JP5829314B2 - フォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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- 珪素含有膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記珪素含有膜をDCスパッタリング法により成膜する工程を備え、
前記珪素含有膜を、FZ法で育成されたn型の単結晶シリコンであって、室温における比抵抗が20Ω・cm以上であって、DCスパッタリングが可能な比抵抗範囲にある単結晶シリコンを珪素ターゲット材として用いて成膜する、
ことを特徴とするフォマスクブランクの製造方法。 - 前記珪素含有膜の成膜を、酸素および窒素の少なくとも一方を含有する反応性ガスを含む雰囲気中で実行する、請求項1に記載のフォマスクブランクの製造方法。
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