JP5738889B2 - オーミックシーム(ohmicseam)を含むトランスキャパシタンス型センサデバイス(transcapacitivesensordevice) - Google Patents
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Description
[0036]以下の用語集は、本明細書において使用される用語を定義するために設けられている。さらに、こうした用語、及び本明細書において使用される他の用語をさらに示し、理解できるようにするために、用語集に加えて、多くの図が用意され、以下で説明される。
[0048]本明細書に記載されているセンサパターンは、センサ電極間のオーミックシームによって区切られる。これらのオーミックシームは、オーミックシームのないセンサパターンと比較して、性能の向上を可能にすることができるより小さいセクションを提供する。すなわち、センサパターンは、パターンが分割されていない場合より短いセンサ電極を含む複数のセクションに分割される。この区切られた手法は、区切られていないセンサパターンと比較されるとき、より高速なフレームレート、ノイズに対する弱さの低下など、より良好な性能を可能にし得る。また、これらのより小さいセクションのスキャンは、オーミックシーム(複数可)と関連した画像アーチファクトを回避又は低減するような方法で、同期され、順に行われ得る。入力デバイス100の検知領域120を含めて、任意の適切な入力デバイスの任意の適切な検知領域を実装するために、本明細書に記載されているセンサパターンのうちのいずれかが使用され得ることを理解されたい。
[0083]セクションをスキャンし、入力情報のフレームを取得するために、送信機電極が稼働されて適切な検知方式に従って送信する。様々な実施形態に従って、区切られたセンサパターンをスキャンするために、様々な検知方式が使用され得る。説明を簡単にするために、ここで説明される検知方式例はしばしば、図6及びセンサパターン600を参照する。しかし、ここに記載される検知方式は、任意の数のセクションを含む任意の適切なセンサパターンについて類推され、適用され得る。説明を簡単にするために、以下の説明は、上記で紹介されたTXi,jの表記も参照し、追加の数学的表記を導入する。
[00111]検知方式が複数の送信機電極による並行した送信を伴う場合、これらの複数の送信機電極のうちの一部又はすべては、一意に符号化される送信機信号を送信し得る。例えば、送信機信号は、例えばウォルシュコード、アダマールコード、及び擬似乱数などのコードを含む様々な異なる変調コードに従い得る。コードは、任意の適当な長さのものでもよい。送信機信号は、例えば周波数、振幅、位相などの差を介してなど、任意の適切な方法でコードを表すことができる。例えば、いくつかの実施形態は、並行した送信の周波数を異なるように調整し、独立した結果を取得するために、受信された結果として得られた信号を適切に復調する。独立した各結果は、並行した送信のうちの1つに対応する応答と関連付けられている。図10〜図12は、様々な実施形態による、特定の複数に区切られたセンサパターンの例、及びコーディングパターンを有する検知方式の具体例を示す。他の実装形態は、異なるセンサパターン及び/又は他のコーディングパターンを有し得る。
[00119]いくつかの実施形態に従って、例えば入力デバイス100などの入力デバイスの区切られたセンサパターンを含む1つ又は複数の集積回路(IC)が使用され得る。1つ又は複数のICはそれぞれ、特定用途向け集積回路(ASIC)を備えていてもよく、又は汎用集積回路であってもよい。
[00126]図15は、様々な実施形態による、入力デバイスにより使用され得る処理システム1510の例を示す。処理システム1510は、入力デバイス100の処理システム110の実装形態とすることができる。他の処理システムは、同じように実装され得る。一実施形態において、処理システム1510は、複数の送信機電極及び複数の受信機電極(例えば、様々な図に示されるもの)に通信可能に結合されるように構成される。処理システム1510は、送信機回路1505及び受信機回路1515を含む。様々な実施形態において、送信機回路1505は、1つ又は複数のICに配置される。すなわち、いくつかの実施形態では、送信機回路1505は、完全に単一のICに配置され、いくつかの実施形態では、送信機回路1505は、複数のICに配置される。同様に、様々な実施形態では、受信機回路1515は、1つ又は複数のICの一部を備えることができる。送信機回路1505を実装するICは、受信機回路1515を実装してもよく、又は実装しなくてもよい。すなわち、関連のICは、受信機回路のみ、送信機回路のみ、又はいくつかの受信機回路及びいくつかの送信機回路を含むことができる。いくつかの実施形態は、メモリ1525、分析回路1535、及び符号化構成要素1545のうちの1つ又は複数をさらに含む。これらの回路構成要素のうちのいずれか又はすべては、処理システム1510の1つ又は複数のICの一部又はすべてによって実装され得る。
[00140]図16A及び16Bは、様々な実施形態による、静電容量検知デバイスによる静電容量検知の方法例のフロー図1600を示す。静電容量検知デバイスは、オーミックシームによって区切られた複数の送信機電極と、オーミックシームによって区切られた複数の受信機電極とを備える。説明上、図6のセンサパターン600が参照される。しかし、フロー図1600の方法に記載されている手順は、本明細書に記載されている他のセンサパターン及びその均等物を含めて、他のセンサパターンを使用して実施されてもよいことを理解されたい。例えば、フロー図1600は、より多い又はより少ない送信機シーム又は受信機シームを含む、より多い又はより少ないセクションを含む、分割画素を含むなどのセンサパターンにも適用される。さらに、説明上、図1の処理システム110及び図15の処理システム1510が参照される。しかし、他の実装形態において、別の構成要素(例えば、ホスト計算)がフロー図1600に示される手順の一部又は全部を実施することができることを認識されたい。いくつかの実施形態では、フロー図1600に記載されている手順のすべてが実施されるというわけではない。いくつかの実施形態では、記載されているものに加えて他の手順が実施されてもよい。いくつかの実施形態では、フロー図1600に記載されている手順は、例示され、及び/又は記載されているものとは異なる順序で実施されてもよい。
[00154]この文書は、少なくとも以下の概念を開示している。
概念1 オーミックシームを有しているトランスキャパシタンス型検知デバイスであって、
前記オーミックシームによって区切られる複数の送信機電極と、
前記オーミックシームによって区切られる複数の受信機電極と、
前記複数の送信機電極及び前記複数の受信機電極に通信可能に結合される処理システムであり、
前記複数の送信機電極のうちの第1の送信機電極により第1の送信機信号を送信し、前記第1の送信機電極が前記オーミックシームの第1の側に配置され、
前記複数の送信機電極のうちの第2の送信機電極により第2の送信機信号を送信し、前記第2の送信機電極が前記オーミックシームの第2の側に配置され、
前記複数の受信機電極のうちの第1の受信機電極により前記第1の送信機信号に対応する第1の応答を受信し、前記第1の受信機電極が前記オーミックシームの前記第1の側に配置され、
前記複数の受信機電極のうちの第2の受信機電極により前記第2の送信機信号に対応する第2の応答を受信し、前記第2の受信機電極が前記オーミックシームの前記第2の側に配置される
ように構成される処理システムと
を備えるトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念2 前記処理システムが、
前記第1の応答と比例した第1の値を提供するように構成された第1の受信機回路と、
前記第2の応答と比例した第2の値を提供するように構成された第2の受信機回路と、
校正情報を格納するように構成されたメモリであり、前記校正情報が前記第1の値を調節して第1の調節された値を生成するように構成され、前記第1の応答に対する前記第1の調節された値の第1の比例が、前記第2の応答に対する前記第2の値又は調節された第2の値の第2の比例に実質的に等しい、メモリと
を備える概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念3 前記処理システムが、
第1の集積回路に配置されている第1の受信機回路であり、前記第1の受信機電極から前記第1の応答を受信するように構成された、第1の受信機回路と、
第2の集積回路に配置されている第2の受信機回路であり、前記第2の受信機回路が前記第2の受信機電極から前記第2の応答を受信するように構成され、前記第2の集積回路が前記第1の集積回路と物理的に分離している、第2の受信機回路と、
前記第1の受信機回路からの前記第1の応答に基づく情報、及び前記第2の受信機回路からの前記第2の応答に基づく情報を受信するように構成された分析回路と
を備える概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念4 前記処理システムが、
前記複数の送信機電極のうちの少なくとも2つより並行して送信される送信機信号を一意に符号化するように構成された符号化構成要素
を備える概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念5 前記処理システムが、
非送信期間中に前記複数の送信機電極による送信を中断する
ようにさらに構成された概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念6 前記オーミックシームが受信機シームであり、前記第2の受信機電極が前記第1の受信機電極の反対側に配置され、前記第1の送信機電極が前記第2の送信機電極に隣接して配置される概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念7 前記オーミックシームが送信機シームであり、前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極の反対側に配置され、前記第2の受信機電極が前記第1の受信機電極に隣接して配置される概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念8 前記オーミックシームが送信機シームであり、前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極の反対側に配置され、前記処理システムが、
前記第1の送信機電極によって前記第1の送信機信号と、前記第2の送信機電極によって前記第2の送信機信号とを並行して送信する
ように構成された概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念9 前記オーミックシームが受信機シームであり、前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極に隣接せずに配置され、前記処理システムが、
前記第1の送信機電極によって前記第1の送信機信号と、前記第2の送信機電極によって前記第2の送信機信号とを並行して送信する
ように構成された概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念10 前記複数の送信機電極が第2のオーミックシームによってさらに区切られ、前記複数の受信機電極が前記第2のオーミックシームによってさらに区切られる概念1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念11 前記オーミックシームが第1の受信機シームであり、前記第2のオーミックシームが第2の受信機シームである概念10に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念12 前記オーミックシームが送信機シームであり、前記第2のオーミックシームが受信機シームである概念10に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。
概念13 オーミックシームによって区切られた複数の送信機電極と、前記オーミックシームによって区切られた複数の受信機電極とを備える静電容量検知デバイスによる静電容量検知の方法であって、
前記複数の送信機電極のうちの第1の送信機電極により第1の送信機信号を送信するステップであり、前記第1の送信機電極が前記オーミックシームの第1の側に配置されている、ステップと、
前記複数の送信機電極のうちの第2の送信機電極により第2の送信機信号を送信するステップであり、前記第2の送信機電極が前記オーミックシームの第2の側に配置されている、ステップと、
前記複数の受信機電極のうちの第1の受信機電極により前記第1の送信機信号に対応する第1の応答を受信するステップであり、前記第1の受信機電極が前記オーミックシームの前記第1の側に配置されている、ステップと、
前記複数の受信機電極のうちの第2の受信機電極により前記第2の送信機信号に対応する第2の応答を受信するステップであり、前記第2の受信機電極が前記オーミックシームの前記第2の側に配置されている、ステップと
を含む方法。
概念14 前記オーミックシームが受信機シームであり、前記複数の送信機電極のうちの第3の送信機電極が、前記第1の側に配置され、前記第1の送信機電極より前記受信機シームから遠く、前記複数の送信機電極のうちの第4の送信機電極が、前記第2の側に配置され、前記第2の送信機電極より前記受信機シームから遠く、前記方法が、
前記受信機シームに対して空間的に移動しているシーケンスで送信機信号を送信するステップであり、前記シーケンスが、前記受信機シームから離れる第1のシーケンスと、前記受信機シームの方に進む第2のシーケンスとから成る群から選択され、
前記第1のシーケンスが、
前記第1の送信機電極により前記第1の送信機信号を送信した前記ステップの後、前記第3の送信機電極により第3の送信機信号を送信するステップと、
前記第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信した前記ステップの後、前記第4の送信機電極により第4の送信機信号を送信するステップと
に対応し、前記第2のシーケンスが、
前記第1の送信機電極により前記第1の送信機信号を送信する前記ステップの前に、前記第3の送信機電極により第3の送信機信号を送信するステップと、
前記第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信する前記ステップの前に、前記第4の送信機電極により第4の送信機信号を送信するステップと
に対応する、ステップ
をさらに含む概念13に記載の方法。
概念15 前記オーミックシームが送信機シームであり、前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極の反対側に配置され、第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信する前記ステップが、
前記第1の送信機信号が前記第1の送信機電極より送信される第1の期間と少なくとも部分的に重なる第2の期間中に、前記第2の送信機電極より前記第2の送信機信号を送信するステップ
を含む概念13に記載の方法。
概念16 前記オーミックシームが受信機シームであり、前記第2の受信機電極が前記第1の受信機電極の反対側に配置され、前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極に隣接せずに配置され、第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信する前記ステップが、
前記第1の送信機信号が前記第1の送信機電極より送信される第1の期間と少なくとも部分的に重なる第2の期間中に、前記第2の送信機電極より前記第2の送信機信号を送信するステップ
を含む概念13に記載の方法。
概念17 前記オーミックシームが受信機シームであり、前記第2の受信機電極が前記第1の受信機電極の反対側に配置され、前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極に隣接して配置され、第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信する前記ステップであって、
前記第1の送信機信号が前記第1の送信機電極より送信される第1の期間と少なくとも部分的に重ならない第2の期間中に、前記第2の送信機電極より前記第2の送信機信号を送信するステップ
を含む概念13に記載の方法。
概念18 第3の送信機電極が前記オーミックシームの前記第1の側に配置される方法であって、
前記第1の受信機電極が、前記第1の応答と、第3の送信機信号に対応する第3の応答とを組み合わせる、結果として得られた信号を受信するように、前記第1の送信機電極により第1の送信機信号を送信する前記ステップと並行して、前記第3の送信機電極により前記第3の送信機信号を送信するステップと、
前記結果として得られた信号を使用して、前記第1の応答及び前記第3の応答と関連した独立した結果を決定するステップと
をさらに含む概念13に記載の方法。
概念19 第1の方向に沿って配列され、オーミックシームによって区切られる複数の送信機電極と、
前記第1の方向と非平行の第2の方向に沿って配列され、前記オーミックシームによって区切られる複数の受信機電極であり、前記複数の送信機電極及び前記複数の受信機電極が、前記オーミックシームと一致している複数の分割画素を形成する、複数の受信機電極と
を備えるトランスキャパシタンス型センサ電極配列。
概念20 前記オーミックシームが、前記複数の送信機電極の第1の送信機電極に重なっている受信機シームであり、前記複数の分割画素のそれぞれが、前記第1の送信機電極、及び前記複数の受信機電極のうちの少なくとも2つの受信機電極から形成される概念19に記載のトランスキャパシタンス型センサ電極配列。
概念21 前記オーミックシームが、前記複数の受信機電極の第1の受信機電極に重なっている送信機シームであり、前記複数の分割画素のそれぞれが、前記第1の受信機電極、及び前記複数の送信機電極のうちの少なくとも2つの送信機電極から形成される概念19に記載のトランスキャパシタンス型センサ電極配列。
概念22 静電容量検知デバイスを動作させるように構成された処理システムであって、
前記静電容量検知デバイスの複数の送信機電極により送信するように構成された送信機回路であり、前記複数の送信機電極が第1の軸に沿って配置され、オーミックシームによって区切られる、送信機回路と、
前記静電容量検知デバイスの複数の受信機電極により受信するように構成された受信機回路であり、前記複数の受信機電極が前記第1の軸に非平行な第2の軸に沿って配置され、前記オーミックシームによって区切られ、前記複数の送信機電極及び前記複数の受信機電極が、前記オーミックシームと一致している複数の分割画素を形成する、受信機回路と、
前記複数の分割画素の各分割画素と関連した静電容量結合の量を推定するように構成された分析回路と
を備える処理システム。
概念23 前記分析回路が、
前記複数の分割画素の各分割画素について、前記複数の受信機電極を使用して取得された関連の部分的な画素測定を組み合わせること
によって前記複数の分割画素の各分割画素と関連した静電容量結合の量を推定するように構成された概念22に記載の処理システム。
概念24 前記分析回路が、
少なくとも1つの部分的な画素と関連した信号増幅の量に基づいて前記複数の分割画素の前記少なくとも1つの部分的な画素に加重を適用すること
によって前記複数の分割画素の各分割画素と関連した静電容量結合の量を推定するように構成された概念22に記載の処理システム。
Claims (7)
- オーミックシームを有しているトランスキャパシタンス型検知デバイスであって、
前記オーミックシームによって区切られる複数の送信機電極と、
前記オーミックシームによって区切られる複数の受信機電極であって、前記複数の送信機電極と前記複数の受信機電極とは同じセンサパターン内で交互に配置される、複数の受信機電極と、
前記複数の送信機電極及び前記複数の受信機電極に通信可能に結合される処理システムであり、
前記複数の送信機電極のうちの第1の送信機電極により第1の送信機信号を送信し、前記第1の送信機電極が前記オーミックシームの第1の側に配置され、
前記複数の送信機電極のうちの第2の送信機電極により第2の送信機信号を送信し、前記第2の送信機電極が前記オーミックシームの第2の側に配置され、
前記複数の受信機電極のうちの第1の受信機電極により前記第1の送信機信号に対応する第1の応答を受信し、前記第1の受信機電極が前記オーミックシームの前記第1の側に配置され、
前記複数の受信機電極のうちの第2の受信機電極により前記第2の送信機信号に対応する第2の応答を受信し、前記第2の受信機電極が前記オーミックシームの前記第2の側に配置され、
前記第1の送信機電極と前記第1の受信機電極とは異なる電極であり、
前記第2の送信機電極と前記第2の受信機電極とは異なる電極である
ように構成される処理システムと、
前記第1の応答と比例した第1の値を提供するように構成された第1の受信機回路と、
前記第2の応答と比例した第2の値を提供するように構成された第2の受信機回路と、
前記第2の値に対して前記第1の値を校正するように構成される校正情報を格納するように構成されたメモリと
を備えるトランスキャパシタンス型検知デバイス。 - 前記処理システムが、
第1の集積回路に配置されている第1の受信機回路であり、前記第1の受信機電極から前記第1の応答を受信するように構成された、第1の受信機回路と、
第2の集積回路に配置されている第2の受信機回路であり、前記第2の受信機回路が前記第2の受信機電極から前記第2の応答を受信するように構成され、前記第2の集積回路が前記第1の集積回路と物理的に分離している、第2の受信機回路と、
前記第1の受信機回路からの前記第1の応答に基づく情報、及び前記第2の受信機回路からの前記第2の応答に基づく情報を受信するように構成された分析回路と
を備える請求項1に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。 - 前記処理システムが、
前記複数の送信機電極のうちの少なくとも2つより並行して送信される送信機信号を一意に符号化するように構成された符号化構成要素
を備える請求項1又は2に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。 - 前記処理システムが、前記第1の送信機電極による前記第1の送信機信号の送信と、前記第2の送信機電極による前記第2の送信機信号の送信とを並行して実行するように構成され、
前記第2の送信機電極が前記第1の送信機電極の反対側に配置される請求項1〜3の何れか一項に記載のトランスキャパシタンス型検知デバイス。 - オーミックシームによって区切られた複数の送信機電極と複数の受信機電極とを備える静電容量検知デバイスであって、前記複数の受信機電極は前記複数の送信機電極に直交して配置され、前記オーミックシームは、前記複数の送信機電極のうちの一つの送信機電極に重なる受信機シームを含み、該受信機シームが重なる送信機電極の第1の部分と第2の部分とは前記オーミックシームの反対側にあり、該受信機シームが重なる前記送信機電極と、前記複数の受信機電極のうちの少なくとも2つの受信機電極とによって分割画素が形成される、静電容量検知デバイスによる静電容量検知の方法であって、
前記複数の送信機電極のうちの第1の送信機電極により第1の送信機信号を送信するステップであり、前記第1の送信機電極が前記オーミックシームの第1の側に配置されている、ステップと、
前記複数の送信機電極のうちの第2の送信機電極により第2の送信機信号を送信するステップであり、前記第2の送信機電極が前記オーミックシームの第2の側に配置されている、ステップと、
前記複数の受信機電極のうちの第1の受信機電極により前記第1の送信機信号に対応する第1の応答を受信するステップであり、前記第1の受信機電極が前記オーミックシームの前記第1の側に配置され、前記第1の送信機電極と前記第1の受信機電極とは異なる電極である、ステップと、
前記複数の受信機電極のうちの第2の受信機電極により前記第2の送信機信号に対応する第2の応答を受信するステップであり、前記第2の受信機電極が前記オーミックシームの前記第2の側に配置され、前記第2の送信機電極と前記第2の受信機電極とは異なる電極である、ステップと
を含む方法。 - 前記オーミックシームが受信機シームであり、前記複数の送信機電極のうちの第3の送信機電極が、前記第1の側に配置され、前記第1の送信機電極より前記受信機シームから遠く、前記複数の送信機電極のうちの第4の送信機電極が、前記第2の側に配置され、前記第2の送信機電極より前記受信機シームから遠く、前記方法が、
前記受信機シームに対して空間的に移動するシーケンスで送信機信号を送信するステップであり、前記シーケンスが、前記受信機シームから離れる第1のシーケンスと、前記受信機シームの方に進む第2のシーケンスとから成る群から選択され、
前記第1のシーケンスが、
前記第1の送信機電極により前記第1の送信機信号を送信した前記ステップの後、前記第3の送信機電極により第3の送信機信号を送信するステップと、
前記第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信した前記ステップの後、前記第4の送信機電極により第4の送信機信号を送信するステップと
に対応し、前記第2のシーケンスが、
前記第1の送信機電極により前記第1の送信機信号を送信する前記ステップの前に、前記第3の送信機電極により第3の送信機信号を送信するステップと、
前記第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信する前記ステップの前に、前記第4の送信機電極により第4の送信機信号を送信するステップと
に対応する、ステップ
をさらに含む請求項5に記載の方法。 - 第2の送信機電極により前記第2の送信機信号を送信する前記ステップが、
前記第1の送信機信号が前記第1の送信機電極より送信される第1の期間と少なくとも部分的に重なる第2の期間中に、前記第2の送信機電極より前記第2の送信機信号を送信するステップ
を含む請求項5又は6に記載の方法。
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US9891757B2 (en) * | 2009-12-21 | 2018-02-13 | Synaptics Incorporated | Elastive sensing |
US8810543B1 (en) | 2010-05-14 | 2014-08-19 | Cypress Semiconductor Corporation | All points addressable touch sensing surface |
US10268320B2 (en) * | 2010-08-06 | 2019-04-23 | Apple Inc. | Method for disambiguating multiple touches on a projection-scan touch sensor panel |
US8970541B2 (en) * | 2010-11-24 | 2015-03-03 | Innolux Corporation | Sensing devices |
DE102011003734B3 (de) * | 2011-02-07 | 2012-06-14 | Ident Technology Ag | Elektrodenkonfiguration für eine kapazitive Sensoreinrichtung sowie kapazitive Sensoreinrichtung zur Annäherungsdetektion |
US9727176B2 (en) * | 2011-06-21 | 2017-08-08 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensor pattern |
US9052782B2 (en) * | 2011-07-29 | 2015-06-09 | Synaptics Incorporated | Systems and methods for voltage gradient sensor devices |
