JP5789427B2

JP5789427B2 - Drive circuit

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Publication number: JP5789427B2
Application number: JP2011135237A
Authority: JP
Inventors: 渡辺　晴夫; 晴夫渡辺; 海野　洋; 洋海野; 幸弥木村
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-06-17
Filing date: 2011-06-17
Publication date: 2015-10-07
Anticipated expiration: 2031-06-17
Also published as: JP2013005619A

Description

本発明は、バイポーラトランジスタのベース端子にベース電流を供給するドライブ回路に関する。 The present invention relates to a drive circuit for supplying a base current to a base terminal of a bipolar transistor.

バイポーラトランジスタ（以下、ＢＪＴという）は、電源回路などにおいてスイッチ素子として使用される。ＢＪＴを使用した電源回路において、ＢＪＴのベース端子にベース電流を供給するドライブ回路がある。このようなドライブ回路は、ＢＪＴが導通している期間のコレクタ損失を減らすために、その導通電圧（コレクタ電圧）を十分に小さくする。そのために、ＢＪＴのコレクタ電流の直流電流増幅率（以下、ｈＦＥという）分の１以上の電流をＢＪＴのベース電流として供給する必要がある。このＢＪＴのベース電流値は、ドライブ回路の出力抵抗（インピーダンス）の値によって決められる（例えば、特許文献１を参照）。 Bipolar transistors (hereinafter referred to as BJTs) are used as switching elements in power supply circuits and the like. In a power supply circuit using a BJT, there is a drive circuit that supplies a base current to a base terminal of the BJT. Such a drive circuit sufficiently reduces the conduction voltage (collector voltage) in order to reduce the collector loss during the period when the BJT is conducting. Therefore, it is necessary to supply a current that is at least one part of the direct current amplification factor (hereinafter referred to as hFE) of the collector current of the BJT as the base current of the BJT. The base current value of the BJT is determined by the value of the output resistance (impedance) of the drive circuit (see, for example, Patent Document 1).

図６は、従来のドライブ回路を用いた電源回路を示す。一般に、ＢＪＴのコレクタ電流は、電源回路の動作状態によって変化する。そのため、ＢＪＴのコレクタ電流が変化しても、導通電圧を十分に小さい値に維持するため、ＢＪＴのベース電流が不足しないように、ＢＪＴのベース電流は、ＢＪＴの最大コレクタ電流のｈＦＥ分の１以上の固定値に設定される。そのため、ＢＪＴのコレクタ電流が小さい場合には、ベース電流が必要以上に大きな値となり、ベース電流による電力損失が大きくなる。そこで、ＢＪＴのコレクタ電流が小さい場合のベース電流による電力損失を削減するために、ＢＪＴのコレクタ電流の増減に対応して、ＢＪＴのベース電流を増減することが求められる。 FIG. 6 shows a power supply circuit using a conventional drive circuit. In general, the collector current of the BJT varies depending on the operating state of the power supply circuit. Therefore, even if the collector current of the BJT changes, the base voltage of the BJT is 1 / fFE of the maximum collector current of the BJT so that the conduction voltage is maintained at a sufficiently small value so that the base current of the BJT does not become insufficient. The above fixed value is set. For this reason, when the collector current of the BJT is small, the base current becomes larger than necessary, and the power loss due to the base current increases. Therefore, in order to reduce the power loss due to the base current when the collector current of the BJT is small, it is required to increase or decrease the base current of the BJT corresponding to the increase or decrease of the collector current of the BJT.

ＢＪＴのコレクタ電流の増減に対応して増減するＢＪＴのベース電流を生成する方法として、以下の３つの方法が知られている。
第１の方法は、ＢＪＴのコレクタ電流が流れる経路に抵抗を挿入して、その抵抗による電圧降下値によって、ＢＪＴのコレクタ電流を検出し、検出した電流に応じてＢＪＴのベース電流を生成する方法である。
第２の方法は、カレントトランス（以下、ＣＴという）を用いてＢＪＴのコレクタ電流を検出し、検出した電流に応じてＢＪＴのベース電流を生成する方法である。
第３の方法は、ＣＴドライブを用いてＢＪＴのベース電流を生成する方法である。ＣＴドライブは、コレクタ電流巻線とベース電流巻線と制御巻線との３つの巻線を有する。ＣＴドライブでは、コレクタ巻線によって検出したＢＪＴのコレクタ電流が、コレクタ電流巻線とベース電流巻線との巻数比によって変換されて、ＢＪＴのベース電流として供給される。一方で、制御巻線は、ＢＪＴのターンオン電流の供給と、ＢＪＴのターンオフ電流の排出を行う。 The following three methods are known as methods for generating the base current of the BJT that increases or decreases in accordance with the increase or decrease of the collector current of the BJT.
In the first method, a resistor is inserted in a path through which the collector current of the BJT flows, a collector current of the BJT is detected based on a voltage drop value due to the resistor, and a base current of the BJT is generated according to the detected current It is.
The second method is a method of detecting the collector current of the BJT using a current transformer (hereinafter referred to as CT) and generating the base current of the BJT according to the detected current.
The third method is a method of generating a BJT base current using a CT drive. The CT drive has three windings: a collector current winding, a base current winding, and a control winding. In the CT drive, the collector current of the BJT detected by the collector winding is converted by the turn ratio between the collector current winding and the base current winding and supplied as the base current of the BJT. On the other hand, the control winding supplies BJT turn-on current and discharges BJT turn-off current.

特開２００９−１９４５１４号公報JP 2009-194514 A

しかしながら、上述の第１の方法では、電流を検出するために挿入した抵抗によってＢＪＴのコレクタ電流に応じた電力損失が発生する。このため、第１の方法では、電力損失が大きくなるという問題がある。
また、上述の第２の方法では、ＣＴによる電流検出により電力損失が大きくなるという問題がある。また、第２の方法では、ＣＴなどの部品が増えて回路が複雑になる。更に、ＢＪＴのスイッチング周期に対する導通期間の比率を示す時比率が１００％である場合には、ＢＪＴのコレクタ電流を検出できない。 However, in the first method described above, a power loss corresponding to the collector current of the BJT occurs due to the resistor inserted to detect the current. For this reason, the first method has a problem that power loss increases.
Further, the second method described above has a problem that power loss increases due to current detection by CT. In the second method, the number of components such as CT increases and the circuit becomes complicated. Furthermore, when the time ratio indicating the ratio of the conduction period to the switching period of the BJT is 100%, the collector current of the BJT cannot be detected.

また、ＢＪＴのｈＦＥ特性は、ＢＪＴのコレクタ電流によって変化する。このため、上述の第３の方法では、コレクタ電流巻線とベース電流巻線との巻数比を、ＢＪＴのコレクタ電流の使用範囲におけるｈＦＥの最小値によって決定する。これは、ｈＦＥが小さいほどＢＪＴのベース電流が大きくなるため、ＢＪＴのベース電流が不足しないようにするためである。このため、設定されたｈＦＥの値（最小値）よりｈＦＥが大きくなるＢＪＴの動作点では、過剰なＢＪＴのベース電流が流れて、ベース電流による電力損失が大きくなるという問題がある。また、第３の方法では、第２の方法と同様に、部品が増えて回路が複雑になると共に、時比率が１００％である場合には、ＢＪＴのコレクタ電流を検出できない。
このように、上述の第１から第３の方法では、電力損失を十分に低減できないという問題がある。 In addition, the hFE characteristics of the BJT change depending on the collector current of the BJT. For this reason, in the third method described above, the turn ratio between the collector current winding and the base current winding is determined by the minimum value of hFE in the usage range of the collector current of the BJT. This is because the base current of the BJT increases as the hFE decreases, so that the base current of the BJT does not become insufficient. For this reason, at the BJT operating point where hFE becomes larger than the set hFE value (minimum value), there is a problem that excessive BJT base current flows and power loss due to the base current increases. Also, in the third method, as in the second method, the number of components increases and the circuit becomes complicated, and when the duty ratio is 100%, the collector current of the BJT cannot be detected.
Thus, the first to third methods described above have a problem that power loss cannot be reduced sufficiently.

本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、ベース電流による電力損失を低減するドライブ回路を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a drive circuit that reduces power loss due to base current.

上記問題を解決するために、本発明は、バイポーラトランジスタのベース端子にベース電流を供給するドライブ回路であって、前記バイポーラトランジスタの前記ベース電流を生成するベース回路部と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、前記ベース電流を生成するための駆動電圧を前記ベース回路部に供給するドライブ部と、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、前記バイポーラトランジスタのベース端子と前記バイポーラトランジスタのエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧を前記基準電圧に基づいて検出し、検出した前記第１のベース−エミッタ間電圧に応じた前記ベース電流を前記バイポーラトランジスタに供給するように、前記制御電圧を制御して、前記ドライブ部に供給するベース電流制御部とを備え、前記ベース電流制御部は、前記駆動電圧と前記基準電圧との間の電圧であって、予め定められた抵抗比によって前記駆動電圧と前記基準電圧との電位差を分圧した電圧が、前記第１のベース−エミッタ間電圧と等しくなるように、前記制御電圧を制御する演算増幅回路を備えるドライブ回路である。 In order to solve the above problem, the present invention is a drive circuit for supplying a base current to a base terminal of a bipolar transistor, which is supplied to a control circuit and a base circuit unit for generating the base current of the bipolar transistor. A drive unit that supplies a drive voltage for generating the base current to the base circuit unit based on a control voltage, a reference voltage generation unit that generates a reference voltage, a base terminal of the bipolar transistor, and an emitter of the bipolar transistor A first base-emitter voltage generated between the terminals is detected based on the reference voltage, and the base current corresponding to the detected first base-emitter voltage is supplied to the bipolar transistor. A base current control unit that controls the control voltage and supplies the control voltage to the drive unit; Wherein the base current control unit is a voltage between the drive voltage and the reference voltage, the potential difference divided voltage between the reference voltage and the drive voltage by a predetermined resistance ratio, the The drive circuit includes an operational amplifier circuit that controls the control voltage so as to be equal to the first base-emitter voltage .

また、本発明は上記発明において、前記基準電圧生成部は、ベース端子とコレクタ端子が電流源の出力線にそれぞれ接続され、エミッタ端子が前記バイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続された第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第１のバイポーラトランジスタのベース端子と前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタ端子との間に発生する第２のベース−エミッタ間電圧を前記基準電圧とすることを特徴とする。 Also, in the present invention the above-described aspect, the reference voltage generator, base and collector terminals are connected to the output line of the current source, a first bipolar emitter terminal connected to the emitter terminal of said bipolar transistor And a second base-emitter voltage generated between a base terminal of the first bipolar transistor and an emitter terminal of the first bipolar transistor is used as the reference voltage.

また、本発明は上記発明において、前記電流源は、前記ベース回路部の出力線に一方の端子が接続され、前記電流源の出力線に他方の端子が接続される抵抗素子を備えることを特徴とする。
また、本発明は上記発明において、前記電流源は、定電流回路を備えることを特徴とする。 Further, the present invention is the above invention, wherein the current source includes a resistance element having one terminal connected to the output line of the base circuit unit and the other terminal connected to the output line of the current source. And
Further, the present invention is the above invention, wherein the current source includes a constant current circuit.

