JP5867068B2 - 接合方法 - Google Patents

Description

本発明は、接合方法に関するものである。

樹脂材料で構成される２つの部材（基材）同士が接合された接合体を光学部品に適用する場合、これら同士の接合（接着）には、シアノアクリレート系材料を含有する紫外線硬化型接着剤等の接着剤が多く用いられている。
このような紫外線硬化型接着剤は、光透過性に優れることから、光学部品に好適に適用することができるものの、硬化時の紫外線照射により、接着剤の変質により黄変してしまうという問題がある。また、接合すべき部材として、ポリメタクリル酸メチル樹脂やポリスチレン樹脂を用いた場合、上述した紫外線照射により、基材自体も変質・劣化に起因して黄変してしまうという問題がある。

一方、接着剤を用いない接合方法として、基材を樹脂材料のガラス転移点（Ｔｇ）以上に加熱し、この状態で、２つの基材同士を圧着する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、かかる方法では、基材同士圧着時に、基材がＴｇ以上に加熱されていることに起因して、基材が変形し、その結果、得られる接合体（例えば、光学部品）の性能特性が著しく低下することがあった。

特開２００６−２６９０７９号公報

本発明の目的は、２つの基材同士を、基材に変質・劣化を生じさせることなく、高い寸法精度で強固に接合し得る接合方法を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、第１の基材および第２の基材は主として樹脂材料で構成され、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方の基材に、酸素ガスの含有量が９０ｖｏｌ％以上のＯ _２ プラズマを接触させる第１の工程と、
少なくとも前記一方の基材の前記Ｏ _２ プラズマを接触させた表面に、沸点以上に加熱した水蒸気を、前記表面に接触させることにより、前記表面に水が存在する状態で、選択的に７０℃以上に前記表面を加熱する第２の工程と、
前記一方の基材の前記Ｏ _２ プラズマを接触させた表面が、前記他方の基材に接触するように、前記第１の基材と前記第２の基材とを重ね合わせた状態で、前記第１の基材と前記第２の基材とを互いに押圧することで、前記第１の基材と前記第２の基材とが接合された接合体を得る第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、２つの基材同士を、基材に変質・劣化を生じさせることなく、高い寸法精度で強固に接合することができる。
また、前記第１の工程における、前記プラズマは、Ｏ _２ プラズマであることにより、Ｏ _２ プラズマにより基材の表面付近の分子結合の一部が選択的に切断されることに起因して、未結合手が生じるが、この際、雰囲気中に酸素分子が存在するため、この未結合手を水酸基によって終端化されたものとすることができる。
さらに、前記第２の工程において、沸点以上に加熱した水蒸気を、前記表面に接触させることにより前記表面を加熱することで、比較的容易な手法で、前記Ｏ _２ プラズマを接触させた表面を優れた精度で選択的に加熱することができる。

本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記表面を、ガラス転移点以下に加熱することが好ましい。
これにより、加熱された基材の接合面において、基材に変形が生じるのを的確に抑制または防止することができるため、高い寸法精度で接合体を製造することができる。

本発明の接合方法では、前記第１の工程において、前記第１の基材および前記第２の基材に、前記Ｏ _２ プラズマを接触させることが好ましい。
これにより、得られる接合体を、特に優れた強度で接合されたものとすることができる。

本発明の接合方法では、前記第３の工程において、前記第１の基材と前記第２の基材とを互いに押圧する圧力は、０．３ＭＰａ以上、２ＭＰａ以下であることが好ましい。
これにより、第１の基材と第２の基材とをより強固に接合することができる。

本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 基材にプラズマを接触させるのに用いられるプラズマ処理装置を模式的に示す縦断面図である。 本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 接合体を適用して得られた波長板（光学素子）を示す斜視図である。 接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図である。 図５に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。 図５に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。

以下、本発明の接合方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜接合方法＞
本発明の接合方法は、［１］第１の基材および第２の基材は主として樹脂材料で構成され、この第１の基材２１および第２の基材２２の少なくとも一方の基材に、プラズマを接触させる第１の工程と、［２］少なくとも一方の基材のプラズマを接触させた表面に水が存在する状態で、選択的に７０℃以上に加熱する第２の工程と、［３］一方の基材のプラズマを接触させた表面が、他方の基材に接触するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせた状態で、第１の基材２１と第２の基材２２とを互いに押圧することで、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合された接合体１を得る第３の工程とを有する。

＜＜第１実施形態＞＞
以下、この本発明の接合方法の第１実施形態を、工程ごとに詳述する。
図１は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
［１］まず、主として樹脂材料で構成される第１の基材２１および第２の基材２２を用意し、第１の基材２１にプラズマを接触させる。

［１−１］まず、第１の基材２１および第２の基材２２を用意する。
本発明では、これら第１の基材２１および第２の基材２２が共に、主として樹脂材料で構成され、本発明の接合方法は、このような基材２１、２２同士の接合に適用される。
具体的には、第１の基材２１および第２の基材２２の構成材料としては、それぞれ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。

なお、第１の基材２１と第２の基材２２との構成材料は、それぞれ、同一（同種）のものであってもよく、異種のものであってもよい。
さらに、接合体１を、後述するような光学素子（波長板）に適用する場合、第１の基材２１および第２の基材２２の構成材料は、ともに、上述したもののうち透明性を有するものが用いられる。

また、第１の基材２１および第２の基材２２の形状は、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
なお、本実施形態では、図１に示すように、第１の基材２１および第２の基材２２の双方が板状をなしている。

この場合、第１の基材２１および第２の基材２２の平均厚さは、それぞれ、０．１ｍｍ以上、５０ｍｍ以下であるのが好ましく、１．０ｍｍ以上、５ｍｍ以下であるのがより好ましい。本発明の接合方法は、第１の基材２１および第２の基材２２が板状をなす場合、かかる膜厚を有する第１の基材２１と第２の基材２２との接合に、好適に適用することができる。

［１−２］次に、第１の基材２１にプラズマを接触させる。
本実施形態では、図１（ａ）に示すように、第１の基材２１の上面である接合面２３にプラズマを接触させる。
第１の基材２１（接合面２３）にプラズマを接触させると、この接合面２３では、特にその表面付近（接合面２３の最表面）の分子結合の一部が選択的に切断されることに起因して、接合面２３が活性化されて表面付近に第２の基材２２に対する接着性が発現する。
このような状態の第１の基材２１は、第２の基材２２と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。

なお、本明細書中において、接合面２３の表面が「活性化された」状態とは、上述のように接合面２３の表面の分子結合の一部が切断されて、第１の基材２１を構成する原子が終端化されないで、未結合手（または、「ダングリングボンド」）が生じた状態の他、この未結合手を持っていた原子が、水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合面２３の表面が「活性化された」状態と言うこととする。

ここで、従来、第１の基材２１および第２の基材２２同士を接合するために第１の基材２１の接合面２３の表面を活性化するための方法として、接合面２３の表面に紫外線を照射する方法が考えられる。しかしながら、かかる方法を用いた場合には、次のような問題がある。
Ａ：接合面２３の表面の活性化に長時間（例えば、１分〜数十分）を要する。また、紫外線照射を短時間にした場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する工程において、その接合に長時間（数十分以上）を要する。すなわち、接合体１を得るのに長時間を要する。

Ｂ：また、紫外線を用いた場合、この紫外線は、第１の基材２１を厚さ方向に透過し易いため、接合面２３の表面ばかりでなく、その内部においても、第１の基材２１を構成する構成材料の分子結合の一部が切断されることから、第１の基材２１において変質・劣化が生じ易く、第１の基材２１の黄変の原因となる。
これに対して、本発明では、接合面２３の表面の活性化にプラズマが用いられる。プラズマを用いることにより、接合面２３の表面付近において、選択的に、第１の基材２１を構成する構成材料の分子結合の一部が切断される。

なお、このプラズマによる分子結合の切断は、プラズマの荷電に基づく化学的な作用のみならず、プラズマのペニング効果に基づく物理的な作用によって引き起こされるため、極めて短時間で生じる。したがって、接合面２３の表面を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体１を短時間で製造することができる。

また、プラズマは、接合面２３の表面に選択的に作用し、その内部にまで影響を及ぼし難い。このため、分子結合の切断は、接合面２３の表面付近で選択的に生じる。すなわち、第１の基材２１は、その表面付近で選択的に活性化される。しかがって、紫外線を用いて第１の基材２１を活性化させる場合の不都合が生じ難い。すなわち、第１の基材２１に黄変が生じるのを的確に抑制または防止することができる。
以上のように、プラズマにより第１の基材２１を活性化させる場合には、紫外線により第１の基材２１を活性化させる場合に比べて、種々のメリットがある。
以上のような第１の基材２１に対するプラズマの接触は、例えば、図２に示すプラズマ処理装置を用いて行うことができる。

図２は、第１の基材（基材）にプラズマを接触させるのに用いられるプラズマ処理装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示すプラズマ処理装置１００は、チャンバー１０１と、第１の基材２１を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。

チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図２に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。

チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。

第１の電極１３０は、板状をなしており、第１の基材２１を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図２に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。

第１の電極１３０の第１の基材２１を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図２に示すように、第１の基材２１を鉛直方向に沿って支持することができる。また、第１の基材２１に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で第１の基材２１をプラズマ処理に供することができる。

第２の電極１４０は、第１の基材２１を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。

このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に処理ガスを供給するためのものである。

図２に示すガス供給部１９０は、処理ガスを貯留するガスボンベ１９３と、このガスボンベ１９３を供給口１０３に接続する配管１９４とを有しており、ガスボンベ１９３から噴出された処理ガスを、配管１９４を介して供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
処理ガスの種類としては、特に限定されないが、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガスのような希ガス、酸素ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、処理ガスには、特に、酸素ガスを主成分とするガスを用いるのが好ましい。

すなわち、第１の基材２１の表面処理に用いるプラズマは、酸素ガスを主成分とするガスをプラズマ化したO_２プラズマであるのが好ましい。これにより、O_２プラズマにより第１の基材２１の表面付近の分子結合の一部が選択的に切断されることに起因して、未結合手が生じるが、この際、雰囲気中に酸素分子が存在するため、この未結合手を水酸基によって終端化されたものとすることができる。さらに、酸素ガスのプラズマは、前述したペニング効果が高いことから、第１の基材２１の活性化を短時間でかつ確実に行うことができる観点からも好ましい。

この場合、酸素ガスを主成分とする処理ガスのチャンバー１０１内への供給速度は、特に限定されないが、１０００〜２００００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０００〜１５０００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、第１の基材２１の活性化の程度を制御し易くなる。
また、このガス（処理ガス）中の酸素ガスの含有量は、８５ｖｏｌ％以上が好ましく、９０ｖｏｌ％以上（１００％も含む）がより好ましい。これにより、前述した効果をさらに顕著に発揮させることができる。

また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される処理ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、処理ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することとなる。

排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、処理ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による第１の基材２１の汚染等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。

また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
かかるプラズマ処理装置１００を用いることにより、容易かつ確実に、第１の基材２１にプラズマを接触させ、第１の基材２１を活性化させることができる。

なお、第１の電極１３０と、第２の電極１４０との間に印加する電圧は、１．０〜３．０ｋＶｐ−ｐ程度であるのが好ましく、１．０〜１．５ｋＶｐ−ｐ程度であるのがより好ましい。これにより、第１の電極１３０と、第２の電極１４０と間に電界をより確実に発生させることができ、これら同士の間に供給された処理ガスを確実にプラズマ化させることができる。
また、高周波電源１８２の周波数（印加する電圧の周波数）は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。

［２］次に、第１の基材２１のプラズマを接触させた接合面２３の表面を、水存在下で、選択的に７０℃以上に加熱する。
これにより、次工程［３］において、第１の基材２１と第２の基材２２とを加圧した際に、これら同士を確実に接合して、優れた接合強度で接合された接合体１を得ることができる。

すなわち、接合面２３の表面を７０℃以上に加熱することで、前記工程［１］において、接合面２３にプラズマを接触させることにより発現させた第２の基材２２に対する接着性をより顕著に発揮させることができる。
さらに、水が存在する状態で、この加熱を行うことから、接合面２３の表面に残存している未結合手を、水酸基によって終端化させることができるため、かかる観点からも、接合面２３に第２の基材２２に対する接着性をより顕著に発揮させることができる。

また、この加熱が接合面２３の表面に限定されることから、加熱に伴う第１の基材２１の変質・劣化さらには変形を的確に抑制または防止することができる。
なお、第１の基材２１を加熱する温度は、７０℃以上であればよいが、第１の基材２１のガラス転移点（Ｔｇ）以下であるのが好ましく、具体的には、第１の基材２１の構成材料によっても若干異なるが、好ましくは７０℃以上、１２０℃以下、より好ましくは９０℃以上、１００℃以下に設定される。これにより、加熱された接合面２３において、第１の基材２１に変形が生じるのを的確に抑制または防止することができるため、高い寸法精度で接合体１を製造することができる。

また、水存在下で、接合面２３の表面を選択的に加熱する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ．沸点以上に加熱した水蒸気を接合面２３の表面に接触させる方法、II．高湿度下でIR加熱する方法、III高湿度下で数百μｍギャップを制御しホットプレート加熱する方法等が挙げられるが、中でもＩの方法（図１（ｂ）参照。）であるのが好ましい。Ｉの方法であれば、比較的容易な手法で、接合面２３の表面を優れた精度で選択的に加熱することができる。

［３］次に、第１の基材２１のプラズマを接触させた接合面２３の表面が、第２の基材２２に接触するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせ、この状態で、第１の基材２１と第２の基材２２とが接近するように加圧することで、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合された接合体１を得る。
［３−１］次いで、図１（ｃ）に示すように、第１の基材２１のプラズマを接触させた接合面２３の表面が、第２の基材２２の接合面２４に接触するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせる。

［３−２］次いで、図１（ｄ）に示すように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせた状態で、第１の基材２１と第２の基材２２とを互いに押圧する。
このように第１の基材２１と第２の基材２２とを押圧（加圧）することで、接合面２３と接合面２４とが密着し、前記工程［２］において、接合面２３の表面が選択的に加熱されていることから、接合面２３の表面付近に発現した接合面２４に対する接着性に基づいて、第１の基材２１と第２の基材２２とが、接合面２３、２４において接合された接合体１を得ることができる。

なお、本工程において、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合されるメカニズムは、以下に示す通りであると推測される。
例えば、第２の基材２２の接合面２４に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第１の基材２１の接合面２３と、第２の基材２２の接合面２４とが接触するように、これらを重ね合わせたとき、第１の基材２１の接合面２３に存在する水酸基と、第２の基材２２の接合面２４に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。そして、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、第１の基材２１が７０℃以上に加熱されていることに起因して、脱水縮合反応が生じ、表面から水分子が切断される。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２との接触界面では、水酸基同士が脱水縮合して形成された結合手により基材２１、２２同士が結合する。これにより、第１の基材２１と第２の基材２２とが強固に接合されると推察される。

なお、第１の基材２１と第２の基材２２とを加圧する圧力は、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて適宜調整されるが、具体的には、０．３ＭＰａ以上、２ＭＰａ以下であるのが好ましく、０．５ＭＰａ以上、１ＭＰａ以下であるのがより好ましい。これにより、接合面２３と接合面２４とがより確実に密着するため、接合面２３、２４から露出する水酸基同士が接触する接触機会を増加させることができるため、第１の基材２１と第２の基材２２とをより強固に接合することができる。

また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒以上、３０分以下であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
なお、加圧する際の雰囲気の圧力は、大気圧であってもよいが、減圧であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０^−５Ｐａ以上、１３３３Ｐａ以下（１×１０^−５Ｔｏｒｒ以上、１０Ｔｏｒｒ以下）であるのが好ましく、１３３．３×１０^−４Ｐａ以上、１３３．３Ｐａ以下（１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上、１Ｔｏｒｒ以下）であるのがより好ましい。
以上のようにして、図１（ｄ）に示すような接合体１が得られる。

このような接合方法によれば、第１の基材２１と第２の基材２２とを、これら同士を接合するための接合膜を介することなく接合することができるため、優れた寸法精度で第１の基材２１と第２の基材２２とが接合された接合体１を得ることができる。
さらに、第１の基材２１の加熱が接合面２３の表面に対して選択的に行われるため、第１の基材２１が変形したとしても、その加熱された表面に限定することができることから、かかる観点からも、優れた寸法精度の接合体１を得ることができる。
また、接合体１の形成の過程において、紫外線照射を経ることなく接合体１を得ることができるため、紫外線照射に伴う基材２１、２２の変質・劣化に起因する黄変を確実に防止することができる。

＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の接合方法の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態の接合方法について、前記第１実施形態の接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態の接合方法では、図３に示すように、前記工程［１］におけるプラズマの接触と、前記工程［２］における水存在下での加熱とを、第１の基材２１ばかりでなく、第２の基材２２に対しても施すようにしたこと以外は、前記第１実施形態の接合方法と同様である。
このように、第１の基材２１および第２の基材２２の双方に、前記工程［１］および前記工程［２］における処理を行うようにすることで、接合面２３、２４に水酸基を導入することができる。そのため、接合面２３には第２の基材２２に対する接着性を、接合面２４には第１の基材２１に対する接着性をそれぞれ発現させることができる。その結果、前記工程［３］を経ることにより得られる接合体１が、特に優れた強度で接合されたものとなる。

このような第２実施形態の接合方法によっても、前記第１実施形態の接合方法と同様の効果が得られる。
なお、前記工程［２］において、接合面２３および接合面２４の双方の表面を、水存在下で、選択的に７０℃以上に加熱する際に、かかる加熱方法として、加熱した水蒸気を接合面２３、２４の表面に接触させる方法を選択した場合、図３（ｂ）に示すようにするのが好ましい。
すなわち、第１の基材２１と第２の基材２２とを、接合面２３、２４同士が互いに対向するように配置し、これら基材２１、２２同士の間に形成された空間内に、加熱した水蒸気を供給する（流入させる）ようにするのが好ましい。これにより、接合面２３、２４の双方をムラなく、早期に７０℃以上に加熱することができる。

＜波長板＞
次に、接合体を光学素子の一種である波長板に適用した場合の実施形態について説明する。
図４は、接合体を適用して得られた波長板（光学素子）を示す斜視図である。
図４に示す波長板９は、透過する光に１／２波長分の位相差を与える「１／２波長板」であって、２枚の複屈折性を有する結晶板９１、９２を、それぞれの光学軸が直交するように接着してなるものである。

複屈折性を有する材料としては、例えば、ポリカーボネート等の樹脂材料が挙げられる。
このような波長板９を光が透過するとき、光学軸に平行な偏光成分と垂直な偏光成分とに光が分離される。そして、分離された光は、各結晶板９１、９２の複屈折性に伴う屈折率差に基づいて一方に遅延が生じ、前述した位相差が生じることとなる。

ところで、波長板９によって透過光に与えられる位相差の精度や波長板９の透過率は、各結晶板９１、９２の板厚の精度に依存しているため、各結晶板９１、９２の板厚は高精度に制御されている必要がある。
それに加え、結晶板９１と結晶板９２との間隙も透過光の位相に影響を及ぼすため、結晶板９１と結晶板９２との間隙は、離間距離が厳密に制御されており、かつ離間距離が変化しないように強固に接着されている必要がある。

さらに、結晶板９１と結晶板９２とを透過する透過光透過率が減衰することなく、高い状態を維持する必要がある。
そこで、波長板９に光学素子を適用することとした。これにより、結晶板（第１の基材）９１と結晶板（第２の基材）９２とを接合するための接合膜等を介することなく、結晶板９１と結晶板９２とが、直接、接合された波長板９を得ることができる。このため、結晶板９１と結晶板９２との間の平行度が高く、波面収差等の各種収差の少ない波長板９とすることができる。

なお、波長板９は、１／２波長板の他に、１／４波長板、１／８波長板等であってもよい。
また、接合体を適用する光学素子としては、上記で説明した波長板の他に、偏光フィルタのような光学フィルタ、光ピックアップのような複合レンズ、プリズム、回折格子等が挙げられる。

＜液滴吐出ヘッド＞
次に、接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図５は、接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図、図６は、図５に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図７は、図５に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図５は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。

図５に示すインクジェット式記録ヘッド１０は、図７に示すようなインクジェットプリンタ９に搭載されている。
図７に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２０を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。

操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２０の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。

制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。

印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１１を備えるインクジェット式記録ヘッド１０（以下、単に「ヘッド１０」と言う。）と、ヘッド１０にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１０およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。

なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４４と、キャリッジガイド軸９４４と平行に延在するタイミングベルト９４３とを有している。

キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４４に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４３の一部に固定されている。
キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４３を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４４に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１０から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。

給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。
給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。

制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子（振動源）１４を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。

また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子１４、印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。

以下、ヘッド１０について、図５および図６を参照しつつ詳述する。
ヘッド１０は、ノズル板１１と、インク室基板１２と、振動板１３と、振動板１３に接合された圧電素子（振動源）１４とを備えるヘッド本体１７と、このヘッド本体１７を収納する基体１６とを有している。なお、このヘッド１０は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。

ノズル板１１は、本実施形態では、各種樹脂材料等で構成されている。
このノズル板１１には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔１１１が形成されている。これらのノズル孔１１１間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。
ノズル板１１には、インク室基板１２が固着（固定）されている。
このインク室基板１２は、ノズル板１１、側壁（隔壁）１２２および後述する振動板１３により、複数のインク室（キャビティ、圧力室）１２１と、インクカートリッジ９３１から供給されるインクを貯留するリザーバ室１２３と、リザーバ室１２３から各インク室１２１に、それぞれインクを供給する供給口１２４とが区画形成されている。

各インク室１２１は、それぞれ短冊状（直方体状）に形成され、各ノズル孔１１１に対応して配設されている。各インク室１２１は、後述する振動板１３の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
インク室基板１２を得るための母材としては、例えば、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド１０の製造コストを低減することができる。

一方、インク室基板１２のノズル板１１と反対側には、振動板１３が接合され、さらに振動板１３のインク室基板１２と反対側には、複数の圧電素子１４が設けられている。
また、振動板１３の所定位置には、振動板１３の厚さ方向に貫通して連通孔１３１が形成されている。この連通孔１３１を介して、前述したインクカートリッジ９３１からリザーバ室１２３に、インクが供給可能となっている。

各圧電素子１４は、それぞれ、下部電極１４２と上部電極１４１との間に圧電体層１４３を介挿してなり、各インク室１２１のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子１４は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動（振動、変形）するよう構成されている。
各圧電素子１４は、それぞれ、振動源として機能し、振動板１３は、圧電素子１４の振動により振動し、インク室１２１の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。

基体１６は、本実施形態では、各種樹脂材料で構成されており、この基体１６にノズル板１１が固定、支持されている。すなわち、基体１６が備える凹部１６１に、ヘッド本体１７を収納した状態で、凹部１６１の外周部に形成された段差１６２によりノズル板１１の縁部を支持する。
以上のような、ノズル板１１とインク室基板１２との接合、およびノズル板１１と基体１６との接合のうち、少なくとも１箇所を接合する際に、本発明の接合方法が用いられる。

換言すれば、ノズル板１１とインク室基板１２との接合体、およびノズル板１１と基体１６との接合体のうち、少なくとも１箇所に接合体が適用されている。
ここで、ノズル板１１とインク室基板１２との接合に、本発明の接合方法を適用すれば、各インク室１２１に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなる。その結果、ヘッド１０は、信頼性の高いものとなる。

また、ヘッド１０の一部に接合体が適用されていると、寸法精度の高いヘッド１０を構築することができる。このため、ヘッド１０から吐出されたインク滴の吐出方向や、ヘッド１０と記録用紙Ｐとの離間距離を高度に制御することができ、インクジェットプリンタ９による印字結果の品位を高めることができる。
このようなヘッド１０は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層１４３に変形が生じない。このため、振動板１３にも変形が生じず、インク室１２１には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔１１１からインク滴は吐出されない。

一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層１４３に変形が生じる。これにより、振動板１３が大きくたわみ、インク室１２１の容積変化が生じる。このとき、インク室１２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される。

１回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極１４２と上部電極１４１との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子１４は、ほぼ元の形状に戻り、インク室１２１の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ９３１からノズル孔１１１へ向かう圧力（正方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズル孔１１１からインク室１２１へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ９３１（リザーバ室１２３）からインク室１２１へ供給される。

このようにして、ヘッド１０において、印刷させたい位置の圧電素子１４に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望の）文字や図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド１０は、圧電素子１４の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド１０は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出するバブルジェット方式（「バブルジェット」は登録商標））のものであってもよい。

なお、かかる構成のヘッド１０において、ノズル板１１には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜１１４が設けられている。これにより、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される際に、このノズル孔１１１の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔１１１から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。
以上、本発明の接合方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、接合体は、光学素子および液滴吐出ヘッド以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、接合体は、例えば、半導体装置、マイクロリアクタ、センサー、ＭＥＭＳ等に適用することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．接合体の形成
（実施例１）
［１Ａ］ まず、第１の基材および第２の基材として、縦２ｃｍ×横２ｃｍ×厚さ３ｍｍのＭＳ樹脂（メチルメタクリレート・スチレン共重合樹脂）基板を、ＭＳ樹脂（Ｔｇ：１００℃）を射出成型することにより得た。

［２Ａ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板を、図２に示すプラズマ処理装置のチャンバー内に収納し、それぞれの表面に対して、酸素プラズマによるプラズマ処理を行った。なお、プラズマ処理の条件は以下に示す通りである。
・処理ガスの組成 ：酸素
・処理ガスの流量 ：２０ｓｃｃｍ
・高周波電力の出力 ：１００Ｗ
・チャンバー内圧力 ：４Ｐａ（低真空）
・電極面積 ：５０ｃｍ×５０ｃｍ
・処理時間 ：３分
・基板温度 ：２５℃

