JP5722786B2 - パターニングされたledデバイス、パターニングを発生させるための方法、パターニングのためのシステム、及びシステムを較正するための方法 - Google Patents
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Description
文書WO2008/122920A2は、基本の層、第一の電極の層、及び第二の電極の層を備えた、基体の層のスタックを具備する、光を放出するデバイスを開示するが、それにおいては、有機の光を放出する層は、第一の電極の層及び第二の電極の層の間に挟まれると共に、有機の光を放出する層は、人工的な光を放出するものであると共に、基本の層は、第一のセクション及び第二のセクションにおいて構造化された、逆反射性の部材によってカバーされると共に、複数の逆反射性の素子は、第一のセクションに埋め込まれると共に、各々の逆反射性の素子は、周囲の光の起源の方向において逆反射性の部材の第一の側へと逆戻りに届く周囲の光を反射させると共に、第二のセクションは、逆反射性の部材の裏側へと届く、人工的な光に対して透明なものである。
パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためにシステムの集光された光ビームの初期のパラメーターを設定すること、
光反射性の層における複数の異なる変形物を具備するテストパターンを発生させる集光された光ビームで有機の発光ダイオードデバイスを局所的に照射すること、
パターンを発生させるために集光された光ビームの強度及び/又は走査するスピードをテストパターンから決定すること
のステップを具備する。
図1A及び1Bは、当該発明に従った発光ダイオードデバイスの概略的な断面の図を示す、
図2Aから2Dまでは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイスの光反射性の層に発生させられた異なるパターンの図解を示す、
図3Aから3Cまでは、当該発明に従った光反射性の層をパターニングするための異なるパターニングの戦略を示す、
図4Aから4Cまでは、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの異なる実施形態の概略的な表現を示す、並びに、
図5は、当該発明に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの較正の方法を図解するフロー線図を示す。
例えば予め定義された色温度の白色の光を一緒に放出するところの、光を放出する材料のミックスを具備することがある。そのようなものとして、発光ダイオードデバイス10、12によって放出された光の色は、複数の層を選ぶことによって及び/又は光を放出する層20における光を放出する材料の特定の混合物を選ぶことによって決定されることがある。発光ダイオードデバイス10、12は、それらの間には光を放出する材料20が挟まれるところのアノードの層30及びカソードの層32をさらに具備する。アノードの層30は、例えば、特定の範囲の光について透明なものである金属であるITOのものを具備することがあるが、光を放出する材料20において発生させられた光が有機の発光ダイオードデバイス10、12から光放出の窓64を介して放出されることを許容する。カソードの層32は、例えば、2ナノメートルのバリウムの層並びに良好な伝導の特性を有するところの及び半導体を製造する工程において良好に適用されることがあるところの100ナノメートルのアルミニウムの層を具備することがある。図1A及び1Bに示されたような発光ダイオードデバイス10、12の実施形態において、アルミニウムの層は、光放出の窓64に向かって光を放出する層20において発生させられた光を反射させるところの光反射性の層32を構成した。もちろん、アノードの層30及びカソードの層32は、光が、発光ダイオードデバイス10、12からカソードの層32を介して放出されることがあるように、交換されることがある。ITOの層は、しばしば、発光ダイオードデバイス10、12を支持するための基体50に適用されると共に、それは、発光ダイオードデバイス10、12によって放出された光に対してまた実質的に透明なものである。
[付記]
付記(1):
光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスであって、
前記光反射性の層が前記光反射性の層の局所的な変形物で構成されたパターンを具備する、パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(2):
付記(1)に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記発光ダイオードデバイスの光を放出する材料は、アノードの層及びカソードの層の間に配置されたものであると共に、
前記アノードの層又はカソードの層は、前記光反射性の層に対して平行に前記光反射性の層の伝導性を実質的に維持する一方で、変形物で構成されたパターンを具備する光反射性の層である、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(3):
付記(1)及び(2)のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターンは、複数のグレーレベルを具備すると共に、
異なるグレーレベルが前記光反射性の層の前記変形物の異なる密度を具備する、及び/又は、前記光反射性の層の前記変形物の異なる高さを具備すると共に、
前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(4):
付記(1)、(2)、及び(3)のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記光反射性の層は、前記光反射性の層を局所的に変形するために前記光反射性の層を局所的に加熱するための電磁放射で局所的に照射されるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(5):
付記(4)に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記光反射性の層は、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する電磁放射で照射されたとき局所的に変形されるように構成されたものである、パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(6):
付記(4)及び(5)のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記変形物を発生させるための電磁放射の波長は、320ナノメートル及び2000ナノメートルの間の範囲にあるものである、パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(7):
付記(4)、(5)、及び(6)のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、
前記アノードの層又は前記カソードの層の少なくとも一部分は、前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(8):
付記(4)、(5)、(6)、及び(7)のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされたものであると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分は、前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記(9):
光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための方法であって、
前記発生させるための方法は、
前記パターンを構成する変形物を発生させるために前記光反射性の層を局所的に変形すること
のステップを具備する、発生させるための方法。
付記(10):
付記(9)に記載の発生させるための方法において、
前記局所的に変形することのステップは、
前記パターンを発生させるために電磁放射で前記光反射性の層の部分を照明するための照明ステップ、前記電磁放射が前記発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する一方で前記光反射性の層を変形するために前記光反射性の層の温度を局所的に変えること、及び/又は、
前記光反射性の層へ前記パターン又はさらなるパターンを具備するスタンプをプレスすることによって前記パターンを発生させるためのスタンピングステップ
を具備する、発生させるための方法。
付記(11):
付記(10)に記載の発生させるための方法において、
前記照明ステップは、集光された光ビームで前記光反射性の層を局所的に照明することを具備する、発生させるための方法。
付記(12):
付記(10)及び(11)のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記発光ダイオードデバイスの生産工程の間に行われる、発生させるための方法。
付記(13):
付記(10)、(11)、及び(12)のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、
前記発光ダイオードデバイスの前記アノードの層及び/又は前記カソードの層の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップが前記アノードの層を通じて又は前記カソードの層を通じて集光された光ビームで前記反射性の層を照射することによって行われるものである、
発生させるための方法。
付記(14):
付記(10)、(11)、(12)、及び(13)のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分が前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記カプセル封入物の少なくとも一部分を通じて集光された光ビームで前記光反射性の層を照射することを具備する、
発生させるための方法。
付記(15):
付記(10)、(11)、(12)、(13)、及び(14)のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、複数のグレーレベルを発生させるために前記局所的な変形物の密度を変動させることのステップを具備する、及び/又は、複数のグレーレベルを発生させるために前記変形物の高さを変動させることのステップを具備すると共に、
前記異なるグレーレベルが各々前記変形物の密度の異なるレベル及び/又は前記光反射性の層における前記変形物の異なる高さを具備すると共に、
前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である、
発生させるための方法。
付記(16):
付記(1)から(9)までのいずれかに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための及び/又は付記(10)から(15)までのいずれかに従った発生させるための方法を行うためのシステム。
付記(17):
付記(16)に記載のシステムにおいて、
前記システムは、集光された光ビームを発生させるための放射手段、及び、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための発光ダイオードデバイスにわたって前記集光された光ビームを移動させるための走査する手段
を具備する、システム。
付記(18):
付記(16)及び(17)のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームの焦点の位置を制御するための集束させる手段を具備する、システム。
付記(19):
付記(16)、(17)、及び(18)のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームのエネルギーレベル、色、及び/又は走査するスピードを制御するための手段を具備する、システム。
付記(20):
付記(16)から(19)までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、さらに、前記パターンを発生させるために発光ダイオードデバイスに適用されるための入力パターンを受け入れるための入力手段を具備すると共に前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの移動へと及び/又は前記集光された光ビームのスポットサイズへと及び/又は前記集光された光ビームの強度の変動へと及び/又は前記集光された光ビームの色の変動へと前記入力パターンを変換するための変換手段を具備する、システム。
付記(21):
付記(16)から(20)までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、さらに、前記集光された光ビームのスポットサイズを決定するための及び/又は前記パターンにおけるスポットサイズを決定するための較正手段を具備する、システム。
付記(22):
付記(16)から(21)までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるために前記システムのパターニングのスピードを制御するための走査制御手段を具備すると共に、
前記走査制御手段は、
前記パターンを発生させる一方で前記集光された光ビームのスポットサイズを動的に制御すること、照明されたエリア当たりのパワーが実質的に一定のままであることを保証するために前記走査制御手段が前記集光された光ビームの出力パワーを適合させるためにさらに構成されたものであること、及び/又は、
前記放射手段の集光された光ビームに対して比較された異なるスポットサイズを有するさらなる集光された光ビームを発生させるさらなる放射手段を制御すること、前記システムが前記パターンを発生させる一方で前記さらなる放射手段及び前記放射手段及び/又は前記さらなる放射手段を動的に選択する前記走査制御手段を具備すること、及び/又は、
前記集光された光ビーム及び/又は前記さらなる集光された光ビームのスポットサイズに依存することで及び/又は前記集光された光ビーム及び/又は前記さらなる集光された光ビームによって放出された前記照明されたエリア当たりのパワーに依存することで前記走査する手段を制御すること、及び/又は、
パターニングのスピードを増加させるために前記発光ダイオードデバイスのイメージではないエリアにわたって前記集光された光ビーム及び/又は前記さらなる集光された光ビームを走査することを省くこと、前記イメージではないエリアが前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの又は前記さらなる集光された光ビームの照射を要求するものではないこと
のために構成されたものである、システム。
付記(23):
付記(16)から(22)までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、
前記発光ダイオードデバイスを損傷することを予防するために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するためのパワー制御手段、
前記パワー制御手段が
前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記放射手段及び/又はさらなる放射手段のパワーを変調する一方で走査エリアにわたって実質的に一定の走査するスピードで一方向性の走査する方向又は二方向性の走査する方向におけるライン毎に走査するモードにおいて前記集光された光ビーム及び/又はさらなる集光された光ビームを走査すること、前記走査エリアが前記パターンを発生させるために走査されるものである前記発光ダイオードデバイスのエリアであること、及び/又は、
前記走査エリア内の前記走査スピードが要求された走査スピードに等しいものであることを保証するためにライン毎に走査するモードにおいて前記走査エリアの外側の走査方向を逆転させること、及び/又は、
先の走査ライン及び現行の走査ラインの間でライン毎に走査するモードにおいて予め定義された数の走査ラインを省くこと、及び/又は、
前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記走査エリアにわたって次の走査を初期化する前に走査遅延を適用すること
のために構成されたものであること
を具備する、システム。
付記(24):
付記(16)から(23)までのいずれかに記載のシステムを較正するための方法において、
前記較正するための方法は、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるために前記システムの前記集光された光ビームの初期のパラメーターを設定すること、
前記光反射性の層における変形物を具備するテストパターンを発生させる前記集光された光ビームで前記発光ダイオードデバイスを局所的に照射すること、
前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの強度及び/又は走査するスピードを前記テストパターンから決定すること
のステップを具備する、較正するための方法。
付記(25):
付記(24)に記載の較正するための方法において、
前記方法は、
前記集光された光ビーム及び/又はさらなる集光された光ビームの焦点の位置を適合させること
のステップをさらに具備する、較正するための方法。
付記(26):
付記(24)及び(25)のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記較正するための方法は、前記パターンを発生させる前に前記発光ダイオードデバイスの未使用のエッジで行われる、較正するための方法。
付記(27):
付記(24)、(25)、及び(26)のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記テストパターンの寸法は、裸のヒトの目に対して実質的に不可視のものであるように構成される、較正するための方法。
Claims (21)
- 光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記発光ダイオードデバイスの光を放出する材料は、アノードの層及びカソードの層の間に配置されたものであると共に、
前記アノードの層又はカソードの層は、前記光反射性の層に対して平行に前記光反射性の層の伝導性を実質的に維持する一方で、前記光反射性の層の局所的な変形物で構成されたパターンを具備する光反射性の層であると共に、
前記光反射性の層の伝導性は、電気伝導性であると共に、
前記パターンは、外部の光の散乱することにおける差異のおかげで又は前記パターニングされた発光ダイオードデバイスによって発生させられた光の散乱することにおける差異のおかげで恒久的に可視のものであると共に、
前記パターンは、前記光を放出する材料の層の光を放出する領域に設けられたものであると共に、
前記光を放出する材料の層及び前記パターンを具備する光反射性の層ではない前記アノードの層又は前記カソードの層は、局所的にアブレーションされたものではないものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。 - 請求項1に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターンは、異なるグレーレベル、前記異なるグレーレベルが前記光反射性の層の前記変形物の異なる密度を具備すること、及び、
前記光反射性の層の前記変形物の異なる高さ、前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法であること、
の少なくとも一つを具備する、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。 - 請求項1に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記アノードの層又は前記カソードの層の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。 - 請求項1又は3に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされたものであると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。 - 光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、
前記製造するための方法は、
実質的に前記光反射性の層に対して平行な前記光反射性の層の伝導性を維持する一方で、前記パターンを構成する変形物を発生させるために前記光反射性の層を局所的に変形すること
のステップを具備すると共に、
前記局所的に変形することは、外部の光の散乱することにおける差異のおかげで又は前記パターニングされた発光ダイオードデバイスによって発生させられた光の散乱することにおける差異のおかげで恒久的に可視のものであるパターンを得るために行われる、製造するための方法において、
前記局所的に変形することのステップは、
前記パターンを発生させるために電磁放射で前記光反射性の層の部分を照明するための照明ステップ、前記電磁放射が前記発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する一方で前記光反射性の層を変形するために前記光反射性の層の温度を局所的に変えること
を具備すると共に、
前記パターンは、前記光を放出する材料の層の光を放出する領域に設けられる、
製造するための方法。 - 請求項5に記載の製造するための方法において、
前記パターンを発生させるための電磁放射の波長は、320ナノメートル及び2000ナノメートルの間の範囲にあるものである、製造するための方法。 - 請求項5に記載の製造するための方法において、
前記照明ステップは、集光された光ビームで前記光反射性の層を局所的に照明することを具備する、製造するための方法。 - 請求項5及び7のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記発光ダイオードデバイスの生産工程の間に行われる、製造するための方法。 - 請求項5、7、及び8のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、
前記発光ダイオードデバイスの前記アノードの層及び前記カソードの層の少なくとも一つの少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップが前記アノードの層を通じて又は前記カソードの層を通じて集光された光ビームで前記反射性の層を照射することによって行われるものである、
製造するための方法。 - 請求項5、7、8、及び9のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分が前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記カプセル封入物の少なくとも一部分を通じて集光された光ビームで前記光反射性の層を照射することを具備する、
製造するための方法。 - 請求項5、7、8、9、及び10のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、
異なるグレーレベルを発生させるために前記局所的な変形物の密度を変動させること、及び、異なるグレーレベルを発生させるために前記変形物の高さを変動させること
のステップの少なくとも一つを具備すると共に、
前記異なるグレーレベルが各々前記変形物の密度の異なるレベル、又は前記光反射性の層における前記変形物の異なる高さ、又は、前記変形物の密度の異なるレベル及び前記光反射性の層における前記変形物の異なる高さを具備すると共に、
前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である、
製造するための方法。 - 請求項1から4までのいずれかに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための、又は請求項5から11までのいずれかに従った製造するための方法を行うための、又は、請求項1から4までのいずれかに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための及び請求項5から11までのいずれかに従った製造するための方法を行うためのシステムにおいて、
前記システムは、
集光された光ビームを発生させるための放射手段、及び、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための発光ダイオードデバイスにわたって前記集光された光ビームを移動させるための走査する手段、
前記放射手段が前記発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有するものである一方で光反射性の層を変形するために局所的に前記発光ダイオードデバイスの光反射性の層の温度を変えるための前記光ビームを発生させることの可能なものであること、
前記光反射性の層に対して平行な前記光反射性の層の伝導性は実質的に維持されたものであること、
前記パターンを発生させるために発光ダイオードデバイスに適用されるための入力パターンを受け入れるための入力手段、及び、
前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの移動、前記集光された光ビームのスポットサイズ、前記集光された光ビームの強度の変動、及び、前記集光された光ビームの色の変動の少なくとも一つへと前記入力パターンを変換するための変換手段
を具備する、システム。 - 請求項12に記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームの焦点の位置を制御するための集束させる手段を具備する、システム。 - 請求項12及び13のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームのエネルギーレベル、色、及び走査するスピードの少なくとも一つを制御するための手段を具備する、システム。 - 請求項12から14までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、さらに、前記集光された光ビームのスポットサイズを決定するための、又は前記パターンにおけるスポットサイズを決定するための、又は、前記集光された光ビームのスポットサイズを決定するための及び前記パターンにおけるスポットサイズを決定するための、較正手段を具備する、システム。 - 請求項12から15までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するために前記システムのパターニングのスピードを制御するための走査制御手段を具備すると共に、
前記走査制御手段は、
群(a):前記パターンを発生させる一方で前記集光された光ビームのスポットサイズを動的に制御すること、照明されたエリア当たりのパワーが実質的に一定のままであることを保証するために前記走査制御手段が前記集光された光ビームの出力パワーを適合させるためにさらに構成されたものであること、
群(b):前記放射手段の集光された光ビームに対して比較された異なるスポットサイズを有するさらなる集光された光ビームを発生させるさらなる放射手段を制御すること、前記システムが前記さらなる放射手段、及び、前記パターンを発生させる一方で、前記放射手段及び前記さらなる放射手段の少なくとも一つを動的に選択する前記走査制御手段を具備すること、
群(c):前記集光された光ビームのスポットサイズ、前記さらなる集光された光ビームのスポットサイズ、前記集光された光ビームによって放出された前記照明されたエリア当たりのパワー、前記さらなる集光された光ビームによって放出された前記照明されたエリア当たりのパワーの群の少なくとも一つに依存することで前記走査する手段を制御すること、及び、
群(d):パターニングのスピードを増加させるために前記発光ダイオードデバイスのイメージではないエリアにわたって前記集光された光ビーム及び前記さらなる集光された光ビームの少なくとも一つを走査することを省くこと、前記イメージではないエリアが前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの又は前記さらなる集光された光ビームの照射を要求するものではないこと
の群の少なくとも一つのために構成されたものである、システム。 - 請求項12から16までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、
前記発光ダイオードデバイスを損傷することを予防するために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するためのパワー制御手段、
前記パワー制御手段が
群(e):前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記放射手段及びさらなる放射手段の少なくとも一つのパワーを変調する一方で走査エリアにわたって実質的に一定の走査するスピードで一方向性の走査する方向又は二方向性の走査する方向におけるライン毎に走査するモードにおいて前記集光された光ビーム及びさらなる集光された光ビームの少なくとも一つを走査すること、前記走査エリアが前記パターンを発生させるために走査されるものである前記発光ダイオードデバイスのエリアであること、
群(f):前記走査エリア内の前記走査スピードが要求された走査スピードに等しいものであることを保証するためにライン毎に走査するモードにおいて前記走査エリアの外側の走査方向を逆転させること、
群(g):先の走査ライン及び現行の走査ラインの間でライン毎に走査するモードにおいて予め定義された数の走査ラインを省くこと、及び
群(h):前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記走査エリアにわたって次の走査を初期化する前に走査遅延を適用すること
の群の少なくとも一つのために構成されたものであること
を具備する、システム。 - 請求項12から17までのいずれかに記載のシステムを較正するための方法において、
前記較正するための方法は、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するために前記システムの前記集光された光ビームの初期のパラメーターを設定すること、
前記光反射性の層における変形物を具備するテストパターンを発生させる前記集光された光ビームで前記発光ダイオードデバイスを局所的に照射すること、
前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの強度及び走査するスピードの少なくとも一つを前記テストパターンから決定すること
のステップを具備する、較正するための方法。 - 請求項18に記載の較正するための方法において、
前記方法は、
前記集光された光ビーム及びさらなる集光された光ビームの少なくとも一つの焦点の位置を適合させること
のステップをさらに具備する、較正するための方法。 - 請求項18及び19のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記較正するための方法は、前記パターンを発生させる前に前記発光ダイオードデバイスの未使用のエッジで行われる、較正するための方法。 - 請求項18、19、及び20のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記テストパターンの寸法は、裸のヒトの目に対して実質的に不可視のものであるように構成される、較正するための方法。
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