JP5856363B1 - 位置指示器 - Google Patents
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Abstract
Description
位置検出装置のセンサの導体との間で電磁結合するための共振回路を備え、使用者の所作に関連する情報を前記共振回路の共振周波数または位相に反映させるようにする位置指示器であって、
インダクタンス素子と、静電容量素子とを含んで構成される第1の共振回路と、
前記インダクタンス素子と、前記静電容量素子と、使用者の所作に関連して共振周波数または位相を変化させる電気的要素値を変化させる変化素子とを含んで構成される第2の共振回路と、
前記第1の共振回路と、前記第2の共振回路とを切り替えるスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を駆動する切替信号を生成して前記スイッチ回路に供給するための切替回路と、
を備え、
外部から信号を受けない場合及び外部から所定の信号以外の信号を受けた場合には、前記切替回路で前記切替信号は生成されず、前記第2の共振回路を前記位置検出装置のセンサの導体との間で電磁結合するための前記共振回路として構成し、
外部から前記所定の信号を受けた場合には、前記切替回路で前記切替信号が生成されて前記スイッチ回路に供給され、前記第1の共振回路を前記位置検出装置のセンサの導体との間で電磁結合するための前記共振回路として構成するように切り替わる
ことを特徴とする位置指示器を提供する。
以下、この発明による第1の位置指示器の実施形態を、図を参照しながら説明する。図1は、この発明による第1の実施形態の位置指示器1と、当該位置指示器1と共に使用する位置検出装置を備える電子機器2の一例の外観図である。この第1の実施形態は、変化素子が位置指示器に印加される筆圧検出用の可変容量コンデンサからなる場合である。
<切替信号生成回路13におけるJFET12Tの切替信号>
上述の実施形態においては、新規タイプの位置検出装置200Bは、位置指示器1のスイッチ回路12SW(JFET12T)を切り替える切替信号として、連続送信時間が長い時間長Pcのバースト信号BSbを用いるようにした。しかし、位置指示器1のスイッチ回路12SW(JFET12T)を切り替える切替信号としては、これに限られるものではない。例えば、図7(A)に示すように、時間長Paのバースト信号BSaの間欠的な送信の時間間隔を、時間間隔Pbよりも短い時間間隔Pdとすることで、保持用コンデンサ134の保持電圧Ecが閾値Ethを超えるようにして、スイッチ回路12SWを構成するJFET12をオフとするようにしてもよい。
位置指示器1の第2の共振回路12においては、スイッチ回路12SWの導通時の抵抗が大きいと、位置検出装置から受信した信号の信号レベル減衰が起こるので、スイッチ回路12SWの導通時の抵抗は、できるだけ低抵抗である方がよい。
以下に説明する第2の実施形態は、上述した第1の実施形態の位置指示器1の内部回路の変形例である。
図10及び図11は、第3の実施形態の位置指示器1Bの内部回路構成例を示すものである。この第3の実施形態は、第1の実施形態の変形例である。この第3の実施形態の位置指示器1Bは、位置検出装置200Bからの筆圧を検出するタイミングでの所定の信号を受けたときに、第2の共振回路から第1の共振回路に切り替えると共に、その後、所定のデータを位置検出装置200Bに送信する機能を備える。以下に説明する第3の実施形態では、前記所定のデータの例として、当該位置指示器1B自身の識別情報を、位置検出装置200Bに送信する機能を備える。
<変化素子の他の例>
上述した第1〜第3の実施形態においては、第2の共振回路に含まれる変化素子が、位置指示器に印加される筆圧に応じて静電容量を変化させる可変容量コンデンサ12Cとして説明したが、変化素子は、可変容量コンデンサに限るものではない。例えば、変化素子は、位置指示器に印加される筆圧に応じてインダクタンス値を可変させる可変インダクタンス素子や、位置指示器に印加される筆圧に応じて抵抗値を可変させる可変抵抗素子で構成することもできる。
Claims (14)
- 位置検出装置のセンサの導体との間で電磁結合するための共振回路を備え、使用者の所作に関連する情報を前記共振回路の共振周波数または位相に反映させるようにする位置指示器であって、
インダクタンス素子と、静電容量素子とを含んで構成される第1の共振回路と、
前記インダクタンス素子と、前記静電容量素子と、使用者の所作に関連して共振周波数または位相を変化させる電気的要素値を変化させる変化素子とを含んで構成される第2の共振回路と、
前記第1の共振回路と、前記第2の共振回路とを切り替えるスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を駆動する切替信号を生成して前記スイッチ回路に供給するための切替回路と、
を備え、
外部から信号を受けない場合及び外部から所定の信号以外の信号を受けた場合には、前記切替回路で前記切替信号は生成されず、前記第2の共振回路を前記位置検出装置のセンサの導体との間で電磁結合するための前記共振回路として構成し、
外部から前記所定の信号を受けた場合には、前記切替回路で前記切替信号が生成されて前記スイッチ回路に供給され、前記第1の共振回路を前記位置検出装置のセンサの導体との間で電磁結合するための前記共振回路として構成するように切り替わる
ことを特徴とする位置指示器。 - 前記第2の共振回路は、前記第1の共振回路の前記インダクタンス素子及び前記静電容量素子に、前記変化素子が並列に接続されることで構成され、
前記スイッチ回路は前記変化素子に直列に接続され、
前記切替回路は、外部から信号を受けない場合及び外部から前記所定の信号以外の信号を受けた場合には、前記スイッチ回路を導通状態とし、外部から前記所定の信号を受けた場合には、前記スイッチ回路を非導通状態とする
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記第2の共振回路は、前記第1の共振回路の前記インダクタンス素子及び前記静電容量素子に、前記変化素子が並列に接続されることで構成され、
前記スイッチ回路は前記変化素子に並列に接続され、
前記切替回路は、外部から信号を受けない場合及び外部から前記所定の信号以外の信号を受けた場合には、前記スイッチ回路を非導通状態とし、外部から前記所定の信号を受けた場合には、前記スイッチ回路を導通状態とする
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記切替回路は、外部から受けた前記所定の信号に基づいて前記切替信号を生成する
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記所定の信号は、前記第2の共振回路を通じて受信する
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記所定の信号は、連続送信時間が所定時間以上長いバースト信号である
ことを特徴とする請求項4に記載の位置指示器。 - 前記変化素子は、当該位置指示器の芯体に印加される圧力に応じて前記電気的要素値を変化させる素子である
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記変化素子は、当該位置指示器の芯体に印加される圧力に応じて静電容量を変化させる可変容量コンデンサである
ことを特徴とする請求項7に記載の位置指示器。 - 前記スイッチ回路は、電界効果トランジスタで構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記スイッチ回路は、ジャンクション型電界効果トランジスタで構成される
ことを特徴とする請求項2に記載の位置指示器。 - 前記スイッチ回路は、ジャンクション型電界効果トランジスタの複数個が並列に接続されたものである
ことを特徴とする請求項2に記載の位置指示器。 - 前記スイッチ回路は、空乏型電界効果トランジスタで構成される
ことを特徴とする請求項2に記載の位置指示器。 - 前記第1の共振回路及び前記第2の共振回路の共振動作をオン、オフ制御する第2のスイッチ回路が、前記第1の共振回路及び前記第2の共振回路に対して接続されると共に、
前記第2のスイッチ回路をオン、オフ制御することにより、前記第1の共振回路及び前記第2の共振回路の共振動作をオン、オフ制御することで、所定のデータをASK信号として外部に送出する制御回路を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。 - 前記所定の信号は、前記第1の共振回路の共振周波数の信号と、前記第2の共振回路の共振周波数の信号との差分を検出することにより、前記第2の共振回路の前記変化素子の前記電気的要素値に応じた値を検出する検出方式の位置検出装置から送出される信号である
ことを特徴とする請求項1に記載の位置指示器。
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