［３Ａ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板を、プラズマ処理を行った接合面が互いに対向するように配置し、この状態で、２つのＭＳ樹脂基板同士の間に、１００℃に加熱した加熱水蒸気を３分間供給した。
［４Ａ］ 次に、前記工程［３Ａ］の位置関係を維持したまま、２つのＭＳ樹脂基板を重ね合わせた。そして、加圧装置が備えるステージを６０℃の温度条件で加熱しつつ、２つのＭＳ樹脂基板を２MＰａ×５分間の加圧条件で加圧した。
以上の工程を経ることにより、２つのＭＳ樹脂基板同士が接合された実施例１の接合体を得た。
（実施例２〜４）
前記工程［３Ａ］における加熱水蒸気の加熱温度、ならびに、前記工程［４Ａ］におけるステージの温度条件およびＭＳ樹脂基板の加圧条件を表１に示すように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２〜４の接合体を得た。

（比較例１）
［１Ｂ］ まず、第１の基材および第２の基材として、縦２ｃｍ×横２ｃｍ×厚さ５ｍｍのＭＳ樹脂（メチルメタクリレート・スチレン共重合樹脂）基板を、ＭＳ樹脂（Ｔｇ：１００℃）を射出成型することにより得た。
［２Ｂ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板を、互いに対向するように配置した後に重ね合わせた。そして、加圧装置が備えるステージを１００℃の温度条件で加熱しつつ、２つのＭＳ樹脂基板を２．５MＰａ×５分間の加圧条件で加圧した。
以上の工程を経ることにより、２つのＭＳ樹脂基板同士が接合された比較例１の接合体を得た。

（比較例２）
前記工程［１Ｂ］において、第１の基材および第２の基材として、縦２ｃｍ×横２ｃｍ×厚さ５ｍｍのシクロオレフィンポリマー基板を、シクロオレフィンポリマー（日本ゼオン製、「１０６０Ｒ」、Ｔｇ：１００℃）を射出成型することにより得たこと以外は、前記比較例１と同様にして、比較例２の接合体を得た。

（比較例３）
［１Ｃ］ まず、第１の基材および第２の基材として、縦２ｃｍ×横２ｃｍ×厚さ５ｍｍのＭＳ樹脂（メチルメタクリレート・スチレン共重合樹脂）基板を、ＭＳ樹脂（Ｔｇ：１１０℃）を射出成型することにより得た。
［２Ｃ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板を、図２に示すプラズマ処理装置のチャンバー内に収納し、それぞれの表面に対して、酸素プラズマによるプラズマ処理を行った。なお、プラズマ処理の条件は以下に示す通りである。

・処理ガスの組成 ：酸素
・処理ガスの流量 ：２０ｓｃｃｍ
・高周波電力の出力 ：１００Ｗ
・チャンバー内圧力 ：４Ｐａ（低真空）
・電極面積 ：５０ｃｍ×５０ｃｍ
・処理時間 ：３分
・基板温度 ：２５℃

［３Ｃ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板を、プラズマ処理を行った接合面が互いに対向するように配置した後に重ね合わせた。そして、加圧装置が備えるステージを１００℃の温度条件で加熱しつつ、２つのＭＳ樹脂基板を０．２MＰａ×５分間の加圧条件で加圧した。
以上の工程を経ることにより、２つのＭＳ樹脂基板同士が接合された比較例３の接合体を得た。

（比較例４）
前記工程［１Ｃ］において、第１の基材および第２の基材として、縦２ｃｍ×横２ｃｍ×厚さ５ｍｍのシクロオレフィンポリマー基板を、シクロオレフィンポリマー（日本ゼオン製、「１０６０Ｒ」、Ｔｇ：１１０℃）を射出成型することにより得たこと以外は、前記比較例３と同様にして、比較例４の接合体を得た。

（比較例５）
［１Ｄ］ まず、第１の基材および第２の基材として、縦２ｃｍ×横２ｃｍ×厚さ２ｍｍのＭＳ樹脂（メチルメタクリレート・スチレン共重合樹脂）基板を、ＭＳ樹脂（Ｔｇ：１１０℃）を射出成型することにより得た。
［２Ｄ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板の表面に対して、それぞれ、以下に示す条件で紫外線を照射した。

＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分

［３Ｄ］ 次に、２つのＭＳ樹脂基板を、紫外線照射を行った接合面が互いに対向するように配置した後に重ね合わせた。そして、加圧装置が備えるステージを１２０℃の温度条件で加熱しつつ、２つのＭＳ樹脂基板を０．２MＰａ×５分間の加圧条件で加圧した。
以上の工程を経ることにより、２つのＭＳ樹脂基板同士が接合された比較例５の接合体を得た。
（比較例６、７）
前記工程［３Ａ］における加熱水蒸気の加熱温度を表１に示すように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、比較例６、７の接合体を得た。

２．接合体の評価
２．１ 接合体の接合強度の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ接合強度を測定した。
接合強度の測定は、各基材を引き剥がしたとき、剥がれる直前の強度を測定することにより行った。そして、接合強度を以下の基準にしたがって評価した。
＜接合強度の評価基準＞
○：０．５ＭＰａ以上
×：０．５ＭＰａ未満

２．２ 接合体の寸法精度および変色の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、目視にて、接合体（基材）の変形の有無および接合体の変色の有無について確認し、それぞれ、以下の基準にしたがって評価した。
＜寸法精度および変色の評価基準＞
◎：塑性変形は認められず、さらに、黄変も認められない
○：接合面に若干の塑性変形が認められるものの、黄変は認められない
△：接合面に明らかな塑性変形が認められるものの、若干の黄変しか認められない
×：接合体の全体に亘って明らかな塑性変形が認められ、さらに、黄変も認められる
これらの結果を、表１に示す。

表１から明らかなように、各実施例で得られた接合体では、基材同士が優れた接合強度で接合されており、さらに、塑性変形および黄変も認められなかった。
これに対して、比較例で得られた接合体では、基材同士が優れた接合強度で接合されていないか、たとえ優れた接合強度で接合されていたとしても、塑性変形および／または黄変が認められる結果となった。

１……接合体 ２１……第１の基材 ２２……第２の基材 ２３、２４……接合面 ９……波長板 ９１、９２……結晶板 １０……インクジェット式記録ヘッド（ヘッド） １１……ノズル板 １１１……ノズル孔 １１４……被膜 １２……インク室基板 １２１……インク室 １２２……側壁 １２３……リザーバ室 １２４……供給口 １３……振動板 １３１……連通孔 １４……圧電素子 １４１……上部電極 １４２……下部電極 １４３……圧電体層 １６……基体 １６１……凹部 １６２……段差 １７……ヘッド本体 ９……インクジェットプリンタ ９２０……装置本体 ９２１……トレイ ９２２……排紙口 ９３……ヘッドユニット ９３１……インクカートリッジ ９３２……キャリッジ ９４……印刷装置 ９４１……キャリッジモータ ９４２……往復動機構 ９４３……タイミングベルト ９４４……キャリッジガイド軸 ９５……給紙装置 ９５１……給紙モータ ９５２……給紙ローラ ９５２ａ……従動ローラ ９５２ｂ……駆動ローラ ９６……制御部 ９７……操作パネル Ｐ……記録用紙 １００……プラズマ処理装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板

Claims (4)

1. 第１の基材および第２の基材は主として樹脂材料で構成され、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方の基材に、酸素ガスの含有量が９０ｖｏｌ％以上のＯ _２ プラズマを接触させる第１の工程と、
   少なくとも前記一方の基材の前記Ｏ _２ プラズマを接触させた表面に、沸点以上に加熱した水蒸気を、前記表面に接触させることにより、前記表面に水が存在する状態で、選択的に７０℃以上に前記表面を加熱する第２の工程と、
   前記一方の基材の前記Ｏ _２ プラズマを接触させた表面が、前記他方の基材に接触するように、前記第１の基材と前記第２の基材とを重ね合わせた状態で、前記第１の基材と前記第２の基材とを互いに押圧することで、前記第１の基材と前記第２の基材とが接合された接合体を得る第３の工程とを有することを特徴とする接合方法。
2. 前記第２の工程において、前記表面を、ガラス転移点以下に加熱する請求項１に記載の接合方法。
3. 前記第１の工程において、前記第１の基材および前記第２の基材に、前記Ｏ _２ プラズマを接触させる請求項１または２に記載の接合方法。
4. 前記第３の工程において、前記第１の基材と前記第２の基材とを互いに押圧する圧力は、０．３ＭＰａ以上、２ＭＰａ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。

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