JP5793504B2 - 有機薄膜積層板の製造方法、及び有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2010年11月11日に、日本に出願された特願2010−252451号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
含フッ素シラン系カップリング剤などの有機金属化合物は、加水分解縮重合して膜を形成する。本発明ではこのような膜を有機金属薄膜という。
(1)特許文献1〜3には、耐剥離性、透明性が高く基板表面の光沢や基板の透明性を損なわない化学吸着膜の製造方法が開示されている。
(2)特許文献4には、少なくともアルコキシシラン系界面活性剤、活性水素を含まない非水系溶媒及びシラノール縮合触媒を含む混合溶液を前記基板表面に接触させて、シロキサン結合を介して共有結合した化学吸着膜を形成する方法が開示されている。
(3)非特許文献1には、精製水を滴下したシリコンウェハー表面にシラン系界面活性剤の有機溶媒溶液を展開して結晶性単分子膜を形成する方法が開示されている。
(4)特許文献5、6には、酸触媒のもとに加水分解させたフルオロアルキル基含有シラン化合物の加水分解物の単量体又は重合体を用いて、単分子層からなる撥水性被膜を、シラノール基を経由して基板表面に固定する方法が開示されている。
(5)特許文献7には、酸触媒と特定の極性溶媒とを用いて有機金属化合物を加水分解縮合することにより、OH基を有すると共に、有機金属化合物に由来する加水分解性基が完全に分解することなく適度に残存し、低縮合度の縮合体を含有する縮合体を作製する方法が開示されている。
なお、非特許文献2には、トリエトキシアルキルシランを加水分解縮合することにより白色粉末を得ることが記載されているが、同文献ではこれを有機溶媒に溶解させて有機薄膜形成用液として使用できることは開示されていない。
本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであり、長期間保存可能な有機薄膜形成用組成物及び前記組成物を用いた有機薄膜積層板の製造方法を提供することを課題とする。
(1)工程(A):式(I)
[化1]
R1 nMXm−n (I)
(式中、
R1は、置換基を有していてもよい炭素数14〜30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30のハロゲン化炭化水素基を表す。
Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。
Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。
nは、1〜(m−1)のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、(m−n)が2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。)
で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、低級アルコール系溶媒または低級アルコール系溶媒を含む混合溶媒中、反応液中の濃度が、0.5〜5質量%の水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、又は、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒であって低級アルコール系溶媒を含まない溶媒中、式(I)で表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル〜20モルの水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、
工程(B):工程(A)の反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、または工程(A)の反応液を濃縮乾固することにより、固形分、または油状物を得る工程、
工程(C):工程(B)で得られた固形物又は油状物を、炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒及びシリコン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒と混合し、必要に応じて不溶分を除去して、工程(B)で得られた前記固形物又は油状物の全量を0.1〜5質量%で含む有機薄膜形成溶液を得る工程、
工程(D):工程(C)で得られた有機薄膜形成溶液に、基板を接触させ、有機薄膜が積層された基板を製造する工程、
を含み、
前記有機薄膜が単分子膜である、有機薄膜積層板の製造方法に関し、
(2)工程(A)と工程(B)の中間に、前記酸を中和する工程を設けた(1)に記載の有機薄膜積層板の製造方法に関し、
(3)工程(A)において、少なくとも固形分が析出または油状分が分離するまで、加水分解または縮合させる(1)または(2)に記載の有機薄膜積層板の製造方法に関し、
(4)工程(A)において、少なくとも48時間、加水分解または縮合させる(1)〜(3)のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法に関する。
また、
(5)工程(A):式(I)
[化3]
R1 nMXm−n (I)
(式中、
R1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30のハロゲン化炭化水素基を表す。
Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。
Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。
nは、1〜(m−1)のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、(m−n)が2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。)
で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒中、式(I)で表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル〜20モルの水及び酸の存在下で加水分解及び縮合させる工程、
工程(B):工程(A)の反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、又は工程(A)の反応液を濃縮乾固することにより、固形物又は油状物を得る工程、
を含む有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法に関する。
また、前記有機薄膜形成用の固形物又は油状物は、有機薄膜形成時に有機溶媒に溶解させて有機薄膜形成用溶液とすることにより、種々の材質からなる基板上に、不純物が少ない緻密な単分子膜等の有機薄膜を迅速に形成することができる。
(1)有機金属化合物
本発明において使用される有機金属化合物は、式(I)で表される化合物である。
[化4]
R1 nMXm−n (I)
式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30のハロゲン化炭化水素基を表す。
Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。
Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。
nは、1〜(m−1)のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、(m−n)が2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。
R1における、「炭素数1〜30の炭化水素基」の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、n−へキシル基、イソへキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−オクタデシル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、n−デセニル基、n−オクタデセニル基等のアルケニル基;1−シクロブテニル基、2−シクロペンテニル基、3−シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基;エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、n−デシニル基、n−オクタデシニル基等のアルキニル基;フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子は、F、Cl、Br又はIを意味する。
CH3(CH2)9−、CH3(CH2)10−、CH3(CH2)11−、CH3(CH2)12−、CH3(CH2)13−、CH3(CH2)14−、CH3(CH2)15−、CH3(CH2)16−、CH3(CH2)17−、CH3(CH2)18−、CH3(CH2)19−、CH3(CH2)20−、CH3(CH2)21−、CH3(CH2)22−、CH3(CH2)23−、CH3(CH2)24−、CH3(CH2)25−等。
・ハロゲン化炭化水素基
CF3(CH2)2−、CF3(CF2)3(CH2)2−、CF3(CF2)5(CH2)2−、CF3(CF2)7(CH2)2−、CF3(CF2)7(CH2)2−等。
アシルオキシ基の例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数1〜6のアルキルカルボニルオキシ基;フェニルカルボニルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基;ベンジルカルボニルオキシ基、フェネチルカルボニルオキシ基等のアリールアルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
「置換基を有していてもよい」の置換基の例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基が挙げられる。
Xとしては、水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、又はイソシアネート基が好ましく、炭素数1〜4のアルコキシ基又はアシルオキシ基がより好ましい。
nが2以上のとき、各R1は同一であっても相異なっていてもよく、(m−n)が2以上のとき、各Xは同一であっても相異なっていてもよい。
また、これらの化合物は1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明で用いられる有機薄膜形成用固形物及び油状物は、以下の2つの方法のいずれかによって製造される。
(2−1)低級アルコール系溶媒中での製造
上記式(I)で表される化合物を、低級アルコール系溶媒中、水及び酸触媒の存在下に加水分解及び縮合反応を行う方法である。
鉱酸及び有機酸の使用量は、形成する有機金属薄膜の物性に影響を与えない量であれば特に制限されないが、有機金属化合物1モルに対して0.01ミリモル〜1モル使用される。一方、固体酸の使用量は、形成する有機薄膜の物性に影響を与えない量であれば特に制限されないが、有機金属化合物に対して0.05〜20質量%使用される。
前記方法では、固形物又は油状物が縮合するに伴い生成し沈降する。固形物又は油状物は濾過、分液などの方法により分離することができる。
上記式(I)で表される化合物を、脂肪族エーテル系溶媒又は脂肪族ケトン系溶媒中、水及び酸触媒の存在下に加水分解及び縮合反応を行う方法である。
本方法は、加水分解によって得られた縮合体の溶液もしくは縮合体が沈殿した分散液を濃縮、濃縮乾固、濾過、分液、抽出などの操作もしくはそれらを組み合わせた操作により、固形物又は油状物質の反応生成物を得ることを特徴とする。
安定な有機薄膜形成用固形物又は油状物を得るため、上記(2−1)及び(2−2)の方法において、加水分解または縮合させる工程と、前記工程の反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、または前記工程の反応液を濃縮乾固する工程との中間に、用いた酸を中和する工程を設けることが好ましい。具体的には、反応液スラリーに水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム等、アルカリ金属水酸化物もしくはアルカリ土類金属水酸化物、またはピリジン、ジエチルアミン等の有機アミン化合物等を加えて撹拌することにより中和を行う。
上記(2)の方法により得られる縮合反応生成物は、(I)で表される化合物の加水分解生成物、部分加水分解生成物及び/またはそれらの縮合体もしくはそれらの部分加水分解生成物である。
ここで、重合度の異なる有機金属化合物の存在とそれらの割合は、例えば、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)におけるピーク位置と面積の存在比から求めることができる。また、OH基の数の異なる有機金属化合物の存在とそれらの割合は、例えば、HPLC(高速液体クロマトグラフィー)のピーク位置と存在比から求めることができる。
また、GPCによる縮合度とNMRによる加水分解性基の残存率から加水分解度を求めることもできる。
有機薄膜形成用溶液とは、基材に接触させることができるように調製された溶液のことであり、有機金属化合物等の有機薄膜を形成する物質が溶媒に含有されている液を意味する。
本発明の有機薄膜形成用溶液は、上記(2)に記載の方法により製造した縮合体固形物又は油状物を、有機溶媒と撹拌混合して調製される。
最終的に有機薄膜形成用溶液中に含まれる有機金属化合物の全量は、0.01〜20質量%、好ましくは、0.1〜5質量%である。
有機薄膜形成用溶液作製のために使用される有機溶媒の例としては、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、及びシリコーン系溶媒が挙げられ、炭化水素系溶媒が好ましく、沸点が100〜250℃の炭化水素系溶媒が特に好ましい。
また、この場合においては、均一な有機薄膜形成用溶液を得るために、超音波処理を施すことも好ましい。
本発明の有機薄膜は、上記のようにして得られた有機薄膜形成用溶液を基板と接触させることにより、前記基板表面に作製することができる。
本発明の有機薄膜形成用溶液を基板上に接触させると、前記有機薄膜形成用溶液中の有機金属化合物が基板表面に吸着され、薄膜が形成される。有機金属化合物が基板表面に吸着される機構の1つとしては、表面に活性水素を有する基板の場合には、有機金属化合物中のOH基が基板表面の活性水素と反応して、基板と強固な化学結合を形成する機構が考えられる。
本発明により形成される有機薄膜は、自己集合膜または自己組織化膜であるのが好ましい。ここで自己集合膜とは、外部からの強制力なしに秩序だった構造を形成してなる膜を意味する。
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
上記白色粉末(0.184g)をSOLVESSO(登録商標)150(29.82g)に超音波処理により溶解し、室温で終夜放置した後、PTFE製カートリッジフィルター(マイレクス、ミリポア社製)にて濾過して、自己集合単分子膜(SAM)形成溶液を得た。
UVオゾン処理を行ったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60℃で乾燥させて、SAM成膜基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、水で109°、テトラデカンで41°を示した。
上記白色粉末(0.184g)をSOLVESSO(登録商標)150(29.82g)に超音波処理により溶解しようとしたが、完全には溶けなかった。この分散体を室温で終夜放置した後、PTFE製カートリッジフィルター(マイレクス、ミリポア社製)にて濾過して、SAM形成溶液を得た。
UVオゾン処理を行ったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60℃で乾燥させて、SAM成膜基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、成膜活性は低かった(水で63°、テトラデカンで20°)。
実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で109°、テトラデカンで44°を示した。微小角入射X線回折測定(GIXD)結果からODS分子が規則的な分子配列を持つことがわかった。
またX線反射率測定(XRR)の結果、膜厚は2.4nmであった。
上記白色粉末(0.307g)をSOLVESSO(登録商標)150(49.69g)に超音波処理により溶解し、室温で終夜放置した後、PTFE製カートリッジフィルター(マイレクス、ミリポア社製)にて濾過して、SAM形成溶液を得た。
実施例1と同様にして、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で110°、テトラデカンで42°を示した。
実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で110°、テトラデカンで43°を示した。
実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で108°、テトラデカンで43°を示した。
実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で110°、テトラデカンで41°を示した。
実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で107°、テトラデカンで42°を示した。
上記の実施例3で得られた固体10gをポリエチレン製瓶に入れて蓋をし、室温で5日、3ヶ月、6ヶ月及び12ヶ月保管したものを、実施例1と同様にしてSAM溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した後、成膜面における静的接触角を測定した。その結果を表1に示す。
得られた固体を減圧乾燥(90℃、<10torr)して、白色粉末A(21.2g)を得た。
上記白色固体(0.48g)をSOLVESSO(登録商標)150(79.52g)に超音波処理により溶解し、SAM形成溶液を得た。
UVオゾン処理を行なったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60℃で乾燥させて、SAM形成基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、水で108°、テトラデカンで41°を示した。
得られた固体を減圧乾燥(90℃、<10torr)して、白色粉末B(20.8g)を得た。
上記白色固体(0.48g)をSOLVESSO(登録商標)150(79.52g)に超音波処理により溶解し、SAM形成溶液を得た。
UVオゾン処理を行なったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60℃で乾燥させて、SAM形成基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、水で110°、テトラデカンで40°を示した。
[安定性試験]
実施例8、及び実施例9で得られた白色固体を常温で保管し、GPC分析により安定性を確認した。その結果を表2に示す。
*GPC条件
・カラム:KF−802/Shodex(分離範囲:150〜5000)
・移動相:THF
・流量:1ml/min ・カラム温度:40℃
Claims (5)
- 工程(A):式(I)
[化1]
R1 nMXm−n (I)
(式中、
R1は、置換基を有していてもよい炭素数14〜30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30のハロゲン化炭化水素基を表す。
Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。
Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。
nは、1〜(m−1)のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、(m−n)が2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。)
で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、低級アルコール系溶媒または低級アルコール系溶媒を含む混合溶媒中、反応液中の濃度が、0.5〜5質量%の水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、又は、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒であって低級アルコール系溶媒を含まない溶媒中、式(I)で表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル〜20モルの水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、
工程(B):工程(A)の反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、または工程(A)の反応液を濃縮乾固することにより、固形分、または油状物を得る工程、
工程(C):工程(B)で得られた固形物又は油状物を、炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒及びシリコン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒と混合し、必要に応じて不溶分を除去して、工程(B)で得られた前記固形物又は油状物の全量を0.1〜5質量%で含む有機薄膜形成溶液を得る工程、
工程(D):工程(C)で得られた有機薄膜形成溶液に、基板を接触させ、有機薄膜が積層された基板を製造する工程、
を含み、
前記有機薄膜が単分子膜である、有機薄膜積層板の製造方法。 - 工程(A)と工程(B)の中間に、前記酸を中和する工程を設けた請求項1に記載の有機薄膜積層板の製造方法。
- 工程(A)において、少なくとも固形分が析出または油状分が分離するまで、加水分解または縮合させる請求項1または2に記載の有機薄膜積層板の製造方法。
- 工程(A)において、少なくとも48時間、加水分解または縮合させる請求項1〜3のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法。
- 工程(A):式(I)
[化3]
R1 nMXm−n (I)
(式中、
R1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30のハロゲン化炭化水素基を表す。
Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。
Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。
nは、1〜(m−1)のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、(m−n)が2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。)
で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒中、式(I)で表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル〜20モルの水及び酸の存在下で加水分解及び縮合させる工程、
工程(B):工程(A)の反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、又は工程(A)の反応液を濃縮乾固することにより、固形物又は油状物を得る工程、
を含む有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法。
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