JP5869251B2 - Euvマスクの平坦度の評価方法およびシステム - Google Patents
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Description
その後、検出した電磁放射を評価することと、
露光した感光層の評価から、リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状(topography)パラメータを決定することと、を含む。
マスクまたはマスクブランクを保持するための手段と、
基板のリソグラフ処理用の第1照射ビームを発生するための第1照射源と、
第1照射源とは異なり、第2照射ビームを発生するための第2照射源とを備え、前記第2照射ビームの波長または波長範囲は、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長く、マスクまたはマスクブランクの凹凸形状を評価するためのものであり、
さらに、第2照射ビームの少なくとも一部を検出するための感光層を備えた基板を保持するための手段と、
第1照射源および第2照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して感光層に向けて案内するための照射光学系とを備える。
照射ビームを発生するための照射源と、
マスクまたはマスクブランクを保持するための手段と、
基板および、照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して基板に向けて案内するための照射光学系を保持するための手段と、
マスクまたはマスクブランクを評価するための第2照射源とを備える。
第1リソグラフ処理システムは、第1感光層を備えた第1基板と、第1リソグラフ光学要素と、第1エネルギー源とを備え、
第2リソグラフ処理システムは、第2感光層を備えた第2基板と、第2リソグラフ光学要素と、第2エネルギー源とを備え、
第1および第2エネルギー源および第1および第2リソグラフ光学要素についての特性がそれぞれ同じである。
照射ビームを発生するための照射源と、
マスクまたはマスクブランクを保持するための手段と、
照射源からの第1照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して基板に向けて案内するための照射光学系と、
マスクまたはマスクブランクを評価するため、またはマスクホルダーをを評価するための第2照射ビームを発生するための第2照射源とを備える。幾つかの実施形態において、第2照射ビームの波長または波長範囲は、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長くてもよい。
Claims (11)
- EUVリソグラフシステムまたはそのコンポーネントを評価するための方法(200)であって、
・リソグラフシステムにおけるリソグラフ処理用の第1波長または波長範囲の電磁放射とは異なる第2波長または波長範囲の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けて、該リソグラフ光学要素から反射した電磁放射の少なくとも一部を、感光層を備えた基板において検出すること(204)と、
・その後、検出した電磁放射を評価すること(205)と、
・露光した感光層の評価から、リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状パラメータを決定すること(206)と、を含み、
リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第1波長または波長範囲の電磁放射は、EUV電磁放射であり、リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第2波長または波長範囲の電磁放射は、DUV電磁放射であり、
第2波長または波長範囲の電磁放射と同時に、第1波長または波長範囲の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けて、第1波長または波長範囲の電磁放射の少なくとも一部がリソグラフ光学要素の中で吸収されるようにした、方法(200)。 - 感光層を備えた基板を得ること(201)と、
リソグラフ光学要素を得ること(202)と、
リソグラフ処理システムまたはリソグラフ計測システムにおいて第2波長または波長範囲の電磁放射を放射するためのエネルギー源を得ること(203)と、を含む請求項1記載の方法(200)。 - 第1波長または波長範囲の電磁放射は、第2波長または波長範囲の電磁放射とは異なる放射源によって導入される1または2記載の方法(200)。
- 検出した電磁放射を評価することは、感光層を備えた基板を光学的に評価することを含む請求項1〜3のいずれかに記載の方法(200)。
- 光学的に評価することは、その場で光学的に評価することを含む請求項4記載の方法(200)。
- 評価することは、露光した感光層において、高さの差またはフリンジのいずれかを評価することを含む請求項1〜5のいずれかに記載の方法(200)。
- 凹凸形状パラメータを決定した後、決定した凹凸形状パラメータを考慮して、リソグラフ光学要素またはそのホルダーを補正することを含む請求項1〜6のいずれかに記載の方法(200)。
- リソグラフ光学要素は、第1ホルダーの上に位置決めされており、
該方法は、第2リソグラフ処理システムにおいてリソグラフ光学要素および同じ特性を有する照射源を用いて、前記照射および評価ステップを繰り返すことをさらに含み、
リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状パラメータを決定することは、第1および第2リソグラフ処理システムのコンポーネント間の凹凸形状の差を決定すること含み、これによりリソグラフ処理システムのツール間の評価が可能になるようにした請求項1〜7のいずれかに記載の方法(200)。 - ・マスクまたはマスクブランクを保持するための手段(430)と、
・基板のリソグラフ処理用の第1照射ビームを発生するための第1照射源(410)と、
・第1照射源とは異なり、第2照射ビームを発生するための第2照射源(490)とを備え、前記第2照射ビームの波長または波長範囲は、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長く、マスクまたはマスクブランクの凹凸形状を評価するためのものであり、
・さらに、第2照射ビームの少なくとも一部を検出するための感光層を備えた基板を保持するための手段(450)と、
・第1照射源および第2照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して感光層に向けて案内するための照射光学系(420)と、
・第1照射ビームの少なくとも一部が感光層に入射するのを一時的に選択的に防止するためのEUVフィルタとを備えるリソグラフ処理システム(400)。 - リソグラフ処理システム(400)は、極端紫外リソグラフ処理システムであり、
第1照射源は、基板の極端紫外リソグラフ処理用の照射源であり、
第2照射源は、深紫外照射源である、請求項9記載のリソグラフ処理システム(400)。 - 検出した第2照射ビームを評価し、リソグラフ処理システムにおけるマスクもしくはマスクブランクまたはそのホルダーの凹凸形状パラメータを誘導するためにプログラムされた処理手段をさらに備える9または10記載のリソグラフ処理システム(400)。
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