JP5823807B2 - 水素透過膜及びこれを利用した水素分離方法 - Google Patents

Description

本発明は、水素透過膜及びこれを利用した水素分離方法に関し、より詳細には水素透過性Ｃｕ−Ｐｄ合金層を備えた水素透過膜及びこれを利用した水素分離方法に関する。

水素の用途は広く、例えば石油精製分野では脱硫剤として、化学工業分野ではアンモニアやメタノールをはじめとする各種化学品の原料として、半導体分野では還元雰囲気ガスとして、燃料電池分野では燃料として利用されている。

水素の製造技術としては、炭化水素や石炭から水素を製造する水蒸気改質法が知られており、例えば金属触媒下、７００〜８００℃の高温で水蒸気をメタンと反応させ、一酸化炭素と水素を得るという方法がある。一酸化炭素は更にシフト反応により、二酸化炭素に変換される。水素及び副生成物を含む混合ガスから水素を分離・精製する方法としては水素透過膜を利用する方法が知られている。水素透過膜は水素のみを選択的に透過する特性を有しており、水素透過膜の一方の面（一次側）に対して混合ガスで加圧すると、水素だけが水素透過膜中に溶け込んで拡散し、反対側の面（二次側）に到達することができる。このようにして混合ガスから水素を分離することにより、水素を高純度に精製できる。

最近では、水素透過膜と改質器を組み合わせることで、水素の生成反応と水素の分離・精製を同時に行うメンブレンリフォーマー技術の開発が進んでいる。これは、シフト反応器や一酸化炭素の選択除去を必要としないことから新たな水素製造方法として期待されている技術であり、改質触媒を利用して５５０〜６５０℃程度の従来に比べて低温でしかも高い改質効率で改質反応を進行させることができるという利点がある。

パラジウムは水素の選択透過性を有していることから、水素透過膜の材料としてパラジウムを主体とする合金が使用されており、その中でもＰｄ−Ｃｕ合金というのが知られている。特表２００２−５３９９１８号公報（特許文献１）では６０重量％のパラジウムと４０重量％の銅の合金を水素透過膜として使用したことが記載されている。特開２００１−２６２２５２号公報（特許文献２）では、Ｐｄを主成分としてＣｕを０〜２０ａｔ％添加することで水素脆化を抑制することが記載されている。特開２００４−１７４３７３号公報（特許文献３）ではＣｕはＰｄを合金化して強度を向上させ、水素脆化を抑制する効果があり、水素ガスが４００℃以上になりうる水素ガス精製・分離装置に適用するには、高温強度を維持できるようにＰｄを主成分としてＣｕを１〜４０ａｔ％含んだ合金組成とすることが好ましいとされている。
一方、貴金属Ｐｄを代替するために、Ｐｄを使用しない透過膜（非Ｐｄ系水素透過膜）の開発も鋭意行われており、Ｖ合金、Ｎｂ合金、金属ガラス、アモルファス等が発表されている。これらの非Ｐｄ系水素透過膜は表面の酸化等により、水素解離活性が乏しく、Ｐｄ、Ｐｄ-Ａｇ合金またはＰｄ-Ｃｕ合金層を両面に形成することで、水素解離性を付与させている。

特表２００２−５３９９１８号公報 特開２００１−２６２２５２号公報 特開２００４−１７４３７３号公報

上記先行技術文献に記載されているように、Ｐｄ−Ｃｕ合金は水素透過膜用の材料として有望であるが、Ｐｄ−Ｃｕ合金は高温下における水素透過性が極端に低下するという問題がある。すなわち、Ｐｄ−Ｃｕ合金は５００℃程度までは水素透過性に大きな変化は見られないが、６００℃近くまで加熱すると一桁近くも水素透過係数が減少する。これは、水素解離活性を付与するために、表面に極薄くＰｄ−Ｃｕ層を形成する場合であっても、非Ｐｄ系水素透過膜全体を通しての水素透過性を低下させる原因となる。特に６００℃程度の高温では、解離結合などの水素の表面反応よりも膜中の水素の拡散が律速工程に近くなるため、０．１μｍ程度の膜厚でも、表面のＰｄ−Ｃｕ層の水素透過性が水素透過膜全体を通しての水素透過性に大きく影響する。従って、Ｐｄ−Ｃｕ層を高温での水素解離層として用いるためには、高温での水素透過性の低下を改善することが求められている。

上述したように、水素製造のための改質反応は高温で行う必要があることから、高温下における水素透過率は特に優れていることが望ましい。特に６００℃付近というのはメンブレンリフォーマー技術の実用化を進める上でも重要であることから、この温度付近における水素透過率を高める必要性が存在する。

