JP5833241B2 - 誤りピーク除去性能を向上したピーク検出器 - Google Patents

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Description

本発明は、ピーク検出器に関し、特に、同期スイッチ・ハーベスティング・オン・インダクタ(SSHI)型コンバータのような交流/直流(AC/DC)コンバータのためのピーク検出器に関する。ある実施形態は、交流を直流に変換するためのコンバータに関する。ある実施形態は、交流/直流コンバータへの入力電圧におけるピークを検出する方法に関する。ある実施形態は、交流/直流コンバータの少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子(通常は、2以上の制御可能なスイッチング素子)に対する制御信号を生成する方法に関する。
エネルギー・ハーベスティング(電力ハーベスティングまたはエネルギースカベンジングとしても知られる)とは、エネルギーが、ウェアラブル電子機器および無線センサネットワークで使用されるもののような小型の無線自律デバイス用に、外部ソース(例えば、ソーラーパワー、熱エネルギー、風力エネルギー、塩分勾配、および運動エネルギー)から、引き出され、採集され、そして蓄電される処理である。例えば、振動から電力を「収穫(ハーベスト)」するため、圧電変換器が採用されている。AC電力を整流して最大量のエネルギーを抽出するために、種々のAC−DCコンバータが文献に記載されている。
圧電発電機のためにそのようなAC−DCコンバータを備えるエネルギーハーベスタの可能な応用として、例えば、幹線道路の橋(構造状態監視)または鉄道(車輪調整および追跡)のような応用がある。これらの応用に関連する振動の周波数範囲は、2〜20Hzの間であり、平均加速度は0.1g程度である。
圧電材料が機械的に励起されると、それが機械的エネルギーを電気的エネルギーに変換する。その電気端子間で得られるAC電力は、DC電力を得るために整流されなければならない。制御回路が、ダイオードブリッジによる整流器よりも良い結果を与える非線形整流技術(SSHI)のトランジスタをスイッチングすることを可能とする。
圧電素子が開回路である場合、I=0であるので、その電圧の導関数と変位の導関数は比例する。
I=αdu/dt−Cdv/dt
ここで、Iは圧電素子を流れ出る電流であり、uは圧電変位であり、vは圧電電圧であり、αは力係数であり、Cは圧電素子のキャパシタである(非特許文献1、209−259頁参照)。
並列型および直列型の2つのSSHI技術がある。図1Aおよび図1Bに示す直列SSHI回路においては、インダクタとスイッチが、圧電素子とダイオードブリッジおよびフィルタキャパシタとの間に直列接続されている。図2Aおよび図2Bに示す並列SSHI技術の場合においては、スイッチおよびインダクタが、圧電素子に並列接続され、ダイオードブリッジおよびフィルタキャパシタが後段に接続される。
直列SSHIコンバータ(図1A)は、ほとんどの時間で開回路に維持され、圧電素子をインダクタ、ダイオードブリッジおよび負荷に接続するスイッチは、短時間だけ閉成される。このコンバータに関して、圧電電圧ピークがある場合、圧電素子のピーク変位もあると考えられる。このようにして、圧電素子から収穫される電力は最大となる。したがって、収穫される電力を最大化するために、電圧ピーク検出器回路は、直列SSHIコンバータに対する適切な制御回路となる。
並列SSHIコンバータに関して(図2A)、圧電素子は、整流器ブリッジ、および圧電素子の変位の導関数と電圧の導関数との間の位相差を生成する出力負荷に連続的に接続され、したがって、ピーク電圧検出器回路は、ピーク変位を誤りなく検出することができない。
電圧ピーク検出器回路は、SSHIコンバータのトランジスタをスイッチングするために標準的に採用される様々な制御回路の1つである。
圧電変換器によって送出されるAC電力は、通常は、ダイオードブリッジおよびフィルタキャパシタを採用して整流される。近年、圧電素子にスイッチを介して接続されたインダクタを採用するAC−DCコンバータが提案されてきた。スイッチは、圧電電圧ピークに達した時に閉成される。この瞬間に、圧電素子とインダクタの接続が、共振効果および圧電電圧の高速反転をもたらす。圧電電圧の反転後に、新たなピークが検出されるまでスイッチは開放される。
SSHI回路のスイッチングトランジスタに対して一般的に使用される制御回路は、圧電電圧を入力信号として用いる。これらの制御回路は、ゲート信号を生成するために、ピーク検出器および比較器を採用する。ピーク検出器は、圧電電圧がピークに達した時にその極性を変え、比較器は、トランジスタをスイッチングするために正レベル電圧および負レベル電圧を供給する。
自励制御回路の実装が文献に示され、主に2つの異なる回路が採用されている。図3は、正側ピークを検出するための解決手段を示す。これは、非特許文献2および特許文献1に記載されているものである。ピーク検出器回路は、抵抗R、ダイオードDおよびキャパシタCで構成される。ダイオードの方向によって、正側ピークのみが検出されることが決まる。このピーク検出器回路は、微分器である。トランジスタTのエミッタの電圧がベースの電圧よりも高いときに、トランジスタTは導通を開始し、キャパシタの電圧が圧電電圧よりも大きくなるので、ダイオードDが逆バイアスとなる。トランジスタTのベース電圧がエミッタ電圧よりも高いので、トランジスタTは導通を開始し、キャパシタCが放電される。スイッチを有する相補的な制御回路は、圧電素子の負側ピークを検出することも必要である。
文献から得られる他の解決手段として、ヒステリシスを有する受動微分器および計数型比較器からなるものがある(図4参照)。これは、非特許文献3に記載されている。受動微分器は、その出力の極性を変える電圧ピークが何時あるかを検出する。受動微分器の出力が比較器の負入力に接続される一方で、比較器の正入力は圧電基準端子に接続される。比較器の出力は、トランジスタのゲートに、それらを適切にスイッチングするために接続される。著者は、ヒステリシスを有する微分器が、Rhysを通じた不要なトリガを防止することを主張している。キャパシタCderおよび抵抗Rderで構成される微分器の伝達関数は、
Figure 0005833241
となる。
抵抗RhysがキャパシタCderに並列接続される場合、この回路の伝達関数は以下によって与えられる。
Figure 0005833241
この伝達関数は、ω=1/(Rhysder)に位置するゼロ、およびω=(Rder+Rhys)/(Rderhysder)に位置する極を有する。回路の微分器としての適正な動作のために、ωはωよりも小さくなければならない。この回路は、10ω<ω<0.1ωpを満たす角周波数について、微分器として動作する。
前述の解決手段は、正側電圧ピークおよび負側電圧ピークを検出するのに、同じ制御回路を採用する。
与えられた共振周波数における圧電等価回路は、並列接続された内部正弦波電流源およびキャパシタによって表すことができる(非特許文献4)。モデルの電流源は、圧電素子の速度に比例するので、圧電変位の導関数に比例する。したがって、正弦波電流源のゼロクロスがあると、収穫される圧電電力を最大化する最適点となる。
直列SSHIコンバータでそうなるように、圧電電圧の反転がピーク変位で起こるなら、圧電電圧V(vpiezo+)−V(vpiezo−)と内部電流源I(V1)は同じ極性を有し、圧電素子によって収穫される電力は最大となる(図5Aおよび5B参照)。しかし、圧電素子は、通常は並列SSHIコンバータにおいては開回路ではないので、圧電ピーク電圧は、通常はピーク変位には全く同期しない。
ピーク変位があるときに圧電電圧の反転が起こらないなら、2つの可能性があり、圧電電圧の反転がピーク変位の前または後に起こっている。
圧電電圧の反転がピーク変位の後に行われる場合、圧電電圧の反転前に圧電電圧および電流が同じ極性を持たない期間があるので、圧電素子によって収穫される電力は、最大ではない。しかし、最新のピーク検出器であれば、このような状況下でも、誤ったピーク検出を生成することはない。図6Aおよび6Bは、圧電電圧の反転がピーク変位後に起こるシミュレーションの例を示す。
WO2007/063194 EP2458737A1(欧州特許出願第10192761.4号)
S.Priya and D.J.Inman,"Energy Harvesting Technologies",Springer,2009 M.Lallart and D.Guyomar,"An optimized self−powered switching circuit for non−linear energy harvesting with low voltage output",Smart Materials and Structures,Vol.17,No.3,2008 S.Ben−Yaakov and N.Krihely,"Resonant rectifier for piezoelectric sources",Applied Power Electronics Conference and Exposition,2005,APEC 2005,Twentieth Annual IEEE,vol.1,pp.249−253,6−10 March 2005 S.Ben−Yaakov and N.Krihely,"Resonant rectifier for piezoelectric sources",Applied Power Electronics Conference and Exposition,2005,APEC 2005,Twentieth Annual IEEE,vol.1,pp.249−253,6−10 March 2005 D.Guyomar,G.Sebald,S.Pruvost,M.Lallart,A.Khodayari and C.Richard,"Energy Harvesting from Ambient Vibrations and Heat",Journal of Intelligent Material Systems and Structures,vol.20,no.5,pp.609−624,March 2009
圧電電圧の反転がピーク変位の前に行われる場合、これは、内部圧電電流源が圧電電圧と逆の極性を有し、この状況が起こる限りは圧電素子の内部キャパシタが放電されることを意味する。この状況は、圧電電圧波形において、最新技術の微分検出器がピークとして検出することがある極大および極小を含んでいる。図7Aおよび7Bは、圧電電圧ピークの誤検出がない場合の、圧電電圧が反転された後の極大および極小を有するシナリオを表すシミュレーションを示し、図8は、圧電電圧ピークの誤検出がある場合の同様のシナリオを表すシミュレーションを示す。圧電電圧の誤検出があると、収穫される電力が減少する。そして、この誤検出を除去するピーク検出器が、並列および変形並列SSHIコンバータの制御を実施するうえで特別な関心事となる。
圧電電圧がその極性を反転するとき、オーバーシュートが起こる。このオーバーシュートは、内部電流源が圧電電圧とは異なる極性を有するときに、内部圧電キャパシタの放電によって引き起こされる。オーバーシュートが極大または極小となることにより、共通的に使用されているピーク検出器が、オーバーシュートに起因してピークの発生を示すことがある。しかし、そのような圧電電圧の転流の直後のオーバーシュートによって引き起こされる極大/極小は、通常は、スイッチにより行われる次のスイッチング事象ほど重要なものではない。したがって、そのようなオーバーシュートをスイッチング事象に関連するピークとして検出すると、SSHI型AC/DCコンバータの動作を阻害する傾向のある誤検出となり、それによって、収穫される電力が減少する可能性がある。
したがって、本発明の目的は、最新技術のピーク検出器よりも、検出されるべきピークに対する、より高い感度、例えば、圧電電圧の反転がピーク変位の前に行われる場合にピーク誤検出に対する高い除去性能を有するピーク検出器を提供するにある。
この課題は、請求項1による同期ハーベスティング・オン・インダクタ型コンバータ用ピーク検出器、請求項13による交流を直流に変換するためのコンバータ、請求項14による交流/直流コンバータに対する入力電圧におけるピークを検出する方法、および請求項15による交流/直流コンバータの少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子に対して制御信号を生成する方法によって解決される。
本発明の実施形態は、同期スイッチ・ハーベスティング・オン・インダクタ型コンバータ用ピーク検出器を提供する。このピーク検出器は、比較器と、ピーク検出器への入力信号を濾波するとともに濾波信号を比較器の入力部に供給する構成のフィルタを備える。フィルタは、入力信号の低い周波数範囲に対しては微分伝達特性を有し、高い周波数範囲に対しては積分伝達特性を有することにより、周波数成分を主に低い周波数範囲に有するピーク検出器への入力信号のピークが、濾波信号の相対的に強い変動をもたらし、周波数成分を主に高い周波数範囲に有するピーク検出器への入力信号のピークが、実質的に積分されて、濾波信号の相対的に弱い変動をもたらす。濾波信号の相対的に強い変動は、比較器の比較器閾値と交差し、比較器は、比較器閾値に対する濾波信号の関係を示す出力信号を生成する構成を有する。
ここに開示される教示に係るピーク検出は、圧電電圧におけるスイッチング事象に関連するピークが、圧電電圧の先行する転流または反転によって引き起こされるオーバーシュートのようなスプリアスピークとは、異なるスペクトル特性を有するという事項を利用する。このように、スイッチング事象に関連するピークの、より高い信頼性での検出が実現され、そして、検出されたスイッチング事象に関連するピークが処理され、評価され、および/またはピーク検出器に接続されたSSHIコンバータの制御可能なスイッチング素子に対する制御信号の生成に使用される。特に、スイッチング事象に関連するピークのスペクトル特性は相対的に低い周波数範囲にある一方で、スプリアスピークのスペクトル特性は相対的に高い周波数範囲にある。ピーク検出器のフィルタは帯域通過的な特性を有するが、必ずしも「古典的な」帯域通過フィルタである必要はない。
ここに開示される教示のさらなる実施形態によると、フィルタの振幅伝達関数は、低い周波数範囲と高い周波数範囲の間の周波数で最大値を有する。
フィルタの伝達関数の最大振幅周波数は、80Hzと400Hzの間、好ましくは100Hzと350Hzの間、より好ましくは110Hzと300Hzの間、例えば、120Hz、140Hz、160Hz、200Hz、240Hz、260Hzおよび/または280Hz、その他これらの間の値であればよい。角周波数の観点では、最大振幅角周波数は、500rad/sと3000rad/sの間、好ましくは700rad/sと2000rad/sの間、より好ましくは800rad/sと1500rad/sの間であればよい。
さらなる実施形態によると、フィルタは、第1のピーク検出器入力端子と比較器入力端子との間に接続された第1のフィルタブランチと、第2のピーク検出器入力端子と比較器入力端子との間に接続された第2のフィルタブランチとを備え、第1のフィルタブランチとび第2のフィルタブランチとの少なくとも一方が、エネルギー蓄積素子を備えることができる。
フィルタは、入力信号に対応する入力電圧を分圧し、濾波信号が特定される基準となる中間ノードの分圧を供給するように構成された分圧器を備えることができる。
さらなる実施形態によると、フィルタは、少なくとも2つの線形構成要素と、少なくとも1つの非線形構成要素とを備えることができる。線形構成要素は、例えば、抵抗、キャパシタ、またはこれらの組合せとすることがきる。非線形構成要素は、例えば、ダイオード、または2以上のダイオードの組合せとすることができる。
さらなる実施形態によると、フィルタは、エネルギー蓄積回路とクリッパ回路とを備えることができる。エネルギー蓄積回路は、ピーク検出器の第1の入力部を比較器の第1の入力部に接続し、エネルギー蓄積挙動を呈することができる。クリッパ回路は、ピーク検出器の第2の入力部を比較器の第1の入力部に接続する。クリッパ回路は、少なくとも1つのクリップ閾値によって規定される電圧範囲内で、クリッパ回路両端のクリッパ回路電圧を維持する構成を有することができる。またさらに、クリッパ回路は、ピーク検出器の第1の入力部と第2の入力部の間の入力電圧が(例えば、数学的な意味で)単調的であり上述の電圧範囲外であるときには、クリッパ回路電圧をクリップ閾値に維持する構成を有することができる。比較器の第1の入力部と比較器の第2の入力部の間の比較器入力電圧は、クリッパ回路電圧に基づくものとすることができる。比較器の比較器閾値電圧は、上述の電圧範囲内にある。エネルギー蓄積回路は、エネルギー蓄積動作によって、クリップ閾値を超えるクリッパ回路電圧を上記の電圧範囲に抑え、それにより、入力電圧におけるピークに応じて比較器入力電圧を比較器閾値に交差させて、比較器の出力がそのピークを信号エッジとして示すようにする構成を有することができる。
ここに開示される教示のさらなる実施形態によると、キャパシタ電圧(すなわち、キャパシタの2つの端子間の電圧)がピークへの応答時に比較的遅く変化し、これにより、比較器の第1の入力部の電圧がそのピークに実質的に追従して、クリッパ回路電圧がクリップ閾値からクリッパ回路の上述の電圧範囲に押しやられることになる。この状況において、キャパシタは、キャパシタ電圧の急速な変動に対抗する相対的に不活性な回路構成要素として動作する。したがって、キャパシタとクリッパ回路の間のノードにおける電位は、上述したように変化する。この動作によって、クリッパ回路が電流を導通しない遮断状態に移行することになる。したがって、キャパシタは、クリッパ回路を介して放電されず、ピークが起こった時に有していたキャパシタ電圧をほぼ維持することとなる。これによって、エネルギー蓄積回路とクリッパ回路の間のノードにおける電位の急峻な変動がもたらされ、比較器閾値と交差する(すなわち、超える、または下回る)。
クリッパ回路は、クリッパ回路電圧がクリップ電圧でない場合には遮断状態となり、クリッパ回路電圧がクリップ電圧以上である場合には非遮断状態となる構成を有することができる。
クリッパ回路は、2つの逆並列ダイオード、またはダイオードのような特性を持つ2つの逆並列素子を備えることができる。
さらなる実施形態によると、クリップ閾値を上方クリップ閾値とし、電圧範囲を下方クリップ閾値によってさらに規定することができる。クリッパ回路は、ピーク検出器の第1の入力部と第2の入力部との間の入力電圧が下方クリップ閾値を下回り、かつその下方クリップ閾値から単調的に離れていくときに、クリッパ回路電圧を下方クリップ閾値に維持する構成を有することができる。同様に、クリッパ回路は、ピーク検出器の第1の入力部と第2の入力部との間の入力電圧が上方クリップ閾値を上回り、その上方クリップ閾値から単調的に離れていくときに、クリッパ回路電圧を上方クリップ閾値に維持する構成を有することができる。
さらなる実施形態は、交流を直流に変換するためのコンバータを提供し、そのコンバータは、ここに記載されるピーク検出器を備える。
ここに開示される教示による交流/直流コンバータのための入力電圧のピークを検出する方法は、ピーク検出器への入力信号を受信し、入力信号をフィルタで濾波することを含む。フィルタは、入力信号の低い周波数範囲に対しては微分伝達特性、高い周波数範囲に対しては積分伝達特性を有する。入力信号を濾波することによって、濾波信号が得られる。ピーク検出器への入力信号のピークの主な周波数成分が低い周波数範囲にあるときには、濾波信号の変動が比較的強くなり、主な周波数成分が高い周波数範囲にあるときには、そのピークが実質的に積分されて濾波信号の変動が比較的弱くなる。この方法ではさらに、濾波信号を比較器閾値と比較し、濾波信号を比較器閾値と比較した結果に基づく出力信号を生成する。出力信号は、比較器閾値に対する濾波信号の関係を示す。
ここに開示される教示による交流/直流コンバータの少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子に対する制御信号を生成する方法は、上述のピークを検出する方法によって交流/直流コンバータへの入力電圧におけるピークを検出すること、およびピークを検出する方法の出力信号に基づいて制御信号を生成することを含む。
さらなる実施形態によると、ピーク検出器は、ピーク検出器によって行われるピーク検出を受ける入力電圧に接続される構成の第1の入力端子および第2の入力端子を備える。ピーク検出はさらに、比較器入力端子を備え、基準電位に関連する比較器閾値電圧を有する比較器を備える。ピーク検出器はまた、第1の入力端子と比較器入力端子の間に接続されたキャパシタ、および比較器入力端子と第2の入力端子の間に接続されたダイオードを備える。ダイオードは、基準電位にかんれんして、そのダイオードが導通する導通範囲とそのダイオードが遮断状態となるダイオードの遮断範囲との間の境界を規定するダイオード閾値電圧を有する。ダイオード電圧は、ダイオードが導通している間はダイオード閾値電圧付近の値となる。ダイオード閾値電圧は、比較器閾値電圧とはマージン電圧分だけ異なる。比較器閾値電圧はダイオードの遮断範囲内にある。
本発明の実施形態が添付の図面を参照してここに記載される。
従来技術による直列SSHIコンバータの模式回路図である。 図1Aに示す回路の動作中に発生する各部電圧波形および電流波形を示すグラフである。 図1Aに示す回路の動作中に発生する各部電圧波形および電流波形を示すグラフである。 従来技術による並列SSHIコンバータの模式回路図である。 図2Aに示す回路の動作中に発生する各部電圧波形および電流波形を示すグラフである。 スイッチを有する正側ピーク検出回路の模式回路図である。 正側および負側ピークについての自励ピーク検出器回路の模式回路図である。 実質的に同相の圧電電圧V(vpiezo+)−V(vpiezo−)および圧電内部電流I(V1)の波形を示す。 図5Aと同様に、圧電電圧および電流が同相の場合に圧電素子によって供給される、時間に対する電力を示す。 圧電素子のピーク変位が起こった後に圧電電圧の反転が行われる場合の圧電電圧および電流波形を示す。 電圧および電流波形が図6Aに示される圧電素子によって供給される電力を示す。 圧電素子のピーク変位が起こる前に圧電電圧の反転が行われる場合の圧電電圧および電流波形を示す。 電圧および電流波形が図7Aに示される圧電素子によって供給される電力を示す。 圧電素子のピーク変位が起こる前に圧電電圧の反転が行われ、これによって半サイクルあたり2以上のピーク検出がもたらされる場合の圧電電圧および電流波形を示す。 ここに開示される教示によるピーク検出器の模式回路図である。 3つの異なるピーク検出回路のボード線図を示す。 ここに開示される教示によるピーク検出器を備える変形並列SSHIコンバータにおいて発生する電圧の定常波形を示す。 上記のピーク検出器を備える変形並列SSHIコンバータの模式回路図である。 入力信号のピークを検出する方法の模式フロー図である。 2Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 2Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す 5Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 5Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 10Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 10Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 50Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 50Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 100Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 100Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 200Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 200Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 1kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 1kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 10kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 10kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 50kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 50kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 5Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 5Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 50Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 50Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 200Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 200Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 1kHzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 1kHzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 10kHzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 10kHzの矩形波入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 入力電圧の急峻な小さい変動および急峻な大きい変動がある場合のダイオードおよび比較器の電位、電圧および閾値を模式的に示す。 入力電圧の急峻な小さい変動がある場合の2つのダイオードおよび比較器の電位、電圧および閾値を模式的に示す。 入力電圧の急峻な大きい変動がある場合の2つのダイオードおよび比較器の電位、電圧および閾値を模式的に示す。 本発明の少なくともいくつかの実施形態によるピーク検出器の模式回路図である。 本発明の少なくともいくつかのさらなる実施形態によるピーク検出器の模式回路図である。 本発明の少なくともいくつかのさらなる実施形態によるピーク検出器の模式回路図である。 ピーク検出器がフィルタ除去できる小さなスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 ピーク検出器がフィルタ除去できる小さなスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 ピーク検出器がフィルタ除去できる他のスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 ピーク検出器がフィルタ除去できる他のスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 ピーク検出器がフィルタ除去できない比較的大きなスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。 ピーク検出器がフィルタ除去できない比較的大きなスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対してピーク検出器において発生する各部信号の波形を示す。
同じもしくは同等な要素、または同じもしくは同等の機能を持つ要素は、以降の説明において、同じまたは同等の符号によって示される。
以降の説明において、複数の詳細事項を用いて、本発明の実施形態のより完全な説明を行う。しかし、当業者には、本発明の実施形態がこれらの具体的詳細なしに実施され得ることは明らかである。その他、本発明の実施形態が不明瞭になることを避けるため、公知の構造および装置は、詳細にではなくブロック図形式で示される。さらに、以降に記載される異なる実施形態の特徴は、特に断りがない限り、互いに組合せ可能である。
同期スイッチ・ハーベスティング・オン・インダクタ(SSHI)は、エネルギー源からDC(直流)電力を供給する、機械的に励起された圧電素子のような非線形スイッチング技術である。SSHIコンバータは、通常は、スイッチおよびインダクタ、ならびにダイオードブリッジからなる。スイッチは、圧電素子をインダクタに接続して共振回路を形成し、圧電電圧を反転する。機械的に励起された圧電素子は、通常は、交流電圧および交流電流(AC)を生成する。制御回路は、通常、圧電ピーク電圧が検出された時にスイッチを適正に転流するのに必要となる。
図1Aに示す直列SSHI回路において、インダクタ234およびスイッチ232が、圧電素子12、ダイオードブリッジ42およびフィルタキャパシタ52に対して直列に接続される。図1Bからわかるように、直列SSHI回路の場合、非特許文献5で述べられているように、スイッチ232の閉成時を除いて、圧電素子12から負荷62に流れる電流iは存在しない。スイッチ232が開放されているとき、圧電電圧および変位の導関数は比例し、圧電内部キャパシタが充電される。圧電変位uが極値に到達すると、スイッチ232は閉成され、電流iが、圧電素子12からインダクタ234およびダイオードブリッジ42を介して、出力負荷62に流れる。圧電素子とのインダクタの直列接続が共振回路を形成するので、圧電電圧が反転される。その後、スイッチが再度開放される。スイッチ232の開放前には、圧電電圧vの振幅はVbeforeであり、スイッチ232の閉成に続いて(したがって、電流iが流れている間の圧電電圧vおよび位相の反転に続いて)圧電電圧の振幅は|Vbefore|>|Vafter|であるVafterとなる。フィルタキャパシタにおける出力電圧VDCも図1Bに示されている。
図2Aに示す並列SSHI技術の場合、スイッチ32およびインダクタ34は圧電素子12に並列に接続される。ダイオードブリッジ42、フィルタキャパシタ52および出力負荷62はその後段に接続される。並列SSHI技術は、例えば、非特許文献4に記載されている。
並列SSHI回路の動作原理は、図2Aに示す回路に関連して、定常状態での波形を示す図2Bを用いて説明できる。図2Bの上図は、圧電変位u、圧電電圧vおよび負荷電圧Vを示す。圧電材料は、機械的に励起されると、機械的エネルギーを電気的エネルギーに変換する。電気端子間で得られるAC電力は、DC電力を得るために、整流されなければならない。圧電素子が開回路である場合、電流は流れない、すなわちI=0であるので、その電圧の導関数dv1/dtおよびその変位の導関数du/dtは、比例する。
圧電電圧vが整流電圧よりも低い間は、圧電素子12からダイオードブリッジ42に電流iは流れない。したがって、圧電電圧の導関数dv1/dtおよび変位の導関数du/dtは、比例する。圧電電圧vが、整流電圧にダイオードの電圧降下の2倍を加えたものよりも高くなると、圧電素子12からダイオードブリッジ42への電流iが流れる。圧電電圧vが(正または負の)ピークに達すると、スイッチ32は閉成され、電流iが内部圧電キャパシタからインダクタ34に流れる。この瞬間に、圧電内部キャパシタとともに共振LC回路が形成され、圧電素子の電圧は、π√(LC)の時間後にその極性を変える。圧電素子によって生成される電流は、スイッチ32が開放されて圧電電圧の絶対値が負荷における整流電圧(これに2つのダイオードの電圧降下を加えたもの)よりも高くなると、整流キャパシタ52および負荷62に流れる。圧電電圧が最大値に達すると、スイッチ32は閉成される。圧電電圧が反転すると、スイッチ32は再度開放される。圧電素子12は、ほとんどの時間にわたってダイオードブリッジ42によって出力負荷62に接続されるので、圧電電圧vがピークに達する時に圧電素子12の変位uが最大であるとはいえない。対応の並列SSHI回路は、非特許文献1の211−213頁に記載されている。
圧電電圧および電流が同じ極性を持つ場合、圧電素子12によって供給される電力、およびそれゆえ出力負荷62に収穫される電力は、圧電電圧および電流が位相シフトした場合よりも高くなる。圧電電圧および電流が同相であるということによって、圧電インピーダンスの複素共役を出力負荷として模擬することが可能となる。
圧電電流源は、圧電変位の導関数に比例する。さらに、圧電素子12が開回路状態にあるとき、圧電電流源は、圧電電圧の導関数に比例する。言い換えると、SSHIコンバータはインダクタLによって圧電電圧を反転するので、電流と電圧の積は正であり、これにより、圧電素子によって供給される電力、およびそれゆえ収穫される電力が最大となる。したがって、圧電電圧および変位の導関数は比例する(双方の曲線の傾きが同じ符号となる)。一方で、並列SSHI回路を採用して圧電電力を整流すると、ほとんどの時間において圧電素子が出力負荷に接続されるので、圧電電圧の導関数と変位の導関数はもはや比例しない。したがって、圧電電流源のゼロクロスが、収穫される電力を最大化する圧電電圧ピークにおいて発生することにはならない。それでもなお、直列SSHIの場合では、圧電素子はほとんど常時開回路となり、これにより、内部圧電ソースのゼロクロスが圧電電圧の反転中に起こり、圧電電圧と電流の積が正となり、収穫される電力を増加させる。
図3は、従来技術による、スイッチを有する正ピーク検出器回路の模式回路図を示す。図4は、従来技術による、正および負ピークに対する自励ピーク検出器回路の模式回路図を示す。図3および4に示すピーク検出器の動作のモードは、導入部において上述されている。
図5A、6A、7Aおよび8は、圧電電圧vの標準的な波形を示す。この圧電電圧vは、図5A、6A、7Aおよび8において、V(vpiezo+)−V(vpiezo−)として表記されている。図5A、7Aおよび8において、圧電電圧がその極性を変える時に大なり小なりオーバーシュートすることが観察される。これらのオーバーシュートは、図3および4に図示される従来技術によるピーク検出器のピーク誤検出をもたらしてしまうことがある。図8に、圧電電圧および電流の、電圧ピーク誤検出の場合を説明するシミュレーション波形を示す。さらに、図8は、上記のようなピーク誤検出がどのようにしてAC/DCコンバータに1または2もの追加的なスイッチング事象を実行させ得るのかを説明する。正から負への遷移後に、電圧が約−4Vの電圧値から約−2Vの電圧値に跳ね返っていることがわかる。従来技術のピーク検出器では、−4Vでのピークは、スイッチング事象をトリガするピークとして誤って検出される。スイッチング事象およびおそらく共振効果に起因して、圧電電圧は約+1Vまで上昇する。しかし、圧電素子は、この時点で、負の圧電電圧を生成するように励起されているので、圧電電圧は約−0.5Vまで再度低下する。+1Vでのピークは、従来技術のピーク検出器によって再度誤って検出され、さらなるスイッチング事象がトリガされる。圧電電圧は、約−4Vまで急峻に低下し、本当のスイッチング事象に関連する負のピークが起こる約−4.5Vまで続く。なお、圧電電圧は負から正への遷移後にもオーバーシュートするが、ピーク検出器は、これをスイッチング事象に関連するピークとしては誤検出しない。
図4のピーク検出器を考慮して、新規なピーク検出回路が図9に示される。ピーク検出器は、抵抗R、キャパシタC、逆並列接続された2つのダイオードD,Dおよび比較器で構成される。抵抗Rと並列のキャパシタCが、ダイオードの等価モデルとして捉えられてきた。提案されるピーク検出器の伝達関数は、以下の通りとなる。
Figure 0005833241
この伝達関数は、定数1/(R)を有し、原点でゼロとなり、および以下における複素共役極を有する。
Figure 0005833241
図10は、図4に示すヒステリシス抵抗Rhysのないピーク検出器の伝達関数(太い実線)、図4に示すヒステリシス抵抗Rhysのあるピーク検出器の伝達関数(破線)、およびここに開示されるとともに図9に図示される教示によるピーク検出器の伝達関数(細い実線)についてのボード線図を示す。対応する伝達関数は、以下の通りである。
図4のRhysなし:[数1]、太い実線
図4のRhysなし:[数2]、太い実線
図9:[数3]、細い実線
ここにピーク検出器回路として提示される解決手段は、低い周波数の信号に対しては微分器として、高い周波数の信号に対しては積分器として動作するので、ピーク変位の前に圧電電圧の反転が行われる場合に、最新技術によるピーク検出器よりも高いピーク誤検出除去性能を有する。
図9に図示されるピーク検出器のボード線図は、それが低い周波数に対しては微分器、高い周波数に対しては積分器である(として挙動する)ことを示す。ヒステリシス付きの微分器が特定の帯域幅に対して微分器として動作する一方で、ヒステリシス抵抗Rhysのない図4のピーク検出器のボード線図は、一次高域通過フィルタである。(Rhysのない、およびRhysのある)図4に図示するピーク検出器は、急峻なピーク、すなわち、非常に高い周波数成分を有するピークに対して、誤検出を起こす。
図9に戻ると、ここに開示される教示による実際のピーク検出器900は、フィルタ905および比較器930を備える。比較器930は、第1の比較器入力と第2の比較器入力とを有し、第1の比較器入力は反転入力であり、第2の比較器入力は非反転入力である。第2比較器入力は、コネクタ1216に接続される。第1の比較器入力は、フィルタ905の出力に接続され、フィルタ905から濾波信号を受け取る構成となっている。
フィルタは、第1のフィルタブランチ910と第2のフィルタブランチ920とを備える。第1のフィルタブランチ910は、第1のピーク検出器入力端子(圧電素子12の正端子に接続される)と、第1の比較器入力端子(反転入力)との間に接続される。第1のフィルタブランチ910は、抵抗RとキャパシタCとの直列接続を有する。キャパシタCは、エネルギー蓄積要素である。
第2のフィルタブランチ920は、第1の比較器入力端子(反転入力部)との接地電位との間に接続される。第2のフィルタブランチ920は、逆並列構成で接続された2つのダイオード922(D)および924(D)を備える。2つのダイオードは、クリッパ回路を形成する。クリッパ回路は、回路の出力が所定の電圧レベルを超えるのを防止するように設計されたデバイスである。ダイオード922および924の閾値電圧に応じて、クリッパ回路両端の(すなわち、第1の比較器入力部から第2の比較器入力部までの)電圧は、クリッパ回路のクリップ閾値によって境界が定められた電圧範囲内の任意の値となることができる。クリップ閾値は、ダイオード922,924の閾値電圧と同じであるか、その関数であればよい。
上述したように、2つのダイオード922,924の逆並列構成は、抵抗RおよびキャパシタCの並列接続によって近似できる。
ピーク検出器900は、2つのダイオード962(D)および964(D)、2つのキャパシタ966(C)および968(C)、ならびに2つの低損失レギュレータ(LDO)972および974を備えた電源に接続される。圧電素子12の動作における正の半サイクル中に、キャパシタ966がダイオード962を介して充電される。圧電素子12の動作における負の半サイクル中に、キャパシタ968がダイオード964を介して充電される。キャパシタ966の両端電圧は、第1のLDO972への入力として供給される。同様に、キャパシタ968の両端電圧は、第2のLDO974への入力として供給される。第1および第2のLDO972および974は、制限された電源電圧を比較器930に供給する。LDO972および974の代替として、ツェナーダイオードが使用されて比較器930の電圧供給を制限するようにしてもよい。安定供給電圧を与えるための他の回路が使用されてもよい。
簡潔にいうと、ピーク検出器900の機能は、以下の通りである。圧電素子12において正(負)のピーク電圧に達すると、比較器930の反転入力部の電圧は微分器として動作して、その極性を正(負)から負(正)に変える。非反転入力部の電圧は反転入力部の電圧よりも高い(低い)ので、比較器930の出力電圧は、その値を−Vdd(+Vdd)から+Vdd(−Vdd)へ変える。
図11は、並列SSHI回路およびその制御回路(図9)の定常測定波形を示す。CH1は圧電電圧に対応し、CH2は比較器930の負入力部の電圧(比較器930の反転入力部の電圧)であり、CH3は比較器930の出力電圧(SSHIコンバータのMOSFETに対する制御信号)であり、CH4は並列SSHIコンバータのDC出力電圧に対応する。CH1、CH3およびCH4についてはスケールが5V/目盛であるが、CH2については、スケールは500mV/目盛である。
比較器930の反転入力部の電圧は、圧電電圧の負から正および正から負への遷移の若干後に起こる圧電電圧のオーバーシュートの影響を受けない(または無視できるほどしか受けない)ことがわかる。その結果、比較器930は、「真の」最大/最小が起こった後にのみ切り替わる(すなわち、立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジを生成する)(最大が約+16Vにあり、最小が約−15.5Vにある)。
ここに開示された教示によるピーク検出器は、直列SSHIコンバータ、並列SSHIコンバータまたは同期整流器(能動整流器)のような制御可能なスイッチング素子を有し、それゆえ、制御可能なスイッチング素子のための制御信号を必要とする種々のAC−DCコンバータとともに使用することができる。一例として、図12は、ここに開示される教示によるピーク検出器900を備えた変形並列SSHIコンバータ1200の回路図を示す。
変形並列SSHIコンバータ1200は、インダクタ1234および整流ブリッジ1242に接続されたAC側端子1214および1216を介して、圧電素子12に接続される。変形並列SSHIコンバータ1200の整流ブリッジ1242は、AC側端子1216および1218間に並列構成で接続された第1のブリッジブランチおよび第2のブリッジブランチを備える。第1のブリッジブランチは、ダイオード1246(D)およびエンハンスメントタイプのnチャネルMOSFET1245(T)を備える。第2のブリッジブランチは、ダイオード1248(D)およびpチャネルMOSFET1247(T)を備える。変形並列SSHIコンバータ1200の第1のDC側端子1256は、第2のブリッジブランチのダイオード1248(D)とMOSFET1247(T)の間のノードに接続される。変形並列SSHIコンバータ1200の第2のDC側端子1254は、第1のブリッジブランチのダイオード1246(D)とMOSFET1245(T)の間のノードに接続される。
両ブリッジブランチは、一対の出力端子1254および1256の一方に接続される出力ノードを備える。出力ノードは、ブリッジブランチの制御可能なスイッチング素子と他のスイッチング素子(すなわち、ダイオード)の間に(電気的に)接続される。したがって、図12の実施形態によると、第1のブリッジブランチの出力ノードは、並列SSHIコンバータ1200の出力端子1254に接続され、第2のブリッジ端子の出力ノードは、出力端子1256に接続される。フィルタキャパシタ52および出力負荷62を備える並列回路は、第1の出力端子1254と第2の出力端子1256の間に接続される。
2つのMOSFET1245および1247は、1つの制御信号で制御される。nチャネルMOSFET1245のゲートは、制御信号vCTRL1を供給するピーク検出器900の出力部に接続される。nチャネルMOSFET1245のゲートは正側レベルシフタ1238の出力部に接続される。正側レベルシフタ1238の入力部は制御信号vCTRL2を搬送するピーク検出器900の出力部に接続される。正側レベルシフタ1238は制御信号vCTRL2を処理し、vCTRL2に基づいて制御信号vCTRL1を生成する。制御信号vCTRL1およびvCTRL2は、nチャネルMOSFET1245およびpチャネル1247を交番で制御する。
変形並列SSHIコンバータ1200の動作を理解するのに有用な第1の部分回路1201は、整流ブリッジ1242およびエネルギー蓄積素子としてのインダクタ1234を備える。整流ブリッジ1242の2つの制御可能なスイッチング素子1245および1247によって、一対の入力端子1216および1218の間の低抵抗接続(実質的に短絡)が第1のブリッジブランチおよび第2のブリッジブランチを介して形成される。このように、エネルギー蓄積素子1234、一対の入力端子1216,1218、およびエネルギー源12(例えば、圧電素子)を備える第2の部分回路1202は、実質的に短絡され、エネルギー蓄積素子1234は、エネルギー源12に並列接続される。したがって、整流回路1200は、並列SSHIコンバータとしてみることができる。なお、エネルギー蓄積素子1234は、第1の部分回路1201の一部とみることもできるし、第2の部分回路1202の一部とみることもできる。第1の部分回路1201および第2の部分回路1202内のいくつかの素子のグループ分けは、例えば、整流ブリッジ1242によってもたらされる実質的短絡によってどの素子が影響を受けるかをより容易に明瞭になるように、説明の便宜上なされるものである。
図12に示す実施形態による変形並列SSHIのトポロジーは、2つのダイオード1246,1248、および2つのMOSFET1245,1247によって構成され、これにより、従来技術によるいくつかの並列および直列SSHI回路に対して、ダイオードおよびMOSFETの電圧降下が減少する。整流ブリッジの2つのダイオードは、2つの能動MOSFET1245,1247によって代替されたので、変形並列SSHI1200によって収穫される電力は、他のSSHIトポロジーと比べて増加する。さらに、追加のダイオードまたはトランジスタが必要ないので、効率も上昇する。
変形並列SSHIコンバータ1200は、通常は4つの異なる位相の動作を有し、そのうちの2つは変形並列SSHIコンバータ1200の動作の整流または整流性位相であり、他の2つの位相は反転位相である。整流性位相に反転位相が続き、すなわち、整流性位相および反転位相が交互に続く。
第1の整流性位相において、圧電素子12は、この時点で、正で、かつ1つのダイオード1246または1248の電圧降下および制御可能なスイッチング素子1245または1247の両端で発生し得る電圧降下をフィルタキャパシタ52における整流電圧に加えたものよりも、高い圧電電圧vを生成する。制御可能なスイッチング素子1247は、ピーク検出器900および制御信号vCTRL2によって、導通状態となるように制御される。このこと、および圧電電圧vが整流電圧よりも高いことによって、ダイオード1246(D)が導通して、圧電素子12の第1の端子から、エネルギー蓄積素子すなわち1234、第1の入力端子1216、ダイオード1246(D)、フィルタキャパシタ52および負荷62、制御可能なスイッチング素子1247、ならびに第2の入力端子1218を経由して、圧電素子12の第2の端子に戻る電流経路が形成される。したがって、電流がフィルタキャパシタ52を充電する。
圧電電圧v1がその正のピークに達すると、ダイオード1246(D)が導通し、制御信号vCTRL2はその極性を変える。したがって、MOSFET1247は導通を停止し(すなわち、オフし)、正側レベルシフタ1238によって生成される制御信号vCTRL1の対応する極性変化に起因してMOSFET1245が導通を開始し、これにより、インダクタ1234が圧電素子12に並列に接続される。整流回路1200の第2の位相の動作中に圧電電圧vの反転が行われる。反転は、圧電素子12の内部キャパシタおよびインダクタ1234が並列接続されることに起因する共振回路の形成によって、可能となる。言い換えると、整流回路1200の第2の位相の動作中は、整流ブリッジ1242を経由する一時的な導通経路が、ダイオード1246(D)およびMOSFET1245(T)を備えるブリッジブランチに沿って形成される。一時的な導通経路は、一対の出力端子1254および1256を実質的にバイパスし、エネルギー蓄積素子1234(すなわち、インダクタ)、一対の入力端子1216,1218、および一対の入力端子1216,1218に接続可能なエネルギー源12(すなわち、圧電素子)からなる第2の回路1202を、実質的に短絡する。
反転が完了して圧電電圧vが負のピーク値に達すると、ダイオード1246(D)はもはや導通せず、ダイオード1248(D)が導通を開始する。負の半サイクルの整流性位相中に、DおよびTが導通する。
整流回路のさらなる位相の動作は、負の半サイクルの反転位相である。圧電電圧vが負のピークに達すると、ピーク検出器900によって、制御信号vCTRL2がその極性を正から負に変える。したがって、MOSFET1245は導通を停止し、MOSFET1247が再度導通を開始して、インダクタ1234を圧電素子12に並列接続する。負の半サイクルの反転位相中に、MOSFET1247(T)およびダイオード1248(D)からなるブリッジブランチは、出力端子654および656を実質的にバイパスするとともに、第2の回路1202を実質的に短絡する、整流ブリッジ1242を経由する一時的な導通経路を形成する。反転が完了して圧電電圧v1が正の値に達すると、ダイオード1246(D)は導通を開始し、サイクルが正の半サイクルの整流性位相で再開する。正の半サイクルの整流位相中に、ダイオード1246(D)およびMOSFET1247(T2)が導通する。
ピーク検出器900は、圧電電圧vを検知し、検知された圧電電圧vに基づいて制御信号vCTRL2を生成するように構成される。例えば、ピーク検出器900は、圧電電圧vの極大および極小を検出するように構成され、極大または極小の検出に応じて、制御信号vCTRL2を正レベルから負レベルに、またはその逆に、切り換えることができる。正側レベルシフタ1238はさらに、制御信号vCTRL2を処理して、MOSFET1245に対する制御信号vCTRL1を生成する。
AC電力の整流中に、変形並列SSHIコンバータ1200は、2つのダイオード1246,1248、および2つのMOSFET1245,1247を備えるので、実質的に半同期整流器として動作する。したがって、この位相(これらの位相)中の効率は、他の既存のSSHIトポロジーに対して増加する。特許文献2に登場する同期整流のための制御回路を採用したダイオードの同期整流も可能である。さらに、2つのダイオード1246(D),1248(D)が2つの能動MOSFETによって置き換えられた場合、特に、ピーク検出器900の消費電力が比較的小さければ、効率は向上する。例えば何らかのCMOS技術で設計されたダイオードは、連続逆電圧20Vに対して1.8Vの電圧降下を有するので、同期整流器もまた、特定用途向け集積回路(ASIC)の設計のために選択することができる。圧電素子を励起するのに採用される振動周波数は比較的低く、例えば、110Hz以下であるが、SSHIコンバータにより高い効率を与えるディスクリートMOSFETが、高周波応用向けに設計される。この理由は、圧電素子がMOSFETおよびダイオードを介してインダクタに並列接続されたときに、共振LC回路が共振周波数2π√(LC)で成り立ち、高周波トランジスタに関連する低いキャパシタが良い結果をもたらすことにある。
ピーク検出器900以外でも、ここに開示される教示は、一対の入力端子1216,1214、一対の出力端子1254,1256、および一対の入力端子1216,1214を相互接続する第1の回路1201を備える整流回路、すなわちSSHIコンバータ1200に関連している。第1の回路1201は、エネルギー蓄積素子1234および整流ブリッジ1242を備え、整流ブリッジ1242は、各ブリッジブランチに対して少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子1245,1247を備え、整流ブリッジ1242の出力が一対の出力端子1254,1256を給電し、各ブリッジブランチに対する少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子1245,1247は、一対の出力端子1254,1256を実質的にバイパスするとともにエネルギー蓄積1234素子、一対の入力端子1216,1218、および一対の入力端子1216,1218に接続可能なエネルギー源12を備える第2の回路1202を実質的に短絡する整流ブリッジ1242を経由した一時的な導通経路を与える構成を有する。さらに、SSHIコンバータは、ここに開示される教示によるピーク検出器900を備えることができる。
本発明のさらなる実施形態によると、エネルギー蓄積素子(またはエネルギー蓄電素子)および整流ブリッジが直列接続されてもよい。
整流ブリッジ1242は、一対の入力端子1216,1218から一対の出力端子1254,1256へのエネルギー伝達構成要素、および一対の入力端子に対するインバータの双方として機能する構成とすることができる。
各ブリッジブランチは、ダイオード成分1246,1248および少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子1245、1247を備えていてもよい。
ここに開示される教示の少なくともいくつかのさらなる実施形態によると、整流回路1242は、エネルギー源の状態を示す検知信号に基づいて、各ブリッジブランチに少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子に対する少なくとも1つの制御信号を生成するように構成されたコントローラを備えていてもよい。特に、コントローラは、ここに開示される教示によるピーク検出器900であればよい。
コントローラは、検知信号のピークの検出に応じて、少なくとも1つの制御可能なスイッチング素子1245,1247のスイッチングを、導通状態から非導通状態に、またはその逆にするように構成される。
エネルギー蓄積素子1234は、第2の回路1202が整流ブリッジ1242を経由して短絡される間、エネルギー源12とともに共振回路を形成することができる。
ここに開示される教示の少なくともいくつかのさらなる実施形態によると、エネルギー蓄積素子1234は、第2の回路1202が整流ブリッジ1242を経由して短絡される間、エネルギー源に並列に接続可能とすることができる。
いくつかのさらなる実施形態によると、エネルギー源1は、圧電素子とすることができる。
ここに開示される教示のさらなる実施形態は、エネルギー源によって生成される電流を整流するための方法を提供する。この方法は、整流ブリッジおよびエネルギー蓄積素子を備える第1の回路に電流を印加することによって、整流ブリッジが、第1の電流方向の電流に対応する第1の整流性経路に沿って電流を整流ブリッジの出力に導通させるものである。この法は、この電流に関連する検知信号における第1の特定パターンを検出すること、および整流ブリッジの制御可能なスイッチング素子を非導通状態から導通状態にスイッチングすることによって、第1の特定パターンの検出に応じて整流ブリッジを再構成することをさらに含む。このようにして、エネルギー蓄積素子およびエネルギー源を備える第2の回路を実質的に短絡するとともに整流ブリッジの出力をバイパスする第1の反転経路に沿って、電流が整流ブリッジ内で導通される。そして、整流ブリッジが再構成され、すなわち、第1の電流方向から第2の電流方向への電流方向の変化に応じて自己再構成を行うことが可能となることにより、整流ブリッジは、電流を第2の電流方向に対応する第2の整流性経路に沿って整流ブリッジの出力に導通させる。
検知信号における第1のパターンの検出は、ここに開示される教示による交流/直流コンバータに対する入力電圧のピークを検出する方法に基づいていればよい。ピークを検出するための上記方法は、ピーク検出器への入力信号を受信すること、入力信号の低い周波数範囲に対しては微分伝達特性を有するとともに高い周波数範囲に対しては積分伝達特性を有するフィルタで入力信号をフィルタリングして濾波信号を得ることを含むことにより、低い周波数範囲に主に周波数成分を有するピーク検出器への入力信号のピークが濾波信号の相対的に強い変動をもたらし、高い周波数範囲に主に周波数成分を有するピーク検出器への入力信号のピークは実質的に積分されて濾波信号の相対的に弱い変動をもたらす。検出するための方法はさらに、濾波信号を比較器閾値と比較すること、および濾波信号を比較器閾値と比較した結果に基づいて出力信号を生成することを含み、その出力信号は、比較器閾値に対する濾波信号の関係を示す。
図13は、交流/直流(AC−DC)コンバータに対する入力電圧のピークを検出する方法の模式フロー図を示す。ステップ1302において、ピーク検出器に対する入力信号が受信される。ステップ1304において、入力信号の低い周波数範囲に対しては微分伝達特性を有するとともに高い周波数範囲に対しては積分伝達特性を有するフィルタで、入力信号が濾波される。このようにして、濾波信号を得ることができる。低い周波数範囲に主に周波数成分を有するピーク検出器への入力信号のピークが、濾波信号の相対的に強い変動をもたらし、高い周波数範囲に主に周波数成分を有するピーク検出器への入力信号のピークは、実質的に積分されて濾波信号の相対的に弱い変動をもたらす。
図13に示す方法のステップ1306において、濾波信号は、比較器閾値と比較される。ステップ1308において、濾波信号を比較器閾値と比較した結果に基づいて、比較器閾値に対する濾波信号の関係を示す出力信号が生成される。
図14Aから22Bは、異なる周波数における三角波入力信号に対して、ピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。周波数は、2Hz,5Hz,10Hz,50Hz,100Hz,200Hz,1kHz,10kHzおよび50kHzである。同様に、図23Aから27Bは、異なる周波数における矩形波入力信号についての各部信号の波形を示す。
図14Aおよび14Bは、2Hzの三角波入力信号に対して、ピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。図14Aは、全ての信号を1つの線図で示す一方で、図14Bは、明瞭な表示のために各部信号を個別に示す。
入力信号Vinは周波数2Hzの三角波信号であり、チャンネル1(Ch1、2V/div)に示される。入力信号Vinは、図12におけるAC側端子1214および1216の間の電圧に対応する(Vinが圧電素子12によって出力される電圧に対応している図9も参照)。図14Aにおけるチャンネル2(Ch2)では、抵抗R1912とキャパシタC1914の間のノードの、基準電位(例えば、図9および12における圧電素子12の低圧側端子の電位)に対する電圧が示される。言い換えると、Ch2は、電圧Vin−VR1を示し、VR1(2V/div)は、図9および12における抵抗R912で降下される電圧である。電圧VR1も図14Aおよび14Bに示される。図14Aおよび14Bの図におけるチャンネル「Math」(2V/div)は、キャパシタC914で降下された電圧VC1を示す。入力信号Vinの周波数2Hzは比較的低いので、キャパシタ電圧VC1は入力電圧Vinの三角波形に実質的に追従できる。キャパシタ電圧VC1は、抵抗電圧VR1および逆並列ダイオード922,924の両端電圧V(図14Aおよび14Bの図においてCh3として示される)によって低減された入力電圧Vinである。ダイオード電圧Vはまた、フィルタの出力電圧であり、したがって、比較器930の入力部に印加される濾波入力電圧に対応する。ダイオード電圧は、2つのダイオード922,924の閾値電圧に起因して、約+/−200mVでクリップされる。ダイオード電圧Vはダイオード922,924の一方の閾値電圧となるか、その近傍の値となり、そのダイオードは通常は導通している、すなわち、電流が、抵抗R、キャパシタCおよび導通しているダイオード922または924の直列接続を介して流れることができる。さらに、この電流は、オームの法則VR1=R×Iによって抵抗電圧VR1に比例するので、図14Aおよび14BにおけるVR1の波形から決定できる。
なお、ダイオード電圧Vは、他方の閾値電圧に達するまでは、ピークが入力電圧Vinに発生した後の入力電圧Vinの変動に実質的に追従する。−260msと−210msの間の入力電圧Vinの傾きは、約4V/230ms=17.4V/sである。ダイオード電圧Vは、約370mV/20ms=18.5Vの傾きを有し、これは入力電圧Vinの変動に非常に良く一致する。言い換えると、入力電圧Vinのピークによって、ダイオード電圧Vが、入力電圧Vinにおけるピークの直前に導通していたダイオードの閾値電圧から逆並列ダイオード922,924の非導通電圧範囲に押し出される。したがって、ピーク検出器のフィルタ部分(抵抗R、キャパシタCおよび逆並列ダイオード922,924)を介して流れる電流が急峻にカットオフされることにより、キャパシタ914は、この期間中は充電または放電できなくなる。したがって、キャパシタ914は、そのキャパシタ電圧VC1を、入力電圧のピーク直前に到達した値に実質的に維持する。
測定は、ピーク検出器において1MΩの抵抗および3.3nFのキャパシタを用いて行われた。
比較器930の出力信号Vcompが、図14Aおよび14Bに、チャンネル4(Ch4、2V/div)で示される。比較器閾値は、基準電位に対して0Vであるので、通常、ダイオード電圧Vが0Vと交差するときに常に切り替わる(ダイオード電圧VDが非常に弱く、および/または非常に高い周波数である場合には、例外が適用されてもよく、その場合には、比較器930はそれ以上追従できない可能性がある)。
図15Aおよび15Bは、5Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。信号は図14Aおよび14Bの2Hzの場合と同様の波形を有するので、上記の説明がそのまま当てはまる。
図16Aおよび16Bは、10Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。信号はまだ前述と同様の波形を有するので、上記説明が参照される。なお、抵抗電圧VR1は、2Hzの場合においてよりも、10Hzの場合において大きい。さらに、抵抗電圧VR1の傾きは、入力電圧のピークの直前で相対的に小さく、入力電圧のピークの後で逆方向に相対的に高い。すなわち、これは、RC回路の充放電曲線に近似する。一方、キャパシタ電圧VC1は、まだ入力電圧Vinの三角波形に比較的似ているが、ピーク周辺の傾きが徐々に小さくなることにより、丸みのあるピークとなる。
図17Aおよび17Bは、50Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。この周波数では、RC回路で標準的な抵抗電圧VR1の指数関数的充放電波形がより明確となってくる。
図18Aおよび18Bは、100Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。
図19Aおよび19Bは、200Hzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。比較器930の出力部の転流によって、これらの事象において引き起こされたであろう−4.5ms、−2msおよび0.7ms付近のダイオード電圧Vにおける小さなスパイクに注目されたい。
図20Aおよび20Bは、1kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。
図21Aおよび21Bは、10kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。10kHzについての挙動を図14Aから20Bに示したような低い周波数についての挙動と比較すると、ダイオード電圧Vのゼロクロスに対する比較器930の反応が、相対的に遅く起こることがわかる。例えば、t=−74μsで、ダイオード電圧Vがゼロクロスして正となる。一方で、対応する比較器930の出力の転流は、t=−44μs、すなわち、30μs後にならないと発生しない。比較器930のこの遅延は、より低い周波数では無視できるものとされるが、10kHzでは、30μsの遅延は1期間サイクルの持続時間の30%に相当する。
図22Aおよび22Bは、50kHzの三角波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。この周波数では、キャパシタ914には充放電に充分な時間がないため、キャパシタ電圧VC1は実質的にゼロである。さらに、高い周波数では、キャパシタは一層短絡回路として挙動し、これが、キャパシタ電圧VC1がゼロに近くなる理由を説明している。ダイオード電圧Vはそれでも0Vで比較器閾値と交差する、この周波数(50kHz)では比較器930がこれらのゼロクロスに反応しないので、比較器出力電圧Vcompは、ハイレベルの5Vを維持する。
結論として、帯域通過フィルタは、ダイオードの動作に起因して全ての周波数範囲に対して迅速に一定のゲインを有する(Ch3電圧(すなわち比較器入力電圧でもあるダイオード電圧)は180mVと400mVの間である)。したがって、比較器の入力オフセット電圧に関する問題がなく、比較器がピーク検出器の出力に応答することができる。低い周波数に対しては、ピーク検出器は微分器として動作する(2Hz、5Hz、10Hz)。中間の周波数(200Hzから1kHz)に対しては、圧電信号と微分器出力の間の位相シフトが0度に近くなるので、圧電素子におけるピーク発生時にピーク検出器はその出力の極性を変えない。より高い周波数に対しては、位相シフトが開始して正でかつ0度よりも高い位相となり、比較器は正しく動作しない(10kHzおよび50kHz)。
測定は、ピーク検出器において1MΩの抵抗および3.3nFのキャパシタを用いて行われた。ダイオードは、約300mVの閾値電圧を有する。当然に、これらの値は例にすぎず、各構成要素に対して他の値が採用されてもよい。本説明を通じて示される全ての電圧値および周波数についても同じことがいえる。
従来のピーク検出器は、帯域通過フィルタではなく微分器を採用する。これは、他のピーク検出器と本提案によるピーク検出器との間の大きな差異である。単純な微分器は、90度の位相シフト中に低い利得を有し、これは比較器の入力オフセット電圧に起因する問題を引き起こす。図4の回路の提案者は、抵抗Rhysを付加してこの問題を解決しようとしたが、彼らは同時にゼロを加えたので、ピーク検出器は特定の周波数範囲に対して微分器として挙動するものの、それは非常に低い周波数(1Hz付近)から始まるものではない。さらに、高い周波数では、利得は、ピーク検出器が微分する範囲におけるものよりも高く、これは、ピーク誤検出をもたらすであろう。
図23Aおよび23Bは、5Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。抵抗電圧VR1およびキャパシタ電圧VC1は標準的なRC充放電波形を示す。周波数は、抵抗R912およびキャパシタC914によって構成されるRC回路の時定数と比べて相対的に低いので、導通しているダイオードの電圧降下を入力電圧から引いた電圧までキャパシタC914がほぼ完全に充電された後に、抵抗電圧VR1はゼロに近づく。
図24Aおよび24Bは、50Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。なお、特にt=−10msにおける+4Vから−4Vへの入力電圧の急峻な変動は、抵抗電圧VR1およびダイオード電圧Vに反映されるが、キャパシタ電圧VC1には反映されない。抵抗電圧VR1は約7.4V降下し、ダイオード電圧Vは約0.6V降下する。これは、ダイオード電圧を上方導通電圧範囲(約0.2Vと0.35Vの間)から下方導通電圧範囲(約−0.35Vと−0.2Vの間)に押し下げるのに充分であるので、ダイオードD922は導通状態から遮断状態となり、ダイオードD924は、遮断状態から導通状態となる。同時に、ダイオード電圧が0Vで比較器閾値と交差するので、比較器930は、比較器出力信号をロー(−5V)からハイ(+5V)に転流することで反応する。
図25Aおよび25Bは、200Hzの矩形波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。
図26Aおよび26Bは、1kHzの矩形波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。キャパシタ電圧VC1は比較的小さい(入力電圧Vinが急峻に+1Vから−1Vとなる時に発生するスプリアススパイクを無視する場合、ピークツーピークで約0.5V)。
図27Aおよび27Bは、10kHzの矩形波入力信号に対してピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。比較器の出力電圧Vcompは、比較器閾値電圧を超える、または下回るダイオード電圧V(すなわち、比較器930の入力電圧)に反応せずに、ハイレベル(+5V)のままであることがわかる。明らかに、ダイオード電圧Vは正から負に、およびその逆に、非常に速く変わるので、比較器930はもはや追従することができない。
図28は、入力電圧の急激な小さい変動および急激な大きな変動が発生した時のダイオードおよび比較器の電位、電圧および閾値を模式的に示す。太い横線は基準電位(REF.POTENTIAL)を示し、例えば、第2の入力端子1216の電位となる。基準電位は、回路のグランド電位である必要はないが、それであってもよい。いずれの場合でも、ダイオードD922および/またはD924は、そのまたはそれらの端子の一方で基準電位に接続される。図28は、1つのダイオードの場合の状況を示す。一般性を失うことなく、これはダイオードD922であるものとする。ダイオードDは、ダイオードDの閾値電圧(THR.DIODE)によって区切られる遮断範囲および導通範囲を有する。比較器930も、比較器出力電圧Vcompを転流する時を規定する閾値電圧(THR.COMP.)を有する。比較器閾値電圧は、ダイオード閾値電圧に対してマージン電圧VMARGINをもって、ダイオードの遮断範囲内となるように選択される。
ここで、ダイオードDの動作における2つの基本事例:入力電圧Vinの小さな急激な変動が発生する事例1と、入力電圧Vinの大きく急激な変動が発生する事例2とを区別することができる。
事例1:
入力電圧Vinは、ピーク検出器の第1の入力端子と第2の入力端子の間の電圧である。入力電圧Vinは、キャパシタ電圧VC1およびダイオード電圧V(図28では明瞭化のために除外されているが、可能性として抵抗電圧も)の合計である。ダイオード電圧Vは、ダイオードDがわずかに導通範囲にあるような電圧である。したがって、比較器入力端子はダイオード閾値THR.DIODEよりも若干高い電位にある。入力電圧の変動に起因して、第1の入力端子の電位は、最初は第1の値にあり、その後、比較的速く新たな値まで減少する。キャパシタ電圧VC1はほぼ一定であるので、入力電圧Vinのこの変動は、ダイオード電圧Vによって実質的に決まる。しかし、入力電圧Vinの変動は、比較器入力端子の初期電位と比較器閾値の間の差よりも小さいので、比較器入力信号が比較器閾値THR.COMP.と交差せず、比較器は比較器出力信号を切り替えない。
事例2:
入力電圧Vinの大きく急激な変動が発生し、この変動が、比較器入力端子の電位を比較器閾値THR.COMP.の電位以下にする。これによって比較器930は、比較器出力Vcompを転流、すなわち「切り替え(toggle)」る。なお、同じ変動振幅による入力電圧Vinの遅い変動の場合は、入力電圧Vinの変動が続く間に、その導通範囲内にあるダイオードDを経由して放電するのに充分な時間がキャパシタに与えられる可能性があることを注意しておく。ピーク検出器は、入力電圧Vinが増加しても、降下方向における入力電圧Vinの大きくかつ急激な変動が起こるとすぐに比較器出力信号Vcompを転流すると思われるので、自己阻止または自己禁止回路としてみることができる。
図29は、入力電圧の急激な小さい変動が発生したときの2つのダイオードおよび比較器の電位、電圧および閾値を模式的に示す。図29は、基準電位に対する第1のダイオードの閾値THR.DIODE1とほぼ対称な追加ダイオード閾値THR.DIODE2が示されている点で、図28と異なる。第1の事例では、比較器930の電位はダイオード1の導通範囲から比較器閾値THR.COMP.付近に低下するが、比較器閾値と交差することはない。これは、図28の事例1に対応する。図29に示される第2の事例では、比較器入力端子の電位は、当初はダイオード2の導通範囲にあり、これよりも低いレベルまで増加して、比較器閾値THR.COMP.と交差することはない。どちらの事例でも、比較器が反応を示すことはなく、すなわち、比較器出力Vcompはそれまでのレベルを保つ。
図30は、入力電圧の急激な大きな変動が発生した時の2つのダイオードおよび比較器の電位、電圧および閾値を模式的に示す。図30は図29に似ているが、ここでは、入力電圧の比較的大きく急激な変動が起こる。図30の左半分に図示される第1の事例では、比較器入力電圧は、ダイオード1(図9および12におけるD922)の導通範囲から比較的速く減少し、それにより比較器閾値THR.COMPと交差するので、比較器930が比較器出力Vcompを切り替えることをトリガする。図30の右半分に図示される第2の事例では、比較器入力端子は当初は第2のダイオード(図9および12におけるD924)の導通範囲に電位を有する。再度になるが、入力電圧Vinの変動は、比較器入力端子の電位が比較器閾値THR.COMP.と交差するのに充分に大きく、それにより、比較器930が比較器出力信号Vcompを転流する。
図31は、本発明の少なくともいくつかの実施形態によるピーク検出器の模式回路図を示す。この実施では、ピーク検出器は、キャパシタC914、ダイオードD922および比較器930を備える。このピーク検出器では、入力電圧が正である間に、入力電圧Vinにおけるピークを検出することができる。負の入力電圧は、通常はダイオードD922によって遮断される。
図32は、本発明の少なくともいくつかのさらなる実施形態によるピーク検出器の模式回路図を示す。この実施では、ピーク検出器は、キャパシタC914、ダイオードD922、比較器930に加え、キャパシタC914に直列接続された抵抗R912を備える。ここでも、入力電圧が正である間は、入力電圧Vinにおけるピークのみを検出することができる。負の入力電圧は、通常はダイオードD922によって遮断される。
図33は、本発明の少なくともいくつかのさらなる実施形態によるピーク検出器の模式回路図を示す。この実装では、ピーク検出器は、キャパシタC914、ダイオードD922および追加ダイオードD924を備える。このピーク検出器では、ピークが、特に周波数および振幅に関して、ピーク検出器によって検出されるべきピークの基準を満たす場合に、正および負の双方のピークを検出することができる。
図34Aおよび34Bは、ピーク検出器がフィルタ除去できる小さなスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対して、ピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。
図35Aおよび35Bは、やはりピーク検出器がフィルタ除去できる他のスプリアスピークを有する5Hzの任意の入力信号に対して、ピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。
図36Aおよび36Bは、もはやピーク検出器がフィルタ除去できない比較的大きな付加的なピークを有する5Hzの任意の入力信号に対して、ピーク検出器で発生する各部信号の波形を示す。
いくつかの側面について装置として説明したが、それらの側面は対応する方法の説明も表し、ここで、ブロックまたはデバイスは方法のステップまたは方法のステップの特徴に対応することは明らかである。同様に、方法のステップとして説明した側面は、対応の装置の対応のブロック、項目または特徴の説明も表す。方法のステップの一部または全部は、例えば、マイクロプロセッサ、プログラマブルコンピュータまたは電子回路のようなハードウェア装置によって(またはそれを用いて)実行することができる。実施形態によっては、最も重要な方法ステップのある1以上が、そのような装置によって実行されるようにしてもよい。
上述した実施形態は本発明の原理の単なる説明にすぎない。ここに記載した構成および詳細の変形例およびバリエーションは、当業者には明らかなものである。したがって、本発明は、実施形態の詳述および説明としてここに提示された具体的詳細によってではなく、以下の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。

Claims (11)

  1. 同期スイッチ・ハーベスティング・オン・インダクタ型コンバータ用ピーク検出器(900)であって、
    比較器(930)と、
    前記ピーク検出器の入力に接続された圧電素子の電圧ピークを検出し、電圧ピーク誤検出を除去するフィルタ(905)と、
    を備え、
    前記フィルタ(905)は、前記圧電素子の出力電圧を濾波して前記比較器(930)の入力に濾波信号を供給する構成であり、低い周波数に対しては微分伝達特性を、高い周波数に対しては積分伝達特性を有し、これにより、低い周波数に対しては圧電電圧のピークを検出し、高い周波数を有する誤ったピークの検出は排除する構成を有し、
    前記フィルタ(905)は、
    前記ピーク検出器の第1の入力を前記比較器(930)の第1の入力に接続し、エネルギー蓄積動作を呈するエネルギー蓄積回路(910)と、
    前記ピーク検出器の第2の入力を前記比較器(930)の前記第1の入力に接続するクリッパ回路(920)と、
    を備え、
    前記クリッパ回路(920)は、前記ピーク検出器の前記第1の入力と前記第2の入力の間の入力電圧が前記電圧範囲外にあるときでも、両端のクリッパ回路電圧を少なくとも1つのクリップ閾値で規定される電圧範囲内に維持する構成を有し、
    前記比較器(930)の比較器閾値電圧は前記電圧範囲内であって、前記比較器の前記第1の入力と前記比較器の第2の入力との間の比較器入力電圧は、前記クリッパ回路電圧に基づいており、
    前記エネルギー蓄積回路(910)は、前記エネルギー蓄積動作によって、前記クリップ閾値を超える前記クリッパ回路電圧を前記電圧範囲に抑え、それにより、前記入力電圧におけるピークに応じて前記比較器入力電圧を前記比較器閾値に交差させて、前記比較器(930)の出力がそのピークを信号エッジとして示すようにする構成を有する
    ピーク検出器(900)。
  2. 請求項に記載のピーク検出器(900)において、前記エネルギー蓄積回路(910)は、キャパシタ(914)と抵抗(912)とを備え、前記キャパシタ(914)は、電荷を蓄積することによって前記エネルギー蓄積動作を与える構成を有する、ピーク検出器(900)。
  3. 請求項に記載のピーク検出器(900)において、ピークへの応答時には、前記キャパシタ(914)の両端のキャパシタ電圧が比較的遅く変化し、これにより、前記比較器(930)の前記第1の入力における電圧がそのピークに実質的に追従して、前記クリッパ回路電圧が前記クリップ閾値から前記クリッパ回路(920)の前記電圧範囲に押しやられるようにする、ピーク検出器(900)。
  4. 請求項からのいずれか1項に記載のピーク検出器において、前記クリッパ回路(920)は、前記クリッパ回路電圧が前記クリップ電圧でないときには遮断状態となり、前記クリッパ回路電圧が前記クリップ電圧と同じまたはそれを超えると非遮断状態となる構成を有する、ピーク検出器。
  5. 請求項からのいずれか1項に記載のピーク検出器(900)において、前記クリッパ回路(920)は、2つの逆並列ダイオード(922、924)または2つのダイオード様特性を有する逆並列素子を備える、ピーク検出器(900)。
  6. 請求項からのいずれか1項に記載のピーク検出器(900)において、
    前記クリップ閾値は上方クリップ閾値であり、前記電圧範囲が下方クリップ閾値によってさらに規定され、
    前記クリッパ回路(920)は、前記ピーク検出器の前記第1の入力部と前記第2の入力部の間の入力電圧が前記下方クリップ閾値を下回ときに、前記クリッパ回路電圧を前記下方クリップ閾値に維持する構成を有し、
    前記クリッパ回路(920)はさらに、前記ピーク検出器の前記第1の入力部と前記第2の入力部の間の入力電圧が前記上方クリップ閾値を上回ときに、前記クリッパ回路電圧を前記上方クリップ閾値に維持する構成を有する、
    ピーク検出器(900)。
  7. 交流を直流に変換するコンバータ(1200)であって、請求項1からのいずれか1項に記載のピーク検出器(900)を備えたコンバータ(1200)。
  8. ピーク検出器であって、
    ピーク検出の対象となる入力電圧に接続される構成の第1の入力端子および第2の入力端子と、
    比較器入力端子を備え、基準電位に関連する比較器閾値電圧を有する比較器と、
    前記第1の入力端子と前記比較器入力端子の間に接続されたキャパシタと、
    前記比較器入力端子と前記第2の入力端子の間に接続されたダイオードと、
    を備え、
    前記ダイオードは、前記基準電位に関連して、そのダイオードが導通する導通範囲とそのダイオードが遮断状態となる遮断範囲との境界を規定するダイオード閾値電圧を有し、導通時には、ダイオード電圧が前記ダイオード閾値電圧付近の値となり、
    前記ダイオード閾値電圧は前記比較器閾値電圧とマージン電圧分だけ異なり、前記比較器閾値電圧は前記ダイオードの前記遮断範囲内ある、
    ピーク検出器。
  9. 請求項に記載のピーク検出器において、
    急激な電圧変化に対する前記キャパシタの慣性に起因して、前記入力電圧の電圧変動の大部分が前記キャパシタにより前記ダイオードに流れ、これにより、前記ダイオード電圧がそれまで前記導通範囲にあった場合には、前記ダイオード電圧が前記導通範囲から前記遮断範囲になり、
    前記マージン電圧に起因して、前記マージン電圧よりも小さい電圧変動は、比較器入力電圧を前記比較器閾値電圧と交差させることはない
    ピーク検出器。
  10. 請求項またはに記載のピーク検出器において、
    前記ダイオードに逆並列接続された追加ダイオードを備え、
    前記追加ダイオードは、前記基準電位に関連して、前記追加ダイオードの導通範囲と前記ダイオードおよび前記追加ダイオードの双方が遮断される遮断範囲との境界を規定する追加ダイオード閾値電圧を有し、前記追加ダイオードの導通時には、前記追加ダイオードのダイオード電圧が、前記追加ダイオード閾値電圧付近の値となる、
    ピーク検出器。
  11. 請求項から10のいずれか1項に記載のピーク検出器において、前記第1の入力端子と前記比較器入力端子との間に、前記キャパシタに直列接続された抵抗をさらに備えるピーク検出器。
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