JP5741971B2 - Method for manufacturing metal-ceramic bonding circuit board - Google Patents
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Description
本発明は、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法に関し、特にセラミックス基板上にろう材を介して金属板を接合して回路が形成され、パワーモジュール用などの大電力素子搭載用に好適な金属−セラミックス接合回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a metal / ceramic bonding circuit board, and more particularly, a metal is formed on a ceramic substrate by bonding a metal plate via a brazing material, and is suitable for mounting a large power element such as a power module. -It relates to a method of manufacturing a ceramic bonded circuit board.
パワーモジュール用や半導体実装用などに用いられるセラミックス回路基板の製造方法においては、まず金属板とセラミックス基板の接合が行われる。例えば、セラミックス基板上に銅板を直接接触させて配置し、不活性ガス中で加熱してセラミックス基板と銅板を接合させる直接接合法が工業的に利用されている。また、Ti、Zr、Hfなどの活性金属を含有するろう材を介して、セラミックス基板上に銅板を配置し、真空中で加熱してセラミックス基板と銅板を接合させるろう接法も工業的に利用されている。このろう接法では、活性金属がセラミックス基板と金属板との接合に関与し、セラミックス基板とろう材が反応生成物を形成する。一般に、ろう材は、Al2O3などの酸化物系セラミックス基板とは活性金属の酸化物を生成し、AlNやSi3N4などの非酸化物系セラミックス基板とは活性金属の窒化物を生成し、SiCなどの炭化物系セラミックス基板とは活性金属の炭化物を生成し、この生成物によってセラミックス基板と銅板が接合していると考えられている。すなわち、接合後のろう材層は、ろう材の金属を主とする層とろう材とセラミックス基板との界面の界面生成物を主とする層からなっている。 In a method of manufacturing a ceramic circuit board used for power modules, semiconductor mounting, etc., first, a metal plate and a ceramic substrate are joined. For example, a direct bonding method in which a copper plate is placed in direct contact with a ceramic substrate and heated in an inert gas to bond the ceramic substrate and the copper plate is industrially used. Also, a brazing method in which a copper plate is placed on a ceramic substrate through a brazing material containing an active metal such as Ti, Zr, Hf, and heated in a vacuum to join the ceramic substrate and the copper plate is also industrially used. Has been. In this brazing method, the active metal is involved in joining the ceramic substrate and the metal plate, and the ceramic substrate and the brazing material form a reaction product. In general, a brazing material generates an active metal oxide with an oxide ceramic substrate such as Al 2 O 3, and an active metal nitride with a non-oxide ceramic substrate such as AlN or Si 3 N 4. It is considered that an active metal carbide is generated with a carbide-based ceramic substrate such as SiC, and the ceramic substrate and the copper plate are joined by this product. That is, the brazing filler metal layer after bonding is composed of a layer mainly composed of a metal of the brazing material and a layer mainly composed of an interface product at the interface between the brazing material and the ceramic substrate.
また、回路用や放熱用として銅などの金属板を接合した後に所定の回路形状などにパターニングする方法として、プリント回路基板などにも利用されているエッチング法がある。この方法は、ファインパターンが得られ易く且つ回路設計の変更への対応も比較的簡単にできるため、広く利用されている。この方法では、例えば、銅などの金属板のエッチング液として、通常、塩化鉄または塩化銅と塩酸と過酸化水素水の混合溶液が使用されている。このエッチング液は、上述した銅の直接接合法の場合には、反応生成物を無視できるため、問題なくエッチングして、パターニングすることができる。しかし、このエッチング液は、ろう接法の場合には、金属板を溶かすことはできるが、ろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物(以下、ろう材と反応生成物とを総称して「ろう材等」という)を溶かすことができず、これらが回路パターン間または基板の縁面に残存する。これらのろう材等は導体であるため、回路パターン間または基板の表裏間を絶縁するという回路基板の基本的な特性を満たすことができない。そのため、このろう材等を除去する方法として、フッ酸を単独で使用し、または硝酸、硫酸および塩酸から選ばれる少なくとも一種の無機酸とフッ酸との混酸を使用し、あるいは王水、水酸化ナトリウムおよび/または水酸化カリウムを含む溶液を使用し、ろう材等を処理して除去する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、ハロゲン化水素および/またはハロゲン化アンモニウムを含む水溶液で処理し、次いで無機酸と過酸化水素水を含む水溶液で処理することにより、ろう材等を除去する方法も知られている(例えば、特許文献2参照)。 Further, as a method of patterning into a predetermined circuit shape after bonding a metal plate such as copper for circuit use or heat dissipation, there is an etching method that is also used for printed circuit boards. This method is widely used because it is easy to obtain a fine pattern and can easily cope with a change in circuit design. In this method, for example, iron chloride or a mixed solution of copper chloride, hydrochloric acid and hydrogen peroxide is usually used as an etching solution for a metal plate such as copper. In the case of the above-described direct bonding method of copper, this etching solution can be subjected to etching and patterning without any problem because reaction products can be ignored. However, in the case of the brazing method, this etching solution can dissolve the metal plate, but the brazing material and the reaction product of the brazing material and the ceramic substrate (hereinafter, the brazing material and the reaction product are collectively referred to). Therefore, they remain between the circuit patterns or on the edge surface of the substrate. Since these brazing materials and the like are conductors, they cannot satisfy the basic characteristic of a circuit board that insulates between circuit patterns or between the front and back of the board. Therefore, as a method of removing the brazing material, etc., hydrofluoric acid is used alone, or a mixed acid of at least one inorganic acid selected from nitric acid, sulfuric acid and hydrochloric acid and hydrofluoric acid is used, or aqua regia, hydroxylation A method is known in which a solution containing sodium and / or potassium hydroxide is used to remove brazing material and the like by treatment (see, for example, Patent Document 1). Also known is a method of removing a brazing filler metal or the like by treating with an aqueous solution containing hydrogen halide and / or ammonium halide and then treating with an aqueous solution containing an inorganic acid and hydrogen peroxide (for example, Patent Document 2).
また、ろう材を介して接合する金属−セラミックス接合回路基板の回路パターン端部の断面形状は、特性に大きく関係し、要求特性により最適な形状にするのが望ましい。すなわち、熱衝撃などに対する信頼性を高めるためには、銅板の端部からろう材をはみ出させることが、金属とセラミックスとの接合においてこれらの熱膨張係数から発生する熱応力の緩和に効果的である。 In addition, the cross-sectional shape of the end portion of the circuit pattern of the metal / ceramic bonding circuit board to be bonded via the brazing material is greatly related to the characteristics, and it is desirable to make the shape optimal according to the required characteristics. In other words, in order to increase the reliability against thermal shock and the like, it is effective to relieve the thermal stress generated from these thermal expansion coefficients in joining the metal and ceramics, by protruding the brazing material from the end of the copper plate. is there.
また、ろう材のはみ出しは耐熱衝撃に効果が大きいことがわかっているが、これまでその製造方法として、ろう材を除去する場合、2回レジスト2回エッチング法、1回レジスト(除去)法が採られている。2回レジスト2回エッチング法は、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布し、金属板の不要部分をエッチングして金属回路を形成した後、レジストを除去し、金属回路間に残留する不要なろう材を除去し、再度この金属回路の表面にレジストを塗布して再度エッチングし、レジストを剥離して除去する方法、すなわち、レジスト工程を2回、エッチング工程を2回行う方法である。一方、1回レジスト(除去)法は、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布し、金属板の不要部分をエッチングして金属回路を形成した後、レジストを剥離して除去し、金属回路間に残留する不要なろう材を、例えば弗化物系薬液で除去する方法である。前者は、大きなろう材はみ出しが得られるが、工数が多く、コスト面で不利である。後者は、工数は通常と同じであるが、薬液の性質上、はみ出しを大きくすることが困難であり、且つ薬液の性質上、セラミックス基板へのアタックも無視できないことがある。さらに、ろう材を除去する薬液により金属板のトップも同様に溶かされ、ダレが生じてしまうため、半導体などのチップ搭載に不具合が発生し、寸法を大きくするなどの設計変更を余儀なくされることもある。 Further, it is known that the protrusion of the brazing material has a great effect on the thermal shock, but as a manufacturing method so far, when removing the brazing material, there are two resist double etching methods and one resist (removal) method. It is taken. In the double resist double etching method, a resist is applied to a predetermined portion of the surface of the metal plate, an unnecessary portion of the metal plate is etched to form a metal circuit, and then the resist is removed and remains between the metal circuits. This is a method in which unnecessary brazing material is removed, a resist is again applied to the surface of the metal circuit, etching is performed again, and the resist is peeled off and removed, that is, a resist process is performed twice and an etching process is performed twice. . On the other hand, in the one-time resist (removal) method, after joining the metal plates, a resist is applied to a predetermined portion of the surface of the metal plate, an unnecessary portion of the metal plate is etched to form a metal circuit, and then the resist is applied. In this method, the unnecessary brazing material which is removed by peeling and remaining between the metal circuits is removed with, for example, a fluoride chemical solution. In the former case, a large amount of brazing filler metal can be obtained, but it requires a large number of steps and is disadvantageous in terms of cost. The latter has the same man-hours as usual, but it is difficult to increase the protrusion due to the nature of the chemical solution, and the attack to the ceramic substrate may not be negligible due to the nature of the chemical solution. In addition, the top of the metal plate is melted in the same way by the chemical that removes the brazing filler metal, and sagging occurs, resulting in problems in mounting chips such as semiconductors, and forced design changes such as increasing the dimensions. There is also.
しかし、従来の方法では、金属板の端部からろう材等がはみ出す長さ(以下、「ろう材はみ出し量」という)の制御が難しく、特に、ろう材はみ出し量を大きくとる場合、通常の工程より工数が増加し、製造コストが増加する。また、ろう材除去液により金属板のトップのダレが生じ、半導体などのチップ搭載時に寸法的な不具合を生ずる。 However, in the conventional method, it is difficult to control the length of the brazing material protruding from the end of the metal plate (hereinafter referred to as “the amount of brazing filler metal”). More man-hours and manufacturing costs increase. Further, the brazing material removing liquid causes the top of the metal plate to sag, causing a dimensional problem when mounting a chip such as a semiconductor.
また、ろう材除去液として、フッ酸やその混酸、フッ化アンモニウムなどに代表されるハロゲン化水素またはハロゲン化アンモニウムを含む薬液を使用すると、ろう材等の除去と同時にセラミックス基板も腐食され、セラミックス回路基板としての信頼性に関する特性が劣化する場合がある。一方、セラミックス基板の腐食を抑えようとすると、回路パターン間のろう材等を完全に除去できず、ろう材等が残り、不良が発生する可能性がある。また、ろう材と金属板とのエッチングレートの比が小さいため、ろう材を大きく(例えば、>30μm)はみ出させることが難しい。さらに、フッ酸などのハロゲン化合物は、腐食性が大きいため、生産設備や廃液処理施設、廃液処理などのコストも割高となり、製品の製造コストが高くなる傾向がある。 In addition, when a brazing material removing liquid such as hydrofluoric acid, a mixed acid thereof, or a hydrogen halide typified by ammonium fluoride is used, the ceramic substrate is corroded simultaneously with the removal of the brazing material, etc. There are cases where the characteristics relating to the reliability of the circuit board deteriorate. On the other hand, if it is attempted to suppress the corrosion of the ceramic substrate, the brazing material between the circuit patterns cannot be completely removed, and the brazing material or the like may remain, resulting in a defect. Further, since the ratio of the etching rate between the brazing material and the metal plate is small, it is difficult to make the brazing material protrude large (for example,> 30 μm). Furthermore, since halogen compounds such as hydrofluoric acid are highly corrosive, costs for production equipment, waste liquid treatment facilities, waste liquid treatment, etc. are expensive, and there is a tendency that the manufacturing cost of products is high.
一方、ろう材除去液として、キレート剤と過水のアルカリ性混合液(アルカリ系キレート除去液)を使用する場合には、セラミックスへのダメージが比較的小さく、ろう材の溶解性も良好であるが、汎用的に使用されるアルカリ剥離型エッチングレジストもろう材とともに除去されてしまう。そのため、金属回路部からろう材をはみ出させることによりさらに信頼性の高い基板を製造するためには、再度エッチングレジスト印刷およびエッチング工程を経なければならず、製造コストが通常より高くなる。 On the other hand, when using an alkaline mixed liquid of a chelating agent and excess water (alkaline chelate removing liquid) as the brazing material removing liquid, the damage to the ceramic is relatively small and the solubility of the brazing material is good. Moreover, the alkali peeling type etching resist used for general purposes is also removed together with the brazing material. Therefore, in order to manufacture a more reliable substrate by protruding the brazing material from the metal circuit portion, it is necessary to go through an etching resist printing and etching process again, and the manufacturing cost becomes higher than usual.
一方、有機溶剤剥離型エッチングレジストを使用すれば、アルカリ液にも耐性があるが、レジストを除去するためには、トリクロロエチレンなどの環境的に有害性の高い有機溶剤を使用しなければならない。ただし、設備による環境対策が可能である。 On the other hand, if an organic solvent peeling type etching resist is used, it is resistant to an alkaline solution. However, in order to remove the resist, an environmentally harmful organic solvent such as trichloroethylene must be used. However, environmental measures with facilities are possible.
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, in view of such a conventional problem, the present invention can easily control the cross-sectional shape of the metal-ceramic bonding circuit board with less man-hours or at low cost, and with respect to thermal shock resistance or insulation. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a metal / ceramic bonding circuit board capable of manufacturing a metal / ceramic bonding circuit board having higher reliability.
また、本発明は、金属板のトップのダレを防止することができ、セラミックス基板へのアタックが少なく且つ環境に配慮した薬液を使用することができ、廃液処理施設などの設備や処理を簡易化できる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 In addition, the present invention can prevent sagging of the top of the metal plate, can use a chemical solution that has little attack on the ceramic substrate and is environmentally friendly, and simplifies equipment and processing such as a waste liquid treatment facility. An object of the present invention is to provide a method for producing a metal / ceramic bonding circuit board.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し(あるいは、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし)、その後、レジストを剥離することにより、金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of earnest research to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention, in a method for manufacturing a ceramic circuit board in which a circuit pattern is formed by bonding a metal plate to at least one surface of a ceramic substrate via a brazing material, After joining the metal plates, a resist is applied to a predetermined portion of the surface of the metal plate, and an unnecessary portion of the metal plate is etched to form a metal circuit portion. The reaction product between the material and the ceramic substrate is removed (or the unnecessary brazing material and the reaction product between the brazing material and the ceramic substrate are removed, and the side surface of the metal circuit is etched), and then the resist is peeled off. By doing so, the cross-sectional shape of the metal-ceramic bonding circuit board can be easily controlled with less man-hours or at low cost, and the thermal shock resistance or Metal having a higher reliability to the insulating property - found that it is possible to produce ceramic bonding circuit board, and have completed the present invention.
すなわち、本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、その後、レジストを剥離することを特徴とする。 That is, the method for manufacturing a metal / ceramic bonding circuit board according to the present invention includes a method for manufacturing a ceramic circuit board in which a metal plate is bonded to at least one surface of a ceramic substrate via a brazing material to form a circuit pattern. After bonding, a resist is applied to a predetermined portion of the surface of the metal plate and an unnecessary portion of the metal plate is etched to form a metal circuit portion, and while maintaining the resist, unnecessary brazing material and brazing material The reaction product with the ceramic substrate is removed, and then the resist is peeled off.
また、本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし、その後、レジストを剥離することを特徴とする。 A method for manufacturing a metal / ceramic bonding circuit board according to the present invention is a method for manufacturing a ceramic circuit board in which a metal plate is bonded to at least one surface of a ceramic substrate via a brazing material to form a circuit pattern. After bonding, a resist is applied to a predetermined portion of the surface of the metal plate and an unnecessary portion of the metal plate is etched to form a metal circuit portion, and while maintaining the resist, unnecessary brazing material and brazing material The reaction product with the ceramic substrate is removed, the side surface portion of the metal circuit portion is etched, and then the resist is peeled off.
これらの金属−セラミックス接合回路基板の製造方法において、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20であるのが好ましい。 In these metal-ceramic bonding circuit board manufacturing methods, when removing the unnecessary brazing material and the reaction product between the brazing material and the ceramic substrate, the average metal dissolution rate / the average dissolution rate of the brazing material is 1. It is preferably 20 to 20.
さらに、本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、この除去の際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20である薬液を使用することを特徴とする。 Furthermore, a method for manufacturing a metal-ceramic bonding circuit board according to the present invention includes a method for manufacturing a ceramic circuit board in which a metal plate is bonded to at least one surface of a ceramic substrate via a brazing material to form a circuit pattern. After joining, an unnecessary brazing material and a reaction product between the brazing material and the ceramic substrate are removed, and the value of the average dissolution rate of the metal / the average dissolution rate of the brazing material is 1 to 20 during the removal. It is characterized by using a chemical solution.
