JP5790852B2 - 高周波スイッチモジュール - Google Patents

Description

この発明は、複数種類の高周波信号を切り替えて送受信する高周波スイッチモジュールに関するものである。

従来、一つのアンテナで、それぞれに個別の周波数帯域からなる複数の通信信号を送受信するための高周波スイッチモジュールが各種考案されている。例えば、特許文献１では、ＳＰｎＴ型（ｎは正数）のスイッチＩＣと、該スイッチＩＣが実装される積層体とを有する複合型の高周波スイッチモジュールが開示されている。

このような高周波スイッチモジュールは、携帯電話機等の無線通信機器に使用されるが、このような機器の場合、送信信号の電力を高くする必要があり、送信側の回路の耐電力を高くする必要がある。一方で、アンテナで受信した直後の受信信号は、送信信号と比較して信号レベルが低いので、送信側の回路ほど、耐電力を高くする必要がない。また、通信システムにおいては、送受信を兼用する端子を利用する場合も存在するが、このような場合でも、上述のような送信のみに利用される送信側回路ほどの高い耐電力を必要としない。

このため、従来のスイッチＩＣでは、携帯電話機等の無線通信機器の仕様に応じて、アンテナ端子（共通端子）と送信用端子とを接続する送信側切替用回路と、アンテナ端子（共通端子）と受信用端子とを接続する受信側切替用回路と、送受信兼用となる送受信兼用切替用回路とが、異なる構造で形成されている。そして、このような構成により、スイッチＩＣの外部接続用の端子は、アンテナ端子（共通端子）、送信側端子、受信側端子、送受信兼用端子のいずれかに利用されるように予め決められている。

特開２００３−８７１５０号公報

しかしながら、現在、携帯電話機の小型化に伴い高周波スイッチモジュールへも小型化が要求されている。一方で、携帯電話機では、ＧＳＭ（登録商標），ＷＣＤＭＡ（登録商標），ＵＭＴＳ等の複数の通信システムに対応するためマルチバンド化が要求されており、それぞれの仕様に応じて全ての通信システムに対して送信用端子および受信用端子、または送受信用端子を設けなければならない。

このため、仕様が異なる毎にスイッチＩＣの設計および作製を個別に行わなければならず、コストと時間を非常に費やしていた。さらには、このスイッチＩＣの変更に応じて、スイッチＩＣが実装される積層体についても、実装面の設計変更、これに伴う内部構造の設計変更および、これらの設計変更に基づく積層体の作製を行わなければならず、この点に関してもコストと時間を非常に費やしていた。

このような課題を鑑み、本発明の目的は、高周波スイッチモジュールが実装される携帯電話機等の無線通信機器の仕様が各種存在していても、スイッチＩＣの設計、作製に要するコストや時間を抑圧し、さらに、当該スイッチＩＣが実装される積層体の設計、作製に要するコストや時間も大幅に抑圧できる、高周波スイッチモジュールを実現することにある。

この発明は、単一のアンテナに接続するアンテナ用電極と、複数種類の通信信号をそれぞれ送信、受信、もしくは送受信するための複数の高周波通信用回路に接続する複数の通信用電極とを備えるとともに、スイッチＩＣが実装されるランドが形成された積層回路部品と、該積層回路部品に実装され、該積層回路部品を介してアンテナに接続される共通端子、および、積層回路部品を介して複数の高周波通信用回路にそれぞれ接続される複数の通信回路側端子を備えたスイッチＩＣと、を有する高周波スイッチモジュールに関するものである。スイッチＩＣは、平面視して直方体からなり、直方体における複数の通信回路側端子が配置される一辺と、共通端子が配置される一辺は異なる。スイッチＩＣは、各通信回路側端子と共通端子との間にそれぞれ切替用回路が設置されており、全ての切替用回路が送信の際に印加される送信電力に対して同じ耐性を有する構成からなる。

この構成では、全ての切替用回路が送信信号を伝送可能な構造であるので、異なる仕様の通信システムに対しても、同じスイッチＩＣを利用することが可能になる。この構成では、上述のスイッチＩＣの端子配置の具体的な構成を示す。そして、この構成により、送信信号、受信信号、および送受信信号の入出力に利用される通信回路側端子と、アンテナに対する送受信に利用する共通端子との間のアイソレーションが確保される。

また、この発明の高周波スイッチモジュールでは、通信回路側端子は、複数の送受信兼用端子と受信専用端子とを含んでスイッチＩＣの一方主面における縁端部に配列して配置されている。その上で、送受兼用端子と受信専用端子とは、配列の方向に沿って交互の順で配置されている。

この構成では、複数の送受兼用端子同士が近接しないので、これら送受兼用端子の間のアイソレーションを向上することができる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールのスイッチＩＣの切替用回路は、複数段に接続された半導体スイッチ素子を有し、全ての切替用回路の半導体スイッチ素子の段数が同じである。

この構成では、上述のスイッチＩＣの具体的構造を示すものであり、全ての切替用回路の半導体スイッチ素子の段数を所定数で同じにすることで、全ての切替用回路が送信信号を伝送可能で且つ同じとなる上述のスイッチＩＣの構造が実現される。

また、この発明の高周波スイッチモジュールの積層回路部品は、アンテナ用電極と共通端子との間に、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された電極パターンもしくは該積層回路部品に実装されたディスクリート部品からなるインダクタを有する位相調整回路を備える。

この構成では、上述のスイッチＩＣが実装される積層回路部品（積層体）の具体的な内部回路構成を示す。そして、積層回路部品のアンテナ用電極と、スイッチＩＣの共通端子用のランド電極との間に、位相調整回路が設けられることで、上述のようなスイッチＩＣを用いても、当該高周波スイッチモジュールで取り扱う全ての通信システムの送信信号、受信信号、送受信信号に対して位相調整ができ、各伝送線路の整合性を高め、伝送損失を低減することができる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールは、共通端子に一方端が接続され、グランド電極に他方端が接続されたインダクタを備える。

この構成では、スイッチＩＣの端子にインダクタのみを介してグランドが接続されるので、スイッチＩＣに蓄積された電荷が、当該インダクタを介してグランドへ速やかに放電される。

また、この発明の高周波スイッチモジュールの位相調整回路を構成するインダクタは、アンテナ用電極と共通端子との間に直列接続されたシリーズインダクタと、該シリーズインダクタの共通端子側で、且つ該共通端子に一方端が接続され、グランド電極に他方端が接続されたシャントインダクタと、を含む。

この構成では、位相調整回路を構成するシャントインダクタがスイッチＩＣとグランドとを直接的に接続するので、当該シャントインダクタを介してスイッチＩＣに蓄積された電荷が速やかに放電される。これにより、位相調整回路は、位相調整機能とともに静電気を速やかに放電する機能（ＥＳＤ保護デバイスとしての機能）も備える。

また、この発明の高周波スイッチモジュールのスイッチＩＣは、電源供給を行うための駆動電源用端子を備え、この駆動電源用端子は、スイッチＩＣの複数の通信回路側端子が近接配置される一辺とは異なる辺に近接して形成されている。

この構成も、上述のスイッチＩＣの端子配置の具体的な構成を示す。そして、この構成により、送信信号、受信信号、および送受信信号の入出力に利用される通信回路側端子と、駆動電源用端子との間のアイソレーションが確保される。

また、この発明の高周波スイッチモジュールの積層回路部品は、スイッチＩＣの各通信回路側端子と、当該各通信回路側端子にそれぞれ接続する各通信用電極との間を、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された回路電極パターンおよび絶縁層を貫通して形成されたビアホールにより導通する複数の接続回路を備え、該複数の接続回路が同じ電気長で形成されている。

この構成では、上述のスイッチＩＣが実装される積層回路部品（積層体）の具体的な内部回路構成を示す。そして、スイッチＩＣの各通信回路側端子と、当該各通信回路側端子にそれぞれ接続する各通信用電極との間の接続回路が同じ電気長であることで、いずれの端子を選択しても、同じ通信信号であれば同じ伝送特性を得ることができる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールの積層回路部品は、スイッチＩＣの各通信回路側端子と、当該各通信回路側端子にそれぞれ接続する各通信用電極との間を、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された回路電極パターンおよび絶縁層を貫通して形成されたビアホールにより導通する複数の接続回路を備え、該複数の接続回路のうちの特定の接続回路には、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された電極パターンもしくは該積層回路部品に実装されたディスクリート部品からなるインダクタおよびキャパシタで構成された所定通過帯域を有するフィルタ回路が挿入されている。

この構成では、上述のような構成に加えて、必要に応じて、積層回路部品の内部電極や積層回路部品へ実装されたディスクリート部品によりフィルタ回路を形成することができる。これにより、当該フィルタ回路を介する伝送経路を送信信号の伝送経路に選択すれば、当該高周波スイッチモジュールよりもさらに送信信号生成側から到来する送信信号の高調波を、当該高周波スイッチモジュールで減衰させることができる。この際、上述のようなスイッチＩＣの端子構造が用いられていることで、フィルタ回路を構成する積層回路部品の内部電極パターンの設計自由度を向上させることができる。すなわち、高調波特性に優れた高周波スイッチモジュールであっても設計自由度を向上させることができる。

この発明によれば、仕様の異なる複数の通信システムに対して、一種類のスイッチＩＣから高周波スイッチモジュールを形成することができる。これにより、仕様毎にスイッチＩＣを新規に設計する必要がなく、積層体の設計も簡略化することができる。これにより、複数の通信システムに対する高周波スイッチモジュールを製造する際の、コスト及び時間を短縮し、効率良く複数種類の高周波スイッチモジュールを設計、製造することができる。

本発明の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの外観斜視図および回路構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態のスイッチＩＣ１０の内部回路構成を示す図、および各ポートの配置を示す図である。 本発明の実施形態の積層回路部品１１の積層図である。 第２の実施形態の高周波スイッチモジュール１’の回路構成を示すブロック図である。 第２の実施形態の高周波スイッチモジュール１’を形成する積層回路部品の積層図である。 その他のスイッチＩＣ１０の通信用ポートと積層回路部品の外部電極との接続関係を説明するための図である。

本発明の実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて、図を参照して説明する。

図１（Ａ）は高周波スイッチモジュール１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は本実施形態の高周波スイッチモジュール１の回路構成を示すブロック図である。

図２（Ａ）はスイッチＩＣ１０の内部回路構成を示す図であり、図２（Ｂ）は各ポートの配置を示す図である。図３は積層回路部品１１の積層図である。

高周波スイッチモジュール１は、図１（Ａ）に示すように、略直方体の外形からなる積層回路部品１１、該積層回路部品１１の天面に実装されたスイッチＩＣ１０、および、ディスクリート部品であり積層回路部品１１の天面に実装されたインダクタＡＬ１，ＡＬ２を備える。

積層回路部品１１は、具体的構成は図３を用いて後述するが、概略的には、セラミックあるいは樹脂等の複数の誘電体層を積層してなる積層体によって形成される。そして、積層回路部品１１は、各誘電体層間となる内層および積層体の天面および底面に所定パターンで電極を形成することで、図１（Ｂ）に示すような高周波スイッチモジュール１のスイッチＩＣ１０およびインダクタＡＬ１，ＡＬ２以外の回路パターンを実現している。

図１（Ｂ）に示すように、高周波スイッチモジュール１は、上述のスイッチＩＣ１０、およびインダクタＡＬ１，ＡＬ２からなる位相調整回路２０とともに、本発明の「フィルタ回路」に相当するローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂおよびアンテナ用キャパシタＡＣを備える。

また、高周波スイッチモジュール１は、複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍを有する。これら複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、当該高周波スイッチモジュール１が実装される後段回路の回路基板に実装されるために利用される。なお、以下の説明では、説明の便宜上、高周波スイッチモジュール１としての外部接続用電極Ｐ_Ｍは「電極」と称し、後述するスイッチＩＣ１０の実装用電極Ｐ_ＩＣは「ポート」と称する。

複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、本発明の「アンテナ用電極」に対応するアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）と、本発明の「通信用電極」に対応する送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ），Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）、送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２），Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）と、駆動電圧入力用の駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）と、制御電圧信号入力用の制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ４）とを有する。なお、図１（Ａ）には図示していないが接地用のグランド電極も有する。

高周波スイッチモジュール１としてアンテナＡＮＴに接続するアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）には、位相調整回路２０を介して、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）が接続されている。

位相調整回路２０は、インダクタＡＬ１，ＡＬ２とを有し、インダクタＡＬ１がアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間に直列接続されている。インダクタＡＬ１のアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）側とグランドとの間には、インダクタＡＬ２が接続されている。また、インダクタＡＬ１のアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）側とグランドとの間には、アンテナ用キャパシタＡＣが接続されている。

高周波スイッチモジュール１としての送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）には、ローパスフィルタ３０Ａを介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）が接続されている。

ローパスフィルタ３０Ａは、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２、およびキャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＧＣｕ３，ＧＣｃ１，ＧＣｃ２を有する。

インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）との間に直列接続されている。インダクタＧＬｔ１にはキャパシタＧＣｃ１が並列接続され、インダクタＧＬｔ２にはキャパシタＧＣｃ２が並列接続されている。インダクタＧＬｔ１の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）側とグランドとの間には、キャパシタＧＣｕ１が接続されている。インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２の接続点とグランドとの間には、キャパシタＧＣｕ２が接続されている。インダクタＧＬｔ２の送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）側とグランドとの間には、キャパシタＧＣｕ３が接続されている。

これらローパスフィルタ３０Ａを構成する各インダクタ及びキャパシタの素子値は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）から入力される送信信号の周波数帯域を通過し、当該送信信号の高調波帯域を減衰する特性となるように設定されている。例えば、ＧＳＭ８５０やＧＳＭ９００の送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、これらの２倍高調波や３倍高調波の帯域を減衰帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１としての送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）には、ローパスフィルタ３０Ｂを介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ２）が接続されている。

ローパスフィルタ３０Ｂは、インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２、およびキャパシタＤＣｕ２，ＤＣｕ３，ＤＣｃ２を有する。

インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ２）との間に直列接続されている。インダクタＤＬｔ２にはキャパシタＤＣｃ２が並列接続されている。インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２の接続点とグランドとの間には、キャパシタＤＣｕ２が接続されている。インダクタＤＬｔ２の送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）側とグランドとの間には、キャパシタＤＣｕ３が接続されている。

これらローパスフィルタ３０Ｂを構成する各インダクタ及びキャパシタの素子値は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）から入力される送信信号の周波数帯域を通過し、当該送信信号の高調波帯域を減衰する特性となるように設定されている。例えば、ＧＳＭ１８００やＧＳＭ１９００の送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、これらの２倍高調波や３倍高調波の帯域を減衰帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ５），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６）がそれぞれ接続されている。これらの受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）は、図示しない各通信信号用の受信回路に接続する。例えば、ＧＳＭ８５０，ＧＳＭ９００，ＧＳＭ１８００，ＧＳＭ１９００用に構成された受信回路に接続する。

高周波スイッチモジュール１としての送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２），Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ７），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）がそれぞれ接続されている。これら送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２），Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）は、図示しない各通信信号用の送受信兼用回路に接続する。例えば、ＵＭＴＳ用送受信回路やＷＣＤＭＡ用送受信回路に接続する。

高周波スイッチモジュール１としての駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）には、スイッチＩＣ１０の駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）が接続されている。

高周波スイッチモジュール１としての制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ４）には、スイッチＩＣ１０の制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）がそれぞれ接続されている。

スイッチＩＣ１０は、平面視して略矩形からなる所謂ＳＰ９Ｔ型のＦＥＴスイッチＩＣであり、駆動電圧Ｖｄｄで駆動し、制御電圧信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４の組み合わせに応じて、本発明の「共通端子」に相当するアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を、本発明の「通信回路側端子」に相当する通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）のいずれかに選択的に接続する機能を有する。なお、本実施形態では、ＳＰ９Ｔ型を例にしたが、ＳＰｎＴ型（ｎは２以上の正数）についても、本発明の構成を適用することができる。

スイッチＩＣ１０は、図２（Ａ）に示すような構成からなり、スイッチ制御部１０１とＦＥＴスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９とを備える。

スイッチ制御部１０１は、駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）から入力される駆動電圧Ｖｄｄで作動し、制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）のそれぞれから入力される駆動電圧Ｖｃ１〜Ｖｃ４の組み合わせに応じて、ＦＥＴスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９のいずれか一つをオン制御し、他の全てをオフ制御するようなスイッチ制御信号を発生し、ＦＥＴスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９へ与える。

スイッチ回路ＳＷ１は、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）との間に接続され、スイッチ回路ＳＷ２は、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ２）との間に接続される。同様に、各スイッチ回路ＳＷｋ（ｋ＝３〜９）は、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦｋ）との間に接続される。

スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９は、全て同じ構造からなる。したがって、ここでは、スイッチ回路ＳＷ１を代表してスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９の構成を説明する。

スイッチ回路ＳＷ１は、複数のＦＥＴ１１〜ＦＥＴ１ｍ（ｍは２以上の正数）を有し、これらＦＥＴ１１〜ＦＥＴ１ｍが、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）との間に連続的に接続されている。具体的には、ＦＥＴ１１のソースがアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に接続され、ＦＥＴ１１のドレインにＦＥＴ１２のソースが接続される。ＦＥＴ１２〜ＦＥＴ１ｍまでは、自身に対してアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）側に隣接するＦＥＴのドレインに、自身のソースが接続される。そして、ＦＥＴ１ｍのドレインが通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）に接続される。

各ＦＥＴ１１〜ＦＥＴ１ｍのゲートにはそれぞれ抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１ｍが接続されており、当該抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１ｍを介して、スイッチ制御部１０１からのスイッチ制御信号が印加される。

このように、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）との間のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９を同じ構造にすることで、いずれの通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）を選択しても、同じ電気的特性を得ることができる。

この際、全てのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９が図２に示すようにＦＥＴの多段構成になっているので、伝送電力の許容量を大きくすることができる。これを利用し、ＦＥＴの段数を送信電力の上限レベルに耐えられるように設定することで、全ての通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）を送信用ポート、受信用ポート、送受兼用ポートのいずれにも利用することができる。具体的に、上述のようにＧＳＭ８５０，ＧＳＭ９００，ＧＳＭ１８００，ＧＳＭ１９００，ＵＭＴＳ，ＷＣＤＭＡ（登録商標）を備える複合型の通信システムであれば、ＧＳＭ（登録商標）の送信レベルである３５ｄＢｍに対する耐電力を有するように構成することで、これら複数の通信システムの全ての送信、受信、送受信に利用することができる。

これにより、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）を送信用、受信用、送受信兼用のいずれかに適宜割り当てることができるので、従来のように、システム仕様毎に、それぞれ送信用ポート、受信用ポート、送受信兼用ポートを個別に設計してＩＣを製造する必要が無い。この結果、スイッチＩＣの設計コスト、設計労力、設計時間、製造のための準備等を大幅に削減することができる。

次に、スイッチＩＣ１０のポート配置について説明する。スイッチＩＣ１０の底面には、上述の各ポートに対応する電極が、図２（Ｂ）に示すような配置で形成されている。

図２（Ｂ）に示すように、各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の電極群は、スイッチＩＣ１０におけるアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）の電極とは異なる側面に沿って形成されている。これにより、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）とのアイソレーションを向上させることができる。

また、各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の電極群は、スイッチＩＣ１０における駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）、制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）の電極群とは異なる側面に沿って形成されている。これにより、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）と駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）、制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）とのアイソレーションも向上させることができる。

さらには、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）の電極は、スイッチＩＣ１０における駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）、制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）の電極群とは異なる側面に沿って形成されている。これにより、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）、制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）とのアイソレーションも向上させることができる。

なお、上述のようにＦＥＴを多段にすることで、各スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９では、キャパシタが直列接続されたものと等価の位相変化が生じる。しかしながら、上述のように、インダクタＡＬ１，ＡＬ２からなる位相調整回路２０がアンテナ用ポート側に挿入されることで、スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９で生じる位相変化を位相調整回路２０で調整して補正することができ、伝送損失の低下を抑制することができる。この際、位相調整回路２０がアンテナ用ポート側に挿入されることで、スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９毎に位相調整用の回路を設けることなく、一つの位相調整回路２０で全てのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９の位相調整を行うことができる。

また、この位相調整回路２０は、ディスクリート部品からなるインダクタＡＬ１，ＡＬ２を用いることで、部品の付け替えによる容易な変更で、位相調整量を変化させることができる。これにより、高周波スイッチモジュール１として完成後も、必要に応じて位相調整量を容易に変更でき、最適な位相調整量を得ることができる。

次に、高周波スイッチモジュール１を構成する積層回路部品１１の積層構成について、図３を参照して、より具体的に説明する。

積層回路部品１１は、上述のように、アンテナ用キャパシタＡＣ、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを内部電極パターンで実現するとともに、これらアンテナ用キャパシタＡＣ、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂと、スイッチＩＣ１０、位相調整回路２０と、高周波スイッチモジュール１としての各外部接続用電極Ｐ_ＭおよびスイッチＩＣ１０の各ポートＰ_ＩＣとを接続する回路パターンを、内部電極パターンや天面および底面の電極で実現する。

積層回路部品１１は２０層の誘電体層が積層された構造からなる。なお、図３は、積層回路部品１１の天面の層を第１層として、底面側にむかって層番号が増加し、積層回路部品１１の底面の層を第２０層とする積層図であり、以下ではこの層番号に準じて説明する。また、図３において、各層で記載されている○印は、導電性のビアホールを示し、当該ビアホールにより積層方向に列ぶ各層の電極間の導電性が確保されている。

積層回路部品１１の天面に対応する第１層の天面側には、スイッチＩＣ１０を実装するためのランド群および、インダクタＡＬ１，ＡＬ２を実装するためのランド群が形成されている。

第２層、第３層、第４層には各種引き回し用の電極パターンが形成されている。

第５層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第５層のグランド電極ＧＮＤはキャパシタＧＣｕ１の対向電極としても機能する。第６層にはキャパシタＧＣｕ１の対向電極が形成されている。第７層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第７層のグランド電極ＧＮＤもキャパシタＧＣｕ１の対向電極としても機能する。

第８層、第９層、第１０層、第１１層、第１２層、第１３層には、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２を構成する電極パターンが形成されている。

第１４層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２を兼用する対向電極と、キャパシタＤＣｃ２の対向電極がそれぞれ形成されている。第１５層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ２の対向電極がそれぞれ形成されている。第１６層にはキャパシタＧＣｕ２，ＧＣｃ１，ＧＣｃ２を兼用する対向電極と、キャパシタＤＣｕ２，ＤＣｃ２を兼用する対向電極が形成されている。

第１７層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第１７層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＧＣｕ２，ＤＣｕ２,ＧＣｕ３，ＤＣｕ３の対向電極としても機能する。

第１８層にはキャパシタＧＣｕ３，ＤＣｕ３およびアンテナ用キャパシタＡＣの対向電極がそれぞれ形成されている。

第１９層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第１９層のグランド電極ＧＮＤはキャパシタＧＣｕ３，ＤＣｕ３およびアンテナ用キャパシタＡＣの対向電極としても機能する。

積層回路部品１１の底面に相当する第２０層の底面側には、上述の各外部接続用電極Ｐ_Ｍが形成されている。

このような構成とすることで、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを構成する各回路素子やアンテナ用キャパシタＡＣ等の高周波スイッチモジュール１におけるスイッチＩＣ１０以外の回路素子を部分的に積層回路部品１１の内層電極で実現できる。これにより、高周波スイッチモジュール１を小型化することが可能になる。なお、スイッチＩＣ１０以外の回路素子については、インダクタＡＬ１，ＡＬ２のように適宜ディスクリート部品にしてもよく、逆にインダクタＡＬ１，ＡＬ２を積層回路部品１１の内層電極で形成しても良い。

このような積層回路部品１１を設計する場合でも、上述のようにスイッチ回路ＩＣ１０の、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）が同じ電気特性であり、送信、受信、送受信を適宜選択できる構成であるので、スイッチＩＣ１０の実装ランドパターンや内部電極の引き回しパターンの自由度を向上させることができる。これにより、積層回路部品１１すなわち高周波スイッチモジュール１としての設計製造コストや設計時間を削減することもできる。

また、上述のように積層回路部品１１内にローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを形成する場合にも、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の選択自由度により、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを構成するための電極パターンの設計自由度が向上する。これにより、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを含み送信信号の高調波を抑圧できるような高周波スイッチモジュールであっても、設計製造コストや設計時間を削減することもできる。

なお、上述の説明では、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを積層回路部品１１内に含む例を示したが、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを含まない構成としてもよい。この場合、積層回路部品１１の天面に形成するスイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）用の各ランド電極と、積層回路部品１１の底面に形成する通信用の各外部接続用電極とをそれぞれに結ぶ伝送線路の電気長が同じになるように、内部電極パターンおよびビアホールを形成するとよい。このような構成とすることで、より使用方法の自由度が高い高周波スイッチモジュール１を実現することができる。この際、単に内部電極パターンの線路長を変化させるだけでなく、線路幅を変化させることで、全ての伝送線路の電気長をより容易に同じにすることができる。なお、上述のローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを有する場合であっても、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを有さない受信系や送受信兼用系の各伝送線路の電気長を、同じにすることもでき、この場合にも使用方法の自由度を向上させることができる。

次に、第２の実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて、図を参照して説明する。

図４は高周波スイッチモジュール１’の回路構成を示すブロック図である。

図５は図４に示す高周波スイッチモジュール１’を形成する積層回路部品の積層図である。

本実施形態の高周波スイッチモジュール１’は、スイッチＩＣ１０’、インダクタＡＬ１’，ＡＬ２’からなる位相調整回路２０’、ローパスフィルタ３０Ａ’，３０Ｂ’、アンテナ用キャパシタＡＣ、ＳＡＷフィルタＳ１，Ｓ２、整合用インダクタＬ３，Ｌ４を備える。

この高周波スイッチモジュール１’は、複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍを有する。これら複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、当該高周波スイッチモジュール１’が実装される後段回路の回路基板に実装されるために利用される。なお、以下の説明では、第１の実施形態と同様に、説明の便宜上、高周波スイッチモジュール１’としての外部接続用電極Ｐ_Ｍは「電極」と称し、後述するスイッチＩＣ１０’の実装用電極Ｐ_ＩＣは「ポート」と称する。

複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、本発明の「アンテナ用電極」に対応するアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）と、本発明の「通信用電極」に対応する送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ），Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）、送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）と、駆動電圧入力用の駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）と、制御電圧信号入力用の制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３）とを有する。なお、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）は平衡出力用であり、それぞれに一対の電極から構成されている。

高周波スイッチモジュール１’としてアンテナＡＮＴに接続するアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）には、位相調整回路２０’を介して、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）が接続されている。

位相調整回路２０’は、インダクタＡＬ１’，ＡＬ２’とを有する。本発明の「シリーズインダクタ」に相当するインダクタＡＬ１’は、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間に直列接続されている。本発明の「シャントインダクタ」に相当するインダクタＡＬ２’は、インダクタＡＬ１’のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）側とグランドとの間に接続されている。また、インダクタＡＬ１’のアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）側とグランドとの間には、アンテナ用キャパシタＡＣが接続されている。このように、スイッチＩＣ１０’のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を、他の回路素子を介することなく、インダクタＡＬ２’のみを介してグランドに接続することで、スイッチＩＣ１０’内のＦＥＴやコンデンサに蓄積された電荷は、スイッチ切替時に当該インダクタＡＬ２’のみを介してグランドへ放電される。これにより、放電を速くすることができ、スイッチ切替速度を向上することができる。すなわち、本実施形態の位相調整回路２０’を用いることで、単に位相調整機能のみでなく、スイッチ切替速度の高速化機能（ＥＳＤ保護デバイスとしての機能に相当）も備えることができる。

高周波スイッチモジュール１’としての送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）には、ローパスフィルタ３０Ａ’を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）が接続されている。このローパスフィルタ３０Ａ’は、第１の実施形態に示したローパスフィルタ３０Ａに対してキャパシタＧＣｕ３を省略しただけの構成であり、例えば、ＧＳＭ８５０やＧＳＭ９００の送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、これらの２倍高調波や３倍高調波の帯域を減衰帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１’としての送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）には、ローパスフィルタ３０Ｂ’を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ２）が接続されている。ローパスフィルタ３０Ｂ’は、インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２、およびキャパシタＤＣｕ２，ＤＣｕ３，ＤＣｃ１を有する。このローパスフィルタ３０Ｂ’は、第１の実施形態のローパスフィルタ３０Ｂに対して、インダクタＤＬｔ２に並列接続するキャパシタを無くし、インダクタＤＬｔ１に並列接続するキャパシタＤＣｃ１を備えたものであり、第１の実施形態のローパスフィルタ３０Ｂと同様に、例えば、ＧＳＭ１８００やＧＳＭ１９００の送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、これらの２倍高調波や３倍高調波の帯域を減衰帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１’としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）には、ＳＡＷフィルタＳ１が接続され、当該ＳＡＷフィルタＳ１は、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）に接続している。ＳＡＷフィルタＳ１は、それぞれに異なる通過帯域を有する二個のＳＡＷフィルタからなり、例えば、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）側のＳＡＷフィルタが、ＧＳＭ８５０受信信号の周波数帯域を通過帯域とし、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）側のＳＡＷフィルタが、ＧＳＭ９００受信信号の周波数帯域を通過帯域となるように、設定されている。

ＳＡＷフィルタＳ１とスイッチＩＣ１０’の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）との間の伝送ライン上の所定位置は、インダクタＬ３を介してグランドに接続されている。このインダクタＬ３により、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）とＳＡＷフィルタＳ１とのインピーダンス整合が行われる。

高周波スイッチモジュール１’としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）には、ＳＡＷフィルタＳ２が接続され、当該ＳＡＷフィルタＳ２は、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）に接続している。ＳＡＷフィルタＳ２は、それぞれに異なる通過帯域を有する二個のＳＡＷフィルタからなり、例えば、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）側のＳＡＷフィルタが、ＧＳＭ１８００受信信号の周波数帯域を通過帯域とし、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）側のＳＡＷフィルタが、ＧＳＭ１９００受信信号の周波数帯域を通過帯域となるように、設定されている。

ＳＡＷフィルタＳ２とスイッチＩＣ１０’の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）との間の伝送ライン上の所定位置は、インダクタＬ４を介してグランドに接続されている。このインダクタＬ４により、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）とＳＡＷフィルタＳ２とのインピーダンス整合が行われる。

高周波スイッチモジュール１’としての送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）には、スイッチＩＣ１０’の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ７），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）がそれぞれ接続されている。これら送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）は、図示しない各通信信号用の送受信兼用回路に接続する。例えば、ＵＭＴＳ用送受信回路やＷＣＤＭＡ用送受信回路に接続する。

高周波スイッチモジュール１’としての駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）には、スイッチＩＣ１０の駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）が接続されている。

高周波スイッチモジュール１’としての制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３）には、スイッチＩＣ１０’の制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３）がそれぞれ接続されている。

スイッチＩＣ１０’は、例えば、略直方体からなる所謂ＳＰ６Ｔ型のＦＥＴスイッチＩＣであり、駆動電圧Ｖｄｄで駆動し、制御電圧信号Ｖｃ１〜Ｖｃ３の組み合わせに応じて、本発明の「共通端子」に相当するアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を、本発明の「通信回路側端子」に相当する通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）のいずれかに選択的に接続する機能を有する。

そして、第１の実施形態のスイッチＩＣ１０と同様に、スイッチＩＣ１０’のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）と各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）との間のスイッチ回路を全て同じ構造にすることで、いずれの通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）を選択しても、同じ電気的特性を得ることができる。

次に、本実施形態の高周波スイッチモジュール１’の構造について、図５を用いて詳細に説明する。

本実施形態の高周波スイッチモジュール１’の積層回路部品は１７層の誘電体層が積層された構造からなる。なお、図５は、高周波スイッチモジュール１’の積層回路部品の天面の層を第１層として、底面側にむかって層番号が増加し、当該積層回路部品の底面の層を第１７層とする積層図であり、以下ではこの層番号に準じて説明する。また、図５において、各層で記載されている○印（一重丸印）および◎印（二重丸印）は、導電性のビアホールを示し、当該ビアホールにより積層方向に列ぶ各層の電極間の導電性が確保されている。

高周波スイッチモジュール１’の積層回路部品の天面に対応する第１層の天面側には、それぞれ個別のディスクリート部品であるスイッチＩＣ１０’、ＳＡＷフィルタＳ１，Ｓ２およびインダクタＡＬ２’を実装するためのランド群が形成されている。なお、インダクタＡＬ２’は、積層回路部品内の電極パターンで形成してもよいが、個別のディスクリート部品とすることで、耐電流性の良いものを用いることができる。これにより、スイッチＩＣ１０’内の電荷を放電する際に、より破壊し難く、電流を流しやすい特性を実現できる。

第２層、第３層には各種引き回し用の電極パターンが形成されている。

第４層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第５層のグランド電極ＧＮＤはキャパシタＧＣｕ１の対向電極としても機能する。第５層にはキャパシタＧＣｕ１の対向電極が形成されている。第６層にはビアホールのみが形成されている。

第７層、第８層、第９層には、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，Ｌ３，Ｌ４，ＡＬ１’を構成する電極パターンが形成されており、第１０層には、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，Ｌ３，Ｌ４，ＡＬ１’を構成する電極パターンが形成されている。

第１１層、第１２層にはビアホールのみが形成されている。第１３層には、グランド電極ＧＮＤが形成されている。

第１４層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ１の対向電極が形成されている。第１５層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＧＣｕ２の兼用の対向電極と、キャパシタＤＣｃ１，ＤＣｕ２の兼用の対向電極が形成されるとともに、キャパシタＤＣｕ１，ＡＣの対向電極が形成されている。

第１５層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第１６層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＧＣｕ２，ＤＣｃ１，ＤＣｕ２,ＤＣｕ３，ＡＣの対向電極としても機能する。

高周波スイッチモジュール１’の積層回路部品の底面に相当する第１７層の底面側には、上述の各外部接続用電極Ｐ_Ｍが形成されている。この際、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ），Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）が積層体の一辺に沿って形成され、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）が積層体の他の一辺に沿って形成され、送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）が積層体のまた他の一辺に沿って形成され、駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）と制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３）とがまたさらに他の一辺に沿って形成されている。すなわち、送信系の電極群、受信系の電極群、送受信系の電極群、および制御系の電極群が積層体のそれぞれに異なる辺に沿って、形成されている。そして、これらの電極群で囲まれる中央領域にグランド電極が形成されている。このような構成により、各系間のアイソレーションを高くすることができる。

このような構成であっても、第１の実施形態と同様に作用効果が得られる。

なお、上述のスイッチＩＣ１０，１０’の各通信用ポートＰ_ＩＣと、高周波スイッチモジュール１，１’の送信用外部電極、受信用外部電極、および送受兼用外部電極ＰＭとの接続の組合せは、一例であり、他の接続構成であってもよい。例えば、図６は、その他のスイッチＩＣ１０の通信用ポートと積層回路部品の外部電極との接続関係を説明するための図である。

図６に示すように、スイッチＩＣ１０の一辺に沿う各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）、Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）を、次に示すように接続する。

スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）を送受兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１）に接続する。スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ６）を受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）に接続する。スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ７）を送受兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）に接続する。スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ８）を受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）に接続する。スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ９）を送受兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）に接続する。

この構成では、送受兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２），Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）の接続する通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）のそれぞれの間に、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）の接続する通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ６），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）が配設される。言い換えれば、送受兼用外部電極の接続する通信用ポートと、受信用外部電極が接続する通信用ポートとが、配列方向に沿って交互に配置される。これにより、スイッチＩＣ１０の送受兼用に利用する通信用ポート同士、および積層回路部品の当該通信用ポートに接続する近傍の回路パターン同士が近接しない。これにより、スイッチＩＣ１０の送受兼用に利用する通信用ポート同士、および積層回路部品の当該通信用ポートに接続する近傍の回路パターン同士でのアイソレーションを向上することができる。

１，１’−高周波スイッチモジュール、１０，１０’−スイッチＩＣ、２０，２０’−位相調整回路、３０Ａ，３０Ａ’，３０Ｂ，３０Ｂ’−ローパスフィルタ、１０１−スイッチ制御部、ＳＷ１〜ＳＷ９−スイッチ回路

Claims (9)

1. 単一のアンテナに接続するアンテナ用電極と、複数種類の通信信号をそれぞれ送信、受信、もしくは送受信するための複数の高周波通信用回路に接続する複数の通信用電極とを備えるとともに、スイッチＩＣが実装されるランドが形成された積層回路部品と、
   該積層回路部品に実装され、該積層回路部品を介して前記アンテナに接続される共通端子、および、前記積層回路部品を介して前記複数の高周波通信用回路にそれぞれ接続される複数の通信回路側端子を備えたスイッチＩＣと、を有する高周波スイッチモジュールであって、
   前記複数の通信回路側端子は、送受信兼用端子と、受信専用端子または送信専用端子とを含み、
   前記スイッチＩＣは、平面視して直方体からなり、
   前記直方体における前記複数の通信回路側端子が配置される一辺と、前記共通端子が配置される一辺は異なり、
   各通信回路側端子と前記共通端子との間にそれぞれ切替用回路が設置されており、
   全ての切替用回路は、複数段に接続された半導体スイッチ素子を有し、該半導体スイッチ素子の段数が同じであり、前記送信の際に印加される送信電力に対して同じ耐性を有する構成からなる、
   高周波スイッチモジュール。
2. 前記通信回路側端子は、複数の送受信兼用端子と受信専用端子とを含んで前記スイッチＩＣの一方主面における縁端部に配列して配置され、前記送受信兼用端子と前記受信専用端子とが、前記配列の方向に沿って交互の順で配置されている、請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
3. 複数段に接続された前記半導体スイッチ素子を有するそれぞれの前記切替用回路の位相変化が互いに同じである、
   請求項１または請求項２に記載の高周波スイッチモジュール。
4. 前記積層回路部品は、
   前記アンテナ用電極と前記共通端子との間に、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された電極パターンもしくは該積層回路部品に実装されたディスクリート部品からなるインダクタを有する位相調整回路を備える、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
5. 前記共通端子に一方端が接続され、グランド電極に他方端が接続されたインダクタを備える請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
6. 前記位相調整回路を構成するインダクタは、前記アンテナ用電極と前記共通端子との間に直列接続されたシリーズインダクタと、該シリーズインダクタの前記共通端子側で、且つ該共通端子に一方端が接続され、グランド電極に他方端が接続されたシャントインダクタと、を含む、請求項４に記載の高周波スイッチモジュール。
7. 前記スイッチＩＣは、電源供給を行うための駆動電源用端子を備え、
   該駆動電源用端子は、前記スイッチＩＣの前記複数の通信回路側端子が近接配置される一辺とは異なる辺に近接して形成されている、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
8. 前記積層回路部品は、
   前記スイッチＩＣの各通信回路側端子と、当該各通信回路側端子にそれぞれ接続する各通信用電極との間を、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された回路電極パターンおよび絶縁層を貫通して形成されたビアホールにより導通する複数の接続回路を備え、
   該複数の接続回路が同じ電気長で形成されている、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
9. 前記積層回路部品は、
   前記スイッチＩＣの各通信回路側端子と、当該各通信回路側端子にそれぞれ接続する各通信用電極との間を、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された回路電極パターンおよび絶縁層を貫通して形成されたビアホールにより導通する複数の接続回路を備え、
   該複数の接続回路のうちの特定の接続回路には、積層された絶縁層間にそれぞれ形成された電極パターンもしくは該積層回路部品に実装されたディスクリート部品からなるインダクタおよびキャパシタで構成された所定通過帯域を有するフィルタ回路が挿入されている、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。

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