DE102011083336A1 (de) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Ident Technology Ag | Elektrodenkonfiguration zur Positionserfassung sowie Verfahren zur Positionserfassung |
US9612265B1 (en) | 2011-09-23 | 2017-04-04 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods and apparatus to detect a conductive object |
US9195350B2 (en) | 2011-10-26 | 2015-11-24 | Nokia Technologies Oy | Apparatus and associated methods |
US9733706B2 (en) * | 2011-10-26 | 2017-08-15 | Nokia Technologies Oy | Apparatus and associated methods for touchscreen displays |
US9495010B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-11-15 | Nokia Technologies Oy | Apparatus and associated methods |
TWI451304B (zh) * | 2011-11-04 | 2014-09-01 | Innolux Corp | 觸控裝置及其驅動方法 |
US9720534B2 (en) * | 2011-12-22 | 2017-08-01 | Shenzhen Huiding Technology Co., Ltd. | Capacitive touch sensor partially integrated with LCD display |
WO2013146333A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touchscreen, driving method thereof, and touchscreen module |
KR101374018B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2014-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 구동 장치 및 방법 |
KR101401254B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2014-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동 방법 |
US9151790B1 (en) * | 2012-06-21 | 2015-10-06 | Parade Technologies, Ltd. | Sensor pattern with inactive electrodes in transmit (TX) layer for mutual capacitance |
US8970546B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-03-03 | Synaptics Incorporated | Method and apparatus for improved input sensing using a display processor reference signal |
US9772722B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-09-26 | Parade Technologies, Ltd. | Position sensing methods and devices with dynamic gain for edge positioning |
US20140225859A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Broadcom Corporation | Mutual capacitive touch sensor pattern |
US9019224B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-28 | Tactual Labs Co. | Low-latency touch sensitive device |
JP2014186535A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Japan Display Inc | タッチセンサ装置、表示装置、及び電子機器 |
US10955973B2 (en) * | 2013-04-16 | 2021-03-23 | Atmel Corporation | Differential sensing for touch sensors |
CN104281293B (zh) * | 2013-07-02 | 2017-07-18 | 晶宏半导体股份有限公司 | 改进的触控屏幕的电极结构 |
US9696858B2 (en) * | 2013-07-08 | 2017-07-04 | Synaptics Incorporated | Display device having an integrated sensing device with improved proximity sensing |
JP2015043200A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-03-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出装置、タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器 |
US8872526B1 (en) | 2013-09-10 | 2014-10-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Interleaving sense elements of a capacitive-sense array |
US9495050B1 (en) | 2013-09-10 | 2016-11-15 | Monterey Research, Llc | Sensor pattern with signal-spreading electrodes |
KR102114488B1 (ko) * | 2013-11-05 | 2020-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센싱시스템 및 표시장치 |
TWI526893B (zh) * | 2013-11-05 | 2016-03-21 | 群創光電股份有限公司 | 觸控顯示裝置 |
US9164137B2 (en) * | 2013-12-05 | 2015-10-20 | Parade Technologies, Ltd. | Tunable baseline compensation scheme for touchscreen controllers |
KR102112528B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2020-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
US9690397B2 (en) * | 2014-05-20 | 2017-06-27 | Synaptics Incorporated | System and method for detecting an active pen with a matrix sensor |
US9552117B2 (en) * | 2014-06-20 | 2017-01-24 | Qualcomm Incorporated | Capacitive touch panel with increased scan frequency using dynamic phase compensation |
US9671920B2 (en) * | 2014-06-26 | 2017-06-06 | Microchip Technology Incorporated | Compensation of a target object coupling to feeding lines in capacitive sensing system |
DE102014218535A1 (de) * | 2014-09-16 | 2016-03-17 | Robert Bosch Gmbh | Kapazitiver Sensor |
JP6451026B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-01-16 | トッパン・フォームズ株式会社 | タッチパネル用電極およびタッチパネル |
