JP5801391B2 - フォトマスクを乾燥させる装置および方法 - Google Patents

Description

本発明は、サブミクロンサイズのマイクロエレクトロニクス素子の製造に使用されるフォトマスク乾燥装置に関する。本発明は、更に、フォトマスクを乾燥させる方法にも拡張することができる。

半導体基板（特に、シリコンからなる基板）のマイクロマシーニングは、現在、リソグラフィー法によって作製したフォトマスクから基板に転写されたパタンを、プラズマエッチング技術によってエッチングすることにより行われている。フォトマスクは、写真技術におけるネガと等価である。すなわち、このネガは、媒体に印刷されるべき情報を含んでいる。フォトマスクの活性領域の汚染は、格子欠陥が印刷されるという点で、基板の上に印刷される画像に対して直接に影響する。

さらに、半導体工業では、より小さく、より大規模に集積化可能な、かつ、より低価格な電子素子を実現するために、記録される画像の寸法を低減する方向で努力がなされている。フォトマスクの寸法が小さくなれば、汚染に関わる要求条件も、ますます厳しくなってくる。１００ｎｍより小さい寸法のパタンのエッチングを可能にするために、リソグラフィーレーザの波長は、従来技術における１９３ｎｍから、最近の技術における１３．５ｎｍになってきている。これは、ＥＵＶ（極端紫外線：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）技術として知られている。従って、フォトマスクは、清浄に、かつ操作性よく保持されるべき、重要、高価、かつ複合した要素である。

フォトマスクの製造における終段で、フォトマスクは、洗浄される。従って、従来技術では、使用するフォトマスクの活性な面を不要な粒子から保護する目的で、フォトマスクは薄膜で被われる。最終的な洗浄ステップは、湿式媒体の中で行われる。その洗浄ステップに続いて、吸収された湿気の全ての残渣を除去するために、フォトマスクは、注意深く乾燥させなければならない。今日では、湿気の除去は、通常非常に高温（８０℃〜９０℃程度）で熱処理することにより行われている。これは、基本的には、表面に作用する乾燥のモードである。

ＥＵＶ技術で使用されるＥＵＶフォトマスクは、薄膜を有してはいない。ＥＵＶフォトマスクは、石英基板の上に堆積される種々の異なる材料（ＭｏＳｉ、ＴａＮ等）の非常に薄い層によって形成されている、「多層」タイプのスタックによって形成される平面要素である。ＥＵＶフォトマスクは、その活性表面を、６０℃を超える温度に曝すこと、または１０℃を超える温度変動を与えることはできない。その理由は、過剰に高い温度、または過剰に急激な温度勾配は、ある層の過剰に大きな膨張を引き起こす可能性があり、これにより、ＥＵＶフォトマスクが劣化する可能性があるからである。

乾燥の効率は、一般的に、フォトマスク表面の上での液体滴の接触角θを測定することにより評価される。固体表面の上に液体滴を滴下すると、存在する異なる相（固体、液体、および気体）の間の力が平衡に達するまで、その液体滴は広がって行く。これらの異なる力と接触角との間の関係は、下に示すヤングの式によって与えられる。
γ_SV＝γ_LVｃｏｓθ+γ_SL
ここで、γ_SVは、固体と気体との間の表面張力、
γ_LVは、液体と気体との間の表面張力、
γ_SLは、固体と液体との間の表面張力、
θは、液体滴とフォトマスク表面との間の接触角の値である。

フォトマスク表面の親水性または疎水性の特性は、それを構成する材料に依存し、接触角θによって測定される。フォトマスク表面が完全に乾燥すると、それは、疎水性になり、液体滴の広がりは限定され、接触角は大きくなる。フォトマスク表面が十分に疎水性であると考えることができるためには、接触角θは、クロムに対しては５５°より大きく、石英に対しては２５°より大きく、ルテニウムに対しては６０°より大きく、また窒化タンタルに対しては７０°より大きくなければならない。現在使用されているような、加熱を使用する方法では、適宜な温度を保ったままで、この値の効率を達成することはできない。

ＥＵＶフォトマスクそれ自身に関わる制約と、現行の装置および製造の条件に関わる制約との両方を満足させる乾燥方法の必要性が求められている。しかしながら、この方法によって実現される乾燥は、公知の方法によって実現される効率と比較して、等しい、またはそれ以上でなければならない。乾燥ステップは、特に、温度による劣化を引き起こすことなく、また、製造工程に対して擾乱を与えることなく、ＥＵＶフォトマスク全体を、均一に乾燥させることができなければならない。従って、ＥＵＶフォトマスクは、最大時間２０分以内に乾燥されなければならない。この時間は、製造の流れにおいて利用可能な時間に対応している。乾燥ステップの終段では、ＥＵＶフォトマスクは、３０℃〜３５℃程度の温度になければいけない

本発明の目的は、ＥＵＶフォトマスクを乾燥させる方法を提供することである。本方法は、ＥＵＶ技術の中で使用し、薄膜を必要とせず、また乾燥温度が６０℃を超えてはならないとしている。

本発明の別の目的は、ＥＵＶフォトマスクの全表面に亘って温度を均一にすることができる装置を提供することである。事実、温度は高い精度で制御されなければならない。この理由は、ＥＵＶフォトマスク表面の温度は、乾燥ステップの継続時間を通して、一定、かつ最大変動±５℃の範囲で一様に保持されなければならないからである。

本発明の目的は、フォトマスクを乾燥させる装置を提供することであり、この装置は、
− 少なくとも１つのフォトマスクを含んでいる密閉チャンバと、
− 前記チャンバの内部を真空に設定し、保持するポンプユニットと、
− 前記チャンバの内部に設置されているフォトマスクの支持体と、
− 前記チャンバの内部に設置されている赤外線放射手段と、
− 前記チャンバの中に気体を注入するためのシステムとを備えており、
前記赤外線放射手段は、前記フォトマスクの平面に平行な平面上に分散して配置されている複数の赤外線放射源を備え、前記フォトマスクから前記赤外線放射手段までの距離は、
Ｄ＝１．５×ｄ
で与えられ、Ｄは、前記複数の赤外線放射源を含む平面と前記フォトマスクを含む平面との間の距離であり、ｄは、２つの近接する赤外線放射源の中心点の間の距離であり、
前記赤外線放射手段は、前記赤外線放射源を少なくとも３つ有し、そのうち２つの赤外線放射源が、これらを含む前記平面上において、前記フォトマスクの両側の各々に対向する位置に配置され、さらに少なくとも１つの赤外線放射源が、これを含む前記平面上において、前記フォトマスクの中央部に対向する位置に配置されており、
前記気体注入システムは、前記フォトマスクの前記平面に平行な平面上に分散して配置されている複数の気体注入器を備え、前記複数の気体注入器は、前記フォトマスクの中心点の周りに、９０度回転に対する不変性を維持しており、
前記複数の気体注入器のうち、前記フォトマスクの中心部に対向するように設置された気体注入器の開口部の直径は、他の気体注入器の開口部の直径より大きいことを特徴とする。

赤外線放射源は、フォトマスクの活性表面に垂直な方向に赤外線放射を行うように設置されることが望ましい。

第２の実施形態においては、乾燥装置は、パイロメータを有し、フォトマスクの端部における温度を測定するように設置された温度測定手段を含んでいる。

第３の実施形態においては、乾燥装置は、フォトマスクの支持体を備えており、この支持体は、フォトマスクを受け入れて、それを配置する手段を備えている。乾燥装置はまた、密閉チャンバの内部に支えられた穴あきフレームを備えている。

第４の実施形態においては、装置は、遠隔超音波センサを備えている。

第５の実施形態においては、乾燥装置は、圧力、温度、および距離を測定する手段と、圧力、温度、および距離を測定する手段からの情報を受信することができ、受信された情報に基づいて、赤外線放射手段および気体注入システムを駆動することができる制御および命令装置とを備えている。

本発明の別の目的は、上記で述べた乾燥装置によってフォトマスクを乾燥させる方法を提供することである。本方法は、次に示すステップを備えている。
− 大気圧における密閉チャンバの中に、フォトマスクを設置するステップ。
− フォトマスクを、最大値６０℃以下の決められた温度に加熱するステップ。
− 密閉チャンバに含まれる気体をポンプによって排気することにより、密閉チャンバの内部を低い圧力に設定するステップ。
− ある決められた継続時間の間、密閉チャンバを低い圧力と、決められた温度とに保持するステップ。
− フォトマスクの加熱を停止するステップ。
− 中性気体をチャンバの内部に注入することにより、チャンバの内部を大気圧に戻すステップ。
− フォトマスクをチャンバから取り出す前に、フォトマスクの温度が約３０℃〜３５℃であることを確認するステップ。

１つの変形においては、フォトマスクの配置は、少なくとも３つの遠隔超音波センサによって確認される。

言うまでもないことであるが、本発明における乾燥装置および乾燥方法は、従来技術で使用されるフォトマスクの、薄膜で被う前の乾燥にも使用することができる。

本発明の他の特徴および利点は、本発明の実施形態に関する以下の記述および添付の図面から明らかになると思う。実施形態に関する記述は、非網羅的な事例として与えられていることは、言うまでもない。

ＥＵＶフォトマスクを乾燥させる装置の中に含まれる種々の異なる手段を示す図である。 赤外線放射源の位置を、ＥＵＶフォトマスクに対して相対的に示す底面図である。 赤外線放射源によって放射された放射の空間的位置と、ＥＵＶフォトマスクによって受信された放射とを示す図であり、放射Ｒ（Ｗ／ｍｍ²）は、ｙ軸上に示され、ＥＵＶフォトマスクの中心からからの距離Ｌ（ｍｍ）は、×軸上に示されている。 フォトマスクが赤外線放射源からの放射を受けた後の、フォトマスク表面の上の温度分布を示す図である。 気体注入器の位置を、ＥＵＶフォトマスクに対して相対的に示す上面図である。 気体注入システムによって注入された気体の循環を示す斜視図である。、 ＥＵＶフォトマスクを受け入れて配置する手段の１つの実施形態を示す図である。 ＥＵＶフォマスクの洗浄が進むにつれて、ＥＵＶフォトマスク表面の上における液体滴の接触角の値が変化する様子を示す図である。接触角θはｙ軸上に示されており、洗浄操作の進捗はｘ軸上に示されている。

図１は、ＥＵＶフォトマスクの乾燥に使用する装置１を示す。装置１は、フォトマスク洗浄装置に一体化される。

装置１は、密閉チャンバ２、ポンプユニット３、赤外線放射手段、圧力センサ７、遠隔超音波センサ８、少なくとも１つのパイロメータ９、気体注入システム１０、およびフォトマスク支持体１２を有する。密閉チャンバ２は、ＥＵＶフォトマスクを受け入れることができる。ポンプユニット３は、例えば、プライマリポンプ５、およびセカンダリポンプ４を備えている。赤外線放射手段は、チャンバ２の下部に配置された複数の赤外線放射源６を備えている。遠隔超音波センサ８は、チャンバ２の上部に配置されている。気体注入システム１０は、気体注入線、およびチャンバ２の中の圧力上昇を防ぐためのブローオフバルブ（または圧力軽減バルブ）を備えている。

ＥＵＶフォトマスクの温度は、乾燥ステップの間、フォトマスク１３の端部（極力中心に近いことが望ましい）を見ている少なくとも１つのパイロメータ９によって制御される。制御システムを完全なものとし、またパイロメータによる監視を定期的に行うために、十分な範囲の温度に亘って較正曲線が作られる。ＥＵＶフォトマスクの平均温度は、複数の温度センサによって得られるデータから算出される。このためには、少なくとも９つのセンサが必要であり、これらにより、ＥＵＶフォトマスク表面の種々の異なる点における温度を測定することができる。

遠隔超音波センサ８の数は、３であることが望ましく、チャンバの上部に配置される。遠隔超音波センサ８は、遠隔超音波センサ８とフォトマスク１３の間の距離を、フォトマスク１３の表面のいくつかの点で測定する。遠隔超音波センサ８は、これを使用して、ＥＵＶフォトマスクがチャンバ２の中に導入されたか否かを検出し、このマスクの寸法を求め、チャンバ２の中で正しく設置されたこと、特に、ＥＵＶフォトマスクの水平性、すなわち平衡度を確認する。

赤外線放射源（赤外線ランプ等）６は、ＥＵＶフォトマスクを乾燥させるために使用される。本発明では、例えば、赤外線放射源６は、同じものであり、それらの数、相互の間隔、およびフォトマスク１３からの距離は、図２および図３に示すように、加熱がフォトマスク１３の表面の上で十分に一様になるように選択されている。

赤外線放射源６は、チャンバ２の下部で、ＥＵＶフォトマスク１３の活性面側に、ＥＵＶフォトマスク１３の表面に平行な平面の中に配置され、これにより、赤外線放射を、垂直に直接にＥＵＶフォトマスク１３の活性面に当てている。赤外線放射源６は、少なくとも３つ必要である。赤外線放射源６の中の２つ６ａは、チャンバの端部に向かって配置されており、これにより、これら２つは、フォトマスク１３のどちらかの側に配置される。他の１つまたは複数の赤外線放射源６ｂは、チャンバの中央に配置され、この位置は、実質的に、フォトマスク１３の中央に対応している。この例では、３つの赤外線放射源６は、互いに距離ｄだけ離れて配置され、この場合には、ｄは８３ｍｍである。赤外線放射源６ａ、６ｂは、フォトマスク１３の表面から距離Ｄだけ離れている平面の中に配置されており、ここでは、Ｄ＝１．５×ｄから、Ｄ＝１２５ｍｍである。

この配置によって、全ての赤外線ランプ６の放射スペクトラムは、重ね合わされて、従って、フォトマスク１３の表面全体に亘って均一な加熱を行うことができる。図３は、放射Ｒ（Ｗ／ｍｍ²）の値を、フォトマスク１３の中心からの距離Ｌ（ｍｍ）の関数として示したものである。フォトマスクのどちらかの側に置かれた赤外線放射源は、それぞれ、放射２０および２１を与える。そして、２つの赤外線放射源の間に（中央に）置かれた赤外線放射源は、放射２２を与える。これらの放射値２０、２１、および２２の合計は、放射２３になる。図には、合計の放射２３を受けるフォトマスク１３の位置（両端の長さ２Ｌ＝１５０ｍｍ）が示されている（点線で示す）。フォトマスク１３の中心は、点Ｌ＝０の位置にあり、従って、フォトマスク１３は、Ｌ＝−７５からＬ＝+７５までの位置を占有している。従って、フォトマスク１３の表面は、放射２３を受け、例えば、中心に置かれた単一の赤外線放射源６から受ける放射と比較して、放射の均一性は、実質的に改善されているということが分かる。図４は、フォトマスク１３の表面の上で得られた温度分布の例を示す。フォトマスクの、実質的に平坦な構成を考慮すると、フォトマスク１３の端部における温度勾配は、無視することができる。この例では、温度分布は、実質的に、フォトマスクの中央部分で鐘形状をしており、ここの温度は周辺領域と比較して相当に高くなっており、また周辺領域は、フォトマスク１３の端部と比較して、相当に温度が高くなっているということが分かる。しかしながら、赤外線放射源６の、フォトマスク１３に対するこの配置によって生ずる、フォトマスク表面の上の温度勾配は、許容可能である。すなわち、マスクの活性表面の上では、１０℃より小さい値である。

赤外線放射手段によってフォトマスクを加熱し、ポンプユニット３によってフォトマスクを大気圧より低い圧力（例えば、１０^-5ミリバール程度の圧力）にすることによって、材料の中に存在する気体が表面に向かって拡散することが促進され、従って、これらの材料の真空における脱気が促進される。従って、乾燥ユニットによって、フォトマスクを劣化させることなく、体積に亘って均一な乾燥を行うことができる。図５および図６は、気体注入システム１０の１つの実施形態を示す。気体注入システム１０は、複数の気体注入器３０（例えば、窒素またはヘリウムの）を備えている。気体注入器３０は、チャンバ２の上部に置かれ、これにより、フォトマスク１３の活性面とは反対の面に気体の流れを送ることができる。気体注入システム１０は、フォトマスク１３の平面に平行な平面の中に分散された複数の気体注入器３０を備え、注入器３０は、フォトマスク１３の中心に対向する点に一致する点の周りに、９０度回転に対する不変性を維持するようになっている。フォトマスク１３は、両端の長さ２Ｌ＝１５０ｍｍの正方形である。注入器３０は、フォトマスク１３の中心と、フォトマスク１３の側面の中央とを通って直交した軸Ｘ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’から、それぞれ、距離ｄ₁、ｄ₂、およびｄ₃の所と、これらの軸Ｘ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’の上で距離ｄ₄の所に設置されている。現在の場合では、これらの距離は、例えば、ｄ₁＝２５ｍｍ、ｄ₂＝６２．５ｍｍ、ｄ₃＝３７．５ｍｍ、およびｄ₄＝５０ｍｍである。これらの距離ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃、およびｄ₄の軸Ｘ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’への投影は、等距離離れている。

赤外線放射手段が停止されて、ポンプユニット３がチャンバ２から分離されると、フォトマスク１３は、外部表面とその周囲との間の輻射および対流による熱交換によって冷却される。気体が、気体注入器３０によって送り込まれると、図６に見ることができるように、強制対流によって冷却が加速される。図６は、注入された気体の循環を示している。しかしながら、気体注入器３０の特定な配置を取ることによって、赤外線放射源の配置に起因する温度分布に応じて、フォトマスク１３の表面を冷却することも可能である。気体注入器３０のこの配置によって、使用している気体（ヘリウムまたは窒素）は、最初に、フォトマスク１３の中心に向かって進み、そして、フォトマスク表面の上を対称形に広がり、更に、チャンバの壁に沿って上昇して行くということが分かる。従って、チャンバの中における、フォトマスクに対向した注入器の配置は、赤外線放射源の配置を補完するものであり、「鐘形状」の温度分布を補償している。すなわち、フォトマスクの中心を強く冷却している。従って、気体の注入は、フォトマスク表面の上に存在する温度勾配を、強調するのではなくて、フォトマスク１３の活性表面の上で、温度勾配を１０℃よりも小さい値に保持しているのである。

フォトマスクの中心における冷却を、更に強調するために、フォトマスクの中心に対向するように設置されている気体注入開口の直径を、他の注入開口の直径より大きくすることができる。例えば、フォトマスクの中心に対向するように設置されている気体注入開口の直径を、他の注入開口の直径の２倍にすることである。これによって、３つの赤外線放射源６に対して、例えば、１７の気体注入器３０を使用可能とすることができる。

乾燥装置におけるフォトマスクの支持体１２の１つの実施形態を、図６および図７に示す。この乾燥装置は、フォトマスク１３を受け入れて配置する手段を備えている。これらの手段は、穴が開けられたフレーム４０を含んでおり、フレーム４０の寸法は、フレーム４０が受け入れなければならないフォトマスク１３の寸法に整合した寸法を有し、チャンバ２の内部で、４つの支柱４１によって支えられている。従って、赤外線放射源６は、照射に対するフレーム４０による障害物なく、ＥＵＶフォトマスク１３の活性面に向かって照射することができる。更に、フォトマスクを受け入れて配置する手段は、穴あきフレームの形をしており、これにより、輻射および対流の熱交換によってフォトマスクの冷却が促進され、また伝導による熱転送が制限される。その結果、冷却の均一性に対する十分な制御を達成することができる。

支柱４１は、チャンバ２の上部とフレーム４０の４つのコーナとに固定されている。フレーム４０が持つ４つのピン４２は、フォトマスク１３を受け入れて、正確に配置する機能を有する。これらのピン４２は、２つの部分から構成されている。第１の部分４２ａは、例えば、ステンレススチールまたはセラミックでできており、これによりフレーム４０を接続することができる。また、第２の部分４２ｂは、２つの受け入れタブで構成され、例えば金でできており、その上にフォトマスク１３が置かれる。接続部分４２ａがセラミックでできている場合には、タブ４２ｂは、チャンバ２の接地部に接続されて、フォトマスク１３が静電気を放電できるようにしている。この理由は、フォトマスク１３は、乾燥されている間に、静電的に充電されるからである。

必要な場合には、乾燥装置は、複数の支持体を備えることができ、それぞれの支持体には、異なる寸法の穴あきフレームが設けられ、最も小さい寸法のフレームを頂部に設置するように配置する。

さらに、制御および命令装置は、圧力、温度、および距離を測定する手段から情報を受信し、その情報から、赤外線放射手段および気体注入システムを、受信した情報に基づいて作動させるべき命令を導き出す。制御および命令装置はまた、フォトマスクの洗浄装置と、また、洗浄装置とフォトマスク乾燥装置との間を移動するロボットと、通信することができる。

この洗浄方法は、乾燥ステップを備え、乾燥ステップは、次に示す操作を含んでいる。
− フォトマスク１３を、洗浄装置から乾燥装置１のチャンバ２まで、ロボットによって運び、ロボットは、フォトマスク１３を穴あきフレーム４０の上に載せる。
− 転送バルブを閉じる。

フォトマスク１３の配置は、遠隔超音波センサ８によって確認される。本明細書においては、例として、３つのセンサを考えている。超音波センサ８によって得られた測定値が一致していれば、フォトマスクの正しい水平位置が確認されたことになる。そして、測定値は、制御および命令装置の中に記憶される。

加熱は、大気圧で開始される。温度の変化は、パイロメータ９によって、実時間で測定される。フォトマスクの加熱の均一性は、間欠的な加熱で達成することができる。この間欠的な加熱では、赤外線放射源６を、例えば、１秒間点灯、２秒間消灯というように、点滅を繰り返す。フォトマスク１３が６０℃以下の、決められた温度に到達すると、ポンプユニット３は、直ちに作動し、チャンバ２の排気を開始する。プライマリポンプ５と、それに直列に接続されたセカンダリポンプ４とを使用することにより、強力に１０^-5ミリバールまでの真空に到達させることができる。従って、このようにして得られた第２の真空によって、フォトマスク１３の、より効率が高い脱着を行うことができる。フォトマスク１３は、約１０分の間、６０℃に近い温度に保持される。

その後、赤外線放射手段は停止されて、チャンバ２のポンプユニット３は、分離される。チャンバ２内部の圧力上昇は、中性気体（例えば窒素）を注入することにより達成される。気体注入システムは、粒子の発生を防ぐために、複数の注入器３０の形を取り、図４に見ることができる位置にある、または、ノズルで構成されていることが望ましい。気体注入システムは、フォトマスク１３の上方に置かれ、複数の所から注入ができ、これにより、フォトマスク１３の表面の上で、気体の流れを均一な分布にすることができる。注入された気体は、このようにして、フォトマスク１３を冷却し、また圧力を上昇させる。更に、赤外線放射手段および気体注入システムのこの配置によって、フォトマスクの活性表面の上で均一な温度を実現することができる。活性表面の上における温度差は、１０℃未満である。圧力が大気圧に到達すると、窒素の注入は、ヘリウムの注入に置き換えられる。ヘリウムは、冷却の点から見て、更に効率がよい。フォトマスク１３の温度が、３０℃〜３５℃に到達すると、冷却は停止され、フォトマスク１３は、チャンバ２から取り出すことができる。フォトマスク１３の温度が３０℃〜３５℃に到達するのを待って、その後にフォトマスク１３をチャンバから取り出すことにより、フォトマスク１３の温度は、周囲温度に近くなり、温度の下降時に生ずる可能性がある、大気中に存在する気体の最吸着を防ぐことができる。

図８は、本発明による方法によって得られた乾燥の効率を示す。クロム（Ｃｒ）６０、石英６１、ルテニウム（Ｒｕ）６２、および、窒化タンタル（ＴａＮ）６３または珪化モリブデン（ＭｏＳｉ）６４によって構成されている表面の上で接触角θの測定を行った。乾燥ステップの後６６に測定された接触角θは、洗浄操作の時６５に測定された値と比較して、試験した全ての材料に関して、同程度、またはよい値であるということが分かる。乾燥ステップの後６６に測定された接触角θは、乾燥ステップの前６７に測定された接触角θと比較されなければならない。

本発明がここに記述されている実施形態に限定されるものではないことは、言うまでもない。更に、当業者が着想するいずれの多くの変形も、本発明の基本的な考えから逸脱するものではない。

１ フォトマスク乾燥装置
２ 密閉チャンバ
３ ポンプユニット
４ セカンダリポンプ
５ プライマリポンプ
６ 赤外線放射源
６ａ 赤外線放射源の中の２つ
６ｂ 残りの赤外線放射源
７ 圧力センサ
８ 遠隔超音波センサ
９ パイロメータ
１０ 気体注入システム
１２ フォトマスク支持体
１３ フォトマスク
２０、２１、２２、２３ 赤外線放射
３０ 気体注入器
４０ フレーム
４１ 支柱
４２ ピン
４２ａ ピンの第１の部分
４２ｂ ピンの第２の部分
６０ クロムの曲線
６１ 石英の曲線
６２ ルテニウムの曲線
６３ 窒化タンタルの曲線
６４ 珪化モリブデンの曲線
６５ 洗浄操作
６６ 乾燥ステップ後
６７ 乾燥ステップ前