また、本発明は上記発明において、前記予め定められた抵抗比は、前記第１のベース−エミッタ間電圧と前記基準電圧との電位差と、前記駆動電圧と前記第１のベース−エミッタ間電圧との電位差との比に基づいて定められることを特徴とする。 Further, the present invention is the above invention, wherein the predetermined resistance ratio includes a potential difference between the first base-emitter voltage and the reference voltage, the drive voltage, and the first base-emitter voltage. It is determined based on the ratio to the potential difference between

本発明によれば、ベース電流制御部は、バイポーラトランジスタのベース端子とエミッタ端子との間に発生するベース−エミッタ間電圧を検出する。ベース−エミッタ間電圧は、バイポーラトランジスタのコレクタ電流に応じて変化する。そのため、ベース−エミッタ間電圧を検出することにより、コレクタ電流を検出することができる。また、ベース電流制御部は、検出したベース−エミッタ間電圧に応じたベース電流をバイポーラトランジスタに供給するように、ドライブ部の制御電圧を制御する。これにより、ドライブ部は、コレクタ電流に応じた駆動電圧をベース回路部に供給する。ベース回路部は、ドライブ部から供給された制御電圧に応じてベース電流を生成して、バイポーラトランジスタに供給する。つまり、本発明のドライブ回路は、ベース−エミッタ間電圧を検出することにより、コレクタ電流に応じたベース電流をバイポーラトランジスタに供給する。また、本発明のドライブ回路は、ベース−エミッタ間電圧を用いてコレクタ電流の変化を検出する。そのため、コレクタ電流が流れる経路に検出用の部品を挿入する必要がない。また、ベース回路部は、ｈＦＥに依存しないで、コレクタ電流に応じたベース電流を生成できるため、ｈＦＥが大きい場合に対応したベース電流を設定できる。結果として、本発明のドライブ回路は、ベース電流による電力損失を低減することができる。 According to the present invention, the base current control unit detects a base-emitter voltage generated between the base terminal and the emitter terminal of the bipolar transistor. The base-emitter voltage changes according to the collector current of the bipolar transistor. Therefore, the collector current can be detected by detecting the base-emitter voltage. The base current control unit controls the control voltage of the drive unit so as to supply a base current corresponding to the detected base-emitter voltage to the bipolar transistor. Thus, the drive unit supplies a drive voltage corresponding to the collector current to the base circuit unit. The base circuit unit generates a base current according to the control voltage supplied from the drive unit, and supplies the base current to the bipolar transistor. That is, the drive circuit of the present invention supplies the base current corresponding to the collector current to the bipolar transistor by detecting the base-emitter voltage. The drive circuit of the present invention detects a change in collector current using the base-emitter voltage. Therefore, it is not necessary to insert a detection component in the path through which the collector current flows. In addition, the base circuit unit can generate a base current corresponding to the collector current without depending on hFE, and thus can set a base current corresponding to a large hFE. As a result, the drive circuit of the present invention can reduce power loss due to base current.

第１の実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a drive circuit according to a first embodiment. FIG. 同実施形態におけるドライブ回路の動作を示すグラフである。It is a graph which shows the operation | movement of the drive circuit in the same embodiment. 第２の実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the drive circuit by 2nd Embodiment. 第３の実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the drive circuit by 3rd Embodiment. 第４の実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the drive circuit by 4th Embodiment. 従来のドライブ回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the conventional drive circuit.

＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態によるドライブ回路について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。
図１は、本実施形態によるドライブ回路１を電源回路に適用した一形態を示す。この図において、ドライブ回路１は、制御回路部３から供給される制御電圧に基づいて、昇圧型チョッパ方式のスイッチング電源回路（電源回路部２）を駆動するバイポーラトランジスタ（以下、ＢＪＴという）のベース電流を供給する。 <First Embodiment>
A drive circuit according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram showing the drive circuit according to the present embodiment.
FIG. 1 shows an embodiment in which the drive circuit 1 according to the present embodiment is applied to a power supply circuit. In this figure, a drive circuit 1 is based on a bipolar transistor (hereinafter referred to as BJT) that drives a step-up chopper switching power supply circuit (power supply circuit section 2) based on a control voltage supplied from a control circuit section 3. Supply current.

電源回路部２は、ＢＪＴ２１、直流電源２２、コイル２３、ダイオード２４、及びコンデンサ２５を備える。
直流電源２２は、コイル２３に電力を供給する。コイル２３は、一方の端子に直流電源２２の陽極端子が、他方の端子にノードＮ１がそれぞれ接続される。コイル２３は、昇圧用の起電力を発生する。
ＢＪＴ２１は、コレクタ端子にノードＮ１が、ベース端子にドライブ回路１の出力線であるノードＮ２が、それぞれ接続される。また、ＢＪＴ２１は、エミッタ端子が接地される。ＢＪＴ２１は、ドライブ回路１から供給されるベース電流に応じて、スイッチング動作を行い、コイル２３に起電力を発生させる。ここで、ＢＪＴ２１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）によって形成される。
ダイオード２４は、アノード端子がノードＮ１に、カソード端子がコンデンサ２５と電源回路部２の出力線とに接続される。ダイオード２４は、コイル２３によって得られた起電力を整流する。コンデンサ２５は、一方の端子が電源回路部２の出力線に、他方の端子がＧＮＤ（グランド）線にそれぞれ接続され、電源回路部２の出力電圧を平滑する。 The power supply circuit unit 2 includes a BJT 21, a DC power supply 22, a coil 23, a diode 24, and a capacitor 25.
The DC power supply 22 supplies power to the coil 23. The coil 23 has one terminal connected to the anode terminal of the DC power supply 22 and the other terminal connected to the node N1. The coil 23 generates an electromotive force for boosting.
In the BJT 21, a node N1 is connected to a collector terminal, and a node N2 that is an output line of the drive circuit 1 is connected to a base terminal. Further, the emitter terminal of the BJT 21 is grounded. The BJT 21 performs a switching operation according to the base current supplied from the drive circuit 1 and generates an electromotive force in the coil 23. Here, the BJT 21 is formed of, for example, Si (silicon).
The diode 24 has an anode terminal connected to the node N <b> 1 and a cathode terminal connected to the capacitor 25 and the output line of the power supply circuit unit 2. The diode 24 rectifies the electromotive force obtained by the coil 23. The capacitor 25 has one terminal connected to the output line of the power supply circuit unit 2 and the other terminal connected to the GND (ground) line, and smoothes the output voltage of the power supply circuit unit 2.

ドライブ回路１は、ドライブ部１０、ベース回路部３０、基準電圧生成部４０、及びベース電流制御部５０を備える。
ドライブ部１０は、制御回路部３又はベース電流制御部５０から供給される制御電圧に基づいて、ベース回路部３０にＢＪＴ２１のベース電流を供給するための駆動電圧を供給する。ここで、ドライブ部１０の制御電圧が供給される入力線をノードＮ３とし、ドライブ部１０の出力線をノードＮ４とする。ドライブ部１０は、Ｎチャネル型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Ｎ Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor、以下、ＮＭＯＳという）１１、及びＰチャネル型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Ｐ Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor、以下、ＰＭＯＳという）１２を備える。
ＮＭＯＳ１１は、ドレイン端子が第１の電源線（例えば、１５Ｖの電源線）に接続され、ゲート端子が入力線Ｎ３に接続され、ソース端子がドライブ部１０の出力線であるノードＮ４に接続される。また、ＰＭＯＳ１２は、ドレイン端子が第２の電源線（例えば、−１５Ｖの電源線）に接続され、ゲート端子が入力線Ｎ３に接続され、ソース端子がドライブ部１０の出力線であるノードＮ４に接続される。 The drive circuit 1 includes a drive unit 10, a base circuit unit 30, a reference voltage generation unit 40, and a base current control unit 50.
The drive unit 10 supplies a drive voltage for supplying the base current of the BJT 21 to the base circuit unit 30 based on the control voltage supplied from the control circuit unit 3 or the base current control unit 50. Here, an input line to which the control voltage of the drive unit 10 is supplied is a node N3, and an output line of the drive unit 10 is a node N4. The drive unit 10 includes an N channel metal oxide semiconductor field effect transistor (NMOS) 11 and a P channel metal oxide semiconductor field effect transistor (P channel metal oxide semiconductor field effect transistor). Effect Transistor (hereinafter referred to as PMOS) 12 is provided.
The NMOS 11 has a drain terminal connected to a first power supply line (for example, a 15V power supply line), a gate terminal connected to the input line N3, and a source terminal connected to a node N4 that is an output line of the drive unit 10. . Further, the PMOS 12 has a drain terminal connected to a second power supply line (for example, a −15 V power supply line), a gate terminal connected to the input line N3, and a source terminal connected to a node N4 that is an output line of the drive unit 10. Connected.

ベース回路部３０は、ドライブ部１０とＢＪＴ２１との間に配置される。ベース回路部３０は、ドライブ部１０からノードＮ４に供給される駆動電圧をベース電流に変換して、ＢＪＴ２１のベース端子（ノードＮ２）に供給する。また、ベース回路部３０は、抵抗素子３１を備える。ベース回路部３０がＢＪＴ２１のベース端子（ノードＮ２）に供給するベース電流の値は、ドライブ部１０から供給される駆動電圧の値と抵抗素子３１の抵抗値によって決定される。 The base circuit unit 30 is disposed between the drive unit 10 and the BJT 21. The base circuit unit 30 converts the drive voltage supplied from the drive unit 10 to the node N4 into a base current and supplies the base current to the base terminal (node N2) of the BJT 21. The base circuit unit 30 includes a resistance element 31. The value of the base current that the base circuit unit 30 supplies to the base terminal (node N2) of the BJT 21 is determined by the value of the drive voltage supplied from the drive unit 10 and the resistance value of the resistance element 31.

基準電圧生成部４０は、ＢＪＴ２１のベース端子とエミッタ端子との間に発生するベース−エミッタ間電圧（以下、Ｖｂｅという）を検出するための基準電圧Ｖｒｅｆを生成し、生成した基準電圧ＶｒｅｆをノードＮ５に出力する。基準電圧生成部４０は、ＢＪＴ４１及び定電流源４２を備える。
ＢＪＴ４１は、コレクタ端子とベース端子とがノードＮ５に接続され、エミッタ端子がＢＪＴ２１のエミッタ端子に接続される。また、ＢＪＴ４１のコレクタ端子は、定電流源４２の出力線に接続される。ＢＪＴ４１は、コレクタ端子とベース端子とが接続されるダイオード接続された状態であり、バンドギャップ電圧を用いてノードＮ５に基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。なお、ＢＪＴ４１は、ＢＪＴ２１とＶｂｅ特性や温度特性が等しい特性のものを用いる。
定電流源４２は、図示されないカレントミラー回路などにより、生成された定電流をＢＪＴ４１のコレクタ端子及びベース端子に供給する。 The reference voltage generator 40 generates a reference voltage Vref for detecting a base-emitter voltage (hereinafter referred to as Vbe) generated between the base terminal and the emitter terminal of the BJT 21, and the generated reference voltage Vref is a node. Output to N5. The reference voltage generation unit 40 includes a BJT 41 and a constant current source 42.
The BJT 41 has a collector terminal and a base terminal connected to the node N5, and an emitter terminal connected to the emitter terminal of the BJT 21. The collector terminal of the BJT 41 is connected to the output line of the constant current source 42. The BJT 41 is in a diode-connected state in which the collector terminal and the base terminal are connected, and outputs the reference voltage Vref to the node N5 using the band gap voltage. The BJT 41 has the same characteristics as the BJT 21 with Vbe characteristics and temperature characteristics.
The constant current source 42 supplies the generated constant current to the collector terminal and base terminal of the BJT 41 by a current mirror circuit (not shown) or the like.

ベース電流制御部５０は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出して、検出したＢＪＴ２１のＶｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。ベース電流制御部５０は、抵抗素子（５１、５２）及びオペアンプＯＰ１を備える。
抵抗素子５１は、一方の端子がドライブ部１０の出力線であるノードＮ４に接続され、他方の端子がオペアンプＯＰ１のマイナス端子（反転入力端子）に接続される。また、抵抗素子５２は、一方の端子が基準電圧生成部４０の出力線であるノードＮ５に接続され、他方の端子がオペアンプＯＰ１のマイナス端子に接続される。抵抗素子５１及び５２は、ノードＮ４とノードＮ５との電位差を抵抗分圧した電圧をオペアンプＯＰ１のマイナス端子に供給する。 The base current control unit 50 detects the Vbe of the BJT 21 and controls the control voltage of the drive unit 10 so that the base current corresponding to the detected Vbe of the BJT 21 is supplied to the BJT 21. The base current control unit 50 includes a resistance element (51, 52) and an operational amplifier OP1.
The resistance element 51 has one terminal connected to the node N4 that is the output line of the drive unit 10, and the other terminal connected to the negative terminal (inverting input terminal) of the operational amplifier OP1. The resistance element 52 has one terminal connected to the node N5 that is the output line of the reference voltage generation unit 40, and the other terminal connected to the negative terminal of the operational amplifier OP1. The resistance elements 51 and 52 supply a voltage obtained by resistance-dividing the potential difference between the node N4 and the node N5 to the negative terminal of the operational amplifier OP1.

オペアンプＯＰ１は、プラス端子（非反転入力端子）がノードＮ２に接続され、ＢＪＴ２１のＶｂｅがプラス端子に供給される。また、オペアンプＯＰ１は、マイナス端子がノードＮ６に接続される。また、オペアンプＯＰ１は、ドライブ部１０から出力される駆動電圧と、基準電圧生成部４０から供給される基準電圧Ｖｒｅｆとを抵抗素子（５１、５２）によって抵抗分圧された電圧がマイナス端子に供給される。オペアンプＯＰ１は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出し、検出したＢＪＴ２１のＶｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する演算増幅回路として機能する。つまり、オペアンプＯＰ１は、基準電圧生成部４０が生成した基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出し、検出したＢＪＴ２１のＶｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給する制御電圧をノードＮ３に出力して、ドライブ部１０への制御電圧を制御する。なお、オペアンプＯＰ１は、図示されない帰還回路を有し、所定の倍率に設定される。 The operational amplifier OP1 has a positive terminal (non-inverting input terminal) connected to the node N2, and Vbe of the BJT 21 is supplied to the positive terminal. The operational amplifier OP1 has a negative terminal connected to the node N6. The operational amplifier OP1 supplies a voltage obtained by dividing the drive voltage output from the drive unit 10 and the reference voltage Vref supplied from the reference voltage generation unit 40 by the resistance elements (51, 52) to the minus terminal. Is done. The operational amplifier OP1 functions as an operational amplification circuit that controls the control voltage of the drive unit 10 so as to detect Vbe of the BJT 21 and supply the base current corresponding to the detected Vbe of the BJT 21 to the BJT 21. In other words, the operational amplifier OP1 detects the Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40, and outputs a control voltage for supplying the base current corresponding to the detected Vbe of the BJT 21 to the BJT 21 to the node N3. Thus, the control voltage to the drive unit 10 is controlled. The operational amplifier OP1 has a feedback circuit (not shown) and is set to a predetermined magnification.

次に、本実施形態の動作について説明する。
まず、本実施形態の動作原理を説明する。ＢＪＴ２１は、Ｖｂｅが０Ｖである場合には、コレクタ端子とエミッタ端子との間は、導通しない遮断状態にある。しかし、Ｖｂｅが、例えば０．６Ｖ以上になると、コレクタ端子とエミッタ端子との間が導通して、ベース電流に応じたコレクタ電流が流れる。このコレクタ電流の値に応じて、Ｖｂｅの値も変化する。例えば、コレクタ電流の値が大きくなれば、それに応じてＶｂｅの値も大きくなる。このため、Ｖｂｅの値を検出することで、コレクタ電流を間接的に検出することが可能である。また、コレクタ電流とベース電流の関係式（１）として示されるため、コレクタ電流に応じたベース電流を得ることができる。 Next, the operation of this embodiment will be described.
First, the operation principle of this embodiment will be described. When Vbe is 0 V, the BJT 21 is in a cut-off state in which the collector terminal and the emitter terminal are not conductive. However, when Vbe is, for example, 0.6 V or more, the collector terminal and the emitter terminal become conductive, and a collector current corresponding to the base current flows. Depending on the value of the collector current, the value of Vbe also changes. For example, if the collector current value increases, the value of Vbe increases accordingly. For this reason, it is possible to indirectly detect the collector current by detecting the value of Vbe. Further, since the relational expression (1) between the collector current and the base current is shown, a base current corresponding to the collector current can be obtained.

ベース電流＝コレクタ電流／ｈＦＥ・・・・（１）
ここで、ｈＦＥは直流電流増幅率である。 Base current = Collector current / hFE (1)
Here, hFE is a direct current amplification factor.

次に、図１に示される電源回路部２の動作について説明する。
電源回路部２は、ＢＪＴ２１の導通と遮断とを周期的に行うことにより、直流電源２２の出力電圧より高い電圧を出力端子に出力する。ＢＪＴ２１が導通された場合、直流電源２２からコイル２３に電流が流れる。これにより、コイル２３に電力が蓄えられる。また、ＢＪＴ２１が遮断された場合、コイル２３は、電流を維持しようと起電力を発生させ、ダイオード２４を通じて直流電源２２より高い電圧が電源回路部２の出力端子に出力される。電源回路部２の出力端子には、図示されない負荷が接続されるが、この負荷の状態により、ＢＪＴ２１のコレクタ電流は変化する。ＢＪＴ２１の導通、遮断は、ドライブ回路１のベース回路部３０から供給されるベース電流によって行われる。 Next, the operation of the power supply circuit unit 2 shown in FIG. 1 will be described.
The power supply circuit unit 2 outputs a voltage higher than the output voltage of the DC power supply 22 to the output terminal by periodically conducting and shutting off the BJT 21. When the BJT 21 is turned on, a current flows from the DC power source 22 to the coil 23. Thereby, electric power is stored in the coil 23. Further, when the BJT 21 is cut off, the coil 23 generates an electromotive force so as to maintain the current, and a voltage higher than the DC power supply 22 is output to the output terminal of the power supply circuit unit 2 through the diode 24. A load (not shown) is connected to the output terminal of the power supply circuit unit 2, and the collector current of the BJT 21 changes depending on the state of the load. The BJT 21 is turned on and off by a base current supplied from the base circuit unit 30 of the drive circuit 1.

次に、図１に示されるドライブ回路１の動作について説明する。
まず、ＢＪＴ２１を導通させる場合におけるドライブ回路１の動作を説明する。
ＢＪＴ２１を導通させる場合、ＮＭＯＳ１１が制御回路部３から供給される制御電圧により導通され、第１の電源線からノードＮ４に制御電圧が供給される。また、ＰＭＯＳ１２が制御回路部３から供給される制御電圧により遮断される。これにより、ドライブ部１０がノードＮ４に制御電圧に応じた駆動電圧を出力する。 Next, the operation of the drive circuit 1 shown in FIG. 1 will be described.
First, the operation of the drive circuit 1 when the BJT 21 is conducted will be described.
When the BJT 21 is turned on, the NMOS 11 is turned on by the control voltage supplied from the control circuit unit 3, and the control voltage is supplied from the first power supply line to the node N4. Further, the PMOS 12 is blocked by the control voltage supplied from the control circuit unit 3. As a result, the drive unit 10 outputs a drive voltage corresponding to the control voltage to the node N4.

ベース回路部３０は、ドライブ部１０から供給される駆動電圧に基づいて、ＢＪＴ２１のベース端子（ノードＮ２）にベース電流を供給する。ＢＪＴ２１は、ベース回路部３０から供給されるベース電流によって導通され、コレクタ電流が流れる。なお、ベース回路部３０から供給されるベース電流の値は、ドライブ部１０から供給される駆動電圧（ノードＮ４の電圧）と抵抗素子３１の抵抗値によって決定される。 The base circuit unit 30 supplies a base current to the base terminal (node N2) of the BJT 21 based on the drive voltage supplied from the drive unit 10. The BJT 21 is turned on by the base current supplied from the base circuit unit 30, and the collector current flows. The value of the base current supplied from the base circuit unit 30 is determined by the drive voltage (the voltage at the node N4) supplied from the drive unit 10 and the resistance value of the resistance element 31.

上記で説明したように、電源回路部２の出力端子に接続される負荷の状態により、ＢＪＴ２１のコレクタ電流は変化する。また、ＢＪＴ２１のコレクタ電流が変化すると、上記で説明したように、ＢＪＴ２１のＶｂｅが変化する。ＢＪＴ２１のＶｂｅが変化すると、ベース電流制御部５０のオペアンプＯＰ１は、ノードＮ６の電圧が、ＢＪＴ２１のＶｂｅの電圧と等しくなるようにドライブ部１０への制御電圧を制御する。ノードＮ６の電圧は、予め定められた抵抗素子５１と５２の抵抗比によってノードＮ４の電圧とノードＮ５の電圧との電位差を分圧した電圧である。また、ノードＮ４の電圧は、ドライブ部１０から出力される駆動電圧である。ノードＮ５の電圧は、基準電圧生成部４０から供給される基準電圧Ｖｒｅｆである。つまり、オペアンプＯＰ１は、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の変化に応じて、制御電圧を変えてドライブ部１０に供給する。ドライブ部１０は、オペアンプＯＰ１から供給された制御電圧に応じた駆動電圧をベース回路部３０に供給する。これにより、ベース回路部３０は、ドライブ部１０から供給された駆動電圧に応じたＢＪＴ２１のベース電流を生成し、ＢＪＴ２１のベース端子（ノードＮ２）に供給する。
なお、予め定められた抵抗素子５１と５２の抵抗比は、ＢＪＴ２１のＶｂｅと基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差と、ドライブ部１０の駆動電圧とＢＪＴ２１のＶｂｅとの電位差との比に基づいて定められる。 As described above, the collector current of the BJT 21 varies depending on the state of the load connected to the output terminal of the power supply circuit unit 2. Further, when the collector current of the BJT 21 changes, as described above, the Vbe of the BJT 21 changes. When the Vbe of the BJT 21 changes, the operational amplifier OP1 of the base current control unit 50 controls the control voltage to the drive unit 10 so that the voltage of the node N6 becomes equal to the voltage of Vbe of the BJT 21. The voltage at the node N6 is a voltage obtained by dividing the potential difference between the voltage at the node N4 and the voltage at the node N5 by a predetermined resistance ratio between the resistance elements 51 and 52. The voltage at the node N4 is a drive voltage output from the drive unit 10. The voltage of the node N5 is the reference voltage Vref supplied from the reference voltage generation unit 40. That is, the operational amplifier OP1 changes the control voltage and supplies it to the drive unit 10 in accordance with the change in the collector current of the BJT 21. The drive unit 10 supplies a drive voltage corresponding to the control voltage supplied from the operational amplifier OP1 to the base circuit unit 30. As a result, the base circuit unit 30 generates a base current of the BJT 21 corresponding to the drive voltage supplied from the drive unit 10 and supplies the base current to the base terminal (node N2) of the BJT 21.
The predetermined resistance ratio between the resistance elements 51 and 52 is determined based on the ratio between the potential difference between Vbe of the BJT 21 and the reference voltage Vref and the potential difference between the drive voltage of the drive unit 10 and Vbe of the BJT 21.

例えば、基準電圧Ｖｒｅｆが０．６Ｖであり、且つ、抵抗素子５１と５２の抵抗値が等しいとする。また、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７Ｖである。オペアンプＯＰ１は、ノードＮ６の電圧が、ＢＪＴ２１のＶｂｅの電圧と等しくなるように制御する。そのため、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７Ｖである場合には、オペアンプＯＰ１は、ノードＮ６の電圧が、０．７Ｖとなるように制御を行う。また、抵抗素子５１と５２の抵抗比は、１：１であるため、ノードＮ６の電圧は、ノードＮ４の駆動電圧とノードＮ５の基準電圧Ｖｒｅｆの平均値となる。このため、ノードＮ４の駆動電圧は、０．８Ｖにする必要がる。従って、オペアンプＯＰ１は、ノードＮ４の駆動電圧が０．８Ｖになるように、ドライブ部１０に供給する制御電圧を制御する。 For example, it is assumed that the reference voltage Vref is 0.6 V and the resistance values of the resistance elements 51 and 52 are equal. Moreover, Vbe of BJT21 is 0.7V. The operational amplifier OP1 controls the voltage at the node N6 to be equal to the voltage of Vbe of the BJT 21. Therefore, when Vbe of the BJT 21 is 0.7V, the operational amplifier OP1 performs control so that the voltage of the node N6 is 0.7V. Further, since the resistance ratio of the resistance elements 51 and 52 is 1: 1, the voltage at the node N6 is an average value of the drive voltage at the node N4 and the reference voltage Vref at the node N5. For this reason, the drive voltage of the node N4 needs to be 0.8V. Therefore, the operational amplifier OP1 controls the control voltage supplied to the drive unit 10 so that the drive voltage of the node N4 becomes 0.8V.

また、上記の状態において、ＢＪＴ２１のコレクタ電流が増大して、例えば、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７５Ｖになったとする。この場合、ノードＮ６が０．７５Ｖになるように、オペアンプＯＰ１は、ノードＮ３の制御電圧を上げる制御を行う。これにより、ドライブ部１０からベース回路部３０に供給される駆動電圧が上昇する。結果として、ノードＮ４の駆動電圧は、０．９Ｖになる。これにより、ベース回路部３０からＢＪＴ２１に供給されるベース電流が増大する。つまり、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の増大に応じて、ＢＪＴ２１のベース電流が増大する。 Further, in the above state, it is assumed that the collector current of the BJT 21 increases and, for example, the Vbe of the BJT 21 becomes 0.75V. In this case, the operational amplifier OP1 performs control to increase the control voltage of the node N3 so that the node N6 becomes 0.75V. As a result, the drive voltage supplied from the drive unit 10 to the base circuit unit 30 increases. As a result, the driving voltage of the node N4 becomes 0.9V. As a result, the base current supplied from the base circuit unit 30 to the BJT 21 increases. That is, the base current of the BJT 21 increases as the collector current of the BJT 21 increases.

また、上記の状態において、ＢＪＴ２１のコレクタ電流が減少して、例えば、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．６５Ｖになったとする。この場合、ノードＮ６が０．６５Ｖになるように、オペアンプＯＰ１は、ノードＮ３の制御電圧を下げる制御を行う。これにより、ドライブ部１０からベース回路部３０に供給される駆動電圧が低下する。結果として、ノードＮ４の駆動電圧は、０．７Ｖになる。これにより、ベース回路部３０からＢＪＴ２１に供給されるベース電流が減少する。つまり、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の減少に応じて、ＢＪＴ２１のベース電流が減少する。 Further, in the above state, it is assumed that the collector current of the BJT 21 decreases and, for example, the Vbe of the BJT 21 becomes 0.65V. In this case, the operational amplifier OP1 performs control to lower the control voltage of the node N3 so that the node N6 becomes 0.65V. As a result, the drive voltage supplied from the drive unit 10 to the base circuit unit 30 decreases. As a result, the driving voltage of the node N4 becomes 0.7V. As a result, the base current supplied from the base circuit unit 30 to the BJT 21 decreases. In other words, the base current of the BJT 21 decreases with a decrease in the collector current of the BJT 21.

図２は、同実施形態におけるドライブ回路１の動作を示すグラフである。
図２（ａ）は、ＢＪＴ２１のコレクタ電流ＩｃとＢＪＴ２１のｈＦＥの関係を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸はＢＪＴ２１のコレクタ電流Ｉｃを示し、縦軸はＢＪＴ２１のｈＦＥを示す。波形１０１は、ｈＦＥが一定であるとした場合を示す。しかし、一般に、ｈＦＥはコレクタ電流Ｉｃの値により一定ではない。そのため、ＢＪＴ２１のｈＦＥは、例えば、波形１０２によって示される特性とする。 FIG. 2 is a graph showing the operation of the drive circuit 1 in the same embodiment.
FIG. 2A is a graph showing the relationship between the collector current Ic of the BJT 21 and the hFE of the BJT 21. In this graph, the horizontal axis represents the collector current Ic of the BJT 21 and the vertical axis represents the hFE of the BJT 21. A waveform 101 shows a case where hFE is constant. However, in general, hFE is not constant depending on the value of the collector current Ic. Therefore, the hFE of the BJT 21 has a characteristic indicated by the waveform 102, for example.

図２（ｂ）は、ＢＪＴ２１のＶｂｅとＢＪＴのコレクタ電流及びベース電流の関係を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸はＢＪＴ２１のＶｂｅを示し、縦軸は、電流値を示す。なお、電流値は、左側の縦軸にコレクタ電流を示し、右側の縦軸にベース電流を示す。
図２（ｂ）において、波形２０１は、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の例を示す。波形２０１は、ＢＪＴのＶｂｅに応じてＢＪＴ２１のコレクタ電流が変化することを示す。また、波形２０２は、ＢＪＴ２１のベース電流を示す。波形２０２は、図２（ａ）の波形１０２に示されるｈＦＥの値とＢＪＴ２１のコレクタ電流の値とから式（１）によって算出される。ＢＪＴ２１のｈＦＥがＶｂｅの値によって変化するため、波形２０２は、曲線となる。
また、波形２０５は、本実施形態におけるドライブ回路１によって供給されるベース電流を示す。波形２０５は、抵抗素子５１と５２の抵抗比により、任意の傾きに設定できる。そのため、波形２０５は、ＢＪＴ２１のコレクタ電流に応じた最適なベース電流になるように設定可能である。 FIG. 2B is a graph showing the relationship between Vbe of BJT 21 and the collector current and base current of BJT. In this graph, the horizontal axis indicates Bbe of BJT 21 and the vertical axis indicates the current value. The current value indicates the collector current on the left vertical axis and the base current on the right vertical axis.
In FIG. 2B, a waveform 201 shows an example of the collector current of the BJT 21. A waveform 201 indicates that the collector current of the BJT 21 changes according to Vbe of the BJT. A waveform 202 indicates the base current of the BJT 21. The waveform 202 is calculated by the equation (1) from the hFE value and the collector current value of the BJT 21 shown in the waveform 102 of FIG. Since the hFE of the BJT 21 varies depending on the value of Vbe, the waveform 202 is a curve.
A waveform 205 indicates a base current supplied by the drive circuit 1 in the present embodiment. The waveform 205 can be set to an arbitrary slope according to the resistance ratio of the resistance elements 51 and 52. Therefore, the waveform 205 can be set so as to be an optimum base current according to the collector current of the BJT 21.

また、図２（ｂ）において、コレクタ電流の使用範囲における最小値をＩ_ＣＭＩＮとし、Ｉ_ＣＭＩＮに対応するＶｂｅの値をＶ_ＭＩＮとする。また、コレクタ電流の使用範囲における最大値をＩ_ＣＭＡＸとし、Ｉ_ＣＭＡＸに対応するＶｂｅの値をＶ_ＭＡＸとする。波形２０３は、従来のドライブ回路において、コレクタ電流の使用範囲における最大値に合わせてベース電流を固定に設定した場合のベース電流を示す。この場合、コレクタ電流の使用範囲の最小値に近づく程、波形２０２との乖離が大きく、ベース電流による電力損失が大きくなる。また、波形２０４では、従来の第３の方法であるカレントトランス（以下、ＣＴという）ドライブを用いた場合のベース電流を示す。波形２０４では、コレクタ電流の使用範囲においてｈＦＥの最小値に合わせてベース電流を設定する。そのため、波形２０４では、Ｖｂｅが大きくなる程、波形２０２との乖離が大きく、ベース電流による電力損失が大きくなる。波形２０３〜２０５を比較することにより、本実施形態を示す波形２０５が最もベース電流による電力損失を低減できることが示される。 In FIG. 2B, the minimum value in the collector current usage range is defined as I _CMIN, and the value of Vbe corresponding to I _CMIN is defined as V _MIN . Further, the maximum value in the usage range of the collector current is defined as I _CMAX, and the value of Vbe corresponding to I _CMAX is defined as V _MAX . A waveform 203 indicates the base current when the base current is fixedly set in accordance with the maximum value in the usage range of the collector current in the conventional drive circuit. In this case, the closer to the minimum value of the usage range of the collector current, the greater the deviation from the waveform 202 and the greater the power loss due to the base current. A waveform 204 shows a base current when a current transformer (hereinafter referred to as CT) drive which is a third conventional method is used. In the waveform 204, the base current is set in accordance with the minimum value of hFE in the collector current usage range. Therefore, in waveform 204, the larger Vbe, the greater the deviation from waveform 202 and the greater the power loss due to the base current. By comparing the waveforms 203 to 205, it is shown that the waveform 205 according to the present embodiment can reduce the power loss due to the base current most.

次に、ＢＪＴ２１を遮断させる場合におけるドライブ回路１の動作を説明する。
ＢＪＴ２１を遮断させる場合、制御回路部３からＢＪＴ２１を導通させる場合より低い制御電圧がドライブ部１０に供給される。これにより、ドライブ部１０のＮＭＯＳ１１が遮断され、第１の電源線からノードＮ４に供給されていた駆動電圧が停止する。また、ＰＭＯＳ１２が導通され、第２の電源線からノードＮ４に電圧が供給される。これにより、ドライブ部１０がノードＮ４に駆動電圧の出力を停止する。このため、ベース回路部３０は、ベース電流の供給を停止し、ＢＪＴ２１が遮断される。 Next, the operation of the drive circuit 1 when the BJT 21 is shut off will be described.
When the BJT 21 is cut off, a lower control voltage is supplied from the control circuit unit 3 to the drive unit 10 than when the BJT 21 is turned on. Thereby, the NMOS 11 of the drive unit 10 is cut off, and the drive voltage supplied from the first power supply line to the node N4 is stopped. Further, the PMOS 12 is turned on, and a voltage is supplied from the second power supply line to the node N4. As a result, the drive unit 10 stops outputting the drive voltage to the node N4. For this reason, the base circuit unit 30 stops supplying the base current, and the BJT 21 is shut off.

以上のように、ドライブ回路１は、基準電圧生成部４０とベース電流制御部５０とを備える。ベース電流制御部５０は、基準電圧生成部４０が生成する基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する。ＢＪＴ２１のＶｂｅは、ＢＪＴ２１のコレクタ電流に応じて変化する。そのため、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出することにより、コレクタ電流を検出することができる。また、ベース電流制御部５０は、検出したＢＪＴ２１のＶｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。これにより、ドライブ部１０は、ＢＪＴ２１のコレクタ電流に応じた駆動電圧をベース回路部３０に供給する。ベース回路部３０は、ドライブ部１０から供給された制御電圧に応じてベース電流を生成して、ＢＪＴ２１に供給する。つまり、ドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出することにより、ＢＪＴ２１のコレクタ電流に応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給できる。 As described above, the drive circuit 1 includes the reference voltage generation unit 40 and the base current control unit 50. The base current control unit 50 detects Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40. The Vbe of the BJT 21 changes according to the collector current of the BJT 21. Therefore, the collector current can be detected by detecting Vbe of BJT21. Further, the base current control unit 50 controls the control voltage of the drive unit 10 so as to supply the base current corresponding to the detected Vbe of the BJT 21 to the BJT 21. As a result, the drive unit 10 supplies a drive voltage corresponding to the collector current of the BJT 21 to the base circuit unit 30. The base circuit unit 30 generates a base current according to the control voltage supplied from the drive unit 10 and supplies the base current to the BJT 21. That is, the drive circuit 1 can supply the base current corresponding to the collector current of the BJT 21 to the BJT 21 by detecting Vbe of the BJT 21.

また、ドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを用いてＢＪＴ２１のコレクタ電流の変化を検出する。そのため、ＢＪＴ２１のコレクタ電流が流れる経路に検出用の部品を挿入する必要がない。また、ベース回路部３０は、ＢＪＴ２１のｈＦＥに依存しないで、ＢＪＴ２１のコレクタ電流に応じたベース電流を生成できる。このため、ＢＪＴ２１のｈＦＥが大きい場合であっても、ＢＪＴ２１のｈＦＥに対応したベース電流を設定できる。結果として、ドライブ回路１は、ベース電流による電力損失を低減することができる。
また、ドライブ回路１は、ＣＴを用いない。そのため、ドライブ回路１は、時比率が１００％である場合に対応可能である。 Further, the drive circuit 1 detects a change in the collector current of the BJT 21 by using Vbe of the BJT 21. Therefore, it is not necessary to insert a detection component in the path through which the collector current of the BJT 21 flows. Further, the base circuit unit 30 can generate a base current corresponding to the collector current of the BJT 21 without depending on the hFE of the BJT 21. For this reason, even if the hFE of the BJT 21 is large, the base current corresponding to the hFE of the BJT 21 can be set. As a result, the drive circuit 1 can reduce power loss due to the base current.
The drive circuit 1 does not use CT. Therefore, the drive circuit 1 can cope with a case where the duty ratio is 100%.

また、ベース電流制御部５０は、抵抗素子５１と５２を備える。ベース電流制御部５０は、抵抗素子５１と５２の抵抗比を変更することで、ドライブ部１０の駆動電圧を任意の電圧に設定できる。このため、抵抗素子５１と５２の抵抗比及びベース回路部３０の抵抗素子３１の抵抗値を適宜設定することによって、ＢＪＴ２１のＶｂｅに対する任意のベース電流特性を得ることができる。
また、ベース電流制御部５０は、基準電圧生成部４０が生成する基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する。基準電圧生成部４０は、ＢＪＴ２１とＶｂｅ特性や温度特性が等しいＢＪＴ４１を用いて基準電圧Ｖｒｅｆを生成する。このため、温度変化に対して、ＢＪＴ２１のＶｂｅと基準電圧Ｖｒｅｆは、同様の特性を示す。そのため、ドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する際に、温度変化による影響を低減できる。これにより、ドライブ回路１は、温度変化による影響を低減した最適なベース電流をＢＪＴ２１に供給することができる。 The base current control unit 50 includes resistance elements 51 and 52. The base current control unit 50 can set the drive voltage of the drive unit 10 to an arbitrary voltage by changing the resistance ratio of the resistance elements 51 and 52. For this reason, an arbitrary base current characteristic with respect to Vbe of the BJT 21 can be obtained by appropriately setting the resistance ratio of the resistance elements 51 and 52 and the resistance value of the resistance element 31 of the base circuit unit 30.
Further, the base current control unit 50 detects Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40. The reference voltage generation unit 40 generates the reference voltage Vref using the BJT 41 having the same Vbe characteristics and temperature characteristics as the BJT 21. For this reason, Vbe of the BJT 21 and the reference voltage Vref exhibit similar characteristics with respect to temperature changes. Therefore, when the drive circuit 1 detects Vbe of the BJT 21, the drive circuit 1 can reduce the influence due to the temperature change. Thereby, the drive circuit 1 can supply the BJT 21 with an optimum base current that is less affected by temperature changes.

＜第２の実施形態＞
以下、本発明の第２の実施形態によるドライブ回路について図面を参照して説明する。
図３は、本実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。
図３は、本実施形態によるドライブ回路１ａを電源回路に適用した一形態を示す。この図において、ドライブ回路１ａは、ドライブ部１０、ベース回路部３０、基準電圧生成部４０ａ、及びベース電流制御部５０を備える。また、この図において、図１と同じ構成には同一の符号を付す。 <Second Embodiment>
The drive circuit according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 3 is a block diagram showing the drive circuit according to the present embodiment.
FIG. 3 shows an embodiment in which the drive circuit 1a according to the present embodiment is applied to a power supply circuit. In this figure, the drive circuit 1a includes a drive unit 10, a base circuit unit 30, a reference voltage generation unit 40a, and a base current control unit 50. Moreover, in this figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as FIG.

以下、基準電圧生成部４０ａについて説明する。
基準電圧生成部４０ａは、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出するための基準電圧Ｖｒｅｆを生成し、生成した基準電圧ＶｒｅｆをノードＮ５に出力する。基準電圧生成部４０ａは、ＢＪＴ４１及び抵抗素子４２ａを備える。 Hereinafter, the reference voltage generation unit 40a will be described.
The reference voltage generation unit 40a generates a reference voltage Vref for detecting Vbe of the BJT 21, and outputs the generated reference voltage Vref to the node N5. The reference voltage generation unit 40a includes a BJT 41 and a resistance element 42a.

ＢＪＴ４１は、コレクタ端子とベース端子とがノードＮ５に接続され、エミッタ端子がＢＪＴ２１のエミッタ端子に接続される。また、ＢＪＴ４１のコレクタ端子は、抵抗素子４２ａである電流源の出力線に接続される。ＢＪＴ４１は、コレクタ端子とベース端子とが接続されるダイオード接続された状態であり、バンドギャップ電圧を用いてノードＮ５に基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。なお、ＢＪＴ４１は、ＢＪＴ２１とＶｂｅ特性や温度特性が等しい特性のものを用いるものとする。
抵抗素子４２ａは、一方の端子がベース回路部３０の出力線であるノードＮ２に接続され、他方の端子がノードＮ５に接続される。抵抗素子４２ａは、基準電圧Ｖｒｅｆを生成するための電流源として機能する。抵抗素子４２ａは、ノードＮ２の電圧から変換した電流をＢＪＴ４１のコレクタ端子及びベース端子に供給する。 The BJT 41 has a collector terminal and a base terminal connected to the node N5, and an emitter terminal connected to the emitter terminal of the BJT 21. The collector terminal of the BJT 41 is connected to the output line of the current source that is the resistance element 42a. The BJT 41 is in a diode-connected state in which the collector terminal and the base terminal are connected, and outputs the reference voltage Vref to the node N5 using the band gap voltage. Note that the BJT 41 has the same characteristics as the BJT 21 in terms of Vbe characteristics and temperature characteristics.
The resistance element 42a has one terminal connected to the node N2 that is the output line of the base circuit unit 30, and the other terminal connected to the node N5. The resistance element 42a functions as a current source for generating the reference voltage Vref. The resistance element 42a supplies a current converted from the voltage at the node N2 to the collector terminal and the base terminal of the BJT 41.

図３に示されるドライブ回路１ａの動作は、基準電圧生成部４０ａにおいて基準電圧Ｖｒｅｆの生成に用いる電流源が定電流源４２から抵抗素子４２ａに置き換わる点を除いて、図１に示されるドライブ回路１と同様である。 The operation of the drive circuit 1a shown in FIG. 3 is the same as that of the drive circuit shown in FIG. 1 except that the current source used for generating the reference voltage Vref in the reference voltage generation unit 40a is replaced by the resistance element 42a. Same as 1.

以上のように、ドライブ回路１ａは、基準電圧生成部４０ａとベース電流制御部５０とを備える。ベース電流制御部５０は、基準電圧生成部４０ａが生成する基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する。ベース電流制御部５０は、検出したＶｂｅに応じたＢＪＴ２１のベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給する。これにより、第１の実施形態におけるドライブ回路１と同等の効果が期待できる。
また、基準電圧生成部４０ａは、基準電圧Ｖｒｅｆを生成するための電流源として抵抗素子４２ａを備える。抵抗素子を用いた電流源は、定電流回路より部品数を低減できる。これにより、ドライブ回路１ａは、ドライブ回路１に比べて、部品数を低減できる。 As described above, the drive circuit 1a includes the reference voltage generation unit 40a and the base current control unit 50. The base current control unit 50 detects Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40a. The base current control unit 50 controls the control voltage so that the base current of the BJT 21 corresponding to the detected Vbe is supplied to the BJT 21, and supplies it to the drive unit 10. Thereby, an effect equivalent to that of the drive circuit 1 in the first embodiment can be expected.
The reference voltage generation unit 40a includes a resistance element 42a as a current source for generating the reference voltage Vref. A current source using a resistance element can reduce the number of components as compared with a constant current circuit. As a result, the drive circuit 1 a can reduce the number of components compared to the drive circuit 1.

＜第３の実施形態＞
以下、本発明の第３の実施形態によるドライブ回路について図面を参照して説明する。
図４は、本実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。
図４は、本実施形態によるドライブ回路１ｂを電源回路に適用した一形態を示す。この図において、ドライブ回路１ｂは、ドライブ部１０、ベース回路部３０、基準電圧生成部４０ａ、及びベース電流制御部５０ａを備える。また、この図において、図１及び図２と同じ構成には同一の符号を付す。 <Third Embodiment>
The drive circuit according to the third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 4 is a block diagram showing the drive circuit according to the present embodiment.
FIG. 4 shows an embodiment in which the drive circuit 1b according to the present embodiment is applied to a power supply circuit. In this figure, the drive circuit 1b includes a drive unit 10, a base circuit unit 30, a reference voltage generation unit 40a, and a base current control unit 50a. Moreover, in this figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as FIG.1 and FIG.2.

本実施形態におけるドライブ回路１ｂは、ベース電流制御部５０ａの構成が異なる点を除いて図３に示されるドライブ回路１ａと同一の構成である。以下、ベース電流制御部５０ａについて説明する。 The drive circuit 1b in the present embodiment has the same configuration as the drive circuit 1a shown in FIG. 3 except that the configuration of the base current control unit 50a is different. Hereinafter, the base current control unit 50a will be described.

ベース電流制御部５０ａは、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出して、検出したＢＪＴ２１のＶｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。ベース電流制御部５０ａは、抵抗素子（５３〜５６）及びオペアンプ（ＯＰ２、ＯＰ３）を備える。
抵抗素子５３は、一方の端子がオペアンプＯＰ２のマイナス端子（反転入力端子）であるノードＮ７に接続され、他方の端子がオペアンプＯＰ２の出力線であるノードＮ９に接続される。また、抵抗素子５４は、一方の端子がオペアンプＯＰ２のマイナス端子であるノードＮ７に接続され、他方の端子が基準電圧生成部４０ａの出力線であるノードＮ５に接続される。また、抵抗素子５５及び５６は、一方の端子がオペアンプＯＰ２のプラス端子（非反転入力端子）であるノードＮ８にそれぞれ接続され、他方の端子がＢＪＴ２１のベース端子（ノードＮ２）にそれぞれ接続される。なお、抵抗素子５３と５４の抵抗比、及び抵抗素子５５と５６の抵抗比は、予め定められた値である。 The base current control unit 50 a detects the Vbe of the BJT 21 and controls the control voltage of the drive unit 10 so as to supply the base current corresponding to the detected Vbe of the BJT 21 to the BJT 21. The base current control unit 50a includes resistance elements (53 to 56) and operational amplifiers (OP2, OP3).
The resistance element 53 has one terminal connected to the node N7 that is the negative terminal (inverting input terminal) of the operational amplifier OP2, and the other terminal connected to the node N9 that is the output line of the operational amplifier OP2. The resistance element 54 has one terminal connected to the node N7 that is the negative terminal of the operational amplifier OP2, and the other terminal connected to the node N5 that is the output line of the reference voltage generation unit 40a. The resistance elements 55 and 56 have one terminal connected to the node N8 which is a plus terminal (non-inverting input terminal) of the operational amplifier OP2, and the other terminal connected to the base terminal (node N2) of the BJT 21. . The resistance ratio between the resistance elements 53 and 54 and the resistance ratio between the resistance elements 55 and 56 are predetermined values.

オペアンプＯＰ２は、プラス端子がノードＮ８に接続され、マイナス端子がノードＮ７に接続される。また、オペアンプＯＰ２は、ＢＪＴ２１のＶｂｅと基準電圧生成部４０ａによって生成された基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を検出して、差動増幅する演算増幅回路（差動増幅回路）として機能する。
オペアンプＯＰ３は、プラス端子（非反転入力端子）がノードＮ９に接続され、マイナス端子（反転入力端子）がドライブ部１０の出力線であるノードＮ４に接続される。オペアンプＯＰ３のマイナス端子には、ドライブ部１０の駆動電圧が供給される。また、オペアンプＯＰ３の出力線は、ノードＮ３に接続される。オペアンプＯＰ３は、ドライブ部１０の駆動電圧がオペアンプＯＰ２の出力電圧と等しくなるように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する演算増幅回路として機能する。 The operational amplifier OP2 has a positive terminal connected to the node N8 and a negative terminal connected to the node N7. The operational amplifier OP2 functions as an operational amplifier circuit (differential amplifier circuit) that detects a potential difference between Vbe of the BJT 21 and the reference voltage Vref generated by the reference voltage generator 40a and differentially amplifies it.
The operational amplifier OP 3 has a plus terminal (non-inverting input terminal) connected to the node N 9 and a minus terminal (inverting input terminal) connected to the node N 4 that is an output line of the drive unit 10. The drive voltage of the drive unit 10 is supplied to the negative terminal of the operational amplifier OP3. The output line of the operational amplifier OP3 is connected to the node N3. The operational amplifier OP3 functions as an operational amplifier circuit that controls the control voltage of the drive unit 10 so that the drive voltage of the drive unit 10 becomes equal to the output voltage of the operational amplifier OP2.

次に、図４に示されるドライブ回路１ｂの動作について説明する。
図４に示されるドライブ回路１ｂの動作は、ベース電流制御部５０ａに置き換わっている点を除いて、図３に示されるドライブ回路１ａと同様である。以下、ベース電流制御部５０ａの動作を説明する。 Next, the operation of the drive circuit 1b shown in FIG. 4 will be described.
The operation of the drive circuit 1b shown in FIG. 4 is the same as that of the drive circuit 1a shown in FIG. 3 except that the operation is replaced with the base current control unit 50a. Hereinafter, the operation of the base current control unit 50a will be described.

ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ２は、基準電圧ＶｒｅｆとＢＪＴ２１のＶｂｅとの電位差を検出する。オペアンプＯＰ２は、検出した基準電圧ＶｒｅｆとＶｂｅの電位差を、予め定められた抵抗素子５３と５４の抵抗比に基づいて増幅する。オペアンプＯＰ２は、増幅した信号をＢＪＴ２１のＶｂｅを基準としてノードＮ９に出力する。なお、ノードＮ９に出力される電圧は、式（２）となる。 The operational amplifier OP2 of the base current control unit 50a detects a potential difference between the reference voltage Vref and Vbe of the BJT 21. The operational amplifier OP2 amplifies the detected potential difference between the reference voltages Vref and Vbe based on a predetermined resistance ratio between the resistance elements 53 and 54. The operational amplifier OP2 outputs the amplified signal to the node N9 with reference to Vbe of the BJT 21. Note that the voltage output to the node N9 is expressed by Equation (2).

ノードＮ９の電圧＝（Ｖｂｅ−Ｖｒｅｆ）×（Ｒ１／Ｒ２）＋Ｖｂｅ・・・（２）
但し、Ｒ１＝抵抗素子５３の抵抗値、Ｒ２＝抵抗素子５４の抵抗値 Voltage of node N9 = (Vbe−Vref) × (R1 / R2) + Vbe (2)
However, R1 = resistance value of the resistance element 53, R2 = resistance value of the resistance element 54

また、ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ３は、ドライブ部１０の駆動電圧（ノードＮ４の電圧）がノードＮ９の電圧と等しくなるように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。つまり、オペアンプＯＰ３は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて検出して、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。これにより、ベース電流制御部５０ａは、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の変化に応じて、制御電圧を変えてドライブ部１０に供給する。ドライブ部１０は、オペアンプＯＰ３から供給された制御電圧に応じた駆動電圧をベース回路部３０に供給する。これにより、ベース回路部３０は、ドライブ部１０から供給された駆動電圧に応じたベース電流を生成し、ＢＪＴ２１のベース端子（ノードＮ２）に供給する。 Further, the operational amplifier OP3 of the base current control unit 50a controls the control voltage of the drive unit 10 so that the drive voltage of the drive unit 10 (voltage of the node N4) becomes equal to the voltage of the node N9. That is, the operational amplifier OP3 detects Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref and controls the control voltage of the drive unit 10. Thus, the base current control unit 50a changes the control voltage and supplies it to the drive unit 10 in accordance with the change in the collector current of the BJT 21. The drive unit 10 supplies a drive voltage corresponding to the control voltage supplied from the operational amplifier OP3 to the base circuit unit 30. As a result, the base circuit unit 30 generates a base current corresponding to the drive voltage supplied from the drive unit 10 and supplies the base current to the base terminal (node N2) of the BJT 21.

例えば、基準電圧Ｖｒｅｆが０．６Ｖであり、且つ、抵抗素子５３と５４の抵抗値が等しい（抵抗比が１：１）とする。また、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７Ｖである。オペアンプＯＰ２は、式（２）により算出された、０．８ＶをノードＮ９に出力する。オペアンプＯＰ３は、ノードＮ４の電圧が、ノードＮ９の電圧と等しくなるように制御する。そのため、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７Ｖである場合には、オペアンプＯＰ３は、ノードＮ４の駆動電圧が、０．８Ｖとなるように、ドライブ部１０に供給する制御電圧を制御する。 For example, it is assumed that the reference voltage Vref is 0.6 V and the resistance values of the resistance elements 53 and 54 are equal (resistance ratio is 1: 1). Moreover, Vbe of BJT21 is 0.7V. The operational amplifier OP2 outputs 0.8 V calculated by the equation (2) to the node N9. The operational amplifier OP3 controls the voltage at the node N4 to be equal to the voltage at the node N9. Therefore, when Vbe of the BJT 21 is 0.7V, the operational amplifier OP3 controls the control voltage supplied to the drive unit 10 so that the drive voltage of the node N4 is 0.8V.

また、上記の状態において、ＢＪＴ２１のコレクタ電流が増大して、例えば、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７５Ｖになったとする。この場合、オペアンプＯＰ２は、ノードＮ９に０．９Ｖを出力する。これにより、オペアンプＯＰ３は、ノードＮ４の電圧が、ノードＮ９の電圧と等しくなるように制御する。従って、オペアンプＯＰ３は、ノードＮ３の制御電圧を上げる制御を行う。これにより、ドライブ部１０からベース回路部３０に供給される駆動電圧が上昇する。結果として、ノードＮ４の駆動電圧は、０．９Ｖになる。これにより、ベース回路部３０からＢＪＴ２１に供給されるベース電流が増大する。つまり、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の増大に応じて、ＢＪＴ２１のベース電流が増大する。 Further, in the above state, it is assumed that the collector current of the BJT 21 increases and, for example, the Vbe of the BJT 21 becomes 0.75V. In this case, the operational amplifier OP2 outputs 0.9 V to the node N9. As a result, the operational amplifier OP3 controls the voltage at the node N4 to be equal to the voltage at the node N9. Therefore, the operational amplifier OP3 performs control to increase the control voltage of the node N3. As a result, the drive voltage supplied from the drive unit 10 to the base circuit unit 30 increases. As a result, the driving voltage of the node N4 becomes 0.9V. As a result, the base current supplied from the base circuit unit 30 to the BJT 21 increases. That is, the base current of the BJT 21 increases as the collector current of the BJT 21 increases.

また、上記の状態において、ＢＪＴ２１のコレクタ電流が減少して、例えば、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．６５Ｖになったとする。この場合、オペアンプＯＰ２は、ノードＮ９に０．７Ｖを出力する。オペアンプＯＰ３は、ノードＮ４の電圧が、ノードＮ９の電圧と等しくなるように制御する。従って、オペアンプＯＰ３は、ノードＮ３の制御電圧を下げる制御を行う。これにより、ドライブ部１０からベース回路部３０に供給される駆動電圧が低下する。結果として、ノードＮ４の駆動電圧は、０．７Ｖになる。これにより、ベース回路部３０からＢＪＴ２１に供給されるベース電流が減少する。つまり、ＢＪＴ２１のコレクタ電流の減少に応じて、ＢＪＴ２１のベース電流が減少する。 Further, in the above state, it is assumed that the collector current of the BJT 21 decreases and, for example, the Vbe of the BJT 21 becomes 0.65V. In this case, the operational amplifier OP2 outputs 0.7V to the node N9. The operational amplifier OP3 controls the voltage at the node N4 to be equal to the voltage at the node N9. Therefore, the operational amplifier OP3 performs control to lower the control voltage of the node N3. As a result, the drive voltage supplied from the drive unit 10 to the base circuit unit 30 decreases. As a result, the driving voltage of the node N4 becomes 0.7V. As a result, the base current supplied from the base circuit unit 30 to the BJT 21 decreases. In other words, the base current of the BJT 21 decreases with a decrease in the collector current of the BJT 21.

以上のように、ドライブ回路１ｂは、基準電圧生成部４０ａとベース電流制御部５０ａとを備える。ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ２は、ＢＪＴ２１のＶｂｅと基準電圧生成部４０ａが生成する基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を検出し、予め定められた抵抗素子５３と５４の抵抗比に基づいて差動増幅する。また、ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ３は、ドライブ部１０の駆動電圧がオペアンプＯＰ２の出力電圧（ノードＮ９の電圧）と等しくなるように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。つまり、ベース電流制御部５０ａは、基準電圧生成部４０ａが生成する基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する。ベース電流制御部５０ａは、検出したＶｂｅに応じたＢＪＴ２１のベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給する。これにより、第１の実施形態におけるドライブ回路１と同等の効果が期待できる。
また、ベース電流制御部５０ａは、抵抗素子５３と５４を備える。ベース電流制御部５０ａは、抵抗素子５３と５４の抵抗比を変更することで、ドライブ部１０の駆動電圧を任意の電圧に設定できる。このため、抵抗素子５３と５４の抵抗比及びベース回路部３０の抵抗素子３１の抵抗値を適宜設定することによって、ＢＪＴ２１のＶｂｅに対する任意のベース電流特性を得ることができる。 As described above, the drive circuit 1b includes the reference voltage generation unit 40a and the base current control unit 50a. The operational amplifier OP2 of the base current control unit 50a detects a potential difference between Vbe of the BJT 21 and the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40a, and performs differential amplification based on a predetermined resistance ratio between the resistance elements 53 and 54. To do. The operational amplifier OP3 of the base current control unit 50a controls the control voltage of the drive unit 10 so that the drive voltage of the drive unit 10 becomes equal to the output voltage of the operational amplifier OP2 (the voltage at the node N9). That is, the base current control unit 50a detects Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40a. The base current control unit 50 a controls the control voltage so as to supply the base current of the BJT 21 corresponding to the detected Vbe to the BJT 21, and supplies it to the drive unit 10. Thereby, an effect equivalent to that of the drive circuit 1 in the first embodiment can be expected.
The base current control unit 50a includes resistance elements 53 and 54. The base current control unit 50a can set the drive voltage of the drive unit 10 to an arbitrary voltage by changing the resistance ratio of the resistance elements 53 and 54. For this reason, an arbitrary base current characteristic with respect to Vbe of the BJT 21 can be obtained by appropriately setting the resistance ratio of the resistance elements 53 and 54 and the resistance value of the resistance element 31 of the base circuit unit 30.

＜第４の実施形態＞
以下、本発明の第４の実施形態によるドライブ回路について図面を参照して説明する。
図５は、本実施形態によるドライブ回路を示すブロック図である。
図５は、本実施形態によるドライブ回路１ｃを電源回路に適用した一形態を示す。この図において、ドライブ回路１ｃは、ドライブ部１０、ベース回路部３０、基準電圧生成部４０ａ、及びベース電流制御部５０ａを備える。また、この図において、図３と同じ構成には同一の符号を付す。 <Fourth Embodiment>
The drive circuit according to the fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 5 is a block diagram showing the drive circuit according to the present embodiment.
FIG. 5 shows an embodiment in which the drive circuit 1c according to the present embodiment is applied to a power supply circuit. In this figure, the drive circuit 1c includes a drive unit 10, a base circuit unit 30, a reference voltage generation unit 40a, and a base current control unit 50a. Moreover, in this figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as FIG.

本実施形態におけるドライブ回路１ｃは、ベース電流制御部５０ａにおける抵抗素子５５の接続が異なる点を除いて図４に示されるドライブ回路１ｂと同一の構成である。以下、ベース電流制御部５０ａの接続について説明する。 The drive circuit 1c in the present embodiment has the same configuration as the drive circuit 1b shown in FIG. 4 except that the connection of the resistance element 55 in the base current control unit 50a is different. Hereinafter, the connection of the base current control unit 50a will be described.

図５において、抵抗素子５４は、一方の端子がオペアンプＯＰ２のマイナス端子（反転入力端子）であるノードＮ７に接続され、他方の端子が基準電圧生成部４０ａの出力線であるノードＮ５に接続される。なお、抵抗素子５３と５４の抵抗比、及び抵抗素子５５と５６の抵抗比は、予め定められた値である。ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ２は、プラス端子（非反転入力端子）がノードＮ８に接続され、マイナス端子がノードＮ７に接続される。また、オペアンプＯＰ２は、ＢＪＴ２１のＶｂｅと基準電圧生成部４０ａによって生成された基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を検出して、差動増幅する演算増幅回路（差動増幅回路）として機能する。 In FIG. 5, the resistance element 54 has one terminal connected to the node N7 that is the negative terminal (inverting input terminal) of the operational amplifier OP2, and the other terminal connected to the node N5 that is the output line of the reference voltage generator 40a. The The resistance ratio between the resistance elements 53 and 54 and the resistance ratio between the resistance elements 55 and 56 are predetermined values. The operational amplifier OP2 of the base current control unit 50a has a positive terminal (non-inverting input terminal) connected to the node N8 and a negative terminal connected to the node N7. The operational amplifier OP2 functions as an operational amplifier circuit (differential amplifier circuit) that detects a potential difference between Vbe of the BJT 21 and the reference voltage Vref generated by the reference voltage generator 40a and differentially amplifies it.

次に、図５に示されるドライブ回路１ｃの動作について説明する。
図５に示されるドライブ回路１ｃの動作は、ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ２の基準となる電圧が異なる点を除いて、図４に示されるドライブ回路１ｂと同様である。以下、ベース電流制御部５０ａの動作を説明する。 Next, the operation of the drive circuit 1c shown in FIG. 5 will be described.
The operation of the drive circuit 1c shown in FIG. 5 is the same as that of the drive circuit 1b shown in FIG. 4 except that the reference voltage of the operational amplifier OP2 of the base current control unit 50a is different. Hereinafter, the operation of the base current control unit 50a will be described.

ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ２は、基準電圧ＶｒｅｆとＢＪＴ２１のＶｂｅとの電位差を検出する。オペアンプＯＰ２は、検出した基準電圧ＶｒｅｆとＶｂｅの電位差を、予め定められた抵抗素子５３と５４の抵抗比に基づいて増幅する。オペアンプＯＰ２は、基準電圧Ｖｒｅｆを基準として増幅した信号をノードＮ９に出力する。なお、ノードＮ９に出力される電圧は、式（３）となる。 The operational amplifier OP2 of the base current control unit 50a detects a potential difference between the reference voltage Vref and Vbe of the BJT 21. The operational amplifier OP2 amplifies the detected potential difference between the reference voltages Vref and Vbe based on a predetermined resistance ratio between the resistance elements 53 and 54. The operational amplifier OP2 outputs a signal amplified with reference to the reference voltage Vref to the node N9. Note that the voltage output to the node N9 is expressed by Equation (3).

ノードＮ９の電圧＝（Ｖｂｅ−Ｖｒｅｆ）×（Ｒ１／Ｒ２）＋Ｖｒｅｆ・・・（３）
但し、Ｒ１＝抵抗素子５３、５５の抵抗値、Ｒ２＝抵抗素子５４、５６の抵抗値 Voltage of node N9 = (Vbe−Vref) × (R1 / R2) + Vref (3)
However, R1 = resistance value of resistance elements 53 and 55, R2 = resistance value of resistance elements 54 and 56

例えば、基準電圧Ｖｒｅｆが０．６Ｖであり、且つ、抵抗素子５３と５４の抵抗比及び抵抗素子５５と５６の抵抗比がいずれも２：１とする。また、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７Ｖである。オペアンプＯＰ２は、式（３）により算出された、０．８ＶをノードＮ９に出力する。オペアンプＯＰ３は、ノードＮ４の電圧が、ノードＮ９の電圧と等しくなるように制御する。そのため、ＢＪＴ２１のＶｂｅが０．７Ｖである場合には、オペアンプＯＰ３は、ノードＮ４の駆動電圧が、０．８Ｖとなるように、ドライブ部１０に供給する制御電圧を制御する。 For example, the reference voltage Vref is 0.6 V, and the resistance ratio of the resistance elements 53 and 54 and the resistance ratio of the resistance elements 55 and 56 are both 2: 1. Moreover, Vbe of BJT21 is 0.7V. The operational amplifier OP2 outputs 0.8 V calculated by Expression (3) to the node N9. The operational amplifier OP3 controls the voltage at the node N4 to be equal to the voltage at the node N9. Therefore, when Vbe of the BJT 21 is 0.7V, the operational amplifier OP3 controls the control voltage supplied to the drive unit 10 so that the drive voltage of the node N4 is 0.8V.

以上のように、ドライブ回路１ｃは、基準電圧生成部４０ａとベース電流制御部５０ａとを備える。ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ２は、ＢＪＴ２１のＶｂｅと基準電圧生成部４０ａが生成する基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を検出し、予め定められた抵抗素子５３と５４の抵抗比及び抵抗素子５５と５６の抵抗比に基づいて差動増幅する。また、ベース電流制御部５０ａのオペアンプＯＰ３は、ドライブ部１０の駆動電圧がオペアンプＯＰ２の出力電圧（ノードＮ９の電圧）と等しくなるように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。つまり、ベース電流制御部５０ａは、基準電圧生成部４０ａが生成する基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する。ベース電流制御部５０ａは、検出したＶｂｅに応じたＢＪＴ２１のベース電流をＢＪＴ２１に供給するように、制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給する。これにより、第１の実施形態におけるドライブ回路１と同等の効果が期待できる。 As described above, the drive circuit 1c includes the reference voltage generation unit 40a and the base current control unit 50a. The operational amplifier OP2 of the base current control unit 50a detects a potential difference between Vbe of the BJT 21 and the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40a, and determines a predetermined resistance ratio between the resistance elements 53 and 54 and the resistance elements 55 and 56. Differential amplification is performed based on the resistance ratio. The operational amplifier OP3 of the base current control unit 50a controls the control voltage of the drive unit 10 so that the drive voltage of the drive unit 10 becomes equal to the output voltage of the operational amplifier OP2 (the voltage at the node N9). That is, the base current control unit 50a detects Vbe of the BJT 21 based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40a. The base current control unit 50 a controls the control voltage so as to supply the base current of the BJT 21 corresponding to the detected Vbe to the BJT 21, and supplies it to the drive unit 10. Thereby, an effect equivalent to that of the drive circuit 1 in the first embodiment can be expected.

また、ベース電流制御部５０ａは、抵抗素子５３と５４を備える。ベース電流制御部５０ａは、抵抗素子５３と５４の抵抗比及び抵抗素子５５と５６の抵抗比を変更することで、ドライブ部１０の駆動電圧を任意の電圧に設定できる。このため、抵抗素子５３と５４の抵抗比、抵抗素子５５と５６の抵抗比及びベース回路部３０の抵抗素子３１の抵抗値を適宜設定することによって、ＢＪＴ２１のＶｂｅに対する任意のベース電流特性を得ることができる。 The base current control unit 50a includes resistance elements 53 and 54. The base current control unit 50a can set the drive voltage of the drive unit 10 to an arbitrary voltage by changing the resistance ratio of the resistance elements 53 and 54 and the resistance ratio of the resistance elements 55 and 56. Therefore, an arbitrary base current characteristic with respect to Vbe of the BJT 21 is obtained by appropriately setting the resistance ratio of the resistance elements 53 and 54, the resistance ratio of the resistance elements 55 and 56, and the resistance value of the resistance element 31 of the base circuit unit 30. be able to.

本発明の実施形態によれば、バイポーラトランジスタ２１のベース端子にベース電流を供給するドライブ回路１は、バイポーラトランジスタ２１のベース電流を生成するベース回路部３０と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、ベース電流を生成するための駆動電圧をベース回路部３０に供給するドライブ部１０と、バイポーラトランジスタ２１のベース端子とバイポーラトランジスタ２１のエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを検出し、検出した第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をバイポーラトランジスタ２１に供給するように、制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給するベース電流制御部５０とを備える。
これにより、ベース電流制御部５０は、検出したバイポーラトランジスタ２１の第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をバイポーラトランジスタ２１に供給するように、ドライブ部１０の制御電圧を制御する。また、ドライブ部１０は、バイポーラトランジスタ２１のコレクタ電流に応じた駆動電圧をベース回路部３０に供給する。ベース回路部３０は、ドライブ部１０から供給された制御電圧に応じてベース電流を生成して、バイポーラトランジスタ２１に供給する。つまり、ドライブ回路１は、バイポーラトランジスタ２１のＶｂｅを検出することにより、バイポーラトランジスタ２１のコレクタ電流に応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給できる。結果として、ドライブ回路１は、ベース電流による電力損失を低減することができる。 According to the embodiment of the present invention, the drive circuit 1 that supplies the base current to the base terminal of the bipolar transistor 21 includes the base circuit unit 30 that generates the base current of the bipolar transistor 21 and the control voltage supplied to the control terminal. Based on the drive unit 10 that supplies a drive voltage for generating a base current to the base circuit unit 30 and the first base-emitter generated between the base terminal of the bipolar transistor 21 and the emitter terminal of the bipolar transistor 21. A base current control unit 50 that detects the voltage Vbe and controls the control voltage so as to supply the bipolar transistor 21 with a base current corresponding to the detected first base-emitter voltage Vbe, and supplies it to the drive unit 10. With.
Accordingly, the base current control unit 50 controls the control voltage of the drive unit 10 so as to supply the base current corresponding to the detected first base-emitter voltage Vbe of the bipolar transistor 21 to the bipolar transistor 21. Further, the drive unit 10 supplies a drive voltage corresponding to the collector current of the bipolar transistor 21 to the base circuit unit 30. The base circuit unit 30 generates a base current according to the control voltage supplied from the drive unit 10 and supplies the base current to the bipolar transistor 21. That is, the drive circuit 1 can supply a base current corresponding to the collector current of the bipolar transistor 21 to the BJT 21 by detecting Vbe of the bipolar transistor 21. As a result, the drive circuit 1 can reduce power loss due to the base current.

また、ドライブ回路１（又は１ａ）は、基準電圧を生成する基準電圧生成部４０（又は４０ａ）を備える。また、ベース電流制御部５０は、第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて検出する。
これにより、ベース電流制御部５０は、基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を検出することで、第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを間接的に検出できる。このため、ベース電流制御部５０は、第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを直接検出する必要がなくなり、簡易な回路で実現できる。 The drive circuit 1 (or 1a) includes a reference voltage generation unit 40 (or 40a) that generates a reference voltage. The base current controller 50 detects the first base-emitter voltage Vbe based on the reference voltage Vref.
Accordingly, the base current control unit 50 can indirectly detect the first base-emitter voltage Vbe by detecting the potential difference from the reference voltage Vref. Therefore, the base current control unit 50 does not need to directly detect the first base-emitter voltage Vbe, and can be realized with a simple circuit.

また、基準電圧生成部４０（又は４０ａ）は、ベース端子とコレクタ端子が電流源４２（又は４２ａ）の出力線（ノードＮ５）にそれぞれ接続され、エミッタ端子がバイポーラトランジスタ２１のエミッタ端子に接続された第１のバイポーラトランジスタ４１を備え、第１のバイポーラトランジスタ４１のベース端子と第１のバイポーラトランジスタ４１のエミッタ端子との間に発生する第２のベース−エミッタ間電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとする。
これにより、ドライブ回路１（又は１ａ）は、温度変化による影響を低減した最適なベース電流をバイポーラトランジスタ２１に供給することができる。 The reference voltage generator 40 (or 40a) has a base terminal and a collector terminal connected to the output line (node N5) of the current source 42 (or 42a), respectively, and an emitter terminal connected to the emitter terminal of the bipolar transistor 21. A second base-emitter voltage generated between the base terminal of the first bipolar transistor 41 and the emitter terminal of the first bipolar transistor 41 is defined as a reference voltage Vref.
As a result, the drive circuit 1 (or 1a) can supply the bipolar transistor 21 with an optimum base current that is less affected by temperature changes.

また、電流源４２ａは、ベース回路部３０の出力線（ノードＮ２）に一方の端子が接続され、電流源４２ａの出力線（ノードＮ５）に他方の端子が接続される抵抗素子（４２ａ）を備える。
これにより、電流源４２ａは、構成を簡略化できる。そのため、ドライブ回路１ａは、ドライブ回路１に比べて、部品数を低減できる。 The current source 42a includes a resistance element (42a) having one terminal connected to the output line (node N2) of the base circuit unit 30 and the other terminal connected to the output line (node N5) of the current source 42a. Prepare.
Thereby, the configuration of the current source 42a can be simplified. Therefore, the drive circuit 1 a can reduce the number of parts compared to the drive circuit 1.

また、電流源４０は、定電流回路４２を備える。
これにより、電流源４０は、第１のバイポーラトランジスタ４１に精度の良い一定の電流を供給することができる。そのため、基準電圧生成部４０は、精度の良い基準電圧Ｖｒｅｆを生成できる。これにより、ドライブ回路１は、バイポーラトランジスタ２１の第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを精度良く検出できるため、より最適なベース電流をバイポーラトランジスタ２１に供給することができる。 The current source 40 includes a constant current circuit 42.
Thus, the current source 40 can supply a constant current with high accuracy to the first bipolar transistor 41. Therefore, the reference voltage generation unit 40 can generate a highly accurate reference voltage Vref. As a result, the drive circuit 1 can accurately detect the first base-emitter voltage Vbe of the bipolar transistor 21, so that a more optimal base current can be supplied to the bipolar transistor 21.

また、ベース電流制御部５０は、駆動電圧（ノードＮ４の電圧）と基準電圧Ｖｒｅｆとの間の電圧であって、予め定められた抵抗比によって駆動電圧（ノードＮ４の電圧）と基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を分圧した電圧（ノードＮ６の電圧）が、第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅと等しくなるように、制御電圧（ノードＮ３の電圧）を制御する演算増幅回路ＯＰ１を備える。
また、予め定められた抵抗比は、第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅと基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差と、駆動電圧（ノードＮ４の電圧）と第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅとの電位差との比に基づいて定められる。
これにより、ドライブ回路１は、バイポーラトランジスタ２１のＶｂｅに対する任意のベース電流特性を得ることができる。 The base current control unit 50 is a voltage between the driving voltage (the voltage at the node N4) and the reference voltage Vref, and the driving voltage (the voltage at the node N4) and the reference voltage Vref are determined according to a predetermined resistance ratio. Is provided with an operational amplifier circuit OP1 for controlling the control voltage (the voltage at the node N3) so that the voltage obtained by dividing the potential difference between the two (the voltage at the node N6) becomes equal to the first base-emitter voltage Vbe.
Further, the predetermined resistance ratio includes a potential difference between the first base-emitter voltage Vbe and the reference voltage Vref, and a potential difference between the drive voltage (the voltage at the node N4) and the first base-emitter voltage Vbe. It is determined based on the ratio.
As a result, the drive circuit 1 can obtain an arbitrary base current characteristic with respect to Vbe of the bipolar transistor 21.

また、ベース電流制御部５０ａは、第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅと基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差を検出して、差動増幅する第１の演算増幅回路ＯＰ２と、駆動電圧（ノードＮ４の電圧）が第１の演算増幅回路ＯＰ２の出力電圧（ノードＮ９の電圧）と等しくなるように、制御電圧（ノードＮ３の電圧）を制御する第２の演算増幅回路ＯＰ３とを備える。
これにより、ベース電流制御部５０ａは、ベース電流制御部５０と同等の効果が得られる。 The base current control unit 50a detects a potential difference between the first base-emitter voltage Vbe and the reference voltage Vref, and differentially amplifies the first operational amplifier circuit OP2 and the drive voltage (the voltage at the node N4). ) Is equal to the output voltage of the first operational amplifier circuit OP2 (the voltage at the node N9). The second operational amplifier circuit OP3 controls the control voltage (the voltage at the node N3).
Thereby, the base current control unit 50a can obtain the same effect as the base current control unit 50.

なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。本発明のドライブ回路は、電源回路に限定されるものではなく、バイポーラトランジスタのベース電流を供給する形態であれば、他の回路に適用する形態でも良い。また、ＢＪＴ２１、及びＢＪＴ４１は、Ｓｉを用いた形態を説明したが、ＳｉＣ（炭化ケイ素）や他の半導体材料を用いた形態でも良い。
また、上記の各実施形態において、基準電圧生成部４０（又は４０ａ）によって生成された基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出する形態を説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明のドライブ回路は、ＢＪＴ２１のＶｂｅを検出できる形態であれば、他の形態でも良い。また、基準電圧生成部４０（又は４０ａ）は、バイポーラトランジスタ４１を用いて基準電圧Ｖｒｅｆを生成する形態を説明したが、他の法方によって基準電圧Ｖｒｅｆを生成する形態でも良い。例えば、ＭＯＳトランジスタのバンドギャップ電圧を用いる形態でも良い。 The present invention is not limited to the above embodiments, and can be modified without departing from the spirit of the present invention. The drive circuit of the present invention is not limited to the power supply circuit, and may be applied to other circuits as long as the base current of the bipolar transistor is supplied. Moreover, although BJT21 and BJT41 demonstrated the form using Si, the form using SiC (silicon carbide) and another semiconductor material may be sufficient.
Further, in each of the embodiments described above, the mode in which the Vbe of the BJT 21 is detected based on the reference voltage Vref generated by the reference voltage generation unit 40 (or 40a) has been described, but the present invention is limited to this. It is not a thing. The drive circuit of the present invention may be in any other form as long as it can detect Vbe of the BJT 21. Further, although the reference voltage generation unit 40 (or 40a) has been described as generating the reference voltage Vref using the bipolar transistor 41, the reference voltage Vref may be generated by other methods. For example, a form using a band gap voltage of a MOS transistor may be used.

また、上記の各実施形態において、ドライブ部１０は、ＮＭＯＳ１１とＰＭＯＳ１２を備える形態を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ＮＭＯＳ１１のみを備える形態や、ＮＭＯＳ１１とＰＭＯＳ１２が逆の配置になる形態、ＰＭＯＳのみの形態でも良いし、他の形態でも良い。 In the above embodiments, the drive unit 10 includes the NMOS 11 and the PMOS 12. However, the present invention is not limited to this. For example, a configuration including only the NMOS 11, a configuration in which the NMOS 11 and the PMOS 12 are reversed, a configuration including only the PMOS, or another configuration may be employed.

１、１ａ、１ｂ、１ｃドライブ回路
２電源回路部
３制御回路部
１０ドライブ部
１１ＮＭＯＳ
１２ＰＭＯＳ
２１バイポーラトランジスタ
２２直流電源
２３コイル
２４ダイオード
２５コンデンサ
３０ベース回路部
３１抵抗素子
４０、４０ａ基準電圧生成部
４１バイポーラトランジスタ
４２定電流源
４２ａ抵抗素子
５０、５０ａベース電流制御部
５１、５２、５３、５４、５５、５６抵抗素子
ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３オペアンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b, 1c Drive circuit 2 Power supply circuit part 3 Control circuit part 10 Drive part 11 NMOS
12 PMOS
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Bipolar transistor 22 DC power supply 23 Coil 24 Diode 25 Capacitor 30 Base circuit part 31 Resistance element 40, 40a Reference voltage generation part 41 Bipolar transistor 42 Constant current source 42a Resistance element 50, 50a Base current control part 51, 52, 53, 54 , 55, 56 Resistance element OP1, OP2, OP3 Operational amplifier

Claims

A drive circuit for supplying a base current to a base terminal of a bipolar transistor,
A base circuit section for generating the base current of the bipolar transistor;
A drive unit for supplying a drive voltage for generating the base current to the base circuit unit based on a control voltage supplied to a control terminal;
A reference voltage generator for generating a reference voltage;
A first base-emitter voltage generated between the base terminal of the bipolar transistor and the emitter terminal of the bipolar transistor is detected based on the reference voltage, and the first base-emitter voltage is detected according to the detected first base-emitter voltage. A base current control unit that controls the control voltage to supply the base current to the bipolar transistor and supplies the base current to the drive unit ;
The base current control unit is a voltage between the drive voltage and the reference voltage, and a voltage obtained by dividing the potential difference between the drive voltage and the reference voltage by a predetermined resistance ratio is the first current control unit. An operational amplifier circuit for controlling the control voltage so as to be equal to the base-emitter voltage of
Drive circuit, wherein a call.

The reference voltage generator is
A first bipolar transistor having a base terminal and a collector terminal connected to the output line of the current source, respectively, and an emitter terminal connected to the emitter terminal of the bipolar transistor;
According to claim 1, characterized in that the reference voltage emitter voltage - second base generated between the emitter terminal of the base terminal and the first bipolar transistor of said first bipolar transistor Drive circuit.

The current source is
The drive circuit according to claim 2 , further comprising: a resistance element having one terminal connected to the output line of the base circuit unit and the other terminal connected to the output line of the current source.

The drive circuit according to claim 2 , wherein the current source includes a constant current circuit.

The predetermined resistance ratio is determined based on a ratio between a potential difference between the first base-emitter voltage and the reference voltage and a potential difference between the drive voltage and the first base-emitter voltage. The drive circuit according to any one of claims 1 to 4, wherein the drive circuit is provided.