そこで、本発明は高温下での水素透過率に優れた水素透過膜を提供することを課題の一つとする。また、本発明はそのような水素透過膜を利用した水素含有ガスからの水素分離方法を提供することを別の課題の一つとする。

本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねたところ、非Ｐｄ系合金層、及び、非Ｐｄ系合金層の両表面に形成された水素透過層を形成し、水素透過層を構成する合金を、所定の組成をもつＣｕ−Ｐｄ合金に対してアルミニウムを所定量含有させて形成することで、高温特性が有意に改善することを見出した。

上記知見を基礎として完成した本発明は一側面において、非Ｐｄ系合金層、及び、前記非Ｐｄ系合金層の両表面に形成された水素透過層を備え、前記水素透過層の少なくとも一方の厚みが０．０２〜１μｍであり、前記水素透過層はＣｕ、Ｐｄ及びＡｌで構成される水素透過性銅合金で形成され、前記合金が、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌの原子濃度（ａｔ％）をそれぞれ［Ｃｕ］、［Ｐｄ］及び［Ａｌ］とすると、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝４１〜５０、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝０．０５〜４．０であって、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）
の関係を満たす水素透過膜である。

本発明に係る水素透過膜は一実施形態において、前記水素透過層を形成する水素透過性銅合金が、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝４４〜４７、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝０．５〜１．５の関係を満たす。

本発明は別の一側面において、水素含有ガスが本発明に係る水素透過膜を通過する工程を含む水素含有ガスからの水素分離方法である。

本発明に係る水素分離方法は一実施形態において、水素含有ガスが水素透過膜を５５０〜６５０℃の温度で通過する工程を含む。

本発明によれば、とりわけ６００℃付近における高温特性に優れた水素透過膜を得ることができる。また、Ｐｄは貴金属であり高価であるところ、本発明に係る水素透過膜の水素透過膜の組成に占めるＰｄの割合は原子比でＣｕ以下であることから、従来に比べて安価に製造できるようになる。

実施例において水素透過係数を求めた測定系の概略図を示す。 実施例において採用した組成範囲を示す。 実施例において、加熱温度を変化させたときの水素透過係数の推移を示した図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。

本発明に係る水素透過膜は、水素及び副生成物を含む混合ガスから水素を分離・精製するための水素分離装置の水素分離部に設けられる。水素透過膜は、非Ｐｄ系合金層、及び、非Ｐｄ系合金層の両表面に形成された水素透過層を備えている。非Ｐｄ系合金層は、気体が通過することのできる気体透過性を有している材料で形成されており、例えば、Ｖ合金、Ｎｂ合金等で形成することができる。非Ｐｄ系合金層は、例えば、１〜２００μｍ厚に形成することができる。特に、Ｐｄ合金層としてＰｄ−Ｃｕ合金を用いることで、硫黄への耐性や水素脆性への耐性を得ることができる。

水素透過層は、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌで構成される水素透過性銅合金で形成されている。該Ｃｕ−Ｐｄ合金は、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌの原子濃度（ａｔ％）をそれぞれ［Ｃｕ］、［Ｐｄ］及び［Ａｌ］とすると、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝４１〜５０、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝０．０５〜４．０を満たす組成を有する。

本発明においては、原子濃度は、一定の質量の銅合金に含まれるＣｕのモル数、Ｐｄのモル数及びＡｌのモル数を求め、
［Ｃｕ］＝（Ｃｕのモル数）／（Ｃｕのモル数＋Ｐｄのモル数＋Ａｌのモル数）
［Ｐｄ］＝（Ｐｄのモル数）／（Ｃｕのモル数＋Ｐｄのモル数＋Ａｌのモル数）
［Ａｌ］＝（Ａｌのモル数）／（Ｃｕのモル数＋Ｐｄのモル数＋Ａｌのモル数）
で計算される。

Ｃｕ−Ｐｄ合金に対してアルミニウム（Ａｌ）を少量添加すると、６００℃付近の高温下における水素透過率が向上するという効果があり、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が０．０５以上になるとその効果が有意に表れてくる。ただし、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が４．０を超えると今度は水素透過率の向上効果がほとんどなくなり、逆に悪化するケースもある。そこで、本発明では［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００は０．０５〜４．０と規定している。

パラジウム（Ｐｄ）は、アルミニウム（Ａｌ）が存在しない系においては、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が５０以上となる濃度に設定したほうが６００℃付近の高温下における水素透過率は向上する傾向にあるが、本発明者の検討結果によれば、アルミニウムを含む系においては、上記の４１〜５０の範囲が６００℃付近の高温下における高い水素透過率を得る観点で好ましく、５０を超えると逆に水素透過率が低下していく傾向にある。

パラジウムの濃度が高いときには６００℃付近の高温下における最も高い水素透過率を得ることのできるアルミニウム濃度は高い方へシフトする傾向にある。逆に、パラジウムの濃度が低いときには６００℃付近の高温下における最も高い水素透過率を得ることのできるアルミニウム濃度も低い方へシフトする傾向にある。そのため、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が４７を超える範囲では［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００は１．５を超えることが好ましく、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が４７以下の範囲では［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００は１．５以下とすることが好ましい。６００℃付近で特に高い水素透過率を示すパラジウム濃度とアルミニウム濃度の組み合わせは、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が４４〜４７、且つ、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００が０．５〜１．５である。

同様に、パラジウムの濃度が高いときには所望の効果を発揮する上で許容されるアルミニウム濃度も高くなる傾向にあり、パラジウムの濃度が低いときには許容されるアルミニウム濃度も低くなる傾向にある。本発明者の検討結果によれば、６００℃付近の高温下において優れた水素透過率を得るためには、銅、パラジウム及びアルミニウムの原子比の関係として次式：
［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）
を満たすことが必要である。

本発明の水素透過層を形成する銅合金は、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌの三成分で構成されており、他の元素を積極的に含有させることはないが、製造過程で混入する不可避的不純物のように他の元素が極微量含有していても構わないため、そのような場合も本発明の範囲とする。他の元素の許容値は一概には決定できないが、６００℃付近における水素透過係数に有意な悪影響を与えない程度の場合（例：水素透過係数の低下率が５％以下）、例えばＣｕ、Ｐｄ及びＡｌの合計に対してそれぞれ１ａｔ％以下の濃度で混入している場合には有意な悪影響はないと考えられる。他の元素としては、限定的ではないが、水素透過層への添加元素として公知であるＧａ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｇ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕが挙げられる。

本発明に係る水素透過膜は、水素透過層を形成する銅合金がこのようにＡｌを所定量添加したＣｕ−Ｐｄ合金であり、６００℃付近における水素透過率がＡｌを添加しない場合よりも有意に高い。このため、当該温度付近で水素含有ガスから水素を分離することが要求される場合に好適に使用できる。

本発明に係る水素透過膜は、限定されるものではないが、アーク炉での合金作製と圧延によって所定の厚さの非Ｐｄ系合金層を作製し、続いて、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌが所定の原子比を満足する組成となるように成分調整したＣｕ−Ｐｄ−Ａｌ合金をスパッタリングターゲットとして、非Ｐｄ系合金層の両面に所定の条件でスパッタリングを行うことで作製することができる。

非Ｐｄ系水素透過膜表面に水素解離性を付与するための水素透過層であるＰｄ合金層は、薄い方が貴金属Ｐｄ量が少なくなり好ましい。ただし、薄すぎると非Ｐｄ系水素透過膜の表面に対するバリアとしての機能が維持できなくなる。０．１μｍ程度のＰｄ合金層の場合、３００℃では水素解離結合の表面反応が律速過程であるが、６００℃の高温では膜内の水素拡散の影響が無視できなくなる。従って、高温ではＰｄＣｕ水素解離活性は表面のＰｄ合金層の膜厚は０．０２〜１μｍとするのが好ましく、０．０５〜０．３μｍとするのがより好ましい。膜厚はスパッタ電力と時間を制御することで調節可能である。

本発明に係る水素透過モジュールを利用して水素含有ガスから水素を分離する方法は、水素含有ガスが水素透過モジュールを通過する工程を含む。一般的には、水素透過モジュールの一方の面（一次側）に水素を含有する混合ガスを配置し、一次側の圧力を水素透過モジュールの他方の面（二次側）に対して高くする方法が採用される。本発明に係る水素透過モジュールは特に６００℃付近での水素透過率に優れていることから、水素含有ガスは５５０〜６５０℃の温度として水素透過モジュールを通過することが好ましく、５８０〜６２０℃の温度として水素透過モジュールを通過することがより好ましい。

水素透過モジュールを利用して水素含有ガスから水素を分離するシステム自体は公知であり、任意の公知のシステムを採用することができ、特に制限はない。一例を挙げると、本発明に係る水素透過モジュールを用いた水素分離システムは水素含有ガスを流すための一次側配管と、水素透過モジュールをガス通路に設置した加熱管と、水素透過モジュールを通過した後の水素ガスを流すための二次側配管とを備え、加熱管の入口を一次側配管に、出口を二次側配管に連結したシステムである。別の一例を挙げると、本発明に係る水素透過モジュールは水素分離型改質器であるメンブレンリフォーマーに組み込む水素透過モジュールとして使用することができる。

以下に本発明を実施例でさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜実施例１．合金組成が与える影響＞
水素透過モジュールの水素透過膜を形成する銅合金の合金組成が水素透過モジュールの水素透過率に与える影響を検討するための試験を以下のように行った。
まず、アーク溶解で作製したＶ−Ｎｉ合金に対し、熱処理と圧延によって厚さ１００μｍのＶ−Ｎｉ合金箔（非Ｐｄ合金層）を作製した。続いて、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌで構成され、表１に記載の原子比を満足する組成となるように成分調整したＣｕ−Ｐｄ−Ａｌ合金をスパッタリングターゲットとして、前記非Ｐｄ合金層の両面に以下の条件でスパッタリングを行い、表１に記載した所定の膜厚の水素透過膜を形成した。スパッタリングに使用したターゲットは純度が３Ｎのものを用いた。
・装置：バッチ式スパッタリング装置（アルバック社、型式ＭＮＳ−６０００）
・到達真空度：１．０×１０^-5Ｐａ
・スパッタリング圧：０．２Ｐａ
・スパッタリング電力：ＤＣ１００Ｗ
次に、水素のガスボンベ（図示せず）、加熱炉１１、一次側水素配管１２、二次側水素配管１３、管状炉内に配置され、一次側水素配管及び二次側水素配管を連結する１／２ＶＣＲ（登録商標）継手内にガスケットと共に固定された水素透過モジュール１４（水素透過部の直径５．６ｍｍ）、二次側の水素配管に連結した水素測定器（水素用マスフローコントローラ（山武、ＭＱＶ９０５０））を備えた測定系を構築した（図１参照）。水素のガスボンベから配管を通じて供給される水素はＶＣＲ継手の一次側に入り、水素透過モジュール１４を通過して、ＶＣＲ継手の二次側から出てくる。水素透過モジュール１４を固定したＶＣＲ継手が入っている管状炉は所定の温度に加熱可能となっており、水素固定部のＶＣＲ継手部分の温度を熱電対で測定している。測定試験は、一次側圧と二次側圧との差（ΔＰ）をそれぞれ表１に記載の通りとし、一次側の水素供給量を５０ｓｃｃｍとして６００℃に水素を加熱しながら２時間供給し続けたときの水素透過量を測定し、以下の式により水素透過係数ｑを測定した。
ｑ＝ｆ_M・ｄ・Ｓ^-1・（Ｐ^1/2−ｐ^1/2）^-1
ｑ：水素透過係数（ｍｏｌ・ｍ^-1・ｓｅｃ^-1・Ｐａ^-1/2）
ｆ_M：二次側水素流量（ｍｏｌ・ｓｅｃ^-1）
ｄ：膜厚（ｍ）
Ｓ：膜面積（ｍ²）
Ｐ：一次側圧力（Ｐａ）
ｐ：二次側圧力（Ｐａ）

試験結果を表１に示す。図２は、横軸に［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００（以下、「Ｐｄ比」ともいう）、縦軸に［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００（以下、「Ａｌ比」ともいう）をとり、試験したデータ範囲を示している。台形で囲った範囲が本発明の範囲である。得られた結果を幾つかの切り口で以下に検討する。

（１）［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００：約４１
表１からＰｄ比が４１付近の例を抽出し、Ａｌ比の小さい順に並べたのが表２である。表２より、Ａｌ比が０のとき（Ｎｏ．１）は水素透過係数が最も低く、Ａｌ比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Ａｌ比が０．５０のとき（Ｎｏ．１５）に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にＡｌ比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Ａｌ比が２．１０まで増えると（Ｎｏ．１６）、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）を満たさなくなったため、優れた水素透過係数は得られなくなった。

（２）［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００：約４６
表１からＰｄ比が４６付近の例を抽出し、Ａｌ比の小さい順に並べたのが表３である。表３より、Ａｌ比が０のとき（Ｎｏ．４）は水素透過係数が最も低く、Ａｌ比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Ａｌ比が１．０３のとき（Ｎｏ．１７）に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にＡｌ比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Ａｌ比が３．２７まで増えると（Ｎｏ．１１）、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）を満たさなくなったため、優れた水素透過係数は得られなくなった。

（３）［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００：約５０
表１からＰｄ比が５０付近の例を抽出し、Ａｌ比の小さい順に並べたのが表４である。表４より、Ａｌ比が０のとき（Ｎｏ．２２）は水素透過係数が最も低く、Ａｌ比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Ａｌ比が１．９６のとき（Ｎｏ．９）に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にＡｌ比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Ａｌ比が４．２５（Ｎｏ．１２）のときは、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）を満たさなくなったため、優れた水素透過係数は得られなくなった。

（４）［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００：約０．０５
表１からＡｌ比が０．０５付近の例を抽出し、Ｐｄ比の小さい順に並べたのが表５である。表５より、Ｐｄ比が４１．３のとき（Ｎｏ．２）から増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Ｐｄ比が４６．８のとき（Ｎｏ．１８）に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にＰｄ比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Ｐｄ比が５１．９まで増えると（Ｎｏ．１９）、優れた水素透過係数は得られなくなった。

（５）［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００：約２．０
表１からＡｌ比が２．０付近の例を抽出し、Ｐｄ比の小さい順に並べたのが表６である。表６より、Ｐｄ比が３９．５のとき（Ｎｏ．１３）は水素透過係数が最も低く、Ｐｄ比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Ｐｄ比が４５．８のとき（Ｎｏ．６）に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にＰｄ比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Ｐｄ比が５２．４まで増えると（Ｎｏ．１４）、優れた水素透過係数は得られなくなった。また、Ｐｄ比４１．３でＡｌ比２．１０のとき（Ｎｏ．１６）は、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）を満たさなくなったため、水素透過係数が低かった。

（６）［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００：約４．０
表１からＡｌ比が４．０付近の例を抽出し、Ｐｄ比の小さい順に並べたのが表７である。表７より、Ｐｄ比が４０．１のとき（Ｎｏ．２０）は水素透過係数が最も低く、Ｐｄ比が５０．１のとき（Ｎｏ．１０）に最大の水素透過係数が得られた。Ｐｄ比が５１．６まで増えると（Ｎｏ．２１）、優れた水素透過係数は得られなくなった。また、Ｐｄ比５０．２、Ａｌ４．２５のとき（Ｎｏ．１２）は、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）を満たさなくなったため、水素透過係数が低かった。

（７）膜厚０．０１〜１．５μｍ
表１からＰｄ比４６．１、Ａｌ比１．０３のＰｄＣｕＡｌ層について、水素透過膜の膜厚が０．０１μｍから１．５μｍの例を抽出したのが表８である。膜厚０．０１μｍのとき（Ｎｏ．２３）、水素は透過しなかった。試験終了後の試料は表面が酸化していた。膜厚が１．５μｍの場合は膜厚が厚すぎるため透過量が低下した。

＜実施例２．加熱温度の影響＞
水素ガスの加熱温度が水素透過モジュールの水素透過率に与える影響を検討するための試験を以下のように行った。

実施例１のＮｏ．４，６，１７の試料に対して、実施例１と同様の手順で水素透過係数を測定した。ただし、水素ガスの加熱温度を３００℃、４００℃、５００℃、及び６００℃に変動させることで、水素透過係数の変化を調べた。

試験結果を、温度（℃）を横軸に、水素透過係数を縦軸にしてプロットして示したのが図３である。これらから、Ｃｕ−Ｐｄ合金に対してＡｌを所定量添加した場合、水素透過係数は、低温領域ではＡｌを添加しない場合よりも低いにもかかわらず、高温条件下（とりわけ６００℃付近）では逆転し、Ａｌを添加しない場合よりも高いことが分かる。

１１ 加熱炉
１２ 一次側水素配管
１３ 二次側水素配管
１４ 水素透過モジュール

Claims (4)

1. 非Ｐｄ系合金層、及び、前記非Ｐｄ系合金層の両表面に形成された水素透過層を備え、
   前記水素透過層の少なくとも一方の厚みが０．０２〜１μｍであり、
   前記水素透過層はＣｕ、Ｐｄ及びＡｌで構成される水素透過性銅合金で形成され、前記合金が、Ｃｕ、Ｐｄ及びＡｌの原子濃度（ａｔ％）をそれぞれ［Ｃｕ］、［Ｐｄ］及び［Ａｌ］とすると、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝４１〜５０、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝０．０５〜４．０であって、式：［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）≦（２／９）×［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）−（０．６４／９）
   の関係を満たす水素透過膜。
2. 前記水素透過層を形成する水素透過性銅合金が、［Ｐｄ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝４４〜４７、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ｐｄ］）×１００＝０．５〜１．５の関係を満たす請求項１に記載の水素透過膜。
3. 水素含有ガスが請求項１又は２に記載の水素透過膜を通過する工程を含む水素含有ガスからの水素分離方法。
4. 水素含有ガスが前記水素透過膜を５５０〜６５０℃の温度で通過する工程を含む請求項３に記載の水素含有ガスからの水素分離方法。