JP5754830B2 - 精密運動装置 - Google Patents
精密運動装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5754830B2 JP5754830B2 JP2014513054A JP2014513054A JP5754830B2 JP 5754830 B2 JP5754830 B2 JP 5754830B2 JP 2014513054 A JP2014513054 A JP 2014513054A JP 2014513054 A JP2014513054 A JP 2014513054A JP 5754830 B2 JP5754830 B2 JP 5754830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- electrode
- crystal
- axis
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Ta] Chemical compound [Li].[Ta] AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/02—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/206—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using only longitudinal or thickness displacement, e.g. d33 or d31 type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/208—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using shear or torsion displacement, e.g. d15 type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/871—Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
- H10N30/878—Conductive materials the principal material being non-metallic, e.g. oxide or carbon based
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
この装置の問題は、入力された変位への精度がかなり低いことと、結果の再現性が低いこととにあり、これはヒステリシスと材料のクリープ歪みとに起因する。
プロファイロメータと走査プローブ顕微鏡をテストするために用いられる、より精密に動作する装置が知られている。この装置は、マイクロエレクトロニクスによる、階段状のリセスを有する単結晶プレートを備え、各ステップは同一の高さである(U.S.6,028,008)。
この装置にもいくつかの問題がある。この装置では、一方向の線形変位、即ち深さ、のみが計測可能である。製造にエッチングを用いると、ステップ高さの現実の精度は数原子層程度となり、シリコンの結晶格子パラメータが0.5nmであることを考えると、ステップ高さの不定性は5-7nmとなり、一群の応用には不適当である。
異なる幅のナノメータ領域のリセスを有する類似の装置が、面のキャリブレーションに用いられている。しかし製造にはナノテクノロジープロセスが必要である。
これらの装置の問題は、ダストの付着、表面への別の層の付着、マイグレーション、拡散、酸化等の物理化学的なプロセスの発生に伴う、サイズの不安定性である。
本発明に最も近い一般的な精密運動装置として、圧電材料のプレートのボトムに、プレートの対向する2面に電極が取り付けられ、電極が電圧源に接続するものが知られている(WO 2006/083191A1)。
この装置の問題は、装置パラメータの不安定性、特に使用中の長期安定性の不足にある。
この発明により表される精密運動装置は、使用中にパラメータに従って動作し、変位の程度の不確定性が小さい。
この発明の各実施例は、1つの同じ技術的な結果を、再現性がありかつ正確に達成し、さらに使用中のパラメータを保証し、変位の不確定性を小さくすることを目的とする。
このことは、本発明による精密運動装置の第1の実施例により達成され、本発明の主題によれば、ボトムに接続された圧電材料のプレートの対向する両面に電極が設けられ、各電極は電圧源に接続され、dc電圧が電極に加えられると、サイズが変化しかつ電極面に平行な方向に沿って長方形のプレートの形状を変化させ、さらに複数枚の同一の圧電材料のプレートがボトムとの間に配置され、各プレート間に弾性電極が設けられて、同一の値で同方向の電圧が加えられる。
上記の結果は、圧電材料のプレートを低ヒステリシス材料で構成することによっても、達成される。
上記の結果は、圧電材料のプレートを低クリープ歪みの材料で構成することによっても、達成される。
圧電材料製のプレートにより支持された精密運動装置の実施例では、各プレートに小さな電圧を加え、合計として必要な装置の変位を、電極の長方形の面の方向に、あるいは対応する向きの面の方向に、発生させることができる。
プレート間に弾性電極を配置すると、弾性電極は各プレートの幾何的サイズの変化に影響しないので、ボトムとの接触面あるいはプレート間にメカニカルな応力が発生しなくなり、プレートに加わる力を実質的に0にできる。このようにすると、装置のパラメータが使用中に変化することが少なくなり、動作パラメータに従って装置が動作する時間が相当程度に延長されて、長期間の精度を得ることができる。
