JP5715412B2 - 荷重センサの製造方法 - Google Patents
荷重センサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5715412B2 JP5715412B2 JP2010293059A JP2010293059A JP5715412B2 JP 5715412 B2 JP5715412 B2 JP 5715412B2 JP 2010293059 A JP2010293059 A JP 2010293059A JP 2010293059 A JP2010293059 A JP 2010293059A JP 5715412 B2 JP5715412 B2 JP 5715412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- substrate
- insulating layer
- inorganic insulating
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
前記変位部の荷重を受ける側と反対面側に前記変位量を検出するための前記素子部として複数のピエゾ抵抗素子を有するセンサ基板を形成し、前記変位部の荷重を受ける側の表面に、無機絶縁層からなるマスクを形成する工程と、
前記ピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部を有するベース基板を形成する工程と、
前記センサ基板のピエゾ抵抗素子が形成された面側と前記ベース基板の前記電気配線部が形成された面側とを対向させた状態で、前記センサ基板と前記ベース基板とを接合する工程と、
前記変位部の荷重を受ける側の、前記無機絶縁層に覆われていない表面を所定量削ってシリコンからなり前記変位部と一体の突起部を形成するとともに、前記突起部の表面に前記無機絶縁層を残し、前記突起部と前記突起部の表面に残された前記無機絶縁層からなる受圧部を形成する工程とを有し、
前記センサ基板に前記受圧部を形成した後、前記変位部の側方に位置し前記ベース基板の電気配線部と対向する前記センサ基板の部分を切断して、前記電気配線部の表面のパッド部を開放することを特徴とするものである。このように本発明では、無機絶縁層をマスクとして利用することで、変位部と一体化した突起部を形成でき、更に無機絶縁層を全て除去せずに前記突起部の表面に一部を残すことで、シリコンからなる突起部と無機絶縁層により構成された突起状の受圧部を特別な工程を経ることなく形成できる。したがって本発明では、工程数及び製造コストを増やすことなく、受圧部表面の耐摩耗性に優れた荷重センサを製造することが可能である。
前記ベース基板の形成工程にて、電気配線部を形成する面側であって、前記センサ側接合層と対向する位置にベース側接合層を形成し、さらに、前記電気配線部の表面に電極パッド部を重ねて形成し、
前記センサ基板の前記センサ側接合層と、前記ベース基板の前記ベース側接合層との間を接合し、このとき、前記センサ基板に形成された前記段差の位置に、前記電気配線部及び電極パッド部を配置し、前記接合後に、前記段差の形成された前記センサ基板の部分を切断することが好ましい。上記により、センサ基板とベース基板間を簡単且つ適切に接合することが可能になる。また、ベース基板の電気配線部と対向して切断されるセンサ基板の部分に段差を形成することで、段差が設けられた位置での間隔をセンサ基板とベース基板間の接合位置の間隔よりも広げることができ、ベース基板の電気配線部上に重ねて厚膜の電極パッド部を形成することができる。
図1(a)に示すようにセンサ基板2は、変位部4と、変位部4の上面4aに上方に向けて突出する突起状の受圧部17が設けられる。変位部4は、荷重により高さ方向に変位可能な部分である。変位部4は、後述する接合層11,13の内領域で規定される。
次に図2(b)の工程では、ベース基板3を形成する。まずウェハ状のシリコン基材39の表面39aに、ベース側接合層13、電気配線部14及び電極パッド部15を形成する。ベース側接合層13及び電気配線部14をスパッタ等の既存の方法で形成することができる。また電極パッド部15を電気めっき法により形成することができる。
2 センサ基板
3 ベース基板
4 変位部
5 突起部
6 ピエゾ抵抗素子
11 センサ側接合層
12、16、35、39 シリコン基材
13 ベース側接合層
14 電気配線部
15 電極パッド部
17 受圧部
30 無機絶縁層
31 押圧部材
40 シート
Claims (6)
- 荷重を受けて厚さ方向に変位可能なシリコンからなる変位部と、前記変位部での変位量を検出可能な素子部と、を有する荷重センサの製造方法において、
前記変位部の荷重を受ける側と反対面側に前記変位量を検出するための前記素子部として複数のピエゾ抵抗素子を有するセンサ基板を形成し、前記変位部の荷重を受ける側の表面に、無機絶縁層からなるマスクを形成する工程と、
前記ピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部を有するベース基板を形成する工程と、
前記センサ基板のピエゾ抵抗素子が形成された面側と前記ベース基板の前記電気配線部が形成された面側とを対向させた状態で、前記センサ基板と前記ベース基板とを接合する工程と、
前記変位部の荷重を受ける側の、前記無機絶縁層に覆われていない表面を所定量削ってシリコンからなり前記変位部と一体の突起部を形成するとともに、前記突起部の表面に前記無機絶縁層を残し、前記突起部と前記突起部の表面に残された前記無機絶縁層からなる受圧部を形成する工程とを有し、
前記センサ基板に前記受圧部を形成した後、前記変位部の側方に位置し前記ベース基板の電気配線部と対向する前記センサ基板の部分を切断して、前記電気配線部の表面のパッド部を開放することを特徴とする荷重センサの製造方法。 - 前記センサ基板の形成工程にて、前記ピエゾ抵抗素子を形成する面側であって、前記変位部を囲む形状からなるセンサ側接合層を形成し、さらに、同じ面側であって、後の工程で、前記ベース基板の電気配線部と対向して切断される前記センサ基板の部分に段差を形成し、
前記ベース基板の形成工程にて、電気配線部を形成する面側であって、前記センサ側接合層と対向する位置にベース側接合層を形成し、さらに、前記電気配線部の表面に電極パッド部を重ねて形成し、
前記センサ基板の前記センサ側接合層と、前記ベース基板の前記ベース側接合層との間を接合し、このとき、前記センサ基板に形成された前記段差の位置に、前記電気配線部及び電極パッド部を配置し、前記接合後に、前記段差の形成された前記センサ基板の部分を切断する請求項1記載の荷重センサの製造方法。 - 前記センサ基板と前記ベース基板とを接合する際、前記無機絶縁層を備える前記センサ基板の外側の表面を、弾性を有するシートにて被った状態で加圧する請求項1または2に記載の荷重センサの製造方法。
- 前記弾性を有するシートにはグラファイトシートを用いる請求項3記載の荷重センサの製造方法。
- 前記無機絶縁層を、SiO2,SiN,Al2O3又はSiAlONにより形成する請求項1ないし4のいずれか1項に記載の荷重センサの製造方法。
- 前記無機絶縁層を、SiO2により形成する請求項5記載の荷重センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293059A JP5715412B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 荷重センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293059A JP5715412B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 荷重センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012141190A JP2012141190A (ja) | 2012-07-26 |
JP5715412B2 true JP5715412B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=46677619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010293059A Active JP5715412B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 荷重センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5715412B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6514945B2 (ja) * | 2015-04-09 | 2019-05-15 | ローム株式会社 | 圧力分布センサ、入力装置、電子機器、センサチップ |
WO2021125014A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | アルプスアルパイン株式会社 | フォースセンサ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS618348Y2 (ja) * | 1980-07-15 | 1986-03-14 | ||
JPH0727924B2 (ja) * | 1984-06-20 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 実装体の製造方法 |
JPH0736444B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1995-04-19 | 工業技術院長 | 触覚センサ |
JPH073379B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1995-01-18 | 工業技術院長 | 接触覚センサ |
JPH02306669A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ素子の分離方法 |
US7554167B2 (en) * | 2003-12-29 | 2009-06-30 | Vladimir Vaganov | Three-dimensional analog input control device |
JP5077102B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-11-21 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010293059A patent/JP5715412B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012141190A (ja) | 2012-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8748999B2 (en) | Capacitive sensors and methods for forming the same | |
JP5260342B2 (ja) | Memsセンサ | |
EP2881182A2 (en) | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same | |
JP3863171B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
KR102370648B1 (ko) | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 | |
EP2847789A1 (en) | Compliant micro device transfer head | |
TW202124056A (zh) | 經由邊緣溝槽、虛擬樞軸及自由邊界而增強的微加工超音波傳感器(mut)耦合效率及頻寬 | |
US20130126993A1 (en) | Electromechanical transducer and method of producing the same | |
JP2004274042A5 (ja) | ||
US9206038B2 (en) | Capacitive micro-machined ultrasonic transducer and method of singulating the same | |
JP2008509820A (ja) | Memsデバイス、及び介在物、並びにmemsデバイス、及び介在物を統合するための方法 | |
JP2009283900A (ja) | 力学量センサの製造方法および力学量センサ | |
JP5715412B2 (ja) | 荷重センサの製造方法 | |
WO2020059200A1 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2009020001A (ja) | 加速度センサ | |
JP5812625B2 (ja) | 静電容量型電気機械変換装置の製造方法 | |
JP4518738B2 (ja) | 加速度センサ | |
US9096418B2 (en) | Ultrasonic transducer and method of manufacturing the same | |
WO2021053892A1 (ja) | 圧電デバイスおよびその製造方法 | |
JP7251560B2 (ja) | 圧電デバイス | |
CN101459157B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
KR20100112699A (ko) | 가스 센싱 장치 및 가스 센싱 장치의 제조 방법 | |
JP6826761B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011044594A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010098281A (ja) | Memsセンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140909 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5715412 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |