JP5763440B2 - Semiconductor memory device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体記憶装置、特にステータスレジスタを有する半導体記憶装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly to a semiconductor memory device having a status register.
一般に、半導体記憶装置として、図6に示すように、複数のワード線及びビット線(図6では、1024本のワード線及び256本のビット線)のマトリクス構造を構成し、ワード線及びビット線の交差部に対応して設けられた記憶素子である強誘電体メモリにより情報を記憶するメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置が知られている。 In general, as a semiconductor memory device, as shown in FIG. 6, a matrix structure of a plurality of word lines and bit lines (1024 word lines and 256 bit lines in FIG. 6) is formed. 2. Description of the Related Art There is known a semiconductor memory device including a memory cell array that stores information by a ferroelectric memory that is a memory element provided corresponding to a crossing portion.
例えば、シリアル通信を行うためのSPI(Sirial Peripheral Interface:シリアルペリフェラルインターフェイス)方式に対応した強誘電体メモリ(メモリセルアレイ)を備えた半導体記憶装置が知られている。このようにSPI方式の強誘電体メモリを備えた半導体記憶装置は、半導体記憶装置(メモリセルアレイ)の動作状態を設定するための不揮発性レジスタとして、いわゆるステータスレジスタを備えている。例えば、特許文献1には、ステータスレジスタを備えた、SPI方式に対応した強誘電体メモリが記載されている。
For example, a semiconductor memory device including a ferroelectric memory (memory cell array) compatible with an SPI (Serial Peripheral Interface) system for performing serial communication is known. As described above, the semiconductor memory device including the SPI type ferroelectric memory includes a so-called status register as a nonvolatile register for setting an operation state of the semiconductor memory device (memory cell array). For example,
従来の半導体記憶装置の具体的一例の概略構成図を図7に示す。図7に示した半導体記憶装置100は、半導体チップ120上に、記憶部122と、SPIインターフェイス124と、外部端子126と、電気ヒューズ158と、が形成されている。 また、記憶部122は、上述の図6に示したメモリセルアレイより成る主記憶容量140及びステータスレジスタ142を有するメモリセルアレイ132と、メモリセルアレイ132のワード線及びビット線に電気信号を出力する信号処理回路130と、を備えて構成されている。
FIG. 7 shows a schematic configuration diagram of a specific example of a conventional semiconductor memory device. In the
このような半導体記憶装置100において、個々の半導体記憶装置100に、自身に関する詳細な情報を記憶(記録)させることが一般に行われている。例えば、当該半導体記憶装置100の故障や動作不良の解析を目的として、生産履歴に関する情報や設計情報等を記憶(記録)させることが行われている。
In such a
生産履歴に関する情報を記憶(記録)させる方法としては、半導体記憶装置100のウエハ試験工程において、個々の半導体記憶装置100の生産履歴に関する情報を2進数に変換し、個々の半導体記憶装置100(半導体チップ120、ダイとも称する)上に設けられた生産履歴に関する情報の記録専用のヒューズ(電気ヒューズ158)を、電気ヒューズ切断装置によりその2進数に応じて切断することにより記憶させる方法が一般に行われている。
As a method for storing (recording) information relating to the production history, in the wafer test process of the
また、このようにして電気ヒューズ158に記録された生産履歴に関する情報を参照する方法としては、半導体記憶装置100のダイ120を封止する樹脂を除去して、電気ヒューズ158を目視することで確認する方法や、半導体記憶装置100の動作状態を生産履歴に関する情報を参照するための特殊な状態(例えば、特殊なコマンド入力により動作させた動作状態)に設定し、電気ヒューズ158に記録されている2進数を電圧に変換して外部端子126に出力させる方法が知られている。
As a method for referring to the information regarding the production history recorded in the electric fuse 158 in this way, the resin for sealing the
このように電気ヒューズ158に生産履歴に関する情報を記録させる場合、電気ヒューズ158を設置するため、半導体チップ(ダイ)120の面積が増加するという問題が生じる場合がある。 Thus, when recording the information regarding the production history in the electric fuse 158, since the electric fuse 158 is installed, there may be a problem that the area of the semiconductor chip (die) 120 increases.
