JP3805188B2 - Composite memory module and selection method thereof - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、1つのパッケージ内に複数のICチップを搭載し、それれのチップと外部端子とを接続して形成される複合メモリモジュール及びその選別方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やコンピュータシステム等の機器の高性能化に伴い、それらの機器に搭載されるメモリ装置には、高密度かつ大容量のメモリチップが必要となっている。また同時に小型軽量な実装形態も求められている。そのため、複数のICチップを高密度実装に適したパッケージ内に搭載し、樹脂などで封止してなる複合メモリモジュール(装置)が作られている。
【0003】
図4は、複合メモリ装置の出荷前における一般的な工程の流れを示したフローチャートである。複合メモリモジュールは、それぞれのチップの作製に適した工程で各チップを作製し、必要な複数のチップを1つのパッケージに実装し、封止する組み立て(アセンブリ)工程(ステップS1)の後、最終テストにより良品であるか不良品であるかの判定が行われる(ステップS2)。良品と判定された複合メモリモジュールは、さらにバーンインと呼ばれる高温高圧の試験により初期不良のスクリーニングが行われ(ステップS3)、所定の出荷テスト(ステップS4)の後、良品と判定された複合メモリモジュールのみマーキング(ステップS5)、外観検査(ステップS6)を経て出荷される(ステップS7)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般に、最終テスト(S2)およびバーンイン(S3)を行ったモジュールの中には、搭載されている複数のメモリチップのうちパターン欠陥等による不良メモリチップが含まれている場合や、本来は正常に動作するチップ(以下、良品チップと称す)が、製造工程(実装工程)やテスト工程の途中で熱的もしくは電気的な過剰なストレスを受けて、正常に動作しなくなったチップ(以下、不良チップと称す)が含まれる場合がある。
【0005】
上記のように不良チップを有するモジュールは、その他のチップは正常に作動していても、その製品(モジュール)自体(全体)を不良品と判断し、従来は除去していた。そのため、歩留まり低下の要因となると共に、正常に動作するメモリチップの有効利用が望まれていた。
特に、従来は不良となった複合モジュールを別仕様(バージョン、ランク)に変更して再利用を図る場合には、その不良となった複合モジュールに対して別仕様(バージョン、ランク)のための選別テストを再度実施する必要があり、多大な費用と労力を必要とし、効率の悪いものであった。
【0006】
また、正常動作する複合メモリモジュールも、出荷後における経年変化等で特性が劣化したものについては、不良品として返品される可能性があり、この場合、早急に劣化の原因を究明すべく解析を行い、解析内容を製造工程にフイードバックして、より信頼性の高い製品を創り出す必要がある。
従って、各製品の製造工程途中での履歴、テスト時の履歴(あるいは市場での使用時の履歴等)を知ることが重要である。
【0007】
しかしながら、その不良品の製造履歴等を参照する場合には、製造工場の生産管理データを調べて履歴を追うこととなり、大変に時間と手間がかかり、解析の効率は良くなかった。
【0008】
本発明は、前記の問題点を解消するためになされたものであって、簡単に複合メモリモジュールの製造履歴等を参照でき、かつ、不良ICチップを含む複合メモリモジュールを有効活用し、歩留まりを向上することのできる複合メモリモジュールとその選別方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、次の構成を有する。
本発明の第1の要旨は、複数個のICチップを1つのパッケージ内に実装、封止している複合メモリモジュールにおいて、複数個のICチップのうちのいづれかが、不揮発性メモリチップであり、不揮発性メモリチップの所定の領域に複合メモリモジュール内の不揮発性メモリチップ以外のICチップの動作テストの結果を含む履歴情報書き込まれていることを特徴とする複合メモリモジュールにある。
【0010】
本発明の第2の要旨は、不揮発性メモリチップに書き込まれた履歴情報を特定の者のみが読み出せるようにするセキュリティ機能を備えたことを特徴とする要旨1記載の複合メモリモジュールにある。
【0011】
本発明の第3の要旨は、要旨1または2記載の複合メモリモジュールを選別する方法であって、不良品と判断された複合メモリ装置内の各ICチップの履歴情報を前記不揮発性メモリチップから読み出す読出工程と、読出工程で読み出した情報に基づいて、仕様変更の選別を行う選別工程と、を有することを特徴とする複合メモリモジュールの選別方法にある。
【0012】
本発明の第4の要旨は、選別工程は、履歴情報に含まれるにメモリ容量、動作速度、動作電圧、動作電流、スタンバイ電流、消費電流、動作温度範囲、機能等に関する評価結果情報に基づいてランク別に選別するようにしたことを特徴とする要旨3記載の複合メモリモジュールの選別方法にある。
【0013】
本発明の第5の要旨は、履歴情報に基づいて不具合のあるICチップを特定し、正常なICチップから電気的に切断する分離工程を有することを特徴とする要旨3または4記載の複合メモリモジュールの選別方法にある。
【0014】
【発明の実施の形態】
本実施形態に係る複合メモリモジュールは、複数のICチップの内、少なくとも1のICチップを不揮発性メモリチップにより構成し、その不揮発性メモリチップに複合メモリモジュール内のICチップに関するテスト、履歴データを書込、読出可能とするものである。
【0015】
すなわち、不揮発性メモリチップ、例えばフラッシュメモリは、不揮発性であるため、電源を切っても記録した情報は消えることはないので、後から、つまり複合メモリモジュールとして完成した後からでも、記録した情報を読み出すことが可能となるからである。このように、複合メモリモジュール自体の中に記録した履歴情報等を読み出すという簡単な操作によりその必要とする情報が参照でき、従来のように製造工場の生産管理データを調べる等の煩雑な作業が必要無くなり、迅速な対応が可能となる。
【0016】
一方、従来の複合メモリモジュールを構成していた不揮発性メモリチップ以外の通常のICチップは、記録した情報を電源を切っても記録した情報を消失しない機能をそれ自体には持っていないため、単体での出荷を行う複合メモリモジュールではその意味をなさず、前記したような従来の問題を生じる結果となっていた。
【0017】
また、本実施形態に係る複合メモリモジュールでは、テスト、履歴データを書き込んでおき、後にそのデータを参照するだけで、簡単に良品チップを判断でき、仕様変更等の再利用が簡単にできる。これにより、不良品として処理される複合メモリモジュールの割合を小さくして、実質的に歩留まりを向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。尚、前記した構成と同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【0018】
図1は、本発明に係る複合メモリモジュールの構成を例示する縦断面図である。CSP(Chip Size Package)の複合メモリモジュール1は、ICチップ2、4、及び不揮発性メモリチップ3を実装、封止してなる。5は、リードフレーム、6は半田ボール端子、7はパッド端子、8はボンディング配線を示している。
【0019】
本実施形態では、揮発性メモリチップ3とICチップ4は良品チップ、ICチップ2は不良チップと仮定する。また、ICチップ2、4は、不揮発性メモリチップまたはその他の機能のICチップで構成できる。
【0020】
1つのパッケージ1の中に実装、封止された3つのICチップ2、3、4のうち1つのICチップ2が不良チップと判定されると、従来は、この複合メモリモジュール1は不良品として処理されていた。
本実施の形態では、3つのICチップ2、3、4の製造履歴、テスト履歴を不揮発性メモリチップ3に記録することで、後の処理にて不良チップ2を読出して使用不能とするとともに、他の良品ICチップ3、4を使用することでメモリモジュール1の有効利用を図るものである。
【0021】
図2は、不揮発性メモリチップ3のメモリ領域の構成図である。図2において、31はフラッシュメモリのメインメモリ領域、32はフラッシュメモリ自身の製造履歴およびテスト履歴を記録する領域、33は複合メモリモジュール1内に搭載されている他のICチップ2、4の製造履歴およびテスト履歴を記録する領域を示している。ここで、「製造履歴」とは、製造日付や製造番号、ロット番号などの情報を意味し、「テスト履歴」とは、ICチップの動作スピード、スタンバイ電流、動作電流、動作温度範囲、テスト不良項目などの情報を意味する。
【0022】
前記メインメモリ領域31は、標準品としてユーザーに提供される領域であるため、16Mビットや、32Mヒット等といった標準的なメモリ容量を有している。これに対し履歴を記憶する領域32、33は、それぞれ数十から百バイト程度の小さな容量の記録エリアである。
【0023】
図3は、図1に示した複合メモリモジュールの組み立てから出荷に至る工程の流れを示したフローチャートである。
複合メモリモジュール1は、高密度実装に通したパッケージ内に複数(この例では3つ)のICチップ2、3、4を実装し封止する組み立て(アセンブリ)工程(ステップS1)の後、最終テスト(ステップS2)により良品であるか不良品であるかの判定が行われる。
【0024】
前記最終テストで良品(OK)と判定された複合メモリモジュール1は、さらにバーンイン(ステップS3)の高温高圧の試験により初期不良のスクリーニングが行われる。
【0025】
バーンイン試験後の出荷テストでは、図示しないテストソケット(試験装置)と接触するボール端子6、リードフレーム5、ボンディング配線8およびパッド端子7を通じて、各ICチップ2、3、4にテスト信号を入出力することにより実施される(ステップS4)。
また、最終、出荷テストでは、各ICチップ2、3、4それぞれの動作スピード、スタンバイ電流、動作電流等のテスト項目が行われる。
【0026】
この出荷テストにおいて、各ICチップ2、3、4それそれに対するテスト履歴データが確定した時点で、テスターを用いて確定した各ICチップの製造履歴およびテスト履歴情報が、不揮発性メモリ3内の所定の領域32、33に書き込まれる(ステップS4a、S4b)。その際、不揮発性メモリ3自身のテスト履歴は領域32に書き込まれ、その他のICチップ2、4のテスト履歴は領域33に書き込まれる。
【0027】
どちらのテスト履歴等も、製造者以外は知る必要はないので、製造者以外はこれらの領域22、23から情報を読み出せないようにしておく。例えば、ユーザーには公開しないテストモードに各チップを設定し、その状態において、外部からアドレスおよびデータを入力して各領域32、33を指定してデータを書き込む方法がある。
また、これらの領域32、33にはセキュリティのためにロックをかけ、製造者でなければ読出し・解除ができないようにしておく。その一つの方法として、記憶領域32および33に製造者のみが知り得るアクセス制限用のロックビットを付加しておき、テスト履歴等を書き込んだ後そのロックビットをセットする方法がある。メモリ内容を読み出すためには、製造者によりこのビットをリセットしなければならず、これにより、製造者以外はテスト履歴等を外部に読み出すことが出来ないようにできる。
【0028】
上記出荷テスト(S4)で良品(OK)と判定された複合メモリモジュール1は、テスト履歴および製造履歴の書き込み工程(S4a)の後、マーキング工程(S5)、外観検査工程(S6)を経て出荷(S7)される。
【0029】
一方、出荷テスト(S4)で不良品(NO)と判定された複合メモリモジュール1は、テスト履歴および製造履歴の書き込み工程(ステップS4b)の後、選別工程(ステップS4c)に移される。尚、本実施の形態では、テスト履歴および製造履歴の書き込み工程(S4b)を前記ステップS4aと別個に記載するが、ステップS4aにより行い、その後において選別工程(ステップS4c)に進んでもよい。
【0030】
前記選別工程(S4c)において、製造者は図示しない簡易テスタを使用して複合メモリモジュール1の不揮発性メモリ3から必要な履歴情報を読み出すことにより、複合メモリモジュール1をメモリ容量、動作スピード、消費電流、動作温度範囲、機能等に基づく仕様やランク別に選別することができる。本実施形態では、不揮発性メモリ3から読み出された履歴情報によってICチップ2が不良チップであることを知ることができるので、本来3チップ搭載品である複合メモリモジュール1を、2チップ搭載品すなわち2つのICチップ3、4のみ使用する別の製品として選別することができる。
【0031】
この例のように3チップ搭載品を2チップ搭載品に仕様変更する場合、不具合なICチップ2の外部電源端子を切断することによって、他の2つのICチップ3、4は悪影響を受けることなく正常に動作できるようにすることができる。
また、不揮発性メモリ3から動作速度、スタンバイ電流、動作温度範囲などのテスト情報を読み出すことにより(ステップS4c)、仕様やランク別に選別することができる(ステップS4d)。この工程で使用する簡易センサは、数十から数百バイト程度のデータを読み出すだけなので、出荷テスト時に使用されるもののように高速動作の必要はなく、安価なテスタで良いために、より臨機応変な対応ができる。
【0032】
このようにして選別された複合メモリモジュール1は、次の工程(ステップS5)で各仕様やランク別にマーキングが施され、外観検査(ステップS6)に合格した後、出荷(S14)される。
【0033】
このように、不良品と判断された複合メモリモジュール1内の不揮発性メモリチップ3に書き込まれている各ICチップ2、3、4の履歴情報に基づいて、その複合メモリモジュール1を所期の仕様と異なる別の仕様の製品として選別するようにしたことで、不良品として処理される複合メモリモジュール1の割合を小さくして、実質的に歩留まりを向上させ、複合メモリモジュール1の生産性を高めることができる。
【0034】
また、出荷後、市場での経年変化等で性能が劣化した複合メモリモジュール1が、不良品等として返品されてきた場合でも、出荷前のテスト履歴が複合メモリモジュール1自体に記録されていることにより、原因解析を容易に行うことができ、その解析結果を迅速に製造工程にフイードバックすることができる。
【0035】
なお、上記実施の形態では、3チップ搭載品の複合メモリモジュールについて説明したが、2チップ、4チップ以上のICチップを搭載した複合メモリモジュールについても有効に適用できることはいうまでもない。搭載しているチップ数が多いほど本発明は有効である。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の要旨によれば、複合メモリモジュールは、搭載されている不揮発性メモリチップの特定領域に、各ICチップの動作テストの結果を含む履歴情報が書き込まれているため、出荷前のテストなどで不良品と判断された場合でも、その不揮発性メモリチップから各ICチップの動作テストの結果を含む履歴情報を読み出すことにより、不良品化の原因となったICチップを特定できるので、不良でない残りのICチップを有効利用して、別の用途の製品などに転用することができる。その結果、不良品として処理される複合メモリモジュールの割合を小さくして、実質的に歩留まりを向上させ、複合メモリモジュールの生産性を高めることができる。
【0037】
また、出荷後における経年変化等で特性が劣化したものについても、出荷前のテスト履歴が複合メモリモジュール自体に記録されているため、原因解析を容易に行うことができ、その解析結果を迅速に製造工程にフイードバックすることができるので、より信頼性の高い製品を創り出すことができる。
【0038】
また、本発明の複合メモリモジュールの選別方法では、不良品と判断された複合メモリモジュール内の不揮発性メモリチップに書き込まれている各ICチップの履歴情報に基づいて当該複合メモリモジュールを所期の仕様と異なる別の仕様の製品として選別するようにしたので、不良品として処理される複合メモリモジュールの割合を小さくして、実質的に歩留まりを向上させ、複合メモリモジュールの生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る複合メモリモジュールの構成例を示した縦断面図である。
【図2】図1に示す複合メモリモジュールに搭載されている不揮発性メモリのメモリ領域の構成例を示した説明図である。
【図3】図1に示す複合メモリモジュールの組み立てから出荷に至る工程の流れを示したフローチャートである。
【図4】従来の複合メモリモジュールの組み立てから出荷に至る工程の流れを示したフローチャートである。
【符号の説明】
1 複合メモリモジュール
2、4 ICチップ
3 ICチップ(不揮発性メモリチップ)
31 メインメモリ領域
32 フラッシュメモリの製造履歴およびテスト履歴を記憶する領域
33 他のICの製造履歴およびテスト履歴を記憶する領域
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is equipped with a plurality of IC chips in a single package, to a multi-memory module and its selection method is formed by connecting their respective chip and the external terminals.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with high performance of devices such as mobile phones and computer systems, memory devices mounted on these devices are required to have high density and large capacity memory chips. At the same time, a compact and lightweight mounting form is also required. Therefore, a composite memory module (device) is produced in which a plurality of IC chips are mounted in a package suitable for high-density mounting and sealed with resin or the like.
[0003]
FIG. 4 is a flowchart showing a general process flow before shipping the composite memory device. In the composite memory module, each chip is manufactured by a process suitable for manufacturing each chip, a plurality of necessary chips are mounted in one package, and sealed (assembly) process (step S1), and then the final A test determines whether the product is a non-defective product or a defective product (step S2). The composite memory module determined to be a non-defective product is further screened for initial failure by a high-temperature and high-pressure test called burn-in (step S3), and after a predetermined shipping test (step S4), the composite memory module determined to be non-defective Only after marking (step S5) and appearance inspection (step S6), the product is shipped (step S7).
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, generally, a module that has undergone the final test (S2) and burn-in (S3) includes a defective memory chip due to a pattern defect or the like among a plurality of mounted memory chips. A chip that operates normally (hereinafter referred to as a non-defective chip) is subjected to excessive thermal or electrical stress during the manufacturing process (mounting process) or testing process, and the chip that does not operate normally (hereinafter referred to as “chip”). May be included).
[0005]
As described above, a module having a defective chip has been removed as a result of determining that the product (module) itself (whole) is a defective product even if other chips are operating normally. Therefore, it has been desired to effectively use a memory chip that causes a decrease in yield and operates normally.
In particular, when a compound module that has been defective in the past is changed to another specification (version, rank) and reused, the compound module that has become defective can be used for another specification (version, rank). The screening test had to be performed again, requiring a lot of cost and labor, and was inefficient.
[0006]
Also, composite memory modules that operate normally may be returned as defective if their characteristics have deteriorated due to aging, etc. after shipment.In this case, analysis should be conducted to determine the cause of deterioration as soon as possible. It is necessary to feed back the analysis contents to the manufacturing process and create a more reliable product.
Therefore, it is important to know the history of each product during the manufacturing process, the history of testing (or the history of use in the market, etc.).
[0007]
However, when referring to the manufacturing history or the like of the defective product, the production management data of the manufacturing factory is checked and the history is followed, which takes a lot of time and effort, and the analysis efficiency is not good.
[0008]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and can easily refer to the manufacturing history of the composite memory module, etc., and can effectively use the composite memory module including the defective IC chip to reduce the yield. It is an object of the present invention to provide a composite memory module that can be improved and a selection method thereof.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
The first aspect of the present invention, mounting a plurality of IC chips in one package, in the composite memory module is sealed, either of the plurality of IC chips, be non-volatile memory chips , the predetermined area of the nonvolatile memory chip, in the multi-memory module, wherein the history information including the result of the operation test of the non-volatile memory chips other than the IC chip in the multi-memory module is write rarely written .
[0010]
According to a second aspect of the present invention, there is provided the composite memory module according to the first aspect, which includes a security function that allows only a specific person to read history information written in the nonvolatile memory chip.
[0011]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for selecting the composite memory module according to the first or second aspect, wherein history information of each IC chip in the composite memory device determined to be defective is obtained from the nonvolatile memory chip. A method for selecting a composite memory module , comprising: a reading step for reading, and a selecting step for selecting specification changes based on information read in the reading step.
[0012]
According to a fourth aspect of the present invention, the selection step is based on evaluation result information relating to memory capacity, operating speed, operating voltage, operating current, standby current, current consumption, operating temperature range, function, etc. included in the history information. The composite memory module selection method according to the third aspect, wherein the selection is performed by rank.
[0013]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a composite memory according to the third or fourth aspect, comprising a separation step of identifying a defective IC chip based on history information and electrically disconnecting from a normal IC chip. It is in the module selection method.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the composite memory module according to the present embodiment, at least one of the plurality of IC chips is configured by a nonvolatile memory chip, and tests and history data regarding the IC chip in the composite memory module are stored in the nonvolatile memory chip. It can be written and read.
[0015]
In other words, since the nonvolatile memory chip, for example, the flash memory is nonvolatile, the recorded information does not disappear even when the power is turned off. Therefore, the recorded information will be recorded later, that is, even after completion as a composite memory module. This is because it is possible to read out. In this way, it is possible to refer to necessary information by a simple operation of reading out history information recorded in the composite memory module itself, and troublesome work such as checking production management data of a manufacturing factory as in the past. It is no longer necessary and quick response is possible.
[0016]
On the other hand, a normal IC chip other than the non-volatile memory chip that constitutes the conventional composite memory module does not have a function that does not erase the recorded information even if the recorded information is turned off. A composite memory module that is shipped alone does not make sense, and results in the conventional problems as described above.
[0017]
Further, in the composite memory module according to the present embodiment, it is possible to easily determine a non-defective chip by simply writing test and history data and referring to the data later, and it is possible to easily reuse the specification change and the like. Thereby, the ratio of the composite memory module processed as a defective product can be reduced, and the yield can be substantially improved.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as above-described structure, and description is abbreviate | omitted.
[0018]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating the configuration of a composite memory module according to the present invention. A composite memory module 1 of CSP (Chip Size Package) is formed by mounting and sealing IC chips 2 and 4 and a nonvolatile memory chip 3. 5 is a lead frame, 6 is a solder ball terminal, 7 is a pad terminal, and 8 is a bonding wiring.
[0019]
In the present embodiment, it is assumed that the volatile memory chip 3 and the IC chip 4 are good chips, and the IC chip 2 is a defective chip. Further, the IC chips 2 and 4 can be constituted by a nonvolatile memory chip or an IC chip having other functions.
[0020]
If one IC chip 2 out of the three IC chips 2, 3, 4 mounted and sealed in one package 1 is determined as a defective chip, the composite memory module 1 is conventionally regarded as a defective product. Had been processed.
In the present embodiment, the manufacturing history and test history of the three IC chips 2, 3, 4 are recorded in the nonvolatile memory chip 3, so that the defective chip 2 can be read out and disabled in later processing, By using other non-defective IC chips 3 and 4, the memory module 1 can be effectively used.
[0021]
FIG. 2 is a configuration diagram of a memory area of the nonvolatile memory chip 3. In FIG. 2, 31 is a main memory area of the flash memory, 32 is an area for recording the manufacturing history and test history of the flash memory itself, and 33 is the manufacturing of other IC chips 2 and 4 mounted in the composite memory module 1. An area for recording history and test history is shown. Here, “manufacturing history” means information such as manufacturing date, manufacturing number, lot number, etc., and “test history” means IC chip operating speed, standby current, operating current, operating temperature range, test failure Means information such as items.
[0022]
Since the main memory area 31 is an area provided to the user as a standard product, it has a standard memory capacity such as 16M bits or 32M hits. On the other hand, the history storage areas 32 and 33 are recording areas with a small capacity of about several tens to one hundred bytes.
[0023]
FIG. 3 is a flowchart showing a process flow from assembly to shipment of the composite memory module shown in FIG.
The composite memory module 1 is assembled after the assembly (assembly) step (step S1) for mounting and sealing a plurality (three in this example) of IC chips 2, 3, and 4 in a package that has been subjected to high-density mounting. A test (step S2) determines whether the product is a good product or a defective product.
[0024]
The composite memory module 1 that is determined to be non-defective (OK) in the final test is further screened for initial defects by a high-temperature and high-pressure test of burn-in (step S3).
[0025]
In the shipping test after the burn-in test, test signals are inputted to and outputted from the IC chips 2, 3, and 4 through the ball terminal 6, the lead frame 5, the bonding wiring 8, and the pad terminal 7 that are in contact with a test socket (test apparatus) (not shown). (Step S4).
In the final shipment test, test items such as the operation speed, standby current, and operation current of each IC chip 2, 3, and 4 are performed.
[0026]
In this shipping test, when the test history data for each IC chip 2, 3, 4 is determined, the manufacturing history and test history information of each IC chip determined using a tester is stored in the nonvolatile memory 3. Are written in the areas 32 and 33 (steps S4a and S4b). At that time, the test history of the nonvolatile memory 3 itself is written in the area 32, and the test histories of the other IC chips 2 and 4 are written in the area 33.
[0027]
Since neither of the test histories needs to be known except by the manufacturer, information other than the manufacturer cannot be read from these areas 22 and 23. For example, there is a method in which each chip is set in a test mode that is not open to the user, and in that state, an address and data are input from the outside, the areas 32 and 33 are specified, and data is written.
These areas 32 and 33 are locked for security so that only the manufacturer can read and release them. As one of the methods, there is a method in which a lock bit for access restriction that only the manufacturer can know is added to the storage areas 32 and 33, and the lock bit is set after writing a test history or the like. In order to read out the memory contents, this bit must be reset by the manufacturer, so that other than the manufacturer cannot read out the test history or the like.
[0028]
The composite memory module 1 determined as OK (OK) in the shipping test (S4) is shipped through the marking process (S5) and the appearance inspection process (S6) after the test history and manufacturing history writing process (S4a). (S7).
[0029]
On the other hand, the composite memory module 1 determined to be defective (NO) in the shipping test (S4) is moved to the selection process (step S4c) after the test history and manufacturing history writing process (step S4b). In the present embodiment, the test history and manufacturing history writing process (S4b) is described separately from step S4a. However, the process may be performed in step S4a and then proceed to the selection process (step S4c).
[0030]
In the sorting step (S4c), the manufacturer reads the necessary history information from the non-volatile memory 3 of the composite memory module 1 using a simple tester (not shown), so that the composite memory module 1 has a memory capacity, operation speed, and consumption. It is possible to sort by specification or rank based on current, operating temperature range, function, etc. In this embodiment, since it can be known from the history information read from the nonvolatile memory 3 that the IC chip 2 is a defective chip, the composite memory module 1 that is originally a 3-chip mounted product is replaced with a 2-chip mounted product. That is, it can be selected as another product that uses only two IC chips 3 and 4.
[0031]
When the specification is changed from the 3-chip mounted product to the 2-chip mounted product as in this example, the other two IC chips 3 and 4 are not adversely affected by disconnecting the external power supply terminal of the defective IC chip 2. It can be made to operate normally.
Further, by reading test information such as the operating speed, standby current, operating temperature range, etc. from the nonvolatile memory 3 (step S4c), it is possible to sort by specification and rank (step S4d). The simple sensor used in this process only reads out tens to hundreds of bytes of data, so there is no need for high-speed operation unlike that used during shipping tests, and a cheap tester can be used. Can respond.
[0032]
The composite memory module 1 thus selected is marked for each specification and rank in the next step (step S5), and after passing the appearance inspection (step S6), is shipped (S14).
[0033]
Thus, based on the history information of each IC chip 2, 3, 4 written in the nonvolatile memory chip 3 in the composite memory module 1 determined to be defective, the composite memory module 1 is treated as intended. By selecting as a product with a different specification from the specification, the ratio of the composite memory module 1 processed as a defective product is reduced, the yield is substantially improved, and the productivity of the composite memory module 1 is increased. Can be increased.
[0034]
In addition, even if the composite memory module 1 whose performance has deteriorated due to aging in the market after shipment is returned as a defective product, the test history before shipment is recorded in the composite memory module 1 itself. Therefore, the cause analysis can be easily performed, and the analysis result can be quickly fed back to the manufacturing process.
[0035]
In the above-described embodiment, a composite memory module having a three-chip mounting product has been described. Needless to say, the present invention can also be effectively applied to a composite memory module having two, four, or more IC chips. The greater the number of chips mounted, the more effective the present invention.
[0036]
【The invention's effect】
As described above, according to the gist of the present invention, in the composite memory module, history information including the result of the operation test of each IC chip is written in a specific area of the mounted nonvolatile memory chip. Even if it is determined as a defective product in a test before shipment, the history information including the result of the operation test of each IC chip is read from the non-volatile memory chip, so that the IC chip causing the defective product can be determined. Since it can be identified, the remaining IC chip that is not defective can be effectively used and diverted to a product for another use. As a result, the ratio of the composite memory module processed as a defective product can be reduced, the yield can be substantially improved, and the productivity of the composite memory module can be increased.
[0037]
In addition, even for those whose characteristics have deteriorated due to aging, etc. after shipment, the test history before shipment is recorded in the composite memory module itself, so the cause analysis can be performed easily, and the analysis results can be quickly obtained. Since it can be fed back to the manufacturing process, a more reliable product can be created.
[0038]
Further, according to the composite memory module selection method of the present invention, the composite memory module is determined based on the history information of each IC chip written in the nonvolatile memory chip in the composite memory module determined to be defective. Since the product is selected as a product with a different specification from that of the specification, the ratio of the composite memory module processed as a defective product can be reduced to substantially improve the yield and increase the productivity of the composite memory module. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration example of a composite memory module according to the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration example of a memory area of a nonvolatile memory mounted on the composite memory module shown in FIG. 1;
3 is a flowchart showing a process flow from assembly to shipment of the composite memory module shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a flowchart showing a process flow from assembly to shipment of a conventional composite memory module.
[Explanation of symbols]
1 Compound memory module 2, 4 IC chip 3 IC chip (nonvolatile memory chip)
31 Main memory area 32 Area for storing manufacturing history and test history of flash memory 33 Area for storing manufacturing history and test history of other ICs

Claims (5)

複数個のICチップを1つのパッケージ内に実装、封止している複合メモリモジュールにおいて、
前記複数個のICチップのうちのいづれかが、不揮発性メモリチップであり
前記不揮発性メモリチップの所定の領域に該複合メモリモジュール内の該不揮発性メモリチップ以外のICチップの動作テストの結果を含む履歴情報書き込まれていることを特徴とする複合メモリモジュール
In a composite memory module in which a plurality of IC chips are mounted and sealed in one package,
Either of said plurality of IC chips is a non-volatile memory chips,
Wherein the predetermined area of the nonvolatile memory chip, the multi-memory modules, wherein the history information including the result of the operation test of the nonvolatile memory chips than the IC chip within the composite memory module is write rarely written .
前記不揮発性メモリチップに書き込まれた前記履歴情報を特定の者のみが読み出せるようにするセキュリティ機能を備えたことを特徴とする請求項1記載の複合メモリモジュール2. The composite memory module according to claim 1, further comprising a security function that allows only a specific person to read the history information written in the nonvolatile memory chip. 請求項1または2記載の複合メモリモジュールを選別する方法であって、
不良品と判断された複合メモリモジュール内の各ICチップの前記履歴情報を前記不揮発性メモリチップから読み出す読出工程と、
前記読出工程で読み出した情報に基づいて、仕様変更の選別を行う選別工程と、を有することを特徴とする複合メモリモジュールの選別方法。
A method for selecting a composite memory module according to claim 1, comprising:
A reading step of reading the history information of each IC chip in the composite memory module determined to be defective from the nonvolatile memory chip;
On the basis of the information read by the reading step, selecting a composite memory module and having a, a sorting step for sorting the specification change.
前記選別工程は、前記履歴情報に含まれる評価結果情報に基づいてランク別に選別するようにしたことを特徴とする請求項3記載の複合メモリモジュールの選別方法。4. The method for selecting a composite memory module according to claim 3, wherein the selecting step selects each rank based on evaluation result information included in the history information. 前記履歴情報に基づいて不具合のあるICチップを特定し、正常なICチップから電気的に切断する分離工程を有することを特徴とする請求項3または4記載の複合メモリモジュールの選別方法。5. The method of selecting a composite memory module according to claim 3, further comprising a separation step of identifying a defective IC chip based on the history information and electrically disconnecting from a normal IC chip.
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