JP5720359B2 - Light emitting device - Google Patents
Light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5720359B2 JP5720359B2 JP2011069781A JP2011069781A JP5720359B2 JP 5720359 B2 JP5720359 B2 JP 5720359B2 JP 2011069781 A JP2011069781 A JP 2011069781A JP 2011069781 A JP2011069781 A JP 2011069781A JP 5720359 B2 JP5720359 B2 JP 5720359B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- light emitting
- conductive member
- light
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 153
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229910021511 zinc hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000010 zinc carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical class [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 26
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 26
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 17
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- UOURRHZRLGCVDA-UHFFFAOYSA-D pentazinc;dicarbonate;hexahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O UOURRHZRLGCVDA-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L zinc hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Zn+2] UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229940007718 zinc hydroxide Drugs 0.000 description 4
- XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 1-(1-adamantyl)-3-aminothiourea Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(NC(=S)NN)C3 XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 3
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000014413 iron hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- QZRHHEURPZONJU-UHFFFAOYSA-N iron(2+) dinitrate nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QZRHHEURPZONJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L iron(ii) hydroxide Chemical group [OH-].[OH-].[Fe+2] NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 2
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- MYAIITPOJOOORB-UHFFFAOYSA-N O.O.O.O.O.O.[S-2].[Na+].[Na+] Chemical compound O.O.O.O.O.O.[S-2].[Na+].[Na+] MYAIITPOJOOORB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Description
本発明は、発光装置に関し、より詳細には導電部材に接続された発光素子を備える発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device including a light emitting element connected to a conductive member.
従来、発光素子を光源とする発光装置において、光の取り出し効率を高めるため、リードフレーム等の導電部材に光反射率の高い鍍金が施されているが、この鍍金が空気中の硫黄含有ガスによって、変色する等、劣化する問題がある。 Conventionally, in a light-emitting device using a light-emitting element as a light source, a highly light-reflective plating is applied to a conductive member such as a lead frame in order to increase light extraction efficiency. This plating is caused by sulfur-containing gas in the air. There is a problem of deterioration such as discoloration.
このような問題を解決するため、例えば特許文献1には、一対の金属電極と、一対の金属電極に電気的に接続された光半導体チップと、光半導体チップと金属電極の一部を封止する透光性樹脂と、を備え、透光性樹脂は、ポリチオール系硬化剤で硬化したエポキシ樹脂であり、透光性樹脂と接する金属電極の表面の一部または全部に硫化物の生成を抑制する保護膜が設けられている発光ダイオードが記載されている。 In order to solve such a problem, for example, in Patent Document 1, a pair of metal electrodes, an optical semiconductor chip electrically connected to the pair of metal electrodes, and a part of the optical semiconductor chip and the metal electrode are sealed. A translucent resin, and the translucent resin is an epoxy resin cured with a polythiol-based curing agent, and suppresses the formation of sulfide on part or all of the surface of the metal electrode in contact with the translucent resin A light emitting diode provided with a protective film is described.
しかしながら、特許文献1に記載された発光ダイオードであっても、保護膜を透過する硫黄含有ガスが存在するため、金属電極の劣化を完全に防止するのは困難である。 However, even in the light-emitting diode described in Patent Document 1, it is difficult to completely prevent the deterioration of the metal electrode because there is a sulfur-containing gas that permeates the protective film.
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、従来の保護膜とは異なる手段により、硫黄含有ガスによる導電部材の劣化を抑制することができる発光装置を提供することを目的とする。 Then, this invention is made | formed in view of this situation, and it aims at providing the light-emitting device which can suppress deterioration of the electrically-conductive member by sulfur containing gas by means different from the conventional protective film. To do.
上記課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、導電部材と、前記導電部材に接続された発光素子と、前記導電部材の一部及び前記発光素子を封止する封止部材と、を備え、前記封止部材は、その母材中に、第1粒子と、前記第1粒子に付着した、該第1粒子とは異なる物質の第2粒子と、を含み、前記第2粒子は、カリウム、カルシウム、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、鉄、銅、ニッケル、銀、ジルコニウム、コバルト、クロム、鉛、バリウムから選択される少なくとも1種の元素の酸化物、水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含むことを特徴とする。 In order to solve the above problems, a light-emitting device according to the present invention includes a conductive member, a light-emitting element connected to the conductive member, a part of the conductive member and a sealing member that seals the light-emitting element, The sealing member includes, in its base material, first particles and second particles of a substance different from the first particles attached to the first particles, and the second particles are Oxide, hydroxide or carbonate of at least one element selected from potassium, calcium, sodium, magnesium, manganese, zinc, iron, copper, nickel, silver, zirconium, cobalt, chromium, lead, barium, Alternatively, these compounds are included.
また、本発明に係る別の発光装置は、導電部材と、前記導電部材に接続された発光素子と、前記導電部材の一部及び前記発光素子を封止する封止部材と、を備え、前記封止部材は、その母材中に、亜鉛の水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含む粒子を含有することを特徴とする。 Another light-emitting device according to the present invention includes a conductive member, a light-emitting element connected to the conductive member, a part of the conductive member and a sealing member that seals the light-emitting element, The sealing member contains zinc hydroxide or carbonate or particles containing these compounds in the base material.
本発明の発光装置によれば、封止部材に添加された、硫黄と反応しやすい物質の粒子(第2粒子)が、空気中の硫黄含有ガスと優先的に反応することによって、導電部材の劣化を抑制することができる。 According to the light emitting device of the present invention, the particles of the substance that easily reacts with sulfur (second particles) added to the sealing member react preferentially with the sulfur-containing gas in the air, so that the conductive member Deterioration can be suppressed.
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下のものに限定しない。特に、以下に記載されている構成要素の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。 Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light emitting device described below is for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following. In particular, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the constituent elements described below are not intended to limit the scope of the present invention only to specific examples unless otherwise specified. Only. Note that the size, positional relationship, and the like of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.
<実施の形態1>
図1(a)は、実施の形態1に係る発光装置の概略上面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるA−A断面を示す概略断面図である。図1に示す例の発光装置100は、導電部材10と、導電部材10に接続された発光素子20と、導電部材10の一部及び発光素子20を封止する封止部材30と、を備えている。
<Embodiment 1>
FIG. 1A is a schematic top view of the light-emitting device according to Embodiment 1, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view showing the AA cross section in FIG. The
より詳細には、発光装置100の基体60は、上面が開口し内側壁と底面を有する凹部が形成されたパッケージである。導電部材10は、基体60に一体的に保持された正負一対のリードフレームであって、その表面の一部が基体60の凹部の底面の一部を構成している。導電部材10の表面には、発光素子からの出射光に対して光反射性の高い金属の鍍金が施されている。発光素子20は、基体60の凹部の底面に接着剤で接着され、導電部材10にワイヤ50で電気的に接続されている。封止部材30は、基体60の凹部内に充填され、発光素子20及びワイヤ50を被覆している。
More specifically, the
そして、封止部材30は、その母材中に、第1粒子41と、この第1粒子に付着した、第1粒子とは異なる物質の第2粒子42と、を含んでいる。第2粒子42は、カリウム、カルシウム、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、鉄、銅、ニッケル、銀、ジルコニウム、コバルト、クロム、鉛、バリウム(以下、これらの元素をまとめて「元素群G」と称する。)から選択される少なくとも1種の元素の酸化物、水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含むものである。具体的には、例えば、塩基性炭酸亜鉛(ZnCO3・Zn(OH)2)などの塩基性炭酸塩が挙げられる。
And the sealing
ここで、導電部材の表層に形成される鍍金や光反射膜に好適な材料として、銀、アルミニウム、ロジウムなどが挙げられる。なかでも、銀は、可視波長域の広い範囲において、95%以上の高い光反射率を有する。しかし、銀は、硫黄と比較的反応しやすく、硫化すると黒く変色する欠点がある。例えば、鉄や銅を母材とし、それに銀の鍍金が施されたリードフレームを考えると、銀は、硫黄含有ガスの中でも、特に硫化水素を含む雰囲気下で硫化しやすく、鉄や銅は、硫黄酸化物(特に二酸化硫黄)を含む雰囲気下で硫化しやすい。空気中など、硫化水素と硫黄酸化物が含まれるガス雰囲気下においては、まず表層の銀の鍍金が硫化し、次いで、或いは並行して、より深層の母材への硫化反応が進行する。 Here, silver, aluminum, rhodium, etc. are mentioned as a material suitable for the plating formed in the surface layer of an electrically-conductive member, or a light reflection film. Among them, silver has a high light reflectance of 95% or more in a wide range of visible wavelength region. However, silver has a drawback that it is relatively easy to react with sulfur and turns black when sulfurized. For example, considering a lead frame in which iron or copper is used as a base material and silver plating is applied to it, silver is easy to sulfidize in an atmosphere containing hydrogen sulfide, among other sulfur-containing gases. Sulfidation is likely in an atmosphere containing sulfur oxides (especially sulfur dioxide). In a gas atmosphere containing hydrogen sulfide and sulfur oxide, such as in the air, the silver plating on the surface layer is first sulfided, and then, or in parallel, the sulfurization reaction to a deeper base material proceeds.
そこで、導電部材上にガスバリア性の高い保護膜を別途設けることで、硫黄含有ガスの導電部材への到達を抑制するのが、上記従来の手段である。これに対して、本発明では、導電部材の一部及び発光素子を封止する封止部材に、上記のような第2粒子を予め添加しておく。これにより、封止部材中の第2粒子が、硫黄含有ガスと優先的に反応するため、硫黄含有ガスの導電部材への到達を抑制することができる。また、これは、封止部材に粒子を添加することで済む、比較的容易且つ安価な手段である。さらに、保護膜を別途設ける従来の手段とは全く異なるため、従来の手段と組み合わせることができ、それにより導電部材の劣化を更に抑制することもできる。 Therefore, the conventional means described above suppresses the sulfur-containing gas from reaching the conductive member by separately providing a protective film having a high gas barrier property on the conductive member. On the other hand, in the present invention, the second particles as described above are added in advance to a part of the conductive member and a sealing member for sealing the light emitting element. Thereby, since the 2nd particle in a sealing member reacts preferentially with sulfur content gas, arrival of a sulfur content gas to a conductive member can be controlled. In addition, this is a relatively easy and inexpensive means that can be achieved by adding particles to the sealing member. Furthermore, since it is completely different from the conventional means for providing a protective film separately, it can be combined with the conventional means, thereby further suppressing the deterioration of the conductive member.
特に、図1(b)に示すように、第2粒子42は、第1粒子41に付着した状態で封止部材30中に存在していることが好ましい。このような第2粒子42は、後述するような第1粒子41の表面処理により形成され、その後封止部材30に添加されることで設けられる。第2粒子42が第1粒子41に付着した状態で封止部材30に添加されることで、第2粒子42の凝集が抑制され、第2粒子42単体で添加される場合に比べて、第2粒子42が封止部材30中で小さく分かれて設けられやすい。したがって、添加量が同等であっても、第2粒子42の表面積を大きくすることができ、硫黄含有ガスと効率良く反応させることができる。ひいては、より少ない添加量で導電部材10の劣化を抑制できるため、高い光取り出し効率を維持することができる。
In particular, as shown in FIG. 1B, the
第2粒子42の第1粒子41への付着形態は、第1粒子41の表面の略全域を被包してもよいが、図1(b)に示すように、第1粒子41の表面の一部に付着していることが好ましい。これにより、第2粒子42の表面積を大きくしやすく、硫黄含有ガスと効率良く反応させやすい。また、第1粒子41の表面の一部が第2粒子42から露出され、第1粒子41に光が入射しやすく、第1粒子41が持つ光学的機能を活かしやすい。なお、封止部材30中に存在する第2粒子42の全てが第1粒子41に付着していてもよいし、第1粒子41に付着した第2粒子42と、単体で存在する第2粒子42と、が混ざっていてもよい。
Although the adhesion form of the
第2粒子42の第1粒子41への付着は、次のような方法で実現できる。まず、純水に第1粒子41を分散させ、上記元素群Gの酸化物、硫酸化物、硝酸化物から選択される少なくとも1種類の水溶性化合物を添加して攪拌する。次に、この懸濁液に、水酸化ナトリウム、炭酸水素アンモニウムから選択される塩基を滴下することで、pHを7.0以上11.5以下の範囲に調整する。最後に、生成される沈殿物に対して、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩などを行えばよい。このような方法によれば、第2粒子42の粒径を制御しやすく、第2粒子42を小さく分かれさせて第1粒子41に付着させることができる。このほか、噴霧装置で第2粒子42を第1粒子41に噴きつけて付着させてもよい。
Adhesion of the
第2粒子42は、その粒径が小さいほど、添加量に対する表面積の比が大きくなり、硫黄含有ガスと効率良く反応させることができる。また、第2粒子42の粒径は、第1粒子41の粒径より小さいほうが良い。具体的には、第2粒子42の粒径は、第1粒子41の粒径に依存するが、例えば2.5nm以上100μm以下、好ましくは0.05μm以上3μm以下であることが好ましい。なお、第1粒子41の粒径は、例えば5nm以上200μm以下、好ましくは0.5μm以上20μm以下とする。
The smaller the particle size of the
また、第2粒子42は、その添加量が多いほど、硫黄含有ガスによる導電部材10の劣化抑制効果を高められる。但し、第2粒子42の添加量は、粒子の添加による封止部材30の粘度や光取り出し効率の変化を考慮して決めるとよい。具体的には、第2粒子42が付着した第1粒子41、若しくは第2粒子42単体の添加量は、封止部材30の母材の重量に対して、例えば1wt%以上100wt%以下、好ましくは5wt%以上30wt%以下とする。
Moreover, the 2nd particle |
第2粒子42は、封止部材30中に添加されても光の取り出し効率を維持しやすい、白色の物質であることが好ましい。また、第2粒子42は、硫化した後も封止部材30中に残存する。このため、第2粒子42は、硫黄含有ガスと反応して白色の硫化物を生成する物質が、光の取り出し効率を維持しやすく、好ましい。特に、上記元素群Gの中で、亜鉛は、白色の化合物を生成しやすく、また硫化後も白色である。このため、第2粒子42は、亜鉛の酸化物、水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含むことが好ましい。
The
第2粒子42は、上記元素群Gの酸化物、水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を複数種類含んでいてもよい。例えば、第2粒子42が、硫化後に白色になる第1物質と、硫化後に黒色又は有色になるが第1物質よりも硫黄との反応性が高い第2物質と、を含むものであることで、導電部材10の劣化抑制と光取り出し効率の維持との均衡を図ることができる。この場合、第1物質の粒子が第2物質の粒子の後に設けられる等して、第1物質の粒子が、第2物質の粒子の上に付着若しくは第2物質の粒子の表面を被包して設けられていると、なお良い。
The
また、図1(b)に示す例では、第2粒子42が、基体60の凹部底面側に沈降する等して、封止部材30中の導電部材10側に偏在している。言い換えれば、封止部材30中の表面側に、該封止部材の母材がその殆どを占める層状の母材領域が存在する。この場合、まずその母材領域の母材自体が有するガスバリア性を活かして硫黄含有ガスの深層への透過を抑制しながら、更に導電部材10側に偏在する第2粒子42によって、母材領域を透過してきた硫黄含有ガスの導電部材10への到達を抑制できる。したがって、硫黄含有ガスによる導電部材10の劣化を効率良く抑制することができる。また逆に、第2粒子42が封止部材30中の表面側に偏在している場合は、その表面側に偏在する第2粒子42によって、硫黄含有ガスの深層への透過を抑制しやすく、また第2粒子42による遮光を低減して導電部材10の鍍金や光反射膜の光学的機能を活かしやすい。さらに、第2粒子42が封止部材30中の略全域に亘って分散している場合は、前述の2つの偏在形態の中間的で均衡の取れた特性を得ることができる。
In the example shown in FIG. 1B, the
<実施の形態2>
図2は、実施の形態2に係る発光装置の概略断面図である。図2に示す例の発光装置200の基体60は、その上面に配線電極である導電部材10を備える配線基板である。基体60の上面には、枠体が設けられている。発光素子20は、その枠体内において、基体60の導電部材10に導電性接着剤55で接着されている。枠体内の導電部材10は、その最上層に、発光素子20からの出射光に対して光反射性の高い金属の光反射膜を有している。封止部材30は、枠体内に充填されて発光素子20を封止し、その外表面が凸曲面に成形されている。
<
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the second embodiment. The
そして、封止部材30は、その母材中に、第2粒子42を含有している。第2粒子42は、上記元素群Gから選択される少なくとも1種の元素の酸化物、水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含むものである。特に、第2粒子42は、上記塩基性炭酸亜鉛のように、亜鉛の水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含む粒子とすることが好ましい。当然ながら、第2粒子42は、それ単体で封止部材に添加されても、硫黄含有ガスの導電部材への到達を抑制する効果を奏する。また、図2に示すように、本実施形態の第2粒子42は、封止部材30中で略均等に分散している。
And the sealing
第2粒子42の単体は、次のような方法で得られる。まず、上記元素群Gの酸化物、硫酸化物、硝酸化物から選択される少なくとも1種類の水溶性化合物を純水に添加して攪拌する。次に、この懸濁液に、水酸化ナトリウム、炭酸水素アンモニウムから選択される塩基を滴下することでpHを7.0以上11.5以下の範囲に調整する。最後に、生成される沈殿物に対して、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩などを行えばよい。
The simple substance of the
以下、本発明の発光装置の各構成要素について説明する。 Hereinafter, each component of the light emitting device of the present invention will be described.
(導電部材10)
導電部材は、発光素子に接続されて導電可能な金属部材を用いることができる。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などで形成されたリードフレームや配線電極が挙げられる。また、その表層に、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などの鍍金や光反射膜が設けられていてもよい。
(Conductive member 10)
As the conductive member, a metal member that is electrically connected to the light emitting element can be used. Specific examples include lead frames and wiring electrodes formed of copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron, nickel, or alloys thereof, phosphor bronze, iron-containing copper, and the like. Further, a plating such as silver, aluminum, rhodium, gold, copper, or an alloy thereof, or a light reflecting film may be provided on the surface layer.
(発光素子20)
発光素子は、発光ダイオードや半導体レーザ等の半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造に正負一対の電極が設けられているものであればよい。特に、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、その実装形態は、各電極がワイヤで導電部材と接続されるフェイスアップ実装でもよいし、各電極が導電性接着剤で導電部材と接続されるフェイスダウン(フリップチップ)実装でもよい。このほか、正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子でもよい。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は、1つでも複数でもよい。
(Light emitting element 20)
As the light emitting element, a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode or a semiconductor laser can be used. The light emitting element may be any element in which a pair of positive and negative electrodes is provided in an element structure composed of various semiconductors. In particular, a light-emitting element of a nitride semiconductor (In x Al y Ga 1-xy N, 0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) that can excite the phosphor efficiently is preferable. In addition, a gallium arsenide-based or gallium phosphorus-based semiconductor light emitting element emitting green to red light may be used. In the case of a light-emitting element in which a pair of positive and negative electrodes are provided on the same surface side, the mounting form may be face-up mounting in which each electrode is connected to a conductive member with a wire, or each electrode is conductive with a conductive adhesive. Face-down (flip chip) mounting connected to the member may be used. In addition, a light emitting element having a counter electrode structure in which a pair of positive and negative electrodes are provided on opposite surfaces may be used. The number of light emitting elements mounted on one light emitting device may be one or plural.
(封止部材30)
封止部材は、発光素子やワイヤ、導電部材の一部を、封止して、塵芥や水分、外力などから保護する部材である。封止部材の母材は、発光素子から出射される光を透過可能な材料(好ましくは透過率70%以上)で形成されていればよい。具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ABS樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、液晶ポリマー、又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂などに比べ、耐熱性や耐光性に優れる反面、ガスバリア性が低い。したがって、そのガスバリア性を第2粒子の添加により補填することで、より好適に利用することができる。封止部材の外表面は、凸、凹レンズなどの各種レンズ形状や、光を散乱させる凹凸面に成形することで、配光特性を調整することができる。
(Sealing member 30)
The sealing member is a member that seals a part of the light emitting element, the wire, and the conductive member to protect them from dust, moisture, external force, and the like. The base material of the sealing member may be formed of a material that can transmit light emitted from the light-emitting element (preferably a transmittance of 70% or more). Specifically, silicone resin, epoxy resin, phenol resin, polycarbonate resin, acrylic resin, ABS resin, polybutylene terephthalate resin, polyphthalamide resin, polyphenylene sulfide resin, liquid crystal polymer, or a hybrid containing one or more of these resins Resin. Glass may be used. Among these, silicone resins are superior in heat resistance and light resistance to epoxy resins and the like, but have low gas barrier properties. Therefore, the gas barrier property can be more preferably used by supplementing the gas barrier properties by adding the second particles. Light distribution characteristics can be adjusted by molding the outer surface of the sealing member into various lens shapes such as convex and concave lenses, and uneven surfaces that scatter light.
(第1粒子41)
封止部材は、その母材中に、種々の機能を持つ粒子が添加されていてもよい。第1粒子は、充填剤又は蛍光体の粒子を用いることができる。特に、充填剤は、発光装置の発光波長への影響が小さいため、好ましい。充填剤は、光拡散剤や着色剤などを用いることができる。具体的には、シリカ、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラックなどが挙げられる。充填剤の粒子の形状は、破砕状でも球状でもよい。また、中空又は多孔質のものでもよい。蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)や、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al2O3−SiO2)などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置や、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。
(First particle 41)
The sealing member may have particles having various functions added to its base material. As the first particles, filler particles or phosphor particles can be used. In particular, the filler is preferable because it has a small influence on the emission wavelength of the light-emitting device. As the filler, a light diffusing agent or a coloring agent can be used. Specifically, silica, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide, barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, carbon black, etc. Can be mentioned. The shape of the filler particles may be crushed or spherical. Further, it may be hollow or porous. The phosphor absorbs at least part of the primary light emitted from the light emitting element, and emits secondary light having a wavelength different from that of the primary light. Specific examples include yttrium aluminum garnet (YAG) activated with cerium and nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 ) activated with europium and / or chromium. Thus, a light emitting device that emits mixed light (for example, white light) of primary light and secondary light having a visible wavelength, or a light emitting device that emits visible light secondary light when excited by the primary light of ultraviolet light is used. Can do.
(ワイヤ50、導電性接着剤55)
ワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。導電性接着剤は、銀、金、金−錫などのバンプやペーストを用いることができる。封止部材への第2粒子の添加によって、このようなワイヤや導電性接着剤の硫黄含有ガスによる劣化を抑制することもできる。
(
As the wire, a metal wire of gold, copper, platinum, aluminum, or an alloy thereof can be used. In particular, a gold wire having excellent thermal resistance is preferable. As the conductive adhesive, bumps or pastes such as silver, gold, and gold-tin can be used. By adding the second particles to the sealing member, it is possible to suppress the deterioration of the wire or the conductive adhesive due to the sulfur-containing gas.
(基体60)
基体は、発光素子が載置される台座となる部材である。基体は、導電部材の一部を底面に含む凹部を備えたパッケージの形態、凹部(側壁)を備えない基板の形態、又は枠体が設けられた基板の形態であってよい。封止部材の一部が基体の凹部や枠体に被覆されることで、封止部材への硫黄含有ガスの侵入を抑制しやすくすることができる。パッケージや枠体の材料は、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの母材中に、上述と同様の充填剤が添加されたものが挙げられる。第2粒子は、このようなパッケージや枠体に添加されてもよい。基板は、ガラスエポキシ、ガラス、セラミックス、アルミニウムなどで形成することができる。このほか、砲弾型LEDのように、リードフレームなどの導電部材が基体を兼ねてもよい。
(Substrate 60)
The base is a member serving as a base on which the light emitting element is placed. The base may be in the form of a package having a recess including a part of the conductive member on the bottom surface, in the form of a substrate not having a recess (side wall), or in the form of a substrate provided with a frame. When a part of the sealing member is covered with the concave portion or the frame of the base body, it is possible to easily suppress the intrusion of the sulfur-containing gas into the sealing member. The packaging and frame materials are made by adding the same fillers as described above to base materials such as polyphthalamide resin, polybutylene terephthalate resin, bismaleimide triazine resin, liquid crystal polymer, epoxy resin, silicone resin, and polyimide resin. Can be mentioned. The second particles may be added to such a package or frame. The substrate can be formed of glass epoxy, glass, ceramics, aluminum, or the like. In addition, a conductive member such as a lead frame may also serve as a base, like a bullet-type LED.
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。 Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.
<実施例1>
実施例1の発光装置は、実施の形態1に係る発光装置100の一例であって、外形が縦1.0mm、横2.8mm、奥行き(高さ)0.8mmの側面発光(サイドビュー)式の表面実装型LEDである。基体60は、その略中央に深さ0.3mmの凹部を備えたパッケージであって、弾性率が6000MPa、常温(25℃)での線膨張係数が60×10−6/K程度のポリフタルアミド樹脂により形成されている。導電部材10は、表面に銀の鍍金が施された銅合金製のリードフレームであって、その一部がパッケージの凹部底面に露出し且つパッケージの外側面に延出している。このような基体60は、金型内に、導電部材10を設置して、パッケージの構成材料を注入し硬化させることで形成される。発光素子20は、サファイア基板上に、窒化物半導体のn型層、活性層、p型層が順次積層された、青色(中心波長約460nm)発光可能な、縦290μm×横500μmの発光ダイオードチップである。この発光素子20は、基体60の凹部内において、一方(負極側)の導電部材10上に透光性エポキシ樹脂である接着剤で接着され、その各電極が金のワイヤ50により正負両極の導電部材10と各々接続されている。封止部材30は、基体60の凹部内に、発光素子20及びワイヤ50を被覆するように充填されている。このような封止部材30は、該封止部材の構成材料をポッティングにより基体60の凹部内に注入し硬化させることで形成される。封止部材30の母材は、粘度が4Pa・s、常温(25℃)での線膨張係数が300×10−6/K程度、水蒸気透過性が150g/m2・day(0.9mm厚、試験環境 40℃/90%RH)のシリコーン樹脂である。
<Example 1>
The light-emitting device of Example 1 is an example of the light-emitting
そして、実施例1の発光装置は、封止部材30内に、平均粒径6.8μmのシリカの第1粒子41の表面に、粒径0.1μm〜2μm程度の塩基性炭酸亜鉛の第2粒子42が付着した粒子を含んでいる。この粒子は、純水にシリカを分散させ、硝酸亜鉛六水和物を、それに由来する亜鉛がシリカの重量に対して2wt%となるように添加して攪拌し、その懸濁液に炭酸水素アンモニウムを滴下してpHを7.8に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。なお、この粒子は、封止部材30の母材の重量に対して10wt%添加され、封止部材30中の略全域に亘って分散している。
In the light emitting device of Example 1, the second basic zinc carbonate having a particle size of about 0.1 μm to 2 μm is formed on the surface of the first particle 41 of silica having an average particle size of 6.8 μm in the sealing
以下、実施例2〜9及び比較例1,2の発光装置における、封止部材に添加される粒子を除く構成は、実施例1の発光装置と同様であるため、説明を省略する。なお、以下全ての実施例、比較例において、封止部材30への粒子の添加量は、封止部材30の母材の重量に対して10wt%である。
Hereinafter, in the light emitting devices of Examples 2 to 9 and Comparative Examples 1 and 2, the configuration excluding the particles added to the sealing member is the same as that of the light emitting device of Example 1, and thus the description thereof is omitted. In all of the following examples and comparative examples, the amount of particles added to the sealing
<実施例2,3>
実施例2,3の発光装置は、封止部材への塩基性炭酸亜鉛の第2粒子42の添加量を実施例1より増やしたものである。実施例2,3の発光装置では、それぞれ、硝酸亜鉛六水和物を、それに由来する亜鉛がシリカの重量に対して5wt%、10wt%となるように添加している。
<Examples 2 and 3>
In the light-emitting devices of Examples 2 and 3, the amount of the basic zinc carbonate
<実施例4>
実施例4の発光装置の封止部材は、実施例1の第2粒子42が付着した第1粒子41に替えて、塩基性炭酸亜鉛の単体の第2粒子42が添加されたものである。この粒子は、硝酸亜鉛六水和物を、それに由来する亜鉛が純水の重量に対して2wt%となるように添加した水溶液に、炭酸水素アンモニウムを滴下してpHを6.8に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。
<Example 4>
The sealing member of the light emitting device of Example 4 is obtained by adding the basic
<比較例1>
比較例1の発光装置の封止部材は、実施例1と同様のシリカの第1粒子41のみが添加されたものである。
<Comparative Example 1>
The sealing member of the light emitting device of Comparative Example 1 is obtained by adding only the first silica particles 41 as in Example 1.
次に、実施例1乃至4の発光装置における導電部材の劣化抑制効果を硫化試験により検証する。この硫化試験は、発光装置を硫化水素と二酸化硫黄の混合ガス雰囲気内に放置することで行われる。より具体的には、オートクレーブ中に、発光装置と硫化ナトリウム六水和物を入れて、100℃に加熱し、24時間放置する。 Next, the effect of suppressing deterioration of the conductive member in the light emitting devices of Examples 1 to 4 is verified by a sulfidation test. This sulfurization test is performed by leaving the light-emitting device in a mixed gas atmosphere of hydrogen sulfide and sulfur dioxide. More specifically, a light emitting device and sodium sulfide hexahydrate are put in an autoclave, heated to 100 ° C., and left for 24 hours.
硫化試験の結果を、以下の表1に示す。なお、相対光束維持率は、比較例の発光装置における硫化試験前後の光束維持率を1.000として、それと各実施例の発光装置における硫化試験前後の光束維持率を対比したときの相対値である。この相対光束維持率が高いほど、導電部材の劣化抑制効果が高いことを示す。 The results of the sulfidation test are shown in Table 1 below. The relative luminous flux maintenance factor is a relative value when the luminous flux maintenance factor before and after the sulfidation test in the light emitting device of the comparative example is 1.000 and the luminous flux maintenance factor before and after the sulfidation test in each example is compared. is there. A higher relative luminous flux maintenance factor indicates a higher effect of suppressing deterioration of the conductive member.
表1に示すように、実施例1〜4の発光装置の相対光束維持率は1.000より大きくなっており、第2粒子42の添加により硫黄含有ガスによる導電部材の劣化を抑制できることがわかる。なお、実施例1〜4の発光装置は第2粒子42が添加されても高い初期光束値を維持しており、特に実施例1〜3の発光装置の初期光束値は実施例4の発光装置のそれより更に高い。このように、第2粒子42が第1粒子41に付着した状態で添加される場合には、硫黄含有ガスによる導電部材の劣化を抑制し且つ高い光束値を維持しやすい。
As shown in Table 1, the relative luminous flux maintenance factors of the light emitting devices of Examples 1 to 4 are larger than 1.000, and it can be seen that the addition of the
<実施例5>
実施例5の発光装置は、実施例1の第1粒子41を平均粒径8.0μmのYAGの蛍光体に替え、また第2粒子42を水酸化亜鉛に替えたものである。この粒子は、純水にYAGの蛍光体を分散させ、硫酸亜鉛を、それに由来する亜鉛がYAGの重量に対して2wt%となるように添加して攪拌し、その懸濁液に水酸化ナトリウムを滴下してpHを7.7に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。
<Example 5>
In the light emitting device of Example 5, the first particles 41 of Example 1 are replaced with YAG phosphors having an average particle size of 8.0 μm, and the
<実施例6>
実施例6の発光装置は、実施例5の発光装置における第2粒子42を酸化亜鉛と水酸化亜鉛の混合物に替えたものである。この粒子は、純水にYAGの蛍光体を分散させ、酸化亜鉛をそれに由来する亜鉛がYAGの重量に対して2wt%、硫酸亜鉛をそれに由来する亜鉛がYAGの重量に対して0.5wt%となるように添加して攪拌し、その懸濁液に水酸化ナトリウムを滴下してpHを7.7に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。
<Example 6>
The light emitting device of Example 6 is obtained by replacing the
<実施例7>
実施例7の発光装置は、実施例5の発光装置における第2粒子42を水酸化鉄に替えたものである。この粒子は、純水にYAGの蛍光体を分散させ、硝酸鉄九水和物をそれに由来する鉄がYAGの重量に対して2wt%となるように添加して攪拌し、その懸濁液に水酸化ナトリウムを滴下してpHを7.7に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。
<Example 7>
In the light emitting device of Example 7, the
<実施例8>
実施例8の発光装置は、実施例5の発光装置における第2粒子42を酸化亜鉛と水酸化鉄の混合物に替えたものである。この粒子は、純水にYAGの蛍光体を分散させ、酸化亜鉛をそれに由来する亜鉛がYAGの重量に対して2wt%、硝酸鉄九水和物をそれに由来する鉄がYAGの重量に対して0.5wt%となるように添加して攪拌し、その懸濁液に水酸化ナトリウムを滴下してpHを7.5に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。
<Example 8>
In the light emitting device of Example 8, the
<実施例9>
実施例9の発光装置は、実施例5の発光装置における第2粒子42を酸化亜鉛と水酸化マグネシウムの混合物に替えたものである。この粒子は、純水にYAGの蛍光体を分散させ、酸化亜鉛をそれに由来する亜鉛がYAGの重量に対して2wt%、硝酸マグネシウムをそれに由来するマグネシウムがYAGの重量に対して0.5wt%となるように添加して攪拌し、その懸濁液に水酸化ナトリウムを滴下してpHを11.5に調整した後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行うことにより得られるものである。
<Example 9>
In the light emitting device of Example 9, the
<比較例2>
比較例2の発光装置の封止部材は、実施例5と同様のYAGの蛍光体の第1粒子41のみが添加されたものである。
<Comparative Example 2>
The sealing member of the light emitting device of Comparative Example 2 is obtained by adding only the first particles 41 of the YAG phosphor similar to Example 5.
次に、実施例5乃至9の発光装置における導電部材の劣化抑制効果を上記と同様の硫化試験により検証する。硫化試験の結果を、以下の表2に示す。 Next, the effect of suppressing deterioration of the conductive member in the light emitting devices of Examples 5 to 9 is verified by the same sulfurization test as described above. The results of the sulfidation test are shown in Table 2 below.
表2に示すように、第1粒子41を蛍光体とした実施例5〜9の発光装置においても、相対光束維持率が1.000より大きくなっており、第2粒子42の添加により硫黄含有ガスによる導電部材の劣化を抑制できることがわかる。
As shown in Table 2, also in the light emitting devices of Examples 5 to 9 in which the first particles 41 are phosphors, the relative luminous flux maintenance factor is larger than 1.000, and the addition of the
また特に、第2粒子42が鉄を含む化合物である実施例7,8の発光装置は、相対光束維持率が非常に高くなっており、鉄の導電部材劣化抑制効果が高いことがわかる。
In particular, it can be seen that the light emitting devices of Examples 7 and 8 in which the
本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。 The light emitting device according to the present invention includes a backlight source of a liquid crystal display, various lighting devices, a large display, various display devices such as advertisements and destination guidance, and an image reading device in a digital video camera, a facsimile, a copier, a scanner, and the like. It can be used for projector devices.
10…導電部材、20…発光素子、30…封止部材、41…第1粒子、42…第2粒子、50…ワイヤ、55…導電性接着剤、60…基体、100,200…発光装置
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記封止部材は、その母材中に、第1粒子と、前記第1粒子に付着した、該第1粒子とは異なる物質の第2粒子と、を含み、
前記第1粒子は、シリカであって、
前記第2粒子は、カリウム、カルシウム、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、鉄、銅、ニッケル、銀、ジルコニウム、コバルト、クロム、鉛、バリウムから選択される少なくとも1種の元素の酸化物、水酸化物若しくは炭酸化物、又はこれらの化合物を含むことを特徴とする発光装置。 A conductive member, a light emitting element connected to the conductive member, a part of the conductive member and a sealing member for sealing the light emitting element,
The sealing member includes, in the base material, first particles and second particles of a substance different from the first particles attached to the first particles,
The first particles are silica,
The second particles include an oxide of at least one element selected from potassium, calcium, sodium, magnesium, manganese, zinc, iron, copper, nickel, silver, zirconium, cobalt, chromium, lead, and barium, hydroxide A light emitting device comprising a product, a carbonate, or a compound thereof.
前記封止部材は、その母材中に、第1粒子と、前記第1粒子に付着した、該第1粒子とは異なる物質の第2粒子と、を含み、The sealing member includes, in the base material, first particles and second particles of a substance different from the first particles attached to the first particles,
前記第1粒子は、蛍光体であって、The first particle is a phosphor,
前記第2粒子は、カリウム、カルシウム、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、鉄、銅、ニッケル、銀、ジルコニウム、コバルト、クロム、鉛、バリウムから選択される少なくとも1種の元素の炭酸化物、又はその化合物を含むことを特徴とする発光装置。The second particle is a carbonate of at least one element selected from potassium, calcium, sodium, magnesium, manganese, zinc, iron, copper, nickel, silver, zirconium, cobalt, chromium, lead, barium, or A light emitting device comprising a compound.
前記封止部材は、その母材中に、亜鉛の炭酸化物又はその化合物を含む粒子を単体で含有することを特徴とする発光装置。 A conductive member, a light emitting element connected to the conductive member, a part of the conductive member and a sealing member for sealing the light emitting element,
The sealing member, its base material, the light emitting apparatus characterized by comprising particles alone containing carbon oxides or a compound of zinc.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069781A JP5720359B2 (en) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069781A JP5720359B2 (en) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | Light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204739A JP2012204739A (en) | 2012-10-22 |
JP5720359B2 true JP5720359B2 (en) | 2015-05-20 |
Family
ID=47185339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011069781A Active JP5720359B2 (en) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5720359B2 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4150362B2 (en) * | 2004-07-21 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | Manufacturing method of phosphor for lamp |
DE102007053770A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Merck Patent Gmbh | Coated phosphor particles with refractive index matching |
JP5428533B2 (en) * | 2009-05-28 | 2014-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid ejecting apparatus and inflow processing method |
KR101482674B1 (en) * | 2010-12-09 | 2015-01-14 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | Sulfur-containing phosphor coated with zno compound |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011069781A patent/JP5720359B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012204739A (en) | 2012-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6274271B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP6107510B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US10043954B2 (en) | Lighting device with a phosphor layer on a peripheral side surface of a light-emitting element and a reflecting layer on an upper surface of the light-emitting element and on an upper surface of the phosphor layer | |
JP6648467B2 (en) | Light emitting device | |
JP4962270B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
US20080303044A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP5975269B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
KR20070084959A (en) | Light emitting diode package | |
JP6048001B2 (en) | Light emitting device | |
JP6493348B2 (en) | Light emitting device | |
JP2007173408A (en) | Light-emitting device | |
CN101034728A (en) | Illumination device | |
JP4786886B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP5493549B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP5482293B2 (en) | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US10424699B2 (en) | Light emitting device | |
JP5720359B2 (en) | Light emitting device | |
JP5515693B2 (en) | Light emitting device | |
JP6308286B2 (en) | Light emitting device | |
JP6741102B2 (en) | Light emitting device | |
JP6607036B2 (en) | Light emitting device | |
JP6520482B2 (en) | Light emitting device | |
JP5229115B2 (en) | Light emitting device | |
JP5402264B2 (en) | Light emitting device | |
JP2010287584A (en) | Light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5720359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |