JP5838974B2 - ジヒドロフェナントレンを有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

ジヒドロフェナントレンを有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子 Download PDF

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Description

本発明は、新規な液晶性化合物および液晶組成物に関する。更に詳しくは誘電率異方性(Δε)が負の液晶性化合物、これを含有する液晶組成物および該液晶組成物を含む液晶表示素子である。
液晶性化合物を用いた表示素子は、時計、電卓、ワ−プロなどのディスプレイに広く利用されている。これらの表示素子は液晶性化合物の屈折率異方性、誘電率異方性などを利用したものである。
液晶相には、ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック液晶相があるが、ネマチック液晶相を利用したものが最も広く用いられている。また表示方式としては動的散乱(DS)モード、配向相変形(DAP)モード、ゲスト/ホスト(GH)モード、ねじれネマチック(TN)モード、超ねじれネマチック(STN)モード、薄膜トランジスタ(TFT)モード、垂直配向(VA)モード、インプレ−ンスイッチング(IPS)モード、高分子支持配向(PSA)モードなどがある。
これらの表示方式で用いられる液晶性化合物は、室温を中心とする広い温度範囲で液晶相を示し、表示素子が使用される環境下で十分に安定であり、さらに表示素子を駆動させるに十分な特性を持たなくてはならないが、現在のところ単一の液晶性化合物でこの条件を満たすものは見いだされていない。
このため数種類から数十種類の液晶性化合物を混合することにより要求特性を備えた液晶組成物を調製しているのが実状である。これらの液晶組成物は、表示素子が使用される条件下で通常存在する水分、光、熱、空気に対して安定であり、また電場や電磁放射に対しても安定であるうえ、混合される化合物に対し化学的にも安定であることが要求される。また、液晶組成物には、その屈折率異方性(Δn)および誘電率異方性(Δε)などの諸物性が表示方式や表示素子の形状に依存して適切な値をもつことが要求される。さらに液晶組成物中の各成分は、相互に良好な溶解性を持つことが重要である。
近年、液晶表示素子の最大の問題点である視野角の狭さを克服する表示方式として、表示方式の中でも、IPS、VA、OCB、PSAなどのモードが注目されている。これらモードの液晶表示素子の中でも、特にVAモードやIPSモードの液晶表示素子は、視野角の広さに加え応答性にも優れ、さらに高コントラストな表示が得られるため開発が盛んに行われている。これら表示方式の液晶表示素子に使用される液晶組成物の特徴は、誘電率異方性(Δε)が負である点にある。そして、負の誘電率異方性(Δε)が大きい液晶組成物は、その液晶組成物を含有する液晶表示素子の駆動電圧を低くできることが知られている(非特許文献1)。そのため、その液晶組成物の構成成分である液晶性化合物についても、より大きな負の誘電率異方性(Δε)を有することが求められている。
従来から、負の誘電率異方性(Δε)を有する液晶組成物の成分として、フッ素置換フェナントレン環、またはフッ素置換ジヒドロフェナントレン環を有する液晶性化合物が検討されている(特許文献1、2、3、4、5)。
特開平8−53672号公報(特許文献1)では、下記の化合物が提案されているが、誘電率異方性(Δε)は大きくない。
Figure 0005838974
特開2005−325113号公報(特許文献2)では、下記のような化合物が提案されているが、分子の形状が直線でないため液晶性化合物として不向きである。

Figure 0005838974
米国特許第6,929,834号(特許文献3)では式(a)で表される化合物を用いた液晶組成物が提案されている。
Figure 0005838974
式中、LおよびLは独立して、水素またはフッ素である。式(a)で表される化合物は、大きな負の誘電率異方性(Δε)を有するものの、VAモード、IPSモードなどの液晶表示素子の駆動電圧を低下させるためには十分ではない。また一般的に溶解性が極めて低く、光に対して不安定である。
特表2006−520327号公報(特許文献4)では、ベンゾクロメン誘導体(b)が提案されている。
Figure 0005838974
式中、Yは、−CO−、−CS−、−CH−、−CF−、または−CHF−であり、LおよびLは独立して、水素、フッ素、塩素、または−CNである。Yが−CF−であり、LおよびLがフッ素であるときは、大きな負の誘電率異方性(Δε)を有するが、本願とは基本骨格が異なる。
特表平11−508890号公報(特許文献5)では、式(C)で表されるフッ素置換ジヒドロフェナントレン誘導体が提案されている。
Figure 0005838974

式中、E、E、E、E、EおよびEは、独立して、−CF−または−CH−であり、Gは−CF2CF2−または−CF=CF−である。
同公報の実施例では以下の化合物が開示されているが、9,10−ジヒドロフェナントレン環の1位および8位にフッ素を有する実施例はなく、その物性も明らかになっていない。

Figure 0005838974
VAモード、IPSモードなどの液晶表示素子の駆動電圧を低下させるために、さらに誘電率異方性(Δε)が負に大きい液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子が望まれている。
特開平8−53672号公報 特開2005−325113号公報 米国特許第6,929,834号 特表2006−520327号公報 特表平11−508890号公報
Mol. Cryst. Liq. Cryst., 12, 57 (1970)
本発明の第一の目的は、大きな負の誘電率異方性(Δε)を有し、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、適切な屈折率異方性(Δn)、および他の液晶性化合物との優れた相溶性などの特性の少なくとも1つを有する液晶性化合物、およびその中間体を提供することである。
本発明の第二の目的は、この化合物を含有し、粘度が低く、適切な屈折率異方性(Δn)、および適切な負の誘電率異方性(Δε)を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度(ネマチック相−等方相の相転移温度)が高く、ネマチック相の下限温度が低いなどの特性の少なくとも1つを有し、または少なくとも2つの特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。
本発明の第三の目的は、この組成物を含有し、応答時間が短い、消費電力および駆動電圧が小さい、大きなコントラストを有する、広い温度範囲で使用可能であるなどの特性の少なくとも1つを有し、または少なくとも2つの特性に関して適切なバランスを有する液晶表示素子を提供することである。
上記課題に対して研究を行った結果、
Figure 0005838974

(式中、Xは独立して、−C(=O)−、−CHF−、または−CF−である。)
の要素を含むことにより、他の液晶性化合物との優れた相溶性、特に誘電率異方性(Δε)の値が負に大きくなるという優れた効果が発現することを見出した。この効果を活用することで、課題を解決できるという知見を見出すことができ、本発明を完成するに至った。
本発明は、項[1]〜[14]などの構成を有する。
[1] 式(1)で表される化合物。
Figure 0005838974

式(1)において、RおよびRは独立して、水素、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシ、炭素数2〜9のアルコキシアルキル、または炭素数2〜9のアルケニルオキシであり、これらのアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、およびアルケニルオキシにおいて、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく;
環A、環A、および環Aは独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、または1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、これらの環において少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく;
、Z、およびZは独立して、単結合、−(CH−、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−であり;
Xは独立して、−C(=O)−、−CHF−、または−CF−であり;
l、m、およびnは独立して、0または1である。
[2] 式(1)において、RおよびRが独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシであり;
環A、環A、および環Aが独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである項[1]に記載の化合物。
[3] 式(1)において、環A、環A、および環Aが独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである項[2]に記載の化合物。
[4] 式(1)において、l、m、およびnの和が、0、1、または2である項[1]〜[3]のいずれか1項に記載の化合物。
[5] 式(1−1)で表される項[1]に記載の化合物。
Figure 0005838974

式(1−1)において、環Aは、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;
およびRは独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシであり;
は、単結合、−(CH−、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−であり;
Xは独立して、−C(=O)−、−CHF−、または−CF−であり;
lは0または1である。
[6] 式(1−1)において、Zが、単結合、−(CH−、−CHO−、−COO−、または−CFO−である項[5]に記載の化合物。
[7] 式(1−1)において、環Aが、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである項[5]または項[6]に記載の化合物。
[8] 項[1]〜[7]のいずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。
[9] 式(2)、(3)、(4)、(5)、(6)および(7)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[8]に記載の液晶組成物。
Figure 0005838974

式中、RおよびRは独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて少なくとも1つの−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
環C、環C、環C、および環Cは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはデカヒドロ−2,6−ナフタレンであり;
、Z、Z、およびZは独立して、−(CH22−、−COO−、−CHO−、−OCF−、−OCF(CH22−、または単結合であり;
およびLは独立してフッ素または塩素であり;
p、q、r、s、t、およびuは独立して、0または1であり、q、r、s、およびtの和は1または2である。
[10] 式(8)、(9)および(10)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[8]に記載の液晶組成物。
Figure 0005838974

式中、RおよびRは独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
環D、環Dおよび環Dは独立して、1,4−シクロヘキシレン、ピリミジン−2,5−ジイル、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ1,4−フェニレンであり;
およびZは独立して、−C≡C−、−COO−、−(CH22−、−CH=CH−、または単結合である。
[11] 式(8)、(9)および(10)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[9]に記載の液晶組成物。
[12] 少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する項[8]〜[11]のいずれか1項に記載の液晶組成物。
[13] 少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤を含有する項[8]〜[12]のいずれか1項に記載の液晶組成物。
[14] 項[8]〜[13]のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
本発明によれば、大きな負の誘電率異方性(Δε)を有し、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、適切な屈折率異方性(Δn)、広い温度範囲でネマチック相、および他の液晶性化合物との優れた相溶性などの特性の少なくとも1つを有する液晶性化合物、およびその中間体が得られる。
また本発明によれば、低粘度、適切な屈折率異方性(Δn)、適切な負の誘電率異方性(Δε)、低いしきい値電圧、およびネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いなどの特性の少なくとも1つを有する液晶組成物が得られる。
さらに本発明の液晶表示素子は、応答時間が短い、消費電力および駆動電圧が小さい、大きなコントラストを有する、広い温度範囲で使用可能などの特性の少なくとも1つを有し、PCモード、TNモード、STNモード、ECBモード、OCBモード、IPSモード、VAモード、PSAモードなどの表示モードの液晶表示素子に好適に使用することができ、特に、IPSモード、VAモード、およびPSAモードの液晶表示素子に好適に使用することができる。
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶性化合物、液晶組成物をそれぞれ「化合物」、「組成物」と略すことがある。また、液晶表示素子を「表示素子」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は例えば1,4−シクロヘキシレンや1,4−フェニレンのような六員環を含有し、棒状(rod like)の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式(1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を「化合物(1)」と略すことがある。「化合物(1)」は、式(1)で表される1つの化合物または2つ以上の化合物を意味する。他の式で表される化合物についても同様である。「Aおよび/またはB」という表現は、「AおよびB」という選択と、「AまたはB」という選択を任意に行なうことができることを意味する。「置き換えられてもよく(い)」の「少なくとも1つの」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示す。「少なくとも1つのAが、B、CまたはDで置き換えられてもよい」という表現は、任意のAがBで置き換えられる場合、任意のAがCで置き換えられる場合、および任意のAがDで置き換えられる場合に加えて、複数のAがB〜Dの少なくとも2つで置き換えられる場合をも含むことを意味する。例えば、少なくとも1つの−CH−が−O−または−CH=CH−で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。
以下、本発明をさらに具体的に説明する。
本発明の化合物は以下の式(1)で表される液晶性化合物またはその中間体である。
Figure 0005838974
式(1)において、RおよびRは独立して、水素、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシ、炭素数2〜9のアルコキシアルキル、または炭素数2〜9のアルケニルオキシであり、これらのアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、およびアルケニルオキシにおいて、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられていてもよい。
これら基のアルキル鎖は、直鎖であることが好ましい。アルキル鎖が直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くすることができ、粘度を小さくすることができる。またアルケニルとしては、その二重結合が奇数位にあり、立体配置がトランス配置であることが好ましい。アルケニルにおいて複数の二重結合がある場合には、共役していない方が好ましい。
アルキルとしては、−CH、−C、−C、−C、−C11、−C13、−C15、および−C17などが挙げられ;
アルケニルとしては、−CH=CH、−CH=CHCH、−CH=CHC、−(CHCH=CH、−CH=CHC、−(CHCH=CHCH、−(CHCH=CH、−CH=CH(CHCH=CH、および−(CHCH=CH(CHCH=CHなどが挙げられ;
アルコキシとしては、−OCH、−OC、−OC、−OC、−OC11、−OC13、および−OC15などが挙げられ;
アルコキシアルキルとしては、−CHOCH、−CHOC、−(CHOCH、および−(CHOCなどが挙げられ;
アルケニルオキシとしては、−OCHCH=CH、−OCHCH=CHCH、および−OCHCH=CHCなどが挙げられる。;
これらRおよびRの中でも、−CH、−C、−C、−C、−C11、−C13、−C15、−CH=CH、−CH=CHCH、−(CHCH=CH、−(CHCH=CHCH、−CH=CH(CHCH=CH、−(CHCH=CH(CHCH=CH、−OCH、−OC、−OC、−OC、および−OC11が好ましい。
より好ましいRおよびRは、−CH、−C、−C、−C、−C11、−CH=CH、−CH=CHCH、−(CHCH=CH、−(CHCH=CHCH、−OCH、−OC、−OC、および−OCである。
式(1)において、環A、環A、および環Aは独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、または1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、これらの環において少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられていてもよい。
これらの環が1,4−シクロヘキシレンであるときには、屈折率異方性(Δn)を小さくし、粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度を高くすることができる。
またこれらの環が、水素がハロゲンで置き換えられてもよい1,4−フェニレンであるときには、屈折率異方性(Δn)を比較的大きくすることができるとともに、配向秩序パラメーターを大きくすることができる。
環A、環A、および環Aとしては、これらの中でも、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−2,5−ジイルが好ましい。
より好ましい環A、環A、または環Aは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである。
式(1)において、Z、Z、およびZは独立して、単結合、−(CH−、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−である。
これらの結合基が、単結合であるときには、液晶相の温度範囲を広くし、粘度を下げる観点から好ましい。
またこれらの結合基が、−(CH−であるときには、他の液晶性化合物への高い溶解性、粘度を下げる観点から好ましい。
またこれらの結合基が、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−であるときには、大きな負の誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性、粘度を下げる観点から好ましい。
式(1)において、Xは独立して、−C(=O)−、−CHF−、または−CF−である。Xが−CHF−、または−CF−であるときは、大きな負の誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性の観点から好ましい。
l、m、およびnは独立して、0または1である。
これら式(1)で示される液晶性化合物は、末端基RおよびR、環A、環Aおよび環A、結合基Z、Z、およびZを上記範囲で適宜選択することにより、屈折率異方性(Δn)、誘電率異方性(Δε)、粘度などの物性を所望の物性に調整することも可能である。
式(1)で示される液晶性化合物の特に好ましい例としては、化合物(1−1−1)〜(1−1−6)を挙げることができる。
Figure 0005838974
式中、RおよびRは独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシであり;
環Aは、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;
は、−(CH−、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−である。
化合物(1)は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環構造および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス(Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc)、オーガニック・リアクションズ(Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス(Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press)、新実験化学講座(丸善)などの成書に記載されている。
結合基Z、ZまたはZを生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項(I)〜項(V)でスキームを説明する。このスキームにおいて、MSGまたはMSGは少なくとも一つの環を有する1価の有機基である。スキームで用いた複数のMSG(またはMSG)は、同じであってもよいし、異なってもよい。化合物(1A)から(1F)は化合物(1)に相当する。
Figure 0005838974
Figure 0005838974
Figure 0005838974
Figure 0005838974
Figure 0005838974
(I)単結合の生成
アリールホウ酸(21)と公知の方法で合成される化合物(22)とを、炭酸塩水溶液とテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム触媒の存在下で反応させて化合物(1A)が合成できる。この化合物(1A)は、公知の方法で合成される化合物(23)にn−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム触媒の存在下で化合物(22)を反応させることによっても合成できる。
(II)−COO−と−OCO−の生成
化合物(23)にn−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸(24)が得られる。化合物(24)と、公知の方法で合成されるフェノール(25)とをDDC(1,3−ジシクロヘキシルカルボジイミド)とDMAP(4−ジメチルアミノピリジン)の存在下で脱水させることにより、−COO−を有する化合物(1B)が合成できる。この方法によって−OCO−を有する化合物も合成できる。
(III)−CFO−と−OCF−の生成
化合物(1B)をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物(26)が得られる。化合物(26)をフッ化水素ピリジン錯体とNBS(N−ブロモスクシンイミド)でフッ素化することで、−CFO−を有する化合物(1C)が合成できる(M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992,827.)。化合物(1C)は化合物(26)をDAST((ジエチルアミノ)サルファートリフルオリド)でフッ素化することでも合成できる(W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.)。この方法によって−OCF−を有する化合物も合成できる。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。
(IV)−(CH−の生成
化合物(23)をn−ブチルリチウムで処理した後、DMF(N,N−ジメチルホルムアミド)などのホルムアミドと反応させることにより、アルデヒド(28)が得られる。公知の方法で合成されるホスホニウム塩(27)をカリウムtert−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド(28)に反応させることにより、化合物(1D)が合成できる。化合物(1D)をパラジウム炭素触媒の存在下で水素化することにより、化合物(1E)が合成できる。
(V)−CHO−または−OCH−の生成
化合物(28)を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物(29)を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化することにより化合物(30)が得られる。炭酸カリウムの存在下で、化合物(30)を化合物(25)と反応させることにより、化合物(1F)が合成できる。
次に式(1)で表される化合物を合成する方法の一例をスキームに示す。はじめに中間体(45)を合成するスキームを説明する。
Figure 0005838974
化合物(41)は、化合物(40)とLDA(リチウムジイソプロピルアミド)を反応させた後、DMFと反応させることによって合成できる。この反応は、テトラヒドロフラン溶媒中、−70℃以下の温度で行った後、室温までゆっくり昇温させることが好ましい。化合物(43)は、化合物(42)とEG(エチレングリコール)をPTSA(パラトルエンスルホン酸−水和物)存在下、トルエン溶媒中、Dean−starkコンデンサーを装着させ、還流することによって合成できる。化合物(43)をテトラヒドロフラン溶媒中、n−ブチルリチウムと反応させた後、トリメトキシボランと反応させる。この反応は、−60℃以下の温度で行った後、室温までゆっくり昇温させることが好ましい。ついで、酸で処理することにより化合物(44)が得られる。化合物(45)は、化合物(41)と化合物(44)をテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒および塩基存在下、反応させることによって合成できる。この反応は、トルエン−アルコール−水の混合溶媒中、TBAB(テトラブチルアンモニウムブロミド)などの相転移触媒存在下、還流させることによって行うことが好ましい。
次いで合成中間体(45)を出発物質とした化合物(47)、化合物(48)および化合物(49)を合成する方法の一例を述べる。
Figure 0005838974
化合物(46)は、化合物(45)をDMF中、ZnおよびZnCl存在下反応させることによって合成できる(Tetrahedron,64(2008),9906−9910)。化合物(47)は化合物(46)をDMSO(ジメチルスルホオキシド)中、IBX(1−ヒドロキシ−1,2−ベンゾヨードキシル−3(1H)−オン)と反応させることにより合成できる。化合物(48)は、化合物(47)とジクロロメタン中、DASTと反応させることにより合成できる。この反応は、−70℃以下の温度で行った後、室温までゆっくり昇温させることが好ましい。同様にして、化合物(46)から化合物(49)が得られる。
化合物(40)〜(49)において、Q、Qは式(1)の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるR、R、A、A、A、Z、Z、Z、l、mおよびnの記号の定義は、項[1]に記載した記号と同じである。
本発明の化合物は、類似の構造を有する化合物に比べ、他の液晶性化合物との相溶性に優れかつ低粘度であり、液晶温度範囲も広い。また、類似の化合物と比較し、低いしきい値電圧を有するうえ比較的低粘度を示す。さらに本発明化合物は液晶表示素子が通常使用される環境下において物理的および化学的に十分安定であり、ネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れ、TNモード、STNモード、TFTモード、VAモード、IPSモード、およびPSAモード用の液晶組成物の構成成分として好適に使用することができる。
本発明の液晶組成物は、化合物(1)を成分Aとして含む必要がある。この成分Aのみの組成物、または成分Aと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、この成分Aに以下に示す成分B、およびCから選ばれた成分を加えることにより種々の特性を有する本発明の液晶組成物が提供できる。
成分Aに加える成分として、式(2)、(3)、(4)、(5)、(6)、および(7)からなる群から選ばれた少なくとも1つの化合物からなる成分Bが好ましい。さらに式(8)、(9)および(10)からなる群から選ばれた少なくとも1つの化合物からなる成分Cを混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性および粘度等を調整することができる。
また、本発明に使用される液晶組成物の各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体でもその物理特性に大きな差異がない。
化合物(2)〜(7)からなる成分Bは、垂直配向モ−ド(VAモ−ド)、高分子支持配向モード(PSAモ−ド)などに用いられる誘電率異方性が負の本発明の液晶組成物を調製する場合に、好ましい成分である。
成分Bである化合物(2)〜(7)の好適例として、化合物(2−1)〜(2−6)、(3−1)〜(3−15)、(4−1)、(5−1)〜(5−3)、(6−1)〜(6−11)、および(7−1)〜(7−10)を挙げることができる。
Figure 0005838974
Figure 0005838974
式中、RおよびRは前記と同じ定義である。
これら成分Bの化合物は主として誘電率異方性の値が負であるVAモ−ド、PSAモード用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求値を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性の絶対値が5程度であるので、含有量が40重量%より少なくなると電圧駆動ができなくなる場合がある。
成分Bのうち化合物(2)は2環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性の調整の効果がある。また、化合物(3)および(4)は3環化合物であるので透明点を高くする、ネマチックレンジを広くする、しきい値電圧を低くする、屈折率異方性を大きくするなどの効果が得られる。また、化合物(5)、(6)および(7)はしきい値電圧を低くするなどの効果が得られる。
成分Bの含有量は、VAモ−ド、PSAモード用の組成物を調製する場合には、組成物全量に対して好ましくは40重量%以上、より好ましくは50〜95重量%である。また、成分Bを混合することにより、弾性定数をコントロ−ルし、素子の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。
成分Cである化合物(8)、(9)および(10)の好適例として、化合物(8−1)〜(8−11)、(9−1)〜(9−19)、および(10−1)〜(10−6)を挙げることができる。
Figure 0005838974
Figure 0005838974
式中、RおよびRは前記と同じ定義である。
成分Cである化合物(8)〜(10)は、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。化合物(8)は主として粘度調整または屈折率異方性の調整の効果があり、また化合物(9)および(10)は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる効果、または屈折率異方性の調整の効果がある。
成分Cの含有量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが望ましい。TFT用、PSA用の液晶組成物を調製する場合に、成分Cの含有量は、組成物全量に対して好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上である。また、TN用、STN用またはPSA用の液晶組成物を調製する場合には、成分Cの含有量は、組成物全量に対して好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上である。
本発明の液晶組成物は、本発明の化合物(1)の少なくとも1つを0.1〜99重量%の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
本発明の液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法などにより一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物を添加して、例えばつぎに述べるような光学活性化合物、または重合可能な化合物、重合開始剤を含む液晶組成物、染料を添加したGHモード用の液晶組成物を調製することができる。通常、添加物は当該業者によく知られており、文献などに詳細に記載されている。
本発明の液晶組成物は、さらに1つ以上の光学活性化合物を含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加する。このキラルド−プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド−プ剤の例として以下の光学活性化合物(Op−1)〜(Op−13)を挙げることができる。
Figure 0005838974
本発明の液晶組成物は、通常これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。ねじれのピッチはTFT用およびTN用の液晶組成物であれば40〜200μmの範囲に調整するのが好ましい。STN用の液晶組成物であれば6〜20μmの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ねじれネマチック(BTN)モ−ド用の場合は、1.5〜4μmの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で2種以上の光学活性化合物を添加しても良い。
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、GHモード用の液晶組成物として使用することもできる。
本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したNCAPや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子(PDLCD)、例えばポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子(PNLCD)用をはじめ、複屈折制御(ECB)型やDS型用の液晶組成物としても使用できる。
また、本発明の液晶組成物は重合可能な化合物を添加してPSA(Polymer sustained alignment)モード用の液晶組成物として使用することもできる。重合可能な化合物の例はアクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、エポキシ、ビニルケトン、およびオキセタンなどの重合可能な基を有する化合物である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でUV照射などにより重合される。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるIrgacure651(登録商標)、Irgacure184(登録商標)、またはDarocure1173(登録商標)(Ciba Japan K.K.)がラジカル重合に対して適切である。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれら実施例によっては制限されない。各実施例中において、Cは結晶を、SAはスメクチックA相を、SBはスメクチックB相を、SXは相構造未解析のスメクチック相を、Nはネマチック相を、Iは等方相を示し、相転移温度の単位はすべて℃である。なお特に断りのない限り、「%」は「重量%」を意味する。
得られた化合物は、H−NMR分析、マススペクトル解析などにより同定した。まず分析方法について説明をする。
H−NMR分析
測定装置は、DRX−500(ブルカーバイオスピン(株)社製)を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、CDCl等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、500MHz、積算回数24回の条件で行った。化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン(TMS)を用いた。
GC分析
測定装置は、島津製作所製のGC−2014型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムDB−1(長さ30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm;固定液相:ジメチルポリシロキサン;無極性)を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は1ml/分に調整した。試料気化室の温度を300℃、検出器(FID)部分の温度を300℃に設定した。
試料はトルエンに溶解して、1重量%の溶液となるように調製し、得られた溶液1μlを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のC−R6A型Chromatopac、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。
なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、島津製作所製のキャピラリーカラムCBP1−M25−025(長さ25m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)、Agilent Technologies Inc.製のHP−1(長さ30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)、Restek Corporation製のRtx−1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)、SGE International Pty. Ltd製のBP−1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)などを用いてもよい。
ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量%は、分析サンプルの各ピークの面積%と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は1であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量%は、分析サンプル中の各ピークの面積%に対応をしている。
GCMS分析
測定装置は、島津製作所製のGCMS−QP2010型ガスクロマトグラフ質量分析計を用いた。カラムは、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムDB−1MS(長さ60m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は1ml/分に調整した。試料気化室の温度を300℃、イオン源部分の温度を200℃に、イオン化電圧を70eV,エミッション電流を150μAに設定した。
〔物性値の測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の2種類を用いた。
化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、以下の方法で測定を行った。まず、得られた液晶性化合物15重量%と母液晶85重量%とを混合して試料を作製した。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この外挿値を化合物の物性値とした。
〈外挿値〉=(100×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量%〉×〈母液晶の測定値〉)/〈液晶性化合物の重量%〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、25℃でスメクチック相である場合、または25℃で結晶が析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を10重量%:90重量%、5重量%:95重量%、1重量%:99重量%の順に変更をしていき、25℃でスメクチック相でなくなった割合、または25℃で結晶が析出しなくなった割合で試料を測定した。そして得られた試料の測定値から、上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とした。
測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、本願において、母液晶Aは以下の組成のものを用いた。
母液晶A:
Figure 0005838974
なお、液晶組成物の物性値を測定する試料としては、液晶組成物そのものを用いた。
〔物性値の測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格(Standards of Electric Industries Association of Japan)EIAJ・ED−2521Aに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたTN素子またはVA素子には、TFTを取り付けなかった。
測定値のうち、液晶性化合物そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値は、そのままの値を記載した。化合物を母液晶に混合し測定した場合には、外挿法で得られた値を物性値とした。
相構造および転移温度(℃)
以下(1)、および(2)の方法で測定を行った。
(1)偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート(メトラー社FP−52型ホットステージ)に化合物を置き、3℃/分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
(2)パーキンエルマー社製走査熱量計DSC−7システム、またはDiamond DSCシステムを用いて、3℃/分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め(on set)、転移温度を決定した。
以下、結晶はCと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれCまたはCと表した。また、スメクチック相はS、ネマチック相はNと表した。液体(アイソトロピック)はIsoと表した。スメクチック相の中で、スメクチックB相、またはスメクチックA相の区別がつく場合は、それぞれS、またはSと表した。転移温度の表記として、例えば、「C 50.0 N 100.0 Iso」とは、結晶からネマチック相への転移温度(CN)が50.0℃であり、ネマチック相から液体への転移温度(NI)が100.0℃であることを示す。他の表記も同様である。
ネマチック相の上限温度(TNI;℃)
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート(メトラー社FP−52型ホットステージ)に、試料(液晶組成物、または液晶化性合物と母液晶との混合物)を置き、1℃/分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。
低温相溶性
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、20重量%、15重量%、10重量%、5重量%、3重量%、および1重量%の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−10℃または−20℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。
粘度(バルク粘度;η;20℃で測定;mPa・s)
バルク粘度は、E型回転粘度計を用いて測定した。
粘度(回転粘度;γ1;25℃で測定;mPa・s)
測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 3
7 (1995) に記載された方法に従った。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が20μmのVA素子に試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を入れた。この素子に30ボルトから50ボルトの範囲で1ボルト毎に段階的に印加した。0.2秒の無印加のあと、ただ1つの矩形波(矩形パルス;0.2 秒)と無印加(2秒)の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流(transient current)のピーク電流(peak current)とピーク時間(peak time)を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、40頁の計算式(8)とから回転粘度の値を得た。
なお、この計算に必要な誘電率異方性(Δε)は、下記誘電率異方性(Δε)で測定した値を用いた。
屈折率異方性(Δn;25℃で測定)
測定は、25℃の温度下で、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けた
アッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を主プリズムに滴下した。屈折率(n‖)は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率(n⊥)は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。屈折率異方性(Δn)の値は、(Δn)=(n‖)−(n⊥)
の式から算出した。
誘電率異方性(Δε;25℃で測定)
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン(0.16ml)のエタノール(20ml)溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150℃で1時間加熱した。2枚のガラス基板から、間隔(セルギャップ)が20μmであるVA素子を組み立てた。
同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、2枚のガラス基板の間隔が9μmであり、ツイスト角が80度であるTN素子を組み立てた。
得られたVA素子に試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を入れ、0.5ボルト(1kHz、サイン波)を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率(ε‖)を測定した。
また、得られたTN素子に試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を入れ、0.5ボルト(1kHz、サイン波)を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。
誘電率異方性(Δε)の値は、(Δε)=(ε‖)−(ε⊥)の式から算出した。
<液晶性化合物および中間体の合成例>
[実施例1および2] 2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−プロピルフェナントレン−9,10−ジオン(58)および2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.1)の合成
Figure 0005838974
[実施例1]
第一工程
窒素雰囲気下、4−ブロモ−2−フルオロ−1−プロピルベンゼン(50)(11.1g,51.13mmol)のTHF(100ml)溶液に、−70℃以下で、LDA(50.7ml,56.25mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、DMF(6.15g,76.70mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、1N−塩酸水溶液100mlでクエンチし、トルエン60mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、6−ブロモ−2−フルオロ−3−プロピルベンズアルデヒド(51)を得た(5.0g,収率36%)。
第二工程
化合物(51)と同様の方法で、4−ブロモ−1−エトキシ−2−フルオロベンゼン(52)(20.0g,91.30mmol)から6−ブロモ−3−エトキシ−2−フルオロベンズアルデヒド(53)を得た(17.0g,収率75.4%)。
第三工程
化合物(53)(17.0g,68.81mmol)、EG(12.8g,200.2mmol)およびPTSA(0.17g,1wt%)の混合物をトルエン200ml溶媒中、Dean−starkコンデンサーを装着させ、3時間還流した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。エバポレーターでトルエンを留去し、2−(6−ブロモ−3−エトキシ−2−フルオロフェニル)−1,3−ジオキソラン(54)を得た(19.8g,収率98.8%)。
第四工程
窒素雰囲気下、化合物(54)(19.8g,68.02mmol)のTHF(200ml)溶液に、−70℃以下でn−BuLi(43.3ml,71.42mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、ホウ酸トリメチル(10.6g,102.0mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、2N−塩酸水溶液200mlでクエンチし、トルエン100mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をヘプタンで洗浄することにより、(4−エトキシ−3−フルオロ−2−ホルミルフェニル)ボロン酸(55)を得た(9.85g,収率68.3%)。
第五工程
窒素雰囲気下、化合物(51)(4.9g,19.99mmol)、化合物(55)(4.9g,23.12mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0.23g,0.199mmol)、炭酸ナトリウム(4.9g,46.23mmol)およびTBAB(0.96g,2.978mmol)の混合物を、トルエン30ml−エタノール20ml−水50ml溶媒中、5時間還流した。反応液をトルエン30mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4−エトキシ−3,3’−ジフルオロ−4’−プロピル−[1,1’−ビフェニル]−2,2’−ジカルボアルデヒド(56)を得た(5.35g,収率80.5%)。
第六工程
窒素雰囲気下、化合物(56)(0.5g,1.504mmol)のDMF(5ml)溶液に、亜鉛粉末(0.295g,4.513mmol)および塩化亜鉛(0.1g,0.752mmol)を加え、80℃で8時間攪拌した。反応液を1N−塩酸水溶液20mlでクエンチし、トルエン10mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン−9,10−ジオール(57)を得た(0.3g,収率59.7%)。
第七工程
DMSO100mlにIBX(31.5g,112.5mmol)を加え室温で30分攪拌した後、化合物(57)(9.4g,28.11mmol)を加え、さらに3時間攪拌した。反応液をろ過し、ろ液に水200mlを加え、酢酸エチル100mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をトルエンから再結晶することにより、2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−プロピルフェナントレン−9,10−ジオン(58)を得た(3.2g,収率34.5%)。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−プロピルフェナントレン−9,10−ジオン(58)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.68(d,1H)、7.61(d,1H)、7.52−7.47(m,1H)、7.28−7.23(m,1H)、4.18(q,2H)、2.65(t,2H)、1.66(tq,2H)、1.49(t,3H)、0.98(t,3H)
化合物(58) 1重量%と、母液晶A 99重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.1の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=4.6℃;誘電率異方性(Δε)=−28.4;屈折率異方性(Δn)=0.187;粘度(η)=247.8mPa・s
[実施例2]
窒素雰囲気下、実施例1で合成した化合物(58)(1.0g,3.027mmol)のジクロロメタン(10ml)懸濁液に、−70℃以下で、DAST(2.93g,18.16mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温までゆっくり戻したのち、水10mlでクエンチした。ジクロロメタン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精製することにより、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.1)を得た(0.8g,収率70.6%)。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.1)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.50(d,1H)、7.45(d,1H)、7.40−7.36(m,1H)、7.16−7.11(m,1H)、4.17(q,2H)、2.66(t,2H)、1.67(tq,2H)、1.49(t,3H)、0.99(t,3H)
得られた化合物No.1の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 89.5 Iso。
化合物No.1 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.1の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=−18.1℃;誘電率異方性(Δε)=−18.2;屈折率異方性(Δn)=0.1197;粘度(η)=139.8mPa・s
[実施例3および4] 2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)フェナントレン−9,10−ジオン(65)および2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.211)の合成
Figure 0005838974
[実施例3]
第一工程
窒素雰囲気下、4−ブロモ−2−フルオロ−1−フェノール(52)(10.8g,56.58mmol)、1−(ブロモメチル)−4−プロピルシクロヘキサン(60)(12.4g,56.58mmol)および炭酸カリウム(15.6g,112.9mmol)の混合物をDMF100ml中80℃で5時間攪拌した。反応液を水100mlでクエンチし、トルエン60mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、2N−水酸化ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4−ブロモ−2−フルオロ−1−((4−プロピルシクロヘキシル)ベンゼン(61)を得た(11.4g,収率61。2%)。
第二工程
窒素雰囲気下、化合物(61)(11.4g,34.62mmol)のTHF(100ml)溶液に−70℃以下で、LDA(34.4ml,38.18mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、DMF(4.17g,52.07mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、1N−塩酸水溶液100mlでクエンチし、トルエン60mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、6−ブロモ−2−フルオロ−3−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)ベンズアルデヒド(62)を得た(4.20g,収率33.9%)。
第三工程
窒素雰囲気下、化合物(62)(4.20g,11.76mmol)、実施例1で合成した化合物(55)(2.74g,12.93mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0.14g,0.121mmol)、炭酸カリウム(3.25g,23.51mmol)およびTBAB(0.76g,2.351mmol)の混合物を、トルエン20ml−エタノール10ml−水50ml溶媒中、5時間還流した。反応液をトルエン20mlで3回抽出し、一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4−エトキシ−3,3’−ジフルオロ−4’−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−[1,1’−ビフェニル]−2,2’−ジカルブアルデヒド(63)を得た(4.20g,収率80.3%)。
第四工程
窒素雰囲気下、化合物(63)(4.20g,9.449mmol)のDMF(50ml)溶液に、亜鉛粉末(1.85g,28.30mmol)および塩化亜鉛(0.64g,4.696mmol)を加え、80℃で8時間攪拌した。1N−塩酸水溶液100mlでクエンチし、トルエン50mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン−9,10−ジオール(64)を得た(3.6g,収率85.4%)。
第五工程
DMSO100mlにIBX(9.03g,32.25mmol)を加え室温で30分攪拌した後、化合物(64)(3.6g,8.062mmol)を加え、さらに3時間攪拌した。反応液をろ過し、ろ液に水200mlを加え、酢酸エチル100mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をトルエンから再結晶することにより、2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)フェナントレン−9,10−ジオン(65)を得た(3.2g,収率34.5%)。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)フェナントレン−9,10−ジオン(65)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.58−7.55(m,2H)、7.24−7.19(m,2H)4.17(q,2H)、3.87(d,2H)、1.92−1.88(m,2H)、1.85−1.75(m,3H)、1.48(t,3H)、1.37−1.28(m,2H)、1.28−1.15(m,3H)、1.13−1.02(m,2H)、1.01−0.86(m,5H)
[実施例4]
窒素雰囲気下、実施例3で合成した化合物(65)(1.2g,2.712mmol)のジクロロメタン(10ml)懸濁液に、−70℃以下で、DAST(2.16g,13.56mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温までゆっくり戻し、水10mlでクエンチした。ジクロロメタン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.211)を得た(0.73g,収率55.4%)。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−((4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.211)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.45−7.41(m,2H)、7.14−7.08(m,2H)4.16(q,2H)、3.86(d,2H)、1.95−1.89(m,2H)、1.85−1.77(m,3H)、1.49(t,3H)、1.38−0.91(m,9H)0.89(t,3H)
得られた化合物No.211の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 115.0 Iso。
化合物No.211 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.211の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=99.3℃;誘電率異方性(Δε)=−24.4;屈折率異方性(Δn)=0.167;粘度(η)=174.8mPa・s
[実施例5]2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−((4−ペンチルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.513)の合成
Figure 0005838974

