JP5828429B2 - 光陰極高周波電子銃空洞装置 - Google Patents
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Description
無酸素銅材の切削加工によって粗空洞セルを作製し、該空洞セル内面に単結晶ダイヤモンド工具を用いて精密切削及び精密研磨を施すことによって加速高周波高電界に適した定在波の波面形状に近似した曲面形状を有するハーフセル5及びフルセル6を作製した。作製した空洞セルの頭頂部近傍及びアイリスにおける曲面形状は円孤で作られる曲面であり曲率半径Rは、5mm≦R≦20mmの範囲にあった。作製した空洞セル内面の表面粗さ(算術平均粗さ)を測定した結果、表面粗さが0.05μm以下であることを確認した。表面粗さは、表面粗さ・輪郭形状測定器(株式会社ミツトヨ製造:ミツトヨフォームトレーサーCS−5000)を用いて測定した。上記ハーフセル5とフルセル6を連結加工することによって1.5個のセルを有した新型の高周波加速空洞1(全長約25cm)を作製した。該高周波加速空洞1のハーフセル側の端部に市販の光陰極7(住友重機械工業株式会社製造:Cu光陰極)を設け、該高周波加速空洞1の電子ビーム取り出し口4にレーザー入射ポート9を設け、該高周波加速空洞1のフルセル6の側部に高周波電力入力カプラーポート10を設け、該高周波加速空洞1の側部に真空排気ポート11を設け、及び該高周波加速空洞1のハーフセル5及びフルセル6の側部に市販の容量型高周波共振チューナー12(住友重機械工業株式会社製造:T1342)を設けることによって図7に示すような光陰極高周波電子銃空洞装置(実施例1)を作製した。上記高周波共振チューナー12は、各セルの側部にそれぞれ2個設けた。上記装置を用いて電子ビーム発生実験を行った。その結果、高周波加速空洞1における高周波電界強度は約110MV/m、Q値は約8800、暗電流は約3000ピコアンペア、発生電子ビームの電荷量は1パルス当たり約0.01マイクロクーロン、平均電流は約0.1マイクロアンペアであった。この結果から、本実施例1の光電子高周波加速空洞装置によって従来のBNL型高周波加速空洞装置よりも高周波電界強度を約1.1倍向上させ、Q値を約1.1倍向上させ、暗電流を約3.3分の1に低減させ、発生電子ビームの電荷量を約10倍向上させ、平均電流を約2倍向上させることが可能であることがわかった(100 bunches/pulse、10Hz運転)。
実施例1における市販の光陰極7の代わりに着脱交換可能な光陰極プラグ14を設けた図8に示すような光陰極高周波電子銃空洞装置(実施例2)を用いて電子ビーム発生実験を行った。着脱交換可能な光陰極プラグ14として、非特許文献6、及び7に記載のCs2Te蒸着光陰極プラグを作製し、これを用いた。その結果、高周波加速空洞1における高周波電界強度は約120MV/m、Q値は約11000、暗電流は約1000ピコアンペア、量子効率は約2%、発生電子ビームの電荷量は1パルス当たり約0.3マイクロクーロン、平均電流は約3マイクロアンペアであった。この結果から、着脱交換可能な光陰極プラグ14(Cs2Te)を設けた本実施例2の光陰極高周波電子銃空洞装置によって、実施例1の結果よりもさらに暗電流を約3分の1に低減させ、発生電子ビームの電荷量を約30倍向上させ、平均電流を約30倍向上させることが可能であることがわかった(100bunches/pulse、10Hz運転)。
実施例1における市販の光陰極7の代わりに導電性のRFコンタクターを付帯する着脱交換可能な光陰極プラグ15を設けた図9に示すような光電子高周波加速空洞装置(実施例3)を用いて電子ビーム発生実験を行った。導電性のRFコンタクターを付帯した着脱交換可能な光陰極プラグ15として、非特許文献6に記載の導電性RFコンタクターを付帯したCs2Te蒸着光陰極プラグを作製し、これを用いた。その結果、高周波加速空洞1における高周波電界強度は約120MV/m、Q値は約12000、暗電流は約100ピコアンペア、量子効率は約2%、発生電子ビームの電荷量は1パルス当たり約0.5マイクロクーロン、平均電流は約5マイクロアンペアであった。この結果から、導電性のRFコンタクターを付帯した着脱交換可能な光陰極プラグ15(Cs2Te)を設けた本実施例3の光陰極高周波電子銃空洞装置によって、実施例1の結果よりもさらに暗電流を約30分の1に低減させ、発生電子ビームの電荷量を約50倍向上させ、平均電流を約50倍向上させることが可能であることがわかった(50bunches/pulse、10Hz運転)。
実施例1における市販の挿入式高周波共振チューナー12の代わりに非挿入式高周波共振チューナー16を設けた図10に示すような光陰極高周波電子銃空洞装置(実施例4)を用いて電子ビーム発生実験を行った。該非挿入式高周波共振チューナー16は、各セルの側部に4個設けた。非挿入式高周波共振チューナー16として、特許文献7に記載の非挿入式高周波共振チューナーを作製し、これを用いた。その結果、高周波加速空洞1における高周波電界強度は約130MV/m、Q値は約13000、暗電流は約1000ピコアンペア、発生電子ビームの電荷量は1パルス当たり約0.25マイクロクーロン、平均電流は約2.5マイクロアンペアであった。この結果から、非挿入式高周波共振チューナー16を設けた本実施例4の光陰極高周波電子銃空洞装置によって、実施例1の結果よりもさらに高周波電界強度を約1.2倍向上させ、Q値を約1.5倍向上させ、暗電流を約30分に1以下に低減させ、発生電子ビームの電荷量を約25倍向上させ、平均電流を約25倍向上させることが可能であることがわかった(500bunches/pulse、10Hz運転)。
実施例1における市販の光陰極7の代わりに導電性RFコンタクターを付帯した着脱交換可能な蒸着光陰極プラグ15を設けると共に、実施例1における市販の挿入式高周波共振チューナー12の代わりに非挿入式高周波共振チューナー16を設けた図11に示すような光陰極高周波電子銃空洞装置(実施例5)を用いて電子ビーム発生実験を行った。導電性のRFコンタクターを付帯する着脱交換可能な光陰極プラグ15は実施例3と同様であり、又、非挿入式高周波共振チューナー16は実施例4と同様である。非挿入式高周波共振チューナー16は、各セルの側部に4個設けた。その結果、高周波加速空洞1における高周波電界強度は約140MV/m、Q値は約15000、暗電流は約100ピコアンペア、光陰極の量子効率は約2%、発生電子ビームの電荷量は1パルス当たり約9マイクロクーロン、平均電流は約90マイクロアンペアであった。この結果から、導電性のRFコンタクターを付帯した着脱交換可能な光陰極プラグ15(Cs2Te)及び非挿入式高周波共振チューナー16を設けた本実施例5の光陰極高周波電子銃空洞装置によって、実施例1の結果よりもさらに高周波電界強度を約1.3倍向上させ、Q値を約1.7倍向上させ、光陰極の量子効率を約1000倍向上させ、暗電流を約30分の1以下に低減させ、発生電子ビームの電荷量を約900倍向上させ、平均電流を約900倍向上させることが可能であることがわかった(3000 bunches/pulse、10Hz運転)。
2 高周波加速空洞の端部
3 高周波加速空洞の側部
4 電子ビーム取り出し口
5 ハーフセル
6 フルセル
7 光陰極
8 光陰極面
9 レーザー入射ポート
10 高周波電力入力カプラーポート
11 真空排気ポート
12 高周波共振チューナー
14 光陰極プラグ
15 RFコンタクターを付帯した光陰極プラグ
16 非挿入式高周波共振チューナー
17 ソレノイド
18 偏向磁石
22 ハウジング
22a ハウジングの周壁部
24 空洞内部を外部から観察するためのビューポート
26 ガイド部材
Claims (3)
- BNL型高周波加速空洞により構成される光陰極高周波電子銃空洞装置において、
空洞セル内面の形状を加速高周波電界に適した定在波の波形に近似した平滑な曲面形状とするために、三角関数曲線、円弧、楕円、及び放物線のうち何れかの曲線で形作られる曲面形状を内面に持つ空洞セルを複数個連結した高周波加速空洞と、
前記空洞セルを複数個連結した高周波加速空洞の端部に設けられた光陰極と、
前記高周波加速空洞の電子ビームの取り出し口の後方において、前記光陰極に対向する位置に設けられ該光陰極に供給されるレーザー光の前記高周波加速空洞内への入射に用いられるレーザー入射ポートと、
前記高周波加速空洞の側部に設けられ、該高周波加速空洞内への高周波電力の入力に用いられる高周波電力入力カプラーポートと、
前記高周波加速空洞の側部に設けられ、該高周波加速空洞の真空排気に用いられる真空排気ポートと、
前記高周波加速空洞の側部に設けられ、前記空洞セルにおける高周波の共振周波数の調節に用いられる高周波共振チューナーと、を備え、
前記空洞セルの内面は、鋭角部を有さない前記曲面形状のみで構成され、前記空洞セルの頭頂部及び該空洞セルの連結部であるアイリスの各コーナー及び各エッジは曲面形状を成しており、その曲率半径Rは5mm≦R≦20mmの範囲にあって、且つ前記空洞セルの内面の表面粗さが0.05μメートル以下であることを特徴とする光陰極高周波電子銃空洞装置。 - 前記光陰極が、前記高周波加速空洞との接触部分において導電性のRFコンタクターを付帯し且つCs2Teの陰極面を持つ光陰極プラグであり、
前記高周波共振チューナーが、前記空洞セル内に周波数調整ロッドを挿入することなく前記空洞セルにおける前記共振周波数を外部から機械的に調整するように前記高周波加速空洞の側部に設けられた非挿入式高周波共振チューナーである、ことを特徴とする請求項1に記載の光陰極高周波電子銃空洞装置。 - レーザー逆コンプトン散乱によるX線発生装置の電子源装置として用いられるために3キロワット以上のマルチバンチ電子ビームを生成することができることを特徴とする請求項2に記載の光陰極高周波電子銃空洞装置。
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