring connection portion by different connection metal members, the self-inductance of the second connection metal member and the first The effect of canceling out the self-inductance of the conductor layer and the first connecting metal member can be enhanced. Similarly, as compared with the case where the second switching element and the second diode element are connected to the first internal wiring connection portion or the third internal wiring connection portion by different connection metal members, the self-inductance of the third connection metal member. And the offset effect between the second conductor layer and the self-inductance of the fourth connecting metal member can be enhanced.

この発明の一実施形態では、前記第２接続金属部材は、一端部が前記第１スイッチング素子に接続され、他端部が前記第２内部配線接続部に接続され、中間部が前記第１ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されており、前記第３接続金属部材は、一端部が前記第２スイッチング素子に接続され、他端部が前記第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続され、中間部が前記第２ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されている。   In one embodiment of the present invention, one end of the second connection metal member is connected to the first switching element, the other end is connected to the second internal wiring connection, and an intermediate portion is the first diode. The third connecting metal member has one end connected to the second switching element and the other end connected to the first internal wiring connection or the third internal wiring connection. The lead frame is connected to the second diode element, and the intermediate portion is connected to the second diode element.

この構成においても、第２接続金属部材の自己インダンスと、第１導体層および第１接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。また、第３接続金属部材の自己インダンスと、第２導体層および第４接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。
この発明の一実施形態では、前記第１接続金属部材および前記第４接続金属部材は、リボンまたはリードフレームで構成されており、前記第２接続金属部材は、一端部が前記第１スイッチング素子に接続され、他端部が前記第２内部配線接続部に接続され、中間部が前記第１ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されており、前記第３接続金属部材は、一端部が前記第２スイッチング素子に接続され、他端部が前記第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続され、中間部が前記第２ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されている。 Even in this configuration, it is possible to enhance the canceling effect between the self-inductance of the second connection metal member and the self-inductance of the first conductor layer and the first connection metal member. In addition, it is possible to enhance the canceling effect between the self-inductance of the third connection metal member and the self-inductance of the second conductor layer and the fourth connection metal member.
In one embodiment of the present invention, the first connection metal member and the fourth connection metal member are configured by a ribbon or a lead frame, and one end of the second connection metal member is the first switching element. The other end portion is connected to the second internal wiring connection portion, the middle portion is constituted by a wire connected to the first diode element, and the third connection metal member has one end portion which is the first connection portion. The other end portion is connected to the first internal wiring connection portion or the third internal wiring connection portion, and the intermediate portion is constituted by a wire connected to the second diode element.

この構成においても、第２接続金属部材の自己インダンスと、第１導体層および第１接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。また、第３接続金属部材の自己インダンスと、第２導体層および第４接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。 Even in this configuration, it is possible to enhance the canceling effect between the self-inductance of the second connection metal member and the self-inductance of the first conductor layer and the first connection metal member. In addition, it is possible to enhance the canceling effect between the self-inductance of the third connection metal member and the self-inductance of the second conductor layer and the fourth connection metal member .

図１は、この発明の第１の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。FIG. 1 is an illustrative plan view showing the internal structure of a power module according to the first embodiment of the present invention. 図２は、図１の右側面図である。FIG. 2 is a right side view of FIG. 図３は、図１の左側面図である。FIG. 3 is a left side view of FIG. 図４は、図１の正面図である。FIG. 4 is a front view of FIG. 図５は、図１のV−V線に沿う断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line V-V in FIG. 図６は、ケース本体６の外観を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing the appearance of the case body 6. 図７は、ケース本体６の平面図である。FIG. 7 is a plan view of the case body 6. 図８は、図７のVIII−VIII線に沿う断面図である。8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 図９は、図７のIX−IX線に沿う断面図である。9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG. 図１０は、第１電源端子Ｐ、第２電源端子Ｎおよび出力端子ＯＵＴの構造を説明するための斜視図である。FIG. 10 is a perspective view for explaining the structure of the first power supply terminal P, the second power supply terminal N, and the output terminal OUT. 図１１は、パワーモジュール１の電気的構成を説明するための電気回路図である。FIG. 11 is an electric circuit diagram for explaining the electrical configuration of the power module 1. 図１２は、第１スイッチング素子Ｔｒ１が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第２スイッチング素子Ｔｒ２が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期の電流の流れを説明するための電気回路図である。FIG. 12 is an electric circuit diagram for explaining a current flow in a transition period when the first switching element Tr1 is switched from the conductive state to the cut-off state and the second switching element Tr2 is switched from the cut-off state to the conductive state. is there. 図１３は、この発明の第２の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。FIG. 13 is an illustrative plan view showing the internal structure of a power module according to the second embodiment of the present invention. この発明の第３の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。It is an illustration top view showing the internal structure of the power module concerning a 3rd embodiment of this invention. 図１５は、図１４のXV−XV線に沿う断面図である。15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG. 図１６は、この発明の第４の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な断面図である。FIG. 16 is an illustrative sectional view showing the internal structure of a power module according to the fourth embodiment of the present invention.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施形態］
図１は、この発明の第１の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。図２は、図１の右側面図である。図３は、図１の左側面図である。図４は、図１の正面図である。図５は、図１のV−V線に沿う断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is an illustrative plan view showing the internal structure of a power module according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a right side view of FIG. FIG. 3 is a left side view of FIG. FIG. 4 is a front view of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line V-V in FIG.

パワーモジュール１は、放熱ベース２と、放熱ベース２上に配置され、上アーム回路（ハイサイド回路）を構成する第１アッセンブリ３と、放熱ベース２上に配置され、下アーム回路（ローサイド回路）を構成する第２アッセンブリ４と、これらのアッセンブリ３，４を収容するケース５と、ケース５に組み付けられた複数の端子とを備えている。複数の端子は、第１電源端子（この例では正極側電源端子）Ｐと、第２電源端子（この例では負極側電源端子）Ｎと、出力端子ＯＵＴと、第１のゲート端子Ｇ１と、第１のソース端子Ｓ１と、第１のソースセンス端子ＳＳ１と、第２のゲート端子Ｇ２と、第２のソース端子Ｓ２と、第２のソースセンス端子ＳＳ２を含んでいる。   The power module 1 is disposed on the heat dissipation base 2, the heat dissipation base 2, the first assembly 3 constituting the upper arm circuit (high side circuit), and the heat dissipating base 2, and the lower arm circuit (low side circuit). 2, a case 5 that accommodates these assemblies 3 and 4, and a plurality of terminals that are assembled to the case 5. The plurality of terminals include a first power supply terminal (in this example, a positive power supply terminal) P, a second power supply terminal (in this example, a negative power supply terminal) N, an output terminal OUT, a first gate terminal G1, A first source terminal S1, a first source sense terminal SS1, a second gate terminal G2, a second source terminal S2, and a second source sense terminal SS2 are included.

説明の便宜上、以下では、図１に示した＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向および−Ｙ方向ならびに図２に示す＋Ｚ方向および−Ｚ方向を用いることがある。＋Ｘ方向および−Ｘは、平面視矩形の放熱ベース２の短辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｘ方向」という。＋Ｙ方向および−Ｙ方向は放熱ベース２の長辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｙ方向」という。＋Ｚ方向および−Ｚ方向は放熱ベース２の法線に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｚ方向」という。放熱ベース２を水平面においたとき、Ｘ方向およびＹ方向は互いに直交する２つの水平な直線（Ｘ軸およびＹ軸）に沿う２つの水平方向（第１水平方向および第２水平方向）となり、Ｚ方向は鉛直な直線（Ｚ軸）に沿う鉛直方向（高さ方向）となる。   For convenience of explanation, the + X direction, −X direction, + Y direction, and −Y direction shown in FIG. 1 and the + Z direction and −Z direction shown in FIG. The + X direction and −X are two directions along the short side of the heat dissipation base 2 that is rectangular in plan view, and are simply referred to as “X direction” when collectively referred to. The + Y direction and the −Y direction are two directions along the long side of the heat dissipation base 2, and are simply referred to as “Y direction” when collectively referred to. The + Z direction and the −Z direction are two directions along the normal line of the heat dissipation base 2, and are simply referred to as “Z direction” when collectively referred to. When the heat radiating base 2 is placed on a horizontal plane, the X direction and the Y direction become two horizontal directions (first horizontal direction and second horizontal direction) along two horizontal straight lines (X axis and Y axis) orthogonal to each other, and Z The direction is a vertical direction (height direction) along a vertical straight line (Z axis).

放熱ベース２は、平面視矩形の一様厚さの板状体であり、熱伝導率の高い材料で構成されている。より具体的には、放熱ベース２は、銅で構成された銅ベースであってもよい。この銅ベースは、表面にニッケルめっき層が形成されたものであってもよい。放熱ベース２の＋Ｚ方向側の主面には、必要に応じて、ヒートシンクその他の冷却手段が取り付けられる。   The heat radiating base 2 is a plate-like body having a rectangular shape in plan view, and is made of a material having high thermal conductivity. More specifically, the heat dissipation base 2 may be a copper base made of copper. The copper base may have a nickel plating layer formed on the surface. A heat sink or other cooling means is attached to the main surface on the + Z direction side of the heat radiating base 2 as necessary.

ケース５は、略直方体形状に形成されており、樹脂材料で構成されている。とくに、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の耐熱性樹脂を用いることが好ましい。ケース５は、平面視において放熱ベース２より若干大きな矩形をなしており、放熱ベース２の主面に固定されたケース本体６と、ケース本体６に固定され、ケース本体６の一方側（＋Ｚ方向側）を閉塞する天板（図示略）とを備えている。これにより、放熱ベース２、ケース本体６および天板によって、回路収容空間がケース５の内部に区画されている。この実施形態では、ケース本体６と前記複数の端子とは、同時成形により作られている。   The case 5 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape and is made of a resin material. In particular, it is preferable to use a heat resistant resin such as PPS (polyphenylene sulfide). The case 5 has a rectangular shape slightly larger than that of the heat radiating base 2 in a plan view. The case main body 6 is fixed to the main surface of the heat radiating base 2 and is fixed to the case main body 6 on one side (+ Z direction). And a top plate (not shown) for closing the side). Thereby, the circuit accommodating space is partitioned inside the case 5 by the heat radiating base 2, the case body 6 and the top plate. In this embodiment, the case body 6 and the plurality of terminals are formed by simultaneous molding.

図６は、ケース本体６の外観を示す斜視図である。図７は、ケース本体６の平面図である。図８は、図７のVIII−VIII線に沿う断面図である。図９は、図７のIX−IX線に沿う断面図である。図１０は、第１電源端子Ｐ、第２電源端子Ｎおよび出力端子ＯＵＴの構造を説明するための斜視図である。
ケース本体６は、平面視においてＹ方向に長い矩形の開口部を有する枠部７と、枠部７の外周面の−Ｚ方向側縁部に枠部７を廻るように形成された外方張出部８とを含んでいる。枠部７は、一対の側壁９，１０と、これら一対の側壁９，１０の両端をそれぞれ結合する一対の端壁１１，１２とを備えている。枠部７は、側壁９，１０と端壁１１，１２との結合部である４つのコーナー部に、内方に凸んだ凹部１３を有している。 FIG. 6 is a perspective view showing the appearance of the case body 6. FIG. 7 is a plan view of the case body 6. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG. FIG. 10 is a perspective view for explaining the structure of the first power supply terminal P, the second power supply terminal N, and the output terminal OUT.
The case body 6 includes a frame portion 7 having a rectangular opening that is long in the Y direction in plan view, and an outward tension formed around the frame portion 7 on the −Z direction side edge portion of the outer peripheral surface of the frame portion 7. And an exit 8. The frame portion 7 includes a pair of side walls 9, 10 and a pair of end walls 11, 12 that connect both ends of the pair of side walls 9, 10. The frame portion 7 has concave portions 13 that protrude inward at four corner portions that are the connecting portions of the side walls 9 and 10 and the end walls 11 and 12.

外方張出部８の外周縁の輪郭は、平面視において、放熱ベース２より若干大きい矩形状である。外方張出部８の外周縁部には−Ｚ方向に突出した突出縁８ａが形成されている。図１および図５に示すように、放熱ベース２は、枠部７および外方張出部８の−Ｚ方向側の表面と突出縁８ａとによって形成される凹部内に嵌め込まれて、ケース本体６に固定されている。   The outline of the outer peripheral edge of the outward projecting portion 8 is a rectangular shape slightly larger than the heat dissipation base 2 in plan view. A protruding edge 8 a protruding in the −Z direction is formed on the outer peripheral edge portion of the outward projecting portion 8. As shown in FIGS. 1 and 5, the heat radiating base 2 is fitted into a recess formed by the surface of the −Z direction side of the frame portion 7 and the outward projecting portion 8 and the protruding edge 8a. 6 is fixed.

外方張出部８の４つのコーナー部には、外方張出部８を厚さ方向に貫通する取付孔１４が形成されている。放熱ベース２には、各取付孔１４に対応する位置に、放熱ベース２を厚さ方向に貫通する取付孔（図示略）が形成されている。パワーモジュール１は、ケース本体６の取付孔１４およびそれに対応する放熱ベース２の取付孔を挿通するボルト（図示略）によって、取付対象の所定の固定位置に固定される。これらの取付孔を利用して前述のヒートシンク等の冷却手段が取り付けられてもよい。   At the four corners of the outwardly extending portion 8, mounting holes 14 that penetrate the outwardly extending portion 8 in the thickness direction are formed. Mounting holes (not shown) that penetrate the heat dissipation base 2 in the thickness direction are formed in the heat dissipation base 2 at positions corresponding to the mounting holes 14. The power module 1 is fixed at a predetermined fixed position to be attached by bolts (not shown) that pass through the attachment holes 14 of the case body 6 and the corresponding attachment holes of the heat dissipation base 2. The above-described cooling means such as a heat sink may be attached using these attachment holes.

枠部７の端壁１１，１２の対向面（内側面）の−Ｚ方向端部には、長さ方向（Ｘ方向）に延びた内方突出部１１ａ，１２ａが形成されている。枠部７の一方の端壁１１の−Ｘ方向側端部に、第１のソースセンス端子ＳＳ１、第１のソース端子Ｓ１および第１のゲート端子Ｇ１が取り付けられている。
第１のソースセンス端子ＳＳ１は、Ｘ方向から見て略Ｌ形であり、Ｙ方向に延びた第１部分１５ａと、第１部分１５ａの−Ｙ方向端部（基端部）から＋Ｚ方向に延びた第２部分１５ｂとを備えている。第１部分１５ａの中間部は、その表面が露出するように、端壁１１の内方突出部１１ａに埋め込まれている。第１部分１５ａの先端部は内方突出部１１ａから内方（＋Ｙ方向）に突出している。第１部分１５ａの基端部およびそれに繋がる第２部分１５ｂの大部分は、端壁１１に埋め込まれている。第２部分１５ｂの先端部は、端壁１１の表面（＋Ｚ方向側表面）から＋Ｚ方向に突出している。 Inwardly projecting portions 11 a and 12 a extending in the length direction (X direction) are formed at the −Z direction end portions of the opposing surfaces (inner side surfaces) of the end walls 11 and 12 of the frame portion 7. A first source sense terminal SS1, a first source terminal S1, and a first gate terminal G1 are attached to an end portion on the −X direction side of one end wall 11 of the frame portion 7.
The first source sense terminal SS1 is substantially L-shaped when viewed from the X direction, and extends in the Y direction from the −Y direction end (base end) of the first portion 15a in the + Z direction. And an extended second portion 15b. The intermediate portion of the first portion 15a is embedded in the inward protruding portion 11a of the end wall 11 so that the surface thereof is exposed. The tip of the first portion 15a protrudes inward (+ Y direction) from the inward protrusion 11a. The base end portion of the first portion 15 a and the majority of the second portion 15 b connected to the first portion 15 a are embedded in the end wall 11. The tip of the second portion 15b projects in the + Z direction from the surface of the end wall 11 (+ Z direction side surface).