また、電気ヒューズ158に記録されている情報を参照する場合、上述のように電気ヒューズ158を目視するためにダイ120を封止する樹脂を除去する等、半導体記憶装置100を破壊しなくてはいけない場合がある。また、外部端子126に出力するためには、電気ヒューズ158に記録されている2進数を電圧に変換して外部端子に出力するための回路(図示省略)を専用に設置する必要があるため、さらに半導体チップ(ダイ)120の面積が増加するという問題が生じる場合がある。
Further, when referring to the information recorded in the electrical fuse 158, the
本発明は、上述した問題を解決するために提案されたものであり、半導体記憶装置自身に、適切に自半導体記憶装置に関する装置情報を記憶することができる、半導体記憶装置を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor memory device that can appropriately store device information related to the semiconductor memory device in the semiconductor memory device itself. And
上記目的を達成するために、請求項1に記載の半導体記憶装置は、複数のワード線と複数のビット線との交差部の各々に対応して配置された複数の第1記憶素子を備えた主記憶領域と、前記ワード線に隣接して前記主記憶領域外に配置された特定ワード線の一部の領域、及び前記ビット線に隣接して前記主記憶領域外に配置された特定ビット線の一部の領域の少なくとも一方に設けられた少なくとも1つの第2記憶素子を備え、前記主記憶領域の動作状態を設定するためのステータスレジスタと、前記特定ワード線に前記ステータスレジスタが設けられている場合は、前記特定ワード線の前記ステータスレジスタが設けられている前記一部の領域以外の領域に設けられ、前記特定ビット線に前記ステータスレジスタが設けられている場合は、前記特定ビット線の前記ステータスレジスタが設けられている前記一部の領域以外の領域に設けられ、かつ、自半導体記憶装置に関する装置情報を記憶する少なくとも1つの第3記憶素子を備えた装置情報記憶領域と、を備える。
In order to achieve the above object, a semiconductor memory device according to
本発明によれば、半導体記憶装置自身に、適切に自半導体記憶装置に関する装置情報を記憶することができる、という効果を奏する。 According to the present invention, there is an effect that device information relating to the semiconductor memory device can be appropriately stored in the semiconductor memory device itself.
[第1の実施の形態] [First Embodiment]
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の半導体記憶装置について詳細に説明する。なお、本実施の形態では、シリアル通信(SPI)方式に対応した半導体記憶装置について詳細に説明する。 Hereinafter, a semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that in this embodiment, a semiconductor memory device compatible with a serial communication (SPI) method will be described in detail.
本実施の形態の半導体記憶装置の概略構成の一例の概略構成図を図1に示す。本実施の形態の半導体記憶装置10は、半導体チップ(ダイ)20上に、記憶部22と、SPIインターフェイス24と、外部端子26と、を備えて構成されている。
A schematic configuration diagram of an example of a schematic configuration of the semiconductor memory device of the present embodiment is shown in FIG. The
記憶部22は、信号処理回路30及びメモリセルアレイ32を備えており、例えばROM(Read Only Memory)等である。信号処理回路30は、入力されたコマンド及びアドレスに応じて、メモリセルアレイ32に情報を書込み(記憶)させたり、記憶されている情報を読み出(参照)したりするための電気信号をメモリセルアレイ32のワード線及びビット線に出力する機能を有している。本実施の形態のメモリセルアレイ32は、主記憶容量40、ステータスレジスタ42、及び生産履歴記憶容量44を含んで構成されており、それぞれワード線及びビット線の交差部に対応して設けられた強誘電体メモリである記憶素子を複数備えて構成されている(詳細後述)。なお、図1では、ワード線及びビット線の各々を駆動するための駆動回路等の記載は省略している。
The
SPIインターフェイス24は、SPI(Sirial Peripheral Interface:シリアルペリフェラルインターフェイス)方式であり、シリアル(1ビットずつ)でデータ転送を実行する、4線式のシリアル通信インターフェイスである。SPI方式では、データを交換するのに必要なクロックパルスであるSCK(Serial Clock)信号、希望した従装置(スレーブ)を選択するSS(Slave Select)信号、データを出力するMOSI(Master Out Slave In)信号、及びデータが入力されるMISO(Master In Slave Out)信号を用いて、従装置(スレーブ)と交信を行う。外部端子26は、SPIインターフェイス24を用いて外部装置(従装置)とデータの送受信を行うための端子である。
The
本実施の形態のメモリセルアレイ32の具体的一例の概略構成図を図2に示す。本実施の形態のメモリセルアレイ32は、上述のように、主記憶容量40、ステータスレジスタ42、及び生産履歴記憶容量44を備えて構成されている。本実施の形態のメモリセルアレイ32では、具体的一例として、1025本(1024本+1本、詳細後述)のワード線及び256本のビット線によりマトリクス構造を構成しており、ワード線及びビット線の交差部に対応して設けられた強誘電体メモリ(記憶素子)を複数個(256×1025=262400個)有している。
FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of a specific example of the
本実施の形態の半導体記憶装置10は、記憶容量が256kビットのメモリであり、そのため、主記憶容量40は、256kビットの記憶容量を形成するために、1024本のワード線及び256本のビット線によるマトリクス構造を有している。本実施の形態では、図2に示すように具体的一例として0番目〜1023番目までのワード線、及び0番目〜255番目までのビット線により構成されるマトリクス構造の交差部に対応して強誘電体メモリが設けられている。
The
本実施の形態では、SPI方式に対応したメモリであるため、主記憶容量40の他に、記憶部22(主記憶容量40)の動作状態を設定するためのステータスレジスタ42を備えている。一般的に、SPI方式に対応したメモリでは仕様上、記憶装置の動作状態を設定するためのステータスレジスタと呼ばれる不揮発性レジスタが設けられている。また、一般的に、ステータスレジスタは8ビットの記憶容量が必要とされている。例えば、ステータスレジスタ(ステータスレジスタ42)には、メモリセルアレイ(主記憶容量40)の全ての強誘電体メモリ(記憶素子)をライトプロテクトするためのWEL(Write Enable Latch)ビットや、特定の強誘電体メモリ(記憶素子)エリアをライトプロテクトするためのBP(Memory Block Write Protection Bit)0、BP1ビット等を有している。ステータスレジスタ(ステータスレジスタ42)には、メモリセルアレイ32(主記憶容量40)に対してデータを記憶または参照するための通常のコマンドとは異なる、WRDI(Write Disable)コマンドやWREN(Set Write Enable Latch)コマンド等の特定のコマンドにより、「0」または「1」の記憶または参照が行われる。
In this embodiment, since the memory is compatible with the SPI system, in addition to the
本実施の形態では、主記憶容量40を構成するワード線に隣接して、1025番目のワード線を特定ワード線として設け、特定ワード線と256本のビット線との交差部に対応して設けられた強誘電体メモリをステータスレジスタ42として使用している。ここで、特定ワード線上には、256個(256ビット)の強誘電体メモリが存在するが、上述のように、ステータスレジスタ42とし使用されるのは、最大8ビットであるため、特定ワード線上の256ビットの強誘電体メモリのうち、8ビット分(図2では、0番目〜7番目のビット線との交差部に対応する8個の強誘電体メモリ)によりステータスレジスタ42を構成している。
In this embodiment, the 1025th word line is provided as a specific word line adjacent to the word line constituting the
また、本実施の形態では、ステータスレジスタ42として使用されない、特定ワード線上の残りの強誘電体メモリにより生産履歴に関する情報の記憶用の生産履歴記憶容量44を構成している。具体的には、本実施の形態では、図2に示すように、8番目〜255番目のビット線との交差部に対応する248個(248ビット)の強誘電体メモリにより生産履歴記憶容量44を構成している。なお、本実施の形態で生産履歴に関する情報とは、半導体記憶装置10(半導体チップ20)自身の生産に関する情報であり、例えば、ウエハの履歴、ウエハ番号、ロットナンバー、前工程に関する情報、動作の測定を行った工場やテスタのデータ、及び生産経過等が含まれる。
In the present embodiment, the remaining ferroelectric memory on the specific word line that is not used as the
生産履歴記憶容量44の生産履歴に関する情報の記憶及び参照は、主記憶容量40の情報の記憶及び参照のための通常のコマンドや、ステータスレジスタ42に対する「0」または「1」の記憶及び参照のための特定のコマンド(上述参照)と異なる特殊なコマンドが用いられる。信号処理回路30に入力された当該特殊なコマンドにより、生産履歴記憶容量44の生産履歴に関する情報の記憶または参照を行う特殊な状態に設定され、特定ワード線及び、該当するビット線を有効にするための電気信号が出力されることにより、生産履歴に関する情報の記憶または参照が実行される。このように特殊なコマンドを用いて生産履歴記憶容量44への記録・参照を実行することにより、半導体記憶装置10(半導体チップ20)を使用するユーザが誤って、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報を書き換えてしまうのを抑制することができる。
The storage and reference of information related to the production history of the production
以上説明したように本実施の形態の半導体記憶装置10では、特定ワード線(1024番目のワード線)上のステータスレジスタ42が設けられていない領域である、8番目〜255番目のビット線と交差する領域に設けられている強誘電体メモリにより生産履歴記憶容量44を構成し、生産履歴記憶容量44に、半導体記憶装置10(半導体チップ20)の生産履歴に関する情報を記憶させている。また、生産履歴記憶容量44への記憶・参照は、主記憶容量40への記憶・参照に使用される通常のコマンドと異なる特殊なコマンドが用いられる。
As described above, in the
このように、特定ワード線上の強誘電体メモリにより生産履歴記憶容量44を構成することにより、従来の半導体記憶装置(図7、半導体記憶装置100参照)のように電気ヒューズ(電気ヒューズ158)を設けなくても生産履歴に関する情報を記憶させることができるため、半導体チップ(ダイ)20の面積の増加を抑制することができる。また、特殊なコマンドを用いることにより、生産履歴記憶容量44から生産履歴に関する情報を参照することができるため、半導体チップ(ダイ)20を封止する樹脂を除去する等、半導体記憶装置10を破壊することなく、生産履歴に関する情報を参照することができる。また、特殊なコマンドを用いることにより、生産履歴記憶容量44に生産履歴に関する情報を記憶させることができるため、ウエハ試験工程等の所定の工程以外の工程や、所望の際に、生産履歴に関する情報を記憶させることができる。
In this way, by forming the production
従って、半導体記憶装置10自身に、適切に自半導体記憶装置10に関する生産履歴情報を装置情報として記憶することができる。
Therefore, production history information related to the own
[第2の実施の形態] [Second Embodiment]
以下、図面を参照して本発明の第2の実施の形態の半導体記憶装置について詳細に説明する。図3に、本実施の形態の半導体記憶装置の概略構成の一例の概略構成図を示す。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態と略同様の構成、及び動作については、その旨を記載し、詳細な説明を省略する。 Hereinafter, a semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 shows a schematic configuration diagram of an example of a schematic configuration of the semiconductor memory device of the present embodiment. In the present embodiment, the configuration and operation substantially similar to those of the first embodiment are described as such, and detailed description thereof is omitted.
本実施の形態の半導体記憶装置50は、半導体チップ(ダイ)60上に、さらに電気ヒューズ58が構成されている点が、第1の実施の形態の半導体記憶装置10と異なっている。
The
第1の実施の形態の半導体記憶装置10では、生産履歴記憶容量44のみに生産履歴に関する情報を記憶させるようにしていたが、生産履歴記憶容量44に含まれる強誘電体メモリの物理的な破壊等により、正確な生産履歴に関する情報を参照することができなくなる場合がある。そのため、本実施の形態の半導体記憶装置50は、生産履歴に関する情報を記録させるための電気ヒューズ58を備えて構成されている。なお、図3に示した電気ヒューズ58は、複数の電気ヒューズを有する一群の電気ヒューズ及び電気ヒューズに記録されている情報を参照するための回路等を含んで構成されている。
In the
電気ヒューズ58に生産履歴に関する情報を記録させる場合、予め、電気ヒューズ切断装置により、電気ヒューズを切断する。例えば、「0」を記録させる場合は、電気ヒューズを切断し、電気信号が導通しないようにし、「1」を記録させる場合は、電気ヒューズを切断せずに、電気信号が導通するようにすればよい。また、生産履歴に関する情報に応じて予め定められた個々の電気ヒューズを切断するか否かにより記録させるようにしてもよい。
When recording information related to production history in the
なお、記録させる生産履歴に関する情報は、生産履歴記憶容量44に記憶されている全ての情報であってもよいが、生産履歴記憶容量44が破壊等され、生産履歴記憶容量44から生産履歴に関する情報を参照できなくなった場合に備えて記録させるものであるため、全ての情報ではなく、重要度等により予め定められた一部(例えば、故障解析に必要な最低限)の情報とすることが好ましい。このように、一部の情報のみを記録させることにより、半導体チップ(ダイ)60の面積の増加を抑制することができる。
The information relating to the production history to be recorded may be all the information stored in the production
このように、本実施の形態の半導体記憶装置50では、生産履歴に関する情報を記録する電気ヒューズ58を備えるため、生産履歴記憶容量44から情報を参照できない場合であっても、生産履歴に関する情報を参照することができる。
As described above, the
[第3の実施の形態] [Third Embodiment]
以下、図面を参照して本発明の第3の実施の形態の半導体記憶装置について詳細に説明する。図4に、本実施の形態のメモリセルアレイの概略構成の一例の概略構成図を示す。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と略同様の構成、及び動作については、その旨を記載し、詳細な説明を省略する。 Hereinafter, a semiconductor memory device according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 4 shows a schematic configuration diagram of an example of a schematic configuration of the memory cell array according to the present embodiment. In the present embodiment, the configuration and operation that are substantially the same as those in the first embodiment and the second embodiment are described as such, and detailed description thereof is omitted.
本実施の形態の半導体記憶装置は、さらに、チェックサムを記憶するチェックサム記憶容量46を備える点が、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と異なっている。
The semiconductor memory device of this embodiment is different from the first and second embodiments in that it further includes a
第1の実施の形態及び第2の実施の形態の半導体記憶装置10、50では、例えば、半導体記憶装置10、50を使用するユーザ等の誤使用により、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報が書き換えられてしまい、正確な生産履歴に関する情報を参照することができなくなる場合がある。そのため、本実施の形態の半導体記憶装置では、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報のチェックサムを記憶させるためのチェックサム記憶容量46を備えて構成されている。
In the
本実施の形態では、具体的一例として、図4に示すように、特定ワード線上の、ステータスレジスタ42及び生産履歴記憶容量44に用いられない強誘電体メモリにより、チェックサム記憶容量46を構成している。具体的には、図4に示すように、8番目〜n+1番目のビット線と特定ワード線との交差部に対応する強誘電体メモリにより生産履歴記憶容量44を構成し、n+2番目〜255番目のビット線と特定ワード線との交差部に対応する強誘電体メモリによりチェックサム記憶容量46を構成している。
In this embodiment, as a specific example, as shown in FIG. 4, a
このように本実施の形態の半導体記憶装置では、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報のチェックサムを記憶するチェックサム記憶容量46を備えるため、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報の正誤の判別を行うことができる。
As described above, the semiconductor storage device according to the present embodiment includes the
なお、本実施の形態では、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報のチェックサムを特定ワード線上に生産履歴記憶容量44に併設されたチェックサム記憶容量46に記憶させるようにしているがこれに限らない。例えば、第2の実施の形態の半導体記憶装置50の電気ヒューズ58にチェックサムを記録させるようにしてもよいし、別途、チェックサムを記憶させる記憶部を半導体チップ(ダイ)上に設けるようにしてもよい。なお、情報生産履歴記憶容量44と、チェックサム記憶容量46とを、特定ワード線上の、ステータスレジスタ42を除いた領域に併設して構成することにより、半導体チップ(ダイ)の面積の増加を防止することができるため、好ましい。
In the present embodiment, the checksum of the information relating to the production history stored in the production
また、本実施の形態では、具体的一例としてチェックサムを記憶させているが、生産履歴記憶容量44に記憶されている生産履歴に関する情報が正確であるか(書き換えられていないか)を検出することができるための情報であればチェックサムに限らず、他のエラー検出用符号等であってもよい。
In this embodiment, a checksum is stored as a specific example, but it is detected whether the information related to the production history stored in the production
[第4の実施の形態] [Fourth Embodiment]
以下、図面を参照して本発明の第4の実施の形態の半導体記憶装置について詳細に説明する。図5に、本実施の形態の半導体記憶装置の概略構成の一例の概略構成図を示す。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態〜第3の実施の形態と略同様の構成、及び動作については、その旨を記載し、詳細な説明を省略する。 Hereinafter, a semiconductor memory device according to a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 5 shows a schematic configuration diagram of an example of a schematic configuration of the semiconductor memory device of the present embodiment. In the present embodiment, the configuration and operation substantially similar to those in the first to third embodiments are described as such, and detailed description thereof is omitted.
第1の実施の形態〜第3の実施の形態では、SPI方式に対応した強誘電体メモリにより構成される記憶部22(メモリセル32)に適用した場合について詳細に説明したが、その他のインターフェイス方式(SPI以外のシリアル通信方式やパラレル通信方式等)に対応した強誘電体メモリにより構成される記憶部22(メモリセル32)に適用するようにしてもよい。 In the first to third embodiments, the case where the present invention is applied to the storage unit 22 (memory cell 32) configured by a ferroelectric memory corresponding to the SPI method has been described in detail. You may make it apply to the memory | storage part 22 (memory cell 32) comprised by the ferroelectric memory corresponding to systems (serial communication systems other than SPI, a parallel communication system, etc.).
本実施の形態の半導体記憶装置70は、半導体チップ(ダイ)80上に、通信インターフェイス84及び複数の外部端子86を備えて構成されており、パラレルで通信が行えるように構成されている。
The
その他のインターフェイス方式に対応した強誘電体メモリにより構成される記憶部22(メモリセル32)においても、同一の半導体チップ(ダイ)80で複数のインターフェイス方式に対応するように構成されている場合や、同一の半導体チップ(ダイ)80ではない場合であっても設計資産を流用した設計手法により構成されている場合は、ステータスレジスタ42の強誘電体メモリ(記憶素子)及び制御回路(図示省略)は、機能を停止させた状態で半導体チップ(ダイ)80上に形成されている。従って、本実施の形態の半導体記憶装置70のメモリセルアレイ32においても、特定ワード線上のステータスレジスタ42が設けられていない領域の強誘電体メモリ(記憶素子)により生産履歴記憶容量44を構成することができる。
Even in the storage unit 22 (memory cell 32) configured by a ferroelectric memory compatible with other interface methods, the same semiconductor chip (die) 80 may be configured to support a plurality of interface methods. Even if they are not the same semiconductor chip (die) 80, if they are configured by a design method using design assets, the ferroelectric memory (storage element) and control circuit (not shown) of the
また、本実施の形態の半導体記憶装置70においても、第1の実施の形態で説明したのと同様に、生産履歴記憶容量44の生産履歴に関する情報の記憶及び参照は、主記憶容量40の情報の記憶及び参照のための通常のコマンドや、ステータスレジスタ42に対する「0」または「1」の記憶及び参照のための特定のコマンドと異なる特殊なコマンドを用いることにより実行できる。信号処理回路30に入力された当該特殊なコマンドにより、生産履歴記憶容量44の生産履歴に関する情報の記憶または参照を行う特殊な状態に設定され、特定ワード線及び、該当するビット線を有効にするための電気信号が出力されることにより、生産履歴に関する情報の記憶または参照が実行される。
Also in the
このように本実施の形態の半導体記憶装置70では、SPI方式以外のインターフェイス方式に対応した強誘電体メモリにより構成される記憶部22(メモリセル32)においても、特定ワード線上のステータスレジスタ42を除いた領域に生産履歴記憶容量44を構成することができる。
As described above, in the
なお、第1の実施の形態〜第4の実施の形態では、自半導体記憶装置(10、50、70)に関する装置情報として、生産履歴記憶容量44に生産履歴に関する情報を記憶させる場合について説明したがこれに限らず、その他、半導体記憶装置10(半導体チップ20)自身の設計情報等を記憶させるようにしてもよい。少なくとも、半導体記憶装置10(半導体チップ20)自身の故障や動作不良等の不具合を解析するために必要とされる予め定められた情報であれば特に限定されない。また、これらの情報の他に、半導体記憶装置10(半導体チップ20)を使用するユーザが所望の半導体記憶装置10(半導体チップ20)に関する情報(例えば、半導体記憶装置10(半導体チップ20)の設置場所等)等を記憶させるようにしてもよい。
In the first to fourth embodiments, a case has been described in which information relating to a production history is stored in the production
また、第1の実施の形態〜第4の実施の形態では、特定ワード線上のステテータスレジスタ42以外の強誘電体メモリ(記憶容量)を、生産履歴に関する情報を記憶する生産履歴記憶容量44として構成する場合について説明したこれに限らず、特定ワード線のかわりに特定ビット線(例えば、256番目のビット線)を設けて当該ビット線上にステータスレジスタ42及び生産履歴記憶容量44を構成するようにしてもよい。特定ワード線及び特定ビット線のいずれを設けるようにするかは、半導体チップ(ダイ)20の面積の増加を抑制する観点からは、面積が小さくなる方(例えば、信号線長が短い方)を設けるようにすればよく、記憶させたい生産履歴に関する情報が多い場合等は、より多くの強誘電体メモリを含む方を設けるようにすればよい。
In the first to fourth embodiments, the ferroelectric memory (storage capacity) other than the
また、第1の実施の形態〜第4の実施の形態で説明した、半導体記憶装置10やメモリセル32の構成等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更されることは言うまでもない。
The configurations of the
10、50 半導体記憶装置
24 SPIインターフェイス
30 信号処理回路
32 メモリセルアレイ
40 主記憶容量
42 ステータスレジスタ
44 生産履歴記憶容量
46 チェックサム記憶容量
58 電気ヒューズ
10, 50
Claims (9)
前記ワード線に隣接して前記主記憶領域外に配置された特定ワード線の一部の領域、及び前記ビット線に隣接して前記主記憶領域外に配置された特定ビット線の一部の領域の少なくとも一方に設けられた少なくとも1つの第2記憶素子を備え、前記主記憶領域の動作状態を設定するためのステータスレジスタと、
前記特定ワード線に前記ステータスレジスタが設けられている場合は、前記特定ワード線の前記ステータスレジスタが設けられている前記一部の領域以外の領域に設けられ、前記特定ビット線に前記ステータスレジスタが設けられている場合は、前記特定ビット線の前記ステータスレジスタが設けられている前記一部の領域以外の領域に設けられ、かつ、自半導体記憶装置に関する装置情報を記憶する少なくとも1つの第3記憶素子を備えた装置情報記憶領域と、
を備えた半導体記憶装置。 A main storage area comprising a plurality of first storage elements arranged corresponding to each of the intersections of the plurality of word lines and the plurality of bit lines;
Some of the regions, and some regions of a specific bit lines disposed in the main storage area outside and adjacent to the bit line of the word lines specified word line arranged outside the main storage area adjacent to the A status register for setting an operating state of the main storage area, comprising at least one second storage element provided in at least one of
Wherein if said status register to a particular word line is provided, wherein said status register of a particular word line is provided in the region other than the partial region that is provided, said status register to said specific bit line If provided, the said status register of a specific bit line provided in the region other than the partial region that is provided, and at least one third storage for storing device information regarding its own semiconductor memory device A device information storage area comprising elements;
A semiconductor memory device.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2011138464A JP5763440B2 (en) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | Semiconductor memory device |
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