JP5832059B2 - 圧力測定装置 - Google Patents
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- 内燃機関のチャンバに配置するための圧力測定装置(1)であって、
ケーシング(3)が設けられており、力伝達エレメント(2)が設けられており、該力伝達エレメント(2)が、部分的にケーシング(3)から突出しており、該力伝達エレメント(2)は加熱エレメント(2)によって形成されており、該加熱エレメント(2)の電気コンタクトはグロー電流線路(6)を介して行われるようになっており、少なくとも1つの圧力センサ(10)が設けられており、該圧力センサ(10)が、ケーシング(3)の内室(8)に配置されており、圧力センサ(10)が、一方では少なくとも間接的に力伝達エレメント(2)と作用接続していて、かつ、他方では少なくとも間接的に固定エレメント(15)に支持されている形式のものにおいて、
圧力センサ(10)が、基板(25)と、少なくとも1つの、該基板(25)上に取り付けられた圧電性の薄層(26)とを備えており、
前記圧力センサ(10)は円筒リング形に形成されており、
前記圧力センサ(10)はリング形に形成された第1のコンタクトエレメント(11)と第2のコンタクトエレメント(12)との間に配置されており、
薄層(26)上に取り付けられた電極上層(28)が設けられており、該電極上層(28)が、薄層(26)の電気コンタクトに役立つよう構成されており、
前記グロー電流線路(6)は、円筒リング形の前記圧力センサ(10)を貫通してガイドされており、
前記固定エレメント(15)は筒状に形成されていて、その内側の空間に前記グロー電流線路(6)と共に前記第1及び第2のコンタクトエレメント(11,12)に接続された測定線路(16,17)が配置されていることを特徴とする、圧力測定装置。 - 基板(25)が、導電性の基板(25)として形成されている、請求項1記載の圧力測定装置。
- 基板(25)が、金属製の基板(25)として形成されている、請求項2記載の圧力測定装置。
- 基板(25)が、少なくとも部分的に高濃度ドーピングされた半導体から形成されている、請求項2記載の圧力測定装置。
- 薄層(26)が、直接的に基板(25)上に取り付けられている、請求項1から4までのいずれか1項記載の圧力測定装置。
- 前記電極上層(28)の表面(29)に接触する第1のコンタクトエレメント(11)を備え、該第1のコンタクトエレメント(11)はリング形に形成されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の圧力測定装置。
- 薄層(26)が、少なくとも1つの圧電性の窒化金属を有している、請求項1から6までのいずれか1項記載の圧力測定装置。
- 薄層(26)が、少なくとも1つの圧電性の酸化金属を有している、請求項1から6までのいずれか1項記載の圧力測定装置。
- 薄層(26)の結晶構造のC軸が、力伝達エレメント(2)から圧力センサ(10)への力導入の方向(20)に対して少なくとも実質的に平行に方向付けされている、請求項8記載の圧力測定装置。
- 薄層(26)が、石英、ランガサイトまたはLiBNO3を有している、請求項1から7までのいずれか1項記載の圧力測定装置。
- 圧力センサ(10)が、マイクロ技術のエッチング方法によって製作されている、請求項1から10までのいずれか1項記載の圧力測定装置。
- 前記圧力測定装置(1)が、空気圧縮式で自己点火式の内燃機関のための圧力測定グロープラグである、請求項1記載の圧力測定装置。
- 前記圧電性の窒化金属は窒化アルミニウムである、請求項7記載の圧力測定装置。
- 前記圧電性の酸化金属は酸化亜鉛である、請求項8記載の圧力測定装置。
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