実施例3に記載の1−(ブロモメチル)−4−プロピルシクロヘキサン(60)を1−(ブロモメチル)−4−ペンチルシクロヘキサンに変え、実施例3および4に記載と同様の反応を行うことで、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−((4−ペンチルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.513)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−((4−ペンチルシクロヘキシル)メトキシ)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.513)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.49−7.37(m、2H)、7.18−7.05(m、2H)、4.15(q、2H)、3.85(d、2H)、1.97−1.87(m、2H)、1.87−1.75(m、3H)、1.48(t、3H)、1.38−1.15(m、9H)、1.14−1.02(m、2H)、1.01−0.85(m、5H)
得られた化合物No.513の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 109.7 Iso。
化合物No.513 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.513の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=101.3℃;誘電率異方性(Δε)=−23.7;屈折率異方性(Δn)=0.158;粘度(η)=169.3mPa・s
[実施例6]2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−プロピルシクロヘキシル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.11)の合成
Figure 0005838974
第一工程
窒素雰囲気下、4−ブロモ−2−フルオロ−1−ヨードベンゼン(67)(50.0g,166.0mmol)のTHF(300ml)溶液に−70℃以下で、n−BuLi(108.0ml,174.0mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、4−プロピルシクロヘキサノン(66)(24.5g,174.0mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、1N−塩酸水溶液200mlでクエンチし、トルエン100mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、1−(4−ブロモ−2−フルオロフェニル)−4−プロピルシクロヘキサノール(68)を得た(42.0g,収率80.2%)。
第二工程
化合物(68)(42.0g,133.2mmol)およびPTSA(0.42g,1wt%)の混合物をトルエン300ml溶媒中、Dean−starkコンデンサーを装着させ、3時間還流した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。エバポレーターでトルエンを留去し、4’−ブロモ−2’−フルオロ−4−プロピル−2,3,4,5,−テトラヒドロ−1,1’−ビフェニル(69)を得た(39.2g,収率99.0%)。
第三工程
化合物(69)(39.2g,131.9mmol)および5%−パラジウム炭素(0.5%硫黄、50%含水品)(1.18g,3wt%)の混合物を、トルエン200ml、IPA100ml溶媒中、水素雰囲気下で18時間攪拌した。反応液をろ過し、ろ液の溶媒をエバポレーターで留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通したのち、蒸留にて低沸点物を留去することにより、4−ブロモ−2−フルオロ−1−(4−プロピルシクロヘキシル)ベンゼン(70)を得た(30.8g,収率78.1%)。
第四工程
窒素雰囲気下、化合物(70)(3.5g,11.70mmol)のTHF(30ml)溶液に、−70℃以下で、LDA(11.6ml,12.87mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、DMF(1.28g,17.55mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、1N−塩酸水溶液50mlでクエンチし、トルエン20mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、6−ブロモ−2−フルオロ−3−(4−プロピル)シクロヘキシル)ベンズアルデヒド(71)を得た(2.3g,収率89.7%)。
第五工程
化合物(71)と実施例1で合成した化合物(55)から、実施例1および2に記載と同様の反応を行うことで、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−プロピルシクロヘキシル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.11)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−プロピルシクロヘキシル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.11)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.52−7.40(m,3H)、7.15−7.10(m,1H)、4.17(q,2H)、2.89(tt,1H)、1.93−1.86(m,4H)、1.53−1.42(m,5H)、1.40−1.27(m,3H)、1.27−1.20(m,2H)、1.15−1.05(m,2H)、0.91(t,3H)
得られた化合物No.11の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 100.7 N 110.7 Iso。
化合物No.11 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.11の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=101.9℃;誘電率異方性(Δε)=−20.1;屈折率異方性(Δn)=0.163;粘度(η)=154.5mPa・s
[実施例7]2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−ペンチルシクロヘキシル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.514)の合成
Figure 0005838974
実施例6に記載の4−プロピルシクロヘキサノン(66)を4−ペンチルシクロヘキサノンに変え、実施例6と同様の反応を行うことで、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−ペンチルシクロヘキシル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.514)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−ペンチルシクロヘキシル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.514)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.55−7.37(m、3H)、7.13(m、1H)、4.17(q、2H)、2.95−2.82(m、1H)、1.95−1.84(m、4H)、1.52−1.40(m、5H)、1.38−1.19(m、9H)、1.17−1.03(m、2H)、0.90(t、3H)
得られた化合物No.514の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 107.5 N 122.2 Iso。
化合物No.514 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.514の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=111.3℃;誘電率異方性(Δε)=−19.2;屈折率異方性(Δn)=0.161;粘度(η)=154.5mPa・s
[実施例8]2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−プロピルシクロヘキサ−1−エン−1‐イル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.101)
Figure 0005838974
第一工程
窒素雰囲気下、実施例6で合成した化合物(69)(27.8g,93.54mmol)のTHF(300ml)溶液に、−70℃以下で、LDA(93.6ml,103.9mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、DMF(11.2g,139.8mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、1N−塩酸水溶液300mlでクエンチし、トルエン100mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4−ブロモ−2−フルオロ−4’−プロピル−2’,3’,4’,5’−テトラヒドロ−[1,1’−ビフェニル]−3−カルボアルデヒド(72)を得た(28.2g,収率92.7%)。
第二工程
化合物(72)と実施例1で合成した化合物(55)から、実施例6と同様の反応を行うことで、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−プロピルシクロヘキサ−1−エン−1‐イル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.101)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(4−プロピルシクロヘキサ−1−エン−1‐イル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.101)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.52−7.48(m,1H)、7.47−7.39(m,2H)、7.16−7.11(m,1H)、6.00−5.96(m,1H)、4.17(q,2H)、2.53−2.42(m,1H)、2.41−2.29(m,2H)、1.92−1.79(m,2H)、1.70−1.59(m,1H)、1.49(t,3H)、1.45−1.26(m,5H)、0.93(t,3H)
得られた化合物No.101の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 93.3 N 103.1 Iso。
化合物No.101 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.101の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=97.9℃;誘電率異方性(Δε)=−19.5;屈折率異方性(Δn)=0.194;粘度(η)=141.3mPa・s
[実施例9]2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.121)の合成
Figure 0005838974
第一工程
窒素雰囲気下、ヨードトリフェニル((4−プロピルシクロヘキシル)メチル)ホスフィン(73)(143.0g,271.0mmol)のTHF(500ml)懸濁液に、−30℃以下で、カリウムt−ブトキシド(30.4g,271.0mmol)を添加した。反応液を−30℃以下で1時間攪拌後、4−ブロモ−2−フルオロベンズアルデヒド(50.0g,246.0mmol)のTHF(100ml)溶液を滴下した。反応液を室温まで戻したのち、水500mlでクエンチし、トルエン200mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4−ブロモ−2−フルオロ−1−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)ビニル)ベンゼン(75)を得た(75.0g,収率94.0%)。
第二工程
化合物(75)(75.0g,231.0mmol)および5%−パラジウム炭素(0.5%硫黄、50%含水品)(2.82g,3wt%)の混合物を、トルエン300ml、IPA100ml溶媒中、水素雰囲気下で18時間攪拌した。反応液をろ過し、ろ液の溶媒をエバポレーターで留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通し、ヘプタン−エタノールから再結晶することにより、4−ブロモ−2−フルオロ−1−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)ベンゼン(76)を得た(57.1g,収率75.5%)。
第三工程
窒素雰囲気下、化合物(76)(89.7g,274.1mmol)のTHF(400ml)溶液に、−70℃以下で、LDA(299.0ml,328.9mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、DMF(30.1g,411.1mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、1N−塩酸水溶液400mlでクエンチし、トルエン200mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、6−ブロモ−2−フルオロ−3−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)ベンズアルデヒド(77)を得た(61.4g,収率63.1%)。
第四工程
化合物(77)と実施例1で合成した化合物(55)から、実施例1および2と同様の反応を行うことで、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.121)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.121)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.51−7.48(m,1H)、7.46−7.42(m,1H)、7.40−7.35(m,1H)、7.15−7.11(m,1H)、4.17(q,2H)、2.71−2.66(m,2H)、1.84−1.72(m,4H)、1.54−1.47(m,5H)、1.36−1.12(m,6H)、1.00−0.84(m,7H)
得られた化合物No.121の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 87.8 N 101.7 Iso。
化合物No.121 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.121の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=97.9℃;誘電率異方性(Δε)=−17.7;屈折率異方性(Δn)=0.158;粘度(η)=144.4mPa・s
[実施例10]1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロー2−プロピル−7−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.512)の合成
Figure 0005838974
第一工程
実施例1で合成した化合物(51)(52.4g,213.8mmol)、EG(39.8g,641.4mmol)およびPTSA(0.52g,1wt%)の混合物をトルエン300ml溶媒中、Dean−starkコンデンサーを装着させ、3時間還流した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。エバポレーターでトルエンを留去し、2−(6−ブロモ−2−フルオロ−3−プロピルフェニル)−1,3−ジオキソラン(78)を得た(61.2g,収率99.0%)。
第二工程
窒素雰囲気下、化合物(78)(61.2g,213.0mmol)のTHF(500ml)溶液に、−70℃以下でn−BuLi(141.1ml,232.8mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−70℃以下で1時間攪拌後、ホウ酸トリメチル(33.0g,317mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、2N−塩酸水溶液400mlでクエンチし、トルエン200mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をヘプタンで洗浄することにより、(3−フルオロ−2−ホルミル−4−エトキシフェニル)ボロン酸(79)を得た(38.1g,収率86.0%)。
第四工程
実施例9で合成した化合物(77)と化合物(79)から、実施例1および2と同様の反応を行うことで、1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロー2−プロピル−7−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.512)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロー2−プロピル−7−(2−(4−プロピルシクロヘキシル)エチル)−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.512)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.52−7.48(m,2H)、7.42−7.33(m,2H)、2.72−2.65(m,4H)、1.85−1.73(m,4H)、1.72−1.64(m,2H)、1.57−1.49(m,2H)1.36−1.12(m,6H)、1.01−0.83(m,10H)
得られた化合物No.512の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 76.4 Iso。
化合物No.512 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.512の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=65.9℃;誘電率異方性(Δε)=−13.4;屈折率異方性(Δn)=0.1297;粘度(η)=119.4mPa・s
[実施例11]2−(4−(ブタ−3−エン−1−イル)フェニル)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.24)の合成
Figure 0005838974

第一工程
窒素雰囲気下、2−クロロ−6−フルオロベンズアルデヒド(84)(50.0g,315mmol)、化合物(55)(73.5g,347mmol)、Pd−132(ジョンソン−マッセイ社製)(0.223g,0.315mmol)、炭酸カリウム(87g,631mmol)およびTBAB(20.33g,63.1mmol)の混合物を、トルエン500ml−エタノール100ml−水500ml溶媒中、5時間還流した。反応液をトルエン300mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4−エトキシ−3,3’−ジフルオロ−[1,1’−ビフェニル]−2,2’−ジカルボアルデヒド(85)を得た(77.25g,収率84%)。
第二工程
窒素雰囲気下、化合物(85)(10.0g,3.45mmol)、3−エチル−5−(2−ヒドロキシエチル)−4−メチルチアゾ−ル−3−イウム ブロミド(1.74g,6.89mmol)およびトリエチルアミン(1.05g,10.34mmol)のDMF(50ml)溶液を60℃で6時間攪拌した。反応液を水150mlでクエンチし、ジクロロメタン50mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、1N−塩酸水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をトルエンで洗浄し、2−エトキシ−1,8−ジフルオロフェナントレン−9,10−ジオン(86)を得た(7.0g,70.5%)。
第三工程
窒素雰囲気下、化合物(86)(6.21g,21.54mmol)のジクロロメタン(50ml)溶液に−70℃以下で、DAST(15.63g,97.00mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温までゆっくり戻したのち、水100mlでクエンチした。ジクロロメタン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(87)を得た(6.44g,収率90.0%)。
第四工程
窒素雰囲気下、化合物(87)(6.44g,19.38mmol)のTHF(50ml)溶液に、−60℃以下で、n−ブチルリチウム(1.65M,14.1ml,23.26mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−60℃以下で1時間攪拌した後、ヨウ素(5.9g,23.26mmol)のTHF(30ml)溶液を滴下した。反応液を室温まで戻したのち、飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチし、トルエン50mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、2−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−7−ヨード−9,10−ジヒドロフェナントレン(88)を得た(6.7g,収率74.5%)。
第五工程
窒素雰囲気下、2−(4−(ブタ−3−エン−1−イル)フェニル)−1,3,2−ジオキソボロラン(89)(1.76g,8.73mmol)、化合物(88)(2.0g,4.37mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(5.04mg,4.37μmol)、炭酸カリウム(1.21g,8.73mmol)およびTBAB(0.035g,0.11mmol)の混合物を、トルエン10ml−エタノール5ml−水10ml溶媒中、5時間還流した。反応液をトルエン10mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、2−(4−(ブタ−3−エン−1−イル)フェニル)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.24)を得た(1.85g,収率87%)。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−(4−(ブタ−3−エン−1−イル)フェニル)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.24)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.65−7.54(m,3H)、7.51−7.47(m,2H)、7.32−7.29(m,2H)、7.19−7.14(m,1H)、5.94−5.85(m,1H)、5.11−5.05(m,1H)、5.03−4.99(m,1H)、4.19(q,2H)、2.78(t,2H)、2.46−2.40(m,2H)、1.50(t,3H)
得られた化合物No.24の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 108.0 N 118.8 Iso。
化合物No.24 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.24の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=103.9℃;誘電率異方性(Δε)=−18.8;屈折率異方性(Δn)=0.244;粘度(η)=155.3mPa・s
[実施例12]2−エトキシ−7−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.509)の合成
Figure 0005838974

実施例11の2−(4−(ブタ−3−エン−1−イル)フェニル)−1,3,2−ジオキソボロラン(89)を(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)ボロン酸(90)に変え、実施例11と同様の反応を行うことで、2−エトキシ−7−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.509)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−エトキシ−7−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.509)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.61−7.54(m,3H)、7.19−7.14(m,1H)、7.12−7.06(m,1H)、6.86−6.81(m,1H)、4.22−4.15(m,4H)、1.53−1.47(m,6H)
得られた化合物No.509の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 154.5 Iso。
化合物No.509 5重量%と、母液晶A 95重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.509の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=106.6℃;誘電率異方性(Δε)=−21.9;屈折率異方性(Δn)=0.243;粘度(η)=156.2mPa・s
[実施例13]2−(ジフルオロ(4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.411)の合成
Figure 0005838974

第一工程
窒素雰囲気下、実施例11で合成した化合物(87)(4.29g,12.91mmol)のTHF(40ml)溶液に、−60℃以下で、n−ブチルリチウム(1.63M,8.71ml,14.20mmol)をゆっくり滴下した。反応液を−60以下で1時間攪拌した後、ホウ酸トリメチル(1.61g,15.49mmol)をゆっくり滴下した。反応液を室温まで戻したのち、酢酸(1.16g,19.37mmol)、過酸化水素水(2.93g,25.80mmol)を加え、3時間攪拌した。反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチし、トルエン50mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン−2−オール(91)を得た(3.76g,収率84.0%)。
第二工程
窒素雰囲気下、化合物(91)(3.76g,10.80mmol)および炭酸カリウム(4.48g,32.4mmol)の混合物をDMF40ml溶媒中、110℃で1時間加熱攪拌した。次いで、1−ブロモ−1−(ブロモジフルオロメチル)−4−プロピルシクロヘキサン(92)(7.21g,21.59mmol)を110度で反応液に滴下し、さらに3時間攪拌した。反応液を水でクエンチし、トルエン50mlで3回抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エバポレーターで溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、2−(ジフルオロ(4−プロピルシクロヘキサ−1−エン−1−イル)メトキシ)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(93)を得た(4.40g,収率78.0%)。
第三工程
化合物(93)(4.40g,8.45mmol)および5%−パラジウム炭素(50%含水品)(0.132g,3wt%)の混合物を、トルエン10ml、IPA10ml溶媒中、水素雰囲気下で24時間攪拌した。反応液をろ過し、ろ液の溶媒をエバポレーターで留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、2−(ジフルオロ(4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.411)を得た。
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、得られた化合物が、2−(ジフルオロ(4−プロピルシクロヘキシル)メトキシ)−7−エトキシ−1,8,9,9,10,10−ヘキサフルオロ−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.411)であることが同定できた。
H−NMR(CDCl)δ7.54−7.45(m,3H)、7.17−7.12(m,1H)、4.17(q,2H)、2.16−2.03(m,3H)、1.92−1.85(m,2H)、1.54−1.17(m,10H)、1.00−0.87(m,5H)
得られた化合物No.411の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度:C 97.8 N 132.6 Iso。
化合物No.411 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物No.411の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=115.3℃;誘電率異方性(Δε)=−15.1;屈折率異方性(Δn)=0.1483;粘度(η)=137.5mPa・s
[実施例14]2−エトキシ−1,8,9,10−テトラフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.6)の合成

Figure 0005838974

実施例1で合成した2−エトキシ−1,8−ジフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン−9,10−ジオール(57)(0.2g,0.598mmol)のジクロロメタン(5ml)溶液に、−70℃以下でDAST(0.2g,1.26mmol)をゆっくり滴下した。反応液をゆっくり室温まで戻した後、水5mlでクエンチし、ジクロロメタン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した。ジクロロメタン層をGCMSで分析することにより、2−エトキシ−1,8,9,10−テトラフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.6)の生成を確認した。
GCMS分析により得られたピークのフラグメントは以下の通りであり、2−エトキシ−1,8,9,10−テトラフルオロ−7−プロピル−9,10−ジヒドロフェナントレン(No.6)の構造を支持している。
m/z(%) = 338.15(M,38.46)、281.05(100.00)、29.20(72.58)、27.20(35.61)、310.10(25.08)、282.05(19.46)
実施例1〜14に記載した合成法に準じて、以下の化合物が合成できる。

