JP5728449B2 - 光増強素子およびその作製方法 - Google Patents
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Description
近年においては、金属ナノ粒子の局在表面プラズモンを利用して、金属ナノ粒子の表面に吸着させた分析対象物にレーザー光などを照射し、これにより発生するラマン散乱光や蛍光を飛躍的に増強させて検出する表面増強ラマン散乱(SERS)や、表面増強蛍光(SEF)の研究が進められている。
また、例えば、特許文献2には、基板と、基板上に形成されたプラズモン共鳴ミラーと、プラズモン共鳴ミラー上に形成された誘電体よりなるスペーサ層と、スペーサ層上に形成されたナノ粒子層と、ナノ粒子層上に形成された保護被覆層とを具えてなる光センサが開示されている。この保護被覆層は、例えば酸化ケイ素などの誘電体材料により形成され、その厚みが5nm未満とされることが記載されている。
また、一般的には基板との化学結合が存在しない状態で基板上に担持される金属微粒子層の機械的堅牢性は甚だ小さく、柔らかい紙や布で触れる程度に拭うだけで基板から容易に除去されてしまうため、これを防ぐ意味でも保護層の役割は重要である。
しかしながら、保護層の厚さを増すと、検体と金属微粒子表面との間の距離が長くなり、光増強の程度が極端に低くなる、という問題がある。
また、本発明の他の目的は、このような光増強素子を確実に得ることのできる光増強素子の作製方法を提供することにある。
前記増強電磁場形成層における金属微粒子の各々は、互いに独立して分散しており、
隣接する金属微粒子間において露出される基板の表面部分を含む前記増強電磁場形成層の表面上には、保護層が形成されており、当該保護層は、当該金属微粒子を起点として厚さ方向に配向された柱状組織を有することを特徴とする。
前記保護層の厚さが50nm以上である構成とされていることが好ましい。
隣接する金属微粒子間において露出される基板の表面部分を含む増強電磁場形成層の表面上に、RFスパッタ蒸着法、電子線蒸着法およびECRスパッタ蒸着法からなる群より選択される方法により、金属微粒子を起点として厚さ方向に配向された柱状組織を有する保護層を形成する工程を有することを特徴とする。
また、保護層の厚さを大きくすることができるので、例えばハロゲンイオンを多量に(例えば0.1M濃度以上)含有する溶液などの特定の分析対象物に対する増強電磁場形成層(金属微粒子)の十分な保護機能を得ることができる。
図1は、本発明の光増強素子の一例における構成の概略を示す模式図である。
この光増強素子10は、例えば、ラマン活性化学種に対する励起光照射によるラマン散乱光を増強させるもの、あるいは、発光性化学種に対する励起光照射による発光(例えば蛍光)を増強させるものであって、例えば平板状の基板20と、この基板20の表面上に形成された、多数の金属微粒子31による増強電磁場形成層30とを具えている。
金属微粒子31の粒径は、例えば5〜300nmの範囲内であり、厚みは例えば5〜70nmの範囲内である。
保護層40は、柱状組織41が増強電磁場形成層30を構成する各々の金属微粒子31に関連して、具体的には、金属微粒子31を起点として厚さ方向に配向されて構成されている。なお、柱状組織41は、個々の金属微粒子31に対応するものではない。
個々の柱状組織41の平均幅は、例えば金属微粒子31の粒径と同等の大きさである。
すなわち、先ず、基板20の表面上に金属ナノ粒子膜を形成し、これを加熱処理することにより粒状性を変化させ、これにより、粒径が所定範囲内にある金属微粒子31による増強電磁場形成層30を形成する(増強電磁場形成層形成工程)。ここに、形成すべき金属微粒子31の粒径は、加熱処理条件を適宜変更することにより調整することができる。 基板15の表面上に金属ナノ粒子膜を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、金属ナノ粒子が適宜の溶媒に分散された分散液をスピンコート法により塗布して加熱する方法、ディッピングして加熱する方法、あるいは、真空蒸着法やスパッタリングなどの物理的蒸着法などを好適に用いることができる。
保護層40を形成する方法としては、RFスパッタ蒸着法、電子線蒸着法およびECRスパッタ蒸着法からなる群より選択される方法を好適に利用することができる。
また、保護層40の厚さを例えば100nm以上と大きくすることができるので、ハロゲンイオン(例えばCl- )を多量に含有する溶液などの特定の分析対象物に対する増強電磁場形成層30(金属微粒子31)の十分な保護機能(耐性)を得ることができる。
図1に示す構成に従って、次のようにして、各々保護層の厚さの異なる8種類の本発明に係る光増強素子(10)を作製した。
基板(20)として数cm角の大きさのスライドガラスを用い、このスライドガラスの表面上に、銀を略10nmの厚みに蒸着させて金属微粒子形成用銀膜を形成し、その後約100℃のホットプレート上で数分間加熱処理することにより粒状性を変化させて増強電磁場形成層(30)としての多数の銀微粒子(31)による銀微粒子単層膜を形成した。得られた銀微粒子単層膜における銀微粒子の粒径は、50〜150nmの範囲内にあり、厚さは平均で約20nmであり、銀微粒子の密度はおおよそ5×109 個/cm2 である。
次いで、RFスパッタ装置「RFS−200型」(Ulvac社製)を用いて、酸化ケイ素(SiO2 )をターゲットとして下記条件でスパッタを行うことにより、隣接する銀微粒子間において露出される基板の表面部分を含む増強電磁場形成層の表面上に、柱状組織構造を有する保護層(40)を形成した。保護層の厚さは、時間を適宜に変更することにより調整した。
・ターゲットから増強電磁場形成層の表面までの離間距離:45mm
・雰囲気:Ar;3.0Pa(放電時)
・放電出力:100W
・RF周波数:13.6MHz
・柱状組織の成長速度:8.5nm/min
上記の光増強素子の作製例1において、保護層をRFスパッタ法に代えてスピンコート法により形成したことの他は、上記光増強素子の作製例1と同様にして、各々保護層の厚さが異なる6種類の比較用の光増強素子を作製した。
本発明に係る光増強素子および比較用の光増強素子の各々について、光増強素子における保護層の表面上に、ローダミン6G(Rh6G:発光量子収率およそ1)色素の希薄エタノール溶液を3000回転でスピンコートすることにより、色素分子を保護層の表面上に担持させた。ここに、光増強素子の表面に担持される色素分子の密度とスピンコートに用いた溶液の色素濃度との関係は、ローダミン6Gの濃度が1μMである場合に、色素分子の担持量は3×1011個/cm2 である。
そして、励起光照射により試料(色素分子)から発せられる蛍光(蛍光強度)を図2に示す構成の測定システムにより測定した。結果を図3に示す。図3において、縦軸は増強度〔単位:倍〕を示す。また、本発明に係る光増強素子の結果を実線(塗りつぶした四角形状のプロット)で示し、比較用の光増強素子の結果を二点鎖線(白抜きの四角形状のプロット)で示す。増強度(倍)とは、増強効果が無いスライドガラスの表面に同作法で試料をセットした場合の計測値に対して、何倍の強さの計測値を得たかを示すものである。 図2において、符号50は、蛍光の測定における励起用光源として用いた、出力1mW未満の緑色ダイオードレーザー(波長532nm)であり、フィルタ51を介して非集光(エネルギー密度約30mW/cm2 )もしくは反集光(デフォーカスされた、エネルギー密度約10mW/cm2 以下)励起光として光増強素子10に照射する。励起用光源50よりの励起光は、光増強素子10に対して45°の入射角度で入射させ、光増強素子10に担持された色素分子による90°の角度方向に散乱される蛍光を、集光レンズ52によって、電子冷却型ダイオードアレイ検出器55の受光ヘッド54にフィルタ53を介して集光した。
実施例1において、試料としてフクシン(発光量子収率およそ0.01未満)を用い、光増強素子における保護層の表面上に3×1012個/cm2 の密度で担持させ、実施例1と同様の方法により蛍光(蛍光強度)を測定した。結果を図4に示す。図4において、縦軸は増強度〔単位:倍〕を示す。また、本発明に係る光増強素子の結果を実線(塗りつぶした四角形状のプロット)で示し、比較用の光増強素子の結果を二点鎖線(白抜きの四角形状のプロット)で示す。
また出力1mW未満のHe−Neレーザー(波長632.8nm)を励起光源として用いた他は、図2と同じ配置でローダミン6G色素のラマン散乱強度を保護膜の厚さの関数として測定した。その結果、保護層の膜厚が200nmを超えても、色素分子が直接銀微粒子表面に吸着した条件(通常では、SERS信号が最大になる条件)で得られた信号と変わらない大きさの増強ラマン信号(増強度は約105倍)が得られた。一方、比較用の光増強素子においては、保護膜の厚さが数nm以下でラマン散乱強度は激減し、保護膜の厚さが10nm以上の条件ではラマン信号は完全に消滅した。
このような長距離増強が生じる理由の一としては、次のように推察される。すなわち、蒸着により形成された保護層は、銀微粒子の表面上と隣接する銀微粒子間に露出される基板の表面部分とでは成膜状況が異なるので、銀微粒子の表面上に堆積した柱状組織と基板の表面部分に堆積した柱状組織の間には粒界が生じ、当該粒界は光増強素子の表面にまで達しているものと思われる。従って、保護層の厚さを大きくした場合であっても、銀微粒子に生ずる電場(局在表面プラズモン)が保護層の表面に伝達されやすくなるためであると推察される。
上記光増強素子の作製例1と同様にして、保護層の厚さが25nmである試験用光増強素子を作製した。
この試験用光増強素子を、生理食塩水(0.9wt%/v)の2倍濃度にあたる食塩水(2wt%/v、モル濃度で約0.3Mに相当する高濃度)に15分間の間浸漬させる。その後、純水で十分にリンス、乾燥させ、試料をそれぞれの試験用光増強素子に担持させて透過吸光スペクトルを測定した。結果を図5−Aに示す。図5−Aにおいて、破線で示す曲線は、食塩水に浸漬する前の試験用光増強素子に係るものである。また、実線で示す曲線は食塩水に浸漬させた後の試験用光増強素子に係るものである。
上記光増強素子の作製例1と同様にして、保護層の厚さが85nmである試験用光増強素子を複数個作製した。
これらの試験用光増強素子について、食塩水に対する浸漬時間を適宜変更したことの他は上記参考例1と同様の方法により、試料の透過吸光スペクトルを測定した。結果を図5−Bに示す。図5−Bにおいて、破線で示す曲線は、食塩水に浸漬する前の試験用光増強素子に係るものである。また、実線で示す曲線は食塩水に浸漬させた後の試験用光増強素子に係るものであって、数値は浸漬時間を示す。
上記光増強素子の作製例1と同様にして、保護層の厚さが130nmである試験用光増強素子を複数個作製した。
これらの試験用光増強素子について、食塩水に対する浸漬時間を適宜変更したことの他は上記参考例1と同様の方法により、試料の透過吸光スペクトルを測定した。結果を図5−Cに示す。図5−Cにおいて、破線で示す曲線は、食塩水に浸漬する前の試験用光増強素子に係るものである。また、実線で示す曲線は食塩水に浸漬させた後の試験用光増強素子に係るものであって、数値は浸漬時間を示す。
一方、保護層の厚さが85nm未満である場合(参考例1)には、透過吸光スペクトルは、肉眼で明確に識別できる色調の変化(ブルーシフト)を示した。これは、銀微粒子のサイズが腐食により減少することによって試料の色調が黄色に変化するためであると考えられる。
なお、保護層の厚さが15nm以下の光増強素子について同様の試験を行ったところ、食塩水に浸漬させた後の透過吸光スペクトルは取得不能であった。これは、保護層による保護作用が極めて不十分であるため、リンス時に全ての銀微粒子(増強電磁場形成層)が基板から剥がれ落ちてしまったためであると考えられる。
例えば、本発明に係る光増強素子は、高反射層および誘電体層を更に具えた多層構造を有する構成とされていてもよい。このような構造のものにおいては、基板の表面上に高反射層および誘電体層がこの順で形成され、誘電体層の表面上に増強電磁場形成層が形成される。
20 基板
30 増強電磁場形成層
31 金属微粒子
40 保護層
41 柱状組織
50 励起用光源
51 フィルタ
52 集光レンズ
53 フィルタ
54 受光ヘッド
55 電子冷却型ダイオードアレイ検出器
Claims (3)
- 基板と、この基板の表面上に形成された多数の金属微粒子による増強電磁場形成層とを具えている光増強素子において、
前記増強電磁場形成層における金属微粒子の各々は、互いに独立して分散しており、
隣接する金属微粒子間において露出される基板の表面部分を含む前記増強電磁場形成層の表面上には、保護層が形成されており、当該保護層は、当該金属微粒子を起点として厚さ方向に配向された柱状組織を有することを特徴とする光増強素子。 - 前記金属微粒子が銀微粒子であって、
前記保護層の厚さが50nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の光増強素子。 - 請求項1または請求項2に記載の光増強素子を作製する方法であって、
隣接する金属微粒子間において露出される基板の表面部分を含む増強電磁場形成層の表面上に、RFスパッタ蒸着法、電子線蒸着法およびECRスパッタ蒸着法からなる群より選択される方法により、金属微粒子を起点として厚さ方向に配向された柱状組織を有する保護層を形成する工程を有することを特徴とする光増強素子の作製方法。
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