プレートを、(外部電界Eをサイクリックに変化させた際に、強誘電性分極がループ状に変化しない)低ヒステリシスで(制御電解の値が変化した際の応答が遅い)低クリープ歪みの材料で構成することが最も好ましい。
この場合、各プレートの幾何的サイズが制御値から外れることが少なくなり、かつパラメータの安定性が増す。低ヒステリシスでかつ低クリープ歪みの圧電性性のプレートと、プレートの対向する両面に取り付けられ、電圧源に接続された電極を備えている精密運動装置の開発により、電圧が電極に加えられた際の、圧電体プレートの小さく極めて極くかつ極く僅かな変位の再現性を保証できる。これに応じて、計測誤差の許容範囲が定まると、この範囲内に誤差が収まる範囲のヒステリシスの適当な材料を選択することができる。逆の圧電効果を有するため、単結晶はヒステリシスとクリープ歪みが最小であり、単結晶の圧電材料によりプレートを構成することがもっと好ましい。
プレートの対向する平行な2面に電極が取り付けられ、電極は電圧源に接続され、電極に電圧を加える、誘電体のプレートを用いる精密運動装置の開発により、電極に平行な面の方向でのプレートのサイズ変化に関して、プレートの垂直面に電極が取り付けられ、かつコンソールのボトムに取り付けられ、ボトムは電極に垂直な面のエリアを介して読み取り面に接続されているプレートの取り付けに関して、垂直面の方向での変位領域を著しく増すことが可能になる。事実、プレートの対向する両面に電極が取り付けられ、電極は電圧源に接続されて電極面に平行な方向にプレートのサイズを変化させ、電極に電圧を加えると、圧電材料製のプレートを有する実施例では、電極面の方向に沿って大きな変位が得られる。プレートの対向する両面に電極が取り付けられ、電極は電圧源に接続されている、圧電材料製のプレートを含む実施例では、電圧を電極に加えた際に、電極面に直角な方向にプレートのサイズを変化させることができる。
装置には圧電材料の第2のプレートが取り付けられ、第2のプレートは第1のものと同一で、電極がコンソールに固定され、コンソールは読み取りエリアに、即ち、その垂直面に取り付けられ、第1のプレートが取り付けられたものとは反対側にある。第2の電極は第3のコンソールの垂直なエリアに接続され、このコンソールはボトムに接続されている。このため、(等しくかつ逆向きの圧電プレートの平行な変位のために)、読み取りエリア付きのコンソールの平行な変位を補償できる。外部振動に関する、曲げ強度を増し、クリープ歪みを小さくできる。プレートは、低ヒステリシスで、クリープ歪みが小さい単結晶であることが、正確な変位を実現するために好ましい。
この効果は、プレートの材質を低ヒステリシスにすることによってのみ得られる。
この効果はまた、プレートの材質を低クリープ歪みにすることによってのみ得られる。
本発明の主題として選ばれたものに関して、公知の装置の問題は、環境温度の変化とプレートの横移動とにより、電圧が加えられた際に、プレートの幾何的サイズが変化する可能性があることである。このような状況は、使用中の装置のパラメータへの追随性に悪影響を及ぼし、かつ変位の不確定性をもたらす。
第1のコンソールの下部水平エリア上の上部電極と、水平に調整されたU−字状のコンソールの下部ヘッドピース(第2のコンソールのU−字状の下部の脚)の上部水平エリア上の下部電極への、第1のプレートの取り付け、及び、第1のプレートと同様に、第2のコンソールの上部ヘッドピース(第2のコンソールのU−字状の上部の脚)の上部エリアの下部電極への第2のプレートの取付は、プレートの幾何的サイズの変化の影響を除去する。即ち、制御電圧による横移動の結果として、環境温度の変化の影響が除去されるように、読み取りエリアが変位する。装置(とそれに伴って2枚のプレート)が温度変化する環境に実際に置かれ、あるいは制御電圧の影響を受け、第1の(下部)プレートが膨張すると、第1のプレートが取り付けられている、U−字状の第2のコンソールの下部ヘッドピースは、下向きに変位し、U−字状の第2のコンソールの上部ヘッドピースの変位を引き起こす。これに取り付けられた第2のプレートは、膨張して読み取りエリアを、P−字状のコンソールが下向きに変位する距離まで、上向きに引き上げ、第1の下部プレートは横向きに変位して、温度補償を行う。
上記の結果は、低クリープ歪み材料のプレートを用いることによっても達成される。
この発明の他の実施例に比べ、上記の実施例は、ボトムと圧電材料製のプレートが等しい熱膨張率を持つ点にある。このため、温度変化はメカニカルな応力をもたらさない。このような応力が生じると、ボトムに対するプレートの変位のため、取付部にメカニカルな応力が生じ、動作特性の変化とメカニカルな破断が生じる。プレートが複数の部分に分離されると、これらの条件で力が加わり、電極との接触エリアがプレート全面よりも狭くなることに加え、ボトムに対するプレートの変位に作用する。ボトムと圧電材料製のプレートの熱膨張率の相違が、上記の現象を引き起こす。このようにして、装置が動作特性に従って安定して動作する期間が延長される。
プレートをキャリアで被覆することは、外部からのメカニカルな影響に対する、使用中の安定性と精密運動に対するメカニカルな安定性を増し、かつ外部負荷を均一に分配し、保護効果がある。キャリアの熱膨張率はボトムの熱膨張率と等しくし、温度変化に対して、プレートの上部のエリアと下部のエリアの電極へのメカニカルな応力を避けるようにする。
上記の結果は、低ヒステリシスの材料でプレートを構成することによっても得られる。