Figure 0005838974
Figure 0005838974
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Figure 0005838974
[比較例1]
特表平11−508890号公報(特許文献5)に記載された一般式に含まれる化合物(C−11)を合成した。この化合物は本発明の化合物(No.211)に類似するが、ジヒドロフェナントレン環の1位と8位にフッ素を有していない。
Figure 0005838974
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、化合物(C−11)の構造を支持している。
H−NMR(CDCl)δ7.68−7.67(m,2H)、7.26(d,2H)、7.08−7.04(dd,2H)、4.11(q,2H)、3.82(d,2H)、1.94−1.88(m,2H)、1.85−1.72(m,3H)、1.45(t,3H)、1.38−1.16(m,5H)、1.13−1.03(m,2H)、1.01−0.86(m,5H)
化合物(C−11) 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物(C−11)の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=67.9℃;誘電率異方性(Δε)=−6.5;屈折率異方性(Δn)=0.1603;粘度(η)=170.3mPa・s
[比較例2]
特許文献5に記載された一般式に含まれる化合物(C−12)を合成した。この化合物は、ジヒドロフェナントレン環の8位にフッ素を有していない。
Figure 0005838974
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、化合物(C−12)の構造を支持している。
H−NMR(CDCl)δ7.62(d,1H)、7.44(d,1H)、7.26(d,1H)、7.11(dd,1H)、7.06(dd,1H)、4.15(q,2H)、3.82(d,2H)、1.94−1.88(m,2H)、1.85−1.72(m,3H)、1.48(t,3H)、1.38−1.16(m,5H)、1.13−1.03(m,2H)、1.00−0.87(m,5H)
化合物(C−12) 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物(C−12)の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=73.3℃;誘電率異方性(Δε)=−12.7;屈折率異方性(Δn)=0.1537;粘度(η)=194.9mPa・s
[比較例3]
特許文献5に記載された一般式に含まれる化合物(C−13)を合成した。この化合物は、ジヒドロフェナントレン環の8位にフッ素を有していない。
Figure 0005838974
H−NMR分析の化学シフトδ(ppm)は以下の通りであり、化合物(C−13)の構造を支持している。
H−NMR(CDCl)δ7.63(d,1H)、7.43(d,1H)、7.26(d,1H)、7.13−7.04(m,2H)、4.11(q,2H)、3.85(d,2H)、1.95−1.89(m,2H)、1.85−1.75(m,3H)、1.45(t,3H)、1.38−1.15(m,5H)、1.13−1.03(m,2H)、1.01−0.86(m,5H)
化合物(C−13) 15重量%と、母液晶A 85重量%とから液晶組成物を調製した。得られた液晶組成物の物性値を測定し、測定値を外挿することで化合物(C−13)の物性値を算出した。結果は以下のとおりであった。
上限温度(NI)=79.9℃;誘電率異方性(Δε)=−13.0;屈折率異方性(Δn)=0.163;粘度(η)=174.5mPa・s
比較例1から3の化合物と、実施例2の化合物(No.211)とを比較することにより、化合物(No.211)が高い上限温度(NI)、負に大きい誘電率異方性(Δε)、低い粘度(η)を有している点で優れていることがわかった。
このことから、本発明の特徴であるジヒドロフェナントレン環の1位と8位に同時にフッ素を有することが、極めて重要であることがわかる。
<液晶組成物の例>
本発明の代表的な組成物を実施例15および16に示す。最初に、組成物の成分である化合物とその量(重量%)を示した。化合物は表の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示した。
Figure 0005838974
[実施例15]
3−Pnr(F6)−O2 (No.1) 3%
3−HB−O1 (8−5) 15%
3−HH−4 (8−1) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 9%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 12%
2−HHB(2F,3F)−1 (3−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−1 (3−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−O2 (3−1) 13%
5−HHB(2F,3F)−O2 (3−1) 13%
6−HEB(2F,3F)−O2 (2−6) 6%
NI=81.0℃;Δn=0.088;η=37.6mPa・s;Δε=−4.1
上記組成物100重量部に光学活性化合物(Op−5)を0.25重量部添加したときのピッチは62.1μmであった。
[実施例16]
3−Pnr(F6)−O2 (No.1) 3%
2−HH−5 (8−1) 3%
3−HH−4 (8−1) 15%
3−HH−5 (8−1) 4%
3−HB−O2 (8−5) 12%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−4) 13%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−4) 14%
3−HHB(2F,3CL)−O2 (3−12) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (3−7) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (3−7) 9%
5−HBB(2F,3F)−O2 (3−7) 9%
3−HHB−1 (9−1) 3%
3−HHB−3 (9−1) 4%
3−HHB−O1 (9−1) 3%
NI=74.8℃;Δn=0.094;η=22.8mPa・s;Δε=−4.4
本発明は、他の液晶性化合物との相溶性に優れ、負に大きな誘電率異方性(Δε)を有する液晶性化合物を提供する。この化合物を構成する末端基、結合基、環などを適切に選択することにより目的の物性を得ることができる。さらに本発明は、この化合物を含有する液晶組成物、この組成物を用いた液晶表示素子を提供する。

Claims (14)

  1. 式(1)で表される化合物。
    Figure 0005838974
    式(1)において、RおよびRは独立して、水素、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシ、炭素数2〜9のアルコキシアルキル、または炭素数2〜9のアルケニルオキシであり、これらのアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、およびアルケニルオキシにおいて、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく;
    環A、環A、および環Aは独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、または1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、これらの環において少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく;
    、Z、およびZは独立して、単結合、−(CH−、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−であり;
    Xは、−CF−であり;
    l、m、およびnは独立して、0または1である。
  2. 式(1)において、RおよびRが独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシであり;
    環A、環A、および環Aが独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである請求項1に記載の化合物。
  3. 式(1)において、環A、環A、および環Aが独立して、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである請求項2に記載の化合物。
  4. 式(1)において、l、m、およびnの和が、0、1、または2である請求項1〜3のいずれか1項に記載の化合物。
  5. 式(1−1)で表される請求項1に記載の化合物。
    Figure 0005838974

    式(1−1)において、環Aは、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;
    およびRは独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシであり;
    は、単結合、−(CH−、−OCH−、−CHO―、―COO−、−OCO−、−CFO−、または−OCF−であり;
    Xは、−CF−であり;
    lは0または1である。
  6. 式(1−1)において、Zが、単結合、−(CH−、−CHO−、−COO−、または−CFO−である請求項5に記載の化合物。
  7. 式(1−1)において、環Aが、1,4−シクロへキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである請求項5または6に記載の化合物。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。
  9. 式(2)、(3)、(4)、(5)、(6)および(7)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項8に記載の液晶組成物。
    Figure 0005838974

    式中、RおよびRは独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて少なくとも1つの−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
    環C、環C、環C、および環Cは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはデカヒドロ−2,6−ナフタレンであり;
    、Z、Z、およびZは独立して、−(CH22−、−COO−、−CHO−、−OCF−、−OCF(CH22−、または単結合であり;
    およびLは独立してフッ素または塩素であり;
    p、q、r、s、t、およびuは独立して、0または1であり、q、r、s、およびtの和は1または2である。
  10. 式(8)、(9)および(10)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項8に記載の液晶組成物。
    Figure 0005838974

    式中、RおよびRは独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
    環D、環Dおよび環Dは独立して、1,4−シクロヘキシレン、ピリミジン−2,5−ジイル、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ1,4−フェニレンであり;
    およびZは独立して、−C≡C−、−COO−、−(CH22−、−CH=CH−、または単結合である。
  11. 式(8)、(9)および(10)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項9に記載の液晶組成物。
  12. 少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する請求項8〜11のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  13. 少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤を含有する請求項8〜12のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  14. 請求項8〜13のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
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