JP5784703B2 - 回転磁石組立体及び中心に供給されるrf電力を有する物理蒸着チャンバ - Google Patents
回転磁石組立体及び中心に供給されるrf電力を有する物理蒸着チャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5784703B2 JP5784703B2 JP2013507971A JP2013507971A JP5784703B2 JP 5784703 B2 JP5784703 B2 JP 5784703B2 JP 2013507971 A JP2013507971 A JP 2013507971A JP 2013507971 A JP2013507971 A JP 2013507971A JP 5784703 B2 JP5784703 B2 JP 5784703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- distribution plate
- source distribution
- disposed
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3455—Movable magnets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
102:ターゲット組立体
104:プロセスチャンバ
106:基板支持体
108:基板
110:包囲壁
114:ターゲット
112:接地シールド
116:導電性アルミニウム製アダプタ
118:誘電性アイソレータ
120:プロセスチャンバの中心領域
122:ベロー
124:底部チャンバ壁
126:ガス源
128:質量流量制御装置
130:排気ポート
132:弁
134:RFバイアス電源
136:キャパシタンス同調器
138:底部シールド
140:レッジ
142:暗部シールド
146:第1の開口部
148:カバー・リング
152:磁石
154:電極
156:接地板
158:ソース分配板
160:絶縁体
162:背板
164:導電性部材
166:導電性部材の第1の端部
168:導電性部材の第2の端部
170:空胴
172:磁石支持部材
174:モータシャフト
176:モータ
178:ギアボックス
180:絶縁性間隙
182:RF電源
183:第2のエネルギー源
184:ギアボックスシャフト
186:PVDチャンバの中心軸
188:回転可能な磁石
190:絶縁体層
192:冷却流体
194:仕切り
196:マグネトロン組立体
198:第2の開口部
Claims (13)
- 物理蒸着(PVD)のための装置であって、
基板上に堆積されるソース材料を含むターゲット、前記ターゲットの背面に向き合って配置され、前記ターゲットの周縁部に沿って前記ターゲットに電気的に結合された対向するソース分配板、及び、前記ターゲットの前記背面と前記ソース分配板との間に配置された空胴を有する、ターゲット組立体と、
前記ターゲットの中心軸に一致する点において前記ソース分配板に結合した電極と、
前記電極を通して駆動されないマグネトロン組立体であって、
前記空胴内に配置された、前記ターゲット組立体の中心軸に位置合わせされた回転
軸を有する回転可能な磁石と、
前記ターゲットの前記中心軸と位置合わせされていない位置において前記ソース分
配板内の第1の開口部を貫通して配置され、前記回転可能な磁石に回転可能に結合さ
れたシャフトと、ここで前記ソース分配板は、前記ソース分配板を貫通して配置され
、前記第1の開口部との組合せで前記中心軸に対して対称的なパターンで配列された
、1つ又はそれ以上の第2の開口部を含んでおり、
前記空胴の外側に配置され、前記シャフトに結合された、前記回転可能な磁石を回
転させるためのモータと、
を含むマグネトロン組立体と、
を含むことを特徴とする装置。 - 基板支持体が内部に配置されたプロセスチャンバをさらに含み、前記ターゲットは、前記プロセスチャンバの前記内部に前記基板支持体の支持面に面して配置されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記電極に結合された、RFエネルギーを前記ターゲットに供給するための高周波(RF)電源をさらに含むことを特徴とする請求項1〜請求項2のいずれかに記載の装置。
- 前記ターゲット組立体が、
前記ソース分配板のまわりに該ソース分配板から離間して配置された接地シールドをさらに含み、前記電極は前記接地シールド内の開口部を貫通し、
前記ターゲット組立体は、
前記接地シールドと前記ソース分配板との間に結合した複数の誘電体スペーサをさらに含むことを特徴とする請求項1〜請求項2のいずれかに記載の装置。 - 前記複数の誘電体スペーサが、前記中心軸に対して軸対称に配置されることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記接地シールドと前記ソース分配板との間に配置された誘電体材料をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記誘電体材料が、主に空気を含むことを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 前記接地シールドと前記ソース分配板との間の距離が5mmから40mmであることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記ターゲット組立体が、
前記ターゲットの前記背面と前記ソース分配板との間に配置されて、前記空胴の側壁を少なくとも部分的に形成する、前記ソース分配板から前記ターゲットの前記周縁部にRFエネルギーを伝搬するための導電性部材
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜請求項2のいずれかに記載の装置。 - 前記導電性部材が、
前記ソース分配板のターゲットに面した表面に該ソース分配板の周縁部に近接して結合する第1の端部と、前記ターゲットのソース分配板に面した表面に該ターゲットの前記周縁部に隣接して結合した第2の端部とを有する円筒形部材
をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。 - 前記ターゲットが、前記ソース材料を支持するための背板をさらに含むことを特徴とする請求項1〜請求項2のいずれかに記載の装置。
- 前記空胴内に配置され、前記シャフトと前記回転可能な磁石との間に結合された、前記シャフトから前記回転可能な磁石にトルクを伝達するためのギアボックスをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 物理蒸着(PVD)のための装置であって、
基板上に堆積されるソース材料を含むターゲット、前記ターゲットの背面に向き合って配置され、前記ターゲットの周縁部に沿って前記ターゲットに電気的に結合された対向するソース分配板、及び、前記ターゲットの前記背面と前記ソース分配板との間に配置された空胴を有する、ターゲット組立体と、
前記ターゲットの中心軸に一致する点において前記ソース分配板に結合した電極と、
前記空胴内に配置された、前記ターゲット組立体の中心軸に位置合わせされた回転軸を有する回転可能な磁石を含み、前記電極を通して駆動されないマグネトロン組立体と、
を含み、
前記マグネトロン組立体が、前記空胴内に配置され、前記回転可能な磁石組立体に結合されたモータをさらに含むことを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US32872510P | 2010-04-28 | 2010-04-28 | |
US61/328,725 | 2010-04-28 | ||
US37177410P | 2010-08-09 | 2010-08-09 | |
US61/371,774 | 2010-08-09 | ||
US39330910P | 2010-10-14 | 2010-10-14 | |
US61/393,309 | 2010-10-14 | ||
US13/048,440 US8795488B2 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-15 | Apparatus for physical vapor deposition having centrally fed RF energy |
US13/048,440 | 2011-03-15 | ||
US13/075,841 | 2011-03-30 | ||
US13/075,841 US8795487B2 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-30 | Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed RF power |
PCT/US2011/030718 WO2011139439A2 (en) | 2010-04-28 | 2011-03-31 | Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed rf power |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013525609A JP2013525609A (ja) | 2013-06-20 |
JP5784703B2 true JP5784703B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=44904295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013507971A Active JP5784703B2 (ja) | 2010-04-28 | 2011-03-31 | 回転磁石組立体及び中心に供給されるrf電力を有する物理蒸着チャンバ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8795487B2 (ja) |
JP (1) | JP5784703B2 (ja) |
KR (3) | KR102042091B1 (ja) |
CN (1) | CN102918175B (ja) |
WO (1) | WO2011139439A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8702918B2 (en) * | 2011-12-15 | 2014-04-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for enabling concentricity of plasma dark space |
US9404174B2 (en) | 2011-12-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Pinned target design for RF capacitive coupled plasma |
US9580795B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Sputter source for use in a semiconductor process chamber |
US10431440B2 (en) * | 2015-12-20 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
CN107090574B (zh) * | 2017-06-29 | 2024-02-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备 |
US10304732B2 (en) * | 2017-09-21 | 2019-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for filling substrate features with cobalt |
US11361982B2 (en) * | 2019-12-10 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of electrostatic chucks |
US11846013B2 (en) * | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for extended chamber for through silicon via deposition |
KR102220854B1 (ko) * | 2020-08-10 | 2021-02-26 | 이상신 | 물리적 기상 증착 장치 |
CN115011928B (zh) * | 2021-03-05 | 2024-03-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 再生靶材的方法及形成材料薄膜的方法 |
US11469080B1 (en) | 2021-05-24 | 2022-10-11 | Applied Materials, Inc. | Magnetron assembly having coolant guide for enhanced target cooling |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4714536A (en) * | 1985-08-26 | 1987-12-22 | Varian Associates, Inc. | Planar magnetron sputtering device with combined circumferential and radial movement of magnetic fields |
JPH01309965A (ja) | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
KR950000906B1 (ko) * | 1991-08-02 | 1995-02-03 | 니찌덴 아넬바 가부시기가이샤 | 스퍼터링장치 |
JP3237001B2 (ja) * | 1991-11-22 | 2001-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ装置 |
US6149784A (en) * | 1999-10-22 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Sputtering chamber shield promoting reliable plasma ignition |
JP2001220671A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-08-14 | Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
US6462482B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-10-08 | Anelva Corporation | Plasma processing system for sputter deposition applications |
US6451177B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes |
US6287437B1 (en) * | 2000-05-05 | 2001-09-11 | Alcatel | Recessed bonding of target for RF diode sputtering |
JP4614578B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-01-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
US6395156B1 (en) * | 2001-06-29 | 2002-05-28 | Super Light Wave Corp. | Sputtering chamber with moving table producing orbital motion of target for improved uniformity |
KR101312690B1 (ko) * | 2001-11-14 | 2013-09-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 스퍼터링 및 재스퍼터링을 위한 자기-이온화 및 유도 결합 플라즈마 |
US7504006B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US7179351B1 (en) | 2003-12-15 | 2007-02-20 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for magnetron sputtering |
US7244344B2 (en) | 2005-02-03 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition plasma reactor with VHF source power applied through the workpiece |
US7378002B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-05-27 | Applied Materials, Inc. | Aluminum sputtering while biasing wafer |
US8557094B2 (en) | 2006-10-05 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Sputtering chamber having auxiliary backside magnet to improve etch uniformity and magnetron producing sustained self sputtering of ruthenium and tantalum |
US20100264017A1 (en) | 2007-07-25 | 2010-10-21 | Sang-Cheol Nam | Method for depositing ceramic thin film by sputtering using non-conductive target |
CN201144280Y (zh) * | 2007-12-27 | 2008-11-05 | 重庆跃进机械厂有限公司 | 多工位轴瓦磁控溅射装置 |
US8070925B2 (en) | 2008-10-17 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition reactor with circularly symmetric RF feed and DC feed to the sputter target |
-
2011
- 2011-03-30 US US13/075,841 patent/US8795487B2/en active Active
- 2011-03-31 CN CN201180027524.4A patent/CN102918175B/zh active Active
- 2011-03-31 WO PCT/US2011/030718 patent/WO2011139439A2/en active Application Filing
- 2011-03-31 JP JP2013507971A patent/JP5784703B2/ja active Active
- 2011-03-31 KR KR1020177035019A patent/KR102042091B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-31 KR KR1020187025470A patent/KR20180100730A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-31 KR KR1020127031075A patent/KR20130100061A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011139439A3 (en) | 2012-01-26 |
KR20130100061A (ko) | 2013-09-09 |
KR102042091B1 (ko) | 2019-11-07 |
KR20170137227A (ko) | 2017-12-12 |
KR20180100730A (ko) | 2018-09-11 |
US8795487B2 (en) | 2014-08-05 |
WO2011139439A2 (en) | 2011-11-10 |
CN102918175A (zh) | 2013-02-06 |
CN102918175B (zh) | 2016-02-17 |
JP2013525609A (ja) | 2013-06-20 |
US20110240466A1 (en) | 2011-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5784703B2 (ja) | 回転磁石組立体及び中心に供給されるrf電力を有する物理蒸着チャンバ | |
JP5722428B2 (ja) | Rfエネルギが中心に給送される物理蒸着のための装置 | |
US9593410B2 (en) | Methods and apparatus for stable substrate processing with multiple RF power supplies | |
KR101725431B1 (ko) | Pvd rf dc 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론 | |
US20130319854A1 (en) | Substrate support with radio frequency (rf) return path | |
KR102131218B1 (ko) | 플라즈마제한 갭을 갖는 프로세스 키트 | |
US20240186128A1 (en) | Methods and apparatus for reducing sputtering of a grounded shield in a process chamber | |
TWI680199B (zh) | 用以改進套組壽命之用於高壓縮應力薄膜沉積的設備 | |
US9255322B2 (en) | Substrate processing system having symmetric RF distribution and return paths | |
WO2013148564A1 (en) | Substrate support with radio frequency (rf) return path | |
TWI537406B (zh) | 具有旋轉磁性組件與中央饋送射頻能量之物理氣相沉積腔室 | |
TW202245009A (zh) | 用於使用改進的屏蔽件配置處理基板的方法及設備 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140925 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150622 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5784703 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |