JP5781393B2 - 成膜方法 - Google Patents
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(1)下層(窒化シリコン膜):原料ガスをSiH4、反応ガスをNH3及びN2とし、成膜時に導入する原料ガス流量を150sccm、反応ガス流量、NH3を1000sccm、N2を3500sccmとし、反応室内圧力が100Paに保持されるように排気速度を設定した。また、放電用の高周波電力を1.4kW、成膜時間を15ec(膜厚500Å)とし、基板温度を80℃に設定した。
Claims (3)
- 単一のプラズマCVD装置にて処理対象物表面に積層構造のバリア膜を成膜する成膜方法であって、
真空引きされるプラズマCVD装置の反応室内に、シリコンを含む原料ガスと、窒素を含む第1の反応ガスとを導入し、放電用電力を投入してプラズマCVD法にて処理対象物表面に窒化シリコンからなる下層を成膜する第1工程と、
第1の反応ガスから、窒素及び酸素の少なくとも一方を含む第2の反応ガスに切り換え、前記原料ガスと共に反応室内に導入し、窒化シリコン及び酸窒化シリコンの少なくとも1層からなる中間層を成膜する第2工程と、
第2の反応ガスから、窒素を含む第1の反応ガスに切り換え、前記原料ガスと共に反応室内に導入し、窒化シリコンからなる上層を成膜する第3工程と、を含み、
少なくとも第2工程と第3工程との間で、少なくとも原料ガスの導入を一時的に停止する工程を更に含み、
前記原料ガスの導入を一時的に停止する工程の間、放電電力の投入を継続することを特徴とする成膜方法。 - 前記原料ガスの導入を一時的に停止する工程において、30Pa以下で、放電が維持できる圧力以上の範囲で反応室内の圧力を低下させることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記第2の反応ガスが窒素及び酸素を含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の成膜方法。
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