JP5855750B2 - メカトロニックな差込み接続システム - Google Patents

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Description

本発明は、メカトロニックな差込み接続システムであって、メイン接点と、取り外し動作においてメイン接点に遅れて取り外される補助接点と、補助接点に直列接続され、かつメイン接点に並列接続された、取り外し動作中に発生するアークを消失させるための半導体電子部品とを有している形式のものに関する。また本発明は、マルチコンセントまたはマルチコネクタの形式のメカトロニックなマルチコネクタシステムに関する。
特許文献1によれば、メイン接点と、取り外し動作中にこのメイン接点に遅れて取り外される補助接点と、トランジスタまたはサイリスタとして構成された半導体スイッチエレメントとを有する電気式の差込み接続器が公知である。半導体スイッチエレメントは、補助接点に直列接続され、メイン接点に対して並列接続されている。半導体スイッチエレメントは、矩形波発電機によって、メイン接点が差し込まれた状態においても、また解除された(引き抜かれた)状態においても、継続的に駆動され、この際に周期的にスイッチオンおよびスイッチオフされる。半導体スイッチエレメントは、補助接点が分離される前に開放され、この際に、半導体スイッチエレメントを介して流れる電流は、補助接点において接点分離が行われる時間的に前に遮断されるかまたは少なくとも減少されるので、不安定なアークが発生し得る。
メイン接点が差し込まれている状態においては、確かにこのメイン接点を介して供給された電流に基づいて、メイン接点に対して並列な半導体スイッチは無電流となる。しかしながら、矩形波発電機は継続的に運転されているので、半導体スイッチも継続的に操作され、つまり周期的にスイッチオンおよびスイッチオフされる。
ドイツ連邦共和国特許公告第10225259号明細書
本発明の課題は、特に適したメカトロニックな差込み接続システムを提供することである。さらに、複数のメカトロニックな差込み接続器を有するマルチコネクタシステムを提供することである。
メカトロニックな差込み接続システムに関して、前記課題は請求項1の特徴によって解決される。好適な実施態様および変化実施例は、請求項1を引用する従属請求項の対象である。
メカトロニックな差込み接続システムはメイン接点を有しており、このメイン接点は、メイン差込み接点と、メイン対抗接点特にコネクタソケットとから成っている。この差込み接続システムはさらに補助接点を有しており、この補助接点は、補助差込み接点と、特にコネクタソケットとして構成された補助対抗接点とから成っている。半導体電子部品は、取り外し動作中に発生するアークを消失させるために、補助接点と直列に接続されており、この場合、この直列回路は、メイン接点に並列接続されている。メイン接点において、以下では接点差と称呼されている、メイン差込み接点の接点先端とメイン対抗接点の接点端部つまりメイン対抗接点のソケット開口縁部との間の間隔が、コネクタソケットの場合には差し込まれた状態で、補助差込み接点におけるよりも小さく構成されていることによって、取り外し動作中に、補助接点はメイン接点に遅れて取り外される。
本発明に従って設けられた半導体電子部品は、直列接続された2つの半導体スイッチ、好適にはIGBTおよびMOSFETを有している。2つの半導体スイッチ間にエネルギ蓄積器が導入されており、このエネルギ蓄積器は、充電するために、取り外し動作中に発生する、半導体スイッチ間のアーク電圧を取り出す。
以下ではコネクタソケットとも称呼される差込み接続システムのメイン接点は、直流電圧源と負荷または負荷接続部との間の往路電路または帰路電路に接続されている。この場合、メイン差込み接点は負荷若しくは負荷接続部に接続されており、これに対してメイン対抗接点は直流電圧源に接続されている。同様に、メイン接点に並列接続された補助接点の補助差込み接点は、負荷若しくは負荷接続部に接続されていて、補助対抗接点は、半導体電子部品を介して、およびこの場合2つの半導体スイッチの直列回路を介して直流電圧源(DC源)に接続されている。
好適な実施態様によれば、やはり負荷若しくは負荷接続部に接続された差込み接点と、適当な形式でやはりコネクタソケットとして構成された対抗接点とを有する第3の接点が、直流電圧源に直接接続されている。この場合、第3の接点は、メイン接点が往路電路に位置していれば、帰路電路に接続されている。そうでなければ、第3の接点は、メイン接点が直流電圧源と負荷若しくは負荷接続部との間で帰路電路内に位置していれば、往路電路に接続されている。
この実施態様の特に好適な構成によれば、第3の接点は、取り外し動作時つまり差込み接続器の開放または引き抜きの際に、メイン接点に遅れて取り外される。このために同様に、差込み接点の接点先端と対抗接点の接点端部つまり対抗接点のソケット開口縁部との間の間隔(接点差)は、コネクタソケットの場合には差し込まれた状態において、メイン接点におけるよりも大きく、例えば補助差込み接点の間隔と同じである。
メカトロニックなマルチコネクタシステムに関する課題は、本発明によれば、請求項6の特徴によって解決される。好適な実施態様および変化実施例は、請求項6を引用する従属請求項の対象である。
マルチコネクタシステムは、それぞれ1つのメイン接点と、取り外し動作中にメイン接点に遅れて取り出されるそれぞれ1つの補助接点とを有する少なくとも2つの差込み接続器(差込み接続システム)を有している。差込み接続器または各差込み接続器はやはり、第3の接点を有している。その差込み接点は、取り外し動作中に第3の接点が補助接点に遅れて取り出されるように、適当な形式で構成されている。
マルチコネクタシステムの各差込み接続器は、半導体電子部品と補助接点特にその補助対抗接点とから成る直列回路を有する、メイン接点に対して並列の回路内に、ダイオードを有している。このダイオードは、補助接点および半導体電子部品がプラス側、若しくはDC源と負荷(負荷接続部)との間のプラスラインまたは往路ラインに対して並列に接続されている場合、アノード側が半導体電子部品に接続されていて、カソード側が補助接点に接続されている。
半導体電子部品に対して並列の電流は、導通している電路接続部並びにマルチコネクタシステムの単数または複数の差し込まれているメイン接点および補助接点を介して阻止されるので、取り外し動作時に、その他の差込み接続器のダイオードが、マルチコネクタシステムのその他の差込み接続器の差し込まれている差込み接点を介して、半導体電子部品の短絡を阻止する。
以下に本発明を、図面に示した実施例を用いて詳しく説明する。
メイン接点および補助接点、並びに直列接続された2つの半導体スイッチおよびエネルギ蓄積器を有する半導体電子部品を備えたメカトロニックな差込み接続システムの概略図である。 補助接点の前方に配置された追加的な第3の接点を有する、図1による差込み接続システムを示す図である。 メイン接点の後ろに追加的な第3の接点を有する、図2による差込み接続システムである。 それぞれ1つのメイン接点、補助接点および第3の接点を有する複数の差込み接続器(差込み接続システム)、並びに差込み接続器に共通の半導体電子部品を有するメカトロニックなマルチコネクタシステムである。
互いに対応する部分は、すべての図面中において同じ符号が付けられている。
図1〜図4に示した差込み接続器若しくは差込み接続システムS,Snは、15V〜約1500Vの直流電圧および0.5A〜約50Aの直流(DC)を有する直流電圧若しくは直流回路網において使用するために設けられている。
以下では取り外し動作と称呼されている、電気差込み接続器(差込み接続システム)の負荷下による引き抜きまたは解除時に、元電圧が約15Vを越え、単数または複数の電路を介して流れる電流が運転中に約0.5Aを越えると、接点間にアークが発生することがある。直接的に人体を危険に晒す以外に、接点システムは、アークプラズマの高い温度に基づく燃焼および絶縁材によって損傷を受け、結果的に破損することになる。
このような形式の、組み込まれたアーク抑制手段を有するDC差込み接続システムの考え方において、アークはまず所定のアーク長さになってから消失させることができ、このようなアーク長さに達するまでの最終的な時間が、取り外し動作中の引き抜き運動の速度および元電圧並びに負荷および接点材料に基づいていることを考慮する必要がある。
このような着想に関する条件は、本発明による差込み接続システム(図1〜図3)およびマルチコネクタシステム(図4)によって、確実なだけではなく簡単な形式で、しかも事実上最小の電力損失で満たされる。差込み接続システム(図1〜図3)若しくはマルチコネクタシステム(図4)は、特に設備システムのために有利に適している。
図1は、直流源若しくは直流電圧源(DC源)2と、このDC源2において駆動される負荷3との間の、または電圧源側のソケットユニット4および負荷側のコネクタユニット5並びに、負荷3をDC源2に接続するための往路電路6および帰路電路7を有する配線を備えた負荷群との間の、以下では短縮して差込み接続器と称呼されている差込み接続システムSを概略的に示す。差込み接続器1は、メイン差込み接点8aおよびメイン対抗接点8bを備えた差込みソケットとして形成されたメイン接点8を有している。ソケットユニット4とコネクタユニット5とは、機械的に互いに堅固に、しかしながら解除可能に接続されている。
図示の実施例では、往路電路6に配置されたメイン接点8に、補助差込み接点9aおよびやはり差込みソケットとして構成された補助対抗接点9bを有する補助接点9が配置されている。メイン接点8および補助接点9は、ソケットユニット4若しくはコネクタユニット5内に次のように配置されている、つまりコネクタユニット5がメイン差込み接点8aおよび補助差込み接点9aと共に、メイン対抗接点8bおよび補助対抗接点9bを備えたソケットユニット4から、1回の取り外し動作により引き抜くことができるように、配置されている。
補助接点9と半導体電子部品10とは直列接続されており、この半導体電子部品10は、電気接続部または電圧源側のバイパス回路11を介して往路電路6に接続されている。同様に、補助差込み接点9aは電気接続部若しくは負荷側のバイパス回路12を介してメイン差込み接点8aおよびひいては往路電路6に接続されている。従って、半導体電子部品10と補助接点9とから成る直列回路は、メイン接点8に並列接続されている。
メイン接点8およびひいてはそのメイン差込み接点8aは、補助接点9若しくはその補助差込み接点9aよりも短いことが分かる。従って、メイン接点8の接点間隔LHa(メイン差込み接点8aの接点先端とメイン対抗接点8bのソケット開口縁部との間)は、補助接点9の接点間隔LHi(補助差込み接点9aの接点先端と補助対抗接点9bのソケット開口縁部との間)よりも短い。従って、補助接点9は、1回の取り外し動作中にメイン接点8に遅れて取り外される。言い換えれば、補助差込み接点9aおよび補助対抗接点9bは、取り外し動作中に、メイン接点8のメイン差込み接点8aとメイン対抗接点8bとの間の直接的な接続が既に解除されているときに、まだ機械的に接続されひいては導電接続されていて、場合によってはアークによって架橋されている。
図示の状態において、バイパス(回路)11,12は半導体電子部品10を介して無電流であるので、半導体電子部品10はエネルギを消費しない。半導体電子部品10は、適当な形式で、IGBT(Insulated-gate bipolar transistor;絶縁ゲート双極性トランジスタ)として形成された第1の半導体スイッチ10aと、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)として形成された第2の半導体スイッチ10bとから成る直列回路を有している。2つの半導体スイッチ10aおよび10bは、ベース側またはゲート側並びにベース側とゲート側との間に設けられたタップ10cを介して、制御回路10dに接続されており、この制御回路10dは、好適にはコンデンサとして形成されたエネルギ蓄積器10eおよび時限回路10fを有している。2つの半導体スイッチ10aと10bとの間のタップ10cは、エネルギ蓄積器10eに接続されている。
コネクタユニット5を引き抜く際に、つまり取り外し動作中に、まずメイン差込み接点8aとメイン対抗接点8bとの間にアークが発生する。その結果得られる電圧差が半導体電子部品10を起動すると、半導体電子部品10は、メイン接点8から補助接点9へ切換える電流を受ける。取り外し動作中にアークによって生ぜしめられた、2つの半導体スイッチ10a,10b間のアーク電圧は取り出され、エネルギ蓄積器10eを充電するために利用される。これによって蓄えられた充電エネルギは、半導体スイッチ10a,10bを接続するために利用され、この場合、まず第1の半導体スイッチ(IGBT)10aが、次いで第2の半導体スイッチ(MOSFET)10bが導電接続される。それと同時に時限回路10fが始動される。時限回路10fによって調節またはプリセットされた作動時間の経過後に、半導体スイッチ10aおよび10bはロックされ、非導電状態にもたらされる。アーク継続時間中に流れる電流は、補助接点9および半導体電子部品10を介して時限回路10fの作動時間だけ供給されるので、アークは消失し得る。
メイン接点8と補助接点9との間の接点差ΔL=LHi−LHaは、取り外し動作中にメイン差込み接点8aとメイン対抗接点8bとの間にアークが発生するように設計されている。この場合、接点間隔LHiおよびLHaは、差込み接点8a,9aのそれぞれの接点先端と所属の対抗接点8b若しくは9bの開口縁部またはソケット縁部との間の間隔である。この場合、接点差ΔLの値は、アーク発生の場合にメイン接点8に、アークを消失させかつ電流を遮断するために十分な時間が残されるように設計されている。従って、補助接点9内で補助差込み接点9aと補助対抗接点9bとの間にもはやアークが発生することはない。
メイン接点8と補助接点9との間の接点差ΔLの調節若しくは規定にさらに追加して、半導体電子部品10の時限回路10fは、取り外し動作の典型的な引き抜き速度において並びに元電圧および負荷3に関連して、メカトロニックな差込み接続システム1に、すべての接点8,9を完全に機械的に分離させるまで十分な時間が残されるように、設計されている。
図2および図3の実施形態において、メカトロニックな差込み接続システム1は、やはり差込み接点13aおよびソケットとして構成された対抗接点13bとを備えた第3の接点13を有している。第3の接点13は、その対抗接点13bがメイン対抗接点8bおよび補助対抗接点9bと共にソケットユニット4内に組み込まれていて、その差込み接点13aがメイン差込み接点8aおよび補助差込み接点9aと共にコネクタユニット5内に組み込まれている。第3の接点13は、図示の実施例では帰路電路7内に位置している。
図2の実施例では、第3の接点13が補助接点9と比較して小さい接点間隔LHaを有し、メイン接点8と比較して同じ接点間隔LHaを有しているに対して、図3の実施形態では、第3の接点13の接点間隔は、補助接点9の接点間隔LHiと同じである。差込み接点8aまたは差込み接点9aおよび/または13aが同じ長さに構成され、また対抗接点(ソケット)8b,9b若しくは13bは相応に異なる長さに構成されていてもよい。
取り外し動作中、つまりコネクタユニット5をソケットユニット4から引き抜く際に、図2の実施形態では、第3の接点13の差込み接点13aと対抗接点13bとの間でもアークが発生する。電子部品10の機能形式は上記実施例と同様である。取り外し動作中に半導体電子部品10と補助接点9の直列回路に切換えられた電流に基づいて、メイン接点8においてもまた第3の接点13においてもアークは消失するので、一方では接点8aと接点13aとの間の電圧差、また他方では接点8bと接点13bとの間の電圧差が約ゼロになる。
図3の実施形態では、半導体電子部品の時限回路10eを相応に調節して、メイン接点8並びに補助接点9と第3の接点13との間の間隔差ΔLを相応に適合させることによって、やはり補助接点9および第3の接点13において、つまり差込み接点9aおよび対抗接点9b若しくは13aおよび13b間においてアークは発生しない。
図4に概略的に示されたマルチコネクタシステムSnは複数の差込み接続器S1,S2,S3を有しており、この場合、別の差込み接続器Sが設けられていてもよい。各差込み接続器S1,…nは、図2に示した実施例と同様に、それぞれメイン接点8および補助接点9並びに第3の接点13を有していて、ソケットユニット4およびコネクタユニット5内に組み込まれている。差込み接続器S1,…nは共にDC源2に接続されている。各差込み接続器S1,…nに、負荷3が配置されている。同様に、すべての差込み接続器S1,…nに共通に、唯一の半導体電子部品10が配置されており、この半導体電子部品10は、図1の実施例と同様に、2つの半導体スイッチ10aおよび10b並びにエネルギ蓄積器10dおよび制御ユニット10eの時限回路10fを備えた直列回路を有している。
差込み接続器S1,…nのメイン接点8は、ライン14を介して往路電路6に接続されている。同様に、すべての差込み接続器S1,…nの補助接点9は、バイパス回路11,12に接続され、ひいてはライン15を介して電子部品10に接続されている。ライン16を介して、すべての差込み接続器S1,…nの第3の接点13は、帰路電路7に接続されている。
マルチコネクタシステムSnの各差込み接続器S1,…nの取り外し動作中に短絡を避けるために、各差込み接続器S1,…nの補助接点9にダイオード17が配置されている。このダイオード17は、各ソケットおよびコネクタユニット4,5内に、この場合、適当な形式でソケットユニット4内に組み込まれている。各ダイオード17はアノード側が半導体電子部品10に接続され、カソード側が各差込み接続器S1,…nの補助接点9の補助対抗接点9aに接続されている。
差込み接続器Snのうちの1つを取り外す際に、マルチコネクタシステムSnのその他の差込み接続器S1,S2,S3のダイオード17が、その他の差込み接続器S1,S2,S3の差し込まれている差込み接点8,9,13を介して、半導体電子部品10の短絡を阻止する。何故ならば、ライン14からライン15への半導体電子部品10に対して並列の電流が、差し込まれているメイン接点および補助接点8,9および/または13を介して不可能となっているからである。
2 DC源
3 負荷
4 ソケットユニット
5 コネクタユニット
6 往路電路
7 帰路電路
8 メイン接点
8a メイン差込み接点
8b メイン対抗接点
9 補助接点
9a 補助差込み接点
9b 補助対抗接点
10 電子部品
10a 半導体スイッチ(IGBT)
10b 半導体スイッチ(MOSFET)
10c タップ
10d 制御回路
10e エネルギ蓄積器
10f 時限回路
11,12 バイパス回路
13 第3の接点
13a 差込み接点
13b 対抗接点
14,15,16 ライン
17 ダイオード
S 差込み接続器/差込み接続システム
Sn マルチコネクタシステム
Ha メイン接点/第3の接点の接点間隔
Hi 補助接点/第3の接点の接点間隔

Claims (6)

  1. メカトロニックな差込み接続システム(S)であって、メイン差込み接点(8a)およびメイン対抗接点(8b)から成るメイン接点(8)と、取り外し動作において前記メイン接点(8)に遅れて取り外される、補助差込み接点(9a)および補助対抗接点(9b)から成る補助接点(9)と、前記補助接点(9)に直列接続され、かつ前記メイン接点(8)に並列接続された、前記取り外し動作中に発生するアークを消失させるための半導体電子部品(10)とを有している形式のものにおいて、
    前記メイン接点(8)が、直流電圧源(2)から負荷(3)へ通じる往路電路(6)または帰路電路(7)に接続されており、
    前記補助接点(9)が前記メイン接点(8)に並列接続され、
    前記帰路電路(7)若しくは前記往路電路(6)に接続された、差込み接点(13a)と対抗接点(13b)とから成る第3の接点(13)が設けられ、
    前記第3の接点(13)が、取り外し動作時に前記メイン接点(8)に遅れて取り外され、かつ、
    前記半導体電子部品(10)が、直列接続された2つの半導体スイッチ(10a,10b)と、これらの半導体スイッチ(10a,10b)に接続されたエネルギ蓄積器(10e)とを有しており、該エネルギ蓄積器(10e)が、前記取り外し動作中に発生する、前記半導体スイッチ(10a,10b)間のアーク電圧を、取り出すことを特徴とする、メカトロニックな差込み接続システム。
  2. 前記半導体スイッチ(10a,10b)として、IGBTおよび、このスイッチに直列接続されたMOSFETが設けられていることを特徴とする、請求項1記載のメカトロニックな差込み接続システム。
  3. メカトロニックなマルチコネクタシステム(Sn)であって、メイン差込み接点(8a)およびメイン対抗接点(8b)から成るそれぞれ1つのメイン接点(8)を備えた少なくとも2つの差込み接続器(S)と、取り外し動作において前記メイン接点(8)に遅れて取り外される、補助差込み接点(9a)および補助対抗接点(9b)から成るそれぞれ1つの補助接点(9)と、前記取り外し動作中に発生するアークを消失させるための半導体電子部品(10)とを有している形式のものにおいて、
    前記差込み接続器(S)に共通の前記半導体電子部品(10)が、この半導体電子部品(10)のダイオード(17)を介して前記補助接点(9)のそれぞれに直列接続されていることを特徴とする、メカトロニックなマルチコネクタシステム。
  4. 前記半導体電子部品(10)が、直列接続された2つの半導体スイッチ(10a,10b)と、これらの半導体スイッチ(10a,10b)に接続されたエネルギ蓄積器(10e)とを有しており、該エネルギ蓄積器(10e)が、前記取り外し動作中に発生する、前記半導体スイッチ(10a,10b)間のアーク電圧を、充電のために取り出すことを特徴とする、請求項3記載のメカトロニックなマルチコネクタシステム。
  5. 前記差込み接続器(S)または各差込み接続器(S)が、差込み接点(13a)および対抗接点(13b)から成る第3の接点(13)を有していることを特徴とする、請求項3または4記載のメカトロニックなマルチコネクタシステム。
  6. 前記第3の接点(13)が、前記取り外し動作中に前記補助接点(9)に先立って取り外されることを特徴とする、請求項4記載のメカトロニックなマルチコネクタシステム。
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