Claims (8)

1. フォトマスクを乾燥させる装置であって、
   − 少なくとも１つのフォトマスク（１３）を含む密閉チャンバ（２）と、
   − 前記チャンバ（２）の内部の真空を設定し、維持するポンプユニット（３）と、
   − 前記チャンバ（２）の内部に設置されたフォトマスク（１３）の支持体（１２）と、
   − 前記チャンバ（２）の内部に設置された赤外線放射手段（６）と、
   − 前記チャンバ（２）の内部に気体を注入するシステム（１０）とを備えている乾燥装置において、
   前記赤外線放射手段は、前記フォトマスク（１３）の平面に平行な平面上に分散して配置されている複数の赤外線放射源（６）を備え、前記フォトマスク（１３）から前記赤外線放射手段までの距離は、
   Ｄ＝１．５×ｄ
   で与えられ、Ｄは、前記複数の赤外線放射源（６）を含む平面と前記フォトマスク（１３）を含む平面との間の距離であり、ｄは、２つの近接する赤外線放射源（６）の中心点の間の距離であり、
   前記赤外線放射手段は、前記赤外線放射源（６）を少なくとも３つ有し、そのうち２つの赤外線放射源（６）が、これらを含む前記平面上において、前記フォトマスク（１３）の両側の各々に対向する位置に配置され、さらに少なくとも１つの赤外線放射源（６）が、これを含む前記平面上において、前記フォトマスク（１３）の中央部に対向する位置に配置されており、
   前記気体注入システム（１０）は、前記フォトマスク（１３）の前記平面に平行な平面上に分散して配置されている複数の気体注入器（３０）を備え、前記複数の気体注入器（３０）は、前記フォトマスク（１３）の中心点の周りに、９０度回転に対する不変性を維持しており、
   前記複数の気体注入器（３０）のうち、前記フォトマスク（１３）の中心部に対向するように設置された気体注入器（３０）の開口部の直径は、他の気体注入器（３０）の開口部の直径より大きいことを特徴とする乾燥装置。
2. 前記複数の赤外線放射源（６）は、前記フォトマスク（１３）の活性表面に垂直に赤外線照射を行うように設置されていることを特徴とする、請求項１に記載の乾燥装置。
3. パイロメータを有し、前記フォトマスク（１３）の端部における温度を測定するように設置されている温度測定手段（９）を備えていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の乾燥装置。
4. 前記支持体（１２）は、前記フォトマスク（１３）を受容し、位置決めする手段を備えており、この手段は、前記密閉チャンバ（２）の内部で吊架される、開穴されたフレーム（４０）を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の乾燥装置。
5. 遠隔超音波センサ（８）を備えていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の乾燥装置。
6. 圧力（７）、温度（９）及び距離（８）のそれぞれに対応する各測定手段と、これらの各測定手段から情報を受信することができ、受信した前記情報に基づいて、前記赤外線放射手段（６）及び前記気体注入システム（１０、３０）を作動させることができる制御及び命令装置とを備えていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の乾燥装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の乾燥装置によってフォトマスクを乾燥させる方法であって、
   − 大気圧における密閉チャンバ（２）の内部に、フォトマスク（１３）を配置するステップと、
   − 前記フォトマスク（１３）を、最大値６０℃以下の、ある決められた温度に加熱するステップと、
   − 前記密閉チャンバ（２）が含む気体をポンプによって排気することにより、前記密閉チャンバ（２）の内部を低圧に設定するステップと、
   − ある決められた継続時間に亘って、前記密閉チャンバ（２）を、低圧および前記決められた温度に保持するステップと、
   − 前記フォトマスク（１３）の前記加熱を停止するステップと、
   − 中性気体を注入することにより、前記密閉チャンバ（２）の中を大気圧に戻すステップと、
   − 前記密閉チャンバ（２）から前記フォトマスク（１３）を取り出す前に、前記フォトマスク（１３）の温度が、３０℃〜３５℃の間にあることを確認するステップとを備えていることを特徴とする方法。
8. 前記フォトマスク（１３）の配置は、少なくとも３つの遠隔超音波センサ（８）によって確認されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。

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