JP5864332B2 - 静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサ - Google Patents
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 51
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
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- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
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- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00523—Etching material
- B81C1/00531—Dry etching
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0221—Variable capacitors
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/04—Electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/094—Feed-through, via
- B81B2207/095—Feed-through, via through the lid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/094—Feed-through, via
- B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
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Description
本発明は、静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサに関する。
加速度センサは、自動車のエアバッグ、ゲーム機、地震探査等の幅広い分野で利用されている。加速度センサには、例えば、固定電極の間に配置された可動電極が変位する際の静電容量の変化に基づいて加速度を検知する静電容量型加速度センサがある（例えば、特許文献１−２を参照）。
静電容量型加速度センサは、近年、周波数特性が０近傍から数千Ｈｚという高周波帯域にまで感度が伸びている。このような様々な周波数帯域に対応するべく、例えば、可動電極が内置されるセンサエレメント内を適当な圧力に調整し、ガスのダンピング効果による振動の減衰能を増減させることが行われている。
ところで、近年の静電容量型加速度センサには、固定電極や可動電極、可動電極を支持するカンチレバー等の構成部品を、シリコン基板やガラス基板を集積化することによって構成した、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）と呼ばれるものがある。このような静電容量型加速度センサにおいて、センサエレメント内を適当な圧力に調整しようとする目的でシリコン基板あるいはガラス基板に通気路を設けると、ウェハから各センサを切り出す際、通気路を介してセンサエレメント内に異物が入る虞がある。
本願は、このような課題に鑑みてなされたものであり、センサエレメント内の圧力調整を目的とする通気路を設けた静電容量型加速度センサを製造する際の歩留まりを向上可能な静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明では、キャパシタの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、絶縁性基板に接合する半導体基板との間に通路を形成するための溝を設け、通路と連通する貫通孔を半導体基板に形成し、固定電極を半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって通路と連通する貫通孔を絶縁性基板に形成することにした。
詳細には、加速度に応じて容量が変化するキャパシタを有する静電容量型加速度センサの製造方法であって、前記キャパシタの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面と反対側の面に接合する半導体基板との間に通路を形成する溝を、前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する工程と、前記半導体基板を貫通する孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記半導体基板に形成する工程と、前記絶縁性基板を貫通し、前記固定電極を前記半導
体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成する工程と、を有する。
体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成する工程と、を有する。
静電容量型加速度センサをこのようにして製造すれば、固定電極と対峙する可動電極を絶縁性基板や半導体基板で覆っても、可動電極を配置したセンサエレメント内の空間が、固定電極を半導体基板に電気的に繋ぐ絶縁性基板の孔から、半導体基板と絶縁性基板との間に形成される通路を経由して、半導体基板を貫通する孔と連通されるため、センサエレメント内を適当な圧力に調整可能である。
また、センサエレメント内を外部と連通するための孔は、半導体基板を貫通するように形成されているため、半導体基板や絶縁性基板を積層して加速度センサを形成したウェハの上面あるいは下面で開口することとなる。すなわち、静電容量型加速度センサを上記製造方法に従って製造すれば、センサエレメント内を外部と連通するための孔が、ウェハから加速度センサを切り出す際の切断面で開口しないため、切り出しの際、異物がセンサエレメント内に入る可能性が低くなる。よって、センサエレメント内の圧力調整を目的とする通気路を設けた静電容量型加速度センサを製造する際の歩留まりが向上する。
なお、前記静電容量型加速度センサは、加速度に応じて容量が変化する第１のキャパシタと、前記加速度に応じて前記第１のキャパシタと相反するように容量が変化する第２のキャパシタとを有し、前記溝を前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する工程は、前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタのうち何れかの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面と反対側の面に接合する半導体基板との間に通路を形成する溝を、前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成するものであってもよい。
静電容量型加速度センサは、加速度に応じて容量が変化する第１のキャパシタと、加速度に応じて第１のキャパシタと相反するように容量が変化する第２のキャパシタとを有することにより、加速度を高感度に計測可能である。このような静電容量型加速度センサを製造する場合、センサエレメント内を外部と連通するための孔は、第１のキャパシタと第２のキャパシタのうち何れかの側に設けられていれば、センサエレメント内の圧力調整は可能であり、また、孔を複数設ける場合に比べて製造時の歩留まりも高い。
また、前記絶縁性基板に孔を形成する工程は、前記半導体基板が接合された前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面の側から、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成するものであってもよい。絶縁性基板に形成する孔をこのように形成すれば、半導体基板と絶縁性基板とを相互に接合する際の位置合わせが容易になるため、当該孔を前記通路に容易に連通させることが可能である。
なお、本発明は、上記製造方法を実現する製造装置、あるいは静電容量型加速度センサの側面から捉えることも可能である。
例えば、本発明は、加速度に応じて容量が変化するキャパシタを有する静電容量型加速度センサの製造装置であって、前記キャパシタの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面と反対側の面に接合する半導体基板との間に通路を形成する溝を、前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する手段と、前記半導体基板を貫通する孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記半導体基板に形成する手段と、前記絶縁性基板を貫通し、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成する手段と、を備えるものであってもよい。
また、本発明は、加速度に応じて容量が変化するキャパシタを有する静電容量型加速度センサであって、前記キャパシタの固定電極を成膜した絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜した面と反対側の面に接合される半導体基板と、前記絶縁性基板と前記半導体基板との間に通路を形成する溝であって、前記絶縁性基板と前記半導体基板のうち少なくとも何れかに形成される溝と、前記半導体基板を貫通する孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する第一の孔と、前記絶縁性基板を貫通し、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する第二の孔と、を備えるものであってもよい。
本発明であれば、センサエレメント内の圧力調整を目的とする通気路を設けた静電容量型加速度センサを製造する際の歩留まりを向上させることが可能である。
以下、本発明の実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、本発明の一態様を例示するものであり、本発明の技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。
図１は、実施形態に係る製造方法によって製造される静電容量型加速度センサ（以下、単に加速度センサという）１の構成図である。加速度センサ１は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）のセンサであり、図１に示すように、コンデンサ（キャパシタ
）Ｃ１，Ｃ２を備える静電容量方式の加速度センサである。この加速度センサ１は、微小な２つの固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２と１つの可動電極３との組み合わせからなっており、加速度が加わるとカンチレバー４が曲がって可動電極３が移動し、可動電極３と各固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２との間の静電容量が変化する。すなわち、この加速度センサ１は、対峙する２つの固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２の間に可動電極３が挿置されていることにより、加速度センサ１に加速度が加わって可動電極３が移動し、例えば、可動電極３がコンデンサＣ１側の固定電極２−Ｃ１へ近づくとコンデンサＣ１の静電容量が増加してコンデンサＣ２の静電容量が減少し、可動電極がコンデンサＣ２側の固定電極２−Ｃ２へ近づくとコンデンサＣ１の静電容量が減少してコンデンサＣ２の静電容量が増加するようになっている。また、加速度がかかっていない状態では、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２の容量は共に均等な状態となる。加速度センサ１から出力される信号は、所定の信号処理回路によって処理がなされ、各種加速度の計測の用に供される。
）Ｃ１，Ｃ２を備える静電容量方式の加速度センサである。この加速度センサ１は、微小な２つの固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２と１つの可動電極３との組み合わせからなっており、加速度が加わるとカンチレバー４が曲がって可動電極３が移動し、可動電極３と各固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２との間の静電容量が変化する。すなわち、この加速度センサ１は、対峙する２つの固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２の間に可動電極３が挿置されていることにより、加速度センサ１に加速度が加わって可動電極３が移動し、例えば、可動電極３がコンデンサＣ１側の固定電極２−Ｃ１へ近づくとコンデンサＣ１の静電容量が増加してコンデンサＣ２の静電容量が減少し、可動電極がコンデンサＣ２側の固定電極２−Ｃ２へ近づくとコンデンサＣ１の静電容量が減少してコンデンサＣ２の静電容量が増加するようになっている。また、加速度がかかっていない状態では、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２の容量は共に均等な状態となる。加速度センサ１から出力される信号は、所定の信号処理回路によって処理がなされ、各種加速度の計測の用に供される。
また、加速度センサ１には、図１に示されるように、圧力調整孔５が備わっている。このため、この加速度センサ１をセラミック等のパッケージにパッケージングする際、任意の圧力に調整した雰囲気中において、当該圧力調整孔５を例えばシーム溶接等で封止する
ことにより、可動電極３や固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２を配置したセンサエレメント内部を適当な圧力に調整することが可能である。すなわち、圧力調整孔５を封止する際の雰囲気圧力を変えると、センサエレメント内部の圧力が変わるため、カンチレバー４に支持される可動電極の振動を減衰させるエアダンピング効果が変化する。よって、圧力調整孔５を封止する際の雰囲気圧力を適当に調整することで、加速度センサ１の周波数特性をチューニングすることが可能である。
ことにより、可動電極３や固定電極２−Ｃ１，２−Ｃ２を配置したセンサエレメント内部を適当な圧力に調整することが可能である。すなわち、圧力調整孔５を封止する際の雰囲気圧力を変えると、センサエレメント内部の圧力が変わるため、カンチレバー４に支持される可動電極の振動を減衰させるエアダンピング効果が変化する。よって、圧力調整孔５を封止する際の雰囲気圧力を適当に調整することで、加速度センサ１の周波数特性をチューニングすることが可能である。
図２は、加速度センサ１の圧力調整孔５の部分（図１の符号Ａで示した部分）を拡大した図である。加速度センサ１は、カンチレバー４や可動電極３を形成するシリコン層６−ＣＣを、ガラス層７−Ｃ１，７−Ｃ２を介してシリコン層６−Ｃ１，６−Ｃ２で挟んだ構造になっている。シリコン層６−ＣＣとシリコン層６−Ｃ１とに挟まれるガラス層７−Ｃ１には固定電極２−Ｃ１や外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１が形成されており、シリコン層６−ＣＣとシリコン層６−Ｃ２とに挟まれるガラス層７−Ｃ２には固定電極２−Ｃ２や外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ２が形成されている。
また、ガラス層７−Ｃ１とシリコン層６−Ｃ１との間には、図２に示されるように、圧力調整通路９が形成されている。この圧力調整通路９は、外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１と圧力調整孔５とを繋ぐ通気路であり、センサエレメントの内部と外部とを繋げる空気の通り道である。
上記加速度センサ１は、次のようにして製造される。図３は、加速度センサ１の製造方法を示した図である。下記に示す製造方法は、所定の製造装置によって実現される。
（ステップＳ１０１）本製造方法においては、まず、用意したシリコンウェハ２１の一部を掘り下げて溝２６を形成する（図３（Ａ））。このシリコンウェハ２１は、前述したシリコン層６−Ｃ１を形成することになる材料である。シリコンウェハ２１の一部を掘り下げる手法は、如何なるものであってもよいが、例えば、ＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）であれば十分な掘り下げが可能である。ＤＲＩＥは、とは、反応性イオンエッ
チングの一種であり、プラズマ中のイオン種やラジカル種をバイアス電位によって試料方向に加速されて衝突させて行うエッチングである。
チングの一種であり、プラズマ中のイオン種やラジカル種をバイアス電位によって試料方向に加速されて衝突させて行うエッチングである。
（ステップＳ１０２）次に、シリコンウェハ２１を貫通する孔であって、上記ステップＳ１０１において掘り下げた部位とその裏側とを貫通する孔２２を形成する（図３（Ｂ））。この孔２２は、前述した圧力調整孔５を形成する孔である。孔２２を形成する手法は、如何なるものであってもよいが、例えば、サンドブラストであれば孔２２を適当に形成することが可能である。
（ステップＳ１０３）次に、シリコンウェハ２１の上面および下面のうち、上記ステップＳ１０１において掘り下げた側の面にガラス基板２３を接合する（図３（Ｃ））。ガラス基板２３は、前述したガラス層７−Ｃ１を形成することになる材料である。ガラス基板２３を接合する手法は、如何なるものであってもよいが、例えば、陽極接合であればガラス基板２３をシリコンウェハ２１に強固に接合することが可能である。陽極接合とは、シリコンウェハ２１とガラス基板２３を接合する手法の一種であり、高温雰囲気下で高電圧を印加することにより行う接合手法である。
（ステップＳ１０４）次に、シリコンウェハ２１に接合したガラス基板２３に、深さがシリコンウェハ２１に達する孔２４を形成する（図３（Ｄ））。この孔２４は、前述した外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１を形成する孔である。孔２４を形成する手法は、如何なるものであってもよいが、例えば、サンドブラストであれば孔２４を適当に形成することが可能である。
（ステップＳ１０５）次に、シリコンウェハ２１に接合したガラス基板２３のうち、可動電極３が対向することになる部分に電極２５を成膜する（図３（Ｅ））。この電極２５は、前述した固定電極２−Ｃ１を形成する電極である。電極２５を形成する手法は、如何なるものであってもよいが、例えば、スパッタリングであれば適当な膜厚の電極２５を成膜することが可能である。
以上に示す一連の処理（ステップＳ１０１〜Ｓ１０５）をシリコンウェハ２１に施すことにより製作したシリコン層６−Ｃ１のガラス層７−Ｃ１側に、シリコン層６−ＣＣやガラス層７−Ｃ２、シリコン層６−Ｃ２を接合することにより、前述した加速度センサ１が多数並ぶ円盤状の板（以下、単にウェハという。なお、ウェハという場合、シリコンウェハを指す場合があるが、ここでいうウェハとは、シリコンやガラスの層を重ねた積層体であり、シリコン製に限定されるものではない）が出来る。
このようにして製作されたウェハであれば、当該ウェハを縦横に切断して個々の加速度センサ１を切り出しても、圧力調整孔５からセンサエレメント内へ異物が入る可能性が低い。図４は、圧力調整孔を切断面側に設けた従来技術に係る加速度センサの構成図である。圧力調整孔が切断面側に設けられている場合、ウェハの切断は、次のようにして行う必要がある。
図５は、従来技術で製造したウェハから個々の加速度センサを切り出す工程を示した図である。図４に示したように、圧力調整孔を切断面側に設けようとする場合、ウェハの切断は、次のように行う必要がある。すなわち、圧力調整孔が切断面側に設けられている場合、カッターがウェハを切断する際の切粉や水といった異物が圧力調整孔からセンサエレメント内へ入るのを防止するため、圧力調整孔の手前までカッターで切断する（図５（Ａ））。次に、ウェハを裏返し、圧力調整孔の手前までカッターで切断する（図５（Ｂ））。そして、最後に、ダイシングテープを縦横に引き伸ばして、各加速度センサを分離し、加速度センサの切り出しを完了する（図５（Ｃ））。
圧力調整孔が切断面側に設けられている場合、ウェハを裏返す際にダイシングテープの貼り換えが必要である。また、カッターを表面側と裏面側の両方から使う必要がある。また、ダイシングテープを縦横に引き延ばして各加速度センサを分離する際、割れた部材の破片といった異物が圧力調整孔からセンサエレメント内に入る虞がある。
しかしながら、以上に示す一連の処理（ステップＳ１０１〜Ｓ１０５）をシリコンウェハ２１に施すことにより製作したウェハであれば、圧力調整孔５がウェハの上面あるいは下面において開口しているため、従来技術のようにカッターを圧力調整孔の手前で寸止めさせる必要がない。すなわち、カッターによる切断のみでウェハから個々の加速度センサ１を完全に切り出すことが可能である。このため、従来技術のように、ウェハを裏返す必要もなく、ダイシングテープの貼り換えも不要である。また、カッターによる切断のみで各加速度センサ１が完全に切り離されているので、加速度センサ１をピックアップする際にダイシングテープを縦横に引き延ばしても部材が割れず、異物が圧力調整孔５からセンサエレメント内に入る虞が無い。
また、以上に示す一連の処理（ステップＳ１０１〜Ｓ１０５）をシリコンウェハ２１に施すことにより製作した加速度センサ１であれば、圧力調整孔５と外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１とが、圧力調整通路９を介して繋がっているため、固定電極２−Ｃ１とシリコン層６−Ｃ１との電気的な接続の信頼性が高い。図６は、固定電極２−Ｃ１とシリコン層６−Ｃ１との電気的な接続状態を示した図である。図６（Ａ）は、圧力調整孔５と外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１とを圧力調整通路９を介して繋いだ本実施形態を示したも
のであり、図６（Ｂ）は、圧力調整孔５と外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１とを直接繋いだ比較例を示したものである。
のであり、図６（Ｂ）は、圧力調整孔５と外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１とを直接繋いだ比較例を示したものである。
図６（Ａ）に示すように、本実施形態の場合、固定電極２−Ｃ１を例えばスパッタリングによって形成することにより、固定電極２−Ｃ１を構成する粒子をシリコン層６−Ｃ１に十分に付着させることができる。一方、図６（Ｂ）に示すように、比較例の場合、ガラス層７−Ｃ１側から外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１を覗いてもシリコン層６−Ｃ１が露出していないため、固定電極２−Ｃ１を例えばスパッタリングによって形成しても、固定電極２−Ｃ１を構成する粒子がシリコン層６−Ｃ１に付着しない。このことから、図６（Ａ）に示す本実施形態であれば、図６（Ｂ）に示す比較例に比べて、固定電極２−Ｃ１とシリコン層６−Ｃ１との電気的な接続の信頼性が高まることが判る。
また、図６（Ａ）に示すように、本実施形態の場合、圧力調整孔５と外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１とを圧力調整通路９を介して繋いでいるため、比較例のように圧力調整孔５と外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１とを直接繋いだ場合に比べて、センサエレメント内に異物が侵入しにくい。
なお、圧力調整通路９は、シリコンウェハ２１を掘り下げた溝によって形成されるものに限定されるものでなく、例えば、ガラス基板２３を掘り下げた溝によって形成してもよいし、シリコンウェハ２１とガラス基板２３の両方を掘り下げたそれぞれの溝によって形成してもよい。また、上記製造方法の各工程は、上述した順序に限定されるものでなく、異なる順序で実行してもよい。
また、上記加速度センサ１は、次のように変形してもよい。図７は、変形例に係る加速度センサ１の固定電極２−Ｃ１とシリコン層６−Ｃ１との電気的な接続状態を示した図である。
本変形例に係る加速度センサ１は、外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１内の壁面と天井面とが、次のように構成されている。すなわち、上記実施形態では、上記ステップＳ１０４の説明や図６（Ａ）に示すように、シリコンウェハ２１が少々削れる程度の深さの孔２４を形成している。一方、本変形例では、孔２４を形成する際、孔２４がガラス基板２３を貫通し、シリコンウェハ２１が孔２４の内部に現れた時点で孔２４の形成を停止する。なお、孔２４は、ステップＳ１０１において形成した溝２６の端部と重なる位置に形成する。これにより、シリコン層６−Ｃ１によって形成される外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１内の天井面と、ガラス層７−Ｃ１によって形成される外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１内の壁面の上側の縁との間の段差が無くなる。
外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１内の天井面が、壁面の上側の縁から横方向に延在しており、壁面と天井面との境界部分に図６（Ａ）に示すような段差が存在しないため、ステップＳ１０５で説明したように電極２５をスパッタリングにより成膜しても、外部電極取り出し用貫通孔８−Ｃ１内の壁面と天井面との境界部分にスパッタ粒子が確実に付着し、固定電極２−Ｃ１とシリコン層６−Ｃ１とが電気的に確実に接続されて導通不良が防止される。
１・・加速度センサ
２−Ｃ１，２−Ｃ２・・固定電極
３・・可動電極
４・・カンチレバー
５・・圧力調整孔
６−ＣＣ，６−Ｃ１，６−Ｃ２・・シリコン層
７−Ｃ１，７−Ｃ２・・ガラス層
８−Ｃ１，８−Ｃ２・・外部電極取り出し用貫通孔
９・・圧力調整通路
２１・・シリコンウェハ
２２，２４・・孔
２３・・ガラス基板
２５・・電極
２６・・溝
２−Ｃ１，２−Ｃ２・・固定電極
３・・可動電極
４・・カンチレバー
５・・圧力調整孔
６−ＣＣ，６−Ｃ１，６−Ｃ２・・シリコン層
７−Ｃ１，７−Ｃ２・・ガラス層
８−Ｃ１，８−Ｃ２・・外部電極取り出し用貫通孔
９・・圧力調整通路
２１・・シリコンウェハ
２２，２４・・孔
２３・・ガラス基板
２５・・電極
２６・・溝
Claims (5)
- 加速度に応じて容量が変化するキャパシタを有する静電容量型加速度センサの製造方法であって、
前記キャパシタの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面と反対側の面に接合する半導体基板との間に通路を形成する溝を、前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する工程と、
前記半導体基板を貫通する孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記半導体基板に形成する工程と、
前記絶縁性基板を貫通し、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成する工程と、を有する、
静電容量型加速度センサの製造方法。 - 前記静電容量型加速度センサは、加速度に応じて容量が変化する第１のキャパシタと、前記加速度に応じて前記第１のキャパシタと相反するように容量が変化する第２のキャパシタとを有し、
前記溝を前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する工程は、前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタのうち何れかの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面と反対側の面に接合する半導体基板との間に通路を形成する溝を、前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する、
請求項１に記載の静電容量型加速度センサの製造方法。 - 前記絶縁性基板に孔を形成する工程は、前記半導体基板が接合された前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面の側から、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成する、
請求項１または２に記載の静電容量型加速度センサの製造方法。 - 加速度に応じて容量が変化するキャパシタを有する静電容量型加速度センサの製造装置であって、
前記キャパシタの固定電極を成膜するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜する面と反対側の面に接合する半導体基板との間に通路を形成する溝を、前記半導体基板と前記絶縁性基板のうち少なくとも何れかに形成する手段と、
前記半導体基板を貫通する孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記半導体基板に形成する手段と、
前記絶縁性基板を貫通し、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する孔を前記絶縁性基板に形成する手段と、を備える、
静電容量型加速度センサの製造装置。 - 加速度に応じて容量が変化するキャパシタを有する静電容量型加速度センサであって、
前記キャパシタの固定電極を成膜した絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記固定電極を成膜した面と反対側の面に接合される半導体基板と、
前記絶縁性基板と前記半導体基板との間に通路を形成する溝であって、前記絶縁性基板と前記半導体基板のうち少なくとも何れかに形成される溝と、
前記半導体基板を貫通する孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する第一の孔と、
前記絶縁性基板を貫通し、前記固定電極を前記半導体基板に電気的に繋ぐ電極取り出し
用の孔であって、前記溝によって形成される通路と連通する第二の孔と、を備える、
静電容量型加速度センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012078169A JP5864332B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサ |
| US14/388,520 US10067155B2 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-15 | Method and apparatus for fabricating electrostatic capacitance-type acceleration sensor and electrostatic capacitance-type acceleration sensor |
| PCT/JP2013/057467 WO2013146368A1 (ja) | 2012-03-29 | 2013-03-15 | 静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサ |
| EP13769927.8A EP2833153B1 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-15 | Method for manufacturing capacitive acceleration sensor, device for manufacturing same, and capacitive acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012078169A JP5864332B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013205396A JP2013205396A (ja) | 2013-10-07 |
| JP5864332B2 true JP5864332B2 (ja) | 2016-02-17 |
Family
ID=49259629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012078169A Active JP5864332B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 静電容量型加速度センサの製造方法、製造装置および静電容量型加速度センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10067155B2 (ja) |
| EP (1) | EP2833153B1 (ja) |
| JP (1) | JP5864332B2 (ja) |
| WO (1) | WO2013146368A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104991086B (zh) * | 2015-06-24 | 2018-01-12 | 上海芯赫科技有限公司 | 一种mems加速度传感器的加工方法及加速度传感器 |
| CN107478359B (zh) * | 2017-07-28 | 2019-07-19 | 佛山市川东磁电股份有限公司 | 一种双膜电容式压力传感器及制作方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142252A (ja) | 1991-11-15 | 1993-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体容量式加速度センサ |
| JPH06160420A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Omron Corp | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
| JPH07128364A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Hitachi Ltd | 容量式加速度センサ及びその製造方法 |
| JP3605846B2 (ja) | 1994-03-04 | 2004-12-22 | オムロン株式会社 | 容量型加速度センサ及び容量型圧力センサ |
| JP2728237B2 (ja) * | 1995-03-27 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式加速度センサ |
| JP3435665B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 複合センサ素子およびその製造方法 |
| US7238999B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | High performance MEMS packaging architecture |
| JP2007047069A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Seiko Instruments Inc | 力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法 |
| JP2010514180A (ja) * | 2006-12-21 | 2010-04-30 | コンチネンタル・テベス・アーゲー・ウント・コンパニー・オーハーゲー | カプセル化モジュール、その生成のための方法、およびその使用 |
| JP4962482B2 (ja) | 2008-12-18 | 2012-06-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP2010169535A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 物理量センサ及び物理量センサの製造方法 |
| JP2011095010A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電容量型センサ |
| JP5541306B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2014-07-09 | 株式会社デンソー | 力学量センサ装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078169A patent/JP5864332B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-15 US US14/388,520 patent/US10067155B2/en active Active
- 2013-03-15 EP EP13769927.8A patent/EP2833153B1/en active Active
- 2013-03-15 WO PCT/JP2013/057467 patent/WO2013146368A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2833153A1 (en) | 2015-02-04 |
| EP2833153B1 (en) | 2016-08-31 |
| US10067155B2 (en) | 2018-09-04 |
| US20150053003A1 (en) | 2015-02-26 |
| JP2013205396A (ja) | 2013-10-07 |
| EP2833153A4 (en) | 2015-08-12 |
| WO2013146368A1 (ja) | 2013-10-03 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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