TWI539355B (zh) * | 2014-10-28 | 2016-06-21 | 群創光電股份有限公司 | 觸控顯示裝置及其觸控顯示偵測方法 |
US10990148B2 (en) | 2015-01-05 | 2021-04-27 | Synaptics Incorporated | Central receiver for performing capacitive sensing |
JP6765807B2 (ja) * | 2015-01-05 | 2020-10-07 | シナプティクス インコーポレイテッド | 容量性感知を行うための基準電圧の変調 |
US9740326B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-08-22 | Synaptics Incorporated | Sensor array with split-drive differential sensing |
US9817506B2 (en) * | 2015-03-31 | 2017-11-14 | Synaptics Incorporated | Sensor array configurations for differential readout |
US9823794B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-11-21 | Synaptics Incorporated | Differential readout for sensor array |
US10108292B2 (en) * | 2015-04-22 | 2018-10-23 | Microchip Technology Incorporated | Capacitive sensor system with multiple transmit electrodes |
US10353516B2 (en) | 2015-04-24 | 2019-07-16 | Apple Inc. | Merged floating pixels in a touch screen |
US20160370912A1 (en) * | 2015-06-22 | 2016-12-22 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Multiple matrix differential touch sense |
US20170003776A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Synaptics Incorporated | Dynamic estimation of ground condition in a capacitive sensing device |
US9791985B2 (en) | 2015-07-20 | 2017-10-17 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd | Cross hatch ITO sensor pattern for touchscreens |
CN105353931B (zh) * | 2015-11-24 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触摸屏及其制作方法、显示器件 |
US10042467B2 (en) * | 2016-01-29 | 2018-08-07 | Synaptics Incorporated | Integrated capacitive fingerprint sensor |
US10572707B2 (en) | 2016-02-09 | 2020-02-25 | Synaptics Incorporated | Transparent fingerprint sensor pattern |
US10540043B2 (en) * | 2016-03-02 | 2020-01-21 | Synaptics Incorporated | Hybrid in-cell sensor topology |
JP6695711B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2020-05-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置のタッチ検出方法 |
US10088942B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-02 | Synaptics Incorporated | Per-finger force detection using segmented sensor electrodes |
US10809842B2 (en) | 2016-05-26 | 2020-10-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Active touch input device pairing negotiation |
CN109416582B (zh) * | 2016-05-27 | 2022-05-27 | 西北大学 | 触觉触摸屏及其操作方法 |
KR102382042B1 (ko) | 2016-06-21 | 2022-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 유닛 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US20170371487A1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Tactual Labs Co. | Frame-phase synchronization in frequency division modulated touch systems |
US10282189B2 (en) * | 2016-06-30 | 2019-05-07 | Synaptics Incorporated | Updating program code stored in an external non-volatile memory |
FR3054051B1 (fr) * | 2016-07-13 | 2018-07-13 | Thales | Surface tactile matricielle de grandes dimensions comportant une electronique a double injection des lignes ou des colonnes |
CN106227387B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-01-25 | 厦门天马微电子有限公司 | 触控显示面板和触控显示装置 |
CN206322135U (zh) * | 2016-12-26 | 2017-07-11 | 云谷(固安)科技有限公司 | 触摸构件以及显示设备 |
US10430633B2 (en) * | 2017-01-13 | 2019-10-01 | Synaptics Incorporated | Pixel architecture and driving scheme for biometric sensing |
CN107496053A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子皮肤、制作方法和驱动方法 |
US10466848B2 (en) * | 2017-08-28 | 2019-11-05 | Synaptics Incorporated | CDM excitation on full in-cell matrix sensor array with reduced background capacitance |
US10530363B2 (en) * | 2017-08-31 | 2020-01-07 | Synaptics Incorporated | Interference monitoring with transmitter electrodes |
KR102378750B1 (ko) * | 2017-09-27 | 2022-03-28 | 현대자동차주식회사 | 입력 장치 및 그 제어 방법 |
US11972078B2 (en) * | 2017-12-13 | 2024-04-30 | Cypress Semiconductor Corporation | Hover sensing with multi-phase self-capacitance method |
KR102528589B1 (ko) * | 2018-04-18 | 2023-05-04 | 주식회사 엘엑스세미콘 | 터치센싱장치 |
US10983553B2 (en) | 2018-08-24 | 2021-04-20 | Synaptics Incorporated | System and method for synchronizing sensing signals of integrated circuit chips |
KR20200034388A (ko) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 이동 단말기 |
KR102256700B1 (ko) * | 2019-03-26 | 2021-05-27 | 주식회사 하이딥 | 터치센서패널 |
US11892287B2 (en) * | 2019-06-28 | 2024-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Input device |
US10908750B1 (en) * | 2019-11-26 | 2021-02-02 | Synaptics Incorporated | Minimizing latency for resonant input object detection and classification |
WO2021247602A1 (en) | 2020-06-02 | 2021-12-09 | Microchip Technology Incorporated | Capacitive sensing utilizing a differential value indication |
KR20220004895A (ko) | 2020-07-03 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US11656261B2 (en) * | 2021-07-27 | 2023-05-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrostatic detections |
US11983361B2 (en) * | 2021-10-18 | 2024-05-14 | Lg Display Co., Ltd. | Touch display device |
KR20230102898A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 표시 장치 |
Family Cites Families (95)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9201949D0 (en) | 1992-01-30 | 1992-03-18 | Jenkin Michael | Large-scale,touch-sensitive video display |
US5534892A (en) | 1992-05-20 | 1996-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display-integrated type tablet device having and idle time in one display image frame to detect coordinates and having different electrode densities |
DE69324067T2 (de) | 1992-06-08 | 1999-07-15 | Synaptics Inc | Objekt-Positionsdetektor |
TW274598B (en) | 1994-11-15 | 1996-04-21 | Alps Electric Co Ltd | Coordinate input device for pen of finger tip |
CN1064754C (zh) * | 1998-12-18 | 2001-04-18 | 赵飙 | 改进型电容性位移传感器 |
US7653883B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-01-26 | Apple Inc. | Proximity detector in handheld device |
US7737953B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-06-15 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensing apparatus having varying depth sensing elements |
US20060227115A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Tyco Electronic Corporation | Method and apparatus for touch sensor with interference rejection |
US8487910B2 (en) | 2005-05-02 | 2013-07-16 | Smart Technologies Ulc | Large scale touch system and methods for interacting with same |
JP5395429B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2014-01-22 | シナプティクス インコーポレイテッド | シグマデルタ測定法を使用してキャパシタンスを検出するための方法およびシステム |
US7777501B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-08-17 | Synaptics Incorporated | Methods and systems for sigma delta capacitance measuring using shared component |
US7902842B2 (en) * | 2005-06-03 | 2011-03-08 | Synaptics Incorporated | Methods and systems for switched charge transfer capacitance measuring using shared components |
US7924029B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-04-12 | Synaptics Incorporated | Half-bridge for capacitive sensing |
US7218124B1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-05-15 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensing apparatus designs |
KR100746874B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-08-07 | 삼성전자주식회사 | 이동 단말기에서 터치패드를 이용한 서비스 제공 장치 및방법 |
US7733557B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-06-08 | Micron Technology, Inc. | Spatial light modulators with changeable phase masks for use in holographic data storage |
US8552989B2 (en) * | 2006-06-09 | 2013-10-08 | Apple Inc. | Integrated display and touch screen |
GB0612200D0 (en) * | 2006-06-20 | 2006-08-02 | Philipp Harald | Capacitive position sensor |
US8482530B2 (en) | 2006-11-13 | 2013-07-09 | Apple Inc. | Method of capacitively sensing finger position |
TWI336805B (en) * | 2006-12-07 | 2011-02-01 | Chimei Innolux Corp | Liquid crystal display device and driving method thereof |
US7973771B2 (en) * | 2007-04-12 | 2011-07-05 | 3M Innovative Properties Company | Touch sensor with electrode array |
US7848825B2 (en) | 2007-01-03 | 2010-12-07 | Apple Inc. | Master/slave mode for sensor processing devices |
JP5024989B2 (ja) | 2007-01-23 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 2次元アレイ超音波プローブ及び超音波診断システム |
KR100885730B1 (ko) * | 2007-03-05 | 2009-02-26 | (주)멜파스 | 단순한 적층 구조를 갖는 접촉위치 감지 패널 |
TWI444876B (zh) * | 2007-04-05 | 2014-07-11 | Qrg Ltd | 二維位置感應器 |
JP4967780B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 座標入力装置及び表示装置 |
US7446694B1 (en) | 2007-05-30 | 2008-11-04 | Motorola, Inc. | System for synchronization of multi-sensor data |
US7920134B2 (en) | 2007-06-13 | 2011-04-05 | Apple Inc. | Periodic sensor autocalibration and emulation by varying stimulus level |
JP2009009249A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nissha Printing Co Ltd | 静電容量式タッチパネル及びこれを用いた2方式併用タッチパネル |
US7583092B2 (en) | 2007-07-30 | 2009-09-01 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensing apparatus that uses a combined guard and sensing electrode |
JP2009111497A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Olympus Corp | 信号処理装置及び信号処理方法 |
US7880481B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-02-01 | Infineon Technologies Ag | Capacitive sensor and measurement system |
EP2075678A3 (en) * | 2007-12-27 | 2013-03-13 | TPO Displays Corp. | Position sensing display |
US8265688B2 (en) | 2007-12-31 | 2012-09-11 | Motorola Mobility Llc | Wireless communication device and split touch sensitive user input surface |
EP2260607B1 (en) * | 2008-03-31 | 2018-01-24 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Method and apparatus for transmitting csi on the pusch in an lte system |
KR101080183B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2011-11-07 | (주)멜파스 | 가장자리 위치 인식 특성이 개선된 접촉 감지 장치 |
US8519965B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Motorola Mobility Llc | Multi-touch detection panel with disambiguation of touch coordinates |
JP2010058980A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-03-18 | Canon Inc | シート排出装置、及びそれを備えた画像形成装置 |
KR101080181B1 (ko) | 2008-08-14 | 2011-11-07 | (주)멜파스 | 양방향 인접 전극을 포함하는 접촉 감지 패널, 및 접촉 감지 장치 |
KR101002308B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2010-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US8482545B2 (en) | 2008-10-02 | 2013-07-09 | Wacom Co., Ltd. | Combination touch and transducer input system and method |
CN101393502B (zh) * | 2008-10-31 | 2012-03-07 | 敦泰科技有限公司 | 互电容式触摸屏及组合式互电容触摸屏 |
US8331992B2 (en) | 2008-12-19 | 2012-12-11 | Verizon Patent And Licensing Inc. | Interactive locked state mobile communication device |
KR101534109B1 (ko) | 2008-12-23 | 2015-07-07 | 삼성전자주식회사 | 정전용량형 터치 패널 및 이를 포함하는 정전용량형 터치 시스템 |
US8314779B2 (en) | 2009-02-23 | 2012-11-20 | Solomon Systech Limited | Method and apparatus for operating a touch panel |
US9459734B2 (en) * | 2009-04-06 | 2016-10-04 | Synaptics Incorporated | Input device with deflectable electrode |
US9495042B2 (en) * | 2009-04-14 | 2016-11-15 | Atmel Corporation | Two-dimensional position sensor |
US8358285B2 (en) | 2009-05-06 | 2013-01-22 | Silicon Laboratories Inc. | Method and apparatus for scanning a touchscreen with multi-touch detection using master/slave devices |
CN105258714B (zh) | 2009-05-13 | 2018-10-19 | 辛纳普蒂克斯公司 | 电容传感器装置 |
US8279194B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-10-02 | Elo Touch Solutions, Inc. | Electrode configurations for projected capacitive touch screen |
JP5252454B2 (ja) | 2009-06-30 | 2013-07-31 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 接触検出装置、および、タッチセンサ機能を有する表示装置 |
WO2011001561A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | タッチパネル装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法 |
US8669640B2 (en) * | 2009-07-14 | 2014-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Bipolar transistor |
US8237453B2 (en) | 2009-07-24 | 2012-08-07 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensing pattern |
US9836167B2 (en) * | 2009-08-03 | 2017-12-05 | Atmel Corporation | Electrode layout for touch screens |
US8415958B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-04-09 | Synaptics Incorporated | Single layer capacitive image sensing |
US8564552B2 (en) * | 2009-10-26 | 2013-10-22 | Atmel Corporation | Touchscreen electrode arrangement with varied proportionate density |
US9372579B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-06-21 | Atmel Corporation | Touchscreen electrode arrangement |
US8970509B2 (en) | 2009-12-09 | 2015-03-03 | Lg Display Co., Ltd. | Touch panel and liquid crystal display device including the same |
KR101309862B1 (ko) | 2009-12-10 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 |
KR101351413B1 (ko) | 2009-12-11 | 2014-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 이를 적용한 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 |
EP2513763A4 (en) | 2009-12-18 | 2016-10-05 | Synaptics Inc | TRANS-CAPACITIVE SENSOR DEVICE WITH CONDUCTIVE SEAMS |
US20110148436A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Synaptics Incorporated | System and method for determining a number of objects in a capacitive sensing region using signal grouping |
WO2011106575A2 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Synaptics Incorporated | Varying demodulation to avoid interference |
US8458788B2 (en) * | 2010-05-04 | 2013-06-04 | Synaptics Incorporated | System and method for authentication of input devices |
US10268320B2 (en) | 2010-08-06 | 2019-04-23 | Apple Inc. | Method for disambiguating multiple touches on a projection-scan touch sensor panel |
US9013441B2 (en) * | 2010-08-24 | 2015-04-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Smart scanning for a capacitive sensing array |
US8614693B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-12-24 | Apple Inc. | Touch and hover signal drift compensation |
KR20120027984A (ko) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | 삼성전기주식회사 | 정전용량식 터치스크린 |
TWI403795B (zh) * | 2010-11-11 | 2013-08-01 | Wintek Corp | 觸控顯示裝置 |
CN102467284B (zh) | 2010-11-13 | 2016-05-25 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种多触摸点的真坐标侦测装置及其侦测方法 |
WO2012090805A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US8686735B2 (en) * | 2011-02-16 | 2014-04-01 | Synaptics Incorporated | Input device receiver path and transmitter path error diagnosis |
TWI447627B (zh) * | 2011-03-15 | 2014-08-01 | Mstar Semiconductor Inc | 觸控感測器 |
JP5659073B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-01-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出器付き表示パネル、および電子機器 |
US20120306802A1 (en) | 2011-06-06 | 2012-12-06 | Mccracken David Harold | Differential capacitance touch sensor |
US8970545B2 (en) * | 2011-07-13 | 2015-03-03 | Synaptics Incorporated | Trace shielding for input devices |
US9088255B2 (en) * | 2011-08-15 | 2015-07-21 | Innolux Corporation | Sensing devices and display devices using a plurality of differential amplifiers and sensing circuits to minimize the time to detect presence of an object |
JP5691988B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-04-01 | トヨタ紡織株式会社 | タッチスイッチ及びそれを備える車室用照明装置 |
JP5628774B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2014-11-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ付き表示装置、電位制御方法、およびプログラム |
US9001080B2 (en) * | 2011-11-11 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Touch-panel device |
US20130169340A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | Yonghong Tao | Capacitive touch sensor interface |
KR101364075B1 (ko) * | 2012-03-14 | 2014-02-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 |
KR101971147B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 포함하는 표시 장치 |
KR101356968B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2014-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 |
KR101382108B1 (ko) * | 2012-06-15 | 2014-04-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
KR101931737B1 (ko) * | 2012-07-17 | 2018-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그의 구동방법 |
KR101428568B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치스크린을 포함하는 표시장치 및 그 구동 방법 |
US9110320B2 (en) * | 2012-08-14 | 2015-08-18 | Apple Inc. | Display with bent inactive edge regions |
TWI490455B (zh) * | 2012-10-12 | 2015-07-01 | Morevalued Technology Co Let | 具有高感測靈敏度之電容式感測陣列裝置及使用其之電子設備 |
US9046421B2 (en) * | 2012-12-17 | 2015-06-02 | Apple Inc. | Light sensors for electronic devices |
US20140184552A1 (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | Synaptics Incorporated | Near-field and far-field capacitive sensing |
KR101295537B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 |
US9128713B2 (en) * | 2013-01-15 | 2015-09-08 | Synaptics Incorporated | Method and circuit to optimize N-line LCD power consumption |
CN103186304B (zh) * | 2013-01-21 | 2016-01-27 | 敦泰科技有限公司 | 实现多点触摸识别的单层自电容触摸屏及其数据处理方法 |
-
2010
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