JP5820908B2 - 液晶表示パネル - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、液晶表示パネルに関する。

一般に、表示装置として液晶表示パネルを備えた液晶表示装置が知られている。液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、液晶層とを有している。近年、液晶表示パネルは、コントラスト向上等、表示品位の向上が求められている。液晶表示パネルとして、ＶＡ（Vertically Aligned）方式の液晶表示パネルが知られている。また、液晶表示パネルとして、広視野角特性を有するＭＶＡ（Multi-domain Vertically Aligned）方式の液晶表示パネルが知られている。

このＭＶＡ方式の液晶表示パネルの概略的な構造の説明をする。アレイ基板上には、互いに離間された複数の画素電極が配列されている。これら画素電極はそれぞれスリットを有している。対向基板上には、共通電極および畝状の突起が順に形成されている。

突起及びスリットは、液晶層内に、電気力線の方向が互いに異なる複数の領域を形成する。このため、画素電極に対応する液晶層に、液晶分子の配向方向が互いに異なる複数のドメインが形成される。これにより、視野角が補償されるため、液晶表示パネルは、広い視角特性を得ることができる。

特開２００９−１４５４２４号公報 特開２００６−３２３４２３号公報

上記した液晶表示パネルにおいて、液晶分子を配向制御する突起等により、広視野角化を実現している。しかしながら、突起を少なく又は小さくすると、透過率は向上するものの画素ごとに配向状態が異なり表示がざらついてしまう。また、突起を多く又は大きくすると、透過率は低下してしまう。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、広視野角化を実現できる、表示品位に優れた液晶表示パネルを提供することにある。

一実施形態に係る液晶表示パネルは、
隣合う２本の走査線及び隣合う２本の信号線で囲まれた画素に対応して配置された画素電極と、前記画素に対応して配置されドレイン電極を有する薄膜トランジスタで形成されたスイッチング素子と、前記画素電極に接続されたコンタクト部を有し前記ドレイン電極に接続された導電配線と、前記スイッチング素子、前記導電配線及び前記画素電極の上方に形成された第１垂直配向膜と、を具備したアレイ基板と、
前記画素電極に対向して配置された対向電極と、前記対向電極上に形成され前記第１垂直配向膜と対向した第２垂直配向膜と、を具備した対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持されたネガ型の液晶層と、を備え、
前記対向電極は、前記画素電極と対向し第１幅を有する第１の切欠き部と、前記画素電極と対向し前記第１の切欠き部と略平行に形成され前記第１幅を有する第４の切欠き部と、前記画素電極と対向し前記第１の切欠き部及び前記第４の切欠き部とそれぞれ交差し第２幅を有する第２の切欠き部と、を備え、
前記画素電極は、前記第１の切欠き部と前記第４の切欠き部との間に位置し第３幅を有する第３の切欠き部を備え、
前記第３の切欠き部の一部は、前記導電配線と対向し、
前記コンタクト部は、前記第２の切欠き部に対向して位置し、
前記第１の切欠き部は、前記第１の切欠き部と前記第２の切欠き部とが交差する位置に前記第１幅よりも幅広な幅広部を有し、
前記第４の切欠き部は、前記第４の切欠き部と前記第２の切欠き部とが交差する位置に前記第１幅よりも幅広な他の幅広部を有することを特徴とする。

一実施形態に係る液晶表示パネルを示す斜視図である。 図１に示したアレイ基板を示す平面図である。 図１及び図２に示したアレイ基板の一部を拡大して示す平面図である。 図２及び図３に示した画素の等価回路図である。 図３に示した線Ａ−Ａに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。 図３に示した線Ｂ−Ｂに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。 図３に示した線Ｃ−Ｃに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。 上記一実施形態に係る実施例１の液晶表示パネルの画素の１つを形成する画素電極、対向電極及び切欠き部７１、７２、７３、７４を取り出して示す平面図であり、対向基板側から見た図である。 上記実施例１の液晶表示パネルにおいて、複数の画素に共通に配置されている状態の対向電極を示す平面図であり、切欠き部７１、７２、７３、７４を示す図である。 上記一実施形態に係る実施例２の液晶表示パネルの画素の１つを形成する画素電極、対向電極及び切欠き部７１、７２、７３、７４を取り出して示す平面図であり、対向基板側から見た図である。 上記一実施形態に係る実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２の液晶表示パネルの（１）表示画面に生じるざらつきの有無、（２）透過率比、を表で示した図である。

以下、図面を参照しながら一実施形態に係る液晶表示パネルについて詳細に説明する。
図１及び図５に示すように、液晶表示パネルは、アレイ基板１と、このアレイ基板に対向配置された対向基板２と、これら両基板間に挟持された液晶層３とを備えている。液晶表示パネルは、アレイ基板１及び対向基板２が重なった表示領域Ｒと、この表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素１３とを有している。各画素１３は、互いに重なったアレイ基板１、対向基板２及び液晶層３で形成されている。なお、画素１３については後述する。

図１乃至図７に示すように、アレイ基板１は、透明で絶縁性を有する基板として、例えばガラス基板１０を備えている。ガラス基板１０上にはアンダーコーティング層１２が成膜されている。

表示領域Ｒにおいて、ガラス基板１０上には、第１方向ｄ１に沿って延出した複数の信号線２７及び第１方向ｄ１に直交した第２方向ｄ２に沿って延出した複数の走査線１９が配置されている。ガラス基板１０上には、第２方向ｄ２に沿って延出した走査線１９に平行な複数の補助容量線２１が形成されている。この実施形態において、補助容量線２１は遮光部として機能している。隣合う２本の走査線１９及び隣合う２本の信号線２７で囲まれた各領域は各画素１３に対応した領域である。

図２に示すように、表示領域Ｒの外側において、ガラス基板１０上には、走査線駆動回路４、信号線駆動回路５、及び補助容量線駆動回路６が形成されている。走査線駆動回路４は、表示領域Ｒの外側に延出した複数の走査線１９と接続されている。信号線駆動回路５は、表示領域Ｒの外側に延出した複数の信号線２７と接続されている。補助容量線駆動回路６は、表示領域Ｒの外側に延出した複数の補助容量線２１と接続されている。

次に、上記画素１３を１つ取り出し、画素１３を形成するアレイ基板１側の構成について説明する。なお、図４は、上述した画素１３の等価回路を示す図である。
図３乃至図７に示すように、画素１３は、画素電極３４、この画素電極に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４及び補助容量素子１６を有している。画素１３は、第１方向ｄ１に沿った長軸を有している。

図３は、図２の画素１３の領域部分を示す平面図である。走査線１９、ゲート電極２０及び補助容量線２１は、アルミニウムやモリブデン−タングステン等の遮光性を有する低抵抗材料により同時に形成されている。この実施形態において、走査線１９、ゲート電極２０及び補助容量線２１は、モリブデン−タングステンで形成されている。

各ゲート電極２０は、各半導体層１５に重なって形成されている。各補助容量線２１は、複数の補助容量電極１７に重なって形成されている。ゲート絶縁膜１８を介して対向配置された補助容量電極１７及び補助容量線２１は、補助容量素子１６を形成している。

ゲート絶縁膜１８、走査線１９、ゲート電極２０及び補助容量線２１上に、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２上には、複数のソース電極２６、複数の信号線２７、複数のドレイン電極２８、複数の接続配線２９及び複数のコンタクト電極３０が形成されている。

ソース電極２６及び信号線２７は、一体に形成され、互いに電気的に接続されている。複数のドレイン電極２８、複数の接続配線２９及び複数のコンタクト電極３０は、一体に形成され、互いに電気的に接続されている。

ソース電極２６、信号線２７、ドレイン電極２８、接続配線２９及びコンタクト電極３０は、アルミニウムやモリブデン−タングステン等の遮光性を有する低抵抗材料により同時に形成されている。この実施形態において、ソース電極２６、信号線２７、ドレイン電極２８、接続配線２９及びコンタクト電極３０は、アルミニウムで形成されている。

図５は、図３に示した線Ａ−Ａに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。図６は、図３に示した線Ｂ−Ｂに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。図７は、図３に示した線Ｃ−Ｃに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。アンダーコーティング層１２上に、半導体層１５及び補助容量電極１７が形成されている。

半導体層１５及び補助容量電極１７は、アンダーコーティング層１２上に形成された半導体膜をパターニングすることにより、同一材料で同時に形成されている。この実施の形態において、半導体層１５及び補助容量電極１７は、不純物がドープされたポリシリコンで形成されている。

アンダーコーティング層１２、半導体層１５及び補助容量電極１７上に、ゲート絶縁膜１８が成膜されている。ゲート絶縁膜１８上に、複数の走査線１９と、これら走査線の一部を延出した複数のゲート電極２０と、複数の補助容量線２１とが形成されている。補助容量電極１７と重なった領域において、補助容量線２１にそれぞれ開口部２１ａが形成されている。

ソース電極２６は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２３を通って半導体層１５のソース領域ＲＳに電気的に接続されている。ドレイン電極２８は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２４を通って半導体層１５のドレイン領域ＲＤに電気的に接続されている。

コンタクト電極３０は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２５を介して補助容量電極１７に電気的に接続されている。コンタクトホール２５は、補助容量線２１の開口部２１ａを通っている。このため、コンタクト電極３０及び補助容量線２１間の絶縁状態は維持されている。

層間絶縁膜２２、ソース電極２６、信号線２７、ドレイン電極２８、接続配線２９及びコンタクト電極３０上に、絶縁膜として、透明な樹脂により平坦化膜３１が成膜されている。平坦化膜３１は、補助容量線２１及びコンタクト電極３０にそれぞれ重ねて形成された複数のコンタクトホール３２を有している。この実施形態において、平坦化膜３１は表示領域Ｒ内に形成されている。なお、表示領域Ｒの外側には、平坦化膜３１の替わりに図示しない遮光層が形成されている。遮光層は、遮光性の材料で矩形状に形成され、表示領域Ｒの外周を取り囲むように配置されている。

上記したように、ガラス基板１０上に、ＴＦＴ１４、補助容量素子１６及び画素電極３４等を有した下地層１１が形成されている。下地層１１上には、複数の柱状スペーサ３５が形成されている。この実施形態において、柱状スペーサ３５は画素電極３４から外れた平坦化膜３１上に形成されている。下地層１１及び柱状スペーサ３５上に、第１垂直配向膜としての垂直配向膜３７が形成されている。

次に、対向基板２について説明する。
図１及び図５乃至図７に示すように、対向基板２は、透明で絶縁性を有する基板として、例えばガラス基板４０を備えている。ガラス基板４０上には、カラーフィルタ５０が形成されている。

カラーフィルタ５０は、複数の赤色の着色層５０Ｒ、図示しない複数の緑色の着色層及び複数の青色の着色層５０Ｂを有している。各着色層は、ストライプ状に形成され、第１方向ｄ１に沿って延出している。各着色層の周縁は、信号線２７に重なっている。

カラーフィルタ５０上には、ＩＴＯ等の透明な導電材料により対向電極４１が形成されている。対向電極４１は、複数の画素１３に共通に配置されている。カラーフィルタ５０及び対向電極４１上に、第２垂直配向膜としての垂直配向膜４３が形成されている。垂直配向膜４３は、垂直配向膜３７に対向している。

アレイ基板１及び対向基板２は、複数の柱状スペーサ３５により、所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１及び対向基板２は、表示領域Ｒ外周の両基板間に配置されたシール材６０により接合されている。液晶層３は、アレイ基板１、対向基板２及びシール材６０で囲まれた領域に形成されている。液晶層３は、ネガ型の液晶材料で形成されている。液晶層３の液晶分子は、負の誘電率異方性を有している。シール材６０の一部には液晶注入口６１が形成され、この液晶注入口は封止材６２で封止されている。

次に、上述した実施形態の液晶表示パネルの実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２について説明する。

（実施例１）
図３及び図５乃至図９に示すように、実施例１の液晶表示パネルにおいて、画素電極３４は、６０μｍ×１９０μｍの矩形状に形成されている。液晶表示パネルは、液晶層３の液晶分子の配向を規制する規制部を備えている。規制部は、各画素１３に重なった、一対の第１構造体としての一対の切欠き部７１、第２構造体としての切欠き部７２、第３構造体としての切欠き部７３及び突出部としての切欠き部７４を有している。

一対の切欠き部７１は、それぞれ第１方向ｄ１に沿って延出し第２方向ｄ２に互いに間隔を置いて配置されている。切欠き部７１はストライプ状に形成されている。切欠き部７１の幅Ｗ１は、１０μｍである。ここでは、切欠き部７１の両端縁は、画素電極３４の短辺と同一平面上に位置している。

切欠き部７２は第２方向ｄ２に沿って延出して配置されている。切欠き部７２はストライプ状に形成されている。切欠き部７２の幅Ｗ２は、１０μｍである。切欠き部７２は、画素１３（画素電極３４）を第１方向ｄ１に２等分するように配置されている。切欠き部７２は、補助容量線２１に重なっている。

一対の切欠き部７１及び切欠き部７２は、対向基板２側に配置され、対向電極４１に形成されている。一対の切欠き部７１は、第１方向ｄ１に並べられた画素１３間で分断して形成されている。切欠き部７２は、第２方向ｄ２に並べられた画素１３間で連続して一体に形成されている。

切欠き部７３は、第１方向ｄ１に沿って延出し一対の切欠き部７１の間に配置されている。切欠き部７３はストライプ状に形成されている。切欠き部７３の幅Ｗ３は、６μｍである。切欠き部７３は、画素１３（画素電極３４）を第２方向ｄ２に２等分するように配置されている。切欠き部７３は、アレイ基板１側に配置され画素電極３４に形成されている。

ここでは、各画素電極３４に２つの切欠き部７３が形成されている。上記２つの切欠き部７３は、互いに第１方向ｄ１に間隔を置いて対向配置され、それぞれの一端が画素電極３４の短辺と同一平面上に位置している。上記２つの切欠き部７３の一方は上記接続配線２９に重なっている。
切欠き部７１及び切欠き部７２並びに切欠き部７３は、第１、第２方向ｄ１、ｄ２に沿った平面方向に、互いに外れて位置している。

切欠き部７４は、一対の切欠き部７１、切欠き部７２及び切欠き部７３の一部、並びにこれらの切欠き部の交差部の少なくとも１つから突出して少なくとも１つ形成されている。切欠き部７４は、画素電極３４及び対向電極４１の何れか一方に形成されている。ここでは、切欠き部７４は、切欠き部７１及び切欠き部７２の各交差部から４方向に突出して形成されている。詳しくは、切欠き部７４は、切欠き部７１の側縁及び切欠き部７２の側縁の全ての交点から突出するよう複数形成されている。そして、一部の切欠き部７４は、切欠き部７１及び切欠き部７２の交差部から切欠き部７３側に突出して形成されている。

切欠き部７４は、直角三角形に形成されている。切欠き部７４において、直角の点と、上記直角に対向した辺との最小の距離Ｌは３μｍである。切欠き部７４は、切欠き部７１及び切欠き部７２に連続して一体に形成されている。切欠き部７４は、補助容量線２１に重なっている。
垂直配向膜３７及び垂直配向膜４３の膜厚は７０ｎｍである。アレイ基板１及び対向基板２間の隙間（セルギャップ）は、３．８μｍである。

（実施例２）
図１０に示すように、実施例２の液晶表示パネルにおいて、切欠き部７３と対向した側にのみ切欠き部７４が形成されている。その他、実施例２の液晶表示パネルは、上記実施例１の液晶表示パネルと同様に形成されている。

（比較例１）
比較例１の液晶表示パネルにおいて、液晶表示パネルに切欠き部７４は形成されていない。その他、比較例１の液晶表示パネルは、上記実施例１の液晶表示パネルと同様に形成されている。

（比較例２）
比較例２の液晶表示パネルにおいて、切欠き部７１の幅Ｗ１及び切欠き部７２の幅Ｗ２は、それぞれ１２μｍである。その他、比較例２の液晶表示パネルは、上記比較例１の液晶表示パネルと同様に形成されている。

次に、本願発明者等は、この実施形態の液晶表示パネルの実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２のざらつきの有無及び光の透過率をそれぞれ調査した。なお、光の透過率については比較例１を基準とし、比較例１の透過率比を１．００として相対評価を行った。

図１１に示すように、実施例１及び実施例２の液晶表示パネルにおいて表示画像にざらつきは無かったが、比較例１及び比較例２の液晶表示パネルにおいて、表示画像にざらつきが生じた。また、実施例１及び実施例２の液晶表示パネルにおいて、切欠き部７４が形成されているものの、透過率の低下を抑えることができ、比較例１の液晶表示パネルと同等の透過率を得ることができた。しかしながら、比較例２の液晶表示パネルは、比較例１の液晶表示パネルに比べて透過率が低下していることが分かる。

以上のように構成された一実施形態に係る液晶表示パネルによれば、液晶分子の配向を規制（制御）するためのパターンとして、画素電極３４に切欠き部７３が形成され、対向電極４１に切欠き部７１、７２が形成されている。さらに、対向電極４１には、画素１３内に液晶分子の配向を規制（制御）するための切欠き部７４が付与されているため、画素１３内で液晶分子の配向規制力を一層強めることができ、液晶分子の配向を一層安定化させることができる。上記の効果は、画素１３内に、ストライプ状の切欠き部を増やした場合と同様の効果である。

また、切欠き部７４を形成することにより、切欠き部７４と対向した領域付近の液晶分子をアレイ基板１及び対向基板２の平面に対して垂直に配向した状態にセットすることができ、転移の核を形成することができる。このため、例えば、スプレイ配向からベンド配向への転移を良好に行うことができ、表示品位の向上を図ることができる。

切欠き部７４は、補助容量線２１に重ねて形成されている。このように、切欠き部７４を形成する位置を限定することで、光の透過率の低下を抑えることができ、透過率に優れた液晶表示パネルを得ることができる。

垂直配向膜３７、４３は配向処理（ラビング）を必要としない。このため、ラビングによる静電破壊不良及びゴミの発生の問題は無く、また、ラビング後の洗浄工程も不要である。さらに、液晶分子のプレティルトのバラツキによる表示ムラの問題も無い。このため、プロセスの簡便化、製造歩留まりの向上により、低コスト化が可能である。
上記のことから、広視野角化を実現できる、表示品位に優れた液晶表示パネルを得ることができる。

なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

例えば、切欠き部７３は、各画素１３に少なくとも１つ配置されていればよい。この場合、切欠き部７３は切欠き部７２交差して形成されていてもよく、切欠き部７３の端縁（両端縁）は画素電極３４の短辺（画素１３の周縁）に間隔を置いて形成されていてもよい。
切欠き部７４の形状は種々変形可能であり、切欠き部７４が何れの形状であっても上述した効果を得ることができる。

切欠き部７１の端縁（両端縁）は、画素電極３４の短辺（画素１３の周縁）を越えて上記画素電極３４の外側に位置していてもよく、また、画素電極３４の短辺（画素１３の周縁）に間隔を置いて上記画素電極３４に重なっていてもよい。

切欠き部７２は、第２方向ｄ２に並べられた画素間で分断して形成されていてもよい。この場合、切欠き部７２の端縁（両端縁）は、画素電極３４の長辺（画素１３の周縁）を越えて上記画素電極３４の外側に位置していてもよく、また、画素電極３４の長辺（画素１３の周縁）に間隔を置いて上記画素電極３４に重なっていてもよい。

上記規制部は、各画素に重なった、それぞれ第１方向ｄ１に沿って延出し第２方向ｄ２に互いに間隔を置いて配置された一対の第１構造体と、第２方向ｄ２に沿って延出して配置された第２構造体と、第１方向ｄ１に沿って延出し一対の第１構造体の間に配置された第３構造体と、一対の第１構造体、第２構造体及び第３構造体の一部、並びにこれらの構造体の交差部の少なくとも１つから突出して形成された少なくとも１つの突出部と、を有していればよい。

第１構造体、第２構造体、第３構造体及び突出部は、切欠き部に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、第１構造体、第２構造体及び第３構造体は、画素電極３４又は対向電極４１上に形成された絶縁構造物であってもよい。絶縁構造物としては、画素電極３４上に形成され対向基板２側に突出した畝状の突起及び対向電極４１上に形成されアレイ基板１側に突出した畝状の突起が挙げられる。この場合、上記突出部は、絶縁材料で、第１構造体、第２構造体及び第３構造体の何れか１つと一体に形成されていてもよい。

そして、上記突出部は、太く及び／又は高く形成されていればよい。上記突出部を太く形成した場合、突出部は、第１構造体、第２構造体及び第３構造体の何れか１つの側縁からアレイ基板１及び対向基板２の平面に沿った方向に突出していればよい。上記突出部を高く形成した場合、突出部は、この突出部が配置された（重ねられた）第１構造体、第２構造体及び第３構造体の何れか１つの表面を越えて液晶層３側に突出していればよい。

画素電極３４上には垂直配向膜３７のみを配置したが、用途に応じて画素電極３４上に絶縁膜を配置してもよい。同様に、対向電極４１上には垂直配向膜４３のみを配置したが、用途に応じて対向電極４１上に絶縁膜を配置してもよい。この場合、絶縁膜は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ_Ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３などの無機系の絶縁材料や、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など有機系の絶縁材料などを用いることができる。

絶縁膜が無機系の絶縁材料の場合には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、あるいは溶液塗布法などによって絶縁膜を形成することができる。また、絶縁膜が有機系の絶縁材料の場合には、有機物質を溶かした溶液又はその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、スクリーン印刷塗布法、ロール塗布法などを用いて塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＬＢ（Langumuir-Blodgett）法などで絶縁膜を形成することもできる。

以下に、原出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。

［１］それぞれ第１方向に沿った長軸を有する複数の画素に対応して配置された複数の画素電極及び前記複数の画素電極上に形成された第１垂直配向膜を具備したアレイ基板と、
前記複数の画素に共通に配置された対向電極及び前記対向電極上に形成され前記第１垂直配向膜と対向した第２垂直配向膜を有し、前記アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持されたネガ型の液晶層と、
前記液晶層の液晶分子の配向を規制する規制部と、を備え、
前記規制部は、各画素に重なった、
それぞれ前記第１方向に沿って延出し前記第１方向に直交した第２方向に互いに間隔を置いて配置された一対の第１構造体と、
前記第２方向に沿って延出して配置された第２構造体と、
前記第１方向に沿って延出し前記一対の第１構造体の間に配置された第３構造体と、
前記一対の第１構造体、第２構造体及び第３構造体の一部、並びにこれらの構造体の交差部の少なくとも１つから突出して形成された少なくとも１つの突出部と、を有したことを特徴とする液晶表示パネル。

［２］前記少なくとも１つの突出部は、前記一対の第１構造体及び第２構造体の交差部から前記第３構造体側に突出して形成されたことを特徴とする［１］に記載の液晶表示パネル。

［３］前記一対の第１構造体及び第２構造体は、前記対向基板側に配置されたことを特徴とする［１］に記載の液晶表示パネル。

［４］前記第３構造体は、前記アレイ基板側に配置されたことを特徴とする［３］に記載の液晶表示パネル。

［５］前記一対の第１構造体及び第２構造体は、前記対向電極に形成された切欠き部であり、
前記第３構造体は、前記画素電極に形成された切欠き部であり、
前記少なくとも１つの突出部は、前記画素電極及び対向電極の何れか一方に形成された切欠き部であることを特徴とする［４］に記載の液晶表示パネル。

［６］前記一対の第１構造体は、前記第１方向に並べられた画素間で分断して形成され、
前記第２構造体は、前記第２方向に並べられた画素間で連続して形成されたことを特徴とする［５］に記載の液晶表示パネル。

１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、１０，４０…ガラス基板、１３…画素、１４…ＴＦＴ、１６…補助容量素子、１９…走査線、２１…補助容量線、２７…信号線、３４…画素電極、３７，４３…垂直配向膜、４１…対向電極、７１，７２，７３，７４…切欠き部、ｄ１…第１方向、ｄ２…第２方向

Claims (3)

1. 隣合う２本の走査線及び隣合う２本の信号線で囲まれた画素に対応して配置された画素電極と、前記画素に対応して配置されドレイン電極を有する薄膜トランジスタで形成されたスイッチング素子と、前記画素電極に接続されたコンタクト部を有し前記ドレイン電極に接続された導電配線と、前記スイッチング素子、前記導電配線及び前記画素電極の上方に形成された第１垂直配向膜と、を具備したアレイ基板と、
   前記画素電極に対向して配置された対向電極と、前記対向電極上に形成され前記第１垂直配向膜と対向した第２垂直配向膜と、を具備した対向基板と、
   前記アレイ基板及び対向基板間に挟持されたネガ型の液晶層と、を備え、
   前記対向電極は、前記画素電極と対向し第１幅を有する第１の切欠き部と、前記画素電極と対向し前記第１の切欠き部と略平行に形成され前記第１幅を有する第４の切欠き部と、前記画素電極と対向し前記第１の切欠き部及び前記第４の切欠き部とそれぞれ交差し第２幅を有する第２の切欠き部と、を備え、
   前記画素電極は、前記第１の切欠き部と前記第４の切欠き部との間に位置し第３幅を有する第３の切欠き部を備え、
   前記第３の切欠き部の一部は、前記導電配線と対向し、
   前記コンタクト部は、前記第２の切欠き部に対向して位置し、
   前記第１の切欠き部は、前記第１の切欠き部と前記第２の切欠き部とが交差する位置に前記第１幅よりも幅広な幅広部を有し、
   前記第４の切欠き部は、前記第４の切欠き部と前記第２の切欠き部とが交差する位置に前記第１幅よりも幅広な他の幅広部を有することを特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記第１幅及び前記第２幅は、それぞれ前記第３幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記アレイ基板は、前記画素電極より下層側に位置し前記第２の切欠き部に沿って延在した補助容量線をさらに具備し、
   前記補助容量線は、前記第２の切欠き部及び前記コンタクト部にそれぞれ対向して配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。

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