JP5748554B2 - 圧力センサ - Google Patents
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Description
108:コンタクトハウジングサブアセンブリ
110:支持リング
112:ポートフィッティング
114:感知素子ポート
116a−116n:スプリング保持部
118a−118n:コンタクトスプリング
120:上部スプリングガイド
122:電子基板
124a−124n:平坦な搭載タブ
126:面取り部
132:干渉フィットスリット
134:下部スプリングガイド
140:ワイヤボンド窓
170:コンタクトパッド
172:ゲルフローバリア
174:ワイヤボンドパッド
182a、182b:歪みゲージ
184a−184n:ワイヤ
Claims (16)
- 圧力センサであって、
感知素子ポートと、
上部と底部とを有する支持リングであって、少なくとも1つの平坦な搭載タブと複数の干渉フィットスリットとを含み、少なくとも1つの平坦な搭載タブは、前記上部に設けられ、前記感知素子ポートと当該支持リングとの間に柔軟な干渉嵌め合いを提供して、前記感知素子ポートと前記支持リングとの対向する壁が実質的な同一平面のラップ結合を形成する、前記支持リングと、
前記支持リング内に配置された電子基板であって、当該電子基板は、前記少なくとも1つの平坦な搭載タブに取り付けられ、かつ複数のコンタクトパッドを有する、前記電子基板とを有し、
前記感知素子ポートは、前記支持リングの前記底部からオフセットされたレーザー溶接によって前記支持リングに結合される、圧力センサ。 - 前記支持リングは、少なくとも3つの平坦な搭載タブを含み、
前記電子基板は、少なくとも3つの平坦な搭載タブの対応するものにはんだ付けされる複数のアタッチメントパッドを含み、かつ前記電子基板は、少なくとも3つの平坦な搭載タブに対応する少なくとも3つのコンタクトパッドを含む、請求項1に記載のセンサ。 - レーザー溶接されたラップ結合は、スポット溶接プロセスによって提供される、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記電子基板はさらに、前記複数のコンタクトパッドに隣接した複数のゲルフローバリアを含む、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記電子基板はさらに、センサのコンタクトへのアクセスを提供するよう構成されたオーバーサイズのワイヤボンド窓を含み、ワイヤボンディングとセンサのコンタクトの可視化を容易にする、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記オーバーサイズのワイヤボンド窓は、丸められたコーナーを含み、かつ、前記感知素子ポートに搭載された歪みゲージの長手の次元に沿うほぼ軸上に延在される、請求項5に記載の圧力センサ。
- 電子基板上のゲルフローバリアであって、
ゲルの流れる方向を変更させるように少なくとも1つのトレンチを形成する少なくとも1つの壁を有する堀を有し、
前記堀は、保護するゲルに対して非濡れ性の表面を有する最上層を含む、ゲルフローバリア。 - 前記堀はさらに、ゲルの流れから除外されるべき電子基板の部分の実質的な周辺に配置される複数のトレンチおよび/または壁を含む、請求項7に記載のゲルフローバリア。
- 前記電子基板の部分は、前記電子基板上に配置されたコンタクトパッドであり、前記堀は、少なくとも部分的に前記コンタクトパッドを取り囲む、請求項8のゲルフローバリア。
- 前記非濡れ性の表面は、金めっきされる、請求項7に記載のゲルフローバリア。
- 前記電子基板は、センサにおいて利用される、請求項7に記載のゲルフローバリア。
- ゲルフローバリアを形成する方法であって、
ゲルの流れから保護されるべき基板の部分を取り囲む、複数の多層の壁および/または対応するトレンチを電子基板内に製造し、
前記複数のトレンチは、保護されるべき前記基板の部分を少なくとも部分的に取り囲む堀を形成し、
前記堀は、保護するゲルに対して非濡れ性の表面を有する最上層を含む、方法。 - 保護されるべき部分は、電子コンタクトパッドである、請求項12に記載の方法。
- 方法はさらに、前記複数の壁の少なくとも1つの最上層をゲルに対して非濡れ性の材料でめっきすることを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記電子基板はセンサにおいて利用される、請求項12に記載の方法。
- ゲルを印加する方法であって、
保護するゲルに対して非濡れ性の表面を有する最上層を含む、少なくとも1つのトレンチを形成する少なくとも1つの壁を有するゲルフローバリアを電子基板上に提供し、
電子コンタクトパッドを保護するように前記ゲルフローバリアを位置決めし、
オーバーサイズのワイヤボンド窓を提供し、
ゲルを、前記オーバーサイズのワイヤボンド窓内および前記電子基板上のワイヤボンドパッド上に分配して、ゲルフローバリアがゲルの流れを変化させることでゲルが電子コンタクトパッド上へ流れるのを防ぐことにより、ゲルの流れを管理する、方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013156250A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Sensata Technologies Inc | スモールフォームファクタのマイクロフューズドシリコン歪みゲージ(msg)圧力センサパッケージング |
JP2014232105A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | 測定プラグ |
JP2015225002A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | 歪みゲージ圧力センサ |
JP2016038378A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | スモールフォームファクタ圧力センサ |
KR20220052226A (ko) * | 2020-10-20 | 2022-04-27 | 대양전기공업 주식회사 | 압력 센서 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102853964B (zh) * | 2012-07-27 | 2014-01-08 | 浙江盾安人工环境股份有限公司 | 一种压力传感器的组装结构 |
KR102000293B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2019-07-15 | 타이코에이엠피 주식회사 | 압력센서 |
US9312610B2 (en) * | 2013-09-06 | 2016-04-12 | Sensata Technologies, Inc. | Stepped spring contact |
KR101535451B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-07-13 | 대양전기공업 주식회사 | 센서 조립체 |
KR101526901B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2015-06-10 | 대양전기공업 주식회사 | 센서 출력신호 외부 전달을 위한 스프링형 출력 단자와 조립 구조를 갖는 센서모듈 |
KR101597130B1 (ko) | 2014-06-27 | 2016-02-25 | 대양전기공업 주식회사 | 비대칭 스프링 연결체가 구비된 압력센서 |
WO2016028047A1 (ko) | 2014-08-19 | 2016-02-25 | 타이코에이엠피 주식회사 | 압력 센서 |
US9746390B2 (en) * | 2015-02-26 | 2017-08-29 | Sensata Technologies, Inc. | Microfused silicon strain gauge (MSG) pressure sensor package |
US9714876B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-07-25 | Sensata Technologies, Inc. | Semiconductor strain gauge |
KR101725384B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2017-04-12 | 대양전기공업 주식회사 | 항아리형 스프링과 결합되는 pcb 전극 조립체 |
KR101754088B1 (ko) * | 2015-09-07 | 2017-07-06 | 대양전기공업 주식회사 | Pcb 기판의 안착홀에 삽입되는 스프링이 구비된 pcb 조립체 |
CN107290099B (zh) | 2016-04-11 | 2021-06-08 | 森萨塔科技公司 | 压力传感器、用于压力传感器的插塞件和制造插塞件的方法 |
EP3236226B1 (en) | 2016-04-20 | 2019-07-24 | Sensata Technologies, Inc. | Method of manufacturing a pressure sensor |
US10545064B2 (en) | 2017-05-04 | 2020-01-28 | Sensata Technologies, Inc. | Integrated pressure and temperature sensor |
JP2019002893A (ja) * | 2017-06-20 | 2019-01-10 | 矢崎総業株式会社 | 温度センサ |
US10323998B2 (en) | 2017-06-30 | 2019-06-18 | Sensata Technologies, Inc. | Fluid pressure sensor |
US10724907B2 (en) | 2017-07-12 | 2020-07-28 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor element with glass barrier material configured for increased capacitive response |
US10557770B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-02-11 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor with improved strain gauge |
KR102137117B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2020-07-24 | 주식회사 만도 | 압력 센서 모듈 및 압력 센서 모듈 제작 방법 |
JP6892404B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2021-06-23 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
US11262771B2 (en) * | 2019-09-23 | 2022-03-01 | Rosemount Inc. | High pressure capsule and header for process fluid pressure transmitter |
CN116558704B (zh) * | 2023-07-06 | 2023-10-10 | 中汇瑞德传感科技(苏州)有限公司 | 压力传感器和液压制动系统 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5173766A (en) | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
US5157972A (en) * | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with high modules support |
US5173666A (en) * | 1992-03-27 | 1992-12-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Microstrip-to-inverted-microstrip transition |
DE19612964A1 (de) * | 1996-04-01 | 1997-10-02 | Bosch Gmbh Robert | Drucksensor und Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors |
JP3414593B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2003-06-09 | 日本発条株式会社 | 導電性接触子 |
US6453747B1 (en) * | 2000-01-12 | 2002-09-24 | Peter A. Weise | Hermetic pressure transducer |
US6763724B2 (en) | 2002-07-10 | 2004-07-20 | Texas Instruments Incorporated | Hermetic pressure transducer |
US6715357B2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-04-06 | Texas Instruments Incorporated | Hermetic pressure transducer |
US6742395B1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Hermetic pressure transducer |
US7000478B1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Combined pressure and temperature transducer |
KR100923202B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2009-10-22 | 주식회사 만도 | 압력센서 |
-
2011
- 2011-05-13 EP EP11166031.2A patent/EP2390641B1/en active Active
- 2011-05-16 JP JP2011109251A patent/JP5748554B2/ja active Active
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- 2011-05-26 CN CN201110137853.6A patent/CN102297742B/zh active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013156250A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Sensata Technologies Inc | スモールフォームファクタのマイクロフューズドシリコン歪みゲージ(msg)圧力センサパッケージング |
JP2014232105A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | 測定プラグ |
JP2015225002A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | 歪みゲージ圧力センサ |
JP2016038378A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | スモールフォームファクタ圧力センサ |
KR20220052226A (ko) * | 2020-10-20 | 2022-04-27 | 대양전기공업 주식회사 | 압력 센서 |
KR102434353B1 (ko) * | 2020-10-20 | 2022-08-19 | 대양전기공업 주식회사 | 압력 센서 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2390641A2 (en) | 2011-11-30 |
JP2011247889A (ja) | 2011-12-08 |
EP2390641B1 (en) | 2019-06-26 |
KR101884942B1 (ko) | 2018-08-02 |
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