第１のソース端子Ｓ１は、第１のソースセンス端子ＳＳ１の＋Ｘ方向側に、第１のソースセンス端子ＳＳ１と間隔をおいて配置されている。第１のソース端子Ｓ１は、Ｘ方向から見て略Ｌ形であり、Ｙ方向に延びた第１部分１６ａと、第１部分１６ａの−Ｙ方向端部（基端部）から＋Ｚ方向に延びた第２部分１６ｂとを備えている。第１部分１６ａの中間部は、その表面が露出するように、端壁１１の内方突出部１１ａに埋め込まれている。第１部分１６ａの先端部は内方突出部１１ａから内方（＋Ｙ方向）に突出している。第１部分１６ａの基端部およびそれに繋がる第２部分１６ｂの大部分は、端壁１１に埋め込まれている。第２部分１６ｂの先端部は、端壁１１の表面（＋Ｚ方向側表面）から＋Ｚ方向に突出している。   The first source terminal S1 is arranged on the + X direction side of the first source sense terminal SS1 with a space from the first source sense terminal SS1. The first source terminal S1 is substantially L-shaped when viewed from the X direction, and extends in the + Z direction from the first portion 16a extending in the Y direction and the end portion (base end portion) of the first portion 16a in the −Y direction. And a second portion 16b. The intermediate portion of the first portion 16a is embedded in the inward protruding portion 11a of the end wall 11 so that the surface thereof is exposed. The tip of the first portion 16a protrudes inward (+ Y direction) from the inward protrusion 11a. The base end portion of the first portion 16 a and the most part of the second portion 16 b connected thereto are embedded in the end wall 11. The tip of the second portion 16b protrudes in the + Z direction from the surface of the end wall 11 (+ Z direction side surface).

第１のゲート端子Ｇ１は、第１のソース端子Ｓ１の＋Ｘ方向側に、第１のソース端子Ｓ１と間隔をおいて配置されている。第１のゲート端子Ｇ１は、Ｘ方向から見て略Ｌ形であり、Ｙ方向に延びた第１部分１７ａと、第１部分１７ａの−Ｙ方向端部（基端部）から＋Ｚ方向に延びた第２部分１７ｂとを備えている。第１部分１７ａの中間部は、その表面が露出するように、端壁１１の内方突出部１１ａに埋め込まれている。第１部分１７ａの先端部は内方突出部１１ａから内方（＋Ｙ方向）に突出している。第１部分１７ａの基端部およびそれに繋がる第２部分１７ｂの大部分は、端壁１１に埋め込まれている。第２部分１７ｂの先端部は、端壁１１の表面（＋Ｚ方向側表面）から＋Ｚ方向に突出している。   The first gate terminal G1 is arranged on the + X direction side of the first source terminal S1 and spaced from the first source terminal S1. The first gate terminal G1 is substantially L-shaped when viewed from the X direction, and extends in the + Z direction from the first portion 17a extending in the Y direction and the end portion (base end portion) of the first portion 17a in the −Y direction. And a second portion 17b. The intermediate portion of the first portion 17a is embedded in the inward protruding portion 11a of the end wall 11 so that the surface thereof is exposed. The tip of the first portion 17a protrudes inward (+ Y direction) from the inward protrusion 11a. The base end portion of the first portion 17a and most of the second portion 17b connected thereto are embedded in the end wall 11. The tip of the second portion 17b protrudes in the + Z direction from the surface of the end wall 11 (+ Z direction side surface).

枠部７の他方の端壁１２の＋Ｘ方向側端部に、第２のソースセンス端子ＳＳ２、第２のソース端子Ｓ２および第２のゲート端子Ｇ２が取り付けられている。
第２のソースセンス端子ＳＳ２は、Ｘ方向から見て略Ｌ形であり、Ｙ方向に延びた第１部分１８ａと、第１部分１８ａの＋Ｙ方向端部（基端部）から＋Ｚ方向に延びた第２部分１８ｂとを備えている。第１部分１８ａの中間部は、その表面が露出するように、端壁１２の内方突出部１２ａに埋め込まれている。第１部分１８ａの先端部は内方突出部１２ａから内方（−Ｙ方向）に突出している。第１部分１８ａの基端部およびそれに繋がる第２部分１８ｂの大部分は、端壁１２に埋め込まれている。第２部分１８ｂの先端部は、端壁１２の表面（＋Ｚ方向側表面）から＋Ｚ方向に突出している。 A second source sense terminal SS2, a second source terminal S2, and a second gate terminal G2 are attached to the + X direction side end of the other end wall 12 of the frame portion 7.
The second source sense terminal SS2 is substantially L-shaped when viewed from the X direction, and extends in the + Z direction from the first portion 18a extending in the Y direction and the end portion (base end portion) of the first portion 18a in the + Y direction. And a second portion 18b. The intermediate portion of the first portion 18a is embedded in the inward protruding portion 12a of the end wall 12 so that the surface thereof is exposed. The tip of the first portion 18a protrudes inward (−Y direction) from the inward protrusion 12a. The base end portion of the first portion 18 a and most of the second portion 18 b connected thereto are embedded in the end wall 12. The tip of the second portion 18b projects in the + Z direction from the surface of the end wall 12 (+ Z direction side surface).

第２のソース端子Ｓ２は、第２のソースセンス端子ＳＳ２の−Ｘ方向側に、第２のソースセンス端子ＳＳ２と間隔をおいて配置されている。第２のソース端子Ｓ２は、Ｘ方向から見て略Ｌ形であり、Ｙ方向に延びた第１部分１９ａと、第１部分１９ａの＋Ｙ方向端部（基端部）から＋Ｚ方向に延びた第２部分１９ｂとを備えている。第１部分１９ａの中部は、その表面が露出するように、端壁１２の内方突出部１２ａに埋め込まれている。第１部分１９ａの先端部は内方突出部１２ａから内方（−Ｙ方向）に突出している。第１部分１９ａの基端部およびそれに繋がる第２部分１９ｂの大部分は、端壁１２に埋め込まれている。第２部分１９ｂの先端部は、端壁１２の表面（＋Ｚ方向側表面）から＋Ｚ方向に突出している。   The second source terminal S2 is disposed on the −X direction side of the second source sense terminal SS2 and spaced from the second source sense terminal SS2. The second source terminal S2 is substantially L-shaped when viewed from the X direction, and extends in the + Z direction from the first portion 19a extending in the Y direction and the + Y direction end (base end portion) of the first portion 19a. And a second portion 19b. The middle portion of the first portion 19a is embedded in the inward protruding portion 12a of the end wall 12 so that the surface thereof is exposed. The distal end portion of the first portion 19a protrudes inward (−Y direction) from the inward protruding portion 12a. The base end portion of the first portion 19a and most of the second portion 19b connected to the first portion 19a are embedded in the end wall 12. The tip of the second portion 19b protrudes in the + Z direction from the surface of the end wall 12 (+ Z direction side surface).

第２のゲート端子Ｇ２は、第２のソース端子Ｓ２の−Ｘ方向側に、第２のソース端子Ｓ２と間隔をおいて配置されている。第２のゲート端子Ｇ２は、Ｘ方向から見て略Ｌ形であり、Ｙ方向に延びた第１部分２０ａと、第１部分２０ａの＋Ｙ方向端部（基端部）から＋Ｚ方向に延びた第２部分２０ｂとを備えている。第１部分２０ａの中間部は、その表面が露出するように、端壁１２の内方突出部１２ａに埋め込まれている。第１部分２０ａの先端部は内方突出部１２ａから内方（−Ｙ方向）に突出している。第１部分２０ａの基端部およびそれに繋がる第２部分２０ｂの大部分は、端壁１２に埋め込まれている。第２部分２０ｂの先端部は、端壁１２の表面（＋Ｚ方向側表面）から＋Ｚ方向に突出している。   The second gate terminal G2 is disposed on the −X direction side of the second source terminal S2 and spaced from the second source terminal S2. The second gate terminal G2 is substantially L-shaped when viewed from the X direction, and extends in the + Z direction from the first portion 20a extending in the Y direction and the + Y direction end (base end) of the first portion 20a. And a second portion 20b. The intermediate portion of the first portion 20a is embedded in the inward protruding portion 12a of the end wall 12 so that the surface thereof is exposed. The distal end portion of the first portion 20a protrudes inward (−Y direction) from the inward protruding portion 12a. The base end portion of the first portion 20a and most of the second portion 20b connected thereto are embedded in the end wall 12. The tip of the second portion 20b protrudes in the + Z direction from the surface of the end wall 12 (+ Z direction side surface).

枠部７の側壁９，１０の表面（＋Ｚ方向側表面）の両端部には、＋Ｚ方向に突出した突起部２１が形成されている。この突起部２１の表面には、天板をケース本体６に取り付けるためのねじ孔２２が形成されている。また、各側壁９，１０の対向面（内側面）おける長さ中央部には、そのほぼ高さ中央とその＋Ｚ方向側端寄りの位置との間部分に、内方に突出した突起部２３が形成されている。平面視において、この突起部２３の先端部は、内方に突出した半円状に形成されている。この突起部２３の＋Ｚ方向側表面には、天板をケース本体６に取り付けるためのねじ孔２４が形成されている。   Protrusions 21 projecting in the + Z direction are formed at both ends of the surfaces (+ Z direction side surfaces) of the side walls 9 and 10 of the frame portion 7. A screw hole 22 for attaching the top plate to the case body 6 is formed on the surface of the projection 21. Further, at the central portion of the length of the opposing surface (inner side surface) of each of the side walls 9 and 10, a protruding portion 23 that protrudes inward at a portion between the approximate height center and the position near the + Z direction side end. Is formed. In plan view, the tip of the projection 23 is formed in a semicircular shape protruding inward. A screw hole 24 for attaching the top plate to the case body 6 is formed on the surface of the projection 23 on the + Z direction side.

枠部７の一対の側壁９，１０の長さ中央部は、連結部２５によって互いに連結されている。連結部２５の一端は一方の側壁９の内側面のそのほぼ高さ中央と−Ｚ方向側端との間部分に結合され、他端は他方の側壁１０の内側面のそのほぼ高さ中央と−Ｚ方向側端との間部分に結合されている。連結部２５は、図７および図９に示すように、放熱ベース２の主面に固定される横断面略Ｕ形の第１絶縁層構成部２６と、第１絶縁層構成部２６の＋Ｚ方向側に配置された横断面略Ｕ形の第２絶縁層構成部２７と、第２絶縁層構成部２７の＋Ｚ方向側に配置された横断面略Ｕ形の第３絶縁層構成部２８とを含んでいる。第１絶縁層構成部２６、第２絶縁層構成部２７および第３絶縁層構成部２８は、それぞれその長さ方向に延び、＋Ｚ方向に開口した凹部２６ａ、２７ａ、２８ａを有している。   Center portions of the pair of side walls 9 and 10 of the frame portion 7 are connected to each other by a connecting portion 25. One end of the connecting portion 25 is coupled to a portion between the substantially middle height of the inner side surface of one side wall 9 and the end in the −Z direction side, and the other end is centered about the middle height of the inner side surface of the other side wall 10. It is combined with the portion between the ends in the −Z direction. As shown in FIGS. 7 and 9, the connecting portion 25 includes a first insulating layer constituting portion 26 having a substantially U-shaped cross section fixed to the main surface of the heat radiating base 2 and a + Z direction of the first insulating layer constituting portion 26. A second insulating layer constituting portion 27 having a substantially U-shaped cross section disposed on the side, and a third insulating layer constituting portion 28 having a substantially U-shaped cross section disposed on the + Z direction side of the second insulating layer constituting portion 27. Contains. The first insulating layer constituting portion 26, the second insulating layer constituting portion 27, and the third insulating layer constituting portion 28 have recesses 26a, 27a, 28a that extend in the length direction and open in the + Z direction, respectively.

図９に示すように、第１絶縁層構成部２６の−Ｚ方向側の表面は、枠部７の−Ｚ方向側の表面と面一となっている。第２絶縁層構成部２７の幅（Ｙ方向の長さ）は、第１絶縁層構成部２６の幅より短い。第２絶縁層構成部２７の−Ｚ方向側表面の＋Ｙ方向側縁部は、第１絶縁層構成部２６の＋Ｙ方向側の立上壁の＋Ｚ方向側表面に結合されている。第１絶縁層構成部２６の−Ｙ方向側の立上壁と、第２絶縁層構成部２７の−Ｙ方向側の立上壁との間には、間隔があいている。第１絶縁層構成部２６と第２絶縁層構成部２７との間の空間部（第１絶縁層構成部２６の凹部２６ａ）内を第１電源端子Ｐ（内部配線接続部３１ａ）が通っている。この空間部内を通っている第１電源端子Ｐの＋Ｚ方向側表面の一側部（−Ｙ方向側の側部）は露出している。   As shown in FIG. 9, the surface on the −Z direction side of the first insulating layer constituting portion 26 is flush with the surface on the −Z direction side of the frame portion 7. The width (the length in the Y direction) of the second insulating layer constituting part 27 is shorter than the width of the first insulating layer constituting part 26. The + Y direction side edge of the −Z direction side surface of the second insulating layer constituting part 27 is coupled to the + Z direction side surface of the rising wall on the + Y direction side of the first insulating layer constituting part 26. There is a gap between the rising wall on the −Y direction side of the first insulating layer constituting portion 26 and the rising wall on the −Y direction side of the second insulating layer constituting portion 27. The first power supply terminal P (internal wiring connecting portion 31a) passes through the space between the first insulating layer constituting portion 26 and the second insulating layer constituting portion 27 (the recess 26a of the first insulating layer constituting portion 26). Yes. One side portion (side portion on the −Y direction side) of the surface on the + Z direction side of the first power supply terminal P passing through the space is exposed.

第２絶縁層構成部２７の凹部３７ａ内を、出力端子ＯＵＴ（内部配線接続部３２ａ）が通っている。第３絶縁層構成部２８の幅は、第２絶縁層構成部２７の幅より小さい。第３絶縁層構成部２８は、第２絶縁層構成部２７の凹部３７ａを通っている出力端子ＯＵＴの＋Ｚ方向側表面の幅中央部上に配置されている。したがって、第２絶縁層構成部２７の凹部３７ａを通っている出力端子ＯＵＴの＋Ｚ方向側表面の両側部は、露出している。第３絶縁層構成部２８の凹部２８ａ内を、第２電源端子Ｎ（内部配線接続部３３ａ）が通っている。この凹部２８ａを通っている第２電源端子Ｎの＋Ｚ方向側表面は露出している。なお、第３絶縁層構成部２８の−Ｙ方向側の立上壁の両端部の一部は、突起部２３に結合されている。   The output terminal OUT (internal wiring connection portion 32a) passes through the recess 37a of the second insulating layer constituting portion 27. The width of the third insulating layer constituting part 28 is smaller than the width of the second insulating layer constituting part 27. The third insulating layer constituting part 28 is disposed on the central portion of the width of the surface on the + Z direction side of the output terminal OUT passing through the recess 37 a of the second insulating layer constituting part 27. Therefore, both side portions of the + Z direction side surface of the output terminal OUT passing through the concave portion 37a of the second insulating layer constituting portion 27 are exposed. The second power supply terminal N (internal wiring connection portion 33a) passes through the recess 28a of the third insulating layer constituting portion 28. The surface on the + Z direction side of the second power supply terminal N passing through the recess 28a is exposed. Part of both end portions of the rising wall on the −Y direction side of the third insulating layer constituting portion 28 is coupled to the protruding portion 23.

次に、図７、図９および図１０を参照して、第１電源端子Ｐ、第２電極Ｎおよび出力端子ＯＵＴの構造について説明する。
第１電源端子Ｐ、第２電源端子Ｎおよび出力端子ＯＵＴは、それぞれ、金属板（たとえば、銅板にニッケルめっきを施したもの）を所定形状に切り出し、曲げ加工を施して作成されたものであり、ケース５の内部の回路に電気的に接続されている。第１電源端子Ｐは、導電性の板状体からなる。第１電源端子Ｐは、内部配線接続部３１ａと、内部配線接続部３１ａに結合された立上部３１ｂと、立上部３１ｂに結合された横行部３１ｃと、横行部３１ｃに結合された外部配線接続部３１ｄとを有している。 Next, the structure of the first power supply terminal P, the second electrode N, and the output terminal OUT will be described with reference to FIG. 7, FIG. 9, and FIG.
Each of the first power supply terminal P, the second power supply terminal N, and the output terminal OUT is formed by cutting a metal plate (for example, a copper plate plated with nickel) into a predetermined shape and bending it. The case 5 is electrically connected to the internal circuit. The first power supply terminal P is made of a conductive plate-like body. The first power supply terminal P includes an internal wiring connection portion 31a, a rising portion 31b coupled to the internal wiring connection portion 31a, a transverse portion 31c coupled to the rising portion 31b, and an external wiring connection coupled to the transverse portion 31c. Part 31d.

内部配線接続部３１ａは、平面視においてＹ方向に長い矩形状に形成されている。内部配線接続部３１ａは、ＸＹ平面に沿う板状体からなり、その＋Ｘ方向端部の＋Ｙ方向側端部に＋Ｘ方向に突出した矩形板状の突出部３１ａａを有している。内部配線接続部３１ａの長さ中間部は第１絶縁層構成部２６の凹部２６ａ内を通っており、その両端部は枠部７の側壁９，１０内にそれぞれ埋め込まれている。立上部３１ｂは、内部配線接続部３１ａの突出部３１ａａの＋Ｘ方向側縁部から＋Ｚ方向に立ち上がっている。立上部３１ｂは、ＹＺ平面に沿う板状体からなり、内部配線接続部３１ａの突出部３１ａａと略同幅に形成されている。立上部３１ｂは、枠部７の側壁１０内に埋め込まれている。   The internal wiring connection portion 31a is formed in a rectangular shape that is long in the Y direction in plan view. The internal wiring connection portion 31a is formed of a plate-like body along the XY plane, and has a rectangular plate-like protruding portion 31aa protruding in the + X direction at the + Y direction side end portion of the + X direction end portion. The intermediate length portion of the internal wiring connection portion 31 a passes through the recess 26 a of the first insulating layer constituting portion 26, and both end portions thereof are embedded in the side walls 9 and 10 of the frame portion 7. The rising portion 31b rises in the + Z direction from the + X direction side edge of the protruding portion 31aa of the internal wiring connection portion 31a. The upright portion 31b is formed of a plate-like body along the YZ plane, and is formed to have substantially the same width as the protruding portion 31aa of the internal wiring connection portion 31a. The upright portion 31 b is embedded in the side wall 10 of the frame portion 7.

横行部３１ｃは、立上部３１ｂの−Ｙ方向側縁部に結合されていて、＋Ｘ方向に延びている。横行部３１ｃは、ＸＺ平面に沿う板状体からなり、立上部３１ｂと略同幅に形成されている。横行部３１ｃは、枠部７の側壁１０内に埋め込まれている。外部配線接続部３１ｄは、横行部３１ｃの＋Ｘ方向側縁部に結合されていて、＋Ｙ方向に延びている。外部配線接続部３１ｄは、ＹＺ平面に沿う板状体からなり、横行部３１ｃと略同幅に形成されている。外部配線接続部３１ｄは、枠部７の側壁１０の外側面に形成された凹部内に埋め込まれており、その＋Ｘ方向側表面が外部に露出している。外部配線接続部３１ｄの略中央部には、外部配線接続用の挿通孔３１ｅが形成されている。外部配線接続部３１ｄの−Ｘ方向側表面には、挿通孔３１ｅにねじ孔が整合するようにしてナット３４が固定されている。このナット３４は、枠部７の側壁１０内に埋め込まれている。   The transverse portion 31c is coupled to the −Y direction side edge portion of the rising portion 31b and extends in the + X direction. The transverse portion 31c is formed of a plate-like body along the XZ plane, and is formed to have substantially the same width as the upright portion 31b. The transverse portion 31 c is embedded in the side wall 10 of the frame portion 7. The external wiring connection portion 31d is coupled to the + X direction side edge portion of the traversing portion 31c and extends in the + Y direction. The external wiring connection portion 31d is formed of a plate-like body along the YZ plane and is formed with substantially the same width as the transverse portion 31c. The external wiring connection portion 31d is embedded in a recess formed on the outer surface of the side wall 10 of the frame portion 7, and its + X direction side surface is exposed to the outside. An insertion hole 31e for external wiring connection is formed in a substantially central part of the external wiring connection part 31d. A nut 34 is fixed to the surface on the −X direction side of the external wiring connection portion 31d so that the screw hole is aligned with the insertion hole 31e. The nut 34 is embedded in the side wall 10 of the frame portion 7.

出力端子ＯＵＴは、導電性の板状体からなる。出力端子ＯＵＴは、内部配線接続部３２ａと、内部配線接続部３２ａに結合された立上部３２ｂと、立上部３２ｂに結合された横行部３２ｃと、横行部３２ｃに結合された外部配線接続部３２ｄとを有している。
内部配線接続部３２ａは、平面視においてＹ方向に長い矩形状に形成されている。内部配線接続部３２ａは、第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａと平行な板状体からなり、第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａの＋Ｚ方向側に配置されている。内部配線接続部３２ａの幅（Ｙ方向の長さ）は第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａの幅より短い。内部配線接続部３２ａのーＺ方向側表面は、第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａの＋Ｚ方向側表面の幅中間部と対向している。内部配線接続部３２ａの長さ中間部は第２絶縁層構成部２７の凹部２７ａ内を通っており、その両端部は枠部７の側壁９，１０内にそれぞれ埋め込まれている。 The output terminal OUT is made of a conductive plate. The output terminal OUT includes an internal wiring connection portion 32a, a rising portion 32b coupled to the internal wiring connection portion 32a, a transverse portion 32c coupled to the rising portion 32b, and an external wiring connection portion 32d coupled to the transverse portion 32c. And have.
The internal wiring connection portion 32a is formed in a rectangular shape that is long in the Y direction in plan view. The internal wiring connection portion 32a is formed of a plate-like body parallel to the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P, and is disposed on the + Z direction side of the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P. The width (the length in the Y direction) of the internal wiring connection portion 32a is shorter than the width of the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P. The −Z direction side surface of the internal wiring connection portion 32a faces the width intermediate portion of the + Z direction side surface of the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P. The intermediate length portion of the internal wiring connection portion 32 a passes through the recess 27 a of the second insulating layer constituting portion 27, and both end portions thereof are embedded in the side walls 9 and 10 of the frame portion 7.

立上部３２ｂは、内部配線接続部３２ａの−Ｘ方向側縁部から−Ｚ方向に立ち上がっている。立上部３２ｂは、ＹＺ平面に沿う板状体からなり、内部配線接続部３２ａと略同幅に形成されている。立上部３２ｂは、枠部７の側壁９内に埋め込まれている。
横行部３２ｃは、立上部３２ｂの−Ｚ方向側縁部に結合されていて、−Ｘ方向に延びている。横行部３２ｃは、ＸＹ平面に沿う板状体からなり、立上部３２ｂと略同幅に形成されている。横行部３２ｃは、枠部７の側壁９内に埋め込まれている。外部配線接続部３２ｄは、横行部３２ｃの−Ｘ方向側縁部に結合されていて、＋Ｚ方向に延びている。外部配線接続部３２ｄは、ＹＺ平面に沿う板状体からなり、横行部３２ｃと略同幅に形成されている。外部配線接続部３２ｄは、枠部７の側壁９の外側面に形成された凹部内に埋め込まれており、その−Ｘ方向側表面が外部に露出している。外部配線接続部３２ｄの略中央部には、外部配線接続用の挿通孔３２ｅが形成されている。外部配線接続部３１ｄの＋Ｘ方向側表面には、挿通孔３１ｅにねじ孔が整合するようにしてナット３５が固定されている。このナット３５は、枠部７の側壁９内に埋め込まれている。 The rising portion 32b rises in the −Z direction from the −X direction side edge portion of the internal wiring connection portion 32a. The upright portion 32b is formed of a plate-like body along the YZ plane, and is formed with substantially the same width as the internal wiring connection portion 32a. The upright portion 32 b is embedded in the side wall 9 of the frame portion 7.
The transverse portion 32c is coupled to the −Z direction side edge portion of the rising portion 32b and extends in the −X direction. The transverse portion 32c is formed of a plate-like body along the XY plane, and is formed to have substantially the same width as the upright portion 32b. The transverse portion 32 c is embedded in the side wall 9 of the frame portion 7. The external wiring connection portion 32d is coupled to the −X direction side edge portion of the traversing portion 32c and extends in the + Z direction. The external wiring connection portion 32d is formed of a plate-like body along the YZ plane, and is formed with substantially the same width as the transverse portion 32c. The external wiring connection portion 32d is embedded in a recess formed on the outer surface of the side wall 9 of the frame portion 7, and the -X direction side surface thereof is exposed to the outside. An insertion hole 32e for external wiring connection is formed in a substantially central part of the external wiring connection part 32d. A nut 35 is fixed to the surface on the + X direction side of the external wiring connection portion 31d so that the screw hole is aligned with the insertion hole 31e. The nut 35 is embedded in the side wall 9 of the frame portion 7.

第２電源端子Ｎは、導電性の板状体からなる。第２電源端子Ｎは、内部配線接続部３３ａと、内部配線接続部３３ａに結合された立上部３３ｂと、立上部３３ｂに結合された横行部３３ｃと、横行部３３ｃに結合された外部配線接続部３３ｄとを有している。
内部配線接続部３３ａは、平面視においてＹ方向に長い矩形状に形成されている。内部配線接続部３３ａは、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａと平行な板状体からなり、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａの＋Ｚ方向側に配置されている。内部配線接続部３３ａの幅（Ｙ方向の長さ）は出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａの幅より短い。内部配線接続部３３ａのーＺ方向側表面は、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａの＋Ｚ方向側表面の幅中間部と対向している。内部配線接続部３３ａの長さ（Ｘ方向の長さ）は、第１の電源端子Ｐの長さより短く、内部配線接続部３３ａの＋Ｘ方向側端は、第１の電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａの＋Ｘ方向側端に対して、−Ｘ方向側に位置している。内部配線接続部３３ａの長さ中間部は第３絶縁層構成部２８の凹部２８ａ内を通っており、その両端部は枠部７の側壁９，１０内にそれぞれ埋め込まれている。 The second power supply terminal N is made of a conductive plate. The second power supply terminal N includes an internal wiring connection portion 33a, a rising portion 33b coupled to the internal wiring connection portion 33a, a transverse portion 33c coupled to the rising portion 33b, and an external wiring connection coupled to the transverse portion 33c. Part 33d.
The internal wiring connection portion 33a is formed in a rectangular shape that is long in the Y direction in plan view. The internal wiring connection portion 33a is formed of a plate-like body parallel to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT, and is disposed on the + Z direction side of the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT. The width of the internal wiring connection portion 33a (the length in the Y direction) is shorter than the width of the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT. The −Z direction surface of the internal wiring connection portion 33a is opposed to the intermediate width portion of the + Z direction side surface of the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT. The length of the internal wiring connection portion 33a (the length in the X direction) is shorter than the length of the first power supply terminal P, and the + X direction side end of the internal wiring connection portion 33a is connected to the internal wiring of the first power supply terminal P. It is located on the −X direction side with respect to the + X direction side end of the portion 31a. The intermediate length portion of the internal wiring connecting portion 33a passes through the recess 28a of the third insulating layer constituting portion 28, and both end portions thereof are embedded in the side walls 9 and 10 of the frame portion 7, respectively.

立上部３３ｂは、内部配線接続部３３ａの＋Ｘ方向側縁部から＋Ｚ方向に立ち上がっている。立上部３３ｂは、第１電源端子Ｐの立上部３１ｂと平行な板状体からなり、内部配線接続部３３ａと略同幅に形成されている。立上部３３ｂの高さは、立上部３３ｂの＋Ｚ方向表面と第１電源端子Ｐの立上部３１ｂの＋Ｚ方向表面とが同一のＸＹ平面に含まれるような高さに形成されている。立上部３１ｂの＋Ｘ方向側表面の一部は、第１電源端子Ｐの立上部３１ｂの−Ｘ方向側表面の一部に対向している。立上部３３ｂは、枠部７の側壁１０内に埋め込まれている。   The upright portion 33b rises in the + Z direction from the + X direction side edge of the internal wiring connection portion 33a. The upright portion 33b is formed of a plate-like body parallel to the upright portion 31b of the first power supply terminal P, and is formed to have substantially the same width as the internal wiring connection portion 33a. The height of the rising portion 33b is formed such that the + Z direction surface of the rising portion 33b and the + Z direction surface of the rising portion 31b of the first power supply terminal P are included in the same XY plane. A part of the surface on the + X direction side of the rising portion 31 b faces a part of the surface on the −X direction side of the rising portion 31 b of the first power supply terminal P. The upright portion 33 b is embedded in the side wall 10 of the frame portion 7.

横行部３３ｃは、立上部３３ｂの−Ｙ方向側縁部に結合されていて、＋Ｘ方向に延びている。横行部３３ｃは、第１電源端子Ｐの横行部３１ｃと平行な板状体からなり、立上部３３ｂと略同幅に形成されている。横行部３３ｃの−Ｙ方向側表面の大部分は、第１電源端子Ｐの横行部３１ｃの＋Ｙ方向側表面に対向している。横行部３３ｃは、枠部７の側壁１０内に埋め込まれている。外部配線接続部３３ｄは、横行部３３ｃの＋Ｘ方向側縁部に結合されていて、−Ｙ方向に延びている。外部配線接続部３３ｄは、ＹＺ平面に沿う板状体からなり、横行部３３ｃより大きな幅に形成されている。つまり、外部配線接続部３３ｄは、横行部３３ｃより、−Ｚ方向に突出した部分を有している。外部配線接続部３３ｄは、枠部７の側壁１０の外側面に形成された凹部に埋め込まれており、その＋Ｘ方向側表面が外部に露出している。外部配線接続部３３ｄの略中央部には、外部配線接続用の挿通孔３３ｅが形成されている。外部配線接続部３３ｄの−Ｘ方向側表面には、挿通孔３３ｅにねじ孔が整合するようにしてナット３６が固定されている。このナット３６は、枠部７の側壁１０内に埋め込まれている。   The transverse portion 33c is coupled to the −Y direction side edge portion of the rising portion 33b and extends in the + X direction. The transverse portion 33c is made of a plate-like body parallel to the transverse portion 31c of the first power supply terminal P, and is formed to have substantially the same width as the rising portion 33b. Most of the surface on the −Y direction side of the transverse portion 33 c faces the surface on the + Y direction side of the transverse portion 31 c of the first power supply terminal P. The transverse portion 33 c is embedded in the side wall 10 of the frame portion 7. The external wiring connection portion 33d is coupled to the + X direction side edge of the transverse portion 33c and extends in the −Y direction. The external wiring connection portion 33d is made of a plate-like body along the YZ plane and is formed with a width larger than that of the transverse portion 33c. That is, the external wiring connection portion 33d has a portion protruding in the −Z direction from the traversing portion 33c. The external wiring connection portion 33d is embedded in a recess formed on the outer surface of the side wall 10 of the frame portion 7, and its + X direction side surface is exposed to the outside. An insertion hole 33e for external wiring connection is formed in a substantially central part of the external wiring connection part 33d. A nut 36 is fixed to the surface on the −X direction side of the external wiring connection portion 33d so that the screw hole is aligned with the insertion hole 33e. The nut 36 is embedded in the side wall 10 of the frame portion 7.

端子Ｐ，Ｎ，ＯＵＴの外部配線接続部３１ｄ，３３ｄ，３２ｄに形成された挿通孔３１ｅ，３３ｅ，３２ｅを挿通し、前述のナット３４，３６，３５に螺着されるボルトを用いることにより、パワーモジュール１の取付対象側に備えられるバスバーに対して端子Ｐ，Ｎ，ＯＵＴを接続できる。
図５に示すように、第１絶縁層構成体２６は、放熱ベース２と第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａとを絶縁する絶縁層として機能する。また、第２絶縁層構成体２７は、第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａと出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａとを絶縁する絶縁層として機能する。また、第３絶縁層構成体２８は、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａと第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａとを絶縁する絶縁層として機能する。つまり、放熱ベース２上に、第１絶縁層構成体２６、第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａ、第２絶縁層構成体２７、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａ、第３絶縁層構成体２８および第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａからなる積層構造体４０が形成されている。 By using bolts that are inserted through the insertion holes 31e, 33e, and 32e formed in the external wiring connection portions 31d, 33d, and 32d of the terminals P, N, and OUT and screwed into the nuts 34, 36, and 35 described above, Terminals P, N, and OUT can be connected to a bus bar provided on the mounting target side of the power module 1.
As shown in FIG. 5, the first insulating layer structure 26 functions as an insulating layer that insulates the heat dissipation base 2 from the internal wiring connection portion 31 a of the first power supply terminal P. Further, the second insulating layer constituting body 27 functions as an insulating layer that insulates the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P from the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT. The third insulating layer constituting body 28 functions as an insulating layer that insulates the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT from the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N. That is, on the heat dissipation base 2, the first insulating layer constituting body 26, the internal wiring connecting portion 31 a of the first power supply terminal P, the second insulating layer constituting body 27, the internal wiring connecting portion 32 a of the output terminal OUT, the third insulating layer A laminated structure 40 including the structure 28 and the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N is formed.

次に、図１および図５を参照して、第１アッセンブリ３および第２アッセンブリ４について説明する。
放熱ベース２の主面における枠部７に囲まれた領域は、積層構造体４０によって、２つの領域２ａ，２ｂに区画されている。これらの領域２ａ，２ｂのうち、積層構造体４０の−Ｙ方向側にある領域を第１領域２ａといい、積層構造体４０の＋Ｙ方向側にある領域を第２領域２ｂということにする。 Next, the first assembly 3 and the second assembly 4 will be described with reference to FIGS. 1 and 5.
A region surrounded by the frame portion 7 on the main surface of the heat dissipation base 2 is divided into two regions 2 a and 2 b by the laminated structure 40. Of these regions 2a and 2b, a region on the −Y direction side of the stacked structure 40 is referred to as a first region 2a, and a region on the + Y direction side of the stacked structure 40 is referred to as a second region 2b.

放熱ベース２の主面の第１領域２ａに第１アッセンブリ３が配置され、放熱ベース２の主面の第２領域２ｂに第２アッセンブリ４が配置されている。第１アッセンブリ３に第１電源端子Ｐが接続されており、第２アッセンブリ４に第２電源端子Ｎが接続されている。出力端子ＯＵＴは第１および第２アッセンブリ３，４の両方に電気的に接続されている。
第１アッセンブリ３は、第１基板５１と、複数の第１スイッチング素子Ｔｒ１と、複数の第１ダイオード素子Ｄｉ１とを含む。第１スイッチング素子Ｔｒ１は、この実施形態では、Ｎチャンネル型ＤＭＯＳ(Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor)電界効果型トランジスタで構成されている。とくに、この実施形態では、第１スイッチング素子Ｔｒ１は、ＳｉＣ半導体デバイスで構成された高速スイッチング型のＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ−ＤＭＯＳ）である。また、第１ダイオード素子Ｄｉ１は、この実施形態では、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）で構成されている。とくに、この実施形態では、第１ダイオード素子Ｄｉ１は、ＳｉＣ半導体デバイス（ＳｉＣ−ＳＢＤ）で構成されている。 The first assembly 3 is disposed in the first region 2 a of the main surface of the heat dissipation base 2, and the second assembly 4 is disposed in the second region 2 b of the main surface of the heat dissipation base 2. A first power supply terminal P is connected to the first assembly 3, and a second power supply terminal N is connected to the second assembly 4. The output terminal OUT is electrically connected to both the first and second assemblies 3 and 4.
The first assembly 3 includes a first substrate 51, a plurality of first switching elements Tr1, and a plurality of first diode elements Di1. In this embodiment, the first switching element Tr1 is composed of an N-channel DMOS (Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor) field effect transistor. In particular, in this embodiment, the first switching element Tr1 is a high-speed switching type MOSFET (SiC-DMOS) formed of a SiC semiconductor device. Further, the first diode element Di1 is configured by a Schottky barrier diode (SBD) in this embodiment. In particular, in this embodiment, the first diode element Di1 is composed of a SiC semiconductor device (SiC-SBD).

第１基板５１は、平面視で略矩形であり、４辺が放熱ベース２の４辺とそれぞれ平行な姿勢で、放熱ベース２の主面に接合されている。第１基板５１の放熱ベース２側の表面（−Ｚ方向側表面）には、第１接合用導体層５２が形成されている。この第１接合用導体層５２が半田５７を介して放熱ベース２に接合されている。第１基板５１の放熱ベース２とは反対側の表面（＋Ｚ方向側表面）には、第１素子接合用導体層５３と、第１ソース用導体層５４と、第１ソースセンス用導体層５５と、第１ゲート用導体層５６とが形成されている。第１基板５１は、たとえば、セラミックスの両面に銅箔を直接接合した基板（ＤＢＣ：Direct Bonding Copper）からなる。その銅箔により各導体層５２〜５６を形成できる。   The first substrate 51 is substantially rectangular in plan view, and is bonded to the main surface of the heat dissipation base 2 with four sides parallel to the four sides of the heat dissipation base 2. A first bonding conductor layer 52 is formed on the surface of the first substrate 51 on the heat dissipation base 2 side (the surface in the −Z direction). The first bonding conductor layer 52 is bonded to the heat dissipation base 2 via the solder 57. The first element bonding conductor layer 53, the first source conductor layer 54, and the first source sense conductor layer 55 are disposed on the surface opposite to the heat dissipation base 2 of the first substrate 51 (+ Z direction side surface). In addition, a first gate conductor layer 56 is formed. The 1st board | substrate 51 consists of a board | substrate (DBC: Direct Bonding Copper) which bonded copper foil directly to both surfaces of ceramics, for example. Each conductor layer 52-56 can be formed with the copper foil.

第１素子接合用導体層５３は、平面視で略矩形であり、第１基板５１の表面（＋Ｚ方向側表面）における−Ｙ方向側縁部および＋Ｘ方向側縁部に近い領域を除いた領域の略全域を覆うように形成されている。第１ソース用導体層５４は、平面視でＸ方向に細長い略矩形であり、第１素子接合用導体層５３と第１基板５１の一辺（−Ｙ方向側の辺）との間に配置されている。第１ソースセンス用導体層５５は、平面視で略矩形であり、第１ソース用導体層５４の−Ｘ方向側端部と第１基板５１の一辺（−Ｙ方向側の辺）との間に配置されている。第１ゲート用導体層５６は、平面視でＸ方向に細長い略矩形であり、第１ソース用導体層５４と第１基板５１の一辺（−Ｙ方向側の辺）との間であって、第１ソースセンス用導体層５５の＋Ｘ方向側に配置されている。   The first element bonding conductor layer 53 is substantially rectangular in a plan view, and is a region excluding regions near the −Y direction side edge and the + X direction side edge on the surface (+ Z direction side surface) of the first substrate 51. It is formed so as to cover substantially the entire area. The first source conductor layer 54 has a substantially rectangular shape elongated in the X direction in plan view, and is disposed between the first element bonding conductor layer 53 and one side (side on the −Y direction side) of the first substrate 51. ing. The first source-sense conductor layer 55 is substantially rectangular in plan view, and is between the −X direction side end of the first source conductor layer 54 and one side (side on the −Y direction side) of the first substrate 51. Is arranged. The first gate conductor layer 56 is a substantially rectangular shape elongated in the X direction in plan view, and is between the first source conductor layer 54 and one side (side on the −Y direction side) of the first substrate 51, The first source sense conductor layer 55 is disposed on the + X direction side.

第１素子接合用導体層５３の表面には、複数の第１スイッチング素子Ｔｒ１のドレイン電極が接合されているとともに複数の第１ダイオード素子Ｄｉ１のカソード電極が接合されている。各第１スイッチング素子Ｔｒ１は、第１素子接合用導体層５３に接合されている面とは反対側の表面にソース電極とゲート電極とを有している。各第１ダイオード素子Ｄｉ１は、第１素子接合用導体層５３に接合されている面とは反対側の表面にアノード電極を有している。   On the surface of the first element bonding conductor layer 53, the drain electrodes of the plurality of first switching elements Tr1 are bonded and the cathode electrodes of the plurality of first diode elements Di1 are bonded. Each first switching element Tr1 has a source electrode and a gate electrode on the surface opposite to the surface bonded to the first element bonding conductor layer 53. Each first diode element Di1 has an anode electrode on the surface opposite to the surface bonded to the first element bonding conductor layer 53.

第１素子接合用導体層５３の表面のＹ方向の長さ中央部付近に、５つの第１ダイオード素子Ｄｉ１がＸ方向に間隔をおいて並んで配置されている。また、第１素子接合用導体層５３の表面の一辺（−Ｙ方向側の辺）と５つの第１ダイオード素子Ｄｉ１との間に、５つの第１スイッチング素子Ｔｒ１が、Ｘ方向に間隔をおいて並んで配置されている。５つの第１スイッチング素子Ｔｒ１は、５つの第１ダイオード素子Ｄｉ１に対して、積層構造体４０とは反対側（−Ｙ方向側）に配置されており、積層構造体４０の長さ方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に関して、５つの第１ダイオード素子Ｄｉ１と位置整合している。   Five first diode elements Di1 are arranged side by side in the X direction near the center of the length in the Y direction on the surface of the first element bonding conductor layer 53. Further, five first switching elements Tr1 are spaced in the X direction between one side (−Y direction side) of the surface of the first element bonding conductor layer 53 and the five first diode elements Di1. Are arranged side by side. The five first switching elements Tr1 are arranged on the opposite side (−Y direction side) to the stacked structure 40 with respect to the five first diode elements Di1, and the length direction (X Is aligned with the five first diode elements Di1 with respect to a direction (Y direction) orthogonal to (direction).

Ｙ方向に位置整合している第１スイッチング素子Ｔｒ１および第１ダイオード素子Ｄｉ１は、平面視において、Ｙ方向に延びたリボン６１によって、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａに接続されている。具体的には、リボン６１の一端部が第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極に接続され、リボン６１の他端部が内部配線接続部３２ａの−Ｙ方向側の露出面に接続され、リボン６１の中間部が第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極に接続されている。つまり、第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極および内部配線接続部３２ａのうちの一方を起点とし、それらの他方を終点とし、第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極を中継点とするステッチボンディングによって、それらの接続が行なわれている。図１においては、明確化のために、リボン６１は、途中部を省略して図示してある。なお、第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極と第１ダイオード素子Ｄｉ１とを第１のリボンで接続し、第１ダイオード素子Ｄｉ１と内部配線接続部３２ａとを第１のリボンとは異なる第２のリボンで接続するようにしてもよい。   The first switching element Tr1 and the first diode element Di1 that are aligned in the Y direction are connected to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT by a ribbon 61 that extends in the Y direction in plan view. Specifically, one end of the ribbon 61 is connected to the source electrode of the first switching element Tr1, and the other end of the ribbon 61 is connected to the exposed surface on the −Y direction side of the internal wiring connection portion 32a. The intermediate part is connected to the anode electrode of the first diode element Di1. That is, by stitch bonding using one of the source electrode of the first switching element Tr1 and the internal wiring connection portion 32a as a starting point, the other as an end point, and the anode electrode of the first diode element Di1 as a relay point, Connection is made. In FIG. 1, the ribbon 61 is shown with the middle portion omitted for clarity. The source electrode of the first switching element Tr1 and the first diode element Di1 are connected by a first ribbon, and the first diode element Di1 and the internal wiring connection portion 32a are different from the first ribbon. You may make it connect with.

第１素子接合用導体層５３と第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａとは、平面視においてＹ方向に延びた５本のリボン６２によって接続されている。具体的には、各リボン６２の一端部は第１素子接合用導体層５３の表面の＋Ｙ方向側端部に接続され、各リボン６２の他端部は第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａの露出面に接続されている。これらの５本のリボン６２は、前述の５本のリボン６１に対して−Ｚ方向側に配置されており、Ｚ方向に関して５本のリボン６１と位置整合している。リボン６１，６２は、横断面矩形の帯状の接続金属部材であり、例えばアルミニウム、銅等の金属、銅板の両面にアルミニウムが積層されたクラッド材等からなる。   The first element bonding conductor layer 53 and the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P are connected by five ribbons 62 extending in the Y direction in plan view. Specifically, one end portion of each ribbon 62 is connected to the + Y direction side end portion of the surface of the first element bonding conductor layer 53, and the other end portion of each ribbon 62 is an internal wiring connection portion of the first power supply terminal P. It is connected to the exposed surface of 31a. These five ribbons 62 are arranged on the −Z direction side with respect to the five ribbons 61 described above, and are aligned with the five ribbons 61 in the Z direction. The ribbons 61 and 62 are band-shaped connecting metal members having a rectangular cross section, and are made of, for example, a metal such as aluminum or copper, or a clad material in which aluminum is laminated on both sides of a copper plate.

各第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極は、ボンディングワイヤ６３によって、第１ソース用導体層５４に接続されている。第１ソース用導体層５４は、ボンディングワイヤ６４によって、第１ソース端子Ｓ１の第１部分１６ａに接続されている。１つの第１スイッチング素子Ｔｒ１（第１素子接合用導体層５３の−Ｘ方向側に辺に最も近いスイッチング素子Ｔｒ１）のソース電極は、ボンディングワイヤ６５によって、第１ソースセンス用導体層５５にも接続されている。第１ソースセンス用導体層５５は、ボンディングワイヤ６６によって、第１ソースセンス端子ＳＳ１の第１部分１５ａに接続されている。各第１スイッチング素子Ｔｒ１のゲート電極は、ボンディングワイヤ６７によって、第１ゲート用導体層５６に接続されている。第１ゲート用導体層５６は、ボンディングワイヤ６８によって、第１ゲート端子Ｇ１の第１部分１７ａに接続されている。ボンディングワイヤ６３〜６８は、例えばアルミニウム等の金属ワイヤからなる。   The source electrode of each first switching element Tr <b> 1 is connected to the first source conductor layer 54 by a bonding wire 63. The first source conductor layer 54 is connected to the first portion 16 a of the first source terminal S 1 by a bonding wire 64. The source electrode of one first switching element Tr1 (the switching element Tr1 closest to the side on the −X direction side of the first element bonding conductor layer 53) is also connected to the first source sense conductor layer 55 by a bonding wire 65. It is connected. The first source sense conductor layer 55 is connected to the first portion 15a of the first source sense terminal SS1 by a bonding wire 66. The gate electrode of each first switching element Tr 1 is connected to the first gate conductor layer 56 by a bonding wire 67. The first gate conductor layer 56 is connected to the first portion 17 a of the first gate terminal G 1 by a bonding wire 68. The bonding wires 63 to 68 are made of a metal wire such as aluminum.

第２アッセンブリ４は、第２基板７１と、複数の第２スイッチング素子Ｔｒ２と、複数の第２ダイオード素子Ｄｉ２とを含む。第２スイッチング素子Ｔｒ２は、この実施形態では、Ｎチャンネル型ＤＭＯＳ電界効果型トランジスタで構成されている。とくに、この実施形態では、第２スイッチング素子Ｔｒ２は、ＳｉＣ−ＤＭＯＳである。また、第２ダイオード素子Ｄｉ２は、この実施形態では、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）で構成されている。とくに、この実施形態では、第２ダイオード素子Ｄｉ２は、ＳｉＣ−ＳＢＤで構成されている。   The second assembly 4 includes a second substrate 71, a plurality of second switching elements Tr2, and a plurality of second diode elements Di2. In this embodiment, the second switching element Tr2 is composed of an N-channel DMOS field effect transistor. In particular, in this embodiment, the second switching element Tr2 is a SiC-DMOS. Further, in this embodiment, the second diode element Di2 is composed of a Schottky barrier diode (SBD). In particular, in this embodiment, the second diode element Di2 is made of SiC-SBD.

第２基板７１は、平面視で略矩形であり、４辺が放熱ベース２の４辺とそれぞれ平行な姿勢で、放熱ベース２の主面に接合されている。第２基板７１の放熱ベース２側の表面（−Ｚ方向側表面）には、第２接合用導体層７２が形成されている。この第２接合用導体層７２が半田７７を介して放熱ベースに接合されている。第２基板７１の放熱ベース２とは反対側の表面（＋Ｚ方向側表面）には、第２素子接合用導体層７３と、第２ソース用導体層７４と、第２ソースセンス用導体層７５と、第２ゲート用導体層７６とが形成されている。第２基板７１は、たとえば、セラミックスの両面に銅箔を直接接合した基板（ＤＢＣ）からなる。その銅箔により各導体層７２〜７６を形成できる。   The second substrate 71 is substantially rectangular in plan view, and is bonded to the main surface of the heat dissipation base 2 with four sides parallel to the four sides of the heat dissipation base 2. A second bonding conductor layer 72 is formed on the surface of the second substrate 71 on the heat dissipation base 2 side (the surface in the −Z direction). The second bonding conductor layer 72 is bonded to the heat dissipation base via the solder 77. On the surface opposite to the heat dissipation base 2 of the second substrate 71 (+ Z direction side surface), a second element bonding conductor layer 73, a second source conductor layer 74, and a second source sense conductor layer 75 are provided. In addition, a second gate conductor layer 76 is formed. The 2nd board | substrate 71 consists of a board | substrate (DBC) which joined copper foil directly to both surfaces of ceramics, for example. Each conductor layer 72-76 can be formed with the copper foil.

第２素子接合用導体層７３は、平面視で略矩形であり、第２基板７１の表面（＋Ｚ方向側表面）における＋Ｙ方向側縁部および−Ｘ方向側縁部に近い領域を除いた領域の略全域を覆うように形成されている。第２ソース用導体層７４は、平面視でＸ方向に細長い略矩形であり、第２素子接合用導体層７３と第２基板７１の一辺（＋Ｙ方向側の辺）との間に配置されている。第２ソースセンス用導体層７５は、平面視で略矩形であり、第２ソース用導体層７４の＋Ｘ方向側端部と第２基板７１の一辺（＋Ｙ方向側の辺）との間に配置されている。第２ゲート用導体層７６は、平面視でＸ方向に細長い略矩形であり、第２ソース用導体層７４と第２基板７１の一辺（＋Ｙ方向側の辺）との間であって、第２ソースセンス用導体層５５の−Ｘ方向側に配置されている。   The second element bonding conductor layer 73 has a substantially rectangular shape in plan view, and excludes a region near the + Y direction side edge and the −X direction side edge on the surface (+ Z direction side surface) of the second substrate 71. It is formed so as to cover substantially the entire area. The second source conductor layer 74 has a substantially rectangular shape elongated in the X direction in plan view, and is disposed between the second element joining conductor layer 73 and one side (side on the + Y direction side) of the second substrate 71. Yes. The second source-sense conductor layer 75 is substantially rectangular in plan view, and is disposed between the + X direction side end of the second source conductor layer 74 and one side (side on the + Y direction side) of the second substrate 71. Has been. The second gate conductor layer 76 has a substantially rectangular shape elongated in the X direction in plan view, and is between the second source conductor layer 74 and one side (side on the + Y direction side) of the second substrate 71, The two-source sense conductor layer 55 is arranged on the −X direction side.

第２素子接合用導体層７３の表面には、複数の第２スイッチング素子Ｔｒ２のドレイン電極が接合されているとともに複数の第２ダイオード素子Ｄｉ２のカソード電極が接合されている。各第２スイッチング素子Ｔｒ２は、第２素子接合用導体層７３に接合されている面とは反対側の表面にソース電極とゲート電極とを有している。各第２ダイオード素子Ｄｉ２は、第２素子接合用導体層７３に接合されている面とは反対側の表面にアノード電極を有している。   On the surface of the second element bonding conductor layer 73, the drain electrodes of the plurality of second switching elements Tr2 are bonded and the cathode electrodes of the plurality of second diode elements Di2 are bonded. Each second switching element Tr2 has a source electrode and a gate electrode on the surface opposite to the surface bonded to the second element bonding conductor layer 73. Each second diode element Di2 has an anode electrode on the surface opposite to the surface bonded to the second element bonding conductor layer 73.

第２素子接合用導体層７３の表面のＹ方向の長さ中央部付近に、５つの第２ダイオード素子Ｄｉ２がＸ方向に間隔をおいて並んで配置されている。また、第２素子接合用導体層７３の表面の一辺（＋Ｙ方向側の辺）と５つの第２ダイオード素子Ｄｉ２との間に、５つの第２スイッチング素子Ｔｒ２が、Ｘ方向に間隔をおいて並んで配置されている。５つの第２スイッチング素子Ｔｒ２は、５つの第２ダイオード素子Ｄｉ２に対して、積層構造体４０とは反対側（＋Ｙ方向側）に配置されており、積層構造体４０の長さ方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に関して、５つの第２ダイオード素子Ｄｉ２と位置整合している。   Five second diode elements Di2 are arranged side by side in the X direction near the center of the length in the Y direction on the surface of the second element bonding conductor layer 73. Further, five second switching elements Tr2 are spaced in the X direction between one side (+ Y direction side) of the surface of the second element bonding conductor layer 73 and the five second diode elements Di2. They are arranged side by side. The five second switching elements Tr2 are arranged on the opposite side (+ Y direction side) to the stacked structure 40 with respect to the five second diode elements Di2, and the length direction of the stacked structure 40 (X direction) ) With respect to the direction (Y direction) orthogonal to the five second diode elements Di2.

Ｙ方向に位置整合している第２スイッチング素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２は、平面視において、Ｙ方向に延びたリボン８１によって、第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａに接続されている。具体的には、リボン８１の一端部が第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極に接続され、リボン８１の他端部が内部配線接続部３３ａの露出面に接続され、リボン８１の中間部が第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノード電極に接続されている。つまり、第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極および内部配線接続部３３ａのうちの一方を起点とし、それらの他方を終点とし、第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノード電極を中継点とするステッチボンディングによって、それらの接続が行なわれている。図１においては、明確化のために、リボン８１は、途中部を省略して図示してある。なお、第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極と第２ダイオード素子Ｄｉ２とを第１のリボンで接続し、第２ダイオード素子Ｄｉ２と内部配線接続部３３ａとを第１のリボンとは異なる第２のリボンで接続するようにしてもよい。   The second switching element Tr2 and the second diode element Di2 that are aligned in the Y direction are connected to the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N by a ribbon 81 that extends in the Y direction in plan view. . Specifically, one end portion of the ribbon 81 is connected to the source electrode of the second switching element Tr2, the other end portion of the ribbon 81 is connected to the exposed surface of the internal wiring connection portion 33a, and the intermediate portion of the ribbon 81 is the second portion. It is connected to the anode electrode of the diode element Di2. That is, by stitch bonding using one of the source electrode of the second switching element Tr2 and the internal wiring connection portion 33a as a starting point, the other as an end point, and the anode electrode of the second diode element Di2 as a relay point, Connection is made. In FIG. 1, the ribbon 81 is shown with the middle portion omitted for clarity. The source electrode of the second switching element Tr2 and the second diode element Di2 are connected by a first ribbon, and the second diode element Di2 and the internal wiring connection portion 33a are different from the first ribbon. You may make it connect with.

第２素子接合用導体層７３と出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａとは、平面視においてＹ方向に延びた５本のリボン８２によって接続されている。具体的には、各リボン８２の一端部は第２素子接合用導体層７３の表面の−Ｙ方向側端部に接続され、各リボン８２の他端部は出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａの＋Ｙ方向側の露出面に接続されている。これらの５本のリボン８２は、前述の５本のリボン８１に対して−Ｚ方向側に配置されており、Ｚ方向に関して５本のリボン８１と位置整合している。リボン８１，８２は、横断面矩形の帯状の接続金属部材であり、例えばアルミニウム、銅等の金属、銅板の両面にアルミニウムが積層されたクラッド材等からなる。   The second element bonding conductor layer 73 and the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT are connected by five ribbons 82 extending in the Y direction in plan view. Specifically, one end portion of each ribbon 82 is connected to the −Y direction side end portion of the surface of the second element bonding conductor layer 73, and the other end portion of each ribbon 82 is connected to the internal wiring connection portion 32 a of the output terminal OUT. To the exposed surface on the + Y direction side. These five ribbons 82 are arranged on the −Z direction side with respect to the five ribbons 81 described above, and are aligned with the five ribbons 81 in the Z direction. The ribbons 81 and 82 are band-shaped connecting metal members having a rectangular cross section, and are made of, for example, a metal such as aluminum or copper, or a clad material in which aluminum is laminated on both sides of a copper plate.

各第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極は、ボンディングワイヤ８３によって、第２ソース用導体層７４に接続されている。第２ソース用導体層７４は、ボンディングワイヤ８４によって、第２ソース端子Ｓ２の第１部分１９ａに接続されている。１つの第２スイッチング素子Ｔｒ２（第２素子接合用導体層７３の＋Ｘ方向側に辺に最も近いスイッチング素子Ｔｒ２）のソース電極は、ボンディングワイヤ８５によって、第２ソースセンス用導体層７５にも接続されている。第２ソースセンス用導体層７５は、ボンディングワイヤ８６によって、第２ソースセンス端子ＳＳ２の第１部分１８ａに接続されている。各第２スイッチング素子Ｔｒ２のゲート電極は、ボンディングワイヤ８７によって、第２ゲート用導体層７６に接続されている。第２ゲート用導体層７６は、ボンディングワイヤ８８によって、第２ゲート端子Ｇ２の第１部分２０ａに接続されている。ボンディングワイヤ８３〜８８は、例えばアルミニウム等の金属ワイヤからなる。   The source electrode of each second switching element Tr <b> 2 is connected to the second source conductor layer 74 by a bonding wire 83. The second source conductor layer 74 is connected to the first portion 19 a of the second source terminal S <b> 2 by a bonding wire 84. The source electrode of one second switching element Tr2 (switching element Tr2 closest to the side on the + X direction side of the second element bonding conductor layer 73) is also connected to the second source sense conductor layer 75 by a bonding wire 85. Has been. The second source sense conductor layer 75 is connected to the first portion 18a of the second source sense terminal SS2 by a bonding wire 86. The gate electrode of each second switching element Tr <b> 2 is connected to the second gate conductor layer 76 by a bonding wire 87. The second gate conductor layer 76 is connected to the first portion 20a of the second gate terminal G2 by a bonding wire 88. The bonding wires 83 to 88 are made of a metal wire such as aluminum.

図１１は、パワーモジュール１の電気的構成を説明するための電気回路図である。第１アッセンブリ３に備えられた複数の第１スイッチング素子Ｔｒ１および複数の第１ダイオード素子Ｄｉ１は、第１電源端子Ｐと出力端子ＯＵＴとの間に並列に接続されて、上アーム回路（ハイサイド回路）９１を形成している。同様に、第２アッセンブリ４に備えられた複数の第２スイッチング素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２は、出力端子ＯＵＴと第２電源端子Ｎとの間に並列に接続されて、下アーム回路（ローサイド回路）９２を形成している。上アーム回路９１と下アーム回路９２とは、出力端子ＯＵＴを介して接続されている。このようにしてハーフブリッジ回路が構成されている。このハーフブリッジ回路を単相ブリッジ回路として用いることができる。また、このハーフブリッジ回路（パワーモジュール１）を電源に複数個（たとえば３個）並列に接続することにより、複数相（たとえば３相）のブリッジ回路を構成することができる。   FIG. 11 is an electric circuit diagram for explaining the electrical configuration of the power module 1. The plurality of first switching elements Tr1 and the plurality of first diode elements Di1 provided in the first assembly 3 are connected in parallel between the first power supply terminal P and the output terminal OUT, and the upper arm circuit (high side Circuit) 91 is formed. Similarly, a plurality of second switching elements Tr2 and second diode elements Di2 provided in the second assembly 4 are connected in parallel between the output terminal OUT and the second power supply terminal N, and the lower arm circuit (low side) Circuit) 92 is formed. The upper arm circuit 91 and the lower arm circuit 92 are connected via an output terminal OUT. In this way, a half bridge circuit is configured. This half-bridge circuit can be used as a single-phase bridge circuit. Further, a plurality of (for example, three) bridge circuits (for example, three phases) can be configured by connecting a plurality (for example, three) of the half bridge circuits (power module 1) in parallel.

各第１スイッチング素子Ｔｒ１には、第１ダイオード素子Ｄｉ１が並列に接続されている。各第１スイッチング素子Ｔｒ１のドレインおよび各第１ダイオード素子Ｄｉ１のカソードは、第１素子接合用導体層５３に接続されている。第１素子接合用導体層５３は第１電源端子Ｐに接続されている。
複数の第１スイッチング素子Ｔｒ１のソースは、対応する第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノードに接続されている。各第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノードは出力端子ＯＵＴに接続されている。複数の第１スイッチング素子Ｔｒ１のゲートは第１ゲート端子Ｇ１に接続されている。また、複数の第１スイッチング素子Ｔｒ１のソースは、第１ソース端子Ｓ１に接続されている。さらに、１つの第１スイッチング素子Ｔｒ１のソースは、第１ソースセンス端子ＳＳ１に接続されている。出力端子ＯＵＴから第１電源端子Ｐへと向かう電流は、第１スイッチング素子Ｔｒ１を迂回して第１ダイオード素子Ｄｉ１を通り、これにより、逆方向電流による第１スイッチング素子Ｔｒ１の破壊が防がれるようになっている。 A first diode element Di1 is connected in parallel to each first switching element Tr1. The drain of each first switching element Tr1 and the cathode of each first diode element Di1 are connected to the first element bonding conductor layer 53. The first element bonding conductor layer 53 is connected to the first power supply terminal P.
The sources of the plurality of first switching elements Tr1 are connected to the anodes of the corresponding first diode elements Di1. The anode of each first diode element Di1 is connected to the output terminal OUT. The gates of the plurality of first switching elements Tr1 are connected to the first gate terminal G1. The sources of the plurality of first switching elements Tr1 are connected to the first source terminal S1. Furthermore, the source of one first switching element Tr1 is connected to the first source sense terminal SS1. The current traveling from the output terminal OUT to the first power supply terminal P bypasses the first switching element Tr1 and passes through the first diode element Di1, thereby preventing the first switching element Tr1 from being destroyed by the reverse current. It is like that.

一方、各第２スイッチング素子Ｔｒ２には、第２ダイオード素子Ｄｉ２が並列に接続されている。各第２スイッチング素子Ｔｒ２のドレインおよび各第２ダイオード素子Ｄｉ２のカソードは、第２素子接合用導体層７３に接続されている。第２素子接合用導体層７５３は出力端子ＯＵＴに接続されている。
複数の第２スイッチング素子Ｔｒ２のソースは、対応する第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノードに接続されている。各第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノードは第２電源端子Ｎに接続されている。複数の第２スイッチング素子Ｔｒ２のゲートは第２ゲート端子Ｇ２に接続されている。また、複数の第２スイッチング素子Ｔｒ２のソースは、第２ソース端子Ｓ２に接続されている。さらに、１つの第２スイッチング素子Ｔｒ２のソースは、第２ソースセンス端子ＳＳ２に接続されている。第２電源端子Ｎから出力端子ＯＵＴへと向かう電流は、第２スイッチング素子Ｔｒ２を迂回して第２ダイオード素子Ｄｉ２を通り、これにより、逆方向電流による第２スイッチング素子Ｔｒ２の破壊が防がれるようになっている。 On the other hand, a second diode element Di2 is connected in parallel to each second switching element Tr2. The drain of each second switching element Tr2 and the cathode of each second diode element Di2 are connected to the second element bonding conductor layer 73. The second element bonding conductor layer 753 is connected to the output terminal OUT.
The sources of the plurality of second switching elements Tr2 are connected to the anodes of the corresponding second diode elements Di2. The anode of each second diode element Di2 is connected to the second power supply terminal N. The gates of the plurality of second switching elements Tr2 are connected to the second gate terminal G2. The sources of the plurality of second switching elements Tr2 are connected to the second source terminal S2. Furthermore, the source of one second switching element Tr2 is connected to the second source sense terminal SS2. The current from the second power supply terminal N to the output terminal OUT bypasses the second switching element Tr2 and passes through the second diode element Di2, thereby preventing the destruction of the second switching element Tr2 due to the reverse current. It is like that.

図５を参照して上アーム回路９１（第１アッセンブリ３）および下アーム回路９２（第２アッセンブリ４）における電流経路について説明する。
図５に実線で示す矢印は、第１スイッチング素子Ｔｒ１が導通しているときに電流が流れる方向を示している。第１スイッチング素子Ｔｒ１が導通すると、第１電源端子Ｐから流入した電流は、リボン６２を通って−Ｙ方向に流れ、第１素子接合用導体層５３に達する。第１素子接合用導体層５３内では、−Ｙ方向に電流が流れ、第１スイッチング素子Ｔｒ１に到達する。第１スイッチング素子Ｔｒ１を通った電流は、折り返されて、リボン６１を通って＋Ｙ方向へと流れ、出力端子ＯＵＴへと導かれ、出力端子ＯＵＴからモータその他の負荷へと供給される。 The current paths in the upper arm circuit 91 (first assembly 3) and the lower arm circuit 92 (second assembly 4) will be described with reference to FIG.
An arrow indicated by a solid line in FIG. 5 indicates a direction in which a current flows when the first switching element Tr1 is conductive. When the first switching element Tr1 becomes conductive, the current flowing from the first power supply terminal P flows in the −Y direction through the ribbon 62 and reaches the first element bonding conductor layer 53. In the first element bonding conductor layer 53, a current flows in the -Y direction and reaches the first switching element Tr1. The current passing through the first switching element Tr1 is folded, flows in the + Y direction through the ribbon 61, is guided to the output terminal OUT, and is supplied from the output terminal OUT to the motor and other loads.

このように、第１スイッチング素子Ｔｒ１に流入する電流は−Ｙ方向の電流が流れ、第１スイッチング素子Ｔｒ１からの電流は＋Ｙ方向に流れるので、互いに逆方向となる。そして、−Ｙ方向に流れる電流の経路を提供するリボン６２および第１素子接合用導体層５３と、＋Ｙ方向に流れる電流の経路を提供するリボン６１とは、互いに接近している。特に、リボン６２とリボン６１とは帯状の接続金属部材であり、リボン６２の＋Ｚ方向側表面はリボン６１の−Ｚ向側表面に対向している。これにより、リボン６２および第１素子接合用導体層５３の自己インダクタンスと、リボン６１の自己インダクタンスとが、それらの間の相互インダクタンスによって少なくとも部分的に打ち消される。これにより、パワーモジュール１のインダクタンスを低減できる。   As described above, the current flowing into the first switching element Tr1 flows in the −Y direction, and the current from the first switching element Tr1 flows in the + Y direction. The ribbon 62 and the first element bonding conductor layer 53 that provide a path for current flowing in the −Y direction and the ribbon 61 that provides a path for current flowing in the + Y direction are close to each other. In particular, the ribbon 62 and the ribbon 61 are band-shaped connecting metal members, and the surface on the + Z direction side of the ribbon 62 faces the surface on the −Z direction side of the ribbon 61. Thereby, the self-inductance of the ribbon 62 and the first element bonding conductor layer 53 and the self-inductance of the ribbon 61 are at least partially canceled by the mutual inductance between them. Thereby, the inductance of the power module 1 can be reduced.

前述したように、第１スイッチング素子Ｔｒ１および第１ダイオード素子Ｄｉ１は、ステッチボンディングによって、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａに接続されている。したがって、第１スイッチング素子Ｔｒ１および第１ダイオード素子Ｄｉ１を、それぞれ異なる接続金属部材によって出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａに接続する場合に比べて、リボン６２および第１素子接合用導体層５３の自己インダクタンスと、リボン６１の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。   As described above, the first switching element Tr1 and the first diode element Di1 are connected to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT by stitch bonding. Therefore, compared with the case where the first switching element Tr1 and the first diode element Di1 are connected to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT by different connection metal members, the ribbon 62 and the first element bonding conductor layer 53 are different. The canceling effect between the self-inductance and the self-inductance of the ribbon 61 can be enhanced.

図５に破線で示す矢印は、第２スイッチング素子Ｔｒ２が導通しているときに電流が流れる方向を示している。第２スイッチング素子Ｔｒ２が導通すると、出力端子ＯＵＴから流入した電流は、リボン８２を通って＋Ｙ方向に流れ、第２素子接合用導体層７３に達する。第２素子接合用導体層７３内では、＋Ｙ方向に電流が流れ、第２スイッチング素子Ｔｒ２に到達する。第２スイッチング素子Ｔｒ２を通った電流は、折り返されて、リボン８１を通って−Ｙ方向へと流れ、第２電源端子Ｎに到達する。   An arrow indicated by a broken line in FIG. 5 indicates a direction in which a current flows when the second switching element Tr2 is conductive. When the second switching element Tr2 becomes conductive, the current flowing from the output terminal OUT flows in the + Y direction through the ribbon 82 and reaches the second element bonding conductor layer 73. In the second element bonding conductor layer 73, a current flows in the + Y direction and reaches the second switching element Tr2. The current that has passed through the second switching element Tr2 is turned back, flows in the −Y direction through the ribbon 81, and reaches the second power supply terminal N.

このように、第２スイッチング素子Ｔｒ２に流入する電流は＋Ｙ方向の電流が流れ、第２スイッチング素子Ｔｒ２からの電流は−Ｙ方向に流れるので、互いに逆方向となる。そして、＋Ｙ方向に流れる電流の経路を提供するリボン８２および第２素子接合用導体層７３と、−Ｙ方向に流れる電流の経路を提供するリボン８１とは、互いに接近している。特に、リボン８２とリボン８１とは帯状の接続金属部材であり、リボン８２の＋Ｚ方向側表面はリボン８１の−Ｚ向側表面に対向している。これにより、リボン８２および第２素子接合用導体層７３の自己インダクタンスと、リボン８１の自己インダクタンスとが、それらの間の相互インダクタンスによって少なくとも部分的に打ち消される。これにより、パワーモジュール１のインダクタンスを低減できる。   As described above, the current flowing into the second switching element Tr2 flows in the + Y direction and the current from the second switching element Tr2 flows in the -Y direction. The ribbon 82 and the second element bonding conductor layer 73 that provide a path of current flowing in the + Y direction and the ribbon 81 that provides a path of current flowing in the −Y direction are close to each other. In particular, the ribbon 82 and the ribbon 81 are band-shaped connecting metal members, and the surface on the + Z direction side of the ribbon 82 faces the surface on the −Z direction side of the ribbon 81. As a result, the self-inductance of the ribbon 82 and the second element bonding conductor layer 73 and the self-inductance of the ribbon 81 are at least partially canceled by the mutual inductance between them. Thereby, the inductance of the power module 1 can be reduced.

前述したように、第２スイッチング素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２は、ステッチボンディングによって、第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａに接続されている。したがって、第２スイッチング素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２を、それぞれ異なる接続金属部材によって第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａに接続する場合に比べて、リボン８２および第２素子接合用導体層７３の自己インダクタンスと、リボン８１の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。   As described above, the second switching element Tr2 and the second diode element Di2 are connected to the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N by stitch bonding. Therefore, compared to the case where the second switching element Tr2 and the second diode element Di2 are connected to the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N by different connection metal members, the ribbon 82 and the second element bonding conductor layer are compared. The canceling effect between the self-inductance of 73 and the self-inductance of the ribbon 81 can be enhanced.

図１２は、このパワーモジュール１がＨブリッジ回路に利用された場合の電気回路を示している。Ｈブリッジ回路では、２個のパワーモジュール１が電源２０１に並列接続される。一方のパワーモジュール１を第１のパワーモジュール１＿１、他方のパワーモジュール１を第２のパワーモジュール１＿２ということにする。説明の便宜上、上アーム回路を構成している第１トランジスタ素子Ｔｒ１および第１ダイオード素子Ｄｉ１はそれぞれ１個のみ図示され、下アーム回路を構成する第２トランジスタ素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２もそれぞれ１個のみ示されている。２個のパワーモジュール１＿１，１＿２の出力端子ＯＵＴの間に、モータ等の誘導性の負荷２０２が接続されている。   FIG. 12 shows an electric circuit when the power module 1 is used for an H bridge circuit. In the H bridge circuit, two power modules 1 are connected in parallel to the power source 201. One power module 1 is referred to as a first power module 1_1, and the other power module 1 is referred to as a second power module 1_2. For convenience of explanation, only one first transistor element Tr1 and one first diode element Di1 constituting the upper arm circuit are shown, and each of the second transistor element Tr2 and the second diode element Di2 constituting the lower arm circuit is also shown. Only one is shown. An inductive load 202 such as a motor is connected between the output terminals OUT of the two power modules 1_1 and 1_2.

このようなＨブリッジ回路では、例えば第１のパワーモジュール１＿１の第１トランジスタ素子Ｔｒ１と第２のパワーモジュール１＿２の第２トランジスタ素子Ｔｒ２とが導電状態とされる。この後、これらのトランジスタ素子Ｔｒ１，Ｔｒ２が遮断状態にされる。そして、第１のパワーモジュール１＿１の第２トランジスタ素子Ｔｒ２と第２のパワーモジュール１＿２の第１トランジスタ素子Ｔｒ１とが導電状態とされる。この後、これらのトランジスタ素子Ｔｒ１，Ｔｒ２が遮断状態にされる。そして、第１のパワーモジュール１＿１の第１トランジスタ素子Ｔｒ１と第２のパワーモジュール１＿２の第２トランジスタ素子Ｔｒ２とが導電状態とされる。このような動作が繰り返されることにより、負荷２０２が交流駆動される。   In such an H-bridge circuit, for example, the first transistor element Tr1 of the first power module 1_1 and the second transistor element Tr2 of the second power module 1_2 are made conductive. Thereafter, these transistor elements Tr1 and Tr2 are turned off. Then, the second transistor element Tr2 of the first power module 1_1 and the first transistor element Tr1 of the second power module 1_2 are made conductive. Thereafter, these transistor elements Tr1 and Tr2 are turned off. Then, the first transistor element Tr1 of the first power module 1_1 and the second transistor element Tr2 of the second power module 1_2 are made conductive. By repeating such an operation, the load 202 is AC driven.

第１のパワーモジュール１＿１内の第１スイッチング素子Ｔｒ１が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第２スイッチング素子Ｔｒ２が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期には、第１のパワーモジュール１＿１では、図１２に矢印で示すように、第１電源端子Ｐから第１スイッチング素子Ｔｒ１を通って出力端子ＯＵＴに電流が流れ、出力端子ＯＵＴから第２スイッチング素子Ｔｒ２を通って第２電源端子Ｎに電流が流れる。また、第１のパワーモジュール１＿１内の第２スイッチング素子Ｔｒ２が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第１スイッチング素子Ｔｒ１が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期にも、第１のパワーモジュール１＿１では、第１電源端子Ｐから第１スイッチング素子Ｔｒ１を通って出力端子ＯＵＴに電流が流れ、出力端子ＯＵＴから第２スイッチング素子Ｔｒ２を通って第２電源端子Ｎに電流が流れる。   In the transition period when the first switching element Tr1 in the first power module 1_1 is switched from the conductive state to the cut-off state and the second switching element Tr2 is switched from the cut-off state to the conductive state, the first power module 1_1 Then, as shown by an arrow in FIG. 12, a current flows from the first power supply terminal P through the first switching element Tr1 to the output terminal OUT, and from the output terminal OUT through the second switching element Tr2 to the second power supply terminal N. Current flows through The first power module 1_1 also has a first power supply during a transition period when the second switching element Tr2 is switched from the conductive state to the cut-off state and the first switching element Tr1 is switched from the cut-off state to the conductive state. In the module 1_1, a current flows from the first power supply terminal P to the output terminal OUT through the first switching element Tr1, and a current flows from the output terminal OUT to the second power supply terminal N through the second switching element Tr2.

図７および図１０を参照して、このような過渡期には、第１のパワーモジュール１＿１の第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａおよび横行部３１ｃには−Ｘ方向に電流が流れ、第１電源端子Ｐの立上部３１ｂには＋Ｙ方向の電流が流れる。一方、第１のパワーモジュール１＿１の第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａおよび横行部３３ｃには＋Ｘ方向に電流が流れ、第２電源端子Ｎの立上部３３ｂには−Ｙ方向の電流が流れる。   With reference to FIG. 7 and FIG. 10, in such a transition period, a current flows in the −X direction through the internal wiring connection portion 31a and the transverse portion 31c of the first power supply terminal P of the first power module 1_1. A current in the + Y direction flows through the rising portion 31b of the first power supply terminal P. On the other hand, a current flows in the + X direction through the internal wiring connection portion 33a and the transverse portion 33c of the second power supply terminal N of the first power module 1_1, and a current in the −Y direction flows through the rising portion 33b of the second power supply terminal N. Flowing.

−Ｘ方向に電流が流れる第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａと＋Ｘ方向に電流が流れる第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａとは、互いに対向しているとともに互いに接近している。また、−Ｘ方向に電流が流れる第１電源端子Ｐの横行部３１ｃと、＋Ｘ方向に電流が流れる第２電源端子Ｎの横行部３３ｃとは、互いに対向しているとともに互いに接近している。さらに、＋Ｙ方向の電流が流れる第１電源端子Ｐの立上部３１ｂと、−Ｙ方向の電流が流れる第２電源端子Ｎの立上部３３ｂとは、互いに対向しているとともに互いに接近している。これにより、第１電源端子Ｐの自己インダクタンスと、第２電源端子Ｎの自己インダクタンスとが、それらの間の相互インダクタンスによって少なくとも部分的に打ち消される。これにより、パワーモジュール１のインダクタンスを低減できる。   The internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P in which current flows in the −X direction and the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N in which current flows in the + X direction face each other and are close to each other. . Further, the row portion 31c of the first power supply terminal P in which current flows in the −X direction and the row portion 33c of the second power supply terminal N in which current flows in the + X direction face each other and approach each other. Furthermore, the rising portion 31b of the first power supply terminal P through which a current in the + Y direction flows and the rising portion 33b of the second power supply terminal N through which a current in the -Y direction flow are opposed to each other and close to each other. As a result, the self-inductance of the first power supply terminal P and the self-inductance of the second power supply terminal N are at least partially canceled by the mutual inductance between them. Thereby, the inductance of the power module 1 can be reduced.

［第２の実施形態］
図１３は、この発明の第２の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。図１３において、図１の各部の対応する部分は同一参照符号で示す。
このパワーモジュール１Ａでは、第１の実施形態の第１アッセンブリ３に使用されている一方のリボン６１の代わりに、ボンディングワイヤ６１Ａが用いられている。また、第１の実施形態の第２アッセンブリ４に使用されている一方のリボン８１の代わりに、ボンディングワイヤ８１Ａが用いられている。 [Second Embodiment]
FIG. 13 is an illustrative plan view showing the internal structure of a power module according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 13, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
In the power module 1A, a bonding wire 61A is used instead of the one ribbon 61 used in the first assembly 3 of the first embodiment. Further, instead of the one ribbon 81 used in the second assembly 4 of the first embodiment, a bonding wire 81A is used.

Ｙ方向に位置整合している第１スイッチング素子Ｔｒ１および第１ダイオード素子Ｄｉ１は、平面視において、Ｙ方向に延びた２本のボンディングワイヤ６１Ａによって、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａに接続されている。具体的には、各ボンディングワイヤ６１Ａの一端部が第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極に接続され、各ボンディングワイヤ６１Ａの他端部が内部配線接続部３２ａの−Ｙ方向側の露出部に接続され、各ボンディングワイヤ６１Ａの中間部が第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極に接続されている。このような接続は、ステッチボンディングによって行なうことができる。なお、図１３では、明確化のためにボンディングワイヤ６１Ａは、途中部を省略して図示してある。   The first switching element Tr1 and the first diode element Di1 that are aligned in the Y direction are connected to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT by two bonding wires 61A extending in the Y direction in plan view. ing. Specifically, one end portion of each bonding wire 61A is connected to the source electrode of the first switching element Tr1, and the other end portion of each bonding wire 61A is connected to the exposed portion on the −Y direction side of the internal wiring connection portion 32a. The intermediate portion of each bonding wire 61A is connected to the anode electrode of the first diode element Di1. Such a connection can be made by stitch bonding. In FIG. 13, the bonding wire 61 </ b> A is not shown in the middle part for the sake of clarity.

同様に、Ｙ方向に位置整合している第２スイッチング素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２は、平面視において、Ｙ方向に延びた２本のボンディングワイヤ８１Ａによって、第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａに接続されている。具体的には、各ボンディングワイヤ８１Ａの一端部が第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極に接続され、各ボンディングワイヤ８１Ａの他端部が内部配線接続部３３ａの露出部に接続され、各ボンディングワイヤ８１Ａの中間部が第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノード電極に接続されている。このような接続は、ステッチボンディングによって行なうことができる。なお、図１３では、明確化のためにボンディングワイヤ８１Ａは、途中部を省略して図示してある。   Similarly, the second switching element Tr2 and the second diode element Di2 aligned in the Y direction are connected to the internal wiring of the second power supply terminal N by two bonding wires 81A extending in the Y direction in plan view. It is connected to the section 33a. Specifically, one end portion of each bonding wire 81A is connected to the source electrode of the second switching element Tr2, the other end portion of each bonding wire 81A is connected to the exposed portion of the internal wiring connection portion 33a, and each bonding wire 81A. Is connected to the anode electrode of the second diode element Di2. Such a connection can be made by stitch bonding. In FIG. 13, the bonding wire 81 </ b> A is not shown in the middle portion for the sake of clarity.

前記第２の実施形態の第１アッセンブリ３に使用されているリボン６２の代わりに、横断面矩形の板状のリードフレームを用いてもよい。また、前記第２の実施形態の第２アッセンブリ４に使用されているリボン８２の代わりに、リードフレームを用いてもよい。
［第３の実施形態］
図１４は、この発明の第３の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。図１４において、図１の各部の対応する部分は同一参照符号で示す。図１５は、図１４のXV−XV線に沿う断面図である。 Instead of the ribbon 62 used in the first assembly 3 of the second embodiment, a plate-like lead frame having a rectangular cross section may be used. Further, a lead frame may be used instead of the ribbon 82 used in the second assembly 4 of the second embodiment.
[Third Embodiment]
FIG. 14 is an illustrative plan view showing the internal structure of a power module according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 14, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG.

このパワーモジュール１Ｂでは、第１の実施形態の第１アッセンブリ３に使用されている一方のリボン６１の代わりに２つのリードフレーム１０１，１０２が用いられ、他方のリボン６２の代わりにリードフレーム１０３が用いられている。また、第１の実施形態の第２アッセンブリ４に使用されている一方のリボン８１の代わりに２つのリードフレーム１１１，１１２が用いられ、他方のリボン８２の代わりにリードフレーム１１３が用いられている。各リードフレーム１０１〜１０３，１１１〜１１３は、例えば横断面矩形の金属板（たとえば銅板にニッケルめっきを施したもの）に曲げ加工を施して作成されている。   In this power module 1B, two lead frames 101 and 102 are used instead of one ribbon 61 used in the first assembly 3 of the first embodiment, and a lead frame 103 is used instead of the other ribbon 62. It is used. In addition, two lead frames 111 and 112 are used instead of one ribbon 81 used in the second assembly 4 of the first embodiment, and a lead frame 113 is used instead of the other ribbon 82. . Each of the lead frames 101 to 103 and 111 to 113 is formed by, for example, bending a metal plate having a rectangular cross section (for example, a copper plate plated with nickel).

Ｙ方向に位置整合している第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極と第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極とは、平面視において、Ｙ方向に延びたリードフレーム１０１によって、互いに接続されている。リードフレーム１０１は、第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極に接合された第１接合部と、第１接合部に結合された第１立上部と、第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極に接合された第２接合部と、第２接合部に結合された第２立上部と、第１立上部および第２立上部の＋Ｚ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。   The source electrode of the first switching element Tr1 and the anode electrode of the first diode element Di1 that are aligned in the Y direction are connected to each other by a lead frame 101 extending in the Y direction in plan view. The lead frame 101 has a first junction joined to the source electrode of the first switching element Tr1, a first rising portion joined to the first junction, and a first junction joined to the anode electrode of the first diode element Di1. It is comprised from the 2 junction part, the 2nd standing part couple | bonded with the 2nd joining part, and the connection part which connects the + Z direction side edge part of a 1st standing part and a 2nd standing part.

第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極は、平面視において、Ｙ方向に延びたリードフレーム１０２によって、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａに接続されている。リードフレーム１０２は、第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極に接合された第１接合部と、第１接合部に結合された第１立上部と、内部配線接続部３２ａの−Ｙ方向側の露出面に接合された第２接合部と、第２接合部に結合された第２立上部と、第１立上部および第２立上部の＋Ｚ方向側短部を連結する連結部とから構成されている。なお、図１４では、明確化のためにリードフレーム１０２は、途中部を省略して図示してある。   The anode electrode of the first diode element Di1 is connected to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT by a lead frame 102 extending in the Y direction in plan view. The lead frame 102 includes a first junction portion joined to the anode electrode of the first diode element Di1, a first rising portion joined to the first junction portion, and an exposed surface on the −Y direction side of the internal wiring connection portion 32a. A second joint portion joined to the second joint portion, a second upright portion joined to the second joint portion, and a connecting portion for connecting the first upright portion and the + Z direction short portion of the second upright portion. . In FIG. 14, for the sake of clarity, the lead frame 102 is shown with its middle part omitted.

第１素子接合用導体層５３と第１電源端子Ｐの内部配線接続部３１ａとは、平面視においてＹ方向に延びた５つのリードフレーム１０３によって接続されている。各リードフレーム１０３は、第１素子接合用導体層５３の表面の＋Ｙ方向側端部に接合された第１接合部と、第１接合部に結合された第１立上部と、内部配線接続部３１ａの露出面に接合された第２接合部と、第２接合部に結合された第２立上部と、第１立上部および第２立上部の＋Ｚ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。   The first element bonding conductor layer 53 and the internal wiring connection portion 31a of the first power supply terminal P are connected by five lead frames 103 extending in the Y direction in plan view. Each lead frame 103 includes a first joint portion joined to the + Y direction side end portion of the surface of the first element joining conductor layer 53, a first rising portion joined to the first joint portion, and an internal wiring connection portion. From the 2nd junction part joined to the exposed surface of 31a, the 2nd upright part joined to the 2nd junction part, and the connecting part which connects the + Z direction side edge part of the 1st upright part and the 2nd upright part It is configured.

Ｙ方向に位置整合している第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極と第２ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極とは、平面視において、Ｙ方向に延びたリードフレーム１１１によって、互いに接続されている。リードフレーム１１１は、第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極に接合された第１接合部と、第１接合部に結合された第１立上部と、第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノード電極に接合された第２接合部と、第２接合部に結合された第２立上部と、第１立上部および第２立上部の＋Ｚ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。   The source electrode of the second switching element Tr2 and the anode electrode of the second diode element Di1 that are aligned in the Y direction are connected to each other by a lead frame 111 that extends in the Y direction in plan view. The lead frame 111 includes a first junction joined to the source electrode of the second switching element Tr2, a first rising portion joined to the first junction, and a first junction joined to the anode electrode of the second diode element Di2. It is comprised from the 2 junction part, the 2nd standing part couple | bonded with the 2nd joining part, and the connection part which connects the + Z direction side edge part of a 1st standing part and a 2nd standing part.

第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノード電極は、平面視において、Ｙ方向に延びたリードフレーム１１２によって、第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａに接続されている。リードフレーム１１２は、第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極に接合された第１接合部と、第１接合部に結合された第１立上部と、内部配線接続部３３ａの露出面に接合された第２接合部と、第２接合部に結合された第２立上部と、第１立上部および第２立上部の＋Ｚ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。なお、図１４では、明確化のためにリードフレーム１１２は、途中部を省略して図示してある。   The anode electrode of the second diode element Di2 is connected to the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N by a lead frame 112 extending in the Y direction in plan view. The lead frame 112 is joined to a first junction joined to the anode electrode of the first diode element Di1, a first rising portion joined to the first junction, and an exposed surface of the internal wiring connection portion 33a. It is comprised from the 2 junction part, the 2nd standing part couple | bonded with the 2nd joining part, and the connection part which connects the + Z direction side edge part of a 1st standing part and a 2nd standing part. In FIG. 14, the lead frame 112 is not shown in the middle for clarity.

第２素子接合用導体層７３と出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａとは、平面視においてＹ方向に延びた５つのリードフレーム１１３によって接続されている。各リードフレーム１１３は、第２素子接合用導体層７３の表面の−Ｙ方向側端部に接合された第１接合部と、第１接合部に結合された第１立上部と、内部配線接続部３２ａの＋Ｙ方向側の露出面に接合された第２接合部と、第２接合部に結合された第２立上部と、第１立上部および第２立上部の＋Ｚ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。   The second element bonding conductor layer 73 and the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT are connected by five lead frames 113 extending in the Y direction in plan view. Each lead frame 113 includes a first joint joined to an end portion on the −Y direction side of the surface of the second element joining conductor layer 73, a first rising portion joined to the first joint, and an internal wiring connection The second joint joined to the exposed surface on the + Y direction side of the portion 32a, the second rising part joined to the second joining part, and the + Z direction side ends of the first rising part and the second rising part are connected. And a connecting portion.

［第４の実施形態］
図１６は、この発明の第４の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な断面図である。図１６は、第１の実施形態の図５に対応する断面図である。図１６において、図５の各部の対応する部分は同一参照符号で示す。
このパワーモジュール１Ｃでは、第１の実施形態の第１アッセンブリ３に使用されている一方のリボン６１の代わりに横断面矩形のリードフレーム１２１が用いられ、他方のリボン６２の代わりに横断面矩形のリードフレーム１２２が用いられている。また、第１の実施形態の第２アッセンブリ４に使用されている一方のリボン８１の代わりに横断面矩形のリードフレーム１３１が用いられ、他方のリボン８２の代わりに横断面矩形のリードフレーム１３２が用いられている。リードフレーム１２２は、第３の実施形態のリードフレーム１０３と同様な構造なのでその説明を省略する。また、リードフレーム１３２は、第３の実施形態のリードフレーム１１３と同様な構造なのでその説明を省略する。 [Fourth Embodiment]
FIG. 16 is an illustrative sectional view showing the internal structure of a power module according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 16 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 5 of the first embodiment. In FIG. 16, parts corresponding to those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals.
In this power module 1C, a lead frame 121 having a rectangular cross section is used instead of one ribbon 61 used in the first assembly 3 of the first embodiment, and a rectangular cross section is used instead of the other ribbon 62. A lead frame 122 is used. A lead frame 131 having a rectangular cross section is used instead of one ribbon 81 used in the second assembly 4 of the first embodiment, and a lead frame 132 having a rectangular cross section is used instead of the other ribbon 82. It is used. Since the lead frame 122 has the same structure as the lead frame 103 of the third embodiment, the description thereof is omitted. The lead frame 132 has the same structure as that of the lead frame 113 of the third embodiment, and a description thereof will be omitted.

Ｙ方向に位置整合している第１スイッチング素子Ｔｒ１および第１ダイオード素子Ｄｉ１は、平面視においてＹ方向に延びたリードフレーム１２１によって、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａに接続されている。リードフレーム１２１は、第１スイッチング素子Ｔｒ１のソース電極に接合された第１接合部１２１ａと、第１接合部１２１ａに結合された第１立上部１２１ｂと、第１ダイオード素子Ｄｉ１のアノード電極に接合された第２接合部１２１ｃと、第２接合部１２１ｃに結合された第２立上部１２１ｄと、出力端子ＯＵＴの内部配線接続部３２ａの−Ｙ方向側の露出部に接合された第３接合部１２１ｅと、第３接合部１２１ｅに結合された第３立上部１２１ｆと、第１立上部１２１ｂ、第２立上部１２１ｄおよび第３立上部１２１ｆの＋Ｚ方向側端部を連結する連結部１２１ｇとから構成されている。この実施形態では、各立上部１２１ｂ，１２１ｄ，１２１ｆの＋Ｚ方向側端は、同じ高さ位置にある。連結部１２１ｇは、放熱ベース２の主面と平行な面を有している。   The first switching element Tr1 and the first diode element Di1 aligned in the Y direction are connected to the internal wiring connection portion 32a of the output terminal OUT by a lead frame 121 extending in the Y direction in plan view. The lead frame 121 is joined to the first junction 121a joined to the source electrode of the first switching element Tr1, the first raised portion 121b joined to the first junction 121a, and the anode electrode of the first diode element Di1. Second junction 121c, the second rising portion 121d coupled to the second junction 121c, and the third junction joined to the exposed portion of the output terminal OUT on the −Y direction side of the internal wiring connection portion 32a. 121e, a third rising portion 121f coupled to the third joint portion 121e, and a connecting portion 121g that connects the + Z direction side ends of the first rising portion 121b, the second rising portion 121d, and the third rising portion 121f. It is configured. In this embodiment, the + Z direction side ends of the upright portions 121b, 121d, and 121f are at the same height position. The connecting portion 121 g has a surface parallel to the main surface of the heat dissipation base 2.

Ｙ方向に位置整合している第２スイッチング素子Ｔｒ２および第２ダイオード素子Ｄｉ２は、平面視においてＹ方向に延びたリードフレーム１３１によって、第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａに接続されている。リードフレーム１３１は、第２スイッチング素子Ｔｒ２のソース電極に接合された第１接合部１３１ａと、第１接合部１３１ａに結合された第１立上部１３１ｂと、第２ダイオード素子Ｄｉ２のアノード電極に接合された第２接合部１３１ｃと、第２接合部１３１ｃに結合された第２立上部１３１ｄと、第２電源端子Ｎの内部配線接続部３３ａの露出面に接合された第３接合部１３１ｅと、第３接合部１３１ｅに結合された第３立上部１３１ｆと、第１立上部１３１ｂ、第２立上部１３１ｄおよび第３立上部１３１ｆの＋Ｚ方向側端を連結する連結部１３１ｇとから構成されている。この実施形態では、各立上部１３１ｂ，１３１ｄ，１３１ｆの＋Ｚ方向側端は、同じ高さ位置にある。連結部１３１ｇは、放熱ベース２の主面と平行な面を有している。リードフレーム１２１，１３１は、銅等の金属製であり、例えば鋳造によって作りことができる。   The second switching element Tr2 and the second diode element Di2 that are aligned in the Y direction are connected to the internal wiring connection portion 33a of the second power supply terminal N by a lead frame 131 that extends in the Y direction in plan view. . The lead frame 131 is joined to the first junction 131a joined to the source electrode of the second switching element Tr2, the first raised portion 131b joined to the first junction 131a, and the anode electrode of the second diode element Di2. The second joining portion 131c, the second rising portion 131d joined to the second joining portion 131c, the third joining portion 131e joined to the exposed surface of the internal wiring connecting portion 33a of the second power supply terminal N, The third upright portion 131f coupled to the third joint portion 131e, and a connecting portion 131g for connecting the + Z direction side ends of the first upright portion 131b, the second upright portion 131d, and the third upright portion 131f are configured. . In this embodiment, the + Z direction side ends of the upright portions 131b, 131d, and 131f are at the same height position. The connecting portion 131 g has a surface parallel to the main surface of the heat dissipation base 2. The lead frames 121 and 131 are made of metal such as copper, and can be made by casting, for example.

以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、ＳｉＣ半導体デバイスで構成したＭＯＳ型電界効果トランジスタをスイッチング素子の例として説明したが、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の他の形態のスイッチング素子が適用されてもよい。また、前述の実施形態では、スイッチング素子およびダイオード素子を備えた構成について説明したが、ダイオード素子が備えられていない半導体装置に対しても、この発明を適用できる。また、半導体装置は、必ずしもパワーモジュールを構成している必要はない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above-described embodiment, the MOS field effect transistor formed of a SiC semiconductor device has been described as an example of the switching element. However, other types of switching elements such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) may be applied. . In the above-described embodiment, the configuration including the switching element and the diode element has been described. However, the present invention can be applied to a semiconductor device not including the diode element. Further, the semiconductor device does not necessarily need to constitute a power module.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ パワーモジュール
２ 放熱ベース
３ 第１アッセンブリ
４ 第２アッセンブリ
６ ケース本体
６１，６２，８１，８２ リボン
６１Ａ，８１Ａ ボンディングワイヤ
１０１〜１０３，１１１〜１１３ リードフレーム
１２１，１２２，１３１，１３２ リードフレーム
３１ａ，３２ａ，３３ａ 内部配線接続部
３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ 立上部
３１ｃ，３２ｃ，３３ｃ 横行部
３１ｄ，３２ｄ，３３ｄ 外部配線接続部
４０ 積層構造体
５１ 第１基板
５３ 第１素子接合用導体層
７１ 第２基板
７３ 第２素子接合用導体層
９１ 上アーム回路
９２ 下アーム回路
Ｔｒ１ 第１スイッチング素子
Ｄｉ１ 第１ダイオード素子
Ｐ 第１電源端子
Ｎ 第２電源端子
ＯＵＴ 出力端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power module 2 Radiation base 3 1st assembly 4 2nd assembly 6 Case main body 61, 62, 81, 82 Ribbon 61A, 81A Bonding wire 101-103, 111-113 Lead frame 121, 122, 131, 132 Lead frame 31a, 32a, 33a Internal wiring connection portion 31b, 32b, 33b Rising portion 31c, 32c, 33c Horizontal portion 31d, 32d, 33d External wiring connection portion 40 Multilayer structure 51 First substrate 53 First element bonding conductor layer 71 Second substrate 73 Second Element Bonding Conductor Layer 91 Upper Arm Circuit 92 Lower Arm Circuit Tr1 First Switching Element Di1 First Diode Element P First Power Supply Terminal N Second Power Supply Terminal OUT Output Terminal

Claims (9)

一方向に延びた第１内部配線接続部を有する第１電源端子と、
前記第１内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第２内部配線接続部を有する出力端子と、
前記第２内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第３内部配線接続部を有する第２電源端子と、
前記第１、第２および第３内部配線接続部を含む積層構造体の一側方に配置され、上アーム回路を構成する第１アッセンブリと、
前記積層構造体に対して前記第１アッセンブリと反対側に配置され、下アーム回路を構成する第２アッセンブリと、
前記第１アッセンブリを前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの一方に接続するための第１接続金属部材と、
前記第１アッセンブリを前記第２内部配線接続部に接続するための第２接続金属部材と、
前記第２アッセンブリを前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの他方に接続するための第３接続金属部材と、
前記第２アッセンブリを第２内部配線接続部に接続するための第４接続金属部材とを含み、
前記第１接続金属部材および前記第２接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の接続部材で構成され、
前記第３接続金属部材および前記第４接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成され、
前記第１内部配線接続部および前記第３内部配線接続部は、平面視で一方向に長い矩形状であり、
前記第１電源端子は、前記第１内部配線接続部の一端部から立ち上がった第１立上部と、前記第１立上部の側縁部に結合され、前記第１内部配線接続部から遠ざかる方向に延びた第１横行部と、前記第１横行部に結合された第１外部配線接続部とを含み、
前記第２電源端子は、前記第３内部配線接続部の一端部から立ち上がり、前記第１立上部と対向配置された第２立上部と、前記第２立上部の側縁部に結合され、前記第２内部配線接続部から遠ざかる方向に延び、前記第１横行部と対向配置された第２横行部と、前記第２横行部に結合された第２外部配線接続部とを含む、半導体装置。 A first power supply terminal having a first internal wiring connection portion extending in one direction;
An output terminal having a second internal wiring connection portion disposed on the first internal wiring connection portion via an insulating layer;
A second power supply terminal having a third internal wiring connection portion disposed on the second internal wiring connection portion via an insulating layer;
A first assembly that is disposed on one side of the laminated structure including the first, second, and third internal wiring connecting portions and that constitutes an upper arm circuit;
A second assembly disposed on the opposite side of the first assembly with respect to the laminated structure and constituting a lower arm circuit;
A first connecting metal member for connecting the first assembly to one of the first internal wiring connecting portion and the third internal wiring connecting portion;
A second connecting metal member for connecting the first assembly to the second internal wiring connecting portion;
A third connecting metal member for connecting the second assembly to the other of the first internal wiring connecting portion and the third internal wiring connecting portion;
A fourth connecting metal member for connecting the second assembly to the second internal wiring connecting portion;
At least one of the first connection metal member and the second connection metal member is constituted by a connection member having a rectangular cross section,
At least one of the third connection metal member and the fourth connection metal member is composed of a metal member having a rectangular cross section,
The first internal wiring connection portion and the third internal wiring connection portion are rectangular shapes that are long in one direction in plan view,
The first power supply terminal is coupled to a first rising portion rising from one end portion of the first internal wiring connecting portion and a side edge portion of the first rising portion, and away from the first internal wiring connecting portion. An extended first row portion, and a first external wiring connecting portion coupled to the first row portion,
The second power supply terminal rises from one end of the third internal wiring connection part, and is coupled to a second rising part disposed opposite to the first rising part, and a side edge of the second rising part, A semiconductor device comprising: a second row portion extending in a direction away from the second internal wiring connection portion and disposed opposite to the first row portion; and a second external wiring connection portion coupled to the second row portion. 前記第１、第２、第３および第４接続金属部材が、リボンで構成されている、請求項１に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the first, second, third, and fourth connection metal members are formed of ribbons. 前記第１、第２、第３および第４接続金属部材が、リードフレームで構成されている、請求項１に記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first, second, third, and fourth connecting metal members are formed of lead frames. 前記第１接続金属部材および前記第２接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成され、
前記第３接続金属部材および前記第４接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成されている、請求項１に記載の半導体装置。 One of the first connection metal member and the second connection metal member is composed of a ribbon, the other is composed of a wire,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein one of the third connection metal member and the fourth connection metal member is formed of a ribbon and the other is formed of a wire. 前記第１接続金属部材および前記第２接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成され、
前記第３接続金属部材および前記第４接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成されている、請求項１に記載の半導体装置。 One of the first connection metal member and the second connection metal member is composed of a lead frame, the other is composed of a wire,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein one of the third connection metal member and the fourth connection metal member is formed of a lead frame and the other is formed of a wire. 前記第１アッセンブリは、表面に第１導体層が形成された第１基板と、前記第１導体層に接合された第１スイッチング素子および第１ダイオード素子を含み、
前記第２アッセンブリは、表面に第２導体層が形成された第２基板と、前記第２導体層に接合された第２スイッチング素子および第２ダイオード素子を含み、
前記第１接続金属部材は、前記第１導体層を、前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの一方に接続するものであり、
前記第２接続金属部材は、前記第１スイッチング素子と前記第１ダイオード素子とを、前記第２内部配線接続部に接続するものであり、
前記第３接続金属部材は、前記第２スイッチング素子と前記第２ダイオード素子とを、前記第１内部配線接続部および第３内部配線接続部のうちの他方に接続するものであり、
前記第４接続金属部材は、前記第２導体層を、前記第２内部配線接続部に接続するものである、請求項１に記載の半導体装置。 The first assembly includes a first substrate having a first conductor layer formed on a surface thereof, a first switching element and a first diode element joined to the first conductor layer,
The second assembly includes a second substrate having a second conductor layer formed on a surface thereof, a second switching element and a second diode element joined to the second conductor layer,
The first connection metal member connects the first conductor layer to one of the first internal wiring connection portion and the third internal wiring connection portion,
The second connection metal member connects the first switching element and the first diode element to the second internal wiring connection part,
The third connection metal member connects the second switching element and the second diode element to the other of the first internal wiring connection part and the third internal wiring connection part,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the fourth connection metal member connects the second conductor layer to the second internal wiring connection portion. 前記第２接続金属部材は、一端部が前記第１スイッチング素子に接続され、他端部が前記第２内部配線接続部に接続され、中間部が前記第１ダイオード素子に接続されたリボンで構成されており、
前記第３接続金属部材は、一端部が前記第２スイッチング素子に接続され、他端部が前記第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続され、中間部が前記第２ダイオード素子に接続されたリボンで構成されている、請求項６に記載の半導体装置。 The second connection metal member includes a ribbon having one end connected to the first switching element, the other end connected to the second internal wiring connection, and an intermediate connected to the first diode element. Has been
The third connecting metal member has one end connected to the second switching element, the other end connected to the first internal wiring connecting part or the third internal wiring connecting part, and an intermediate part connected to the second diode element. The semiconductor device according to claim 6, wherein the semiconductor device is configured by a ribbon connected to the. 前記第２接続金属部材は、一端部が前記第１スイッチング素子に接続され、他端部が前記第２内部配線接続部に接続され、中間部が前記第１ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されており、
前記第３接続金属部材は、一端部が前記第２スイッチング素子に接続され、他端部が前記第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続され、中間部が前記第２ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されている、請求項６に記載の半導体装置。 The second connection metal member is a lead frame having one end connected to the first switching element, the other end connected to the second internal wiring connection, and an intermediate connected to the first diode element. Configured,
The third connecting metal member has one end connected to the second switching element, the other end connected to the first internal wiring connecting part or the third internal wiring connecting part, and an intermediate part connected to the second diode element. The semiconductor device according to claim 6, comprising a lead frame connected to the semiconductor device. 前記第１接続金属部材および前記第４接続金属部材は、リボンまたはリードフレームで構成されており、
前記第２接続金属部材は、一端部が前記第１スイッチング素子に接続され、他端部が前記第２内部配線接続部に接続され、中間部が前記第１ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されており、
前記第３接続金属部材は、一端部が前記第２スイッチング素子に接続され、他端部が前記第１内部配線接続部または第３内部配線接続部に接続され、中間部が前記第２ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されている、請求項６に記載の半導体装置。 The first connection metal member and the fourth connection metal member are formed of a ribbon or a lead frame,
The second connection metal member includes a wire having one end connected to the first switching element, the other end connected to the second internal wiring connection, and an intermediate connected to the first diode element. Has been
The third connecting metal member has one end connected to the second switching element, the other end connected to the first internal wiring connecting part or the third internal wiring connecting part, and an intermediate part connected to the second diode element. The semiconductor device according to claim 6, wherein the semiconductor device is constituted by a wire connected to the wire.
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