JP5838786B2 - 基体表面の傷の修復方法 - Google Patents
基体表面の傷の修復方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5838786B2 JP5838786B2 JP2011279973A JP2011279973A JP5838786B2 JP 5838786 B2 JP5838786 B2 JP 5838786B2 JP 2011279973 A JP2011279973 A JP 2011279973A JP 2011279973 A JP2011279973 A JP 2011279973A JP 5838786 B2 JP5838786 B2 JP 5838786B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- precursor
- substrate
- scratches
- substrate surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
オクタメチルシクロテトラシロキサンをプレカーサ、Siウエハ(20mm×20mm×0.73mm)を基体とし、下記の要領でシリカ質の膜を得た。
オクタメチルシクロテトラシロキサンをプレカーサ、Siウエハ(20mm×20mm×0.73mm)を基体とし、下記の要領でシリカ質の膜を得た。
2: 基体表面上の微細な傷
3: プレカーサ
4: 第1レーザ
5: 第2レーザ
6: 集光用レンズ
Claims (6)
- 基体表面の微細な傷の周辺部にプレカーサを供給し、前記プレカーサに対してプレカーサの分解反応を起こす第1レーザを、傷部に対して基体の温度上昇を起こす第2レーザを各々同時に照射することで、傷部を前記プレカーサの反応物質で埋めることを特徴とする基体表面の微細な傷の修復方法。
- 基体が石英ガラス基板であることを特徴とする請求項1に記載の基体表面の微細な傷の修復方法。
- 第1レーザが波長150〜380nmの紫外線レーザ、第2レーザが波長800〜11000nmの赤外線レーザであることを特徴とする請求項1または2に記載の基体表面の微細な傷の修復方法。
- プレカーサが、金属―酸素結合を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基体表面の微細な傷の修復方法。
- プレカーサが、シロキサン(Si−O)結合を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基体表面の微細な傷の修復方法。
- 第1レーザ及び第2レーザの照射後、傷部に形成した物質と基体のエッチングレートがほぼ等しくなるエッチング条件で、傷の深さ以上の厚みをエッチングする工程を含む請求項1〜5のいずれかに記載の基体表面の微細な傷の修復方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279973A JP5838786B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 基体表面の傷の修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279973A JP5838786B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 基体表面の傷の修復方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013129565A JP2013129565A (ja) | 2013-07-04 |
JP5838786B2 true JP5838786B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=48907451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011279973A Active JP5838786B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 基体表面の傷の修復方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5838786B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110590134B (zh) * | 2019-09-23 | 2021-09-28 | 北京圣手汽车装饰服务有限公司 | 一种汽车前挡风玻璃修复方法 |
CN114075043B (zh) * | 2020-08-13 | 2023-12-05 | 重庆莱宝科技有限公司 | 一种玻璃修复方法和玻璃修复设备 |
CN112723756B (zh) * | 2020-12-25 | 2023-01-06 | 中国人民解放军国防科技大学 | 用于熔石英元件表面激光辐照损伤缺陷的组合修复方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2814998B2 (ja) * | 1996-08-16 | 1998-10-27 | 日本電気株式会社 | 半導体素子膜の形成方法およびその形成装置 |
JP5861441B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-02-16 | 東ソー株式会社 | 基体表面の傷の修復方法 |
-
2011
- 2011-12-21 JP JP2011279973A patent/JP5838786B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013129565A (ja) | 2013-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2931672B1 (en) | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers | |
JP6703617B2 (ja) | 分離されるべき固体物の複合レーザ処理 | |
KR100999002B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 처리 방법 및 장치 | |
JP5838786B2 (ja) | 基体表面の傷の修復方法 | |
TW201202841A (en) | Light processing apparatus and light processing method | |
JP2009260315A5 (ja) | ||
KR20150067057A (ko) | 반사 방지 기능을 갖는 부재 및 그 제조 방법 | |
JP5306404B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US20080296258A1 (en) | Plenum reactor system | |
JP2013069902A (ja) | テンプレートの再生方法および再生装置 | |
TW201716245A (zh) | 用於將片材與載體鍵結之物件及方法 | |
JP3429752B2 (ja) | 透明物質の接合方法並びに接合された石英ガラス板及びそれを用いた装置 | |
JP5861441B2 (ja) | 基体表面の傷の修復方法 | |
Ono et al. | The role of silanol groups on the reaction of SiO2 and anhydrous hydrogen fluoride gas | |
JP2014007260A (ja) | インプリント装置、収納ケース及び物品の製造方法 | |
TWI608133B (zh) | 一種形成氧化層和磊晶層的方法 | |
US11548208B2 (en) | Template, method for manufacturing template, and pattern formation method | |
JP4921206B2 (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
JP3820443B2 (ja) | レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 | |
JP6507061B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP7372445B2 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
JP2013017925A (ja) | 光触媒反応型化学的加工方法及び装置 | |
US20160215415A1 (en) | Sapphire thinning and smoothing using high temperature wet process | |
JP2012009555A (ja) | エピタキシャル成長装置およびそのクリーニング方法 | |
JP2008251956A (ja) | 酸化膜の形成方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151013 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151026 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5838786 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |