JP5891088B2 - Rfidタグ - Google Patents
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実施例、比較例において用いた材料の詳細は以下の通りである。
(シリコーンゴム)
・2液混合熱硬化液状シリコーンゴム(信越化学工業社製、「KE1935」)
・扁平形状黄銅フィラー(福田金属箔粉工業社製、「E5」)
・扁平形状銅フィラー(福田金属箔粉工業社製、「MS800」)
・扁平形状アルミニウムフィラー(大和金属粉工業社製、「No300」)
・粒状黄銅フィラー(福田金属箔粉工業社製、「4L5」)
・粒状銅フィラー(福田金属箔粉工業社製、「Cu−HWQ」)
・粒状アルミニウムフィラー(大和金属粉工業社製、「No18000」
なおここで、「粒状」とは、異方性がない又は極めて低いことを表す。
・UHF帯アンテナ回路
(ICチップ)
・RFIDタグ用ICチップ(Alien Technology社製、「Alien Higgs 3」、ISO/IEC 1800−6C(Class Gen2)準拠、対応周波数:860〜960MHz)
(実施例1〜6)
液状シリコーンゴム材料の2液(KE1935 A液及びB液)を重量比1:1の割合で混合、攪拌し、液状シリコーンゴム組成物を得た。さらに、表2に示すように、ここに扁平形状黄銅フィラー(実施例1、4)、扁平形状アルミニウムフィラー(実施例2、5)、扁平形状銅フィラー(実施例3、6)をそれぞれ上記シリコーンゴム組成物100質量部に対して50質量部添加し、フィラーの沈降が見られなくなるまで、十分に攪拌した。
金属フィラーを含有させず、液状シリコーンゴムのみを材料として、実施例1〜6と同様にして比較例1にかかる下層を形成した。プレス成形は、コンプレッション成形法にて行った。
扁平形状金属フィラーではなく、粒状金属フィラーを含有させた以外は、実施例1〜6と同様にして比較例2〜4にかかる下層を得た。プレス成形は、コンプレッション成形法にて行った。
(実施例1〜6)
まず、上記と同様にして、扁平形状金属フィラーを含む実施例1〜6にかかる下層を形成した。ただし、170℃でのプレス成形の時間は15分とした。
比較例1にかかる金属フィラーを含有しない下層、及び比較例2〜4にかかる粒状金属フィラーを含有する下層を、上記と同様に形成した。ここで、170℃でのコンプレッション成形の時間は15分とした。これらを用いて、実施例1〜3にかかるRFIDタグと同様に、比較例1〜4にかかるRFIDタグを作成した。
実施例1〜6及び比較例1〜4で作成した単独状態の下層を用いて、電磁波の反射率を測定した。
実施例1〜6及び比較例1〜4で作成したRFIDタグを用いて、受信距離を測定した。
実施例1〜6及び比較例1〜4にかかる下層の電磁波反射率とRFIDタグの受信距離を、下層における金属フィラーの種類とともに表2に示す。
2 反射層
2a 導電性フィラー(導電性フィラー粒子)
3 透過層
4 アンテナ
RFin 入射電磁波
RFref 反射電磁波
Claims (6)
- 対象物に取り付けられるRFIDタグにおいて、
ICチップとアンテナがシリコーンゴム層の内部に収容され、
前記シリコーンゴム層は、電磁波を透過する透過層と、導電性フィラーを含有し、電磁波を反射する反射層とからなる2層構造を有し、前記反射層側で前記対象物に取り付けられ、
前記アンテナは、前記透過層側の前記反射層の表面よりも前記透過層側に配置され、
前記導電性フィラーは、扁平形状を有し、厚さ方向に垂直な面内において、面内の中心を通る最も短い直線の長さに対する最も長い直線の長さの比である長径/短径比が1〜3の範囲にあることを特徴とするRFIDタグ。 - 前記導電性フィラーは、前記反射層の面方向に厚さ方向に垂直な面を向けて配向していることを特徴とする請求項1に記載のRFIDタグ。
- 前記導電性フィラーは、金属よりなることを特徴とする請求項1又は2に記載のRFIDタグ。
- 前記導電性フィラーは、アルミニウム、黄銅、銅より選ばれる金属よりなることを特徴とする請求項3に記載のRFIDタグ。
- 前記アンテナは、前記透過層と前記反射層との界面に配置されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のRFIDタグ。
- 前記アンテナは、前記透過層の内部に配置されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のRFIDタグ。
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