JP5778800B2 - 光回路の製造方法および光回路 - Google Patents

Description

本発明は、光回路の製造方法および光回路に関する。

近年、情報通信量の増大と消費電力の低減を同時に満たすため，電子回路による信号処理技術に代わって、光回路による光信号処理技術を用いることが求められている。
光回路には、電子回路とは異なり，厳密な波長特性等が求められる。例えば、光帯域が広く且つ挿入損失が低い光学特性が求められる。そのため、出荷前検査はもとより、製造工程におけるウエハレベルでの光学特性の全数検査を行うことが望ましい。例えば、光回路における光導波路のコアの一部を削って回折格子を形成することでグレーティングカプラ（光結合器）を作製し、その光結合器を介して光導波路に光を入出力することで、光回路の製造過程においてウエハレベルで光学特性の検査を行うことができる。上記グレーティングカプラの従来例として、例えば非特許文献１に開示がある。なお、上記グレーティングカプラは、光回路と外部に設けられた光ファイバとの間で信号（光信号）を入出力するために作製され、最終製品形態における光の入出力端としての機能と、製造過程におけるウエハレベルでの検査工程での光の入出力端としての機能を兼ねている。

Taillaert, et al., "An out-of-plane grating coupler for efficient butt-coupling between compact planar waveguides and single-mode fibers," IEEE J. Quantum Electronics, pp.949-955.

しかしながら、回折格子は、原理的に波長依存性があるため、広帯域かつ低損失な用途には向かない。すなわち、上記非特許文献１に記載されているようにコアの一部を削って回折格子を形成した場合、ウエハレベルでの検査が可能となる代わりに、最終製品として光帯域が広く且つ損失が小さい光回路を実現することが困難となる。

一方、広帯域且つ低挿入損失の光回路を実現するために、光導波路にグレーティングカプラを設けるのではなくチップ端面に光の入出力端子を設け、そこから光の入出力を行うことにより光回路の光学特性の検査を行う手法が、従来から知られている。しかしながら、この手法では、光回路をチップ化した後でしか検査を行うことができず、ウエハレベルでの検査を行うことはできない。すなわち、当該手法では、広帯域且つ低挿入損失の光回路を実現することはできるが、製造工程におけるチューニングや修復等ができないため、結果として歩留まりを上げることが困難となり、コストの削減を行うことができないという課題がある。

本発明は、以上のような課題を解消するためになされたものであり、広帯域且つ低挿入損失の光回路を、より低コストで製造することを目的とする。

本発明に係る光回路の製造方法は、下部クラッド層の上にコアを形成する第１の工程と、前記コアを覆うように第１の上部クラッド層を形成する第２の工程と、前記コアから成る光導波路の一部に光結合器を形成する第３の工程と、前記光結合器に対する光の入出力を利用して、前記コアから成る光導波路を検査する第４の工程と、前記第４の工程の後に、前記コア上に前記第１の上部クラッド層と同じ光学特性を有する第２の上部クラッド層を形成する第５の工程と、を含み、前記光結合器は、前記第１の上部クラッド層の一部を加工して形成された回折格子パターンから成ることを特徴とする。

上記光回路の製造方法において、前記第５の工程は、前記第１の上部クラッド層と前記回折格子パターンとを覆うように前記第２の上部クラッド層を形成する工程としてもよい。また、前記コアはシリコンから構成され、前記第１の上部クラッドおよび前記第２の上部クラッド層は、同一の組成を有するシリコン酸化物、シリコン窒化物、およびシリコン酸窒化物の何れか一つから構成されてもよい。

上記光回路の製造方法において、前記第５の工程は、前記コア上の前記回折格子パターンおよび前記第１のクラッド層を除去する第６の工程と、前記第６の工程の後に、前記コアを覆うように、前記第２の上部クラッド層を形成する第７の工程とを含んでもよい。また、前記コアはシリコンから構成され、前記第２の上部クラッド層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、およびシリコン酸窒化物の何れか一つから構成され、前記第１の上部クラッド層は、前記第２の上部クラッド層と同程度の光学特性を有する感光性の有機材料から構成されてもよい。

上記光回路の製造方法において、前記光結合器が２つ形成され、前記第４の工程は、一方の前記光結合器に対して、断面視で前記下層クラッド層と反対側の方向から光を入射し、他方の前記光結合器から出力された光を測定して前記光導波路を検査する工程を含んでもよい。

上記光回路の製造方法において、前記第２の工程と前記第３の工程は同時に行われてもよい。

本発明に係る光回路は、下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成されたコアと、前記コアを覆うように形成された上部クラッド層と、前記コアより成る光導波路の一部に形成された光結合器とを有し、前記光結合器は、前記上部クラッド層の一部を加工して形成された回折格子パターンから成ることを特徴とする。

以上説明したことにより、本発明によれば、広帯域且つ低挿入損失の光回路を、より低コストで製造することが可能となる。

図１は、実施の形態１に係る光回路の製造方法によって光導波路の一部に光結合器が形成された光回路を模式的に示す図である。 図２Ａは、実施の形態１に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図２Ｂは、実施の形態１に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図２Ｃは、実施の形態１に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図２Ｄは、実施の形態１に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図３は、光回路１００の製造過程で形成される光結合器１の特性を示す図である。 図４Ａは、実施の形態２に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図４Ｂは、実施の形態２に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図４Ｃは、実施の形態２に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図４Ｄは、実施の形態２に係る光回路の製造方法を説明するための図である。 図４Ｅは、実施の形態２に係る光回路の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。

≪実施の形態１≫

図１は、本発明の一実施の形態に係る光回路の製造方法によって光導波路の一部に光結合器が形成された光回路を模式的に示す図である。同図には、一例として、本実施の形態に係る製造方法による光回路の製造途中に形成される光導波路の一部が図示されている。

同図に示される光結合器１は、ウエハレベルでの検査のために、光回路１００の製造過程においてコア３から成る光導波路の一部に形成され、光回路１００の最終製品形態（出荷段階）では光結合器としての機能は失われる。

同図に示されるように、例えば下位クラッド層となる基板２上にコア３が形成される。上記基板は、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板である。また、コア３は、例えばシリコンから構成され、光導波路を形成する。

コア３から成る光導波路は、例えば図１に示されるように、直線形状から成る光導波路３０、３４と、テーパ形状の光導波路３１、３３と、テーパ形状の光導波路３１、３３同士を結合する幅広形状の光導波路３２とから構成される。具体的には、図１に示されるように、光導波路３０は、その一端がテーパ形状の光導波路３１に結合される。特に制限されないが、光導波路３０の他端は、例えば図示されない光回路上の素子や他の光導波路等に結合されたり、チップ端面に形成された光入出力端に結合されたりする。

テーパ形状の光導波路３１において、幅の狭い端面が光導波路３０に結合され、幅の広い端面が幅広形状の光導波路３２の一端に結合される。特に制限されないが、幅広形状の光導波路３２の幅（光が基板の平面方向Ｘに進むとした場合に、平面方向Ｘと垂直な平面方向Ｙ）は、例えば、コア３から成る光導波路に対する光の入出力を行うために光回路１００の外部に設けられた光ファイバ７のコア径（例えば１０μｍ）と同程度とされる。また、幅広形状の光導波路３２の長さ（光がＸ方向に進むとした場合の光導波路３２のＸ方向の長さ）は、例えば、光ファイバ７のコア径（例えば１０μｍ）と同程度か、それ以上とされる。

幅広形状の光導波路３２の他端は、テーパ形状の光導波路３１を介して直線形状の光導波路３４の一端に結合される。テーパ形状の光導波路３３において、幅の広い端面が光導波路３２に結合され、幅の狭い端面が光導波路３４の一端に結合される。光導波路３４の他端は、例えば図示されない光回路上の素子や他の光導波路等に結合されたり、チップ端面に形成された光入出力端に結合されたりする。

第１の上部クラッド層４１は、一部を除いてコア３を覆うように形成される。例えば、図１に示されるように、第１の上部クラッド層４１は、直線形状の光導波路３０と、テーパ形状の光導波路３１の一部（光導波路３０との結合部周辺）と、直線形状の光導波路３４と、テーパ形状の光導波路３３の一部（光導波路３４との結合部周辺）とを覆うように形成される。第１の上部クラッド層４１としては、後述する第２の上部クラッド層４３と同程度の光学特性を有する材料を用いる。より好適には、第１の上部クラッド層４１として、第２の上部クラッド層４３と同程度の屈折率を有する材料を用いる。本実施の形態では、上部クラッド層４１がシリコン酸化物から構成されるものとして説明する。

光結合器１は、例えば上部クラッド層４１が選択的に除去されることにより、幅広形状の光導波路３２上に形成される。光結合器１は、回折格子パターン４０から形成される。図１には、光結合器１として、平面方向Ｙに沿って直線状のパターンが等間隔で複数配置された縞状の回折格子パターンが例示されている。詳細は後述するが、回折格子パターン４０は、例えば、上部クラッド層４１と同一材料から構成され、上部クラッド層４１の一部を加工して形成される。回折格子パターン４０は、空気層と組み合わさることで回折格子として機能し、一つの光結合器１を実現する。光結合器１は、コア３から成る光導波路に入射された光の一部を、基板平面と垂直な方向（Ｚ方向）に取り出すことが可能となる。図１に示されるように、光結合器１の上方（基板の上面付近）に光ファイバ７を設けることで，光回路の製造過程においてウエハレベルでの光導波路の検査が可能となる。以下、光回路の製造過程におけるウエハレベルでの検査について具体的に説明する。

図２Ａ〜図２Ｄに、光回路１００の製造方法を示す。なお、図２Ａ〜２Ｄには、光回路を形成する過程における光回路の断面の一部が模式的に図示されている。

先ず、図２Ａに示されるように、下部クラッド層となる基板２上にコア３を形成する（第１の工程）。具体的には、シリコン層を選択的にエッチングすることにより、コア３を形成する。

次に、図２Ｂに示されるように、コア３を覆うように第１の上部クラッド層４１を形成するとともに、コア３からなる光導波路の一部に光結合器１を形成する（第２の工程および第３の工程）。具体的には、よく知られたプラズマＣＶＤ等によってコア３を覆うようにシリコン酸化膜を成膜した後、よく知られたフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術により、成膜したシリコン酸化膜を選択的に除去して、光結合器１となる回折格子パターン４０を形成する。なお、光結合器１は、コア３から成る光導波路上に適宜形成され、その個数に特に制限はない。例えば、図２Ｂには、光導波路上に２つの光結合器１Ａ、１Ｂが形成される場合が図示されている。

次に、上記の工程で形成された光結合器１に対する光の入出力を利用して、コア３から成る光導波路の検査を行う（第４の工程）。具体的には、図２Ｃに示すように、２つの光結合器１Ａ、１Ｂとの間に形成された光回路１０を被検査対象とする場合、一方の光結合器１Ａに対して光を照射し、他方の光結合器１Ｂから出力された光を測定することによって、光回路１０の検査を行う。より具体的には、光源８に接続された光ファイバ７Ａを介して、図２Ｃに示すように、上方から光結合器１Ａに光を照射することにより、光回路１０の一端に光を入力する。そして、光回路１０の他端から出力された光の一部を光結合器１Ｂによって図２Ｃに示すように、上方に出力させ、その光を光ファイバ７Ｂを介して光スペクトラムアナライザ等の光検査装置９によって測定する。これにより、光回路１００の製造過程においてウエハレベルでの検査を行うことができる。

次に、第２の上部クラッド層４３を形成する（第４の工程）。例えば、よく知られたプラズマＣＶＤ等によって、コア３、第１の上部クラッド層４１、および回折格子パターン４０を覆うようにシリコン酸化膜を成膜する。これにより、回折格子パターン４０がシリコン酸化膜によって埋め込まれるので、回折格子パターン４０は回折格子としての機能（光の入出力端としての機能）を失われるとともに、第２の上部クラッド４３が形成される。すなわち、最終製品としての光回路１００では、コア３から成る光導波路における回折格子パターン４０付近での光信号の減衰はない。

その後、光回路を形成するための必要な工程を経た後、ウエハをダイシングすることによって光回路をチップ化することにより、最終製品としての光回路１００における光の入出力端がチップ端面に形成される。

なお、ウエハレベルでの検査時において、上記光結合器１以外のコア３の上部には第２の上部クラッド層４３（回折格子パターン４０）と同じ材料で第１の上部クラッド層４１が形成されているので、光回路１００に含まれる機能素子（例えば波長フィルタ等）の特性をウエハレベルでの検査時と最終製品形態時とで同じにすることができる。

図３に、光回路１００の製造過程で形成される光結合器１の特性を示す図である。同図には、二次元時間領域差分法による光結合器１の特性のシミュレーション結果が示されている。同図のシミュレーションの条件としては、コア３を構成する材料をシリコン（屈折率３．４７８、入射する光信号の波長１．５５μｍ）とし、第１の上部クラッド層４１および上記光結合器１（回折格子パターン４０）を構成するオーバクラッド材料をシリコン酸化物（屈折率１．５１、入射する光信号の波長１．５５μｍ）としている。また、幅広形状の光導波路３２の幅（Ｙ方向）を１０μｍ、光導波路３２の厚さ（Ｚ方向）を０．２２μｍとし、回折格子パターン４０の厚さを０．５μｍ、回折格子パターン４０の凸部の間隔（ピッチ）を０．８μｍ、回折格子パターン４０の凸部の周期に対する凸部の幅（デューティ比）を０．５としている。

同図から理解されるように、コア３から成る光導波路の一端（図３の左側）から入射された光がＸ方向に伝搬し、その光の一部が回折格子パターン４０によりＺ方向に取り出され、光ファイバ７に入光する。一つの光結合器１を光導波路に挿入したことによる結合効率のシミュレーション結果は、概ね−７ｄＢ程度である。実際の検査工程では、前述の図２Ｃで示したように検査対象の光回路１０を入力用の光結合器１Ａと出力用の光結合器１Ｂで挟む構成とするので、２つの光結合器１Ａ、１Ｂによる挿入損失は−１４ｄＢ程度と試算される。この値は、製造過程での検査としては十分に実効的な値と考えられる。

以上、実施の形態１に係る光回路の製造方法によれば、光回路１００の製造過程において、コア３から成る光導波路上に光結合器１を形成するので、ウエハレベルでの光導波路の検査が可能となる。これにより、製造過程において、上記検査結果に基づいてチューニングや修復等を行うことができるので、光回路１００の歩留まりを向上させることが可能となる。また、本製造方法によれば、光結合器１を構成する回折格子パターン４０を第１の上部クラッド層４１と同一の光学特性を有する材料で形成し、且つ、上記検査後にコア３上に第２の上部クラッド層２を更に形成することにより、回折格子パターン４０の光結合器としての機能を容易に喪失させることができる。これにより、光回路１００の製造過程で作製された回折格子パターン４０が、最終製品としての光回路１００の光学特性に悪影響を及ぼすことはない。

すなわち、本製造方法によれば、広帯域且つ低挿入損失の光回路を、より低コストで製造することが可能となる。

また、本製造方法によれば、第１の上部クラッド層４１と光結合器１（回折格子パターン４０）とを覆うように第２の上部クラッド層４３を形成するので、回折格子パターン４０の回折格子としての機能を喪失させることが容易となる。更に、本製造方法によれば、第１のクラッド層４１と回折格子パターン４０を同時に形成するから、製造工程の増加を抑えることができる。

≪実施の形態２≫

実施の形態１に係る光回路の製造方法では、回折格子パターン４０を第２の上部クラッド層４３と同一の材料（シリコン酸化物）で形成した。これに対し、実施の形態２に係る光回路の製造方法では、回折格子パターンを感光性を有する有機材料で形成する点で相違する。なお、実施の形態２に係る回折格子パターンの形状やピッチ等は、実施の形態１に係る回折格子パターンと同様である。

図４Ａ〜４Ｅに、実施の形態２に係る光回路の製造方法を示す。なお、図４Ａ〜４Ｅには、光回路が形成される過程における光回路の断面の一部が模式的に図示されている。また、実施の形態１に係る製造方法と同様の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

先ず、図４Ａに示されるように、下部クラッド層となる基板２上にコア３を形成する（第１の工程）。具体的な方法は、前述の図２Ａと同様である。

次に、図４Ｂに示されるように、コア３を覆うように第１の上部クラッド層５１を形成するとともに、コア３からなる光導波路の一部に光結合器４を形成する（第２の工程および第３の工程）。例えば、コア３を覆うように感光性を有する有機材料（フォトレジスト）を塗布し、公知のリソグラフィー技術により、回折格子パターン５０をパターニングする。これにより、第１の上部クラッド層５１および回折格子パターン５０が形成される。上記感光性を有する有機材料としては、後述する第２の上部クラッド層４３と同程度の光学特性を有する有機材料を用いる。より好適には、第２の上部クラッド層４３と同程度の屈折率を有する有機材料を用いる。有機材料としては、ポリメタクリル酸メチル樹脂等を例示することができる。

なお、回折格子パターン５０から成る光結合器４は、実施の形態１の光結合器１と同様に、コア３から成る光導波路上に適宜形成され、その個数に特に制限はない。例えば、図４Ｂには、光導波路上に２つの光結合器４Ａ、４Ｂが形成される場合が図示されている。なお、回折格子パターン５０の形状やピッチ等は、実施の形態１の回折格子パターン４０と同様である。

次に、上記の工程で形成された光結合器４Ａ、４Ｂに対する光の入出力を利用して、コア３から成る光導波路（例えば光回路５１）の検査を行う（第４の工程）。具体的な検査方法は、前述の図２Ｃと同様である。これにより、光回路の製造過程においてウエハレベルでの検査を実現することができる。

次に、図４Ｄに示すように、前述の工程（図４Ｃ）で形成した第１の上部クラッド層５１および回折格子パターン５０を除去する（第６の工程）。その後、図４Ｅに示すように、コア３上に第２の上部クラッド層４３を形成する（第７の工程）。具体的には、よく知られたプラズマＣＶＤ等によって、コア３を覆うようにシリコン酸化膜を成膜する。これにより、第２の上部クラッド４３が形成される。

その後、光回路を形成するための必要な工程を経た後、ウエハをダイシングすることによって光回路をチップ化することにより、最終製品としての光回路における光の入出力端がチップ端面に形成される。

以上、実施の形態２に係る光回路の製造方法によれば、実施の形態１に係る光回路の製造方法と同様に、広帯域且つ低挿入損失の光回路を、より低コストで製造することが可能となる。

また、本製造方法によれば、コア３上の回折格子パターン５０および第１のクラッド層５１を除去した後に、第２の上部クラッド層４３を形成するので、光回路の製造過程において、回折格子パターン５０の回折格子としての機能を喪失させることが容易となる。

更に、本製造方法によれば、第１の上部クラッド層５１および回折格子パターン５０は、第２の上部クラッド層４３と同程度の光学特性を有する感光性の有機材料から構成されるので、第２の上部クラッド層４３が形成された場合と同様の環境下で光導波路の検査を行うことができる。また、有機材料を用いることで、コア３や下部クラッド層２に影響を与えることなく、回折格子パターン５０および第１のクラッド層５１を容易に除去することが可能となる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。

例えば、第２の上部クラッド層４３が、シリコン酸化物から構成される場合を例示したが、これに限られず、その他の材料から構成されてもよい。例えば、第２の上部クラッド層４３をシリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物から構成してもよい。この場合、第１の上部クラッド層４１も、第２の上部クラッド層４３と同じ材料で構成するとよい。

また、回折格子パターン４０、５０をコア３の直上に形成する場合を例示したが、コア３と回折格子パターン４０、５０との間に薄い保護膜が形成されていてもよい。上記保護膜は、第２の上部クラッド層４３と同じ材料で形成するのが望ましい（例えばシリコン酸化膜）。また、上記保護膜は、検査を行うのに十分な光を透過させることができる程度の薄さを有していればよい。

また、回折格子パターン４０、５０を幅広形状の光導波路３２上に形成する場合を例示したが、コア３から成る光導波路上に形成するのであれば、光導波路３２上に限られない。例えば、検査時に光ファイバ７との結像等が問題ない場合には、光導波路３０、３４上に形成してもよい。

また、図１で示したように回折格子パターン４０、５０が直線形状である場合を例示したが、回折格子としての機能を発揮させることができれば、その形状に特に制限はない。例えば、光ファイバ７Ａ、７Ｂや対物レンズに結像し易くするために、直線を湾曲させた形状（曲線状）としてもよいし、二次元格子状（例えばメッシュ状）としてもよい。

また、図２Ｃおよび図４Ｃにおいて、光ファイバ７Ａ、７Ｂの代わりに対物レンズを用いることも可能である。

また、実施の形態１に係る光回路の製造方法において、第１の上部クラッド層４１と回折格子パターン４０とを同時に形成する場合を例示したが、第１の上部クラッド層４１を形成する工程（第２の工程）と、回折格子パターン４０を形成する工程（第３の工程）とを分けてもよい。実施の形態２に係る光回路の製造方法においても同様である。

１、１Ａ、１Ｂ、４、４Ａ、４Ｂ…光結合器、２…基板（下部クラッド層）、３…コア、３０〜３４…光導波路、４０、５０…回折格子パターン、４１、５１…第１の上部クラッド層、４３…第２の上部クラッド層、８…光源、９…光検査装置、１０、１１…検査対象の光回路、１００…光回路。

Claims (5)

1. 下部クラッド層の上にコアを形成する第１の工程と、
   前記コアを覆うように第１の上部クラッド層を形成する第２の工程と、
   前記コアから成る光導波路の一部に光結合器を形成する第３の工程と、
   前記光結合器に対する光の入出力を利用して、前記コアから成る光導波路を検査する第４の工程と、
   前記第４の工程の後に、前記コア上に前記第１の上部クラッド層と同じ光学特性を有する第２の上部クラッド層を形成する第５の工程と、を含み、
   前記光結合器は、前記第１の上部クラッド層の一部を加工して形成された回折格子パターンから成り、
   前記第５の工程は、前記第１の上部クラッド層と前記回折格子パターンとを覆うように前記第２の上部クラッド層を形成する工程である、
   ことを特徴とする光回路の製造方法。
2. 請求項１記載の光回路の製造方法において、
   前記コアは、シリコンから構成され、
   前記第１の上部クラッド及び前記第２の上部クラッド層は、同一の組成を有するシリコン酸化物、シリコン窒化物、およびシリコン酸窒化物の何れか一つから構成される
   ことを特徴とする光回路の製造方法。
3. 下部クラッド層の上にコアを形成する第１の工程と、
   前記コアを覆うように第１の上部クラッド層を形成する第２の工程と、
   前記コアから成る光導波路の一部に光結合器を形成する第３の工程と、
   前記光結合器に対する光の入出力を利用して、前記コアから成る光導波路を検査する第４の工程と、
   前記第４の工程の後に、前記コア上に前記第１の上部クラッド層と同じ光学特性を有する第２の上部クラッド層を形成する第５の工程と、を含み、
   前記光結合器は、前記第１の上部クラッド層の一部を加工して形成された回折格子パターンから成り、
   前記第５の工程は、
   前記コア上の前記回折格子パターン及び前記第１のクラッド層を除去する第６の工程と、
   前記第６の工程の後に、前記コアを覆うように、前記第２の上部クラッド層を形成する第７の工程とを含み、
   前記コアは、シリコンから構成され、
   前記第２の上部クラッド層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物の何れか一つから構成され、
   前記第１の上部クラッド層は、前記第２の上部クラッド層と同程度の光学特性を有する感光性の有機材料から構成される、
   ことを特徴とする光回路の製造方法。
4. 請求項１乃至３の何れか一項記載の光回路の製造方法において、
   前記光結合器が２つ形成され、
   前記第４の工程は、一方の前記光結合器に対して、断面視で前記下層クラッド層と反対側の方向から光を入射し、他方の前記光結合器から出力された光を測定して前記光導波路を検査する工程を含む、ことを特徴とする光回路の製造方法。
5. 請求項１乃至４の何れか一項記載の光回路の製造方法において、
   前記第２の工程と前記第３の工程は同時に行われる
   ことを特徴する光回路の製造方法。