上記の結果は、低クリープ歪みの材料でプレートを構成することによっても得られる。
上記の結果は、物質の1原子〜数百ナノメータの厚のマーキングが少なくとも1個、上部読み取りエリアに設けられることによっても得られる。
中間スペースを有する2個のキャリアによりプレートを被覆することにより、プレートの熱膨張の影響を排除し、上部読み取りエリアの制御された変位を計測する際に、計測時間を短縮できる。このことは、熱的なドリフト、メカニカルな緩和等のために、計測装置の位置が緩慢に変化する際の影響を小さくする。
精密運動装置の要旨を、具体例と添付の図面とにより説明する。
圧電材料は任意の材料で良く、また多結晶でも良い。しかしヒステリシスとクリープ歪みの程度が小さい単結晶を用いることが、最も有効である。ニオブ酸リチウム、ニオブ酸ストロンチウム−バリウム、ニオブ酸バリウム−ソディウム、及び圧電効果を有する他の結晶を用いることができる。厚さ0.5μm未満の弾性電極3は、公知の方法により、プレート2の対向する2面に設けられる。電極材料には、Cr、Cu,またはInを用いることが、最も適している。サファイヤあるいはダイアモンド状の材料製の、読み取りあるいは保護用の層あるいは面4が、最上部の電極の表面に設けられる。
装置は以下のように用いられる。
最初に、電極間に加える電圧の極性を等しくしかつ値を同じにして、精密運動装置のサイズ変化が、電圧にどのように依存するかを測定し、較正図を作成する。較正図を作成するには、装置の電極間に定められた電圧を加え、ベースモジュールを成す一群の圧電プレートの、読み取りあるいは保護用の層あるいは面4の、対応する変位を計測する。
(原子間力顕微鏡と3つのレーザ干渉計とに基づく)3D領域でのレーザ支援干渉システムにより、ナノ運動を計測する公知の方法により、変位を計測する。
電極に対する長方形のエリアの変位を計測するため、装置をナノ運動の計測システムに取り付ける。顕微鏡のプローブを装置の表面に、安定化システムが作用する距離まで、接近させる。装置に電圧を加え、その際の変位により装置の面4が変位する距離を計測する必要がある。次いで、加える電圧の値を変化させ、装置表面の変位の値を再度測定する。
電圧値を変えて、変位を複数回測定すると、実験結果を示すテーブルが得られる。それに基づいて、較正図が得られる。較正図は、加えた電圧値に対する、電極の長方形のエリアでの、変位値の依存性を示す。
本発明の装置により、様々な計測装置を較正できる。
(例えばプローブ顕微鏡の)任意の群を、探索エリアに対する法線に沿って較正するため、精密測定用に推奨される実施例の装置をそこに配置する。例えば、走査型のプローブ顕微鏡を較正する場合、実施例の装置を走査型プローブ顕微鏡の対応するテーブル上に配置し、上部プローブと表面との距離が安定化システムが動作する距離(0.5nmオーダー)で、装置の表面へのプローブのマーキングをプロットする必要がある。プローブの安定化は、(トンネリング顕微鏡条件で使用する場合)トンネル電流を安定化することによりなされ、(原子間力顕微鏡条件で使用する場合)プローブに作用する力の値を安定化することによりなされる。距離の安定化は電子制御システムによりなされ、それは計測装置の信号を所定の値に等しくするように、制御信号を発生する。
試験対象の計測装置を垂直方向に較正する場合、精密運動装置の電極に固定の電圧を加え、垂直方向の変位を起こさせる。ここで、装置のエリアを較正テーブルに従った値で変位させる。距離の安定化システムは、パターンのエリアが変位する距離に応じて、プローブを変位させる。プローブの変位量は、プローブ顕微鏡の計測装置により計測される。このようにして、プローブ顕微鏡の計測装置の変位量は、対応する距離と比較され、この距離は較正曲線から取り出され、かつ装置のエリアはこの距離に変位される。そして前記の計測装置は距離を計測し、計測装置上でプローブが変位させられる。次いで、装置に加える電圧を変え、計測操作を繰り返す。電圧値を変えて数回の測定を行うと、装置の変位とプローブの運動を計測するプローブ顕微鏡の変位との比を表すテーブルが得られる。
多結晶のものを含む、任意の公知の材料が圧電材料として用い得る。しかし、ヒステリシスとクリープ歪みとの程度が小さい単結晶を用いることが最適である。このように、ニオブ酸リチウム、タンタル−リチウム、ニオブ酸ストロンチウム−バリウム、ニオブ酸バリウム−ソディウム、その他圧電効果を示す材料の単結晶を用いることができる。Cr,Cu,またはInの電極3は、公知の方法により2つの対向面に設けられる。
装置は以下のように動作する。電源からの電圧を電極3(不図示)に加え、圧電材料製のプレート2を図2に示すように変形させる。その結果、T−字状のコンソール5は、ボトム1に対して、印加電圧に依存して、昇降する。
装置は以下のように動作する。電源からの電圧を電極3(不図示)に加え、圧電材料製のプレート2を図2に示すように変形させる。その結果、T−字状のコンソール5は、ボトム1に対して、印加電圧の極性に依存して、昇降する。
この装置は、例1で記載したように使用する。
装置は以下のように動作する。電源からの電圧を電極3(不図示)に加え、圧電材料製のプレート2を変形させる。その結果、読み取りエリア4は側方へ移動する。この装置は、例1で記載したように使用する。
装置は以下のように動作する。電源からの電圧を電極(不図示)に加え、圧電材料製のプレート2を変形させ、読み取りエリア4を、上下にあるいは水平に変位させる。この変位は、材料と結晶格子の軸の配向とに依存し、また電圧の極性に依存する。この装置は、例1で記載したように使用する。
装置は以下のように動作する。
電源からの電圧をプレート2の電極に加え、読み取りエリア4をボトム1に対して異なる方向に変位させる。
圧電プレートは、各々のベースモジュール内に、互いに平行に配置されている。読み取りエリア4を互いに異なる方向に変位させることができる。2つの群の読み取りエリアは、ボトム1の表面に対して直角に逆方向に変位するか、ボトムに平行に逆方向に変位する。各群の読み取りエリア4は、互いに直角な方向に(一方はボトムに平行に、他方はボトムに直角に)変位することができる。この装置は、例1で記載したように使用する。
Claims (8)
- 圧電材料のプレート(2)と、プレートの互いに対向する複数の面に平行に設けられ、かつ制御された電圧の電圧源に接続自在な電極(3)とを備え、電圧によりプレート(2)の形状もしくはサイズを変化させ、少なくとも1個の電極(3)が弾性であるように構成されているベースモジュール(10)を備え、
プレート(2)は、多結晶材料に比べ、低ヒステリシスでかつ低クリープ歪みの材料により単結晶状に構成され、
プレートのサイズもしくは形状が、電極に対し直角、もしくは平行に、あるいはこれらの重ね合わせとして変化するように、結晶格子の軸に基づく結晶の軸(結晶軸)の配向が、電極を含む面に関して選択され、
保護あるいは読み取り用の層もしくは面(4)が、非弾性電極(3.1)を介して、ベースモジュール(10)の上部自由面に固定され、
かつ保護あるいは読み取り用の層もしくは面(4)が、ベースモジュール(10)の上部自由面から遠ざかる底面に、非弾性電極(3.2)を介して取り付けられていることを特徴とする、精密運動装置。 - 同一のプレート(2)及びまたはベースモジュール(10)が複数重ねられて、プレート(2)を構成し、それらの間に電極(3)が設けられ、各電極(3)は弾性で、同方向で同じ値の電圧(U)が各電極(3)に加えられることを特徴とする、請求項1の精密運動装置。
- 圧電材料のプレート(2)と、プレートの互いに対向する複数の面に平行に設けられ、かつ制御された電圧の電圧源に接続自在な電極(3)とを備え、電圧によりプレート(2)の形状もしくはサイズを変化させ、少なくとも1個の電極(3)が弾性であるように構成された、ベースモジュール(10)を備え、
プレート(2)は、多結晶材料に比べ、低ヒステリシスでかつ低クリープ歪みの材料により単結晶状に構成され、プレートのサイズもしくは形状が、電極に対し直角、もしくは平行に、あるいはこれらの重ね合わせとして変化するように、結晶格子の軸に基づく結晶の軸(結晶軸)の配向が、電極を含む面に関して選択され、
ボトム(1)と、少なくともボトム(1)に直角に延びる第1の面(6)を備える第1のコンソールと、
保護あるいは読み取り用の層もしくは面(4)を有するクロスビームと、それに直角な境界ウェブを中央部に有するT−字状の第2のコンソール(5)が設けられ、
ベースモジュール(10)は第2のコンソール(5)のウェブと第1のコンソールの面(6)の間に設けられ、前記の面はボトム(1)に直角に延びることを特徴とする、精密運動装置。 - ボトム(1)に属する第1のコンソールがU−字状に設けられて、ボトム(1)に直角に延びる第2の面を有し、第1のベースモジュールと、結晶格子の軸に基づく、結晶軸の方向に関しても同一のさらに他のベースモジュール(10)が、第2の面と第2のコンソール(5)の間に設けられ、電圧を加えると、各プレートが同方向に運動することを特徴とする、請求項3の精密運動装置。
- 圧電材料のプレート(2)と、プレートの互いに対向する複数の面に平行に設けられ、かつ制御された電圧の電圧源に接続自在な電極(3)とを備え、電圧によりプレート(2)の形状もしくはサイズを変化させ、少なくとも1個の電極(3)が弾性であるように構成されているベースモジュール(10)を備え、
プレート(2)は、多結晶材料に比べ、低ヒステリシスでかつ低クリープ歪みの材料により単結晶状に構成され、
プレートのサイズもしくは形状が、電極に対し直角、もしくは平行に、あるいはこれらの重ね合わせとして変化するように、結晶格子の軸に基づく結晶の軸(結晶軸)の配向が、電極を含む面に関して選択され、
ボトム(1)に面しかつそれに平行に延びる、少なくとも1個の第1の面(6.1)を有する第1のL−字状のコンソールと、
U−字状のウェブにより接続された2個のU−字状の脚を有する、U−字状の第3のコンソール(7)を備え、
ボトム(1)に面する第1のU−字状の脚は、第1の面(6.1)に面し、かつそれに平行に延びる第2の面(7.2)を備え、
第2のU−字状の脚は、ボトムから遠ざかりかつ第1及び第2の面と平行に延びる第3の面(7.3)を備え、
結晶格子の軸に基づく、結晶軸の方向に関しても同一のベースモジュール(10)が、第1(6.1)及び第2の面(7.2)の間と、第3の面(7.3)及び保護あるいは読み取り用の層もしくは面の間(4)に設けられ、
第1〜第3の面(6.1,7.2,7.3)に対するプレート(2)の運動が、電圧を加えると、同方向及びそれに直角な方向及び逆方向に生じることを特徴とする、精密運動装置。 - 圧電材料のプレート(2)と、プレートの互いに対向する複数の面に平行に設けられ、かつ制御された電圧の電圧源に接続自在な電極(3)とを備え、電圧によりプレート(2)の形状もしくはサイズを変化させ、少なくとも1個の電極(3)が弾性であるように構成されているベースモジュール(10)を備え、
プレート(2)は、多結晶材料に比べ、低ヒステリシスでかつ低クリープ歪みの材料により単結晶状に構成され、
プレートのサイズもしくは形状が、電極に対し直角、もしくは平行に、あるいはこれらの重ね合わせとして変化するように、結晶格子の軸に基づく結晶の軸(結晶軸)の配向が、電極を含む面に関して選択され、
互いに平行な複数のカバー層を有する中間層(8)が、保護あるいは読み取り用の層もしくは面(4)、とベースモジュール(10)の電極(3)の上部との間に設けられ、
上部電極は保護あるいは読み取り用の層もしくは面に面してかつそれに隣接し、
ボトム(1)の材料の熱膨張率と中間層(8)の熱膨張率とが、結晶格子の軸に基づく、結晶軸の方向に関しても同一で、
同一の複数個のベースモジュール(10)がボトム(1)と中間層(8)との間に、中間に間隔(11)を置いて配置されていることを特徴とする、精密運動装置。 - 物質の1原子〜数百ナノメータ厚のマーク(9.1)が、保護あるいは読み取り用の層もしくは面(4)に取り付けられていることを特徴とする、請求項6の精密運動装置。
- 複数個の同一のベースモジュール(10)間の中間スペース(11)のエリアで、中間層(8)及び保護あるいは読み取り用の層もしくは面(4)が互いに分離されて、ギャップ(12)を形成していることを特徴とする、請求項6または7の精密運動装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP2011002706 | 2011-06-01 | ||
EPPCT/EP2011/002706 | 2011-06-01 | ||
PCT/EP2011/003173 WO2012163378A2 (de) | 2011-06-01 | 2011-06-28 | Gerät zur präzisionsverschiebung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014524137A JP2014524137A (ja) | 2014-09-18 |
JP5754830B2 true JP5754830B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=44658680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014513054A Expired - Fee Related JP5754830B2 (ja) | 2011-06-01 | 2011-06-28 | 精密運動装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9640751B2 (ja) |
EP (4) | EP2603941B1 (ja) |
JP (1) | JP5754830B2 (ja) |
KR (2) | KR20140051186A (ja) |
PL (4) | PL2639844T3 (ja) |
WO (1) | WO2012163378A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3015147A1 (fr) * | 2013-12-18 | 2015-06-19 | Thales Sa | Actionneur de precision aller-retour |
RU2626194C1 (ru) * | 2016-04-21 | 2017-07-24 | Владимир Александрович Жаботинский | Эталон для калибровки оптических приборов |
FR3092454B1 (fr) * | 2019-02-04 | 2022-06-10 | Cedrat Tech | Mecanisme de deplacement nanometrique a vis |
KR102626610B1 (ko) * | 2021-01-02 | 2024-01-19 | 한국전자기술연구원 | 적층 압전 소자 및 그를 포함하는 압전 액추에이터 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4384230A (en) * | 1980-11-06 | 1983-05-17 | United Technologies Corporation | Digital piezoelectric actuator |
US4787148A (en) | 1987-04-13 | 1988-11-29 | Hughes Aircraft Company | Nanometric drive apparatus |
DE69232043T2 (de) * | 1992-02-19 | 2002-03-21 | Tandberg Data Asa, Oslo | Verfahren und Vorrichtung zur Positionierung eines Magnetkopfes |
US5410205A (en) * | 1993-02-11 | 1995-04-25 | Hewlett-Packard Company | Ultrasonic transducer having two or more resonance frequencies |
GB9514558D0 (en) | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
US5714832A (en) * | 1996-03-15 | 1998-02-03 | Hughes Electronics | Miniature grating device |
DE19651029C2 (de) | 1996-12-09 | 1999-12-02 | Ibm | Kalibrierstandard für Profilometer und Herstellverfahren |
JP2002134805A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電部品及び圧電装置 |
US7063596B2 (en) | 2003-06-09 | 2006-06-20 | David Benderly | Vibratory material removal system, tool and method |
US7402938B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-07-22 | Jfe Mineral Co., Ltd. | Piezoelectric single crystal device |
RU2284464C2 (ru) * | 2004-12-28 | 2006-09-27 | Алексей Леонидович Максимов | Устройство для прецизионных перемещений |
US7284396B2 (en) | 2005-03-01 | 2007-10-23 | International Gemstone Registry Inc. | Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds |
AU2008228708A1 (en) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | The University Of Vermont And State Agricultural College | Piezoelectric vibrational energy harvesting systems incorporating parametric bending mode energy harvesting |
WO2009069379A1 (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 超音波探触子および該製造方法ならびに超音波診断装置 |
JP2010286371A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Seiko Epson Corp | 物理量検出装置、物理量検出装置の異常診断システム及び物理量検出装置の異常診断方法 |
-
2011
- 2011-06-28 EP EP11758374.0A patent/EP2603941B1/de not_active Not-in-force
- 2011-06-28 EP EP13002171.0A patent/EP2639842B1/de not_active Not-in-force
- 2011-06-28 PL PL13002173T patent/PL2639844T3/pl unknown
- 2011-06-28 WO PCT/EP2011/003173 patent/WO2012163378A2/de active Application Filing
- 2011-06-28 PL PL11758374T patent/PL2603941T3/pl unknown
- 2011-06-28 EP EP13002172.8A patent/EP2639843B1/de not_active Not-in-force
- 2011-06-28 KR KR1020137035071A patent/KR20140051186A/ko active Application Filing
- 2011-06-28 PL PL13002172T patent/PL2639843T3/pl unknown
- 2011-06-28 EP EP13002173.6A patent/EP2639844B1/de not_active Not-in-force
- 2011-06-28 KR KR1020177012455A patent/KR20170054569A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-06-28 JP JP2014513054A patent/JP5754830B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-28 PL PL13002171T patent/PL2639842T3/pl unknown
- 2011-06-28 US US14/122,976 patent/US9640751B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-04-04 US US15/478,831 patent/US20170236992A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170236992A1 (en) | 2017-08-17 |
EP2639842A1 (de) | 2013-09-18 |
PL2603941T3 (pl) | 2015-01-30 |
US20140152151A1 (en) | 2014-06-05 |
EP2639843A1 (de) | 2013-09-18 |
EP2603941B1 (de) | 2014-03-26 |
WO2012163378A2 (de) | 2012-12-06 |
WO2012163378A3 (de) | 2013-02-28 |
JP2014524137A (ja) | 2014-09-18 |
EP2639843B1 (de) | 2014-08-27 |
KR20170054569A (ko) | 2017-05-17 |
EP2639842B1 (de) | 2014-06-04 |
PL2639843T3 (pl) | 2015-01-30 |
EP2639844B1 (de) | 2014-08-27 |
PL2639844T3 (pl) | 2014-12-31 |
KR20140051186A (ko) | 2014-04-30 |
PL2639842T3 (pl) | 2015-01-30 |
EP2639844A1 (de) | 2013-09-18 |
US9640751B2 (en) | 2017-05-02 |
EP2603941A2 (de) | 2013-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8461833B2 (en) | Method for determining the sensitivity of an acceleration sensor or magnetic field sensor | |
JP5754830B2 (ja) | 精密運動装置 | |
KR101297262B1 (ko) | 프로빙 시스템의 개선된 안정화를 위한 방법 및 장치 | |
US10996561B2 (en) | Nanoimprint lithography with a six degrees-of-freedom imprint head module | |
US7949508B2 (en) | Low vibration rectification in a closed-loop, in-plane MEMS device | |
JPH0348102A (ja) | 微少変位検出装置、この微少変位検出装置を有する圧電アクチュエーター及びこの圧電アクチュエータを有する走査型プローブ顕微鏡 | |
JP5164984B2 (ja) | サブナノ〜ナノメートル範囲の高位置分解能を有する調節装置 | |
BR112015026651B1 (pt) | Sensor de aceleração e método para a produção de um sensor de aceleração | |
JP5605227B2 (ja) | 平面位置決め装置およびこれを備えた検査装置 | |
KR20190013521A (ko) | 나노임프린트 리소그래피에서의 템플릿 변형의 실시간 보정 | |
CN106556718A (zh) | 加速度校正数据计算装置以及加速度传感器的制造方法 | |
WO2006083191A1 (en) | Accurately displacing device | |
JP2005331446A (ja) | マイクロ材料試験装置 | |
JPS61219549A (ja) | 微動装置 | |
RU2626024C1 (ru) | Устройство для прецизионных перемещений | |
Lin et al. | Calibration of standards for precision pitch measurement in the nanometre region by combined scanning tunnelling microscopy and x-ray interferometry | |
RU2626194C1 (ru) | Эталон для калибровки оптических приборов | |
JP5009560B2 (ja) | 薄片状の被測定物の形状測定装置 | |
RU163173U1 (ru) | Устройство для калибровки оптических приборов | |
RU164856U1 (ru) | Эталон прецизионных перемещений | |
CN103728074A (zh) | 一种微纳材料力学性能检测结构 | |
KR101816657B1 (ko) | 원자현미경을 이용한 높이 교정 방법 | |
JP2006275791A (ja) | 位置決め装置および位置決めステージの制御方法 | |
Zalachas et al. | Effective piezoelectric coefficients of ferroelectric thin films on elastic substrates | |
Melgarejo et al. | euspen’s 23rd International Conference & Exhibition, Copenhagen, DK, June 2023 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20141121 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20150106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150522 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5754830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |