JP5820649B2

JP5820649B2 - Therapeutic treatment device

Info

Publication number: JP5820649B2
Application number: JP2011161898A
Authority: JP
Inventors: 新二安永
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2011-07-25
Filing date: 2011-07-25
Publication date: 2015-11-24
Anticipated expiration: 2031-07-25
Also published as: US9510890B2; EP2737867B1; EP2737867A4; JP2013022354A; EP2737867A1; WO2013015251A1; US20140142562A1

Description

本発明は、治療用処置装置に関する。 The present invention relates to a therapeutic treatment apparatus.

一般に、熱エネルギを用いて生体組織を処置する治療用処置装置が知られている。例えば特許文献１には、次のような治療用処置装置が開示されている。この治療用処置装置は、処置対象である生体組織を把持する開閉可能な保持部を有している。この保持部には、それを加熱するためのヒータとして機能する抵抗素子が配置されている。このような治療用処置装置は、生体組織を保持部で把持し、把持した部分の生体組織を加熱することで生体組織を吻合することができる。抵抗素子への投入電力量の制御について特許文献１には、所定の一定の値の電力量を投入する制御方法と、抵抗素子の抵抗値変化に基づいて温度計測を行いながらフィードバック制御によって抵抗素子を所定温度に制御する方法とが開示されている。 Generally, a treatment apparatus for treatment that treats a living tissue using thermal energy is known. For example, Patent Document 1 discloses the following therapeutic treatment apparatus. This therapeutic treatment apparatus has an openable and closable holding portion that holds a biological tissue to be treated. In this holding portion, a resistance element that functions as a heater for heating the holding portion is arranged. Such a therapeutic treatment apparatus can anastomose living tissues by holding the living tissues with a holding portion and heating the grasped portions of the living tissues. Regarding the control of the amount of electric power applied to the resistance element, Patent Document 1 discloses a control method in which an electric power amount of a predetermined constant value is input, and the resistance element by feedback control while measuring the temperature based on the resistance value change of the resistance element. And a method for controlling the temperature to a predetermined temperature.

特開２００１−１９０５６１号公報JP 2001-190561 A

上記のような治療用処置装置の使用において、吻合の際に保持部で把持する生体組織の面積は一定ではなく、処置毎に異なるのが一般的である。このため、ヒータとして機能する抵抗素子への投入電力量を所定の一定の値とする制御方法では、処置毎に吻合温度が異なることになる。その結果、接合強度が不安定となる可能性がある。一方、抵抗素子の抵抗値変化に基づいて温度計測を行いフィードバック制御によって抵抗素子を所定温度に制御する方法では、予め抵抗素子の抵抗値と温度との特性を正確に取得しておく必要がある。このためには、抵抗素子の均一性を製造時に高い精度で管理するか、抵抗素子の抵抗―温度特性を個体毎に正確に計測しておく必要がある。その結果、当該装置はコストアップしてしまう。 In the use of the therapeutic treatment apparatus as described above, the area of the living tissue grasped by the holding portion at the time of anastomosis is not constant and is generally different for each treatment. For this reason, in the control method in which the amount of electric power applied to the resistance element functioning as a heater is a predetermined constant value, the anastomosis temperature differs for each treatment. As a result, the bonding strength may become unstable. On the other hand, in the method of measuring the temperature based on the resistance value change of the resistance element and controlling the resistance element to a predetermined temperature by feedback control, it is necessary to accurately acquire the resistance value and temperature characteristics of the resistance element in advance. . For this purpose, it is necessary to manage the uniformity of the resistance element with high accuracy at the time of manufacture or to accurately measure the resistance-temperature characteristics of the resistance element for each individual. As a result, the cost of the device increases.

そこで本発明は、予め抵抗素子の抵抗値と温度との関係を個別に取得しておく必要なく低コストに、その抵抗値から抵抗素子の温度を算出して正確な温度制御を行うことができる治療用処置装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can calculate the temperature of the resistance element from the resistance value and accurately control the temperature at a low cost without having to individually acquire the relationship between the resistance value and the temperature of the resistance element in advance. It is an object of the present invention to provide a therapeutic treatment apparatus.

前記目的を果たすため、本発明の治療用処置装置の一態様は、生体組織を目標温度で加熱して治療するための治療用処置装置であって、前記生体組織に接触して該生体組織に熱を伝える伝熱部と、電力が投入されることによって前記伝熱部を加熱する抵抗素子と、を有する処置具と、前記処置具と着脱可能であり、前記抵抗素子の抵抗値Ｒを計測でき、前記目標温度で前記生体組織を加熱するために前記抵抗素子に電力を供給して前記伝熱部の温度を制御する制御装置と、前記処置具又は前記制御装置に設けられた、係数Ｃ２を格納するための記憶部と、を具備し、前記制御装置は、前記治療の前に、前記処置具と前記制御装置とが接続された状態で、校正温度Ｔｃと、格納された前記係数Ｃ２と、計測された前記抵抗素子の抵抗値Ｒｃとに基づいて係数Ｃ１をＣ１＝（Ｔｃ−Ｃ２）／Ｒｃにより算出し、前記治療のときには、前記抵抗素子の温度Ｔを、前記抵抗値Ｒ、前記係数Ｃ１、及び前記係数Ｃ２を用いてＴ＝Ｃ１×Ｒ＋Ｃ２により算出し、前記温度Ｔを用いて前記伝熱部の温度を制御する、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, one aspect of the therapeutic treatment apparatus of the present invention is a therapeutic treatment apparatus for heating and treating a biological tissue at a target temperature. A treatment instrument having a heat transfer part for transferring heat, and a resistance element for heating the heat transfer part when electric power is input, and is detachable from the treatment tool, and measures a resistance value R of the resistance element A control device that supplies power to the resistance element to control the temperature of the heat transfer section to heat the living tissue at the target temperature, and a coefficient C2 provided in the treatment instrument or the control device. And a storage unit for storing the calibration temperature Tc and the stored coefficient C2 in a state in which the treatment instrument and the control device are connected before the treatment. If, on the resistance value Rc of the measured said resistance element The coefficients C1 and Zui calculated by C1 = (Tc-C2) / Rc, when the treatment temperature T of the resistor element, the resistance value R, the coefficient C1, and using the coefficient C2 T = C1 It is calculated by xR + C2, and the temperature of the heat transfer section is controlled using the temperature T.

本発明によれば、予め格納された係数Ｃ２と、処置具と制御装置とが接続された状態で算出された係数Ｃ１とを用いるので、予め抵抗素子の抵抗値と温度との関係を個別に取得しておく必要なく低コストに、その抵抗値から抵抗素子の温度を算出して正確な温度制御を行うことができる治療用処置装置を提供できる。 According to the present invention, since the coefficient C2 stored in advance and the coefficient C1 calculated in a state where the treatment tool and the control device are connected are used, the relationship between the resistance value of the resistance element and the temperature is individually determined in advance. It is possible to provide a therapeutic treatment apparatus that can perform accurate temperature control by calculating the temperature of a resistance element from its resistance value at a low cost without having to obtain it.

本発明の一実施形態に係る治療用処置システムの構成例を示す概略図。Schematic which shows the structural example of the treatment system for treatment which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るエネルギ処置具のシャフト及び保持部の構成例を示す断面の概略図であり、（Ａ）は保持部が閉じた状態を示す図、（Ｂ）は保持部が開いた状態を示す図。It is the schematic of the cross section which shows the structural example of the shaft and holding | maintenance part of the energy treatment tool which concerns on one Embodiment of this invention, (A) is a figure which shows the state which the holding | maintenance part closed, (B) is a holding | maintenance part open. FIG. 本発明の一実施形態に係る保持部の第１の保持部材の構成例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線に沿う縦断面図、（Ｃ）は（Ａ）に示す３Ｃ−３Ｃ線に沿う横断面図。It is the schematic which shows the structural example of the 1st holding member of the holding part which concerns on one Embodiment of this invention, (A) is a top view, (B) is a longitudinal cross section which follows the 3B-3B line | wire shown to (A). The figure, (C) is a cross-sectional view which follows the 3C-3C line | wire shown to (A). 本発明の一実施形態に係る発熱チップの構成例の概略を示す上面図。The top view which shows the outline of the structural example of the heat generating chip | tip which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る発熱チップの構成例の概略を示す図であって、図４Ａに示す４Ｂ−４Ｂ線に沿う断面図。It is a figure which shows the outline of the structural example of the heat generating chip | tip which concerns on one Embodiment of this invention, Comprising: Sectional drawing which follows the 4B-4B line | wire shown to FIG. 4A. 本発明の一実施形態に係る制御装置の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the control apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る治療用処置装置の加熱処置に関わる構成の概略を示す図。The figure which shows the outline of the structure in connection with the heat treatment of the treatment apparatus for treatment which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る治療用処置装置の制御部による処理の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the process by the control part of the therapeutic treatment apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る治療用処置装置の制御部による初期設定処理の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the initial setting process by the control part of the treatment apparatus for treatment which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る治療用処置装置の制御部による加熱処置実施処理の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the heat treatment implementation process by the control part of the treatment apparatus for treatment which concerns on one Embodiment of this invention.

本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態に係る治療用処置装置は、生体組織の治療に用いるための装置であり、生体組織に高周波エネルギと熱エネルギとを作用させる装置である。図１に示すように、治療用処置装置１００は、エネルギ処置具１２０と、制御装置１７０と、フットスイッチ２１６とを備えている。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The therapeutic treatment apparatus according to the present embodiment is an apparatus for use in the treatment of living tissue, and is an apparatus that causes high-frequency energy and thermal energy to act on the living tissue. As shown in FIG. 1, the therapeutic treatment device 100 includes an energy treatment tool 120, a control device 170, and a foot switch 216.

エネルギ処置具１２０は、例えば腹壁を貫通させて処置を行うための、リニアタイプの外科治療用処置具である。エネルギ処置具１２０は、ハンドル２２２と、ハンドル２２２に取り付けられたシャフト２２４と、シャフト２２４の先端に設けられた保持部１２５とを有する。保持部１２５は、開閉可能であり、処置対象の生体組織を保持して、生体組織の凝固、切開等の処置を行う処置部である。以降説明のため、保持部１２５側を先端側と称し、ハンドル２２２側を基端側と称する。ハンドル２２２は、保持部１２５を操作するための複数の操作ノブ２３２を備えている。また、ハンドル２２２部分には、不揮発性のメモリ１２３が備えられている。メモリ１２３には、後に詳述するように、そのエネルギ処置具１２０に固有の個体識別番号や、温度制御に用いる固有の係数Ｃ２等の固有情報が記憶されている。なお、ここで示したエネルギ処置具１２０の形状は、もちろん一例であり、同様の機能を有していれば、他の形状でもよい。例えば、鉗子のような形状をしていてもよいし、シャフトが湾曲していてもよい。 The energy treatment device 120 is a linear type surgical treatment device for performing treatment by penetrating the abdominal wall, for example. The energy treatment device 120 includes a handle 222, a shaft 224 attached to the handle 222, and a holding portion 125 provided at the tip of the shaft 224. The holding unit 125 can be opened and closed, and is a treatment unit that holds a living tissue to be treated and performs a treatment such as coagulation or incision of the living tissue. Hereinafter, for the sake of explanation, the holding portion 125 side is referred to as a distal end side, and the handle 222 side is referred to as a proximal end side. The handle 222 includes a plurality of operation knobs 232 for operating the holding unit 125. Further, a nonvolatile memory 123 is provided in the handle 222 portion. As will be described in detail later, the memory 123 stores unique information such as an individual identification number unique to the energy treatment instrument 120 and a unique coefficient C2 used for temperature control. The shape of the energy treatment device 120 shown here is, of course, an example, and other shapes may be used as long as they have the same function. For example, the shape may be a forceps or the shaft may be curved.

ハンドル２２２は、ケーブル１６０を介して制御装置１７０に接続されている。ここで、ケーブル１６０と制御装置１７０とは、コネクタ１６５によって接続されており、この接続は着脱自在となっている。すなわち、治療用処置装置１００は、処置毎にエネルギ処置具１２０を交換することができるように構成されている。制御装置１７０には、フットスイッチ２１６が接続されている。足で操作するフットスイッチ２１６は、手で操作するスイッチやその他のスイッチに置き換えてもよい。フットスイッチ２１６のペダルを術者が操作することにより、制御装置１７０からエネルギ処置具１２０へのエネルギの供給のＯＮ／ＯＦＦが切り換えられる。 The handle 222 is connected to the control device 170 via the cable 160. Here, the cable 160 and the control device 170 are connected by a connector 165, and this connection is detachable. That is, the therapeutic treatment apparatus 100 is configured so that the energy treatment tool 120 can be exchanged for each treatment. A foot switch 216 is connected to the control device 170. The foot switch 216 operated with a foot may be replaced with a switch operated with a hand or other switches. When the operator operates the pedal of the foot switch 216, the supply of energy from the control device 170 to the energy treatment tool 120 is switched ON / OFF.

保持部１２５及びシャフト２２４の構造の一例を図２に示す。図２（Ａ）は保持部１２５が閉じた状態を示し、図２（Ｂ）は保持部１２５が開いた状態を示す。シャフト２２４は、筒体２４２とシース２４４とを備えている。筒体２４２は、その基端部でハンドル２２２に固定されている。シース２４４は、筒体２４２の外周に、筒体２４２の軸方向に沿って摺動可能に配設されている。 An example of the structure of the holding part 125 and the shaft 224 is shown in FIG. 2A shows a state where the holding portion 125 is closed, and FIG. 2B shows a state where the holding portion 125 is opened. The shaft 224 includes a cylindrical body 242 and a sheath 244. The cylindrical body 242 is fixed to the handle 222 at its proximal end. The sheath 244 is disposed on the outer periphery of the cylindrical body 242 so as to be slidable along the axial direction of the cylindrical body 242.

筒体２４２の先端部には、保持部１２５が配設されている。保持部１２５は、第１の保持部材１２７と、第２の保持部材１２８とを備えている。第１の保持部材１２７の基部は、シャフト２２４の筒体２４２の先端部に固定されている。一方、第２の保持部材１２８の基部は、シャフト２２４の筒体２４２の先端部に、支持ピン２５６によって、回動可能に支持されている。したがって、第２の保持部材１２８は、支持ピン２５６の軸回りに回動し、第１の保持部材１２７に対して開いたり閉じたりする。 A holding portion 125 is disposed at the distal end portion of the cylindrical body 242. The holding unit 125 includes a first holding member 127 and a second holding member 128. The base portion of the first holding member 127 is fixed to the distal end portion of the cylindrical body 242 of the shaft 224. On the other hand, the base of the second holding member 128 is rotatably supported by a support pin 256 at the tip of the cylindrical body 242 of the shaft 224. Therefore, the second holding member 128 rotates around the axis of the support pin 256 and opens or closes with respect to the first holding member 127.

保持部１２５が閉じた状態では、第１の保持部材１２７の基部と、第２の保持部材１２８の基部とを合わせた断面形状は、円形となる。第２の保持部材１２８は、第１の保持部材１２７に対して開くように、例えば板バネなどの弾性部材２５８により付勢されている。シース２４４を、筒体２４２に対して先端側にスライドさせ、シース２４４によって第１の保持部材１２７の基部及び第２の保持部材１２８の基部を覆うと、図２（Ａ）に示すように、弾性部材２５８の付勢力に抗して、第１の保持部材１２７及び第２の保持部材１２８は閉じる。一方、シース２４４を、筒体２４２の基端側にスライドさせると、図２（Ｂ）に示すように、弾性部材２５８の付勢力によって第１の保持部材１２７に対して第２の保持部材１２８は開く。 In a state where the holding portion 125 is closed, the cross-sectional shape of the base portion of the first holding member 127 and the base portion of the second holding member 128 is circular. The second holding member 128 is biased by an elastic member 258 such as a leaf spring so as to open with respect to the first holding member 127. When the sheath 244 is slid to the distal end side with respect to the cylindrical body 242, and the base portion of the first holding member 127 and the base portion of the second holding member 128 are covered by the sheath 244, as shown in FIG. The first holding member 127 and the second holding member 128 are closed against the urging force of the elastic member 258. On the other hand, when the sheath 244 is slid to the proximal end side of the cylindrical body 242, as shown in FIG. 2B, the second holding member 128 with respect to the first holding member 127 by the urging force of the elastic member 258. Will open.

筒体２４２には、後述する第１の高周波電極１３２又は第２の高周波電極１３４に接続される高周波電極用通電ライン２６８と、発熱部材である発熱チップ１４０に接続される発熱チップ用通電ライン１６２とが挿通されている。
筒体２４２の内部には、その基端側で操作ノブ２３２の一つと接続した駆動ロッド２５２が、筒体２４２の軸方向に沿って移動可能に配設されている。駆動ロッド２５２の先端側には、先端側に刃が形成された薄板状のカッタ２５４が配設されている。操作ノブ２３２を操作すると、駆動ロッド２５２を介してカッタ２５４は、筒体２４２の軸方向に沿って移動させられる。カッタ２５４が先端側に移動するとき、カッタ２５４は、保持部１２５に形成された後述するカッタ案内溝２６４，２７４内に収まる。 The cylindrical body 242 includes a high-frequency electrode energization line 268 connected to a first high-frequency electrode 132 or a second high-frequency electrode 134 described later, and a heat-generating chip energization line 162 connected to the heat-generating chip 140 that is a heat-generating member. And are inserted.
A drive rod 252 connected to one of the operation knobs 232 on the proximal end side is disposed in the cylinder 242 so as to be movable along the axial direction of the cylinder 242. On the distal end side of the drive rod 252, a thin plate-like cutter 254 having a blade formed on the distal end side is disposed. When the operation knob 232 is operated, the cutter 254 is moved along the axial direction of the cylindrical body 242 via the drive rod 252. When the cutter 254 moves to the front end side, the cutter 254 is accommodated in cutter guide grooves 264 and 274 described later formed in the holding portion 125.

第１の保持部材１２７は、第１の保持部材本体２６２を有し、第２の保持部材１２８は、第２の保持部材本体２７２を有する。図３に示すように、第１の保持部材本体２６２には、前記したカッタ２５４を案内するためのカッタ案内溝２６４が形成されている。第１の保持部材本体２６２には、凹部が設けられ、そこには例えば銅の薄板で形成された第１の高周波電極１３２が配設されている。第１の高周波電極１３２は、カッタ案内溝２６４を有するので、その平面形状は、図３（Ａ）に示すように、略Ｕ字形状となっている。 The first holding member 127 has a first holding member main body 262, and the second holding member 128 has a second holding member main body 272. As shown in FIG. 3, a cutter guide groove 264 for guiding the cutter 254 described above is formed in the first holding member main body 262. The first holding member main body 262 is provided with a recess, in which a first high-frequency electrode 132 formed of, for example, a copper thin plate is disposed. Since the first high-frequency electrode 132 has the cutter guide groove 264, the planar shape thereof is substantially U-shaped as shown in FIG.

また、後に詳述するように、第１の高周波電極１３２の第１の保持部材本体２６２側の面には、複数の発熱チップ１４０が接合されている。この発熱チップ１４０と、発熱チップ１４０への配線等と、第１の高周波電極１３２とを覆うように、例えばシリコーンからなる封止剤が塗布されて封止膜２６５が形成されている。
第１の高周波電極１３２には、図２に示すように、高周波電極用通電ライン２６８が電気的に接続している。第１の高周波電極１３２は、この高周波電極用通電ライン２６８を介して、ケーブル１６０に接続されている。 As will be described in detail later, a plurality of heat generating chips 140 are joined to the surface of the first high-frequency electrode 132 on the first holding member main body 262 side. A sealing film 265 is formed by applying a sealing agent made of, for example, silicone so as to cover the heating chip 140, the wiring to the heating chip 140, and the first high-frequency electrode 132.
As shown in FIG. 2, a high-frequency electrode conducting line 268 is electrically connected to the first high-frequency electrode 132. The first high-frequency electrode 132 is connected to the cable 160 through the high-frequency electrode conducting line 268.

第２の保持部材１２８は、第１の保持部材１２７と対称をなす形状をしている。すなわち、第２の保持部材１２８には、カッタ案内溝２６４と対向する位置に、カッタ案内溝２７４が形成されている。また、第２の保持部材本体２７２には、第１の高周波電極１３２と対向する位置に、第２の高周波電極１３４が配設されている。第２の高周波電極１３４は、高周波電極用通電ライン２６８を介して、ケーブル１６０に接続されている。 The second holding member 128 has a shape that is symmetrical to the first holding member 127. That is, the cutter guide groove 274 is formed in the second holding member 128 at a position facing the cutter guide groove 264. Further, the second holding member main body 272 is provided with a second high-frequency electrode 134 at a position facing the first high-frequency electrode 132. The second high-frequency electrode 134 is connected to the cable 160 via a high-frequency electrode energization line 268.

閉じた状態の保持部１２５が生体組織を把持する際には、把持された生体組織は、第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４と接触する。
第１の保持部材１２７及び第２の保持部材１２８は更に、第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４に接した生体組織を焼灼するために、発熱のための機構を有する。第１の保持部材１２７に設けられた発熱機構と、第２の保持部材１２８に設けられた発熱機構とは、同様の形態を持つ。ここでは第１の保持部材１２７に形成された発熱機構を例に挙げて説明する。 When the holding unit 125 in the closed state grips the living tissue, the gripped living tissue comes into contact with the first high-frequency electrode 132 and the second high-frequency electrode 134.
The first holding member 127 and the second holding member 128 further have a mechanism for heat generation in order to cauterize the living tissue in contact with the first high-frequency electrode 132 and the second high-frequency electrode 134. The heat generating mechanism provided in the first holding member 127 and the heat generating mechanism provided in the second holding member 128 have the same form. Here, the heat generating mechanism formed on the first holding member 127 will be described as an example.

まず、この発熱の機構を構成する発熱チップ１４０について図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。ここで、図４Ａは上面図であり、図４Ｂは図４Ａに示した４Ｂ−４Ｂ線に沿う断面図である。発熱チップ１４０は、アルミナ製の基板１４１を用いて形成されている。基板１４１の主面の一方である表面には、発熱用のＰｔ薄膜である抵抗パターン１４３が形成されている。また、基板１４１の表面の、長方形の２つの短辺近傍には、それぞれ矩形の電極１４５が形成されている。ここで、電極１４５は、抵抗パターン１４３のそれぞれの端部に接続している。電極１４５が形成されている部分を除き、抵抗パターン１４３上を含む基板１４１の表面には、例えばポリイミドで形成された絶縁膜１４７が形成されている。 First, the heat generating chip 140 constituting the heat generating mechanism will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. Here, FIG. 4A is a top view, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line 4B-4B shown in FIG. 4A. The heat generating chip 140 is formed using an alumina substrate 141. A resistance pattern 143 that is a Pt thin film for heat generation is formed on one surface of the main surface of the substrate 141. In addition, rectangular electrodes 145 are formed on the surface of the substrate 141 in the vicinity of the two short sides of the rectangle. Here, the electrode 145 is connected to each end of the resistance pattern 143. An insulating film 147 made of, for example, polyimide is formed on the surface of the substrate 141 including the resistance pattern 143 except for the portion where the electrode 145 is formed.

基板１４１の裏面全面には、接合用金属層１４９が形成されている。電極１４５と接合用金属層１４９とは、例えばＴｉとＣｕとＮｉとＡｕとからなる多層の膜である。これら電極１４５と接合用金属層１４９とは、ハンダ付け等に対して安定した強度を有している。接合用金属層１４９は、例えば第１の高周波電極１３２に発熱チップ１４０をハンダ付けする際に、接合が安定するように設けられている。 A bonding metal layer 149 is formed on the entire back surface of the substrate 141. The electrode 145 and the bonding metal layer 149 are multilayer films made of, for example, Ti, Cu, Ni, and Au. The electrodes 145 and the bonding metal layer 149 have stable strength against soldering or the like. The bonding metal layer 149 is provided so that the bonding is stable when the heat generating chip 140 is soldered to the first high-frequency electrode 132, for example.

発熱チップ１４０は、第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４の生体組織と接する面（第１の主面）とは反対側の面（第２の主面）に配設されている。ここで発熱チップ１４０は、それぞれ接合用金属層１４９の表面と第１の高周波電極１３２又は第２の高周波電極１３４の第２の主面とをハンダ付けすることにより固定されている。 The heat generating chip 140 is disposed on a surface (second main surface) opposite to the surface (first main surface) of the first high-frequency electrode 132 and the second high-frequency electrode 134 in contact with the living tissue. . Here, the heat generating chip 140 is fixed by soldering the surface of the bonding metal layer 149 and the second main surface of the first high-frequency electrode 132 or the second high-frequency electrode 134, respectively.

第１の高周波電極１３２の場合を例に挙げて、図３を参照して説明する。第１の高周波電極１３２には、６個の発熱チップ１４０が離散的に配置されている。すなわち、発熱チップ１４０は、基端側から先端側に向けてカッタ案内溝２６４を挟んで対称に２列に３個ずつ並べて配置されている。 The case of the first high-frequency electrode 132 will be described as an example with reference to FIG. Six heating chips 140 are discretely arranged on the first high-frequency electrode 132. That is, three heat generating chips 140 are arranged in two rows symmetrically across the cutter guide groove 264 from the base end side toward the tip end side.

これら発熱チップ１４０の抵抗パターン１４３は、電極１４５を介して直列に接続されている。隣り合う電極１４５同士は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤ１６３で接続されている。直列に接続された発熱チップの両端には、一対の発熱チップ用通電ライン１６２が接続されている。一対の発熱チップ用通電ライン１６２は、ケーブル１６０に接続されている。このようにして発熱チップ１４０は、ワイヤ１６３、発熱チップ用通電ライン１６２及びケーブル１６０を介して、制御装置１７０に接続されている。制御装置１７０は、発熱チップ１４０に投入する電力を制御する。 The resistance patterns 143 of these heat generating chips 140 are connected in series via electrodes 145. Adjacent electrodes 145 are connected by a wire 163 formed by, for example, wire bonding. A pair of heat generating chip energization lines 162 are connected to both ends of the heat generating chips connected in series. The pair of heating chip energization lines 162 is connected to the cable 160. In this way, the heat generating chip 140 is connected to the control device 170 via the wire 163, the heat generating chip conducting line 162 and the cable 160. The control device 170 controls the electric power supplied to the heat generating chip 140.

以上のように本実施形態では、複数の発熱チップ１４０が第１の高周波電極１３２に配置されているが、これは第１の高周波電極１３２の温度均一性を高めるためであり、電気的には６個の発熱チップ１４０全体で単一の発熱チップとみなすことができる。第１の高周波電極１３２上には、発熱チップ１４０や発熱チップ用通電ライン１６２を覆うように、例えばシリコーンからなる封止剤が塗布されて、封止膜２６５が図３に示すように形成されている。 As described above, in the present embodiment, the plurality of heat generating chips 140 are disposed on the first high-frequency electrode 132, but this is for improving the temperature uniformity of the first high-frequency electrode 132. The entire six heat generating chips 140 can be regarded as a single heat generating chip. On the first high-frequency electrode 132, a sealing agent made of silicone, for example, is applied so as to cover the heat generating chip 140 and the heat generating chip energization line 162, and a sealing film 265 is formed as shown in FIG. ing.

制御装置１７０から出力された電流は、６個の発熱チップ１４０の各抵抗パターン１４３を流れる。その結果、各抵抗パターン１４３は発熱する。抵抗パターン１４３が発熱すると、第１の高周波電極１３２にその熱が伝達される。この熱により、第１の高周波電極１３２に接した生体組織が焼灼される。 The current output from the control device 170 flows through each resistance pattern 143 of the six heat generating chips 140. As a result, each resistance pattern 143 generates heat. When the resistance pattern 143 generates heat, the heat is transmitted to the first high-frequency electrode 132. The living tissue in contact with the first high-frequency electrode 132 is cauterized by this heat.

発熱チップ１４０で生じた熱を効率よく第１の高周波電極１３２へ伝えるために、封止膜２６５、及びその周囲の第１の保持部材本体２６２は、第１の高周波電極１３２や基板１４１の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有することが好ましい。封止膜２６５及び第１の保持部材本体２６２の熱伝導率が低いことで、損失の少ない熱伝導が実現される。 In order to efficiently transmit the heat generated in the heat generating chip 140 to the first high-frequency electrode 132, the sealing film 265 and the first holding member body 262 around the sealing film 265 have heat of the first high-frequency electrode 132 and the substrate 141. It is preferable to have a thermal conductivity lower than the conductivity. Since the thermal conductivity of the sealing film 265 and the first holding member body 262 is low, thermal conduction with less loss is realized.

制御装置１７０の内部には、図５に示すように、制御部１８０と、高周波エネルギ出力回路１８１と、発熱チップ駆動回路１８２と、入力部１８５と、表示部１８６と、記憶部１８７と、スピーカ１８８と、温度センサ１８９とが配設されている。制御部１８０は、制御装置１７０内の各部と接続しており、制御装置１７０の各部を制御する。高周波エネルギ出力回路１８１は、エネルギ処置具１２０と接続しており、制御部１８０の制御の下、エネルギ処置具１２０の第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４を駆動する。すなわち、高周波エネルギ出力回路１８１は、高周波電極用通電ライン２６８を介して、第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４に高周波電圧を印加する。 As shown in FIG. 5, the control device 170 includes a control unit 180, a high frequency energy output circuit 181, a heat generating chip drive circuit 182, an input unit 185, a display unit 186, a storage unit 187, and a speaker. 188 and a temperature sensor 189 are disposed. The control unit 180 is connected to each unit in the control device 170 and controls each unit of the control device 170. The high frequency energy output circuit 181 is connected to the energy treatment device 120, and drives the first high frequency electrode 132 and the second high frequency electrode 134 of the energy treatment device 120 under the control of the control unit 180. That is, the high-frequency energy output circuit 181 applies a high-frequency voltage to the first high-frequency electrode 132 and the second high-frequency electrode 134 via the high-frequency electrode conducting line 268.

発熱チップ駆動回路１８２は、エネルギ処置具１２０と接続しており、制御部１８０の制御の下、エネルギ処置具１２０の発熱チップ１４０を駆動する。すなわち、発熱チップ駆動回路１８２は、制御部１８０の制御の下、発熱チップ用通電ライン１６２を介して加熱のために発熱チップ１４０の抵抗パターン１４３に電力を供給する。ここで、発熱チップ駆動回路１８２は、発熱チップ１４０に供給する電力量を変化させることができる。
また、発熱チップ駆動回路１８２は、発熱チップ１４０に電圧を印加した際に流れる電流を計測する機能を有する。発熱チップ駆動回路１８２は、計測した電流値を制御部１８０に出力する。 The heat generating chip driving circuit 182 is connected to the energy treatment device 120 and drives the heat generating chip 140 of the energy treatment device 120 under the control of the control unit 180. That is, the heat generating chip driving circuit 182 supplies power to the resistance pattern 143 of the heat generating chip 140 for heating through the heat generating chip energization line 162 under the control of the control unit 180. Here, the heat generating chip drive circuit 182 can change the amount of power supplied to the heat generating chip 140.
The heating chip driving circuit 182 has a function of measuring a current that flows when a voltage is applied to the heating chip 140. The heat generating chip driving circuit 182 outputs the measured current value to the control unit 180.

抵抗パターン１４３の抵抗値は、抵抗パターン１４３の温度に応じて変化する。したがって、抵抗パターン１４３の温度と抵抗値との関係を有していれば、制御部１８０は、抵抗パターン１４３の抵抗値に基づいて、抵抗パターン１４３の温度を取得することができる。制御部１８０は、抵抗パターン１４３に印加した電圧値と、発熱チップ駆動回路１８２から取得したそのとき流れる電流値とに基づいて、抵抗パターン１４３の抵抗値を算出する。さらに制御部１８０は、抵抗パターン１４３の温度と抵抗値との関係に基づいて、抵抗パターン１４３の温度を算出する。 The resistance value of the resistance pattern 143 changes according to the temperature of the resistance pattern 143. Therefore, if there is a relationship between the temperature of the resistance pattern 143 and the resistance value, the control unit 180 can acquire the temperature of the resistance pattern 143 based on the resistance value of the resistance pattern 143. The control unit 180 calculates the resistance value of the resistance pattern 143 based on the voltage value applied to the resistance pattern 143 and the current value flowing at that time acquired from the heating chip drive circuit 182. Further, the control unit 180 calculates the temperature of the resistance pattern 143 based on the relationship between the temperature of the resistance pattern 143 and the resistance value.

また、制御部１８０は、上記のように抵抗パターン１４３の温度を取得するために、抵抗パターン１４３の温度と抵抗値との関係を算出する。より具体的には、制御部１８０は、コネクタ１６５を介してエネルギ処置具１２０と制御装置１７０とが接続されたときに、メモリ１２３から当該エネルギ処置具１２０の固有情報を読み出す。さらに制御部１８０は、発熱チップ１４０の抵抗パターン１４３に微小電圧を印加させ、そのとき流れる電流値から抵抗パターン１４３の抵抗値を取得する。さらに制御部１８０は、温度センサ１８９から、校正温度としての環境温度を取得する。制御部１８０は、エネルギ処置具１２０の特性と、抵抗パターン１４３の抵抗値と、環境温度とから、抵抗パターン１４３の温度と抵抗値との関係を算出する。また、制御部１８０は、後に詳述するように、メモリ１２３から読み出した固有情報のうちエネルギ処置具１２０の個体識別番号と、算出した温度と抵抗値との関係に係る値、すなわち後に詳述する係数Ｃ１とを、記憶部１８７に格納する。 In addition, the control unit 180 calculates the relationship between the temperature of the resistance pattern 143 and the resistance value in order to acquire the temperature of the resistance pattern 143 as described above. More specifically, when the energy treatment tool 120 and the control device 170 are connected via the connector 165, the control unit 180 reads out the unique information of the energy treatment tool 120 from the memory 123. Further, the control unit 180 applies a minute voltage to the resistance pattern 143 of the heat generating chip 140 and acquires the resistance value of the resistance pattern 143 from the current value flowing at that time. Further, the control unit 180 acquires the environmental temperature as the calibration temperature from the temperature sensor 189. The control unit 180 calculates the relationship between the temperature and resistance value of the resistance pattern 143 from the characteristics of the energy treatment tool 120, the resistance value of the resistance pattern 143, and the environmental temperature. Further, as will be described in detail later, the control unit 180 has a value relating to the relationship between the individual identification number of the energy treatment instrument 120 and the calculated temperature and resistance value among the unique information read from the memory 123, that is, detailed later. The coefficient C1 to be stored is stored in the storage unit 187.

制御部１８０には、フットスイッチ（ＳＷ）２１６が接続されており、フットスイッチ２１６からエネルギ処置具１２０による処置が行われるＯＮと、処置が停止されるＯＦＦとが入力される。入力部１８５は、制御部１８０の各種設定等を入力する。表示部１８６は、制御部１８０の制御下で治療用処置装置１００の各種情報を表示する。記憶部１８７は、制御装置１７０の動作に必要な各種データが記憶されている。スピーカ１８８は、アラーム音などを出力する。温度センサ１８９は、環境温度を計測する。 A foot switch (SW) 216 is connected to the control unit 180, and ON from which the treatment by the energy treatment instrument 120 is performed and OFF from which the treatment is stopped are input from the foot switch 216. The input unit 185 inputs various settings of the control unit 180. The display unit 186 displays various types of information on the treatment apparatus 100 under the control of the control unit 180. The storage unit 187 stores various data necessary for the operation of the control device 170. The speaker 188 outputs an alarm sound or the like. The temperature sensor 189 measures the environmental temperature.

上記説明した治療用処置装置１００のうち、特に加熱処置に係る部分を抜き出した模式図を図６に示す。この図に示すように、加熱処置は、第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４並びに発熱チップ１４０を有する保持部１２５と、メモリ１２３とを備えるエネルギ処置具１２０によって行われる。エネルギ処置具１２０の制御は、制御部１８０と発熱チップ駆動回路１８２と記憶部１８７と温度センサ１８９とを有する制御装置１７０によって行われる。エネルギ処置具１２０と制御装置１７０とは、制御装置１７０側に設けられたコネクタ１６５を用いて着脱自在なケーブル１６０によって接続されている。なお、前記した高周波処置やカッタに係る構成は、本発明に係る治療用処置装置１００においては必ずしも必要ではない。 FIG. 6 shows a schematic diagram in which a portion related to the heating treatment is extracted from the therapeutic treatment apparatus 100 described above. As shown in this figure, the heat treatment is performed by an energy treatment device 120 including a holding unit 125 having a first high-frequency electrode 132, a second high-frequency electrode 134, and a heating chip 140, and a memory 123. Control of the energy treatment tool 120 is performed by a control device 170 having a control unit 180, a heat generating chip drive circuit 182, a storage unit 187, and a temperature sensor 189. The energy treatment tool 120 and the control device 170 are connected by a detachable cable 160 using a connector 165 provided on the control device 170 side. Note that the configuration related to the high-frequency treatment and the cutter described above is not necessarily required in the treatment apparatus for treatment 100 according to the present invention.

このように、例えば第１の高周波電極１３２又は第２の高周波電極１３４は、生体組織に接触して生体組織に熱を伝える伝熱部として機能し、例えば発熱チップ１４０は、電力が投入されることによって前記伝熱部を加熱する抵抗素子として機能し、例えばエネルギ処置具１２０は、伝熱部と抵抗素子とを有する処置具として機能し、例えば制御装置１７０は、抵抗素子の抵抗値Ｒを計測でき、目標温度で生体組織を加熱するために抵抗素子に電力を供給して伝熱部の温度を制御する制御装置として機能し、例えばメモリ１２３は、係数Ｃ２を格納するための記憶部として機能し、例えば温度センサ１８９は、環境温度を計測するための温度センサとして機能し、例えば記憶部１８７は、算出係数記憶部として機能する。 Thus, for example, the first high-frequency electrode 132 or the second high-frequency electrode 134 functions as a heat transfer unit that contacts the living tissue and transfers heat to the living tissue. For example, the heating chip 140 is supplied with power. For example, the energy treatment tool 120 functions as a treatment tool having a heat transfer part and a resistance element. For example, the control device 170 sets the resistance value R of the resistance element. It can be measured and functions as a control device that controls the temperature of the heat transfer unit by supplying power to the resistance element to heat the living tissue at the target temperature. For example, the memory 123 serves as a storage unit for storing the coefficient C2 For example, the temperature sensor 189 functions as a temperature sensor for measuring the environmental temperature. For example, the storage unit 187 functions as a calculation coefficient storage unit.

次に本実施形態に係る治療用処置装置１００の動作を説明する。制御部１８０による処理を表すフローチャートを図７に示す。ステップＳ１０１において制御部１８０は、エネルギ処置具１２０が接続しているケーブル１６０が、コネクタを介して制御装置１７０に接続されたか否かを判定する。接続されていないとき、制御部１８０はステップＳ１０１を繰り返す。一方、制御部１８０がエネルギ処置具１２０が接続したケーブル１６０が制御装置１７０に接続されたと判定したら、処理はステップＳ１０２に移される。ステップＳ１０２において制御部１８０は、定義済み処理である初期設定処理を実行する。この初期設定処理については、後に詳述する。 Next, the operation of the therapeutic treatment apparatus 100 according to this embodiment will be described. FIG. 7 shows a flowchart showing the processing by the control unit 180. In step S101, the control unit 180 determines whether the cable 160 to which the energy treatment device 120 is connected is connected to the control device 170 via the connector. When not connected, the control unit 180 repeats step S101. On the other hand, if the control unit 180 determines that the cable 160 to which the energy treatment device 120 is connected is connected to the control device 170, the process proceeds to step S102. In step S102, the control unit 180 executes an initial setting process that is a predefined process. This initial setting process will be described later in detail.

ステップＳ１０３において制御部１８０は、定義済み処理である出力設定処理を実行する。出力設定処理では、制御部１８０は、入力部１８５を介して術者の指示を受け取り、治療用処置装置１００の出力条件、例えば、高周波エネルギ出力の設定電力、熱エネルギ出力による目標温度Ｔｏｐ、加熱時間ｔｏｐ等を設定する。ここで、術者がそれぞれの値を個別に設定するようにしてもよいし、術者は術式に応じた設定値のセットを選択し、その選択に基づいて制御部１８０が出力条件を決定するようにしてもよい。 In step S103, the control unit 180 executes an output setting process that is a predefined process. In the output setting process, the control unit 180 receives the operator's instruction via the input unit 185, and outputs the treatment conditions of the treatment apparatus 100, for example, the set power of the high frequency energy output, the target temperature Top by the thermal energy output, the heating Set time top and the like. Here, the operator may individually set each value, or the operator selects a set of setting values according to the technique, and the control unit 180 determines the output condition based on the selection. You may make it do.

エネルギ処置具１２０の保持部１２５及びシャフト２２４は、例えば、腹壁を通して腹腔内に挿入される。術者は、操作ノブ２３２を操作して保持部１２５を開閉させ、第１の保持部材１２７と第２の保持部材１２８とによって処置対象の生体組織を把持する。このとき、第１の保持部材１２７に設けられた第１の高周波電極１３２と第２の保持部材１２８に設けられた第２の高周波電極１３４との両方の第１の主面に、処置対象の生体組織が接触している。 The holding part 125 and the shaft 224 of the energy treatment device 120 are inserted into the abdominal cavity through the abdominal wall, for example. The surgeon operates the operation knob 232 to open and close the holding portion 125, and grips the living tissue to be treated by the first holding member 127 and the second holding member 128. At this time, the first main surface of both the first high-frequency electrode 132 provided on the first holding member 127 and the second high-frequency electrode 134 provided on the second holding member 128 is subjected to treatment. Living tissue is in contact.

ステップＳ１０４において制御部１８０は、術者による高周波処置開始の指示が入力されたか否かの判定を繰り返す。術者は、保持部１２５によって処置対象の生体組織を把持したら、フットスイッチ２１６を操作する。例えばフットスイッチ２１６がＯＮに切り換えられ、制御部１８０が高周波処置開始の指示が入力されたと判定する。このとき、ステップＳ１０５において制御部１８０は、高周波処置実施処理を実行する。高周波処置実施処理では、制御装置１７０の高周波エネルギ出力回路１８１から、ケーブル１６０を介して第１の高周波電極１３２及び第２の高周波電極１３４に、設定電力の高周波電力が供給される。供給される電力は、例えば２０Ｗ〜８０Ｗ程度である。その結果、生体組織は発熱し、組織が焼灼される。この焼灼により、当該組織は変性し、凝固する。所定時間の経過後、又は術者の指示に基づいて、制御部１８０は高周波エネルギの出力を停止し、高周波処置実施処理は終了する。 In step S104, the control unit 180 repeats the determination as to whether or not an instruction to start a high-frequency treatment by the operator has been input. When the operator grasps the biological tissue to be treated with the holding unit 125, the operator operates the foot switch 216. For example, the foot switch 216 is switched ON, and the control unit 180 determines that an instruction to start high frequency treatment has been input. At this time, in step S105, the control unit 180 executes a high-frequency treatment execution process. In the high frequency treatment execution process, high frequency power of set power is supplied from the high frequency energy output circuit 181 of the control device 170 to the first high frequency electrode 132 and the second high frequency electrode 134 via the cable 160. The supplied power is, for example, about 20W to 80W. As a result, the living tissue generates heat and the tissue is cauterized. By this cauterization, the tissue is denatured and solidified. After the elapse of the predetermined time or based on the operator's instruction, the control unit 180 stops the output of the high-frequency energy, and the high-frequency treatment execution process ends.

ステップＳ１０６において制御部１８０は、術者による加熱処置開始の指示が入力されたか否かの判定を繰り返す。例えばフットスイッチ２１６がＯＮに切り換えられ、制御部１８０が加熱処置開始の指示が入力されたと判定したら、ステップＳ１０７において制御部１８０は、加熱処置実施処理を実行する。加熱処置実施処理では、後に詳述するようにして、制御装置１７０は第１の高周波電極１３２の温度が目標温度になるように発熱チップ１４０に電力を供給する。ここで、目標温度は、例えば２００℃程度である。このとき電流は、制御装置１７０の発熱チップ駆動回路１８２から、ケーブル１６０及び発熱チップ用通電ライン１６２を介して、各発熱チップ１４０の抵抗パターン１４３を流れる。各発熱チップ１４０の抵抗パターン１４３は、電流によって発熱する。 In step S <b> 106, the control unit 180 repeats the determination as to whether or not an instruction for starting the heating treatment has been input by the operator. For example, when the foot switch 216 is switched ON and the control unit 180 determines that an instruction to start the heat treatment is input, the control unit 180 executes the heat treatment execution process in step S107. In the heat treatment execution process, as will be described in detail later, the control device 170 supplies power to the heat generating chip 140 so that the temperature of the first high-frequency electrode 132 becomes the target temperature. Here, the target temperature is about 200 ° C., for example. At this time, the current flows from the heating chip drive circuit 182 of the control device 170 through the resistance pattern 143 of each heating chip 140 via the cable 160 and the heating chip energization line 162. The resistance pattern 143 of each heat generating chip 140 generates heat by current.

抵抗パターン１４３で発生した熱は、基板１４１及び接合用金属層１４９を介して、第１の高周波電極１３２に伝わる。その結果、第１の高周波電極１３２の温度は上昇する。同様に、第２の高周波電極１３４の温度も、第２の高周波電極１３４に配置された各発熱チップ１４０を流れる電流による発熱で上昇する。これらの熱によって第１の高周波電極１３２又は第２の高周波電極１３４の第１の主面と接触している生体組織は更に焼灼され、更に凝固する。加熱によって生体組織が凝固したら、熱エネルギの出力は停止され、加熱処置実施処置は終了する。以上のようにして、制御部１８０による一連の処理は終了する。最後に術者は、操作ノブ２３２を操作してカッタ２５４を移動させ、生体組織を切断する。以上によって生体組織の処置が完了する。 The heat generated in the resistance pattern 143 is transmitted to the first high-frequency electrode 132 through the substrate 141 and the bonding metal layer 149. As a result, the temperature of the first high-frequency electrode 132 rises. Similarly, the temperature of the second high-frequency electrode 134 also rises due to the heat generated by the current flowing through each heat generating chip 140 disposed on the second high-frequency electrode 134. The living tissue in contact with the first main surface of the first high-frequency electrode 132 or the second high-frequency electrode 134 is further cauterized and further solidified by these heats. When the living tissue is solidified by heating, the output of heat energy is stopped, and the heat treatment execution procedure is ended. As described above, a series of processing by the control unit 180 ends. Finally, the operator operates the operation knob 232 to move the cutter 254 and cut the living tissue. The treatment of the living tissue is thus completed.

上記のような加熱処置において、発熱チップ１４０による加熱における温度制御には、高い精度が求められる。本実施形態では、制御部１８０は、発熱チップ１４０の温度を抵抗パターン１４３の抵抗値に基づいて取得する。すなわち、制御部１８０の制御下で発熱チップ駆動回路１８２は、抵抗パターン１４３に電圧を印加し、そのとき流れる電流値を計測する。発熱チップ駆動回路１８２は、計測した電流値を制御部１８０に出力する。制御部１８０は、抵抗パターン１４３に印加した電圧値と、発熱チップ駆動回路１８２から取得した電流値とに基づいて、抵抗パターン１４３の抵抗値を算出する。制御部１８０は、算出した抵抗値と抵抗パターン１４３の抵抗値と温度との関係に基づいて、抵抗パターン１４３の温度を算出する。 In the heating treatment as described above, high accuracy is required for temperature control in heating by the heating chip 140. In the present embodiment, the control unit 180 acquires the temperature of the heat generating chip 140 based on the resistance value of the resistance pattern 143. That is, the heat generating chip drive circuit 182 applies a voltage to the resistance pattern 143 under the control of the control unit 180 and measures a current value flowing at that time. The heat generating chip driving circuit 182 outputs the measured current value to the control unit 180. The control unit 180 calculates the resistance value of the resistance pattern 143 based on the voltage value applied to the resistance pattern 143 and the current value acquired from the heating chip drive circuit 182. The control unit 180 calculates the temperature of the resistance pattern 143 based on the relationship between the calculated resistance value, the resistance value of the resistance pattern 143, and the temperature.

抵抗パターン１４３の抵抗値Ｒと温度Ｔとの関係について説明する。抵抗パターン１４３の温度は、下記式（１）で与えられる。
Ｔ＝Ｃ１×Ｒ＋Ｃ２（１）
ここで、係数Ｃ１及び係数Ｃ２は所定の定数である。したがって、係数Ｃ１及び係数Ｃ２が既知であれば、式（１）に基づいて抵抗パターン１４３の抵抗値Ｒから温度Ｔを求めることができる。以下、係数Ｃ１及び係数Ｃ２について説明する。 A relationship between the resistance value R of the resistance pattern 143 and the temperature T will be described. The temperature of the resistance pattern 143 is given by the following formula (1).
T = C1 × R + C2 (1)
Here, the coefficient C1 and the coefficient C2 are predetermined constants. Therefore, if the coefficient C1 and the coefficient C2 are known, the temperature T can be obtained from the resistance value R of the resistance pattern 143 based on the equation (1). Hereinafter, the coefficient C1 and the coefficient C2 will be described.

温度Ｔ１のときの抵抗値Ｒ１とし、温度Ｔ２のときの抵抗値Ｒ２とすると、式（１）より、次式（２）及び（３）が成り立つ。
Ｔ１＝Ｃ１×Ｒ１＋Ｃ２（２）
Ｔ２＝Ｃ１×Ｒ２＋Ｃ２（３） When the resistance value R1 at the temperature T1 is set to the resistance value R2 at the temperature T2, the following formulas (2) and (3) are established from the formula (1).
T1 = C1 × R1 + C2 (2)
T2 = C1 × R2 + C2 (3)

ここで、抵抗値Ｒ１及びＲ２の比をαとする。すなわち、次式（４）とする。
α＝Ｒ２／Ｒ１（４）
すると、式（２）（３）（４）より、次式（５）が得られる。
Ｃ２＝（Ｔ１×α―Ｔ２）／（α−１）（５）
ここで、αは抵抗パターン１４３の材料によって決まる値である。すなわち、製造工程で不均一さが生じる抵抗パターン１４３の線幅や厚さには依存しない。したがって、同一材料を用いた同一構造の発熱チップ１４０では、個体間の係数Ｃ２の差異はごく小さい。係数Ｃ２の導出には２つの異なる温度で抵抗値を計測する必要がある。しかしながら、個体間の差異が小さいことから、全ての発熱チップ１４０について計測する必要はなく、例えは発熱チップ１４０の製造ロット毎に抜き取り検査を行って平均値を算出することで十分な精度でそのロットの発熱チップ１４０の係数Ｃ２を得ることができる。 Here, the ratio of the resistance values R1 and R2 is α. That is, it is set as the following formula (4).
α = R2 / R1 (4)
Then, the following equation (5) is obtained from the equations (2), (3), and (4).
C2 = (T1 × α−T2) / (α−1) (5)
Here, α is a value determined by the material of the resistance pattern 143. That is, it does not depend on the line width or thickness of the resistance pattern 143 that causes non-uniformity in the manufacturing process. Therefore, in the heat generating chip 140 having the same structure using the same material, the difference in coefficient C2 between individuals is very small. In order to derive the coefficient C2, it is necessary to measure the resistance value at two different temperatures. However, since the difference between individuals is small, it is not necessary to measure all of the heat generating chips 140. For example, by performing a sampling inspection for each manufacturing lot of the heat generating chips 140 and calculating an average value, the measurement can be performed with sufficient accuracy. The coefficient C2 of the heating chip 140 of the lot can be obtained.

係数Ｃ２が既知である場合、ある温度Ｔにおける抵抗パターン１４３の抵抗値Ｒは、下記式（６）で表される。
Ｃ１＝（Ｔ−Ｃ２）／Ｒ（６）
この式から明らかなとおり、係数Ｃ２が既知であれば、ある一つの温度における抵抗値を計測することで係数Ｃ１を取得することができる。 When the coefficient C2 is known, the resistance value R of the resistance pattern 143 at a certain temperature T is expressed by the following formula (6).
C1 = (T−C2) / R (6)
As is apparent from this equation, if the coefficient C2 is known, the coefficient C1 can be obtained by measuring the resistance value at one temperature.

ここで、係数Ｃ１は、抵抗パターン１４３の線幅や厚さには依存し、製造工程において比較的大きな不均一さが生じ易い。したがって、処置具の個体毎に係数Ｃ１を計測することが望まれる。 Here, the coefficient C1 depends on the line width and thickness of the resistance pattern 143, and relatively large non-uniformity is likely to occur in the manufacturing process. Therefore, it is desired to measure the coefficient C1 for each individual treatment instrument.

以上のことから、本実施形態では、係数Ｃ２は、例えば製造ロット毎の抜き取り検査の平均値等によって予め求めておく。そして、この係数Ｃ２の値は、上述のとおりエネルギ処置具１２０に備えられたメモリ１２３に記憶しておく。一方、係数Ｃ１は、使用時の初期設定処理において計測する。 From the above, in this embodiment, the coefficient C2 is obtained in advance by, for example, an average value of sampling inspection for each production lot. The value of the coefficient C2 is stored in the memory 123 provided in the energy treatment device 120 as described above. On the other hand, the coefficient C1 is measured in the initial setting process during use.

本実施形態における初期設定処理の例を図８に示すフローチャートを参照して説明する。ステップＳ２０１において制御部１８０は、エネルギ処置具１２０のメモリ１２３から、そのエネルギ処置具１２０の個体識別番号と係数Ｃ２の値とを読み出す。ステップＳ２０２において制御部１８０は、記憶部１８７に個体識別番号に対応する係数Ｃ１が格納されているか否かを判定する。 An example of the initial setting process in the present embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In step S201, the control unit 180 reads the individual identification number of the energy treatment device 120 and the value of the coefficient C2 from the memory 123 of the energy treatment device 120. In step S202, the control unit 180 determines whether or not the coefficient C1 corresponding to the individual identification number is stored in the storage unit 187.

ステップＳ２０２の判定において、記憶部１８７に個体識別番号に対応する係数Ｃ１が格納されていないと判定されたら、処理はステップＳ２０３に進められる。ステップＳ２０３において制御部１８０は、制御装置１７０に備えられた温度センサ１８９から計測した環境温度Ｔｍを取得する。本実施形態では、この環境温度Ｔｍを、係数Ｃ１の算出に用いる温度である校正温度とする。ステップＳ２０４において制御部１８０は、発熱チップ駆動回路１８２に指令して発熱チップ１４０の抵抗パターン１４３に微小電圧Ｖｍを印加させる。ステップＳ２０５において制御部１８０は、発熱チップ駆動回路１８２に指令して抵抗パターン１４３を流れる電流Ｉｍを計測させ、計測した電流Ｉｍを取得する。 If it is determined in step S202 that the coefficient C1 corresponding to the individual identification number is not stored in the storage unit 187, the process proceeds to step S203. In step S203, the control unit 180 acquires the environmental temperature Tm measured from the temperature sensor 189 provided in the control device 170. In the present embodiment, the environmental temperature Tm is set as a calibration temperature that is a temperature used for calculating the coefficient C1. In step S <b> 204, the control unit 180 instructs the heating chip driving circuit 182 to apply the minute voltage Vm to the resistance pattern 143 of the heating chip 140. In step S205, the control unit 180 instructs the heat generating chip driving circuit 182 to measure the current Im flowing through the resistance pattern 143, and acquires the measured current Im.

ステップＳ２０６において制御部１８０は、次式（７）に基づいて抵抗パターン１４３の抵抗値Ｒｍを算出する。
Ｒｍ＝Ｖｍ／Ｉｍ（７）
さらに、得られたＲｍと、ステップＳ２０１で取得した係数Ｃ２と、ステップＳ２０３で計測した環境温度Ｔｍと、式（６）とに基づいて、次式（８）により、係数Ｃ１を算出する。
Ｃ１＝（Ｔｍ−Ｃ２）／Ｒｍ（８）
なお、ケーブル１６０のコネクタ１６５への接続直後にこの計測が行われることから、発熱チップの温度は環境温度と等しいとみなすことができる。 In step S206, the control unit 180 calculates the resistance value Rm of the resistance pattern 143 based on the following equation (7).
Rm = Vm / Im (7)
Further, based on the obtained Rm, the coefficient C2 acquired in step S201, the environmental temperature Tm measured in step S203, and the expression (6), the coefficient C1 is calculated by the following expression (8).
C1 = (Tm−C2) / Rm (8)
Since this measurement is performed immediately after connection of the cable 160 to the connector 165, the temperature of the heat generating chip can be regarded as being equal to the environmental temperature.

ステップＳ２０７において制御部１８０は、ステップＳ２０１で読み出した個体識別番号と、ステップＳ２０６で算出した係数Ｃ１とを関連付けて、記憶部１８７に格納する。ステップＳ２０８において制御部１８０は、発熱チップ駆動回路１８２に指令して、抵抗パターン１４３への微小電圧Ｖｍの印加を停止させる。その後処理は、係数Ｃ１及びＣ２を戻り値として、図７に示した処理のステップＳ１０２に戻される。 In step S207, the control unit 180 associates the individual identification number read in step S201 with the coefficient C1 calculated in step S206, and stores it in the storage unit 187. In step S208, the control unit 180 instructs the heat generating chip drive circuit 182 to stop applying the minute voltage Vm to the resistance pattern 143. Thereafter, the process returns to step S102 of the process shown in FIG. 7 using the coefficients C1 and C2 as return values.

一方、ステップＳ２０２の判定において、記憶部１８７に個体識別番号に対応する係数Ｃ１が格納されていると判定されたら、ステップＳ２０９において制御部１８０は、係数Ｃ１の算出を行わずに、記憶部１８７から記憶されている個体識別番号に対応する係数Ｃ１を読み出す。その後処理は、係数Ｃ１及びＣ２を戻り値として、ステップＳ１０２に戻される。 On the other hand, if it is determined in step S202 that the coefficient C1 corresponding to the individual identification number is stored in the storage unit 187, the control unit 180 does not calculate the coefficient C1 in step S209, but stores the coefficient C1. The coefficient C1 corresponding to the stored individual identification number is read out. Thereafter, the process returns to step S102 with the coefficients C1 and C2 as return values.

なお、ここに示した処理手順は一例であり、処理順序は適宜変更することができる。例えば、ステップＳ２０３は、ステップＳ２０５の後に行うことができるし、ステップＳ２０８は、ステップＳ２０５の後に行うことができる。 The processing procedure shown here is an example, and the processing order can be changed as appropriate. For example, step S203 can be performed after step S205, and step S208 can be performed after step S205.

本実施形態では、ステップＳ１０７における加熱処置実施処理において、上記のようにして得られた係数Ｃ１及びＣ２を用いて発熱チップ１４０に投入する電力のフィードバック制御を行う。加熱処置実施処理を図９に示したフローチャートを参照して説明する。 In the present embodiment, in the heat treatment execution process in step S107, feedback control of the electric power input to the heat generating chip 140 is performed using the coefficients C1 and C2 obtained as described above. The heat treatment execution process will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

ステップＳ３０１において制御部１８０は、各種パラメータを初期値に設定し、発熱チップ駆動回路１８２に抵抗パターン１４３への電力の投入を開始させる。例えば、経過時間ｔを０とし、投入電力Ｐを初期投入電力Ｐ０とし、抵抗パターン１４３に印加する電圧Ｖｄを初期印加電圧Ｖｄ＿０に設定する。 In step S301, the control unit 180 sets various parameters to initial values, and causes the heat generation chip drive circuit 182 to start supplying power to the resistance pattern 143. For example, the elapsed time t is set to 0, the input power P is set to the initial input power P0, and the voltage Vd applied to the resistance pattern 143 is set to the initial applied voltage Vd_0.

ステップＳ３０２において制御部１８０は、抵抗パターン１４３への印加電圧Ｖｄと、発熱チップ駆動回路１８２から取得したこのとき流れる電流Ｉとに基づいて、抵抗パターン１４３の抵抗値Ｒを算出する。ステップＳ３０３において制御部１８０は、式（１）に基づいて抵抗パターン１４３の温度Ｔを算出する。ステップＳ３０４において制御部１８０は、次式（９）により、抵抗パターン１４３に投入する電力Ｐを算出する。
Ｐ＝Ｃ３×（Ｔｏｐ−Ｔ）＋Ｐｎｏｗ（９）
ここで、Ｃ３は制御ゲインであり、所定の値が与えられている。Ｔｏｐは目標温度であり、Ｐｎｏｗは現在投入されている電力である。ここでは制御ゲインをＣ３とする単純な比例制御としているが、より安定した制御を行うために、ＰＩＤ制御を用いてもよい。 In step S <b> 302, the control unit 180 calculates the resistance value R of the resistance pattern 143 based on the voltage Vd applied to the resistance pattern 143 and the current I flowing at this time acquired from the heat generation chip drive circuit 182. In step S303, the control unit 180 calculates the temperature T of the resistance pattern 143 based on Expression (1). In step S304, the control unit 180 calculates the power P to be input to the resistance pattern 143 by the following equation (9).
P = C3 × (Top−T) + Pnow (9)
Here, C3 is a control gain, which is given a predetermined value. Top is the target temperature, and Pnow is the power that is currently input. Here, simple proportional control with a control gain of C3 is used, but PID control may be used in order to perform more stable control.

ステップＳ３０５において制御部１８０は、次式（１０）に基づいて印加電圧Ｖを算出する。
Ｖ＝（Ｐ×Ｒ）^０．５（１０）
ステップＳ３０６において制御部１８０は、発熱チップ駆動回路１８２に指令して、算出した印加電圧Ｖを抵抗パターン１４３に印加させる。 In step S305, the control unit 180 calculates the applied voltage V based on the following equation (10).
V = (P × R) ^0.5 (10)
In step S <b> 306, the control unit 180 instructs the heat generating chip driving circuit 182 to apply the calculated applied voltage V to the resistance pattern 143.

ステップＳ３０７において制御部１８０は、経過時間ｔが処置時間ｔｏｐよりも小さいか否かを判定する。経過時間ｔが処置時間ｔｏｐよりも小さければ、処理はステップＳ３０２に戻される。一方、経過時間ｔが処置時間ｔｏｐ以上であれば、加熱処置実施処理は終了され、図７に示す処理のステップＳ１０７に戻される。以上のようにして、ステップＳ３０２乃至ステップＳ３０７の処理が繰り返される間、抵抗パターン１４３に投入される電力Ｐはフィードバック制御される。 In step S307, the control unit 180 determines whether or not the elapsed time t is smaller than the treatment time top. If the elapsed time t is smaller than the treatment time top, the process returns to step S302. On the other hand, if the elapsed time t is equal to or longer than the treatment time top, the heat treatment execution process is terminated, and the process returns to step S107 of the process shown in FIG. As described above, while the processes in steps S302 to S307 are repeated, the power P input to the resistance pattern 143 is feedback-controlled.

本実施形態によれば、係数Ｃ１及び係数Ｃ２を得るために、全てのエネルギ処置具１２０を対象として複数の温度における各抵抗値を計測する必要がない。係数Ｃ２を予めエネルギ処置具１２０に格納しておき、単一の温度における抵抗値を計測することで、高い精度で係数Ｃ１を得ることができる。このため、各エネルギ処置具１２０の使用前に、環境温度において抵抗値を計測するだけで係数Ｃ１及び係数Ｃ２を得ることができる。その結果、製造時の検査工程において全てのエネルギ処置具１２０を対象とした計測を行う必要がないので、検査工程のコストを低減させることができる。 According to this embodiment, in order to obtain the coefficient C1 and the coefficient C2, it is not necessary to measure each resistance value at a plurality of temperatures for all the energy treatment devices 120. By storing the coefficient C2 in the energy treatment device 120 in advance and measuring the resistance value at a single temperature, the coefficient C1 can be obtained with high accuracy. For this reason, before using each energy treatment tool 120, the coefficient C1 and the coefficient C2 can be obtained only by measuring the resistance value at the environmental temperature. As a result, since it is not necessary to perform measurement for all the energy treatment tools 120 in the inspection process at the time of manufacture, the cost of the inspection process can be reduced.

また、本実施形態においては、係数Ｃ１を算出する際の抵抗値Ｒｍの計測では、微小電圧Ｖｍの印加によって行うので、発熱チップ１４０が高温になることがない。また、ケーブル１６０のコネクタ１６５への接続直後にこの計測が行われることから、発熱チップの温度は環境温度と等しいとみなすことができる。発熱チップの温度を上下させた場合と比較して、温度Ｔを安定して取得することができるので、係数Ｃ１の算出は高精度となる。 Further, in the present embodiment, the measurement of the resistance value Rm when calculating the coefficient C1 is performed by applying the minute voltage Vm, so that the heat generating chip 140 does not become high temperature. Further, since this measurement is performed immediately after the connection of the cable 160 to the connector 165, the temperature of the heat generating chip can be regarded as being equal to the environmental temperature. Compared with the case where the temperature of the heat generating chip is raised or lowered, the temperature T can be obtained stably, so the calculation of the coefficient C1 becomes highly accurate.

また、係数Ｃ１の算出では、校正温度として環境温度を用いているので、制御装置１７０に温度センサ１８９を設けておけば、抵抗パターン１４３の温度を取得するための温度センサをエネルギ処置具１２０毎に設ける必要がない。また、精度を多少犠牲にする場合、又は環境温度が安定している場所で用いる場合、温度センサ１８９を設けずに、例えば環境温度が２５℃等一定であると仮定して、その温度を校正温度として用いて同様の処理を行うこともできる。 Further, since the environmental temperature is used as the calibration temperature in the calculation of the coefficient C1, if the temperature sensor 189 is provided in the control device 170, a temperature sensor for acquiring the temperature of the resistance pattern 143 is provided for each energy treatment tool 120. There is no need to provide it. Further, when the accuracy is somewhat sacrificed or when used in a place where the environmental temperature is stable, the temperature is calibrated on the assumption that the environmental temperature is constant, for example, 25 ° C. without providing the temperature sensor 189. The same treatment can be performed using the temperature.

また本実施形態によれば、係数Ｃ１の計測を、当該エネルギ処置具１２０を実際に駆動する制御装置１７０を用いて行うので、内部配線の寄生抵抗やアンプのオフセット等、制御装置１７０の個体差が補正される。したがって、より高精度に発熱チップ１４０の温度制御を行うことができる。 In addition, according to the present embodiment, the coefficient C1 is measured using the control device 170 that actually drives the energy treatment instrument 120. Therefore, individual differences of the control device 170 such as the parasitic resistance of the internal wiring and the offset of the amplifier. Is corrected. Therefore, the temperature control of the heat generating chip 140 can be performed with higher accuracy.

また、一度計測された係数Ｃ１の値は、同一の制御装置１７０に対しては再利用される。したがって、例えば加熱治療処置を行った後に何等かの理由で一時的にエネルギ処置具１２０を制御装置１７０から取り外し、時間を経ずに再接続した場合等、発熱チップ１４０の残熱で発熱チップ１４０と制御装置１７０の温度センサ１８９との間に大きな温度差がある場合でも、係数Ｃ１が誤った値に更新されることがない。なお、本実施形態では、算出された係数Ｃ１の値を記憶部１８７に格納しているが、メモリ１２３に格納しても同様の効果が得られることは言うまでもない。 Further, the value of the coefficient C1 once measured is reused for the same control device 170. Therefore, for example, when the energy treatment tool 120 is temporarily removed from the control device 170 for some reason after the heat treatment treatment and is reconnected without time, the heat generating chip 140 is caused by the residual heat of the heat generating chip 140. Even when there is a large temperature difference between the control device 170 and the temperature sensor 189 of the control device 170, the coefficient C1 is not updated to an incorrect value. In the present embodiment, the calculated value of the coefficient C1 is stored in the storage unit 187, but it goes without saying that the same effect can be obtained even if it is stored in the memory 123.

また、本実施形態では、係数Ｃ２をエネルギ処置具１２０のメモリ１２３に格納しているので、抵抗パターン１４３の素材が異なるエネルギ処置具１２０を、同一の制御装置１７０で駆動することができる。なお、抵抗パターン１４３の素材が単一で、かつ製造ロット間の不均一さが非常に小さい場合には、エネルギ処置具１２０の例えば記憶部１８７に係数Ｃ２を格納するようにしてもよい。またエネルギ処置具１２０の個体識別番号とそれに対する係数Ｃ２との関係を、制御装置１７０が例えばオンラインで取得したり、その情報をメディアを介して取得したりしてもよい。 In the present embodiment, since the coefficient C2 is stored in the memory 123 of the energy treatment device 120, the energy treatment devices 120 having different resistance pattern 143 materials can be driven by the same control device 170. In addition, when the material of the resistance pattern 143 is single and the non-uniformity between manufacturing lots is very small, the coefficient C2 may be stored in, for example, the storage unit 187 of the energy treatment device 120. Moreover, the control apparatus 170 may acquire the relationship between the individual identification number of the energy treatment tool 120 and the coefficient C2 with respect thereto, for example, online, or may acquire the information via a medium.

また、本実施形態では、個体識別番号とそれに対する算出した係数Ｃ１との関係を、制御装置１７０の記憶部１８７に格納しているが、エネルギ処置具１２０に設けられたメモリ１２３やその他のメモリに格納するようにしてもよい。 In the present embodiment, the relationship between the individual identification number and the calculated coefficient C1 is stored in the storage unit 187 of the control device 170. However, the memory 123 provided in the energy treatment instrument 120 or other memory You may make it store in.

また、本実施形態では、環境温度を計測するための温度センサ１８９を制御装置１７０内に配置しているが、温度センサをエネルギ処置具１２０に配置して、その温度センサの計測値を制御装置１７０が読み出す構成としてもよい。この場合、温度センサは発熱チップ１４０の近傍に配置されることが特に好適である。この場合は、係数Ｃ１を算出するにあたって用いる校正温度は環境温度に限らない。 In this embodiment, the temperature sensor 189 for measuring the environmental temperature is arranged in the control device 170. However, the temperature sensor is arranged in the energy treatment instrument 120, and the measured value of the temperature sensor is controlled by the control device. 170 may be configured to read. In this case, it is particularly preferable that the temperature sensor is disposed in the vicinity of the heat generating chip 140. In this case, the calibration temperature used for calculating the coefficient C1 is not limited to the environmental temperature.

また、本実施形態では、抵抗パターン１４３の抵抗値からその温度を算出するにあたって、式（１）を用いたが、より高精度の温度計測を行うために、抵抗温度係数の温度依存性を考慮するには、次式（１１）を用いることもできる。
Ｔ＝Ｃ１´×Ｒ^２＋Ｃ１×Ｒ＋Ｃ２（１１）
この場合は抵抗温度係数の温度依存性は、係数Ｃ１´と関係する。ここでＣ１´もＣ１と同様に抵抗パターン１４３の材質に依存する。このため、係数Ｃ１´を用いる場合は、これをＣ１と同様にメモリ１２３に記憶させておくことができる。 In the present embodiment, Equation (1) is used to calculate the temperature from the resistance value of the resistance pattern 143. However, in order to perform temperature measurement with higher accuracy, the temperature dependence of the resistance temperature coefficient is considered. For this purpose, the following equation (11) can also be used.
T = C1 ′ × R ² + C1 × R + C2 (11)
In this case, the temperature dependence of the resistance temperature coefficient is related to the coefficient C1 ′. Here, C1 ′ also depends on the material of the resistance pattern 143, similarly to C1. For this reason, when the coefficient C1 ′ is used, it can be stored in the memory 123 similarly to C1.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても、発明が解決しようとする課題の欄で述べられた課題が解決でき、かつ、発明の効果が得られる場合には、この構成要素が削除された構成も発明として抽出され得る。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in the embodiment, the problem described in the column of problems to be solved by the invention can be solved and the effect of the invention can be obtained. The configuration in which this component is deleted can also be extracted as an invention.

１００…治療用処置装置、１２０…エネルギ処置具、１２３…メモリ、１２５…保持部、１２７…第１の保持部材、１２８…第２の保持部材、１３２…第１の高周波電極、１３４…第２の高周波電極、１４０…発熱チップ、１４１…基板、１４３…抵抗パターン、１４５…電極、１４７…絶縁膜、１４９…接合用金属層、１６０…ケーブル、１６２…発熱チップ用通電ライン、１６３…ワイヤ、１６５…コネクタ、１７０…制御装置、１８０…制御部、１８１…高周波エネルギ出力回路、１８２…発熱チップ駆動回路、１８５…入力部、１８６…表示部、１８７…記憶部、１８８…スピーカ、１８９…温度センサ、２１６…フットスイッチ、２２２…ハンドル、２２４…シャフト、２３２…操作ノブ、２４２…筒体、２４４…シース、２５２…駆動ロッド、２５４…カッタ、２５６…支持ピン、２５８…弾性部材、２６２…第１の保持部材本体、２６４，２７４…カッタ案内溝、２６５…封止膜、２６８…高周波電極用通電ライン、２７２…第２の保持部材本体。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Treatment apparatus, 120 ... Energy treatment tool, 123 ... Memory, 125 ... Holding part, 127 ... 1st holding member, 128 ... 2nd holding member, 132 ... 1st high frequency electrode, 134 ... 2nd High frequency electrode, 140 ... heat generating chip, 141 ... substrate, 143 ... resistive pattern, 145 ... electrode, 147 ... insulating film, 149 ... metal layer for bonding, 160 ... cable, 162 ... electric current line for heat generating chip, 163 ... wire, 165 ... Connector, 170 ... Control device, 180 ... Control unit, 181 ... High frequency energy output circuit, 182 ... Heat generating chip drive circuit, 185 ... Input unit, 186 ... Display unit, 187 ... Storage unit, 188 ... Speaker, 189 ... Temperature Sensor, 216 ... Foot switch, 222 ... Handle, 224 ... Shaft, 232 ... Operation knob, 242 ... Tube, 244 ... Sheath, 252 Drive rod, 254 ... cutter, 256 ... support pin, 258 ... elastic member, 262 ... first holding member body, 264, 274 ... cutter guide groove, 265 ... sealing film, 268 ... high-frequency electrode energization line, 272 ... Second holding member main body.

Claims

A therapeutic treatment device for heating and treating a living tissue at a target temperature,
A heat transfer section that contacts the living tissue and transfers heat to the living tissue;
A resistance element that heats the heat transfer unit by applying electric power;
A treatment instrument having
It is detachable from the treatment tool, can measure the resistance value R of the resistance element, and supplies power to the resistance element to control the temperature of the heat transfer section in order to heat the living tissue at the target temperature. A control device;
A storage unit for storing the coefficient C2 provided in the treatment instrument or the control device;
Comprising
The controller is
Before the treatment, in a state where the treatment tool and the control device are connected, the coefficient C1 based on the calibration temperature Tc, the stored coefficient C2, and the measured resistance value Rc of the resistance element. The
C1 = (Tc−C2) / Rc
Calculated by,
At the time of the treatment, the temperature T of the resistance element is determined by using the resistance value R, the coefficient C1, and the coefficient C2. T = C1 × R + C2
Calculated by
Controlling the temperature of the heat transfer section using the temperature T;
A therapeutic treatment device.

2. The therapeutic treatment apparatus according to claim 1, wherein the calculation of the coefficient C1 is performed after the treatment tool and the control device are connected and before the heating is started.

The calibration temperature is an environmental temperature,
The coefficient C1 is calculated based on the environmental temperature, the measured resistance value R, and the read coefficient C2.
The therapeutic treatment device according to claim 1, wherein the treatment device is a therapeutic treatment device.

The therapeutic treatment apparatus according to claim 3, further comprising a temperature sensor provided in the treatment tool or the control device for measuring the environmental temperature.

Further comprising a calculation coefficient storage provided in the treatment instrument or the control device;
The control device stores the calculated coefficient C1 in the calculated coefficient storage unit.
The therapeutic treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein

The control device calculates the coefficient C1 when the treatment tool and the control device are connected for the first time, and the coefficient C1 stored in the calculated coefficient storage unit when connected for the second time and thereafter. The medical treatment apparatus according to claim 5, wherein the temperature of the heat transfer unit is controlled.