これらの金属−セラミックス接合回路基板の製造方法において、レジストがアルカリ剥離型レジストであるのが好ましい。また、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、pHが3乃至6.5のろう材除去薬液を使用するのが好ましい。あるいは、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、キレート剤と過酸化水素水から形成されるろう材除去薬液またはキレート剤と過酸化水素水とpH調整剤とから形成されるろう材除去薬液を使用するのが好ましい。この場合、キレート剤が、EDTA、NTA、CyDTA、DTPA、TTHA、GEDTAおよびこれらの塩からなる群から選ばれる1または2以上の化合物であるのが好ましい。 In these metal-ceramic bonding circuit board manufacturing methods, the resist is preferably an alkali peelable resist. Further, when removing the unnecessary brazing material and the reaction product between the brazing material and the ceramic substrate, it is preferable to use a brazing material removing chemical solution having a pH of 3 to 6.5. Alternatively, when the unnecessary brazing material and the reaction product between the brazing material and the ceramic substrate are removed, the brazing material removing chemical solution formed from the chelating agent and the hydrogen peroxide solution or the chelating agent, the hydrogen peroxide solution, and the pH adjusting agent. It is preferable to use a brazing material removing chemical solution formed from In this case, the chelating agent is preferably one or more compounds selected from the group consisting of EDTA, NTA, CyDTA, DTPA, TTHA, GEDTA and salts thereof.
また、セラミックス基板の材料は、窒化物、酸化物または炭化物のいずれかであるのが好ましい。ろう材は、Agおよび活性金属を含む合金、化合物または混合物からなるのが好ましい。金属板は、Cu、Alおよびこれらの合金からなる群から選ばれる1または2以上からなるのが好ましい。 The material of the ceramic substrate is preferably any of nitride, oxide or carbide. The brazing material is preferably composed of an alloy, compound or mixture containing Ag and an active metal. The metal plate is preferably composed of one or more selected from the group consisting of Cu, Al and alloys thereof.
また、金属板の不要部分をエッチングした後、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する前に、ろう材の表面の塩化銀層を薬液処理により除去するのが好ましい。この場合、塩化銀層の除去に使用する薬液が、チオ硫酸アンモニウムまたはチオ硫酸のアルカリ塩の少なくとも1つであるのが好ましい。なお、塩化銀層は、主に金属板を前述した塩酸系の薬液でエッチングする際に生じると考えられ、あるいはエッチング工程後の水洗洗浄などにおいて生じると考えられる。 In addition, after etching unnecessary portions of the metal plate, it is preferable to remove the silver chloride layer on the surface of the brazing material by chemical treatment before removing the unnecessary brazing material and the reaction product between the brazing material and the ceramic substrate. . In this case, the chemical solution used for removing the silver chloride layer is preferably at least one of ammonium thiosulfate or an alkali salt of thiosulfate. The silver chloride layer is considered to be generated mainly when the metal plate is etched with the above-described hydrochloric acid-based chemical solution, or it is considered to be generated by washing with water after the etching process.
さらに、金属回路部の端部からろう材がはみ出す長さであるろう材はみ出し量が30μm以上であるのが好ましい。また、レジストを剥離した後、金属回路部およびろう材の部分にNiメッキ、Ni合金メッキ、金メッキのいずれかを施すのが好ましい。また、メッキでなくても、防錆処理剤で金属板の表面を処理してもよい。 Furthermore, it is preferable that the amount of brazing material protruding from the end of the metal circuit portion is 30 μm or more. Moreover, it is preferable to apply any one of Ni plating, Ni alloy plating, and gold plating to the metal circuit portion and the brazing material portion after removing the resist. Moreover, even if it is not plating, you may process the surface of a metal plate with a rust preventive agent.
また、本発明によるパワーモジュール用金属−セラミックス接合回路基板は、上記の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法によって製造されることを特徴とする。また、本発明によるモジュールは、上記の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法によって製造される金属−セラミックス接合回路基板を用いて組み立てられることを特徴とする。 A metal-ceramic bonding circuit board for power modules according to the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing a metal-ceramic bonding circuit board. The module according to the present invention is assembled using the metal-ceramic bonding circuit board manufactured by the method for manufacturing a metal-ceramic bonding circuit board.
本発明によれば、金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる。また、本発明によれば、金属板のトップのダレを防止することができ、セラミックス基板へのアタックが少なく且つ環境に配慮した薬液を使用することができ、廃液処理施設などの設備や処理を簡易化できる。 According to the present invention, the metal-ceramic bonding circuit board can be easily controlled with a reduced number of man-hours or at low cost, and the metal-ceramic bonding circuit board has higher reliability with respect to thermal shock resistance or insulation. A circuit board can be manufactured. In addition, according to the present invention, the top of the metal plate can be prevented, the attack to the ceramic substrate can be reduced, and an environmentally friendly chemical solution can be used. Equipment and processing such as a waste liquid treatment facility can be used. It can be simplified.
本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法の実施の形態では、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材等を除去し(あるいは、不要なろう材等を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし)、その後、レジストを剥離する。 In the embodiment of the method for producing a metal / ceramic bonding circuit board according to the present invention, after a metal plate is bonded to at least one surface of the ceramic substrate via a brazing material, a resist is applied to a predetermined portion of the surface of the metal plate. Then, the metal circuit part is formed by etching the unnecessary part of the metal plate, and the unnecessary brazing material is removed while maintaining the resist (or the unnecessary brazing material is removed and the side surface of the metal circuit part is removed. The resist is peeled off.
金属板の不要部分のエッチング後に残った不要なろう材等を選択的に除去する方法として、(1)ろう材を薬液により除去する段階でレジストを除去しないことにより、断面形状の制御を容易にすること、(2)ろう材を薬液により除去する段階でレジストを除去しないで、その状態でさらに金属板の側面をエッチングすることにより、ろう材をはみ出させること、(3)ろう材除去液の特性により、金属板とろう材のエッチングレートの比を所定の比にすることで、断面形状の制御を容易にすること、(4)レジストを残すことにより金属板のトップのダレを防ぐこと、(5)セラミックスへのアタックが小さい薬液を使用すること、(6)ろう材除去液の選択により廃液処理設備を簡易化すること、(7)酸性側でろう材を除去することにより、アルカリ剥離型レジストを使用できるようにすること、という要件を単独で使用または複合して使用し、またはその要件を適当な条件で使用する。 As a method for selectively removing unnecessary brazing material remaining after etching of unnecessary portions of the metal plate, (1) it is easy to control the cross-sectional shape by removing the resist at the stage of removing the brazing material with a chemical solution. (2) without removing the resist at the stage of removing the brazing material with the chemical solution, and further etching the side surface of the metal plate in that state, and (3) the brazing material removing solution According to the characteristics, the ratio of the etching rate of the metal plate and the brazing material is set to a predetermined ratio, thereby facilitating the control of the cross-sectional shape, and (4) preventing the sagging of the top of the metal plate by leaving the resist, (5) Use a chemical solution with a small attack on ceramics, (6) Simplify waste liquid treatment equipment by selecting a brazing material removal solution, (7) Remove brazing material on the acidic side More, to be able to use an alkali peeling type resist, requirements used alone use or combined to a called, or to use the requirements under appropriate conditions.
本発明によれば、ろう材等の除去薬液の使用時もレジストを剥離しないことにより、金属板の端部からのろう材のはみ出しの制御を容易にし、且つ低コストで作製することができる。このときのろう材等の除去薬液については、以下の性質の薬液が好ましい。 According to the present invention, it is possible to easily control the protrusion of the brazing material from the end portion of the metal plate and to produce it at a low cost by not removing the resist even when the removing chemical solution such as the brazing material is used. Regarding the removal chemical liquid such as the brazing material at this time, a chemical liquid having the following properties is preferable.
本発明によれば、キレート剤と過酸化水素水から得られる薬液、キレート剤と過酸化水素水とpH調整剤とから得られる薬液、または弗化物系の薬品を使用するのが好ましい。ろう材等を溶解除去する薬液は、より早くろう材等を溶かすために、レジストの耐液温度まで加温することもできる。また、薬液処理は、スプレー法やディップ浸漬により行うことができる。ディップ浸漬処理の場合には、液処理中には、処理基板を揺動させるなどして、液の循環性を良好にしておくことが均等性を上げるために好適である。また、キレート剤によりろう材等を溶解除去する場合、セラミックス基板へのアタックやダメージが小さいため、フッ化水素の混酸などを用いた場合と比較して、信頼性において有利であり好ましい。また、薬液のpHが6.5以上であるとアルカリ剥離型レジストの耐液性が低下し、pH3以下であるとろう材の溶解速度が低くなってしまうため、pH4.5〜5.8であることが好ましい。 According to the present invention, it is preferable to use a chemical obtained from a chelating agent and a hydrogen peroxide solution, a chemical obtained from a chelating agent, a hydrogen peroxide solution and a pH adjuster, or a fluoride chemical. The chemical solution that dissolves and removes the brazing material can be heated to the resist temperature of the resist in order to dissolve the brazing material and the like more quickly. Moreover, a chemical | medical solution process can be performed by the spray method or a dip immersion. In the case of the dip dipping process, it is preferable to improve the circulation of the liquid by, for example, swinging the processing substrate during the liquid process in order to improve the uniformity. Further, when the brazing filler metal or the like is dissolved and removed by the chelating agent, the attack and damage to the ceramic substrate are small, so that it is advantageous and preferable in terms of reliability as compared with the case where a mixed acid of hydrogen fluoride is used. Further, when the pH of the chemical solution is 6.5 or more, the liquid resistance of the alkali-peeling resist is lowered, and when it is 3 or less, the dissolution rate of the brazing material is lowered, so that the pH is 4.5 to 5.8. Preferably there is.
キレート試薬や過酸化水素水の濃度が低い場合には、ろう材等の溶解速度や溶解度が低下するため、ろう材等が溶け残り易くなる。また、キレート試薬の濃度が高い場合には、溶解度の問題があり、試薬の溶け残りが生じ、過酸化水素水の濃度が高い場合には、異常反応として薬液の突沸などが起こり易くなる。したがって、キレート試薬および過酸化水素水の濃度には工業的利用に関して適当な範囲があり、キレート試薬の濃度は0.5〜1.5wt%、過酸化水素水の濃度は5〜20%の範囲が好ましい。キレート剤としては、安価なEDTAが好ましい。溶解反応が進行すると、pHが低下するため、これを一定にするために、pHを制御して処理することにより、溶解工程を安定的に行うことができる。pH調整剤としては、キレート剤と可溶性の塩を生成するものが好ましく、価格・汎用性の点で、アンモニア水または水酸化アルカリが好ましい。キレート剤のカルボン酸基の水素イオンがNaイオンなどに置き換えられた塩で、例えば、EDTAの4Na塩のように、pH6.5を上回る水溶液の場合には、同じ酸根であるEDTAによってpH調整することが、異なる化学種の存在による反応系の複雑化を回避するために好ましい。 When the concentration of the chelating reagent or hydrogen peroxide solution is low, the dissolution rate and solubility of the brazing material and the like are lowered, so that the brazing material and the like are easily left undissolved. Further, when the concentration of the chelating reagent is high, there is a problem of solubility, and the reagent remains undissolved. When the concentration of the hydrogen peroxide solution is high, a sudden boiling of the chemical solution is likely to occur as an abnormal reaction. Therefore, the concentration of the chelating reagent and the hydrogen peroxide solution has an appropriate range for industrial use. The concentration of the chelating reagent is 0.5 to 1.5 wt%, and the concentration of the hydrogen peroxide solution is 5 to 20%. Is preferred. As the chelating agent, inexpensive EDTA is preferable. As the dissolution reaction progresses, the pH decreases, and in order to make this constant, the dissolution process can be stably performed by controlling the pH. As the pH adjuster, those capable of forming a soluble salt with a chelating agent are preferable, and ammonia water or alkali hydroxide is preferable from the viewpoint of cost and versatility. In the case of an aqueous solution having a pH exceeding 6.5, such as a 4Na salt of EDTA, in which the hydrogen ion of the carboxylic acid group of the chelating agent is replaced with Na ion, the pH is adjusted with EDTA which is the same acid radical. Is preferable in order to avoid complication of the reaction system due to the presence of different chemical species.
セラミックス基板と金属板を接合するろう材としては、Agを含有するろう材に活性金属としてTi、Zrなどの中から少なくとも一種の元素を添加したものが用いられ、応力緩和などのためにTiO2のような第4成分を微量添加することもある。一般に、金属板として電気伝導特性の優れたCu板などを接合し、その上をレジストで被覆して、Cu板などを所定の回路パターンなどにエッチングする方法が行われている。 As a brazing material for joining the ceramic substrate and the metal plate, a brazing material containing Ag and at least one element selected from Ti, Zr and the like as an active metal is used, and TiO 2 is used for stress relaxation. A small amount of the fourth component may be added. In general, a method is used in which a Cu plate or the like having excellent electrical conduction characteristics is bonded as a metal plate, and the Cu plate or the like is coated with a resist and etched into a predetermined circuit pattern or the like.
その後、不要なろう材等を除去する際に、ろう材の主成分がAgである場合には、ろう材等が溶解する一方で、金属回路部も相対的に溶解・後退するため、結果としてろう材が金属回路部からはみ出す形状になる。不要なろう材を除去する際には、ろう材のみが溶解する条件であると、ろう材層が逆にえぐれた状態になり易い。この状態では、化研処理(エッチング)を行い、金属層を数10μm程度もエッチングすれば、ろう材のはみ出しを形成することができる。一方、(金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度)の値が1以上になると、ろう材除去工程においてろう材のはみ出しを形成できるが、この値が1より小さいとろう材のはみ出しが不十分になり、大きすぎると不要なろう材を除去している間に金属が溶解し過ぎて回路パターンのライン性が低下するため、例えば、ろう材の厚さが20μmであれば1.5〜5程度、5μmであれば8〜13程度が好ましい。ここでいうろう材の平均溶解速度とは、(ろう材層の厚さ/不要なろう材部を溶解・除去するのに要した時間)で与えられる数値である。この溶解関係を維持するため、ろう材の金属成分の組成としては、Agが65〜99wt%、活性金属が1〜10wt%、残りが実質的にCuであることが好ましい。また、ろう材は、セラミックス基板の全面に配置されたり、所定の場所だけに配置されたりする場合があり、用途などにより必要に応じて使い分けられる。また、配置するろう材としては、ペースト状のもの、箔状などの形状であっても差し支えない。さらに信頼性の高い基板を得る目的でろう材はみ出し量を大きくするために、レジストを維持した状態で、再度金属回路部の側面をエッチング処理(化学研磨処理)することができる。 Then, when removing the brazing filler metal, etc., if the main component of the brazing filler metal is Ag, the brazing filler metal etc. dissolves, while the metal circuit part also relatively dissolves and recedes. The brazing material protrudes from the metal circuit portion. When removing the unnecessary brazing filler metal, the brazing filler metal layer is likely to be in a crushed state under conditions where only the brazing filler metal dissolves. In this state, if a chemical polishing process (etching) is performed and the metal layer is etched by several tens of μm, the protrusion of the brazing material can be formed. On the other hand, when the value of (average dissolution rate of metal / average dissolution rate of brazing filler metal) is 1 or more, the brazing filler metal can be formed in the brazing filler removal process. If the thickness of the brazing material is 20 μm, for example, if the thickness of the brazing material is 20 μm, the metal will be dissolved excessively while the unnecessary brazing material is removed. If it is about 5 or 5 micrometers, about 8 to 13 is preferable. The average melting rate of the brazing material here is a numerical value given by (the thickness of the brazing material layer / the time required to dissolve and remove the unnecessary brazing material portion). In order to maintain this melting relationship, it is preferable that the composition of the metal component of the brazing filler metal is 65 to 99 wt% Ag, 1 to 10 wt% active metal, and the remainder is substantially Cu. In addition, the brazing material may be disposed on the entire surface of the ceramic substrate or may be disposed only at a predetermined location, and may be properly used depending on the application. Further, the brazing material to be arranged may be in the form of a paste or foil. Furthermore, in order to increase the amount of brazing material for the purpose of obtaining a highly reliable substrate, the side surface of the metal circuit portion can be etched again (chemical polishing process) while maintaining the resist.
通常の塩化銅によるエッチング処理では、ろう材層の表面に塩化銀の膜が生成し易く、pHを3〜6.5に調整したキレート剤および過酸化水素水では、溶解に時間を要するため、前処理としてチオ硫酸アンモニウム水溶液などの薬液で表面の塩化銀を予備除去した後、pHを3〜6.5に調整したキレート剤および過酸化水素水で処理することが好ましい。この前処理液については、液温は室温程度で十分であるが、操業安定化のため、30℃程度に加熱して使用することも可能である。濃度は特に限定されないが、操業時の濃度変化率を低減するために、30%程度に設定するのが望ましい。この条件であれば、チオ硫酸アンモニウム水溶液などの薬液への浸漬時間は1分程度で十分であるが、長すぎると金属回路部との接触などにより薬液劣化が進行するので、1〜3分が好ましい。このチオ硫酸塩処理で塩化銀層を除去することにより、他の薬液処理によっても、ろう材除去効率を改善することができる。 In an ordinary copper chloride etching process, a silver chloride film is likely to be formed on the surface of the brazing filler metal layer, and the chelating agent adjusted to pH 3 to 6.5 and hydrogen peroxide solution require time for dissolution. It is preferable to preliminarily remove the surface silver chloride with a chemical solution such as an ammonium thiosulfate aqueous solution as a pretreatment, and then treat with a chelating agent whose pH is adjusted to 3 to 6.5 and a hydrogen peroxide solution. For this pretreatment liquid, a room temperature of about room temperature is sufficient, but it is also possible to use it by heating to about 30 ° C. in order to stabilize the operation. The concentration is not particularly limited, but is desirably set to about 30% in order to reduce the concentration change rate during operation. Under these conditions, the immersion time in a chemical solution such as an ammonium thiosulfate aqueous solution is about 1 minute, but if it is too long, the chemical solution deteriorates due to contact with the metal circuit portion, etc., so 1 to 3 minutes is preferable. . By removing the silver chloride layer by this thiosulfate treatment, the brazing material removal efficiency can be improved by other chemical treatments.
金属板としては、熱伝導率および電気伝導の大きいCu板が用いられることが多い。若干電気特性が低下するものの、軽く軟らかいという特徴からAlが用いられる場合もある。また、金属の特性を変化させるため、用途に応じてこれらの合金が用いられる場合もある。 As the metal plate, a Cu plate having high thermal conductivity and high electrical conductivity is often used. Although electrical characteristics are slightly reduced, Al is sometimes used because of its light and soft characteristics. Moreover, in order to change the characteristic of a metal, these alloys may be used according to a use.
金属−セラミックス接合回路基板の表面の回路パターンとなる金属板の耐候性を向上させるとともに、半田濡れ性などの経時変化を防止するために、Niメッキ、Ni合金メッキまたはAuメッキを行うことが好ましい。メッキ工程は、脱脂、化学研磨、Pd活性化の薬液による前処理工程を経て、Ni−P無電解メッキ液として次亜リン酸塩を含有する薬液を使用する通常の無電解メッキの方法、あるいは電極をパターンに接触させて電気メッキを行う方法などにより行う。 Ni plating, Ni alloy plating, or Au plating is preferably performed in order to improve the weather resistance of the metal plate serving as the circuit pattern on the surface of the metal-ceramic bonding circuit board and to prevent changes over time such as solder wettability. . The plating step is a conventional electroless plating method using a chemical solution containing hypophosphite as a Ni-P electroless plating solution after a pretreatment step with a chemical solution for degreasing, chemical polishing, and Pd activation, or For example, the electrode is brought into contact with the pattern and electroplating is performed.
本発明において使用するセラミックス基板の材料については、Al2O3(アルミナ)は安価であり、AlNは高価であるが熱伝導性が良好であり、Si3N4およびSiCは熱伝導性がAl2O3とAlNの中間であり高価であるが強度や靭性が高いという特徴がある。これらのセラミックス基板の特徴を生かし、Al2O3は安価なセラミックス回路基板を提供でき、AlNは優れた放熱性を利用して大電力チップなどの発熱の大きい半導体に対応するセラミックス回路基板を提供でき、また、Si3N4およびSiCは優れた強度を生かして耐熱衝撃性や耐環境性に強く自動車など厳しい環境で使用されるセラミックス回路基板を提供することができる。 Regarding the material of the ceramic substrate used in the present invention, Al 2 O 3 (alumina) is inexpensive, AlN is expensive but has good thermal conductivity, and Si 3 N 4 and SiC have thermal conductivity of Al. It is intermediate between 2 O 3 and AlN and is expensive, but has the characteristics of high strength and toughness. Taking advantage of the characteristics of these ceramic substrates, Al 2 O 3 can provide an inexpensive ceramic circuit substrate, and AlN provides a ceramic circuit substrate corresponding to a semiconductor that generates a large amount of heat, such as a high-power chip, using excellent heat dissipation. In addition, Si 3 N 4 and SiC can provide a ceramic circuit board that is strong in thermal shock resistance and environmental resistance and used in harsh environments such as automobiles by making use of excellent strength.
本発明により製造される金属−セラミックス接合回路基板では、その金属回路板上には、半導体チップ、抵抗体、その他の電気・電子部品が半田付けなどによって搭載され、その反対側の面には、放熱板が半田付けなどによって接合される。さらに、プラスチックケースなどの接着、外部端子と回路基板との超音波ボンディングワイヤによる接続、絶縁ゲル注入、上蓋の接着などの工程を経て、モジュールとして完成して使用することができる。 In the metal-ceramic bonding circuit board manufactured according to the present invention, a semiconductor chip, a resistor, and other electric / electronic components are mounted on the metal circuit board by soldering, and on the opposite surface, The heat sink is joined by soldering or the like. Furthermore, it can be completed and used as a module through processes such as adhesion of a plastic case, connection of an external terminal and a circuit board by an ultrasonic bonding wire, injection of an insulating gel, adhesion of an upper lid, and the like.
以下、添付図面を参照して本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法の実施例について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of a method for manufacturing a metal / ceramic bonding circuit board according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[実施例1]
金属成分が91Ag−7Cu−1.5Ti−0.5TiO2(wt%)になるように金属粉を秤量し、この金属粉に約10%のアクリル系のビヒクルを加え、自動乳鉢や3本ロールミルなどにより通常の方法で混錬して、ペースト状のろう材を作製した。
[Example 1]
Weigh the metal powder so that the metal component is 91Ag-7Cu-1.5Ti-0.5TiO 2 (wt%), add about 10% acrylic vehicle to this metal powder, and use an automatic mortar or three roll mill A paste-like brazing material was prepared by kneading by a usual method.
次に、図1に示すように、セラミックス基板10を用意し(図1(a))、スクリーン印刷によりセラミックス基板10の両面にろう材12を塗布し(図1(b))、その両側に0.3mmの厚さのCu板14を配置し(図1(c))、真空炉中において835℃でセラミックス基板10とCu板14を接合した。なお、接合後にサンプルを切断してろう材12の厚さを測定したところ、約20μmであった。また、セラミックス基板10として、ATG社製SグレードAlN基板を使用した。
Next, as shown in FIG. 1, a
その後、サンプルを真空炉から取り出し、図2に示すように、接合したCu板14の両面に、所望の回路パターンのUV硬化アルカリ剥離型レジスト16(三井化学(株)製MT−UV−5203)を約10〜15μmの厚さに塗布し(図2(a))、塩化銅と過酸化水素水と塩酸からなるエッチング液によりCu板14の不要部分を除去した(図2(b))。
Thereafter, the sample was taken out from the vacuum furnace, and as shown in FIG. 2, a UV-cured alkali-peeling resist 16 having a desired circuit pattern (MT-UV-5203 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) was formed on both surfaces of the bonded
次に、この回路パターン間や基板の縁面の不要なろう材を除去するため、30%チオ硫酸ナトリウム水溶液に室温で2分間浸漬した後、830gの純粋に対して14gのEDTAおよび170mlの過酸化水素水(35w/w%)の割合で加えた溶液をpH調整剤(アンモニア水(28w/w%))によりpH5.6に調整した混合溶液(液温47℃)に150分間ディップして、ろう材12を除去した後(図3(a))、レジスト16を剥離し(図3(b))、Ni−P無電解メッキ18を施した(図3(c))。Ni−Pメッキ液としては、上村工業社製ニムデンSXを使用した。この時の(Cuの平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度)の値は1.8であった。
Next, in order to remove unnecessary brazing material between the circuit patterns and on the edge of the substrate, after being immersed in a 30% aqueous sodium thiosulfate solution at room temperature for 2 minutes, 14 g of EDTA and 170 ml of excess were added to 830 g of pure. The solution added at a rate of hydrogen oxide water (35 w / w%) was dipped in a mixed solution (liquid temperature 47 ° C.) adjusted to pH 5.6 with a pH adjuster (ammonia water (28 w / w%)) for 150 minutes. After removing the brazing material 12 (FIG. 3A), the resist 16 was peeled off (FIG. 3B), and Ni—P
この実施例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は50μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。また、得られた金属−セラミックス接合回路基板の断面写真を図4に示す。 The amount of protrusion of the brazing material of the metal / ceramic bonding circuit board obtained in this example was 50 μm, and the brazing material removal property and circuit pattern property were good. Moreover, the cross-sectional photograph of the obtained metal-ceramic bonding circuit board is shown in FIG.
[実施例2]
実施例1においてEDTAと過酸化水素水とpH調整剤の混合溶液により処理した後の基板を、再度塩化銅と塩酸と過酸化水素からなるエッチング液により処理し、次いでレジストを剥離し、Ni−P無電解メッキを施した。この実施例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は120μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。
[Example 2]
The substrate after the treatment with the mixed solution of EDTA, hydrogen peroxide solution and pH adjuster in Example 1 was again treated with an etching solution comprising copper chloride, hydrochloric acid and hydrogen peroxide, and then the resist was stripped. P electroless plating was applied. The amount of protrusion of the brazing material of the metal / ceramic bonding circuit board obtained in this example was 120 μm, and the removability of the brazing material and the circuit pattern were good.
[実施例3]
セラミックスとしてAl2O3を使用した以外は実施例2と同一の処理を行った。この実施例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量も120μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。
[Example 3]
The same treatment as in Example 2 was performed except that Al 2 O 3 was used as the ceramic. The amount of protrusion of the brazing material of the metal / ceramic bonding circuit board obtained in this example was 120 μm, and the brazing material removal property and circuit pattern property were good.
[比較例1]
EDTAと過酸化水素水とpH調整剤の混合溶液のpHを7.0に調整し、この混合溶液の液温を23℃にし、ディップ時間を120分間にした以外は実施例2と同一の処理を行った。しかし、この比較例で使用したエッチングレジストは実施例1〜3と同様にアルカリ剥離型レジストであるため、レジストを維持できずに不要なろう材を除去した。その結果、この比較例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は120μmであり、ろう材除去性は良好であったが、回路パターン性は良好でなかった。
[Comparative Example 1]
The same treatment as in Example 2 except that the pH of the mixed solution of EDTA, hydrogen peroxide solution and pH adjuster was adjusted to 7.0, the liquid temperature of this mixed solution was 23 ° C., and the dip time was 120 minutes. Went. However, since the etching resist used in this comparative example is an alkali peeling resist as in Examples 1 to 3, the resist was not maintained and unnecessary brazing material was removed. As a result, the amount of protrusion of the brazing material of the metal / ceramic bonding circuit board obtained in this comparative example was 120 μm, and the brazing material removal property was good, but the circuit pattern property was not good.
[比較例2]
730gの純粋に対して14gのEDTAと170mlの過酸化水素水(35w/w%)と110mlのアンモニア水(28w/w%)の割合で加えてpHを10以上に調整した混合溶液を用意し、この混合溶液の液温を23℃にし、ディップ時間を40分間とした以外は実施例1と同一の処理を行った。この比較例では、ろう材除去時にアルカリのためレジストが維持されなかった。この比較例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材除去性は良好であったが、回路パターン性は良好でなく、ろう材はみ出し量は−100μmであった。また、この場合の(Cuの平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度)の値は0.1以下であった。
[Comparative Example 2]
Prepare a mixed solution with pH adjusted to 10 or more by adding 14g EDTA, 170ml hydrogen peroxide (35w / w%) and 110ml ammonia water (28w / w%) to 730g pure. The same treatment as in Example 1 was performed except that the liquid temperature of this mixed solution was 23 ° C. and the dip time was 40 minutes. In this comparative example, the resist was not maintained due to alkali when the brazing material was removed. The metal / ceramic bonding circuit board obtained in this comparative example had good brazing material removability, but circuit patternability was not good, and the brazing material protrusion amount was -100 μm. In this case, the value of (average dissolution rate of Cu / average dissolution rate of brazing filler metal) was 0.1 or less.
なお、実施例1〜3、比較例1および2についての結果をまとめて表1に示す。 The results for Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 are collectively shown in Table 1.
10 セラミックス基板
12 ろう材
14 Cu板
16 UV硬化アルカリ剥離型レジスト
18 Ni−P無電解メッキ
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